JP3637634B2 - 位置センサ - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は位置センサに係り、詳しくは、磁気抵抗素子を用いた位置センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気抵抗素子を利用したギヤ接近方式の回転センサが、特開平３−１９５９７０号公報にて開示されている。このセンサは、図２４に示すように、基板３１に磁気抵抗素子３２が蒸着されている。この基板３１がバイアス磁石３３の着磁面３３ａに垂直に取り付けられている。この基板３１（磁気抵抗素子）が磁性体よりなるギヤ３４に対し対向配置され、バイアス磁石３３からギヤ３４に向けてバイアス磁界を発生させる。そして、ギヤ３４の回転に伴いバイアス磁界の変化（磁気ベクトルＢの向きの変化）を抵抗変化として検出する。つまり、ギヤ３４における１つの歯３４ａが基板３１（磁気抵抗素子３２）の前方を通過するたびに磁気ベクトルＢの向きが変化し、それを電気信号（正弦波信号あるいは矩形波信号）として取り出すものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この回転センサにおいては回転停止時にはその回転位置を知ることはできない。つまり、ギヤ３４が回転している間は随時回転角を検出しているが、回転停止時においてはその回転位置（回転角）が不明である。
【０００４】
その結果、この回転センサを多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムにおける気筒判別センサとして用いた場合には不具合が生じる。つまり、図２５に示すように、気筒判別センサはクランクシャフトあるいはカムシャフトに設けられるものであって、このシャフトにおける所定角度に突起（歯）を有するギヤが設けられ、所定角度（所定クランク角）毎に気筒判別信号Ｇ１，２を出力するものであるが、シャフトの停止時には回転角が不明であり、エンジン始動開始後のギヤの回転開始後にギヤの歯が通過した際に初めて気筒が判別できる。従って、気筒の判別により開始される点火が遅くなり、図２５における第１気筒と第２気筒においては点火遅れが発生してしまい、この気筒内に溜まった未燃ガソリンが排出されてしまうという問題があった。尚、図２５においてエンジン始動開始直後の気筒判別信号はスタータ駆動に伴うバッテリ電圧低下による誤検出防止のために無効化（マスキング）される。
【０００５】
このように、従来の回転角センサにおいては、ギヤの回転に伴う磁気ベクトルの向きの変化を検知するという方式をとっていたがために、静止状態での回転位置を検出することができず、多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムにおける気筒判別センサとして用いた場合などにおいては、エンジン始動時の点火遅れを招いてしまうので、エンジン停止時においても気筒判別が可能なセンサが望まれている。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる位置センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、回転体に固定され、回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円形状をなす歯と、前記回転体の軸に直交する方向から前記回転体に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記回転体の軸方向において前記半円形状をなす歯の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の軸方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子とを備えた位置センサをその要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の位置センサにおいて、前記半円形状をなす歯は２枚よりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサをその要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサをその要旨とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、回転体に固定され、回転体の軸に直交する面において回転体の軸心と同心の所定の半径を有し所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円環状をなす突条と、前記回転体の軸と平行な方向から前記半円環状をなす突条に向かうバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記回転体の径方向において前記半円環状をなす突条の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の径方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子とを備えた位置センサをその要旨とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の位置センサにおいて、前記半円環状をなす突条は２つよりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサをその要旨とする。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサをその要旨とする。
