JP3321925B2 - 液晶表示装置、半導体チップの実装構造、電子光学装置および電子印字装置 - Google Patents

液晶表示装置、半導体チップの実装構造、電子光学装置および電子印字装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの実装構
造及びそれを用いた電子光学装置並びに電子印字装置に
関するものであり、また、半導体チップを備える液晶表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置における液晶駆動用
ドライバーＩＣの搭載について、図１０６、図１０７、
図１０８、図１０９を用いて説明すると、ドライバーＩ
Ｃ５００４１はテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰ
という）５００４２に搭載され、パネル１６と接続部材
１９を介して接続されている。ＴＣＰ５００４２におけ
るドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４４と
ドライバーＩＣ５００４１からの出力配線５００４５は
５００４２の同一基板面上にあり、パネル１６との接続
はそのＴＣＰ５００４２基板面上の出力配線パターン５
００４５の先端部５００４６とパネル端子１８とを接続
部材１９を使って接続されている。
【０００３】また、他の従来の液晶表示装置における液
晶駆動用ドライバーＩＣの搭載について、図１０６、図
１０７、図１０８、図１０９、図１１０、図１１１を用
いて説明すると、ドライバーＩＣ５００４１はＴＣＰ５
００４２に搭載され、パネル１６と異方性導電膜５００
４９を介して接続されている。ＴＣＰ５００４２におけ
るドライバーＩＣ５００４１への入力配線５００４４と
ドライバーＩＣ５００４１からの出力配線５００４５は
ＴＣＰ５００４２の同一基板面上にあり、パネル１６と
の接続はそのＴＣＰ５００４２基板面上の出力配線パタ
ーン５００４５の先端部５００４６とパネル端子５００
１８とを異方性導電膜５００４９を使って接続されてい
る。この異方性導電膜５００４９は主に導電粒子５００
５０と接着剤５００５１より構成されていて、接着剤５
００５１の厚み（Ｈ）は導電粒子５００５０の粒子径
（Ｄ）より大きくなっている。これにより、ＴＣＰ５０
０４２の端子の先端部５００４６の厚み（Ｋ）が導電粒
子５００５０の粒子径（Ｄ）より大きい場合には図１１
１のような接続状態になり、導電粒子がつぶされ導通が
とれている。しかし、図１１２のように接続端子１３の
厚み（ｋ）が導電粒子５００５０の粒子径（Ｄ）より薄
い場合には、異方性導電膜５００４９では接着剤５００
５１が充分に排除されなくて導電粒子５００５０による
電気的接続がうまくとれないという不都合を生じてい
る。
【０００４】また、ドライバーＩＣ５００４１への入力
配線５００４４は入力信号と電源等を供給する他の別の
基板（以下バス基板という）５００４３と半田付けによ
って接続されている。このバス基板５００４３は２層基
板になっていてバス配線のクロス配線を可能にしてい
る。ただし、図では配線および接続部の詳細は省略して
ある。ここで、図１０８にあるようにＴＣＰ５００４２
の大部分およびバス基板５００４３がパネル外形より外
側にあり、半導体チップ実装に関わるエリアが広くなっ
ている。また、バス基板が別部品として必要であり、コ
スト高になっている。 また、図１０９を用いてＣＯＧ
（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式について説明す
る。図１０９はＣＯＧ方式による半導体チップの実装部
分の主要部分の断面図である。パネル基板上にバス配線
５００４８を設置しようとすれば、液晶駆動用のドライ
バーＩＣ５００４１への入力配線５００４７とのクロス
配線をパネル基板上で行わなければならない。また、配
線はＡｕ、Ｎｉ等の金属膜薄膜を使うため、抵抗値を下
げるために配線幅を広く取る必要がある。したがって、
半導体チップ実装に関わるエリアが広くなり、さらに、
金属薄膜で、かつクロス配線処理をするために非常なコ
スト高となる。
【０００５】従来の液晶表示装置は、行電極と列電極と
から成るマトリックス電極によって表示画素が構成さ
れ、液晶表示素子の周辺部に配置したＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装された半
導体素子の表示用駆動信号を表示素子の電極端子に異方
性導電接着材あるいは導電ゴムコネクタにより接続し、
供給している。
【０００６】図１１３、図１１４はＴＡＢ実装された半
導体素子を液晶表示素子に接続した液晶表示装置の実装
構造の一例を示すものである。
【０００７】図において、液晶駆動用のＴＣＰ５０１５
１は、可とう性配線部材５０１５２上に液晶駆動用の半
導体素子１１１がいわゆるＴＡＢ方式で実装されてい
る。そして、該ＴＣＰ５０１５１の一辺に設けられたＴ
ＣＰ出力端子５０１５３を、液晶表示体１１０の端子部
に異方性導電接着材１１５で接続し、その他の辺に設け
られたＴＣＰ入力端子５０１５４と駆動制御回路基板５
０１５５は半田付けにより接続されている。
【０００８】また、従来の液晶表示装置における液晶表
示パネルは、図１１６、及び図１１６のＥ−Ｆにおける
断面図である図１１７に示すように、液晶を挟み込む２
枚の透明基板のうち、例えばコモン電極（以下ＣＯＭと
いう）側透明基板５０２の長さを、セグメント電極（以
下ＳＥＧという）側透明基板５０１よりも長くし、か
つ、ＣＯＭ側透明基板５０２の幅よりもＳＥＧ側透明基
板５０１の幅の方が広くなるようにして、２枚の透明基
板５０２、及び５０１を重ね合わせてシール剤５０８に
よって液晶を封入し、それぞれ他方と重なっていない部
分までＳＥＧ側透明基板５０１上に形成されたＳＥＧ透
明電極５０５、およびＣＯＭ側透明基板５０２上に形成
されたＣＯＭ透明電極５０６を延ばし、これを液晶駆動
回路との接続端子としていた。
【０００９】また、従来の液晶表示装置は、ＴＣＰ上に
実装された液晶駆動用半導体チップに画像信号および電
源を供給する電源回路が、図１０６に示すＣＯＭ側バス
基板５００５２上に形成されるか、または別体の電源回
路基板を構成し、テープ電線などを用いて半田付けでＣ
ＯＭ側バス基板５００５２と接続する構成となってい
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術はドライバーＩＣに入力信号と電源等を供給する
別の配線基板（バス基板）が必要であったり、金属薄膜
のクロス配線が必要であったり、また搭載範囲もかなり
広くなり、安価で、コンパクトな液晶表示装置を提供す
ることが難しいという欠点を有していた。
【００１１】そこで、本発明は上記欠点を解決するため
になされたものである。
【００１２】その目的とするところはその液晶駆動用半
導体チップの搭載範囲を小さく、薄く、コンパクトに
し、さらに安価な液晶表示装置を提供することである。
【００１３】また、上記従来技術は液晶駆動用半導体素
子１１１をＴＡＢ実装法により半導体素子単品毎のＴＣ
Ｐ形態にして液晶表示素子１１０の電極端子に列順（画
素に並列でかつ順番）に接続する。そして、ＴＣＰ相互
の接続と、液晶駆動電源および制御信号（以下バスライ
ンという）を供給するため駆動制御回路基板５０１５５
に接続する。
【００１４】このような実装構造による液晶表示装置の
場合、特にカラー表示装置においては白黒表示と同一の
解像度を得るためには３倍の画素密度が必要となるため
ＴＣＰの必要数も３倍になる。これに伴いＴＣＰ相互接
続本数が増加し接続信頼性が低下する。また駆動制御回
路基板５０１５５の配線ルールが端子数が増えることに
より細密になり、基板を多層化せざるをえなくなるた
め、液晶表示装置が小型化できないばかりでなく、部品
点数が増え高額なものになる。
【００１５】さらに、図１１５は特開平２−２１４８２
６号公報に開示された従来のカラー液晶表示装置の構造
を示す図であり、カラー表示の画素増に対応するためＴ
ＣＰ５０１５１−１〜５０１５１−３を三段重ねして実
装しているが駆動制御回路基板５０１５５への接続箇所
は図９８構造と同一であり画素密度が増えることにより
接続本数が増え接続不良が低減できない。またＴＣＰの
多段重ねをすることにより厚さ方向に半導体素子の出っ
張りが生じ小型化できない等の課題があった。
【００１６】そこで、本発明は上記の欠点を解決するた
めのもので、その目的とするところは高精細かつ高密度
画素のカラー液晶表示装置であっても廉価でしかも小型
化ができる構造をもつ液晶表示装置を提供することであ
る。
【００１７】また、上記従来技術は、図１０６、図１０
７、図１０８、図１１６、および図１１６の断面図であ
る図１１７に示すように、液晶５０９を挟み込む２枚の
透明基板、例えばＳＥＧ側透明基板５０１およびＣＯＭ
側透明基板５０２の両方に、それぞれに対応するＴＣＰ
５００４２を実装する端子があるため、ＴＣＰ５００４
２をＣＯＭ側透明基板５０２、およびＳＥＧ側透明基板
５０１に接続する際、まずＳＥＧ側透明基板５０１にＴ
ＣＰ５００４２を実装し、ＣＯＭ側透明基板５０２およ
びＳＥＧ側透明基板５０１からなる液晶表示パネル１６
を裏返した後に、ＣＯＭ側透明基板５０２にＴＣＰ５０
０４２を実装しなければならなかった。また、ＴＣＰ５
００４２を実装した後、ＣＯＭ側透明基板５０２および
ＳＥＧ側透明基板５０１の端子部の透明電極が露出した
部分を保護するために紫外線硬化型樹脂のモールド２１
を塗布するが、ＳＥＧ側ＴＣＰの側を塗布した後に裏返
してＣＯＭ側ＴＣＰの側を塗布しなければならないた
め、ＳＥＧ側ＴＣＰの側に塗布した紫外線硬化型樹脂の
モールド２１がたれないようにするために、ＳＥＧ側Ｔ
ＣＰの側に紫外線硬化型樹脂のモールド２１を塗布した
後これを硬化し、その後裏返してＣＯＭ側ＴＣＰの側に
紫外線硬化型樹脂のモールド２１を塗布し、硬化させる
か、あるいは紫外線硬化型樹脂のモールド２１自体をた
れの少ないものにするなどの工夫が必要であった。この
ため、工程が複雑になるとともに、製造装置、および製
品のコストアップの原因となっていた。この不具合を回
避する先行技術として実開昭６３−６２８２３号公報、
および特開平３−２３３５１９号公報に開示されている
ように、ＳＥＧ電極を設けた上基板と、ＳＥＧ電極と対
向し、かつ交差する方向に伸びるＣＯＭ電極を設けた下
基板とを貼り合わせ、上下両基板の隙間に液晶を充填し
てなる液晶表示素子において、上基板を下基板より大き
く形成し、上基板にはＳＥＧ電極端子を設けるととも
に、このＳＥＧ電極端子が設けられたと同じ上基板の表
面側に、下基板のＣＯＭ電極に対応する位置にＣＯＭ電
極端子を設け、上基板と下基板との隙間の、液晶を封入
するシール材の外側（液晶のない側）に配設した導電材
で、下基板のＣＯＭ電極と上基板のＣＯＭ電極端子とを
接続することを提案している。しかしながら、これらの
先行技術では下基板の電極と上基板の電極端子とを接続
する導電材が液晶を封入するシール材の外側、すなわち
液晶のない側にあるため、導電材が直接空気に触れて腐
食する、あるいは液晶表示装置製造工程における薬品類
の使用による導電材の腐食などの不具合を生じやすい。
またこれを防止するために樹脂モールドなどで保護する
にも、導電材の周囲に空間が生じやすく、樹脂等が導電
材の周りを完全に囲み、導電材と空気あるいは導電材と
薬品などとの接触を完全に遮断することが困難であると
いう問題があった。
【００１８】さらに、従来の液晶表示装置は、電源回路
が別体になっているため、これを接続する工程が必要で
あるほか、電源回路と液晶表示装置とを接続する電線が
長くなりやすく、電源、及び画像信号に外部からノイズ
が侵入しやすくなるなどの欠点があった。
【００１９】本発明は上記欠点を解決し、液晶表示装置
の製造工程の単純化及び自動化を可能とし、表示品位が
高く、コンパクトで、かつ安価な液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶表示装置において、複数の半導体チップと、前
記複数の半導体チップが接続される一方の面および前記
一方の面と対向する他方の面を有する多層基板と、前記
多層基板が接続される液晶パネルと、を備え、前記多層
基板は、前記一方の面において、前記複数の半導体チッ
プの各々にそれぞれ接続される複数の入力配線を有し、
且つ前記一方の面及び前記他方の面の間において、前記
複数の入力配線を互いに接続するバス配線を有すること
を特徴とする。前記多層基板は、前記一方の面におい
て、前記複数の半導体チップの各々にそれぞれ接続され
る複数の出力配線を有し、前記出力配線は、前記液晶パ
ネルのパネル端子に接続されることが好ましい。前記多
層基板は前記液晶パネルの外形以内に収まるように前記
液晶パネルに搭載されていることが好ましい。
【００２１】本発明の液晶表示装置は、液晶表示装置に
おいて、半導体チップと、前記半導体チップが接続され
る一方の面および前記一方の面と対向する他方の面を有
する多層基板と、前記多層基板が接続されるとともに搭
載される液晶パネルと、を備え、前記多層基板は、前記
一方の面において、前記半導体チップに接続される入力
配線を有し、且つ前記一方の面及び前記他方の面の間に
おいて、前記入力配線にスルーホールを介して接続され
るバス配線を有することを特徴とする。
【００２２】本発明の半導体チップの実装構造は、半導
体チップの実装構造において、複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップが接続される一方の面および前
記一方の面と対向する他方の面を有する多層基板と、を
備え、前記多層基板は、前記一方の面において、前記複
数の半導体チップの各々にそれぞれ接続される複数の入
力配線および前記複数の半導体チップの各々にそれぞれ
接続される複数の出力配線を有し、且つ前記一方の面及
び前記他方の面の間において、前記複数の入力配線を互
いに接続するバス配線を有することを特徴とする。
【００２３】本発明の電子光学装置は、上記半導体チッ
プの実装構造を備えることを特徴とする。
【００２４】本発明の電子印字装置は、上記半導体チッ
プの実装構造を備えることを特徴とする。
【００２５】
【作用】本発明における液晶表示装置の構成によれば、
バスラインおよび接続端子を多層基板に形成しそこに複
数の半導体素子を実装し表示素子の電極に接続すること
で、駆動制御回路基板が不要になると同時に半導体素子
の相互接続本数が削減できるため信頼性が向上し、装置
の小型化が可能になる。
【００２６】
【実施例】
〔実施例１〕以下本実施例を図１、図２、図３、図４を
用いて説明する。
【００２７】図１は本発明の液晶表示装置において、液
晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウン
ボンディングした一実施例の多層基板を分解して示した
斜視図である。
【００２８】１、２、３は本実施例の多層（３層）基板
の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層
であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例え
ば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に
接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田
バンプを用いるフリップチップ方法等）により第１の層
１の表面にフェイスダウンボンディングされている。ボ
ンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲およ
び液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間
は腐食防止および補強のためにモールド２０を施してあ
る。このモールド材として、エポキシ、アクリル、ウレ
タン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬
化タイプ等またはそれらの併用タイプである。第１の層
１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッド
に対応する入力配線５がパターニングされている。ま
た、入力配線５はスルーホール６を介して第２の層２の
バス配線１０に接続されている。さらに、入力配線５の
先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディ
ングするためのランド７が形成されている。
【００２９】また、第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパ
ターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チッ
プ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が
大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対
応するように第１の層１上でパターンを広げて配線され
ている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を
形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の
層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１
３に接続している。
【００３０】なお、第１の層１、第２の層２、第３の層
３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板
である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用し
た。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。
また、スルーホール６、９、１１、１２も同様にＡｕ、
Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物であ
る。また、ランド７、接続端子１３も同様にＡｕ、Ａ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。
それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によりパター
ニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体化し完成
している。それぞれのパターニング焼成された金属の厚
みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度である
が、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．２ｍｍ
程度にしてもよい。
【００３１】ただし、第１の層１の表面の入力配線５、
ランド７、出力配線８および第３の層３の裏面の接続端
子１３は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フ
ォトリソ等によってパターン形成してもよい。この時の
パターン厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度であ
る。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸
着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、
メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この
時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程
度である。
【００３２】焼成後のセラミック基板は温度、湿度に対
して寸法安定性が優れているため、液晶駆動用半導体チ
ップ４と多層基板１４との接続部分、および多層基板１
４の接続端子１３とパネル端子１８との接続部分の接続
信頼性が高い。
【００３３】また、第１の層１、第２の層２、第３の層
３の各層は別の素材として、ガラス繊維とエポキシ系樹
脂の複合素材であるガラスエポキシ板を使用してもよ
い。ここで、ガラスエポキシ板の厚みは０．１ｍｍのも
のを使用したが、０．０５ｍｍから０．８ｍｍ程度の厚
みのものが使用できる。入力配線５、出力配線８、バス
配線１０、ランド７、および接続端子１３はそれぞれの
層毎に公知のサブトラクティブ法やアディティブ法によ
り銅等の金属をパターニングし、スルーホール６、９、
１１、１２は銅等の金属を公知のメッキ法等により、各
層毎、または各層を重ね合わせて形成する。パターニン
グされた金属の厚みは０．００１ｍｍから０．０３５ｍ
ｍ程度であるが、低抵抗化や大電流化に対応するため、
０．０３５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。それ
ぞれの配線入力配線５、出力配線８、バス配線１０、ラ
ンド７、接続端子１３、スルーホール６、９、１１、１
２の表面は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｉｎ等の単独または複数の組み合わせのメッキ処理
を施してもよく、メッキ厚みは０．００００５ｍｍから
０．０５ｍｍ程度である。ガラスエポキシ板を使用する
と、前記セラミック基板より厚みを薄くでき、また、使
用材料、製造工程等が一般的であり安価になる。そのほ
かに、ガラス繊維のほかにアラミド繊維またはそれらの
混合素材等と、エポキシ系樹脂のほかにポリイミド系樹
脂またはＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）樹脂等との
複合素材を使用してもよい。
【００３４】さらにまた、第１の層１、第２の層２、第
３の層３の各層は別の素材として、ポリイミド（Ｐ
Ｉ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
ーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、ポリエステル（ＰＳ）、三酢酸セルロース（ＴＡ
Ｃ）、ポリサルフォン（ＰＳ）、アクリル、エポキシ、
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレ
ート等の単独またはそれらのいくつかを複合化した有機
樹脂フィルムを使用してもよい。ここで、有機樹脂フィ
ルムの厚みは０．０２５ｍｍのポリイミドフィルムを使
用したが、フィルムの厚みは０．００１ｍｍから０．５
ｍｍ程度のものを使用できる。入力配線５、出力配線
８、バス配線１０、ランド７、および接続端子１３はそ
れぞれの層毎に公知のサブトラクティブ法やアディティ
ブ法により銅等の金属をパターニングし、スルーホール
６、９、１１、１２は銅等の金属を公知のメッキ法等に
より、各層毎、または各層を重ね合わせた後形成する。
また、銅等の金属箔にＰＩコート（公知のキャスティン
グ法等）したものを同様にパターニングし、積層しても
よい。パターニングされた金属の厚みは０．００１ｍｍ
から０．０３５ｍｍ程度であるが、低抵抗化や大電流化
に対応するため、０．０３５ｍｍから０．２ｍｍ程度に
してもよい。それぞれの配線５、８、１０、ランド７、
接続端子１３、スルーホール６、９、１１、１２の表面
は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ
等の単独または複数の組み合わせのメッキ処理を施して
もよく、メッキ厚みは０．０００１ｍｍから０．０５ｍ
ｍ程度である。有機樹脂フィルムを使用すると、前記セ
ラミック基板、ガラスエポキシ板等より厚みを薄くで
き、パネル端子１８との接続部材１９による接続を容易
にし、接続信頼性、接続工程を簡略化できる。
【００３５】図２は図１に示した一実施例の多層基板を
液晶表示パネルに接続した一実施例を示す。
【００３６】図３は図２の接続部の主要部分を拡大して
示す。
【００３７】図４は図２の接続部の主要部分の断面を示
す。
【００３８】液晶表示式のパネル（例えば６４０＊４８
０ドット表示）１６に図１に示した一実施例の多層基板
１４をＸ側に１６個、Ｙ側に５個をそれぞれパネル端子
１８に接続してある。ただし、図２ではＸ側の１２個と
Ｙ側の５個は表示していない。多層基板１４の端子１３
とパネル端子１８は、接続部材１９によって接続が取ら
れている。接続部材１９は電気的接続を確保していると
同時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねて
いる。
【００３９】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、ま
たはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子
（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボ
ン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエ
ンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつか
の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル
端子１８と多層基板１４の接続端子１３との間に配置
し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性
とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当てることによって硬化接続され
る。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使っ
た場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネ
ル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させ
る。
【００４０】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、または
メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリ
スチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単
独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子
等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチ
レン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエス
テル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使っ
た場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てる
ことによって硬化接続される。また、この異方性導電接
着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当て、パネル端子１８（ガラス側）
側からＵＶ照射して硬化させる。
【００４１】また、パネル端子１８の露出部分を腐食か
ら守るために、モールド２１が施されている。合わせて
モールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も
持っている。このモールド材は、エポキシ、アクリル、
ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの
混合または化合物等であり、溶剤タイプ、熱硬化タイ
プ、光硬化タイプ等またはそれらの併用タイプである。
【００４２】隣接する多層基板１４間のバス配線の接続
は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボ
ンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイ
ヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納ま
り、図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるよ
うにコンパクトに搭載される。
【００４３】また、ここで使用する接続部材１９は図２
１に示すような異方性導電膜でもよく、主に導電粒子３
２と接着剤３３より構成されていて、接着剤３３の厚み
（ｈ）は導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄くなってい
る。また、図２２に示すように異方性導電膜３１がセパ
レータ３４（テフロン、ＰＥＴ等のシート（フィル
ム）、紙等）の上に形成されたものでもよい。この導電
粒子３２は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等
による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カー
ボン粒子等であり、粒子径（ｄ）は０．００１ｍｍから
０．０２０ｍｍ程度のものである。また、この接着剤２
７はスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキ
シ系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系等の単
独、または複数の混合または化合物の接着剤であり、厚
み（ｈ）は０．０００５ｍｍから０．０１８ｍｍ程度で
ある。
【００４４】この異方性導電膜３１をパネル端子１８と
多層基板１４の接続端子１３との間に配置し、異方性導
電膜３１に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性とのブレ
ンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当てることによって硬化接続され
る。また、異方性導電膜３１にＵＶ硬化性タイプの接着
剤を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当
て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させて接続している。多層基板１４の接続端子１３の
厚み（ｋ）が導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄い場合
（特に接続端子ピッチが０．１ｍｍ以下の場合に顕著で
ある）においても、接着剤３３が充分に圧着時に排除さ
れ、パネル端子１８と多層基板１４の接続端子１３が導
電粒子３２によって確実に電気的に接続されている（図
２４参照）。この接続状態を接着剤３３が保持し、充分
な接続信頼性を確保している。
【００４５】他の接続部材として、図２３に示すように
導電粒子３２と接着剤３３を含む液状、またはペースト
状の異方性導電接着剤３５を印刷方法、ディスペンサを
使ったディスペンス方法等の公知の方法により、パネル
端子１８の接続部分に配置する。この時、異方性導電接
着剤３５の粘度、チキソ性等を制御して、接着剤３３の
厚み（ｈ）が導電粒子３２の粒子径（ｄ）より薄くなる
ようにし、上記異方性導電膜の圧着接続と同様な方法に
より、図２４に示すように接続信頼性の高い接続ができ
る。
【００４６】また、パネル端子１８の露出部分を腐食か
ら守るために、モールド２１が施されている。合わせて
モールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も
持っている。このモールド材としては、エポキシ、アク
リル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいく
つかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タ
イプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【００４７】隣接する多層基板１４間のバス配線の接続
は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボ
ンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイ
ヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納ま
り、図４に示すようにパネル１６の外形以内に納まるよ
うにコンパクトに搭載される。
【００４８】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用
いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多
層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、
基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よ
りコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使
わないため低価格化が可能である。
【００４９】また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上
でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線の
エリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするた
めに金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、
本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式
よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が
可能である。
【００５０】〔実施例２〕本実施例を図５を用いて説明
する。
【００５１】図５は本発明の液晶表示装置において、液
晶駆動用半導体チップを多層基板表面にワイヤーボンデ
ィングした一実施例の多層基板を分解して示した斜視図
である。
【００５２】多層基板の第１の層１の表面に、液晶駆動
用半導体チップ４の入出力パッドに対応して入力配線５
および出力配線８にワイヤーボンディング用ランド２２
が形成されている。その他、パターン、スルーホール、
多層基板の形成方法、構成および構造は、実施例１と同
様である。
【００５３】液晶駆動用半導体チップの裏面を多層基板
の表面に固定し液晶駆動用半導体チップ４の入出力パッ
ドとそれぞれに対応する多層基板の第１の層１の表面の
ランド２２をワイヤーボンディングする。ワイヤー２３
は実施例１の多層基板間の接続に使用したものと同様な
ものが使用可能である。また、図示は省略してあるが実
施例１と同様にボンディング部およびワイヤー部を保
護、補強のためにモールドしてある。
【００５４】さらに、隣接する多層基板間のバス配線の
接続は、実施例１と同様にワイヤーボンディングされて
いる。また、同様に図示は省略してあるが実施例１と同
様にボンディング部およびワイヤー部を保護、補強のた
めにモールドしてある。
【００５５】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、
実施例１と同様に、コンパクト化、低価格化が可能であ
る。
【００５６】〔実施例３〕本実施例を図６を用いて説明
する。
【００５７】図６は本発明の液晶表示装置において、実
施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基板
表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４を
液晶表示パネルのパネル端子１８に異方性導電膜１９を
使って接続されている。接続部の主要部分は実施例１の
図４と同様である。ただし、多層基板の第１の層１の入
力配線の先端はワイヤーボンディング用のランドではな
く、ヒートシール、またはフレキシブル基板を接続する
のに適した形状をしている。
【００５８】隣接する多層基板１４間のバス配線の接続
は、接続基板２４を使って接続している。接続基板２４
としてはヒートシール、またはフレキシブル基板を用い
ることができる。
【００５９】接続基板２４の接続される幅は多層基板１
４の幅以内に納まり、実施例１の図４に示すように、同
様にパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクトに
搭載される。
【００６０】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、
実施例１と同様に、コンパクト化、低価格化が可能であ
る。
【００６１】また、液晶駆動用半導体チップの多層基板
表面への接続、隣接する多層基板間の電気的接続につい
ては、実施例１、２、および３に示すものをそれぞれに
組み合わせて使用することも同様に可能であり、それぞ
れの場合においても同様にコンパクト化、低価格化が可
能である。
【００６２】その他に、本実施例で用いた半導体チップ
を実装した多層基板、およびその多層基板を他の表示装
置または電子印字装置に実装することは、半導体チップ
の種類をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、ま
たはＥＬ駆動用半導体チップに換えることによって、プ
ラズマディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用
できる。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同
様に多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッド
に同様に接続することで電子印字装置に適用できる。
【００６３】〔実施例４〕本実施例を図４、図７、図
８、図９、図１０を用いて説明する。
【００６４】図７は本発明の液晶表示装置において、液
晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウン
ボンディングした他の一実施例の多層基板を分解して示
した斜視図である。
【００６５】１、２、３は本実施例の多層（３層）基板
の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層
であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例え
ば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に
接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田
によるフリップチップ方法等）により第１の層１の表面
にフェイスダウンボンディングされている。ボンディン
グ後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆
動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防
止および補強のためにモールド２０を施してある。この
モールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポ
リエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化
合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ
等またはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面
には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応す
る入力配線５がパターニングされている。また、入力配
線５はスルーホール６およびスルーホール２５を介して
第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、
第３の層のスルーホール２６を介して、第３の層の裏面
の接続端子２７に接続されている。この接続端子２７
は、パネル上のバス配線２８の接続端子２９に接続する
ように適正な形状、大きさ、厚みになっていて、さらに
パネルとの接続端子１３の配列された多層基板１４の辺
とおおむね直角になっている辺側に配列されている。図
では一列配列となっているが、複数の配列になってもよ
い。
【００６６】また、第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパ
ターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チッ
プ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が
大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対
応するように第１の層１上でパターンを広げて配線され
ている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を
形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の
層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１
３に接続している。ここでは３層の多層基板における半
導体チップのパッドピッチとパネルの端子ピッチの整合
方法の一例を示したが、一層だけでなく複数層（２層以
上）に渡って整合させてもよい。
【００６７】なお、第１の層１、第２の層２、第３の層
３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板
である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用し
た。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合
物の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール
６、９、１１、１２、２５、２６も同様にＡｕ、Ａｇ、
ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物である。ま
た、接続端子１３、２７も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰ
ｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金属ペ
ーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知
の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合わ
せ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパター
ニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから
０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．
０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【００６８】ただし、第１の層１の表面の入力配線５、
出力配線８および第３の層３の裏面の接続端子１３、２
７は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、
ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の
金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパタ
ーン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００
１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式では
なくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等によ
る薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパ
ターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０
００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【００６９】図８は図７に示した一実施例の多層基板を
液晶表示パネルに接続する主要部分を分解して示す。ま
た、接続部の主要部分の断面（図８のｘ−ｘ断面）は実
施例１と同様に図４のようになる。パネル１６におい
て、多層基板１４が搭載される部分に対応して、パネル
上に接続端子１８およびバス配線２８とその端部に接続
端子２９がパターニングされている。図８では、直線パ
ターンで示してあるが配線抵抗や接続抵抗等の低抵抗化
を考慮して配線可能なエリアいっぱいに有効にパターニ
ングしてもよい。パネル上のバス配線２８はこの多層基
板間をつなぐバス配線の役割をしている。
【００７０】図９は図８の実施例とほぼ同じであるが、
多層基板１４の接続端子１３がパネル１６の内側に配置
されている。接続部の主要部分の断面（図９のｙ−ｙ断
面）は図１０のようになり、パネル端子１８からパネル
内部への配線長は図４の実施例より短くなり、配線抵抗
値を小さくする効果がある。
【００７１】この多層基板１４の接続端子１３とパネル
端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接
続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９
は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板
１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００７２】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、ま
たはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子
（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボ
ン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエ
ンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつか
の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル
端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に
配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬
化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッ
ドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続さ
れる。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使
った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パ
ネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させる。この加圧ヘッドの形状を接続端子１３、２７
の配列形状に合わせてコの字形状の一体または複数体に
すれば、１回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端
子をパネル端子１８、２９とそれぞれ一括で接続でき
る。
【００７３】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、または
メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリ
スチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単
独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子
等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチ
レン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエス
テル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使っ
た場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てる
ことによって硬化接続される。また、この異方性導電接
着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラ
ス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この加圧ヘッド
の形状を接続端子１３、２７の配列形状に合わせてコの
字形状の一体または複数体にすれば、１回の加圧工程で
この多層基板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９
とそれぞれ一括で接続できる。
【００７４】また、パネル端子１８、２８、２９の露出
部分を腐食から守るために、モールド２１が施されてい
る。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固
定する役割も持っている。このモールド材は、エポキ
シ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独または
そのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイ
プ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用
タイプである。
【００７５】図４に示すようにパネル１６の外形以内に
納まるようにコンパクトに搭載される。
【００７６】このように、多層基板間の導通をとる手段
として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配
線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、
別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品
も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできる
ため接続工数が削減される。
【００７７】〔実施例５〕本実施例を図４、図１０、図
１１、図１２、図１３、図１４を用いて説明する。
【００７８】図１１は本発明の液晶表示装置において、
液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウ
ンボンディングした他の一実施例の多層基板を分解して
示した斜視図である。
【００７９】１、２、３は本実施例の多層（３層）基板
の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層
であり、液晶駆動用半導体チップ４は公知の方法（例え
ば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に
接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法、半田
によるフリップチップ方法等）により第１の層１の表面
にフェイスダウンボンディングされている。ボンディン
グ後は、液晶駆動用半導体チップ４の周囲および液晶駆
動用半導体チップ４と第１の層１の表面との間は腐食防
止および補強のためにモールド２０を施してある。この
モールド材として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポ
リエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化
合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ
等またはそれらの併用タイプである。第１の層１の表面
には、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応す
る入力配線５がパターニングされている。また、入力配
線５はスルーホール６およびスルーホール２５を介して
第２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、
バス配線１０は第２の層２のスルーホール３０に接続さ
れ、さらに、スルーホール３０と第３の層のスルーホー
ル２６を介して、第３の層の裏面の接続端子２７に接続
されている。この接続端子２７は、接続端子１３と同じ
並びになるように配列されている。また、この形状、大
きさ、厚みもほぼ類似している。図１１では、接続端子
１３と２７は同一形状、同一ピッチで配列されているも
のを示しているが、それぞれの端子内、端子間で異なっ
ていてもよい。また、スルーホール１３、２６は一列に
配列したものを示しているが、複数列に配列してもよ
い。
【００８０】また、第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパ
ターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チッ
プ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が
大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対
応するように第１の層１上でパターンを広げて配線され
ている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を
形成し、第２の層２のスルーホール１１を通り、第３の
層３のスルーホール１２を介してパネルとの接続端子１
３に接続している。ここでは３層の多層基板における半
導体チップのパッドピッチとパネルの端子ピッチの整合
方法の一例を示したが、一層だけでなく複数層（２層以
上）に渡って整合させてもよい。
【００８１】なお、第１の層１、第２の層２、第３の層
３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板
である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用し
た。入力配線５、出力配線８、バス配線１０はＡｕ、Ａ
ｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合
物の金属ペーストの焼成物である。また、スルーホール
６、９、１１、１２、２５、２６、３０も同様にＡｕ、
Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物であ
る。また、接続端子１３、２７も同様にＡｕ、Ａｇ、Ａ
ｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の金
属ペーストの焼成物である。それらはそれぞれの層毎に
公知の印刷方式によりパターニングされ、各層を重ね合
わせ、焼成して一体化し完成している。それぞれのパタ
ーニング焼成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍか
ら０．０５ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために
０．０５ｍｍから０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【００８２】ただし、第１の層１の表面の入力配線５、
出力配線８および第３の層３の裏面の接続端子１３、２
７は配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、
ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の単独またはそのいくつかの複合物の
金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ等によってパタ
ーン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．００
１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。または印刷方式では
なくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等によ
る薄膜形成後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパ
ターン形成してもよい。この時のパターン厚みは０．０
００５ｍｍから０．１ｍｍ程度である。
【００８３】図１２は図１１に示した一実施例の多層基
板を液晶表示パネルに接続する主要部分を分解して示
す。また、接続部の主要部分の断面（図１２のＸ−Ｘ断
面）は実施例１と同様に図４のようになる。パネル１６
において、多層基板１４が搭載される部分に対応して、
パネル上に接続端子１８およびバス配線２８とその端部
に接続端子２９がパターニングされている。接続端子１
８と２９は直線上に配置されている。図１２では、バス
配線２８を実線で簡略表示しているが、配線抵抗や接続
抵抗等を考慮してパターン幅等を変えて、各配線間の抵
抗値を均一化している。パネル上のバス配線２８はこの
多層基板間をつなぐバス配線の役割をしている。
【００８４】この多層基板１４の接続端子１３とパネル
端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接
続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９
は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板
１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００８５】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、ま
たはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子
（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボ
ン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエ
ンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつか
の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル
端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に
配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬
化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッ
ドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続さ
れる。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使
った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パ
ネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置さ
れているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよ
く、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１
回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル
端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００８６】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、または
メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリ
スチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単
独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子
等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチ
レン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエス
テル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使っ
た場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てる
ことによって硬化接続される。また、この異方性導電接
着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラ
ス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１
３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘ
ッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で
接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基
板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ
一括で接続できる。
【００８７】また、パネル端子１８、２８、２９の露出
部分を腐食から守るために、モールド２１が施されてい
る。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固
定する役割も持っている。このモールド材は、エポキ
シ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独または
そのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイ
プ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用
タイプである。
【００８８】図４に示すようにパネル１６の外形以内に
納まるようにコンパクトに搭載される。
【００８９】このように、多層基板間の導通をとる手段
として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配
線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、
別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品
も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできる
ため接続工数が削減される。
【００９０】図１３は図１２の実施例とほぼ同じである
が、多層基板１４の接続端子１３がパネル１６の内側に
配置されている。接続部の主要部分の断面（図１３のＹ
−Ｙ断面）は図１０のようになり、パネル端子１８から
パネル内部への配線長は図４の実施例より短くなり、配
線抵抗値を小さくする効果がある。
【００９１】この多層基板１４の接続端子１３とパネル
端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接
続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９
は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板
１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００９２】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、ま
たはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子
（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボ
ン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエ
ンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつか
の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル
端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に
配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬
化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッ
ドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続さ
れる。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使
った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パ
ネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置さ
れているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよ
く、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１
回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル
端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【００９３】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、または
メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリ
スチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単
独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子
等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチ
レン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエス
テル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使っ
た場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てる
ことによって硬化接続される。また、この異方性導電接
着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラ
ス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１
３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘ
ッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で
接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基
板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ
一括で接続できる。
【００９４】また、パネル端子１８、２８、２９の露出
部分を腐食から守るために、モールド２１が施されてい
る。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固
定する役割も持っている。このモールド材は、エポキ
シ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独または
そのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイ
プ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用
タイプである。
【００９５】図１０に示すようにパネル１６の外形以内
に納まるようにコンパクトに搭載される。
【００９６】このように、多層基板間の導通をとる手段
として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配
線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されため、
別な工程は必要ない。また、ヒートシール等の別な部品
も必要ない。さらに、入出力端子の接続を一括でできる
ため接続工数が削減される。
【００９７】図１４は図１２の実施例とほぼ同じである
が、パネル上のバス配線２８が多層基板１４の搭載され
るエリアだけではなく、パネル内部の表示に影響のない
エリアにも配線されている。したがって、バス配線２８
に使えるエリアが広くなり、配線抵抗値をより小さくす
るように、多層基板１４の搭載エリアを大きくすること
なしにバス配線幅を大きくすることが可能である。ここ
でバス配線の抵抗値を小さくすることは液晶表示装置の
表示品質を向上させる効果がある。接続部の主要部分の
断面（図１４のＺ−Ｚ断面）は図１０のようになり、多
層基板１４の搭載エリアをよりコンパクトにできた、表
示品質のよい液晶表示装置とすることができる。
【００９８】この多層基板１４の接続端子１３とパネル
端子１８、および接続端子２７とパネル端子２９は、接
続部材１９によって接続が取られている。接続部材１９
は電気的接続を確保していると同時にある程度多層基板
１４のパネルへの固定も兼ねている。
【００９９】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、ま
たはメッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子
（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮ
ｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ
等の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボ
ン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジエ
ンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつか
の混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル
端子１８と多層基板１４の接続端子１３、２７との間に
配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬
化性とのブレンドタイプを使った場合には加熱加圧ヘッ
ドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続さ
れる。また、この異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプを使
った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パ
ネル端子１８、２９（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させる。この接続端子１３、２７が一直線状に配置さ
れているため、この加圧ヘッドの形状は一文字形状でよ
く、簡単な圧着接続装置で接続が可能である。また、１
回の加圧工程でこの多層基板１４の入出力端子をパネル
端子１８、２９とそれぞれ一括で接続できる。
【０１００】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独またはそのいくつかの混合、合金、または
メッキ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリ
スチレン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の単
独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子
等である。また、この接着剤はスチレンブタジエンスチ
レン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエス
テル系、ウレタン系等の単独またはそのいくつかの混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１８の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使っ
た場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押し当てる
ことによって硬化接続される。また、この異方性導電接
着剤にＵＶ硬化性タイプを使った場合には加圧ヘッドを
多層基板１４に押し当て、パネル端子１８、２９（ガラ
ス側）側からＵＶ照射して硬化させる。この接続端子１
３、２７が一直線状に配置されているため、この加圧ヘ
ッドの形状は一文字形状でよく、簡単な圧着接続装置で
接続が可能である。また、１回の加圧工程でこの多層基
板１４の入出力端子をパネル端子１８、２９とそれぞれ
一括で接続できる。
【０１０１】また、パネル端子１８、２８、２９の露出
部分を腐食から守るために、モールド２１が施されてい
る。合わせてモールド２１は多層基板１４をパネルに固
定する役割も持っている。このモールド材は、エポキ
シ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の単独または
そのいくつかの混合または化合物等であり、溶剤タイ
プ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ等またはそれらの併用
タイプである。
【０１０２】図１０に示すようにパネル１６の外形以内
に納まるようにコンパクトに搭載される。
【０１０３】このように、多層基板間の導通をとる手段
として、パネル上にバス配線をすることは、このバス配
線がパネルの他の配線パターンと同時に形成されるた
め、別な工程が必要ないこと、またヒートシール等の別
な部品も必要ないこと、さらに、入出力端子の接続を一
括でできるため接続工数が削減されること等により、よ
り安く液晶表示装置を供給できる。
【０１０４】さらに、本実施例の多層基板を用いること
によって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用いて
バス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多層基
板内でクロス配線を処理できている。したがって、基板
内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よりコ
ンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使わな
いため低価格化が可能である。
【０１０５】また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上
でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線の
エリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするた
めに金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、
本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式
よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が
可能である。
【０１０６】〔実施例６〕以下本実施例を図１５、図１
６、図１７、図１８を用いて説明する。
【０１０７】図１５は本発明の液晶表示装置において、
２個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面
にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板
を分解して示した斜視図である。
【０１０８】１、２、３は本実施例の多層（３層）基板
の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層
であり、液晶駆動用半導体チップ４、４’は公知の方法
（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて
基板に接続する方法、または異方性導電膜を用いる方
法、または半田バンプを用いたフリップチップ方法等）
により第１の層１の表面にフェイスダウンボンディング
されている。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チッ
プ４、４’の周囲および液晶駆動用半導体チップ４、
４’と第１の層１の表面との間は腐食防止および補強の
ためにモールド２０を施してある。このモールド材とし
て、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル等の
単独またはそのいくつかの混合または化合物であり、溶
剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそれらの
併用タイプである。第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４、４’の入力パッドに対応する入力配線
５、５’がパターニングされている。また、入力配線
５、５’はスルーホール６を介して第２の層２のバス配
線１０に接続されている。さらに、入力配線５、５’の
先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤーボンディ
ングするためのランド７が形成されている。
【０１０９】また、第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４、４’の出力パッドに対応する出力配線
８、８’がパターニングされている。ここで、液晶駆動
用半導体チップ４、４’の出力パッドピッチよりパネル
の端子ピッチの方が大きいため、それぞれの出力パッド
とパネルの端子が対応するように第１の層１上でパター
ンを広げて配線されている。さらに、出力配線８、８’
の先端にスルーホール９を形成し、第２の層２のスルー
ホール１１を通り、第３の層３のスルーホール１２を介
してパネルとの接続端子１３に接続している。
【０１１０】なお、第１の層１、第２の層２、第３の層
３の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板
である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用し
た。入力配線５、５’、出力配線８、８’、バス配線１
０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼
成物である。また、スルーホール６、９、１１、１２も
同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの
焼成物である。また、ランド７、接続端子１３も同様に
Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物
である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式によ
りパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一体
化し完成している。それぞれのパターニング焼成された
金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程度
であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから０．
２ｍｍ程度にしてもよい。
【０１１１】ただし、第１の層１の表面の入力配線
５、、５’、ランド７、出力配線８、８’および第３の
層３の裏面の接続端子１３は配線ピッチ、寸法精度等に
よっては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペース
トの全面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成し
てもよい。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから
０．２ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、
Ａｇ、Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成
後、フォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成
してもよい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍ
から０．１ｍｍ程度である。
【０１１２】このように、ひとつの多層基板に２個の液
晶駆動用半導体チップをボンディングすることは、ひと
つの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンデ
ィングしたもの２個分と比較すると、入出力配線を効率
よく配線でき、半導体チップも効率よく配置できるた
め、必要な多層基板の面積は小さくなり、部品費を安く
できる。また、多層基板を個々にばらす（ダイシング、
またはブレイク等）工数や半導体チップをボンディン
グ、モールドするための多層基板のセット、リセットの
工数等も削減でき、コストダウンができる。
【０１１３】図１６は図１５に示した一実施例の多層基
板を液晶表示パネルに接続した一実施例を示す。
【０１１４】図１７は図１６の接続部の主要部分を拡大
して示す。
【０１１５】図１８は図１６の接続部の主要部分の断面
を示す。
【０１１６】液晶表示のパネル（例えば６４０＊４８０
ドット表示）１６に図１５に示した一実施例の多層基板
１４をＸ側に８個、Ｙ側に５個をそれぞれパネル端子１
８に接続してある。ただし、図１６ではＸ側の４個とＹ
側の５個は表示していない。多層基板１４の端子１３と
パネル端子１８は、接続部材１９によって接続が取られ
ている。導電部材１９は電気的接続を確保していると同
時にある程度多層基板１４のパネルへの固定も兼ねてい
る。
【０１１７】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッ
キ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチ
レン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カ
ーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタ
ジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の
混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端
