JP3640801B2 - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路における広帯域の周波数で発振する電圧制御発振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の電圧制御発振器の一例について図4を用いて説明する。この電圧制御発振器は入力Vinをその電圧に対応する電流に変換する電圧−電流変換器4、電圧発生器5及びマルチバイブレータ6によって構成されている。電圧−電流変換器4は演算増幅器4aとトランジスタQ13及び電流を電圧に変換する抵抗R3を有している。変換された電流はトランジスタQ11,Q12から成るカレントミラー回路を介して変換された電流として出力される。又電圧発生器5は抵抗R4,R5を分圧して一定の電圧をマルチバイブレータ6に供給するものである。マルチバイブレータ6は電圧−電流変換器4の電流に等しい電流を夫々スイッチングトランジスタQ2,Q8に供給するためのトランジスタQ1,Q9及びQ10から成るカレントミラー回路を有しており、トランジスタQ1,Q9が第1,第2の電流源を構成している。マルチバイブレータ6はトランジスタQ2〜Q8が対称に接続されてそのエミッタ端がコンデンサC1を介して接続されるよう構成された無安定型のマルチバイブレータである。
【0003】
以上の構成を備えた電圧制御発振器の電圧−電流変換器4に電圧Vinを入力する。入力された電圧Vinは電圧−電流変換器4により電流に変換されカレントミラーによりミラーされてマルチバイブレータ6の第1及び第2の電流源に供給される。一方、電圧発生器5によりマルチバイブレータ6におけるトランジスタQ2、及びトランジスタQ8にベース電圧が供給される。この電圧はトランジスタQ2とトランジスタQ8のエミッタ間に接続されたコンデンサC1の両端の動作振幅を決定するための振幅電圧となる。この発振器では電圧−電流変換器4から供給される第1及び第2の電流源の電流値と、第1及び第2の電流源間に接続されたコンデンサC1の容量と、電圧発生器5からの振幅電圧とにより発振周波数が決定される。
【0004】
次にこの電圧制御発振器の動作について図5の動作波形図を用いて説明する。初期値をトランジスタQ3がオンでトランジスタQ7がオフとする。トランジスタQ8及びトランジスタQ2のベース電圧はHレベルはVcc−2*VBE、Lレベルは電圧発生器が働き(R5/(R4+R5))*Vcc−2*VBEで与えられる。従ってトランジスタQ2及びトランジスタQ8のベース振幅は(R4/(R4+R5))*Vccとなり、これは抵抗R4の両端の電圧である。初期値がトランジスタQ2のベースがHレベル、トランジスタQ8のベースがLレベルとすると、トランジスタQ2がオン状態、トランジスタQ8はオフ状態であり、コンデンサC1のトランジスタQ8側は電圧−電流変換器4より供給された電流源により放電しておりトランジスタQ8のエミッタ電圧は減少していく。そしてトランジスタQ8のエミッタ電圧がトランジスタQ8がオンできるレベルまで下がったとき、即ちトランジスタQ8のベース電圧に対してエミッタ電圧がVBEまで下がったときトランジスタQ8はオン状態となり、コレクタから電流を引くためにトランジスタQ7がオン状態となり、トランジスタQ2のベースがLレベルになる。トランジスタQ2のベースがLレベルとなると、トランジスタQ2のエミッタ・ベース間に逆バイアスがかかるためトランジスタQ2はオフ状態となり、トランジスタQ2のコレクタに電流が流れなくなりトランジスタQ3はオフするため、トランジスタQ8のベース電圧はHレベルになる。トランジスタQ8のベース電圧がHレベルになると、トランジスタQ8のエミッタの電圧もコンデンサに充電されHレベルとなると同時に、コンデンサC1のトランジスタQ2側は同じ振幅だけ電位が引き上げられる。トランジスタQ2のベースとエミッタ間の逆バイアス電圧は電圧発生器により決定された振幅の2倍となり、電流源による放電が開始される。そしてトランジスタQ2のエミッタ電圧が下がりトランジスタQ2がオンできるレベルまで下がったとき、トランジスタQ2はオンする。この繰り返しが発振であり、周期により発振周波数が決定される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構成では、図4における電圧−電流変換器4において、外部入力電圧Vinに対して変換後の電流をIoとするとIoは次式で表される。
Io=Vin/R3
【0006】
ここで抵抗R3は電圧を電流に変換するための抵抗であり、この抵抗は温度依存性を持つため、結果として電圧−電流変換後の電流Ioは温度依存性を持つことになる。又電圧発生器5における抵抗R4の両端の電圧をVaとすると、Vaは次式