【００１３】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、磁気抵抗素子が回転体の軸方向での被検出対象の設置位置とはズレた位置においてバイアス磁界中に設けられる。そして、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きが磁気抵抗素子にて検出される。この際、被検出対象が回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この被検出対象に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子にて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転体の軸と平行な方向に振れ、それが磁気抵抗素子によって検出される。よって、回転体が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。
【００１４】
特に、請求項１に記載の発明によれば、１回転３６０度のうちの半分の角度が半円形状をなす歯により検出される。請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、半円形状をなす歯が２枚あり、かつ、異なる角度に設けられていることにより、１回転３６０度のうちの半分の角度毎に磁気ベクトルの向きが変わり、それが磁気抵抗素子にて検出される。よって、半円形状をなす歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなる。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、磁気抵抗素子は、回転体の軸を含む面内において回転体の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されていることにより、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化が感度よく検出される。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、磁気抵抗素子が回転体の径方向において被検出対象の設置位置とはズレた位置でのバイアス磁界中に設けられる。そして、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きが磁気抵抗素子にて検出される。この際、被検出対象が回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この被検出対象に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子にて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転体の径方向に振れ、それが磁気抵抗素子によって検出される。よって、回転体が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。
【００１７】
特に、請求項４に記載の発明によれば、１回転３６０度のうちの半分の角度が半円環状をなす突条により検出される。請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の作用に加え、半円環状をなす突条が２つあり、かつ、異なる角度に設けられていることにより、１回転３６０度のうちの半分の角度毎に磁気ベクトルの向きが変わり、それが磁気抵抗素子にて検出される。よって、半円環状をなす突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなる。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の作用に加え、磁気抵抗素子は、回転体の軸を含む面内において回転体の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置されていることにより、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化が感度よく検出される。
【００１９】
【実施例】
（第１実施例）
以下、この発明を具体化した第１実施例を図面に従って説明する。
【００２０】
図１には回転位置センサの斜視図を示す。図２には図１のＡ方向から見た図（側面図）を示し、図３には図１のＢ方向から見た図（平面図）を示す。
回転体としての棒状の回転シャフト１には、半円形状の板材よりなる２枚の半円状歯２，３が固定されている。この２枚の半円状歯２，３は磁性材料よりなり、被検出対象となる。両半円状歯（半円形状の板材）２，３は、回転シャフト１の軸に直交する面において１８０度の回転角範囲に配置されるとともに、図３に示すように、回転シャフト１の軸方向において所定間隔（ピッチ）Ｐだけ離間して配置されている。さらに、両半円状歯（半円形状の板材）２，３は、図１でのＡ方向（軸方向）から見て重ならないように配置されている。つまり、異なる回転角範囲に設けられている。
【００２１】
一方、回転シャフト１の軸に直交する方向に離間してセンサ本体４が取り付けられている。センサ本体４は、永久磁石よりなるバイアス磁石５と、磁気抵抗素子６ａ，６ｂが配置された基板７とを備えている。バイアス磁石５は円柱形状をなし、その一面５ａがＮ極に着磁されるとともに他方の面５ｂがＳ極に着磁されている。バイアス磁石５は回転シャフト１と同じ高さに配置されるとともに、バイアス磁石５のＮ極着磁面５ａが回転シャフト１に向いている。そして、バイアス磁石５は回転シャフト１の軸に直交する方向から回転シャフト１に向けてバイアス磁界を発生する。
【００２２】