子１８と多層基板１４の接続端子１３との間に配置し、
異方性導電膜に熱硬化性または熱可塑性と熱硬化性との
ブレンドタイプの接着剤を使った場合には加熱加圧ヘッ
ドを多層基板１４に押し当てることによって硬化接続さ
れる。また、異方性導電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤
を使った場合には加圧ヘッドを多層基板１４に押し当
て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬
化させる。
【０１１８】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等
による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カー
ボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジ
エンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、
ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着
剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４に押
し当てることによって硬化接続される。また、異方性導
電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には
加圧ヘッドを多層基板１４に押し当て、パネル端子１８
（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０１１９】また、パネル端子１８の露出部分を腐食か
ら守るために、モールド２１が施されている。合わせて
モールド２１は多層基板１４をパネルに固定する役割も
持っている。このモールド材としては、エポキシ、アク
リル、ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいく
つかの混合または化合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タ
イプ、光硬化タイプまたはそれらの併用タイプである。
【０１２０】隣接する多層基板１４間のバス配線の接続
は、ランド７を介してワイヤー１５によってワイヤーボ
ンディングされている。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ等の金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ等を含有するものも含む）を使用できる。ワイ
ヤーボンディングされる幅は多層基板の幅以内に納ま
り、図１８に示すようにパネル１６の外形以内に納まる
ようにコンパクトに搭載される。
【０１２１】ここで、ひとつの多層基板に２個の液晶駆
動用半導体チップをボンディングしたものを使用してい
るので、 ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体
チップをボンディングしたものを接続した場合より、多
層基板間の接続箇所は、８箇所削減（１４箇所から６箇
所になっている）できている。これにともなって、ワイ
ヤー１５の部材の削減、およびワイヤーボンディングの
工数の削減ができている。
【０１２２】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用
いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多
層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、
基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よ
りコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使
わないため低価格化が可能である。
【０１２３】また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上
でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線の
エリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするた
めに金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、
本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式
よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が
可能である。
【０１２４】〔実施例７〕本実施例を図１９を用いて説
明する。
【０１２５】図１９は本発明の液晶表示装置において、
２個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面
にワイヤーボンディングした一実施例の多層基板を分解
して示した斜視図である。
【０１２６】多層基板の第１の層１の表面に、液晶駆動
用半導体チップ４、４’の入出力パッドに対応して入力
配線５、５’および出力配線８、８’にワイヤーボンデ
ィング用ランド２２が形成されている。その他、パター
ン、スルーホール、多層基板の形成方法、構成および構
造は、実施例１と同様である。
【０１２７】液晶駆動用半導体チップの裏面を多層基板
の表面に固定し液晶駆動用半導体チップ４、４’の入出
力パッドとそれぞれに対応する多層基板の第１の層１の
表面のランド２２をワイヤーボンディングする。ワイヤ
ー２３は実施例６の多層基板間の接続に使用したものと
同様なものが使用可能である。また、図示は省略してあ
るが実施例６と同様にボンディング部およびワイヤー部
を同様な材質のモールド材でモールドしてある。
【０１２８】さらに、隣接する多層基板間のバス配線の
接続は、実施例６と同様にワイヤーボンディングされて
いる。同様に、図示は省略してあるが実施例６と同様に
ボンディング部およびワイヤー部を同様な材質のモール
ド材でモールドしてある。
【０１２９】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、
実施例６と同様に、コンパクト化、低価格化が可能であ
る。
【０１３０】〔実施例８〕本実施例を図２０を用いて説
明する。
【０１３１】図２０は本発明の液晶表示装置において、
実施例６と同様に、２個の液晶駆動用半導体チップ４、
４’をひとつの多層基板表面にフェイスダウンボンディ
ングした多層基板１４を液晶表示パネルのパネル端子１
８に接続部材１９を使って接続されている。接続部の主
要部分は実施例６の図１８と同様である。ただし、多層
基板の第１の層１の入力配線の先端はワイヤーボンディ
ング用のランドではなく、ヒートシール、またはフレキ
シブル基板を接続するのに適した形状をしている。
【０１３２】隣接する多層基板１４間のバス配線の接続
は、接続基板２４を使って接続している。接続基板２４
としてはヒートシール、またはフレキシブル基板を用い
ることができる。
【０１３３】接続基板２４の接続される幅は多層基板１
４の幅以内に納まり、実施例６の図１８に示すように、
同様にパネル１６の外形以内に納まるようにコンパクト
に搭載される。
【０１３４】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによっても、従来のＴＡＢ方式、ＣＯＧ方式より、
実施例６と同様に、コンパクト化、低価格化が可能であ
る。
【０１３５】また、液晶駆動用半導体チップの多層基板
表面への接続、隣接する多層基板間の電気的接続につい
ては、実施例６、７、および８に示すものをそれぞれに
組み合わせて使用することも同様に可能であり、それぞ
れの場合においても同様にコンパクト化、低価格化が可
能である。
【０１３６】その他に、本実施例の半導体チップを実装
した多層基板、およびその多層基板を他の表示装置また
は電子印字装置に実装することは、半導体チップの種類
をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、またはＥ
Ｌ駆動用半導体チップに換えることによって、プラズマ
ディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用でき
る。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同様に
多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッドに同
様に接続することで電子印字装置に適用できる。
【０１３７】〔実施例９〕以下本実施例を図２５から図
２８に基づいて具体的に説明する。
【０１３８】図２５は、本発明の液晶表示装置におい
て、半導体素子を多層基板に実装したものを液晶表示素
子に接続した場合の実装構造の一実施例を示す断面図で
あり、図２６はその平面図である。図２７は上記の液晶
表示素子の端子接続部の詳細平面図である。図２８は上
記実装構造を用いて構成した場合のカラー液晶表示装置
のブロック図である。
【０１３９】図２５において、液晶表示素子１１０は内
面に行電極郡、列電極郡とカラーフィルターが形成され
た表示基板であって、それらの間に液晶組成物が封入さ
れ、電極端子郡１１３が形成されている。
【０１４０】図２５および図２６の多層基板１１２1 、
１１２2 には液晶駆動出力線Ｐ11〜Ｐ3nおよびバスライ
ンがパターンニング形成され、各基板層の上下導通接続
をおこない積層され構成されている。半導体素子１１１
1 、１１１2 、１１１3 は接続端子にバンブが形成され
た液晶駆動用ＩＣであり、それぞれの半導体素子１１１
は多層基板１１２に形成された接続端子にフェースダウ
ン実装で接続されている。本実施例では、３色のカラー
画素に対応するように３個の半導体素子１１１1、１１
１2 、１１１3 を実装しているが画素数の増減に適した
素子数を選択してもよい。
【０１４１】上記多層基板１１２は各半導体素子の接続
のための端子が表面層に、半導体素子１１１1 の入出力
線Ｐ11が第１層に半導体素子１１１2 の入出力線Ｐ21が
第２層に半導体素子１１１3 の入出力線Ｐ31が第３層
に、バスラインが第３層表面に形成されている。また本
実施例の多層基板１１２は三層構造であるが効率的な配
線パターンが形成できれば何層でも良いことは言うまで
もない。また多層基板１１２を構成する基板は本実施例
では熱膨張による伸縮を考慮してセラミックを使用した
がフレキシブル基材であるポリイミドフィルムなどを使
用してもよい。
【０１４２】図２５からも明らかなように、本実施例に
よる半導体素子実装構造によれば液晶表示素子１１０を
駆動させるための配線とバスラインを基板内に形成して
いるため駆動制御回路基板が不要になり構成部品数がき
わめて少なくすみ、部品コストを大幅に削減できるもの
である。
【０１４３】図２７より多層基板１１２1 と液晶表示素
子１１０との接続は、それぞれのカラー画素Ｒ（赤）１
３１1 、Ｇ（緑）１３１2 、Ｂ（青）１３１3 毎に引き
出された液晶表示素子電極端子郡１１３と、各画素に対
応した半導体素子１１１1（Ｒ用）、１１１2 （Ｇ
用）、１１１3 （Ｂ用）に接続され液晶駆動出力線Ｐ11
（半導体素子１１１1 の出力）Ｐ21（半導体素子１１１
2 の出力）、Ｐ31（半導体素子１１１3 の出力）の延長
に形成した多層基板端子郡１１４を位置合わせして異方
性導電接着材１１５を介して圧着機により１８０℃、３
０Ｋｇ／Ｃｍ2 、２０秒の圧着条件で接続されている。
【０１４４】カラー表示は駆動方式が高ｄｕｔｙのため
白黒表示に比べクロストークが多くコントラストが低下
する欠点があるが、本実施例の接続方式によれば各カラ
ー電極毎に独立した半導体素子の出力配線を接続し、適
正な駆動波形を供給することができるたためクロースト
ークが少なく高コントラストな表示を得ることができ
る。
【０１４５】図２８は本実施例による上記実装構造を用
いたカラー液晶表示装置の実施例をブロック図で示した
ものであり、表示素子１１０は例えば６４０×４８０ド
ット表示のＳＴＮ型カラー液晶表示体、半導体素子１１
１1 〜１１１12は１６０出力の液晶駆動用セグメントド
ライバである。
【０１４６】多層基板１１２1 〜１１２4 は、半導体素
子１１１1 〜１１１12をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
各色毎に３個づつ実装したものであり、液晶表示素子１
１０の外周に形成された電極端子に４個並列に実装され
ている。また、半導体素子１１１1 〜１１１12が実装さ
れた多層基板１１２1 〜１１２4 は電源および制御信号
を供給するため相互に４箇所で接続されている。
【０１４７】上記の実装構造によりカラー液晶表示装置
を構成したところ半導体素子の実装構造が高密度化し
て、コンパクトな液晶表示装置が実現できた。また従来
に比較して液晶表示素子間の接続箇所が１／３になり接
続信頼性が向上した。
【０１４８】本実施例による半導体素子の実装構造によ
り液晶表示装置を構成し信頼性試験をおこなったところ
ＴＳ試験（−３０℃，８０℃）１０００サイクル、ＴＨ
試験（６０℃９０％ＲＨ）１０００時間でも問題は発生
せず非常に良好な接続信頼性が実現できた。
【０１４９】〔実施例１０〕図２９は、本実施例の半導
体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子と
して液晶表示素子２０３（以下ＬＣＤという）を用いた
実施例を示している。
【０１５０】図２９において、内部導電層２２１、入力
配線２０４、出力配線２０５、バイアホール２６１、バ
ンプ２０６等を装備した多層基板２０２上の所定の位置
にＬＳＩ２０１がフェイスダウン方式で実装されてい
る。ＬＳＩ２０１の入力・出力の各端子は前記入力配線
２０４及び出力配線２０５に接続されている。実装され
たＬＳＩ２０１は必要に応じて接着剤２０８で固定し、
更に耐湿性等の信頼性を向上させることもできる。多層
基板２０２の内部には内部導電層２２１があり、スルー
ホール等で各基板の表裏導通をとり各信号を入力配線２
０４に伝達する役目や内部導通部２２１をグランドレベ
ルにしてノイズ防止の役割等を果たしている。多層基板
２０２のバンプ２０６部とＬＣＤ２０３の端子２３１は
ＡＣＦ２０９を用いて電気的に接続されている。同図で
はＡＣＦ２０９はバンプ２０６付近の限られたスペース
に用いてあるが多層基板２０２の全面に渡り用いてもよ
い。
【０１５１】図３０は本実施例の実装構造の多層基板２
０２の１個の平面図である。同図においてＬＳＩ２０１
の出力端子に接続されている出力配線２０５は、バイア
ホール２６１を通して多層基板の表面から裏面に導通さ
れバンプ２０６に接続されている。また図３１は同多層
基板２０２の１個の平面図であり裏面を示した図であ
る。同図においてＬＳＩ出力端子の信号を受けたバンプ
２０６が必要数千鳥に並んで形成されている。ファイン
ピッチに対応すべく出力端子ピッチを小さくする場合に
は同図の２列の千鳥配列を３列４列と増やすことにより
実現可能となる。
【０１５２】本実施例での各部品・部材の特徴は次のと
おりである。
【０１５３】ＬＳＩ ２０１…外形サイズが正方形に近
い構造のもの、外形短辺と長辺の比が１：５以上の細長
く後者では入力端子と出力端子が極力一辺に集中してい
るものを使用。各端子にはバンプ付きのものを使用。
【０１５４】多層基板２０２…材料としてセラミクス・
ガラスエポキシ樹脂等を使用。積層数は３枚。
【０１５５】電子素子２０３…液晶表示素子等の電子素
子。
【０１５６】入力配線２０４…Ａｕのみ、ＡｇＰｄ、Ｃ
ｕベースにＮｉ・Ａｕメッキを施したもの等 出力配線２０５…入力配線２０４と同様。形成方法はス
ルーホール内部に導電材料を充填後、ハーフカットする
方法と印刷により多層基板側面に形成する方法の２種類
で行った。
【０１５７】出力端子２０５ａ…同上 バンプ２０６ …入力配線２０４と同様。バンプ形状は
円、四角形等で登頂部にはフラット面があることが望ま
しい。バンプのサイズは当然ながら配線パターンピッに
より変わるが絶縁性を保てる中で最大サイズにするのが
望ましい。
【０１５８】モールド２０８…エポキシ系接着剤 ＡＣＦ ２０９…熱硬化型ＡＣＦ：日立化成社製の品番
ＡＣ６０００番系、７０００番系 接着剤 ２１１…紫外線硬化型接着剤、熱硬化型エポキ
シ系接着剤 図３２は、本発明の半導体素子の実装構造及び実装方法
を用いたＬＣＤモジュールの一実施例を示す平面図であ
る。同図においてＬＣＤ２０３の端子に複数の多層基板
２０２が実装してある。本実施例では、各多層基板２０
２間の接続はＡｕ・Ｃｕ・Ａｌ等の導電ワイヤーを用い
てワイヤーボンディングして接続したがヒートシールや
ＦＰＣを用いた方法でもよい。同図のように大型のＬＣ
Ｄにおいても本実装構造を用いることにより非常にコン
パクトな実装エリアを実現している。
【０１５９】〔実施例１１〕図３３は、本実施例の半導
体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子と
してＬＣＤ２０３を用いた実施例を示している。実施例
１０に対して多層基板２０２をバンプ２０６がＬＣＤ２
０３側にくるように実装してある点が特徴である。
【０１６０】〔実施例１２〕図３４は、本実施例の半導
体素子の実装構造を示す主要断面図であり、電子素子と
してＬＣＤ２０３を用いた実施例を示している。実施例
１０に対して多層基板２０２の出力配線２０５をバイア
ホールではなく側面配線２５１で導通し、裏面のバンプ
２０６に接続してある点が特徴である。
【０１６１】〔実施例１３〕図３５は、本発明の半導体
素子の実装構造を用いた感熱式電子印字装置（以下電子
印字装置と言う）の一実施例を示す平面図である。同図
において電子印字素子であるサーマルプリンタヘッド２
１３の端子に複数の多層基板２０２が実装されている。
また図３６は、本実施例の電子印字装置を示す平面図で
あり、ＬＣＤの場合と同様に非常にコンパクトな実装エ
リアを実現している。
【０１６２】〔実施例１４〕図３７は、本発明の半導体
素子の実装構造を用いた電子印字装置の一実施例を示す
平面図である。実施例１３に対して多層基板２０２を１
枚の一体基板にしたことが特徴である。
【０１６３】〔実施例１５〕図３８は、本発明の半導体
素子の実装構造を用いた電子印字装置の一実施例を示す
断面図である。実施例１３に対して実施例１２と同様の
多層基板２０２を用いたことが特徴である。
【０１６４】〔実施例１６〕図３９は、本発明の半導体
素子の実装構造の一実施例を示す主要断面図である。電
子素子として液晶表示素子を用いた実施例である。図３
９において、内部導電層２２１、入力配線２０４、出力
配線２０５を装備した多層基板２０２上の所定の位置に
ＬＳＩ２０１がフェイスダウン方式で実装され、ＬＳＩ
２０１の入力・出力の各端子は前記入力配線２０４及び
出力配線２０５に接続されている。実装されたＬＳＩ２
０２は必要に応じて接着剤２０８により更に固定し、耐
湿性等の信頼性を向上させても良い。多層基板２０２の
内部には内部導電層２２１があり、入力配線２０４にス
ルーホール等で各基板の表裏導通をとり各信号を伝達す
る役目や内部導通部２２１がグランドレベルとなりノイ
ズ防止の役割等を果たしている。
【０１６５】多層基板２０２の出力配線２０５は延長さ
れ多層基板２０２の側面にまで回り込んで形成され、そ
の側面部が他の電子素子と接続可能な出力端子２０４ａ
として形成されている。その出力端子２０５ａと電子素
子２０３（本実施例では液晶表示素子、以下ＬＣＤとい
う）はＡＣＦ２０９を用いて、多層基板２０２と電子素
子（ＬＣＤ）２０３の平面がほぼ垂直になるように実装
され電気的に接続されている。多層基板２０２が実装さ
れた後、強度向上のため、接着剤２１１により多層基板
２０２と電子素子（ＬＣＤ）２０３を接着固定してもよ
い。この実装方法により電子素子２０３端部の実装エリ
ア寸法Ａは２ｍｍ以下に収めることが可能である。図４
０は液晶表示装置の平面図であるが、製品要求特性上、
図４０のＡ部の寸法は小さい方が望ましく、特にＬＣＤ
背面にバックライトを装備する場合等には本実施例の実
装構造を用いることにより前記Ａ部の寸法が非常に小さ
くなるためＬＣＤモジュールとしての商品性を非常に高
めることができる。
【０１６６】本実施例での各部品・部材の特徴は次のと
おりである。
【０１６７】ＬＳＩ ２０１…外形サイズが正方形に近
い構造のもの、外形短辺と長辺の比が１：５以上の細長
く後者では入力端子と出力端子が極力一辺に集中してい
るものを使用。各端子にはバンプ付きのものを使用。
【０１６８】多層基板２０２…材料としてセラミクス・
ガラスエポキシ樹脂等を使用。積層数は３枚。
【０１６９】電子素子２０３…液晶表示素子等の電子素
子。
【０１７０】入力配線２０４…Ａｕのみ、ＡｇＰｄ、Ｃ
ｕベースにＮｉ・Ａｕメッキを施したもの等。
【０１７１】出力配線２０５…入力配線２０４と同様。
【０１７２】出力端子２０５ａ…同上。形成方法とし
て、スルーホール（バイアホール）を形成後その中心部
で切断し端子を形成する方法と基板側面に導体パターン
を印刷し形成する方法を用いた。
【０１７３】モールド２０８…エポキシ系接着剤。
【０１７４】ＡＣＦ ２０９…熱硬化型ＡＣＦ：日立化
成社製の品番ＡＣ６０００番系、７０００番系で圧着前
の状態での導電粒子密度１０００個／ｍｍ2以
上のものを使用。
【０１７５】接着剤 ２１１…紫外線硬化型接着剤、熱
硬化型エポキシ系接着剤。
【０１７６】〔実施例１７〕図４１は、本発明の半導体
素子の実装構造を用いた液晶表示装置の一実施例であ
る。同図においてＬＣＤ２０３の端子に複数の多層基板
２０２が本発明の半導体素子の実装構造を用いて実装し
てある。基板間の接続はＡｕ・Ｃｕ・Ａｌ等の金属ワイ
ヤーを用いてワイヤーボンディングで行ったがヒートシ
ールやＦＰＣでＡＣＦを用いて行う方法等で接続を行っ
てもよい。同図のように大型のＬＣＤにおいても本実装
構造を用いることにより非常にコンパクトな実装エリア
を実現している。
【０１７７】〔実施例１８〕図４２は、本発明の半導体
素子の実装構造を用いた感熱式電子印字装置（以下電子
印字装置と言う）の一実施例であり、電子印字素子であ
るサーマルプリントヘッド２１３の端子に多層基板２０
２が実装されている。ＬＣＤの場合と同様に非常にコン
パクトな実装エリアを実現している。
【０１７８】〔実施例１９〕以下本実施例を図４３を用
いて説明する。
【０１７９】図４３は本発明の半導体素子の実装方法
で、入力端子及び出力端子の配列において、その半導体
素子の周辺のある一辺に出力端子郡のみが配列され、そ
の出力端子郡のみが配列されている辺と直交する、一辺
または二辺に入力端子郡が配列されている半導体素子３
０４を第１の層３０１に開口部３２０を設けた多層基板
３１１にフェースダウンボンディングした一実施例の多
層基板３１１を分解した斜視図で、３０１、３０２、３
０３は本実施例の多層（３層）配線基板の各層で、３０
１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層であり、第
１の層３０１に開口部３２０が設けてあり、第２の層３
０２の表面には、半導体素子３０４の入力電極に対応す
る入力配線３０５がパターニングされている。また、入
力配線３０５はスルーホール３０６を介して第３の層３
０３のバス配線３０９に接続されている。さらに、入力
配線３０５の先端には隣接の他の同様な多層基板３１１
とバス配線の接続をするためのランド３０７が形成され
ている。
【０１８０】さらに、第２の層３０２の出力配線３０８
の先端に出力端子スルーホール３２４を形成し、第３の
層３０３のスルーホールを介して外部接続端子３１０に
接続している。
【０１８１】なお、上記３０１、３０２、３０３の各層
はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板を例にと
ってある。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍ程の薄いものを
使用し、入力配線３０５、出力配線３０８、バス配線３
０９はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの
焼成物である。また、スルーホール３０６、３２４も同
様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼
成物である。また、ランド３０７、外部接続端子３１０
も同様にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペースト
の焼成物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷
方式によりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成
して一体化し完成している。それぞれのパターニング焼
成された金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５
ｍｍ程度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍ
から０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【０１８２】ただし、第１の層３０１の表面入力配線３
０５、ランド３０７、第２の層３０２の出力配線３０
８、および第３の層３０３裏面の外部接続端子３１０は
配線ピッチ、寸法精度等によっては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ
Ｐｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全面印刷後、フォトリソ
等によってパターン形成してもよい。この時のパターン
厚みは０．００１ｍｍから０．２ｍｍ程度が良好であ
る。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の蒸
着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フォトリソ、
メッキ等の工程によってパターン形成してもよい。この
時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから０．１ｍｍ程
度が良好である。
【０１８３】なお、多層基板の材質は今回はセラミック
基板を例にとって説明してあるが、その他にもカラエ
ポ、紙フェノール、ポリミド等の材質を使用してもよ
い。
【０１８４】〔実施例２０〕以下本実施例を図４４、４
５を用いて説明する。
【０１８５】図４４は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を示す斜視図であり、実施例１９で示した多
層基板３１１に半導体素子３０４を公知の方法（例え
ば、半導体のＡｕバンプをＡｇペーストを用いて基板に
接続する方法、または異方性導電膜を用いる方法等）に
より、半導体素子３０４が第１の層３０１の開口部３２
０を通過して、第２の層３０２の表面にフェイスダウン
ボンディングされている。
【０１８６】フェースダウン後は、半導体素子３０４の
周囲および半導体素子３０４と第２の層３０２の表面と
の間は腐食防止および補強のためにモールド剤が充填し
てある。第２の層３０２の表面には、半導体素子３０４
の入力電極に対応する入力配線３０５がパターニングさ
れているのが特徴である。
【０１８７】〔実施例２１〕以下本実施例を図４６、４
７を用いて説明する。
【０１８８】図４６は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を示す斜視図であり、実施例１９で示した多
層基板３１１の第１の層３０１に設けて有る開口部３２
０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上面に位置
するように接着剤等で固定し、半導体素子３０４の電極
３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボ
ンディング用ランド３１８とをワイヤーボンディング実
装方式で実装した一実施例である。ワイヤーボンディン
グ用ランド３１８のピッチとしては６０μｍから３００
μｍで配置されており、Ａｕワイヤー３１２で電極３２
５とワイヤーボンディング用ランド３１８を接続してい
ることを特徴としている。