Va=Vcc*(R4/(R4+R5))
で表され、抵抗比で決定されるためVaは温度依存性を持たない。マルチバイブレータ6における発振周波数は、電圧−電流変換器4からのIo、電圧発生器5における抵抗R4の両端電圧Va及びコンデンサC1の容量C1により決定され、発振周波数をfとすると、次式で表すことができる。
f=Io/(4*Va*C1)
ここでIoが温度依存性を持つために入力電圧に対する発振周波数は温度依存性を持つことになり、発振可能な周波数範囲を広くすることが困難になるという欠点を有していた。
【0007】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので入力電圧に対する発振周波数が温度依存性を持たない電圧制御型発振器を提案する事を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の電圧制御型発振器は、入力された電圧を電流に変換する電圧−電流変換器と、前記電圧−電流変換器における変換後の電流の温度依存性に合せた電圧を発生させるバンドギャップ回路を備えた電圧発生器と、カレントミラー回路により構成され、前記電圧−電流変換後の電流に対してミラーされた電流を供給する第1,第2の電流源、前記電圧発生器の出力が夫々の制御端子に接続され、前記第1及び第2の電流源に一端が接続され交互にオンとなる一対のスイッチング素子、及び前記スイッチング素子と前記第1,第2の電流源との間に接続されたコンデンサ、を有するマルチバイブレータと、を具備することを特徴とするものである。
【0009】
このような構成により、入力電圧に対する発振周波数が温度依存性を持たないため、広い周波数範囲で発振することが容易となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は本実施の形態による電圧制御発振器の構成図である。図1において1は電圧−電流変換器、2は電圧発生器、3はマルチバイブレータである。電圧−電流変換器1及びマルチバイブレータ3は前述した従来例により電圧制御器4、マルチバイブレータ6と同様であり、詳細な説明を省略する。この実施の形態では電圧発生器2は抵抗分圧回路でなく、マルチバイブレータ3の第1,第2の電流源に供給される電流Ioの温度変動係数をtとすると、tに等しい温度変動を持たせた電圧Vbを発生させるものである。
【0011】
このように構成された本実施の形態の電圧制御発振器について以下その動作を説明する。電圧−電流変換器1に電圧Vinを入力すると電流に変換され、変換後の電流をIoとすると、
Io=Vin/R3 ・・・(1)
で表される。こうして変換された電流Ioはカレントミラーによりミラーされ、トランジスタQ1,Q9から成る第1及び第2の電流源に供給される。一方、電圧発生器2によりマルチバイブレータ3におけるトランジスタQ2、及びトランジスタQ8のベース電圧振幅を制御し、トランジスタQ2のエミッタ及びトランジスタQ8エミッタ間に接続された容量の両端の動作振幅を決定するための振幅電圧Vbを発生させる。この発振器においても電圧−電流変換器1から供給される第1及び第2の電流源の電流値と、第1及び第2の電流源間に接続されたコンデンサC1の容量と、電圧発生器2からの振幅電圧とにより発振周波数が決定される。発振周波数fは次式で示される。
f=Io/(4*Vb*C1) ・・・(2)
【0012】
ここで電圧発生器2について図面を参照しながら説明する。図2は本発明の実施の形態による電圧発生器2の回路図である。電圧発生器はバンドギャップ回路を用いて構成される。ここでトランジスタQ20に対するトランジスタQ17のトランジスタサイズ比をNとする。即ちトランジスタQ20と同サイズのトランジスタをN個用いて構成したものがトランジスタQ17であるとする。トランジスタQ20のベース・エミッタ間電圧VBE20は、抵抗R10,R8に流れる電流を夫々I1,I2として次式で示される。
【数1】
トランジスタQ19のエミッタ電圧V1は次式で示される。
【数2】
VBE20=VBE16とすると、前述した式より次式(5),(6)が成り立つ。
【数3】
【数4】
従ってエミッタ電圧V1が次式で示される。
【数5】
【0013】
又トランジスタQ19とQ14のベース・エミッタ間電圧が等しいとすると、トランジスタQ14のエミッタ電圧もV1となり、抵抗R7を流れる電流はV1/R7となる。抵抗R6の両端の電圧Vbは
Vb=V1*R6/R7 ・・・(8)