バイアス磁石５におけるＮ極着磁面５ａには、長方形の基板７の一端面が接着されている。この基板７は横にした状態で配置され、かつ、基板７と回転シャフト１とは同じ高さに配置されている。基板７の表面には、２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂが蒸着にて形成されている。図４に示すように、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは帯状をなし、直線的に延びている。磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、バイアス磁石５から発生する磁気ベクトルＢに対しそれぞれ略プラス・マイナス４５度で一対配置されている。つまり、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されている。さらに、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、図３に示すように、回転シャフト１の軸方向での２枚の半円状歯２，３の設置位置の中間位置における回転シャフト１の軸に直交する方向に配置されている。即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸方向での半円状歯２，３の設置位置とはズレた位置において回転シャフト１の軸に直交する面でのバイアス磁界中に配置されている。又、回転シャフト１の軸に直交する方向において半円状歯２，３と基板７とは所定の間隔（エアギャップ）Ｇだけ離間している。
【００２３】
ここで、バイアス磁界の磁気ベクトルは、回転シャフト１の回転に伴った半円状歯２，３の回転によって回転シャフト１の軸方向に振れるように変化するものである。つまり、本実施例のように、磁気ベクトルが振れる面に磁気抵抗素子パターンの形成面を配置した場合には、加えられるバイアス磁界の変化（磁気ベクトルの向きの変化）による抵抗変化は、特開平３−１９５９７０号公報において図３にて示されているように、磁気抵抗素子の周りの角度が１８０度の周期で正弦波状に変化する。より詳しくは、帯状の磁気抵抗素子６ａ，６ｂの延設方向（帯状の長辺の延設方向）を０度とすると、磁気ベクトルの向きが０度から９０度の方向（直角方向）に変化するにつれて、抵抗値は単調的に減少し、磁気ベクトルの向きが９０度付近で抵抗値は最小値にて飽和し、磁気ベクトルの向きが９０度から１８０度に変化するにつれて、抵抗値は単調的に上昇し、磁気ベクトルの向きが１８０度付近で最大値にて飽和する。従って、帯状の磁気抵抗素子６ａ，６ｂの延設方向に対して磁気ベクトルの向きが４５度の方向を中心に０度方向と９０度方向に変化させるときには、最大の抵抗値変化が得られる。
【００２４】
よって、図４に示されるように、磁気ベクトルの向きが半円状歯２，３によって回転シャフト１の軸に対して直交する方向（図で実線で示すベクトルＢの向き）を中心に±θの範囲で変化する位置に磁気抵抗素子６ａ，６ｂを配置し、さらに回転シャフト１の軸に対して直交する方向（図で実線で示すベクトルＢの向き）に対して４５度の方向に傾けて配置した場合には、磁気ベクトルは磁気抵抗素子６ａ，６ｂに対して４５度を中心に±θの範囲で振れるようになる。従って、感度の良いセンサを提供できる。さらに、本実施例のように、磁気抵抗素子を２つ用いて、６ａ，６ｂのように互いのなす角が９０度の場合には、抵抗変化の方向が互いに異なるため、全体として抵抗変化が大きくなり、非常に感度の高いセンサとなる。
【００２５】
ここで、図１に示す状態において回転角を次のように定義する。基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面方向）に対し上側に半円状歯３が位置し、下側に半円状歯２が位置し、かつ、両磁気抵抗素子６ａ，６ｂの中心線Ｌに対し左側の空間に半円状歯２が位置し、右側の空間に半円状歯３が位置している。この状態において、回転シャフト１の上向きの位置を基準角として回転角０度が与えられている。そして、回転シャフト１は反時計回りに回転する。
【００２６】
図５には、回転位置センサの電気的構成を示す。
２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂが直列に接続され、ブリッジ回路となっている。この直列回路の一端には電源電圧Ｖcc（５ボルト）が印加されるとともに他端は接地されている。直列回路における２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂの間の接続点ａはアンプ８を介してコンパレータ９の一方の入力端子と接続されている。コンパレータ９の他方の入力端子には比較電圧発生源１０が接続されている。そして、アンプ８にて接続点ａにおける電圧が増幅され、この増幅された電圧がコンパレータ９にて比較電圧発生源１０による比較電圧と比較されて、その大小関係によりハイ・ローレベルの信号が出力される。
【００２７】
次に、このように構成した回転位置センサの作用を説明する。
まず、基本原理を説明すると、磁気抵抗素子６ａ，６ｂにおいては磁気ベクトルＢの角度を検出できるという特性を利用するものである（特に、４５度に配置した場合にはより好ましいものとなる）。つまり、図７，８に示すように、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間にあると半円状歯２が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの左側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては左向きになる。一方、図９，１０に示すように、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間にあると半円状歯３が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの右側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては右向きになる。この磁気ベクトルＢの向きの変化を磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出する。
【００２８】
尚、図７，８には回転シャフト１が基準位置から９０度回転した状態（回転角９０度の状態）を、図９，１０には回転シャフト１が基準位置から２７０度回転した状態（回転角２７０度の状態）を示す。
【００２９】