【０１８９】図４７は、実施例２０における、半導体素
子の実装方法の一実施例の断面図である。
【０１９０】〔実施例２２〕以下本実施例を図４８、４
９を用いて説明する。
【０１９１】図４８は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施
例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第
１の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０
２にフェースダウン実装された半導体素子の、バス配線
の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３
０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、
バス配線用ＦＰＣ３２６で行うもので、バス配線用ＦＰ
Ｃには多層基板３１１のランド３０７に対応するバス配
線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３０７
とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異方性
導電膜等で接続されていることを特徴としている。
【０１９２】図４９は、図４８の実装後の正面図であ
る。
【０１９３】〔実施例２３〕以下本実施例を図５０、５
１を用いて説明する。
【０１９４】図５０は本発明の半導体素子の実装構造の
一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施例
２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第１
の層３０１の開口部３２０を通過して、第２の層３０２
にフェースダウン実装された半導体素子の、バス配線の
実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０
４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９を、複
数個の開口部３２９を設けたバス配線用ＰＣＢ基板で行
うもので、バス配線用ＰＣＢ基板には多層基板３１１の
ランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３２８が
構成されており、ランド３０７とバス配線接続ランド３
２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続されてい
る事を特徴としている。
【０１９５】図５１は、図５０の実装後の正面図であ
る。
【０１９６】〔実施例２４〕以下本実施例を図５２を用
いて説明する。
【０１９７】図５２は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を示す斜視図であり、実施例２０で示した半
導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開
口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェースダウ
ン実装された半導体素子の、バス配線の実装方法を示し
た一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装された
多層基板３１１のバス配線を、多層基板３１１の第１の
層３０１の表面に設けて有るランド３０７を使用して、
ワイヤーボンディング実装方法でＡｕワイヤー３１２で
接続したことを特徴としている。
【０１９８】〔実施例２５〕以下本実施例を図５３、５
４を用いて説明する。
【０１９９】図５３は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施
例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第
１の層３０１の開口部３２０を通過して、半導体素子３
０４が能動面を上面に位置するように多層基板３１１の
第２の層３０２に接着剤等で固定され、半導体素子３０
４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワ
イヤーボンディング用ランド３１８とをワイヤーボンデ
ィング実装方式で実装した複数の多層基板３１１のバス
配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素
子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９
を、バス配線用ＦＰＣ３２６で行うもので、バス配線用
ＦＰＣには多層基板３１１のランド３０７に対応するバ
ス配線用接続ランド３２８が構成されており、ランド３
０７とバス配線接続ランド３２８とが、半田、または異
方性導電膜等で接続されていることを特徴としている。
【０２００】図５４は、図５３の実装後の正面図であ
る。
【０２０１】〔実施例２６〕以下本実施例を図５５、５
６を用いて説明する。
【０２０２】図５５は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を部品毎に分解して示す斜視図であり、実施
例２０で示した半導体素子３０４が多層基板３１１の第
１の層３０１の開口部３２０を通過して、半導体素子３
０４が能動面を上面に位置するように多層基板３１１の
第２の層３０２に接着剤等で固定され、半導体素子３０
４の電極３２５と多層基板３１１の第１の層３０１のワ
イヤーボンディング用ランド３１８とをワイヤーボンデ
ィング実装方式で実装した複数の多層基板３１１のバス
配線の実装方法を示した一実施例で、複数個の半導体素
子３０４の実装された多層基板３１１のバス配線３０９
を、複数個の開口部３２９を設けたバス配線用ＰＣＢ基
板で行うもので、バス配線用ＰＣＢ基板には多層基板３
１１のランド３０７に対応するバス配線用接続ランド３
２８が構成されており、ランド３０７とバス配線接続ラ
ンド３２８とが、半田、または異方性導電膜等で接続さ
れていることを特徴としている。
【０２０３】図５６は、図５５の実装後の正面図であ
る。
【０２０４】〔実施例２７〕以下本実施例を図５７を用
いて説明する。
【０２０５】図５７は本実施例の半導体素子の実装構造
の一実施例を示す斜視図であり、実施例２０で示した半
導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開
口部３２０を通過して、半導体素子３０４が能動面を上
面に位置するように多層基板３１１の第２の層３０２に
接着剤等で固定され、半導体素子３０４の電極３２５と
多層基板３１１の第１の層３０１のワイヤーボンディン
グ用ランド３１８とを、ワイヤーボンディング実装方式
で実装した複数の多層基板３１１のバス配線の実装方法
を示した一実施例で、複数個の半導体素子３０４の実装
された多層基板３１１のバス配線を、多層基板３１１の
第１の層３０１の表面に設けて有るランド３０７を使用
して、ワイヤーボンディング実装方法でＡｕワイヤー３
１２で接続したことを特徴としている。
【０２０６】〔実施例２８〕以下本実施例を図５８を用
いて説明する。
【０２０７】図５８は本実施例の半導体素子の実装構造
を電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施例
を示す断面図であり、実施例２２で示した半導体素子３
０４が多層基板３１１の第１の層３０１の開口部３２０
を通過して、第２の層３０２にフェースダウン実装され
た半導体素子が複数個実装された多層基板３１１のバス
配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６で実装した多層
基板３１１を液晶表示装置に実装したもので、多層基板
３１１の外部接続端子３１０とパネル端子３１５は、異
方性導電膜３１６によって接続が取られている。異方性
導電膜３１６は電気的接続を確保していると同時に、あ
る程度多層基板３１１の液晶パネル３１３への固定も兼
ねている。異方性導電膜３１６に熱硬化性、または熱可
塑性と熱硬化性とのブレンドタイプを使った場合には加
熱加圧ヘッドを多層基板３１１に押し当てることによっ
て硬化接続される。また、異方性導電膜３１６にＵＶ硬
化性タイプを使った場合には、加圧ヘッドを多層基板３
１１に押し当て、パネル端子３１５（ガラス側）側から
ＵＶ照射して硬化させる。
【０２０８】また、パネル端子３１５の露出部分を腐食
から守るために、モールド３３０が充填されている。合
わせてモールド３３０は多層基板３１１を液晶パネル３
１３に固定する役割も持っている。
【０２０９】このように、本実施例の多層基板３１１を
用いることによって、従来、ＴＣＰ方式では困難とされ
ていた８０μｍ以下のファインピッチに対応できる。
【０２１０】また、従来のＣＯＧ方式では液晶パネル基
板上でバス配線のクロス配線を行っているため、液晶パ
ネルのバス配線のエリアが広く必要であり、また配線抵
抗値を低くするために金属配線が必要であり、コスト高
となるのに対して、本実施例の多層基板３１１を用いる
ことによって、ＣＯＧ方式よりバス配線エリアの省スペ
ース化、および低価格化が可能である。
【０２１１】〔実施例２９〕以下本実施例を図５９を用
いて説明する。
【０２１２】図５９は本発明の半導体素子の実装構造を
電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分に実
装した一実施例を示す断面図であり、実施例２２で示し
た半導体素子３０４が多層基板３１１の第１の層３０１
の開口部３２０を通過して、第２の層３０２にフェース
ダウン実装された半導体素子が複数個実装された多層基
板３１１のバス配線３０９を、バス配線用ＦＰＣ３２６
で実装した多層基板３１１を電子印字装置のサーマルプ
リンタヘッドに実装したもので、多層基板３１１の外部
接続端子３１０とパネル端子３１５は、異方性導電膜３
１６によって接続が取られている。
【０２１３】〔実施例３０〕以下本実施例を図６０を用
いて説明する。
【０２１４】図６０は実施例２３の多層基板の実装構造
を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施
例を示す断面図である。実施例２８に対して複数の多層
基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバ
ス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていること
を特徴としている。
【０２１５】〔実施例３１〕以下本実施例を図６１を用
いて説明する。
【０２１６】図６１は実施例２３の多層基板の実装構造
を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分
に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２９に
対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部
３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実
装されていることを特徴としている。
【０２１７】〔実施例３２〕以下本実施例を図６２を用
いて説明する。
【０２１８】図６２は実施例２０の多層基板の実装構造
を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施
例を示す斜視図である。実施例２８に対して複数の多層
基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡ
ｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としてい
る。
【０２１９】〔実施例３３〕以下本実施例を図６３を用
いて説明する。
【０２２０】図６３は実施例２０の多層基板の実装構造
を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分
に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２９に
対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボン
ディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されているこ
とを特徴としている。
【０２２１】〔実施例３４〕以下本実施例を図６４を用
いて説明する。
【０２２２】図６４は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施
例を示す断面図である。実施例２８に対して半導体素子
３０４の入出力端子の接続をワイヤーボンディングで実
装していることを特徴としている。
【０２２３】〔実施例３５〕以下本実施例を図６５を用
いて説明する。
【０２２４】図６５は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分
に実装した一実施例を示す断面図である。実施例２９に
対して半導体素子３０４の入出力端子の接続をワイヤー
ボンディングで実装していることを特徴としている。
【０２２５】〔実施例３６〕以下本実施例を図６６を用
いて説明する。
【０２２６】図６６は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施
例を示す断面図である。実施例３４に対して複数の多層
基板３１１のバス配線を複数の開口部３２１を有するバ
ス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実装されていること
を特徴としている。
【０２２７】〔実施例３７〕以下本実施例を図６７を用
いて説明する。
【０２２８】図６７は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分
に実装した一実施例を示す断面図である。実施例３５に
対して複数の多層基板３１１のバス配線を複数の開口部
３２１を有するバス配線用ＰＣＢ基板３２７を用いて実
装されていることを特徴としている。
【０２２９】〔実施例３８〕以下本実施例を図６８を用
いて説明する。
【０２３０】図６８は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子光学装置である液晶表示装置に実装した一実施
例を示す斜視図である。実施例２８に対して複数の多層
基板３１１のバス配線をワイヤーボンディングによるＡ
ｕワイヤー３１２で接続されていることを特徴としてい
る。
【０２３１】〔実施例３９〕以下本実施例を図６９を用
いて説明する。
【０２３２】図６９は実施例２１の多層基板の実装構造
を、電子印字装置であるサーマルプリンタのヘッド部分
に実装した一実施例を示す斜視図である。実施例２９に
対して複数の多層基板３１１のバス配線をワイヤーボン
ディングによるＡｕワイヤー３１２で接続されているこ
とを特徴としている。
【０２３３】〔実施例４０〕本実施例を図７０を用いて
説明する。
【０２３４】図７０は本発明の液晶表示装置において、
実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基
板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４
を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接
続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同
様である。ただし、多層基板は多層基板間の接続長を縮
めるため、ワイヤーボンディングに必要な部分のみ突出
している。
【０２３５】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、多層基板に不要部分を有することなく必
要最小限の形状で多層基板間の距離を縮めることによ
り、ワイヤーボンディングのワイヤー長が短くなり、ワ
イヤーの断線による接続不良の発生が低減し、低価格で
信頼性の高い液晶表示装置が可能である。
【０２３６】〔実施例４１〕本実施例を図７１を用いて
説明する。
【０２３７】図７１は本発明の液晶表示装置において、
実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基
板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４
を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接
続され、多層基板間はワイヤーボンディングによって接
続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同
様である。ただし、多層基板の上層は他の層より小さく
なっており、多層基板の端部に段差が形成されおり、隣
接する多層基板間の接続はワイヤーボンディングを二段
に分けておこなっている。
【０２３８】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、そのワイヤーボンディングを複数段に分
けることにより、ワイヤーボンディング用のランドをま
とめることが出来その結果、多層基板の外形を小さく
し、コンパクト化、低価格化が可能である。
【０２３９】〔実施例４２〕本実施例を図７２を用いて
説明する。
【０２４０】図７２は本発明の液晶表示装置において、
実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４を多層基
板表面にフェイスダウンボンディングした多層基板１４
を液晶表示パネルの端子１８に接続部材１９を使って接
続されている。接続部の主要部分は実施例１の図４と同
様である。ただし、図７２のＭ部は、多層基板は上層と
下層との間に少なくとも一層の中間層を設け、その中間
層または下層または中間層および下層を上層より面積を
小さくしているため、溝状となっている。
【０２４１】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、その多層基板の上層以外の中間層または
下層または中間層および下層の両方を上層より面積を小
さくし、治工具を取り付ける部分を設けたことによりリ
ワーク作業時の取り扱いを容易にする。
【０２４２】〔実施例４３〕本実施例を図７３、図７
４、図７５を用いて説明する。
【０２４３】図７３は本発明の液晶表示装置において、
液晶駆動用半導体チップを多層基板表面にフェイスダウ
ンボンディングした一実施例の多層基板を分解して示し
た斜視図である。
【０２４４】１、２、３は本実施例の多層（３層）基板
の各層で、１は第１の層、２は第２の層、３は第３の層
であり、実施例１と同様に、液晶駆動用半導体チップ４
を多層基板表面にフェイスダウンボンディングされてい
る。ボンディング後は、液晶駆動用半導体チップ４の周
囲および液晶駆動用半導体チップ４と第１の層１の表面
との間は腐食防止および補強のためにモールドしてあ
る。第１の層１の表面には、液晶駆動用半導体チップ４
の入力パッドに対応する入力配線５がパターニングされ
ている。また、入力配線５はスルーホール６を介して第
２の層２のバス配線１０に接続されている。さらに、入
力配線５の先端には隣接の他の同様な多層基板とワイヤ
ーボンディングするためのランド７が形成されている。
【０２４５】また、第１の層１の表面には、液晶駆動用
半導体チップ４の出力パッドに対応する出力配線８がパ
ターニングされている。ここで、液晶駆動用半導体チッ
プ４の出力パッドピッチよりパネルの端子ピッチの方が
大きいため、それぞれの出力パッドとパネルの端子が対
応するように第１の層１上でパターンを広げて配線され
ている。さらに、出力配線８の先端にスルーホール９を
形成し、第１の層の裏面のパネルとの接続端子１３に接
続している。
【０２４６】なお、上記１、２、３の各層は実施例１と
同様に、アルミナ基材の低温同時焼成セラミック基板で
ある。
【０２４７】図７４は図７３に示した一実施例の多層基
板を液晶表示パネルに接続した一実施例の主要部の断面
を示す。
【０２４８】図７５は図７３に示した一実施例の多層基
板を液晶表示パネルに接続した一実施例の主要部を示
す。
【０２４９】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、液晶表示パネル端子上から多層基板の一
部を液晶表示パネル端子上から外すことにより、液晶表
示装置の厚みを薄くすることが可能である。
【０２５０】その他に、本実施例の半導体チップを実装
した多層基板、およびその多層基板を他の表示装置また
は電子印字装置に実装することは、半導体チップの種類
をプラズマディスプレイ駆動用半導体チップ、またはＥ
Ｌ駆動用半導体チップに換えることによって、プラズマ
ディスプレイ、またはＥＬ表示装置に同様に適用でき
る。また、サーマルヘッド駆動用半導体チップを同様に
多層基板に実装し、その多層基板をサーマルヘッドに同
様に接続することで電子印字装置に適用できる。
【０２５１】〔実施例４４〕本発明の他の一実施例を図
７６、図７７、図７８を用いて説明する。図７６、図７
７は本発明の液晶表示装置において、液晶駆動用半導体
チップを多層基板表面にフェイスダウンボンディングし
た一実施例の多層基板を示した斜視図である。この多層
基板の材質・構成は実施例１の多層基板と同様である
が、取り付け穴４３２を設けてある。取り付け穴４３２
の形状を図では円形のものを示したが、長方形、楕円、
正方形、長穴等の形状でも良い。
【０２５２】図７７は図７６、図７７で示した多層基板
４３１ａ〜ｄを使った本発明の液晶表示装置を示す。液
晶駆動用半導体チップ４を多層基板表面に搭載した多層
基板１４．４３１ａ〜ｄをパネル１６に接続している。
多層基板４３１ａ〜ｄに取り付け穴４３２を介して、パ
ネル１６、バックライトユニット４３５と外装化粧ケー
ス４３６の一体物、外装化粧ケース上４３３を固定用ネ
ジ４３４により固定している。これにより、本発明の液
晶表示装置で外装化粧ケースをＰＣ（パーソナルコンピ
ューター）等の外装ケースと兼用する事ができ、従来の
液晶表示装置では別部品として必要であったフレーム・
金枠等の部品を削減でき部品費の低減ができる。また、
組立工数も簡略化でき加工工数も低減できる。
【０２５３】ここで、多層基板１４・４３１ａ〜ｄとパ
ネル端子１８は実施例１と同様に接着部材１９で接続さ
れモ−ルド２１により接着補強がされているが、筺体に
組み込んだ後の強度（耐振動強度）を向上させるために
パネル端子１８と多層基板１４・４３１ａ〜ｄの側面、
または、裏面にモ−ルド２１を施しても良い。 このモ
ールド材は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエス
テル等の単独またはそのいくつかの混合または化合物等
であり、溶剤タイプ、光硬化タイプまたはそれらの併用
タイプである。
【０２５４】多層基板のパタ−ンと取り付け穴との間の
位置精度は±０．１mm以下にする事が可能であることか
ら、パネルパタ−ンの位置と取り付け穴との位置精度は
±０．２mm以下を確保できる。筺体である外装化粧ケー
ス４３６への組み付けはこの取り付け穴を使用している
ため、バックライトユニット４３５に対しての位置再現
性と外装化粧ケース上４３３へのパネル表示エリアとの
位置再現性を確保向上できる。そして、取り付け用ネジ
４３４で組立を行った場合はリワ−ク再組立が容易であ
る。また、プラスチック製の引っかかりのある鋲状の部
品等を使うと組み付け時に押し込むだけで組立固定が可
能となり、簡単な組み込みができる。ここで、バックラ
イトユニット４３５と外装化粧ケ−ス４３６は両面テ−
プ等で固定する方式、また、取り付け用爪等により固定
する方式等でも良い。
【０２５５】〔実施例４５〕本発明の他の一実施例を図
７９、図８０、図８１を用いて説明する。図７９、図８
１で示す様に、多層基板４３７ａ〜ｄのサイズをガラス
端子１８の端面より大きく設計し、取り付け用切り欠き
形状をガラス端面より外側に出し固定している。この多
層基板の材質・構造は実施例１の多層基板と同様である
が、取り付け用切り欠き４３８を設けてある、取り付け
用切り欠き４３８の形状は図中では半円状の物を示した
が、長方形、正方形、ひし型、楕円、長穴等の全部また
は一部の形状でも良い。ここで、取り付け用切り欠きの
位置を多層基板４３７ａ〜ｄの中央に配置し多層基板長
辺方向の中心線に対し左右対象の形状であれば、４個の
部品を１種類にする事ができる等部品の標準化が可能で
ある。
【０２５６】図８０は図７９に示した多層基板４３７ａ
〜ｄを使った本発明の液晶表示装置を示す。液晶駆動用
半導体チップ４を多層基板表面に搭載した多層基板１
４．４３７ａ〜ｄをパネル１６に接続している。多層基
板４３７ａ〜ｄに取り付け用切り欠き４３８を介して、
パネル１６、バックライトユニット４３５と外装化粧ケ
ース４３６の一体物、外装化粧ケース上４３３を固定用
ネジ４３４により固定している。これにより、本発明の
液晶表示装置で外装化粧ケースをＰＣ（パーソナルコン
ピューター）等の外装ケースと兼用する事ができ、従来
の液晶表示装置では別部品として必要であったフレーム
・金枠等の部品を削減でき、また、多層基板４３７ａ〜
ｄの取り付け用切り欠き４３８形状統一での部品の標準
化も可能なため部品費の低減ができる。さらに、部品点
数の削減により液晶表示装置組立も簡略化でき加工工数
も低減できる。
【０２５７】ここで、図８１は本発明の液晶表示装置に
おける多層基板４３７ａ〜ｄの接続部分の断面を示す。
多層基板１４・４３７ａ〜ｄとパネル端子１８は接着部
材１９とモ−ルド２１により接着補強がされているが、
筺体に組み込んだ後の強度（耐振動強度）を向上させる
ためにパネル端子１８の端面と多層基板１４・４３７ａ
〜ｄの側面または、裏面にモ−ルド２１を施しても良
い。
【０２５８】このモールド材は、エポキシ、アクリル、
ウレタン、ポリエステル等の単独またはそのいくつかの
混合または化合物等であり、溶剤タイプ、光硬化タイプ
またはそれらの併用タイプである。
【０２５９】多層基板のパタ−ンと取り付け用切り欠き
との間の位置精度は±０．１mm以下にする事が可能であ
ることから、パネルパタ−ンの位置と取り付け用切り欠
きとの位置精度は±０．２mm以下を確保できる。筺体で
ある外装化粧ケース４３６への組み付けはこの取り付け
用切り欠きを使用しているため、バックライトユニット
４３５に対しての位置再現性と外装化粧ケース上４３３
へのパネル表示エリアとの位置再現性を確保向上でき
る、そして、取り付け用ネジ４３４で組立を行った場合
はリワ−ク再組立が容易である。また、プラスチック製
の引っかかりのある鋲状の部品等を使うと組み付け時に
押し込むだけで組立固定が可能となり、簡単な組み込み
ができる。ここで、バックライトユニット４３５と外装
化粧ケ−ス４３６は両面テ−プ等で固定する方式、また
は、取り付け用爪等により固定する方式でも良い。
【０２６０】〔実施例４６〕以下本実施例を図８２、図
８３、図８４、図８５、図８６、図８７、図８８、図８
９を用いて説明する。
【０２６１】図８２は本発明の液晶表示装置において、
３個の液晶駆動用半導体チップをひとつの多層基板表面
にフェイスダウンボンディングした一実施例の多層基板
６０００を示す。
【０２６２】図８３は上記図８２の多層基板６０００を
分解して示した斜視図である。ここで、液晶駆動用半導
体チップ１１００、１２００、１３００の出力側のパッ
ドピッチＰ１は８０μｍであり、パネル端子１８のピッ
チＰ２は５０μｍであり、Ｐ１＞Ｐ２の関係となる場合
の実施例である。このパネル端子ピッチＰ２＝５０μｍ
は６インチクラスのＶＧＡカラーの液晶表示装置におい
て必要となる微細な接続ピッチである。
【０２６３】１０００、２０００、３０００、４００
０、５０００は本実施例の多層（５層）基板の各層で、
１０００は第１の層、２０００は第２の層、３０００は
第３の層、４０００は第４層、５０００は第５層であ
り、液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３
００は公知の方法（例えば、半導体のＡｕバンプをＡｇ
ペーストを用いて基板に接続する方法、または異方性導
電膜を用いる方法、または半田バンプを用いたフリップ
チップ方法等）により第１の層１０００の表面にフェイ
スダウンボンディングされている。ボンディング後は、
液晶駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００