で表され、Vbの温度依存性はV1により決定される。即ち抵抗R8と抵抗R9の比、抵抗R8と抵抗R10の比及びトランジスタQ10とトランジスタQ17のサイズ比Nを調整することにより、Vbに温度依存性を持たせることができる。そして電圧VbにIoと同等の温度依存性を持たせることにより、式(2)で決定される発振周波数fは温度依存性を持ちにくくなる。
【0014】
次に図3に示す動作波形を用いてこの回路の動作について説明する。初期値をトランジスタQ3がオンでトランジスタQ7がオフとする。トランジスタQ8及びトランジスタQ2のベース電圧はHレベルはVcc−2*VBE、Lレベルは電圧発生器2が働きVcc−2*VBE−Vbで与えられる。従ってトランジスタQ2及びトランジスタQ8のベース振幅はVbとなり、電圧発生器2の制限電圧となる。初期値としてトランジスタQ2のベースがHレベル、トランジスタQ8のベースがLレベルとすると、トランジスタQ2がオン状態、トランジスタQ8はオフ状態であり、容量C1のトランジスタQ8側は電圧−電流変換器1より供給された電流源により放電しており、トランジスタQ8のエミッタ電圧は減少していく。そしてトランジスタQ8のエミッタ電圧がトランジスタQ8がオンできるレベルまで下がったとき、即ちトランジスタQ8のベース電圧に対してエミッタ電圧がVBEまで下がったときトランジスタQ8はオン状態となり、コレクタから電流を引く為にトランジスタQ7がオン状態となり、トランジスタQ2のベースがLレベルになる。トランジスタQ2のベースがLレベルとなると、トランジスタQ2のエミッタ・ベース間に逆バイアスがかかるためトランジスタQ2はオフ状態となり、トランジスタQ2のコレクタに電流が流れなくなりトランジスタQ3はオフするため、トランジスタQ8ぼベース電圧はHレベルになる。トランジスタQ8のベース電圧がHレベルになると、トランジスタQ8のエミッタの電圧もコンデンサC1に充電されHレベルとなると同時に、コンデンサC1のトランジスタQ2側は同じ振幅だけ電位が引き上げられる。トランジスタQ2のベースとエミッタ間の逆バイアス電圧は電圧発生器2により決定された振幅の2倍となり、電流源による放電が開始される。そしてトランジスタQ2のエミッタ電圧が下がりトランジスタQ2がオンできるレベルまで下がったとき、トランジスタQ2はオンする。この繰り返しが発振であり、周期によって発振周波数が決定される。
【0015】
以上のように本実施の形態によれば、電圧−電流変換器の入力電圧に対して発振周波数は温度依存性を持たなくすることが可能である。
【0016】
【発明の効果】
以上のように本発明は、電圧−電流変換器の温度変動と等しい温度変動を電圧源に持たせることにより、入力電圧に対する発振周波数が温度依存性を持たなくすることができ、広い発振レンジを得ることが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における電圧制御発振器の構成図である。
【図2】本実施の形態における電圧発生器の回路図である。
【図3】本実施の形態における電圧制御発振器の動作波形である。
【図4】従来の電圧制御発振器の構成図である。
【図5】従来の電圧制御発振器の動作波形である。
【符号の説明】
1,4 電圧−電流変換器
2,5 電圧発生器
3,6 マルチバイブレータ
Claims (1)
- 入力された電圧を電流に変換する電圧−電流変換器と、
前記電圧−電流変換器における変換後の電流の温度依存性に合せた電圧を発生させるバンドギャップ回路を備えた電圧発生器と、
カレントミラー回路により構成され、前記電圧−電流変換後の電流に対してミラーされた電流を供給する第1,第2の電流源、前記電圧発生器の出力が夫々の制御端子に接続され、前記第1及び第2の電流源に一端が接続され交互にオンとなる一対のスイッチング素子、及び前記スイッチング素子と前記第1,第2の電流源との間に接続されたコンデンサ、を有するマルチバイブレータと、を具備することを特徴とする電圧制御発振器。
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JP14588498A JP3640801B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 電圧制御発振器 |
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JP14588498A Expired - Fee Related JP3640801B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 電圧制御発振器 |
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