より詳細に説明すると、図１，２，３に示す状態においては基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面方向）には両方の半円状歯２，３のいずれも接近した状態で存在する。この状態から反時計回りに回転シャフト１が回転し始めると、図７，８に示すように、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円状歯２が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては左側に振れる。すると、図４に示すように、磁気ベクトルＢは左向き、即ち、振れ角θとしてはマイナスの値をとり、図６に示すように、振れ角θに応じて磁気抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗値が変化してブリッジ回路の出力電圧（図５の接続点ａでの電圧）としては２．５ボルト以下となる。その結果、コンパレータ９の出力はローレベルとなる。このように、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間にあると半円状歯２が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの左側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては左向きになり、コンパレータ９の出力はローレベル信号となる。
【００３０】
さらに、回転シャフト１が１８０度を越えて回転すると、図９，１０に示すように、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円状歯３が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては右側に振れる。すると、図４に示すように、磁気ベクトルＢは右向き、即ち、振れ角θとしてはプラスの値をとり、図６に示すように、ブリッジ回路の出力電圧（図５の接続点ａでの電圧）としては２．５ボルト以上となる。その結果、コンパレータ９の出力はハイレベルとなる。このように、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間にあると半円状歯３が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの右側に位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては右向きになり、コンパレータ９の出力はハイレベル信号となる。
【００３１】
そして、回転シャフト１が停止（静止）した時においても、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）にはいずれかの半円状歯２，３が右側あるいは左側に接近した状態で位置し、右向きあるいは左向きの磁気ベクトルＢを磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出することができる。
【００３２】
この回転位置センサを多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムの気筒判別センサとして用いることができる。つまり、図１における回転シャフト１を多気筒ガソリンエンジンのカムシャフト（あるいはクランクシャフト）とする。そして、カムシャフト（あるいはクランクシャフト）の回転角を検出することにより、気筒の判別に用いる。
【００３３】
この場合においては、図１１に示すように、エンジン始動の際に、カムシャフト（あるいはクランクシャフト）の静止状態での気筒が検出でき、エンジン始動開始直後に点火を行わせることができることとなる。つまり、図２５を用いて説明した従来方式のセンサでは、エンジン始動開始後には第１気筒と第２気筒において点火遅れが発生するが、本実施例のセンサを用いると、エンジン始動開始直後に第１気筒と第２気筒において点火を行わせることができる。その結果、未燃ガソリンの排出を防止できる。
【００３４】
より詳しくは、４サイクルエンジンでは、吸入・圧縮・膨張・排気を行うとクランクシャフトは２回転し、カムシャフトは１回転する。従って、クランクシャフトに設けられたセンサにて気筒判別信号を得ても、その気筒が吸入・圧縮行程なのか、膨張・排気行程なのかは、判断できない。そこで、カムシャフトに設けたセンサから気筒判別信号（図２５でＧ１，Ｇ２で示す）を用いてどちらの行程なのかを判別することが可能となる。しかしながら、図２５に示される従来方式ではカムシャフトに設けたセンサにおいても、気筒判別信号（パルス信号）が得られるまでは、気筒の状態を判別することができず、エンジン始動時の未燃ガスが排出されてしまっていた。これに対し、本実施例のセンサをカムシャフトに設けることにより、エンジン始動直後に気筒判別可能となり、未燃ガスの排出を最小限に抑えることができる。
【００３５】
次に、各種の実験を行ったので、その結果を説明する。
図１２には、図３において基板７の先端面と半円状歯２，３との間隔（エアギャップ）Ｇを０ｍｍとし、半円状歯２と半円状歯３との軸方向の間隔（ピッチ）Ｐを５ｍｍとしたときのブリッジ回路の出力（図５の接続点ａでの出力）を示す。
【００３６】
又、図１３には、半円状歯間隔（ピッチ）Ｐを０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍ、１０．０ｍｍと変えた場合における基板７の先端面と半円状歯２，３との間隔（エアギャップ）Ｇに対するブリッジ回路の出力振幅（図５の接続点ａでの出力振幅）を示す。さらに、同図において磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを縦軸にとっている。この図１３から、エアギャップＧの使用領域であるＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍにおいてどの半円状歯間隔（ピッチ）Ｐとしても十分な出力振幅および磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを得ることができるが分かった。