の周囲および１１００、１２００、１３００と１０００
の表面との間は腐食防止および補強のためにモールド２
０をしてある（図示は省略してある）。このモールド材
として、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリエステル
等の単独またはそのいくつかの混合または化合物であ
り、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプまたはそ
れらの併用タイプである。
【０２６４】図８４は第１の層の配線、スルーホール、
貫通穴等を示す平面図である。
【０２６５】図８５は第２の層の配線、スルーホール、
貫通穴等を示す平面図である。
【０２６６】図８６は第３の層の配線、スルーホール、
貫通穴等を示す平面図である。
【０２６７】図８７は第４の層の配線、スルーホール、
ランド等を示す平面図である。
【０２６８】図８８は第５の層の配線、スルーホール、
接続端子等を示す平面図である。
【０２６９】第１の層１０００の表面には、１１００、
１２００、１３００の入力パッドに対応する入力配線１
１１０、１２１０、１３１０がパターニングされてい
る。また、入力配線１１１０、１２１０、１３１０（た
だし、１１１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−１、１
２１０−Ｎ、１３１０−１、１３１０−Ｎを除く）はそ
れぞれのスルーホール１１２０、１２２０、１３２０を
介して第２の層２０００のバス配線２０２０に接続され
ている。さらに、第２の層２０００のバス配線２０２０
は第２の層２０００のスルーホール２０３０、第３の層
３０００のスルーホール３０３０を介して、第４の層４
０００のバス配線４０２０に接続されている。入力配線
１１１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−１、１２１０
−Ｎ、１３１０−１、１３１０−Ｎはカスケード接続す
るため、他の入力配線と別の配線をしてある。すなわ
ち、液晶駆動用半導体チップ１１００の入力配線１１１
０−１は第１の層１０００のスルーホール１１２０−
１、第２の層２０００のスルーホール２１２０、および
第３の層３０００のスルーホール３１２０を介して配線
４０２０に接続している。液晶駆動用半導体チップ１１
００の入力配線１１１０−Ｎは第１の層１０００のスル
ーホール１１２０−Ｎ、第２の層２０００のスルーホー
ル２１２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０
に接続している。また、液晶駆動用半導体チップ１２０
０の入力配線１２１０−１は第１の層１０００のスルー
ホール１２２０−１、第２の層２０００のスルーホール
２２２０を介して、第３の層３０００の配線３０２０に
接続し、入力配線１２１０−Ｎは第１の層１０００のス
ルーホール１２２０−Ｎ、第２の層２０００のスルーホ
ール２２２０を介して、第３の層３０００の配線３０２
０に接続している。また、液晶駆動用半導体チップ１３
００の入力配線１３１０−１は第１の層１０００のスル
ーホール１３２０−１、第２の層２０００のスルーホー
ル２３２０を介して配線３０２０に接続している。液晶
駆動用半導体チップ１３００の入力配線１３１０−Ｎは
第１の層１０００のスルーホール１３２０−Ｎ、第２の
層２０００のスルーホール２３２０を介して、第３の層
３０００の配線３０２０に接続している。さらに、その
配線３０２０は第３の層３０００のスルーホール３１２
０を介して、第４の層４０００の配線４０２０に接続し
ている。さらに、配線４０２０には隣接の他の同様な多
層基板とワイヤーボンディングするためのランド４０４
０が形成されている。このランド４０４０に対応するよ
うに、第１の層１０００、第２の層２０００、第３の層
３０００に貫通穴１０１０、２０１０、３０１０が設け
てあり、ワイヤーボンディングしやすくしてある。
【０２７０】また、第１の層１０００の表面には、液晶
駆動用半導体チップ１１００、１２００、１３００の出
力パッドに対応する出力配線１１３０、１２３０、１３
３０がパターニングされ、第１の層１０００のスルーホ
ール１１４０、１２４０、１３４０、第２の層２０００
のスルーホール２１４０、２２４０、２３４０、第３の
層３０００のスルーホール３１４０、３２４０、３３４
０、第４の層４０００のスルーホール４１４０、４２４
０、４３４０、および第５の層５０００のスルーホール
５１４０、５２４０、５３４０を介して配線５０５０、
接続端子５０６０に接続している。ここで、１１００、
１２００、１３００の出力パッドピッチよりパネルの端
子ピッチの方が小さいため、それぞれの出力パッドとパ
ネルの端子が対応するように第１の層１０００の表面で
パターンを狭めて配線している。本実施例では、スルー
ホール１１４０、１２４０、１３４０、２１４０、２２
４０、２３４０、３１４０、３２４０、３３４０、４１
４０、４２４０、４３４０をそれぞれ１列に配置してあ
るが、複数列の千鳥配列等でもかまわない。また、出力
パッドピッチとパネルの端子ピッチの整合を複数層に渡
って行ってもよい。
【０２７１】なお、第１の層１０００、第２の層２００
０、第３の層３０００、第４の層４０００、第５の層５
０００の各層はアルミナ基材の低温同時焼成セラミック
基板である。厚みはそれぞれ０．２５ｍｍのものを使用
した。入力配線１１１０、１２１０、１３１０、１１１
０−１、１２１０−１、１３１０−１、１１１０−Ｎ、
１２１０−Ｎ、１３１０−Ｎ、出力配線１１３０、１２
３０、１３３０、配線２０２０、３０２０、４０２０、
５０５０はＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペース
トの焼成物である。また、スルーホール１１２０、１２
２０、１３２０、１１２０−１、１２２０−１、１３２
０−１、１１２０−Ｎ、１２２０−Ｎ、１３２０−Ｎ、
１１４０、１２４０、１３４０、２０３０、２１２０、
２２２０、２３２０、２３４０、３０３０、３１２０、
３１４０、３２４０、３３４０、４１４０、４２４０、
４３４０、５１４０、５２４０、５３４０も同様にＡ
ｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成物で
ある。また、ランド４０４０、接続端子５０６０も同様
にＡｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの焼成
物である。それらはそれぞれの層毎に公知の印刷方式に
よりパターニングされ、各層を重ね合わせ、焼成して一
体化し完成している。それぞれのパターニング焼成され
た金属の厚みは通常０．００１ｍｍから０．０５ｍｍ程
度であるが、抵抗値を下げるために０．０５ｍｍから
０．２ｍｍ程度にしてもよい。
【０２７２】ただし、第１の層１０００の表面の入力配
線１１１０、１２１０、１３１０、１１１０−１、１２
１０−１、１３１０−１、１１１０−Ｎ、１２１０−
Ｎ、１３１０−Ｎ、出力配線１１３０、１２３０、１３
３０、および第５の層５０００の裏面の配線５０５０、
接続端子５０６０は配線ピッチ、寸法精度等によって
は、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペーストの全
面印刷後、フォトリソ等によってパターン形成してもよ
い。この時のパターン厚みは０．００１ｍｍから０．２
ｍｍ程度である。または印刷方式ではなくＡｕ、Ａｇ、
Ｃｕ等の蒸着、またはスパッタ等による薄膜形成後、フ
ォトリソ、メッキ等の工程によってパターン形成しても
よい。この時のパターン厚みは０．０００５ｍｍから
０．１ｍｍ程度である。
【０２７３】本実施例の多層基板は５層構造のものであ
ったが、当然のことながら、他の層数でもかまわない。
また、ノイズ対策や静電気対策等のために中間にグラン
ド層を１層または複数層設けてもよい。
【０２７４】このように、液晶駆動用半導体チップの出
力側のパッドピッチＰ１が８０μｍで、パネル端子の接
続ピッチＰ２が５０μｍであるというように、Ｐ１＞Ｐ
２の関係となる場合には、従来例であるＴＣＰで複数個
の液晶駆動用半導体チップを液晶表示装置に搭載すると
隣接のＴＣＰどうしが重なり合ったり、入力端子へのバ
ス配線基板の接続が困難だったりという不具合があった
が、本実施例の多層基板を使うことによって、各隣接す
る多層基板の重なり合いもなく、コンパクトに搭載する
ことができる。したがって、今後益々増えるであろうＰ
ＤＡ（パーソナル デジタル アシスタンス）等の小型
情報端末機器の表示装置として、大容量表示（ＶＧＡ、
ＸＧＡ仕様等）であり、なおかつ軽量薄型化、コンパク
ト化に対応する液晶表示装置を提供できる。
【０２７５】また、ひとつの多層基板に３個の液晶駆動
用半導体チップをボンディングすることは、ひとつの多
層基板に１個の液晶駆動用半導体チップをボンディング
したもの３個分と比較すると、入出力配線を効率よく配
線でき、半導体チップも効率よく配置できるため、必要
な多層基板の面積は小さくなり、部品費を安くできる。
また、多層基板を個々にばらす（ダイシング、またはブ
レイク等）工数や半導体チップをボンディング、モール
ドするための多層基板のセット、リセットの工数等も削
減でき、コストダウンができ、安価な液晶表示装置を提
供できる。
【０２７６】図８９は図８２に示した一実施例の多層基
板を液晶表示パネルに接続した一実施例を示す図。
【０２７７】カラー液晶表示型のパネル１６（例えば６
４０＊３＊４８０ドット表示）に図８２に示した一実施
例の多層基板６０００（１６０出力の液晶駆動用半導体
チップを３個搭載してある）をＸ側に４個、実施例１と
同様な多層基板１４（２４０出力の液晶駆動用半導体チ
ップを１個搭載してある）をＹ側に２個をそれぞれパネ
ル端子１８に接続してある。ただし、図中にはパネル配
線、および多層基板の配線は表示していない。多層基板
１４、６０００の接続端子１３、５０６０とパネル端子
１８は、実施例１と同様に接続部材１９によって接続が
取られている。導電部材１９は電気的接続を確保してい
ると同時にある程度多層基板１４、６０００のパネルへ
の固定も兼ねている。
【０２７８】ここで使用する接続部材１９は異方性導電
膜であり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。
この導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｂ、Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッ
キ等による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチ
レン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カ
ーボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタ
ジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の
混合または化合物である。この異方性導電膜をパネル端
子１８と多層基板１４、６０００の接続端子１３、５０
６０との間に配置し、異方性導電膜に熱硬化性または熱
可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着剤を使った
場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押
し当てることによって硬化接続される。また、異方性導
電膜にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使った場合には加圧
ヘッドを多層基板１４、６０００に押し当て、パネル端
子１８（ガラス側）側からＵＶ照射して硬化させる。
【０２７９】他の接続部材として、異方性導電接着剤が
あり、主に導電粒子と接着剤より構成されている。この
導電粒子は半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎ等の単独または複数の混合、合金、またはメッキ等
による複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、アクリル等）にＮｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメッキをした粒子、カー
ボン粒子等である。また、この接着剤はスチレンブタジ
エンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、アクリル系、
ポリエステル系、ウレタン系等の単独または複数の混合
または化合物である。この異方性導電接着剤は液状、ま
たはペースト状であり、印刷方法、ディスペンサを使っ
たディスペンス方法等の公知の方法により、パネル端子
１６の接続部分に配置する。異方性導電接着剤に熱硬化
性または熱可塑性と熱硬化性とのブレンドタイプの接着
剤を使った場合には加熱加圧ヘッドを多層基板１４、６
０００に押し当てることによって硬化接続される。ま
た、異方性導電接着剤にＵＶ硬化性タイプの接着剤を使
った場合には加圧ヘッドを多層基板１４、６０００に押
し当て、パネル端子１８（ガラス側）側からＵＶ照射し
て硬化させる。
【０２８０】また、パネル端子１８の露出部分を腐食か
ら守るために、モールド２１が施されている（図では省
略してある）。合わせてモールド２１は多層基板１４、
６０００をパネルに固定する役割も持っている。このモ
ールド材としては、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポ
リエステル等の単独またはそのいくつかの混合または化
合物であり、溶剤タイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ
またはそれらの併用タイプである。
【０２８１】隣接する多層基板１４間、および多層基板
６０００間のバス配線の接続は、ランド７、４０４０を
介してワイヤー１５によってワイヤーボンディングされ
ている。また、パネルのＸ側およびＹ側の端に位置する
多層基板１４および多層基板６０００のそれぞれの片側
の入力端子は中継基板７０００にワイヤー１５によって
ワイヤーボンディングされている。さらに、中継基板７
０００には外部から信号および電源等をいれるための接
続部材８０００が接続されている。この接続部材８００
０には、図では省略しているが、配線パターンが１層ま
たは複数層にあり、また電子部品等も搭載していてもか
まわない。ワイヤー１５として、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の
金属またはそれらの金属の合金（Ｂｅ、Ｓｉ、Ｍｇ等を
含有するものも含む）を使用できる。また、ワイヤーボ
ンディング部、ワイヤー部等を腐食から守るため、およ
び機械的に補強する等のためにモールド２１が同様に施
されている（図では省略してある）。ワイヤーボンディ
ングされる幅は多層基板の幅以内に納まり、コンパクト
になっている。
【０２８２】ここで、ひとつの多層基板に３個の液晶駆
動用半導体チップをボンディングしたものを使用してい
るので、ひとつの多層基板に１個の液晶駆動用半導体チ
ップをボンディングしたものを接続した場合より、多層
基板間の接続箇所は、８箇所削減（１１箇所から３箇所
になっている）できている。これにともなって、ワイヤ
ー１５の部材の削減、およびワイヤーボンディングの工
数の削減ができている。
【０２８３】このように、本実施例の多層基板を用いる
ことによって、従来、ＴＡＢ方式では別のバス基板を用
いてバス配線のクロス配線を行っていたものを、同一多
層基板内でクロス配線を処理できている。したがって、
基板内の配線を高密度にすることによってＴＡＢ方式よ
りコンパクト化が可能であり、さらに別のバス基板を使
わないため低価格化が可能である。
【０２８４】また、従来のＣＯＧ方式ではパネル基板上
でバス配線のクロス配線を行っていたため、バス配線の
エリアが広く必要であり、また配線抵抗値を低くするた
めに金属配線が必要でありコスト高となるのに対して、
本実施例の多層基板を用いることによって、ＣＯＧ方式
よりバス配線エリアの省スペース化、および低価格化が
可能である。
【０２８５】また、液晶駆動用半導体チップの出力側の
パッドピッチＰ１が８０μｍで、パネル端子の接続ピッ
チＰ２が５０μｍであるというように、Ｐ１＞Ｐ２の関
係となる場合においても、各隣接する多層基板の重なり
合いもなく、コンパクトに搭載することができ、今後益
々増えるであろうＰＤＡ（パーソナル デジタル アシ
スタンス）等の小型情報端末機器の表示装置として、大
容量表示（ＶＧＡ、ＸＧＡ等）であり、なおかつ軽量薄
型化、コンパクト化に対応する液晶表示装置を提供でき
る。
【０２８６】〔実施例４７〕図９０は本発明による液晶
表示装置の一実施例を示す図であり、液晶表示装置を構
成する液晶パネルを示した図である。
【０２８７】また、図９１は図９０に示した液晶表示パ
ネル１６のＡ−Ｂにおける断面図を表わした図である。
【０２８８】本液晶表示パネルは、ＣＯＭ側透明基板５
０２と、ＣＯＭ側透明基板５０２よりも縦および横方向
の長さを長くしたＳＥＧ側透明基板５０１からなってお
り、透明基板にはガラスを用いている。ＳＥＧ側透明基
板５０１上には、酸化インジウムからなるＳＥＧ側電極
端子５０３、ＳＥＧ側透明電極５０５、ＳＥＧ側透明基
板上に形成されたＣＯＭ側電極端子５０４が、ＣＯＭ側
透明基板５０２上にはＣＯＭ側透明電極５０６が、それ
ぞれスパッタ法、あるいは蒸着法によって形成されてお
り、ＣＯＭ側透明基板５０２とＳＥＧ側透明基板５０１
との間には液晶５０９がシール材５０８によって封入さ
れている。ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側電極端
子５０３は、ＳＥＧ側透明基板５０１上にほぼ全面に形
成されたＳＥＧ側透明電極５０５の延長であり、ＳＥＧ
側を駆動する液晶駆動用駆動回路を接続するための端子
である。また、同じくＳＥＧ側透明基板５０１上に形成
されているＣＯＭ側電極端子５０４は、ＣＯＭ側を駆動
する液晶駆動用集積回路を接続するための端子であり、
ＣＯＭ側透明基板５０２上のほぼ全面に形成されている
ＣＯＭ側透明電極５０６と導電材５０７により接続され
ている。
【０２８９】このＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側
透明電極５０６とＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側
電極端子５０４との接続構造を、図９１を用いて説明す
る。ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０
６は、シール材５０８の内側の液晶５０９中においてＳ
ＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に、
導電材５０７によって電気的に接続される。この導電材
５０７としては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕなどの金
属ペースト、異方性導電性接着剤、異方導電性のある導
電ゴムなどを用いることができる。また、異方性導電性
接着剤としては、導電粒子として、半田粒子、Ｎｉ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の単独又は複数の混合、
合金、またはメッキ等による複合金属粒子、プラスチッ
ク粒子（ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリルな
ど）にＮｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ等の単独または複数のメ
ッキを施した導電粒子や、この粒子に絶縁コートを施し
た導電粒子などを用いることができ、接着剤としてスチ
レンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ系、ア
クリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単独また
は複数の混合または化合物を用いた異方性導電性接着剤
を使用することができる。また、この異方性導電性接着
剤は、厚さ数ミクロンから数十ミクロンのシート状のも
のや、ペースト状になったものなどを用いることができ
る。
【０２９０】導電材５０７の塗布方法は、導電材５０７
に前記導電材の種類の何を用いるかによって変わってく
る。導電材５０７として、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕ
などの金属ペーストのように異方導電性のない導電材を
用いた場合、ＣＯＭ側電極端子５０４の一本一本の、Ｃ
ＯＭ側透明電極５０６と対向する部分にのみ、隣接する
透明電極とショートしないように、塗布あるいは印刷す
る。一方、各種異方性導電接着剤を用いた場合、ＣＯＭ
側電極端子５０４からＣＯＭ側透明電極５０６の方向に
のみ電気的導通を得ることができるので、ＣＯＭ側電極
端子５０４の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部分
に、隣接透明電極とのショートを気にすることなく、連
続的に塗布することができる。このため、大型で、ＣＯ
Ｍ側電極端子５０４の本数が多い液晶表示パネルを製造
する場合には、導電材５０７として各種異方性導電接着
剤を用いる方が、生産性に優れている。
【０２９１】なお、本実施例においては、ＣＯＭ側透明
基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明
基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に導電材５０７
を用いて接続し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電
極端子を形成しているが、逆にＣＯＭ側透明基板５０２
をＳＥＧ側透明基板５０１よりも幅、長さとも大きく形
成し、ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側透明電極５
０５をＣＯＭ側透明基板５０２上の電極端子に導電材に
よって接続し、ＣＯＭ側透明基板５０２上に全ての電極
端子を設ける構造としてもよい。
【０２９２】また、本実施例ではＳＥＧ側透明基板５０
１、ＣＯＭ側透明基板５０２にガラスを用いているが、
これら透明基板の材質としては、他にエポキシ、アクリ
ル、ポリエチレンテフタレート、ポリエステル、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリカーボネイト、三酢酸セルロー
ス、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リアリレートなどの単独あるいはそれらのいくつかを複
合化した硬質透明プラスチック板、可とう性のある透明
フィルム基板などを用いることができる。
【０２９３】以上のような構成にすることにより、液晶
表示パネルの製造工程において、液晶表示パネルを裏返
すことなく全ての液晶駆動回路を接続することができる
ため、製造工程を簡略化、および製造コスト低減が実現
でき、このため安くて品質のよい液晶表示装置を提供す
ることができる。また、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣ
ＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣ
ＯＭ側電極端子５０４に導電材５０７によって接続して
いる部分が、液晶５０９をＳＥＧ側透明基板５０１とＣ
ＯＭ側透明基板５０２との間に封入するシール材５０８
の内側（液晶５０９側）にあるので、導電材５０７が直
接空気や薬品などに触れることがなく、導電材５０７を
保護するための部材、および工程を必要としないため、
製造工程が複雑化せず、また製造コストも抑えることが
できるといった利点を有する。
【０２９４】〔実施例４８〕図９２は本発明による液晶
表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明基板
５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６とＳＥＧ側透明基板
５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４との電気的接続に、
シール材を兼ねた導電材５１０を用いた液晶パネルを示
した図である。
【０２９５】本液晶表示パネルは、外見上は実施例４７
の図９０で示した液晶パネルと同様であり、ＣＯＭ側透
明基板５０２と、ＣＯＭ側透明基板５０２よりも縦及び
横方向の長さを長くしたＳＥＧ側透明基板５０１からな
っており、透明基板にはガラスを用いている。ＳＥＧ側
透明基板５０１上には、酸化インジウムからなるＳＥＧ
側電極端子５０３、ＳＥＧ側透明電極５０５、ＳＥＧ側
透明基板上に形成されたＣＯＭ側電極端子５０４が、ま
た、ＣＯＭ側透明基板５０２上にはＣＯＭ側透明電極５
０６が、それぞれスパッタ法、あるいは蒸着法によって
形成されている。ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側
電極端子５０３は、ＳＥＧ側透明基板５０１上にほぼ全
面に形成されたＳＥＧ側透明電極５０５の延長であり、
ＳＥＧ側を駆動する液晶駆動用集積回路を接続するため
の端子である。また、同じくＳＥＧ側透明基板５０１上
に形成されているＣＯＭ側電極端子５０４は、ＣＯＭ側
を駆動する液晶駆動用集積回路を接続するための端子で
あり、ＣＯＭ側透明基板５０２上のほぼ全面に形成され
ているＣＯＭ側透明電極５０６と、シール材を兼ねた導
電材５１０により電気的に接続されている。また、この
シール材を兼ねた導電材５１０は液晶５０９をＳＥＧ側
透明基板５０１と、ＣＯＭ側透明基板５０２との間に封
入する役割も持っている。
【０２９６】このシール材を兼ねた導電材５１０を形成
する方法を以下に説明する。図９２のように、従来シー
ル材として用いられてきたエポキシ系樹脂が塗布される
部分のほぼ中央に当たり、しかもそれぞれのＣＯＭ側電
極端子５０４の、ＣＯＭ側透明電極５０６との重なり部
分に、導電材５０７を塗布あるいは印刷する。導電材５
０７としては、Ａｕ、Ａｇ、ＡｇＰｄ、Ｃｕなどの金属
ペースト、あるいは、導電粒子として半田粒子、Ｎｉ、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのい
くつかの混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒
子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイ
ト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかを
メッキした粒子、カーボン粒子などを用い、接着剤とし
てスチレンブタジエンスチレン（ＳＢＳ）系、エポキシ
系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系などの単
独またはそのいくつかの混合または化合物を用いた異方
性導電性接着剤などを用いることができる。金属ペース
トを導電材として用いた場合は、ＣＯＭ側電極端子５０
４の一本一本の、ＣＯＭ側透明電極５０６と対向する部
分にのみ、隣接する透明電極とショートしないように、
塗布あるいは印刷する。一方、各種異方性導電接着剤を
用いた場合には、ＣＯＭ側電極端子５０４からＣＯＭ側
透明電極５０６の方向にのみ電気的導通を得ることがで
きるので、ＣＯＭ側電極端子５０４の、ＣＯＭ側透明電
極５０６と対向する部分に、隣接透明電極とのショート
を気にすることなく、連続的に塗布することができる。
この後、シール材として用いられるエポキシ系樹脂を、
先に塗布あるいは印刷された導電材を囲むように印刷あ
るいは塗布する。この後、位置合わせを行ったＳＥＧ側
透明基板５０１とＣＯＭ側透明基板５０２を重ね合わ
せ、加熱加圧、または加圧ＵＶ照射する。このようにす
ることによって中心部に導電材を持つシール材を兼ねた
導電材５１０を形成することができる。
【０２９７】また、従来シール材として用いられてきた
エポキシ系樹脂中に均一に、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの
混合、合金またはメッキなどによる複合金属粒子、プラ
スチック粒子（ポリスチレン、ポリカーボネイト、アク