【００３７】
ここで、エアギャップＧの使用領域をＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍとしたのは、次の理由による。センサ本体４の先端側（基板７の先端面）はキャップ材で覆われることとなり、このキャップ材の厚みを１ｍｍと考えると、エアギャップＧとして１ｍｍ以上必要となる。又、センサ本体４（バイアス磁石５および基板７）の取付け公差を１ｍｍとする。これらのことを考慮して、エアギャップＧの使用領域をＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍとした。
【００３８】
次に、センサ本体４の取付けズレによる影響を調べた。ここで、取付けズレとして、（１）図３において▲１▼にて示すように、回転シャフト１の軸方向におけるセンサ本体４の取付けズレ、（２）図２において▲２▼にて示すように、回転シャフト１の軸に直交する面での上下方向におけるセンサ本体４の取付けズレ、（３）図１において▲３▼にて示すように、センサ本体４の回転方向における取付けズレ、（４）図３において▲４▼にて示すように、センサ本体４の首振りによる取付けズレをその対象とした。
【００３９】
この実験は半円状歯間隔Ｐを０．５〜１０ｍｍとし、エアギャップＧを０〜４ｍｍとした。又、図１に示すように、直交３軸系座標として、回転シャフト１の軸方向をＸ軸とし、回転シャフト１の軸に直交する面における上下方向をＹ方向とし、残りの軸をＺ軸とした。
【００４０】
そして、取付けズレとして許容される範囲として、図１４に示すように、出力振幅をｄ、５０％振幅での電圧（中点電圧）をＶ0.5 とし、さらに、取付けズレが無いときのＶ0.5 値と取付けズレが有ったときのＶ0.5 値とのズレ量をΔＶ0.5 としたときにおいて、
０．４・ｄ＞ΔＶ0.5 ・・・（１）
を満足するか否かを調べた。
【００４１】
その結果を、図１５〜図２０に示す。図１５においては半円状歯間隔Ｐ＝０．５ｍｍ、かつ、エアギャップＰ＝１ｍｍとＰ＝２ｍｍにおける各取付けズレに対する前記（１）式を満たさない領域をハッチングにて示している。同じく、図１６においては半円状歯間隔Ｐ＝１．０ｍｍのときを、図１７においては半円状歯間隔Ｐ＝２．０ｍｍのときを、図１８においては半円状歯間隔Ｐ＝３．０ｍｍのときを、図１９においては半円状歯間隔Ｐ＝５．０ｍｍのときを、図２０においては半円状歯間隔Ｐ＝１０．０ｍｍのときを、それぞれ示す。
【００４２】
又、図１５〜２０において、本発明者が実際にセンサを使用するにあたり必要とされるであろう目標公差を記入するとともに、その目標公差がハッチングの無い領域（許容範囲内）にあるか否か判定し、その判定結果を○、△、×として示した。
【００４３】
尚、図１５〜２０においては、センサの上限作動温度（上限雰囲気温度）を１５０℃している。
これらの図からハッチングの無い領域が広い方が、取付けのズレとして許容される範囲が広く、実用性に優れていると判定することができる。その結果、半円状歯間隔Ｐは３．０〜５．０ｍｍが最適であることが分かった。
【００４４】
このように本実施例では、回転シャフト１（回転体）に固定され、回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円状歯２，３（被検出対象）と、回転シャフト１の軸に直交する方向から回転シャフト１に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石５と、回転シャフト１の軸方向での半円状歯２，３の設置位置とはズレた位置においてバイアス磁界中に設けられ、回転シャフト１の軸方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子６ａ，６ｂとを備えた。よって、半円状歯２，３が回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この半円状歯２，３に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転シャフト１の軸方向に振れ、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂによって検出される。その結果、回転シャフト１が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。このように、回転シャフト１の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。
【００４５】
又、被検出対象は半円形状をなす歯（半円状歯２，３）により構成したので、１回転３６０度のうちの半分の角度を半円状歯２，３により検出することができる。
【００４６】
さらに、半円状歯２，３は異なる角度に設けられた２枚よりなり、両歯２，３は回転シャフト１の軸方向に離間して配置し、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸方向における両歯２，３の間に向けて配置したので、歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００４７】
さらには、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、回転シャフト１の軸を含む面内において、回転シャフト１の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置したので、磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００４８】
本実施例の応用としては、上記実施例では半円状歯２，３を２つ設けたが、一つのみでもよい。つまり、例えば、図１〜図３における半円状歯２を取り外し半円状歯３のみを配置する。この場合には、磁気抵抗素子６ａ，６ｂの磁気ベクトル検出面においては、回転角が０〜１８０度の間は半円状歯が接近した状態で存在しないので、磁気ベクトルＢの向きは正面となり、回転角が１８０〜３６０度の間は半円状歯３が接近した状態で位置するので、磁気ベクトルＢの向きは右向きとなる。
（第２実施例）
次に、第２実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。
【００４９】
図２１には回転位置センサの斜視図を示す。図２２には図２１のＣ方向から見た図（正面図）を示し、図２３には図２１のＤ方向から見た図（側面図）を示す。
【００５０】
前記第１実施例では回転シャフト１の軸から直交する方向にセンサ本体４を配置していたが、本実施例では回転シャフト１の軸に平行な方向にセンサ本体４を配置している。
【００５１】
以下、詳細に説明する。
回転シャフト１にはその軸に直交する面に円板１１が固定されている。この円板１１の一面には２本の半円環状突条１２，１３が延設されている。半円環状突条１２，１３は磁性材料よりなる薄板材にて構成され、被検出対象となる。半円環状突条１２は、その半径がｒ１であり、１８０度にわたり延びている。又、半円環状突条１３は、その半径が前記半円環状突条１２の半径ｒ１よりも小さな半径ｒ２であり、１８０度にわたり延びている。半円環状突条１２，１３は回転シャフト１の軸心と同心の位置に配置され、かつ、基準位置に対し回転角が０〜１８０度までは半円環状突条１２が配置され、基準位置に対し回転角が１８０〜３６０度までは半円環状突条１３が配置されている。このように、半円環状突条１２，１３は回転シャフト１の径方向に距離Ｐ（≒ｒ１−ｒ２）だけ離間して配置されている。
【００５２】
又、回転シャフト１の軸と平行にセンサ本体４（磁気抵抗素子６ａ，６ｂ、基板７およびバイアス磁石５）が配置されている。つまり、回転シャフト１の軸と平行な方向から回転シャフト１の径方向における半円環状突条１２，１３の設置位置の中心に向かってバイアス磁界が発生するようにバイアス磁石５が配置されている。又、基板７が上下方向に延びるように設けられ（立てた状態で配置され）、基板７の表面の磁気抵抗素子６ａ，６ｂがバイアス磁界中に配置されている。この磁気抵抗素子６ａ，６ｂにより回転シャフト１の径方向の磁気ベクトルＢの向きの変化を検知することができるようになっている。
【００５３】
そして、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間は、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円環状突条１３が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては下側に振れる（図２２でＢ１で示す）。又、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間は、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円環状突条１２が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては上側に振れる（図２２でＢ２で示す）。
【００５４】
このように本実施例では、回転シャフト１（回転体）に固定され、回転シャフト１に直交する面において回転シャフト１の軸心と同心の所定の半径ｒ１，ｒ２を有し所定の回転角範囲（０〜１８０°、１８０〜３６０°）に配置された磁性材料よりなる半円環状突条１２，１３（被検出対象）と、回転シャフト１の軸と平行な方向から半円環状突条１２，１３に向かうバイアス磁界を発生するバイアス磁石５と、回転シャフト１の径方向において半円環状突条１２，１３の設置位置とはズレた位置でのバイアス磁界中に設けられ、回転シャフト１の径方向での磁気ベクトルの向きの変化を検出する磁気抵抗素子６ａ，６ｂとを備えた。よって、半円環状突条１２，１３が回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この半円環状突条１２，１３に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転シャフト１の径方向に振れ、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂによって検出される。その結果、回転シャフト１が静止状態でも、所定の回転角範囲にあることが検出される。このようにして、回転シャフト１の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。
【００５５】
又、被検出対象は半円環状をなす突条（半円環状突条１２，１３）により構成したので、１回転３６０度のうちの半分の角度を半円環状突条１２，１３により検出することができる。
【００５６】
さらに、半円環状突条１２，１３は異なる角度に設けられた２枚よりなり、両突条１２，１３は半径が異なり（ｒ１≠ｒ２）、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の径方向における両突条１２，１３の間に向けて配置したので、突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００５７】
さらには、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、回転シャフト１の軸を含む面内において、回転シャフト１の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置したので、磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００５８】
本実施例の応用としては、上記実施例では半円環状突条１２，１３を２つ設けたが、一つのみでもよい。つまり、例えば、図２１〜図２３における半円環状突条１３を取り外し半円環状突条１２のみを配置する。この場合には、磁気抵抗素子６ａ，６ｂの磁気ベクトル検出面においては、回転角が０〜１８０度の間は半円環状突条が接近した状態で存在しないので、磁気ベクトルＢの向きは正面となり、回転角が１８０〜３６０度の間は半円環状突条１２が接近した状態で位置するので、磁気ベクトルＢの向きは上向きとなる。