リル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆ
ｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそのいくつかをメッキ
した粒子、カーボン粒子などを用いた導電粒子を混入し
たものをシール材を兼ねた導電材５１０として用いるこ
ともできる。さらに、従来シール材として使用されてき
たエポキシ系樹脂を用いずに、導電粒子として半田粒
子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独ま
たはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる
複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリ
カーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそ
のいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用
い、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢ
Ｓ）系、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系など
の単独またはそのいくつかの混合または化合物を用いた
異方性導電性接着剤のみを用い、これをシール材を兼ね
た導電材として用いることができ、この場合、異方性導
電性接着剤としては、厚さ数ミクロンのシート状のもの
や、ペースト状のものなどを用いることができる。
【０２９８】なお、本実施例においては、ＣＯＭ側透明
基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５０６をＳＥＧ側透明
基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５０４に導電材を用い
て接続し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子
を形成しているが、逆にＣＯＭ側透明基板５０２をＳＥ
Ｇ側透明基板５０１よりも幅、長さとも大きく形成し、
ＳＥＧ側透明基板５０１上のＳＥＧ側透明電極５０５を
ＣＯＭ側透明基板５０２上の電極端子に接続し、ＣＯＭ
側透明基板５０２上に全ての電極端子を設ける構造とし
てもよい。
【０２９９】また、本実施例ではＳＥＧ側透明基板５０
１、ＣＯＭ側透明基板５０２にガラスを用いているが、
これら透明基板の材質としては、他にエポキシ、アクリ
ル、ポリエチレンテフタレート、ポリエステル、ポリエ
ーテルサルフォン、ポリカーボネイト、三酢酸セルロー
ス、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リアリレートなどの単独あるいはそれらのいくつかを複
合化した硬質透明プラスチック板、可とう性のある透明
フィルム基板などを用いることができる。
【０３００】以上のような構成にすることにより、実施
例４７で示した液晶表示パネルよりもシール材−導電材
間の表示に直接関係のないエリアを小さくすることがで
き、同一画面表示範囲の液晶表示パネルにおいて、表示
装置全体の大きさをよりコンパクトにすることができ
る。また、液晶表示パネルの製造工程においては、液晶
表示パネルを裏返すことなく全ての液晶駆動回路を接続
することができるため、製造工程を簡略化、および製造
コスト低減が実現でき、このため安くて品質がよく、軽
量コンパクトな液晶表示装置を提供することができる。
また、ＣＯＭ側透明基板５０２上のＣＯＭ側透明電極５
０６をＳＥＧ側透明基板５０１上のＣＯＭ側電極端子５
０４にシール材を兼ねた導電材５１０によって接続して
いるので、導電材部分が直接空気や薬品などに触れるこ
とがなく、導電材５０７を保護するための部材、および
工程を必要としないため、製造工程が複雑化せず、また
製造コストも抑えることができるといった利点を有す
る。
【０３０１】〔実施例４９〕図９３は、本発明による液
晶表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明基
板５０２上の透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の電
極端子に接続し、ＳＥＧ側透明基板上に全ての電極端子
を設けた液晶表示パネル１６に、液晶駆動用半導体チッ
プ４をフェイスダウンボンディングした多層基板１４を
実装した一実施例を示す図である。また、図９４は、図
９３のＢ部を拡大して示した図である。
【０３０２】多層基板１４は、液晶パネル１６を構成す
るＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に、異方性導電
接着剤を用いて、電気的、機械的に接続されている。こ
の接続に用いられる異方性導電接着剤としては、導電粒
子として、半田粒子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、
Ｓｎなどの単独またはそのいくつかの混合、合金または
メッキなどによる複合金属粒子、プラスチック粒子（ポ
リスチレン、ポリカーボネイト、アクリル等）にＮｉ、
Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなど
の単独またはそのいくつかをメッキした粒子、カーボン
粒子などを用い、また接着剤としてスチレンブタジエン
スチレン（ＳＢＳ）系、アクリル系、ポリエステル系、
ウレタン系などの単独またはそのいくつかの混合または
化合物を用いたものを使用することができる。
【０３０３】隣接する多層基板１４との間のバス配線の
電気的接続は、ワイヤーボンディング法を用いて、ワイ
ヤー１５によって接続される。このワイヤー１５として
はＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属、あるいはそれらの金属の
合金を用いることができる。
【０３０４】また、ＳＥＧ側透明基板５０１上には、Ｓ
ＥＧ側を駆動する液晶駆動用半導体チップ４を実装した
多層基板１４と、ＣＯＭ側を駆動する液晶駆動用半導体
チップ４を実装した多層基板１４とを接続する接続配線
６０１が形成されており、ＳＥＧ側を駆動する多層基板
１４とＣＯＭ側を駆動する多層基板１４はこの接続配線
６０１、及び、ワイヤー１５により接続されている。こ
の接続配線６０１は、透明電極上に金属薄膜を、メッ
キ、スパッタ法、蒸着法などにより形成したものを用い
ることができ、透明電極上にＮｉメッキを行い、その上
にＡｕメッキを施したもの、またはＡｌメッキを施した
ものなどを用いることができる。また、外部電源回路基
板からの信号は、一連の多層基板１４の最も右側の多層
基板の内蔵共通入力配線の端子から、テープ電線５１１
などを用いて接続される。
【０３０５】さらに、図が煩雑になるため、図中には示
していないが、多層基板１４を実装してある部分は、ワ
イヤー１５や、多層基板１４、液晶駆動用半導体チップ
４、さらにＳＥＧ側透明基板５０１上に形成してある電
極端子、および接続配線６０１などの保護のため、紫外
線硬化型樹脂、あるいはシリコン樹脂などで覆ってあ
る。
【０３０６】このようにバス配線を内蔵した多層基板１
４を用いることにより、従来のＴＣＰを用いた場合に必
要であったバス回路基板が必要なくなるため、同一表示
面積の液晶表示パネルを用いたとき、表示部以外の部分
の面積を、従来のＴＣＰを用いた液晶表示装置より小さ
くすることができる。
【０３０７】また、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての
電極端子を設けたので、液晶駆動用半導体チップ４を実
装した多層基板１４をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極
端子に接続する製造工程において、液晶表示パネル１６
を裏返す必要がない。このため、製造装置を簡単化する
ことができ、また、多層基板１４の実装部の保護のため
の紫外線硬化樹脂またはシリコン樹脂などの塗布時に
も、未硬化樹脂がたれる心配がないなど、製造時間の短
縮、及び製造コストを低減することができるといった利
点を有する。
【０３０８】〔実施例５０〕本発明の別の一実施例を、
以下に図９５、図９６、図９７、図９８、及び図９９を
用いて説明する。
【０３０９】図９５、及び図９６は、本発明による液晶
表示装置において、ＳＥＧ側透明基板上にのみ電極端子
を設けた液晶表示パネルの、ＳＥＧ側液晶駆動回路とＣ
ＯＭ側液晶駆動回路とが接するコーナー部に設置する、
液晶駆動回路に電源、及び信号を供給するための接続基
板を示したものである。
【０３１０】図９５に示した接続基板６０２は、ＳＥＧ
側液晶駆動回路とＣＯＭ側駆動回路の共通バス回路を接
続するためのもので、セラミックス製の材質の接続基板
６０２上に、Ａｕペースト印刷による接続配線６０５が
施してある。
【０３１１】また図９６に示した入力端子付き接続基板
６０７は、図９５に示した接続基板に電源、及び信号
を、外部の電源回路から入力するための接続基板入力端
子６０６を付加したもので、入力端子付き接続基板上層
基板６０３及び、入力端子付き接続基板下層基板６０４
からなる２層構造になっている。入力端子付き接続基板
上層基板６０３、および入力端子付き接続基板下層基板
６０４はセラミックスからなり、入力端子付き接続基板
上層基板６０３上には接続基板入力端子６０６、および
接続配線６０５が、入力端子付き接続基板下層基板６０
４上には接続配線６０５が、それぞれＡｕペースト印刷
により形成されている。入力端子付き接続基板上層基板
６０３上の接続基板入力端子６０６および接続配線６０
５と、入力端子付き接続基板下層基板６０４上の接続配
線６０５とは、入力端子付き接続基板上層基板６０３上
に設けられたスルーホールにより接続され、入力端子付
き接続基板上層基板６０３および入力端子付き接続基板
下層基板６０４上の接続配線６０５によって、接続基板
入力端子６０６から入力される電源及び信号は、ＳＥＧ
側及びＣＯＭ側の駆動回路にそれぞれ分配されるように
なっている。
【０３１２】なお、ここでは配線基板の接続基板６０
２、入力端子付き接続基板上層基板６０３、入力端子付
き接続基板下層基板６０４としてセラミックス基板を用
い、接続配線６０５にＡｕペーストを用いているが、接
続基板６０２、入力端子付き接続基板上層基板６０３、
入力端子付き接続基板下層基板６０４の材質として、他
に、ガラスエポキシ基板、フェノール樹脂系基板などの
各種樹脂基板、ガラス、ポリイミド基板などを用いるこ
とができ、また、接続配線６０５としては他に、Ａｇ、
ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペースト焼成物、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｌなどの金属薄膜をエッチング法により配線に形成し
たもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を蒸着法、あるい
はスパッタ法などによりパターン形成したもの、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｌなどの薄膜配線をメッキ法によりパターン形
成したもの、Ｃｕなどの金属箔をエッチング法によりパ
ターン形成したものなどを用いることができる。
【０３１３】これらの配線基板を液晶パネルに使用した
例を図９７、図９８、図９９に示す。
【０３１４】図９７は、ＳＥＧ側透明基板上にのみ電極
端子を設けた液晶表示パネルの、ＳＥＧ側液晶駆動回路
とＣＯＭ側液晶駆動回路とが接するコーナー部に、液晶
駆動回路に電源、及び信号を供給するための接続基板を
実装した液晶表示装置を示したものである。
【０３１５】図９８は、図９７のＣ部の拡大図である。
【０３１６】図９９は、図９７のＤ部の拡大図である。
【０３１７】液晶表示パネル１６は、ＳＥＧ側透明基板
５０１、ＣＯＭ側透明電極５０２からなっており、ＣＯ
Ｍ側透明基板５０２上に形成されている透明電極は、導
電材によりＳＥＧ側透明基板上に形成されているＣＯＭ
側電極端子に接続されている。これによって液晶駆動用
半導体チップ４を実装された多層基板１４は全てＳＥＧ
側透明基板５０１上に実装され、実施例１と同様に異方
性導電接着剤によりＳＥＧ側透明基板上の電極端子と接
続されている。隣接する多層基板１４の共通バス回路は
全てワイヤーボンディング法によりＡｕワイヤー１５で
電気的に接続されている。
【０３１８】ＣＯＭ側の液晶駆動用半導体チップ４を実
装した多層基板１４と、ＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チ
ップ４を実装した多層基板１４とが接するコーナー部に
は、Ｃ部にＳＥＧ側の多層基板１４とＣＯＭ側の多層基
板１４とを接続する接続基板６０２を、Ｄ部にＳＥＧ側
の多層基板１４とＣＯＭ側の多層基板１４とを接続し、
かつ電源回路との接続端子を持つ入力端子付き接続基板
６０７をそれぞれ異方性導電接着剤を用いてＳＥＧ側透
明基板５０１上に実装してある。接続基板６０２、およ
び入力端子付き接続基板６０７にはＳＥＧ側透明基板５
０１上の透明電極基板と電気的接続をとる端子が設置さ
れていないのにもかかわらず異方性導電接着剤を用いた
のは、多層基板１４が異方性導電接着剤を用いてＳＥＧ
側透明基板５０１上の電極端子に接続されているため、
製造工程上、同一のものを用いた方がコストダウンなど
に有利であるためである。当然他の接着剤、例えば紫外
線硬化樹脂、熱硬化型樹脂、有機溶剤を用いた各種樹脂
性接着剤、各種瞬間接着剤などさまざまな接着剤も用い
ることができる。接続基板６０２、および入力端子付き
接続基板６０７は、それぞれ隣接するＳＥＧ側の多層基
板１４、およびＣＯＭ側の多層基板１４とワイヤーボン
ディング法によりＡｕワイヤー１５で接続され、これに
より一連のＳＥＧ側多層基板に電源、及び画像信号が送
られる。また、外部電源回路との接続は、入力端子付き
接続基板６０７上に設置されている接続基板入力端子６
０６で行われ、これにより液晶表示装置全体の電源、お
よび信号が供給される。
【０３１９】なお、ここでは接続配線６０５のみを持っ
た接続基板６０２と接続配線６０５と接続基板入力端子
６０６を持った入力端子付き接続基板６０７の両方を用
いて液晶表示装置を構成しているが、接続配線６０５の
みを持った接続基板６０２のみを２個用いてＳＥＧ側の
多層基板１４とＣＯＭ側の多層基板１４とを接続基板６
０２を介して接続し、外部電源回路からの信号入力は、
一連のＳＥＧ側の多層基板の接続基板の実装してあるの
と反対側（ＣＯＭ側の多層基板のない側）の多層基板１
４の共通バス配線端子から入力する構成としてもよい。
また逆に、接続配線６０５と接続基板入力端子６０６の
両方を持つ入力端子付き接続基板６０７を２枚用いて液
晶表示装置を構成し、液晶表示パネルの上下に実装され
ているＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップの電圧レベル
を均一にする構成としてもよい。
【０３２０】また、ここでは隣接多層基板同士の共通バ
ス回路の接続、および多層基板と接続基板との接続に、
ワイヤーボンディング法によるＡｕワイヤーを用いてい
るが、この接続には他にＡｌ、Ｃｕ及び、それらの合金
からなるワイヤー、フレキシブル回路基板、ビニール電
線を始めとする各種電線などを用い、ワイヤーボンディ
ング法、半田、異方性導電性接着剤などの手法により電
気的に接続することができる。
【０３２１】以上のような構成にすることにより、透明
電極上に金属メッキを施した配線よりも低抵抗な配線で
ＳＥＧ側多層基板とＣＯＭ側多層基板の共通バス回路を
接続することができ、液晶表示装置の表示品位をより良
好にすることができる。また、透明電極上に金属メッキ
を施す必要がないため、製造コストを低減することがで
きる。
【０３２２】〔実施例５１〕図１００は、本発明による
液晶表示装置の一実施例を示す図であり、ＣＯＭ側透明
基板５０２上の透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の
電極端子に接続し、ＳＥＧ側透明基板上に全ての電極端
子を設け、ＳＥＧ側の液晶駆動回路として液晶駆動用半
導体チップ４をフェイスダウンボンディングした多層基
板１４を実装してある液晶表示パネル１６に、ＣＯＭ側
の液晶駆動回路として液晶駆動用半導体チップ４および
電源回路を一体化した電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０
８を実装した液晶表示装置を示したものである。
【０３２３】図１０１は、図１００の電源回路一体ＣＯ
Ｍ多層基板６０８の実装部分を拡大した図である。
【０３２４】また、図１０２は、電源回路一体ＣＯＭ多
層基板６０８の断面図である。電源回路一体ＣＯＭ多層
基板６０８は、電源一体ＣＯＭ多層基板６０８上にフェ
イスダウンボンディングされているＣＯＭ側の液晶駆動
用半導体チップ４に電源およびＣＯＭ側画像信号を供給
すると共に、ＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップ４を実
装した多層基板１４にも同様に電源とＳＥＧ側画像信号
を供給する機能を持っている。
【０３２５】この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８の
構造を図１０１、および図１０２を用いて説明する。電
源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、セラミックス製の
上層基板６１０、中間基板６１１、下層基板６１２によ
る多層構造になっており、液晶駆動用半導体チップ４、
および電源回路を構成する各種電子部品６０９は、公知
の方法（例えば、Ａｇペーストを用いて基板に接続する
方法、異方性導電接着剤を用いる方法など）により上層
基板６１０に実装されている。なお、図１００、図１０
１では各配線パターンの図示は省略している。実装後
は、液晶駆動用半導体チップ４および各種電子部品６０
９の周囲、および液晶駆動用半導体チップ４と上層基板
６１０の表面との間の腐食防止、および補強のためにモ
ールドしてある。ただし、図が煩雑になるため、モール
ドの図示は省略してある。上層基板６１０の表面には各
液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応する回路
パターン６１３−１が形成されている。これらの液晶駆
動用半導体チップ４の入力パッドに対応する回路パター
ン６１３−１は、スルーホール６１５−１、中間基板６
１１上の回路パターン６１３−２、スルーホール６１５
−３、下層基板６１２上の回路パターン６１３−３、ス
ルーホール６１５−４を介して、同じ電源回路一体ＣＯ
Ｍ多層基板６０８に各種電子部品６０９で構成される電
源回路の回路パターン６１３−４に接続されている。な
お、ここではスルーホール６１５−１、中間基板６１１
上の回路パターン６１３−２、スルーホール６１５−
３、下層基板６１２上の回路パターン６１３−３、スル
ーホール６１５−４を経由して電源回路の回路パターン
６１３−４に接続しているが、回路パターンのレイアウ
ト上で、液晶駆動用半導体チップ４の入力パッドに対応
した回路パターン６１３−１と電源回路の回路パターン
６１３−４との間を横切る別の回路パターンがあるなど
の問題がなければ、液晶駆動用半導体チップ４の入力パ
ッドに対応した回路パターン６１３−１と電源回路の回
路パターン６１３−４を上層基板６１０上で直接接続す
ることもできる。また、上層基板６１０上には各液晶駆
動用半導体チップ４の出力パッドに対応する回路パター
ン６１３−５がそれぞれ形成されており、この各液晶駆
動用半導体チップ４の出力パッドに対応する回路パター
ン６１３−５はスルーホール６１５−２を介し、下層基
板６１２に形成されているパネルとの接続端子６１４に
接続されている。
【０３２６】なお、ここでは電源回路一体ＣＯＭ多層基
板６０８を構成する上層基板６１０、中間基板６１１、
下層基板６１２としてアルミナ基材の低温同時焼成セラ
ミックス製基板を用いているが、他にガラスエポキシ基
板、フェノール樹脂系基板などの各種樹脂系基板、ポリ
イミド、アラミドなどのフレキシブル基板、ガラス、硬
質プラスチック、などを用いることができる。
【０３２７】また、ここでは回路パターン６１３−１、
６１３−２、６１３−３、６１３−４、パネルとの接続
端子６１４としてＡｕペースト焼成物を用いているが、
これらの回路パターン６１３−１、６１３−２、６１３
−３、６１３−４、接続端子６１４として他に、Ａｇ、
ＡｇＰｄ、Ｃｕ等の金属ペースト焼成物、Ｃｕ、Ａｕ、
Ａｌなどの金属薄膜をエッチング法により配線に形成し
たもの、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を蒸着法、あるい
はスパッタ法などによりパターン形成したもの、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｌなどの薄膜配線をメッキ法により形成したも
の、Ｃｕなどの金属箔をエッチング法により形成したも
のなどを用いることができる。
【０３２８】このようにして構成される電源回路一体Ｃ
ＯＭ多層基板６０８は、液晶表示パネル１６を構成する
ＳＥＧ側透明基板５０１上に設けられた電極端子に、異
方性導電接着剤を用いて電気的、機械的に接続される。
この異方性導電接着剤としては、導電粒子として半田粒
子、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎなどの単独ま
たはそのいくつかの混合、合金またはメッキなどによる
複合金属粒子、プラスチック粒子（ポリスチレン、ポリ
カーボネイト、アクリル等）にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどの単独またはそ
のいくつかをメッキした粒子、カーボン粒子などを用
い、接着剤としてスチレンブタジエンスチレン（ＳＢ
Ｓ）系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系、ウ
レタン系などの単独またはそのいくつかの混合または化
合物を用いたものなどを使用することができる。
【０３２９】また、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６
０８は、ＳＥＧ側駆動用の電源、および画像信号をＳＥ
Ｇ側の液晶駆動用半導体チップに供給する機能を持ち、
電源回路一体ＣＯＭ基板６０８の上層基板６１０上に形
成されるＳＥＧ側の駆動回路との接続端子と、隣接する
ＳＥＧ側の多層基板１４とは、Ａｕワイヤー１５をワイ
ヤーボンディング法を用いて接続され、ＳＥＧ側の多層
基板１４に電源、および、画像信号を供給している。
【０３３０】なお、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６
０８と隣接するＳＥＧ側の多層基板１４との電気的接続
はＡｕワイヤーの他にＡｌ、Ｃｕ、及びそれらの合金か
らなるワイヤーなどを用いることができ、また、フレキ
シブル配線基板を用い、半田付け、あるいは異方性導電
接着剤によって電気的、機械的に接続してもよい。
【０３３１】このような構成とすることにより、従来の
ように別体の電源回路と液晶表示装置とを接続する必要
がなくなり、また多層基板を一つ一つ液晶表示パネルに
接続する必要がないので、工程を短縮し、製造にかかる
時間を大幅に短縮することができるなど、製造コストを
大幅に削減することができる。また、電源、および信号
を接続するための長い配線を必要としないので、外部か
らのノイズの侵入が少なくなり、良好な表示を得ること
ができる。
【０３３２】〔実施例５２〕図１０３は、本発明による
液晶表示装置野一実施例を示す図であり、従来用いられ
てきた、液晶を挟み込む２枚の透明基板のうち、コモン
電極（ＣＯＭ）側透明基板５０２の長さを、セグメント
電極（ＳＥＧ）側透明基板５０１よりも長くし、かつ、
ＣＯＭ側透明基板５０２の幅よりもＳＥＧ側透明基板５
０１の幅の方が広くなるようにして、２枚のＣＯＭ側透
明基板５０２、およびＳＥＧ側透明基板５０１を重ね合
わせてシール剤５０８によって液晶を封入し、それぞれ
他方と重なっていない部分までＳＥＧ側透明基板５０１
上に形成されたＳＥＧ側透明電極５０５、およびＣＯＭ
側透明基板５０２上に形成されたＣＯＭ側透明電極５０
６を延ばし、これを液晶駆動回路との接続端子とする液
晶パネル１６のＣＯＭ側透明電極に、ＣＯＭ側の液晶駆
動回路として液晶駆動用半導体チップ４および、電源回
路を一体化した、電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８を
実装した液晶表示装置を、ＳＥＧ側透明基板５０１の側
から示したものである。
【０３３３】また、図１０４は、図１０３に示した液晶
表示装置を、ＣＯＭ側透明基板５０２の側から示した図
である。
【０３３４】電源回路一体ＣＯＭ多層基板６０８は、液
晶表示パネル１６を構成するＣＯＭ側透明基板５０２上
に設けられた透明電極端子に、異方性導電接着剤を用い
て電気的、機械的に接続される。
【０３３５】また、この電源回路一体ＣＯＭ多層基板６
０８は、ＳＥＧ側駆動用の電源、および画像信号をＳＥ
Ｇ側液晶駆動用半導体チップに供給する機能を持ち、電
源回路一体ＣＯＭ基板６０８上に形成されるＳＥＧ側駆
動回路との接続端子と、ＳＥＧ側バス基板５００４３と
は、テープ電線５１１を用いて接続され、ＳＥＧ側バス
基板５００４３を通じて、各ＴＣＰ５００４２上に実装
されているＳＥＧ側の液晶駆動用半導体チップ４に電
源、および、画像信号を供給している。
【０３３６】このような構成とすることにより、従来用
いられてきた液晶表示パネルを用いた場合でも、従来の
ように別体の電源回路と液晶表示装置とを接続する必要
がなくなり、また液晶駆動用集積回路を搭載した基板を
一つ一つ液晶表示パネルに接続する必要がないので、工
程を短縮し、製造にかかる時間を大幅に短縮することが
できるなど、製造コストを大幅に削減することができ
る。また、電源、および信号を接続するための長い配線
を必要としないので、外部からのノイズの侵入が少なく
なり、良好な表示を得ることができる。
【０３３７】〔実施例５３〕図１０５は、本発明による
液晶表示装置の一実施例を示す図であり、実施例４７ま
たは実施例４８に示した、ＣＯＭ側透明基板５０２上の
透明電極をＳＥＧ側透明基板５０１上の電極端子に接続
し、ＳＥＧ側透明基板５０１上に全ての電極端子を設け
た本発明による液晶表示パネル１６に、従来から液晶駆
動用半導体チップの実装に用いられている、液晶駆動用
半導体チップ４を実装したＴＣＰ５００４２を実装した
ものである。それぞれのＴＣＰ５００４２は、各ＴＣＰ
５００４２上に実装された液晶駆動用半導体チップへの
入力信号を伝えるＳＥＧ側バス基板５００４３およびＣ
ＯＭ側バス基板５００５２に半田付によって電気的、機
械的に接続されている。
【０３３８】この液晶表示装置を製造するには、まずＣ
ＯＭ側透明基板５０２およびＳＥＧ側透明基板５０１に
よって構成される液晶表示パネル１６に、液晶駆動用半
導体チップ４を前もって実装したＴＣＰ５００４２を、
異方性導電接着剤などを用いて接続する。つぎに紫外線
硬化型樹脂のモールド２１をＳＥＧ側透明基板５０１の
端子部の透明電極露出部全てに塗布し硬化させる。この
後、液晶表示パネルを、大まかな位置あわせを行ったＳ
ＥＧ側バス基板５００４３およびＣＯＭ側バス基板５０
０５２の上にのせ、ＳＥＧ側バス基板５００４３とＴＣ
Ｐ５００４２、ＣＯＭ側バス基板５００５２とＴＣＰ５
００４２の位置合わせを行った後半田付けを行い、後に
ＳＥＧ側バス基板５００４３とＣＯＭ側バス基板５００
５２をテープ電線５１１を用いて半田にて接続する。
【０３３９】以上のように、従来型の液晶表示パネルを
用いた場合には、ＳＥＧ側のＴＣＰを接続した後、ＣＯ
Ｍ側のＴＣＰを接続するとき、および、紫外線硬化型樹
脂を塗布・硬化させるときに少なくとも計２回の液晶表
示パネル裏返し作業が必要であったが、本発明の液晶表
示パネルを用いることにより、裏返し作業が必要なくな
り、また、紫外線硬化型樹脂の塗布工程が１回で済むよ
うになるなど、製造工程の大幅な単純化が実現できる。
【０３４０】このように従来技術であるＴＣＰを用いて
液晶駆動回路を液晶表示パネルに実装する場合でも、本
発明の構造を持つ液晶表示パネルを用いることによって
工程が短縮・単純化され、大幅なコストダウンが可能と
なる。
【０３４１】
【発明の効果】以上説明したように、半導体素子の入出
力配線、バスラインおよび接続端子を多層基板に形成
し、そこに複数の半導体素子を実装し表示素子の電極に
接続することで、駆動制御回路基板が不要になると同時
に半導体素子の相互接続本数が削減できるため信頼性が
向上する。
【０３４２】また、液晶駆動用半導体チップの搭載範囲
が小さく、薄く、コンパクトであり、さらに安価な液晶
表示装置を提供できる。
【０３４３】また、液晶表示パネルを構成する２枚の透
明基板のどちらか一方の電極が他方の透明基板の電極に
接続され、その透明基板にのみ液晶駆動回路を接続する
ための接続端子を形成する構成としたので、液晶表示装
置の製造工程を簡略化できるとともに、製造工程の自動
化を容易にすることができ、これにより液晶表示装置の
製造上の大幅なコスト低減を実現できるという効果を有
する。
【０３４４】また、液晶表示パネルを構成する２枚の透
明基板のどちらか一方の電極を、他方の透明基板の電極
に接続する手段として、２枚の透明電極の間に挟持され
る液晶を封入するシール剤を兼ねた導電材を用いる構造
としたので、画像表示エリアが広く、かつ装置がコンパ
クトで、安価な液晶表示装置を提供できるという効果を
有する。
【０３４５】また、液晶表示パネルの、Ｘ側駆動回路と
Ｙ側駆動回路とが接するコーナー部に、電源及び信号を
供給するための基板を設置する構成としたので、液晶表
示装置の表示品位を従来より良好にすることができ、ま
た製造コストを低減できるといった効果を有する。
【０３４６】また、液晶駆動用集積回路と電源回路を搭
載した多層基板を用いたので、工程削減が可能となり、
製造コストを大幅に削減することができる。また、電源
及び、信号を接続するための長い配線を必要としないの
で、外部からのノイズの侵入が少なくなり、良好な表示
を得ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の多層基板を分解して示した
図である。
【図２】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図であ
る。
【図３】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分を
示す図である。
【図４】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分の
断面を示す図である。
【図５】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示
した図である。
【図６】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部
分を示す図である。
【図７】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して示
した図である。
【図８】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部
分を示す図である。
【図９】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要部
分を示す図である。
【図１０】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分の断面を示す図である。
【図１１】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して
示した図である。
【図１２】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分を示す図である。
【図１３】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分を示す図である。
【図１４】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分を示す図である。
【図１５】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して
示した図である。
【図１６】本発明の他の一実施例の液晶表示装置を示す
図である。
【図１７】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分を示す図である。
【図１８】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分の断面を示す図である。
【図１９】本発明の他の一実施例の多層基板を分解して
示した図である。
【図２０】本発明の他の一実施例の液晶表示装置の主要
部分を示す図である。
【図２１】本発明の一実施例の異方性導電膜の断面を示
す図である。
【図２２】本発明の他の一実施例の異方性導電膜の断面
を示す図である。
【図２３】本発明の一実施例の異方性導電接着剤の断面
を示す図である。
【図２４】本発明の一実施例の異方性導電膜または異方
性導電接着剤の接続部分の主要部分の断面を示す図であ
る。
【図２５】本発明の一実施例を示す半導体素子の実装構
造と表示素子に接続した断面図である。
【図２６】本発明の一実施例を示す半導体素子の実装構
造と表示素子に接続した平面図である。
【図２７】本発明の一実施例を示す接続部の詳細配線図
である。
【図２８】本発明の一実施例の液晶表示装置の結線ブロ
ック図である。
【図２９】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３０】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３１】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３２】本発明の半導体素子を実装したＬＣＤモジュ
ールの一実施例を示す図である。
【図３３】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３４】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３５】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３６】本発明の半導体素子を実装した電子印字装置
の一実施例を示す図である。
【図３７】本発明の半導体素子を実装した電子印字装置
の一実施例を示す図である。
【図３８】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図３９】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図４０】本発明の液晶表示装置の平面図である。
【図４１】本発明の半導体素子を実装した液晶表示装置
の一実施例を示す図である。
【図４２】本発明の半導体素子の実装構造の一実施例を
示す図である。
【図４３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示し
た図である。
【図４４】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
実装した図である。
【図４５】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
実装した図である。
【図４６】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
実装した図である。
【図４７】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
実装した図である。
【図４８】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図４９】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５０】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５１】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５２】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５３】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５４】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５５】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５６】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５７】本発明の一実施例の多層基板に半導体素子を
複数個実装した図である。
【図５８】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図５９】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図６０】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図６１】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図６２】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図６３】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図６４】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図６５】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図６６】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図６７】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図６８】本発明の一実施例の多層基板を電子光学装置
に実装した図である。
【図６９】本発明の一実施例の多層基板を電子印字装置
に実装した図である。
【図７０】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
を示す図である。
【図７１】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
を示す図である。
【図７２】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
を示す図である。
【図７３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示し
た図である。
【図７４】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
の断面を示す図である。
【図７５】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
を示す図である。
【図７６】本発明の一実施例の液晶表示装置の主要部分
を示す図である。
【図７７】本発明の一実施例の多層基板の取り付け穴を
示す図である。
【図７８】本発明の一実施例の多層基板の取り付け穴を
示す図である。
【図７９】本発明の一実施例の多層基板の他の形状の取
り付け穴を示す斜視図である。
【図８０】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図で
ある。
【図８１】本発明の一実施例の多層基板の取り付け状態
を示す断面図である。
【図８２】本発明の一実施例の多層基板を示した図であ
る。
【図８３】本発明の一実施例の多層基板を分解して示し
た図である。
【図８４】本発明の一実施例の多層基板の第１の層を示
した図である。
【図８５】本発明の一実施例の多層基板の第２の層を示
した図である。
【図８６】本発明の一実施例の多層基板の第３の層を示
した図である。
【図８７】本発明の一実施例の多層基板の第４の層を示
した図である。
【図８８】本発明の一実施例の多層基板の第５の層を示
した図である。
【図８９】本発明の一実施例の液晶表示装置を示す図で
ある。
【図９０】本発明の一実施例を示す図。
【図９１】本発明の一実施例を示す図９０のＡ−Ｂにお
ける断面図。
【図９２】本発明の一実施例を示す図。
【図９３】本発明の一実施例を示す図。
【図９４】本発明の一実施例を示す図９３のＢ部の拡大
図。
【図９５】本発明の一実施例を示す図。
【図９６】本発明の一実施例を示す図。
【図９７】本発明の一実施例を示す図。
【図９８】本発明の一実施例を示す図９７のＣ部の拡大
図。
【図９９】本発明の一実施例を示す図９７のＤ部の拡大
図。
【図１００】本発明の一実施例を示す図。
【図１０１】本発明の一実施例を示す図１００の電源回
路一体多層基板部分の拡大図。
【図１０２】本発明の一実施例を示す図であり、電源回
路一体基板の断面図。
【図１０３】本発明の一実施例を示す図。
【図１０４】本発明の一実施例を示す図。
【図１０５】本発明の一実施例を示す図。
【図１０６】従来の液晶表示装置を示す図である。
【図１０７】従来の液晶表示装置の主要部分を示す図で
ある。
【図１０８】従来の液晶表示装置の主要部分の断面を示
す図である。
【図１０９】従来の他の液晶表示装置の主要部分の断面
を示す図である。
【図１１０】従来の異方性導電膜の断面を示す図であ
る。
【図１１１】従来の異方性導電膜の接続部の主要部分の
断面を示す図である。
【図１１２】従来の異方性導電膜の接続部の主要部分の
断面を示す図である。
【図１１３】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に
接続した断面図。
【図１１４】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に
接続した平面図。
【図１１５】従来の半導体素子の実装構造と表示素子に
接続した平面図。
【図１１６】従来の液晶表示パネルを示す図。
【図１１７】従来の液晶表示パネルを示す図であり図１
１６のＥ−Ｆにおける断面図。
【符号の説明】
１．第１の層 ２．第２の層 ３．第３の層 ４．、４’．液晶駆動用半導体チップ ５．、５’．入力配線 ６．スルーホール ７．ランド ８．出力配線 ９．スルーホール １０．バス配線 １１．スルーホール １２．スルーホール １３．接続端子 １４．多層基板 １５．ワイヤー １６．パネル １７．接続基板 １８．パネル端子 １９．接続部材 ２０．モールド ２１．モールド ２２．ワイヤーボンディング用ランド ２３．ワイヤー ２４．接続基板 ２５．スルーホール ２６．スルーホール ２７．接続端子 ２８．バス配線 ２９．パネル端子 ３０．スルーホール ３１．異方性導電膜 ３２．導電粒子 ３３．接着剤 ３４．セパレータ ３５．異方性導電接着剤 ｄ．導電粒子の粒子径 Ｄ．導電粒子の粒子径 ｈ．接着剤の厚み Ｈ．接着剤の厚み ｋ．接続端子の厚み Ｋ．端子先端部の厚み １１０．液晶表示素子 １１１−1．〜１１１−12．半導体素子 １１２−1．〜１１２−4．多層基板 １１３．液晶表示素子電極端子 １１４．多層基板端子 １１５．異方性導電接着剤 Ｐ11．〜Ｐ3n．液晶駆動出力線 １３１1．〜１３１n．カラー画素 ２０１．半導体素子（ＬＳＩ） ２０２．多層基板 ２０３．電子素子（液晶表示素子） ２０４．入力配線 ２０５．出力配線 ２０６．バンプ ２０８．モールド剤 ２０９．ＡＣＦ ２１０．接着剤 ２１１．ＬＳＩ端子 ２１３．電子印字素子（サーマルプリンタヘッド） ２２１．内部導電層 ２３１．ＬＣＤ端子 ３０１．第１の層 ３０２．第２の層 ３０３．第３の層 ３０４．半導体素子 ３０５．入力配線 ３０６．スルーホール ３０７．ランド ３０８．出力配線 ３０９．バス配線 ３１０．外部接続端子 ３１１．多層基板 ３１２．Ａｕワイヤー ３１３．液晶パネル ３１４．接続基板 ３１５．パネル端子 ３１６．異方性導電膜 ３１７．モールド ３１８．ワイヤーボンディング用ランド ３１９．ＴＣＰ ３２０．開口部 ３２１．バス基板開口部 ３２２．バス基板 ３２３．先端部 ３２４．出力端子スルーホール ３２５．電極 ３２６．バス配線用ＦＰＣ ３２７．バス配線用ＰＣＢ基板 ３２８．バス配線用接続ランド ３２９．電子印字素子 ３３０．モールド ４３１．取り付け穴を有した多層基板 ４３１ａ．取り付け穴を有した多層基板 ４３１ｂ．取り付け穴を有した多層基板 ４３１ｃ．取り付け穴を有した多層基板 ４３１ｄ．取り付け穴を有した多層基板 ４３２．取り付け穴 ４３３．外装化粧ケース上 ４３４．ネジ ４３５．バックライトユニット ４３６．外装化粧ケース ４３７．取り付け用切り欠きを有した多層基板 ４３７ａ．取り付け用切り欠きを有した多層基板 ４３７ｂ．取り付け用切り欠きを有した多層基板 ４３７ｃ．取り付け用切り欠きを有した多層基板 ４３７ｄ．取り付け用切り欠きを有した多層基板 ４３８．取り付け用切り欠き ５０１．ＳＥＧ側透明基板 ５０２．ＣＯＭ側透明基板 ５０３．ＳＥＧ側電極端子 ５０４．ＣＯＭ側電極端子 ５０５．ＳＥＧ側透明電極 ５０６．ＣＯＭ側透明電極 ５０７．導電材 ５０８．シール材 ５０９．液晶 ５１０．シール材を兼ねた導電材 ５１１．テープ電線 ６０１．接続配線 ６０２．接続基板 ６０３．入力端子付き接続基板上層基板 ６０４．入力端子付き接続基板下層基板 ６０５．接続配線 ６０６．接続基板入力端子 ６０７．入力端子付き接続基板 ６０８．電源回路一体ＣＯＭ多層基板 ６０９．電子部品 ６１０．上層基板 ６１１．中間基板 ６１２．下層基板 ６１３−１．液晶駆動用半導体チップの入力パッドに対
応する回路パターン ６１３−２．中間基板上の回路パターン ６１３−３．下層基板上の回路パターン ６１３−４．電源回路の回路パターン ６１３−５．液晶駆動用集積回路の出力パッドに対応す
る回路パターン ６１４．接続端子 ６１５−１．スルーホール ６１５−２．スルーホール ６１５−３．スルーホール ６１５−４．スルーホール ６１５−５．スルーホール １０００．第１の層 １０１０．貫通穴 １１００．液晶駆動用半導体チップ １１１０．入力配線 １１１０−１．入力配線 １１１０−Ｎ．入力配線 １１２０．スルーホール １１２０−１．スルーホール １１２０−Ｎ．スルーホール １１３０．出力配線 １１３０−１．出力配線 １１３０−Ｎ．出力配線 １１４０．スルーホール １１４０−１．スルーホール １１４０−Ｎ．スルーホール １２００．液晶駆動用半導体チップ １２１０．入力配線 １２１０−１．入力配線 １２１０−Ｎ．入力配線 １２２０．スルーホール １２２０−１．スルーホール １２２０−Ｎ．スルーホール １２３０．出力配線 １２３０−１．出力配線 １２３０−Ｎ．出力配線 １２４０．スルーホール １２４０−１．スルーホール １２４０−Ｎ．スルーホール １３００．液晶駆動用半導体チップ １３１０．入力配線 １３１０−１．入力配線 １３１０−Ｎ．入力配線 １３２０．スルーホール １３２０−１．スルーホール １３２０−Ｎ．スルーホール １３３０．出力配線 １３３０−１．出力配線 １３３０−Ｎ．出力配線 １３４０．スルーホール １３４０−１．スルーホール １３４０−Ｎ．スルーホール ２０００．第２の層 ２０１０．貫通穴 ２０２０．配線 ２０３０．スルーホール ２１２０．スルーホール ２１４０．スルーホール ２２２０．スルーホール ２２４０．スルーホール ２３２０．スルーホール ２３４０．スルーホール ３０００．第３の層 ３０１０．貫通穴 ３０２０．配線 ３０３０．スルーホール ３１２０．スルーホール ３１４０．スルーホール ３２４０．スルーホール ３３４０．スルーホール ４０００．第４の層 ４０２０．配線 ４０４０．ランド ４１４０．スルーホール ４２４０．スルーホール ４３４０．スルーホール ５０００．第５の層 ５０５０．配線 ５０６０．接続端子 ５１４０．スルーホール ５２４０．スルーホール ５３４０．スルーホール ６０００．多層基板 ７０００．中継基板 ８０００．接続部材 ５００４１．液晶駆動用半導体チップ ５００４２．ＴＣＰ ５００４３．バス基板（ＳＥＧ側） ５００４４．入力配線 ５００４５．出力配線 ５００４６．先端部 ５００４７．入力配線 ５００４８．バス配線 ５００４９．異方性導電膜 ５００５０．導電粒子 ５００５１．接着剤 ５００５２．バス基板（ＣＯＭ側） ５０１５１．ＴＣＰ ５０１５２．可とう性配線部材 ５０１５３．ＴＣＰ出力端子 ５０１５４．ＴＣＰ入力端子 ５０１５５．駆動制御回路基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平5−158611 (32)優先日 平成５年６月29日(1993．6．29) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−158612 (32)優先日 平成５年６月29日(1993．6．29) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−158613 (32)優先日 平成５年６月29日(1993．6．29) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−163645 (32)優先日 平成５年７月１日(1993．7．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−163646 (32)優先日 平成５年７月１日(1993．7．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−163647 (32)優先日 平成５年７月１日(1993．7．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−163648 (32)優先日 平成５年７月１日(1993．7．1) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−182924 (32)優先日 平成５年７月23日(1993．7．23) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−200865 (32)優先日 平成５年８月12日(1993．8．12) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平5−221389 (32)優先日 平成５年９月６日(1993．9．6) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 丸山 憲一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 村松 永至 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 前田 謹一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 桜 聖一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 古市 一昭 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 望月 治規 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコ ーエプソン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−17628（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−213894（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−245195（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−91115（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−156429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−2865（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−217228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−313187（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−170988（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−44177（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−77137（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−65679（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−101724（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭51−74448（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1345

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】液晶表示装置において、 複数の半導体チップと、 前記複数の半導体チップが接続される一方の面および前
    記一方の面と対向する他方の面を有する多層基板と、 前記多層基板が接続される液晶パネルと、 を備え、 前記多層基板は、前記一方の面において、前記複数の半
    導体チップの各々にそれぞれ接続される複数の入力配線
    を有し、且つ前記一方の面及び前記他方の面の間におい
    て、前記複数の入力配線を互いに接続するバス配線を有
    することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の液晶表示装置において、 前記多層基板は、前記一方の面において、前記複数の半
    導体チップの各々にそれぞれ接続される複数の出力配線
    を有し、 前記出力配線は、前記液晶パネルのパネル端子に接続さ
    れることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】請求項２に記載の液晶表示装置において、 前記多層基板は前記液晶パネルの外形以内に収まるよう
    に前記液晶パネルに搭載されていることを特徴とする液
    晶表示装置。
  4. 【請求項４】液晶表示装置において、 半導体チップと、 前記半導体チップが接続される一方の面および前記一方
    の面と対向する他方の面を有する多層基板と、 前記多層基板が接続されるとともに搭載される液晶パネ
    ルと、 を備え、 前記多層基板は、前記一方の面において、前記半導体チ
    ップに接続される入力配線を有し、且つ前記一方の面及
    び前記他方の面の間において、前記入力配線にスルーホ
    ールを介して接続されるバス配線を有することを特徴と
    する液晶表示装置。
  5. 【請求項５】半導体チップの実装構造において、 複数の半導体チップと、 前記複数の半導体チップが接続される一方の面および前
    記一方の面と対向する他方の面を有する多層基板と、 を備え、 前記多層基板は、前記一方の面において、前記複数の半
    導体チップの各々にそれぞれ接続される複数の入力配線
    および前記複数の半導体チップの各々にそれぞれ接続さ
    れる複数の出力配線を有し、且つ前記一方の面及び前記
    他方の面の間において、前記複数の入力配線を互いに接
    続するバス配線を有することを特徴とする半導体チップ
    の実装構造。
  6. 【請求項６】請求項５に記載の半導体チップの実装構造
    を備えることを特徴とする電子光学装置。
  7. 【請求項７】請求項５に記載の半導体チップの実装構造
    を備えることを特徴とする電子印字装置。
JP22362393A 1992-09-08 1993-09-08 液晶表示装置、半導体チップの実装構造、電子光学装置および電子印字装置 Expired - Fee Related JP3321925B2 (ja)

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