【００５９】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項１に記載の発明によれば、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる優れた効果を発揮する。
【００６０】
特に、請求項１に記載の発明によれば、歯により１回転３６０度のうちの半分の角度を検出することができる。請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、半円形状をなす歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００６１】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００６２】
請求項４に記載の発明によれば、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。特にこの場合、請求項４に記載の発明によれば、突条により１回転３６０度のうちの半分の角度を検出することができる。
【００６３】
請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の効果に加え、半円環状をなす突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００６４】
請求項６に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の効果に加え、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の回転位置センサの斜視図。
【図２】図１のＡ矢視図。
【図３】図１のＢ矢視図。
【図４】センサ本体の拡大図。
【図５】回転位置センサの電気的構成図。
【図６】回転位置センサの出力特性図。
【図７】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＡ矢視図。
【図８】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＢ矢視図。
【図９】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＡ矢視図。
【図１０】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＢ矢視図。
【図１１】４気筒ガソリンエンジンの点火開始時期を説明するための燃焼サイクルを示すタイミングチャート。
【図１２】第１実施例の回転位置センサの出力波形図。
【図１３】歯の間隔を変えた場合におけるエアギャップと出力振幅および磁気抵抗変化率の関係を示す特性図。
【図１４】第１実施例の回転位置センサの出力波形図。
【図１５】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１６】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１７】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１８】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１９】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図２０】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図２１】第２実施例の回転位置センサの斜視図。
【図２２】図２１のＣ矢視図。
【図２３】図２１のＤ矢視図。
【図２４】従来の回転センサを示す説明図。
【図２５】４気筒ガソリンエンジンの点火開始時期を説明するための燃焼サイクルを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
１…回転シャフト、２…半円状歯、２…半円状歯、５…バイアス磁石、６ａ…磁気抵抗素子、６ｂ…磁気抵抗素子、１２…半円環状突条、１３…半円環状突条
【産業上の利用分野】
本発明は位置センサに係り、詳しくは、磁気抵抗素子を用いた位置センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気抵抗素子を利用したギヤ接近方式の回転センサが、特開平３−１９５９７０号公報にて開示されている。このセンサは、図２４に示すように、基板３１に磁気抵抗素子３２が蒸着されている。この基板３１がバイアス磁石３３の着磁面３３ａに垂直に取り付けられている。この基板３１（磁気抵抗素子）が磁性体よりなるギヤ３４に対し対向配置され、バイアス磁石３３からギヤ３４に向けてバイアス磁界を発生させる。そして、ギヤ３４の回転に伴いバイアス磁界の変化（磁気ベクトルＢの向きの変化）を抵抗変化として検出する。つまり、ギヤ３４における１つの歯３４ａが基板３１（磁気抵抗素子３２）の前方を通過するたびに磁気ベクトルＢの向きが変化し、それを電気信号（正弦波信号あるいは矩形波信号）として取り出すものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この回転センサにおいては回転停止時にはその回転位置を知ることはできない。つまり、ギヤ３４が回転している間は随時回転角を検出しているが、回転停止時においてはその回転位置（回転角）が不明である。
【０００４】
その結果、この回転センサを多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムにおける気筒判別センサとして用いた場合には不具合が生じる。つまり、図２５に示すように、気筒判別センサはクランクシャフトあるいはカムシャフトに設けられるものであって、このシャフトにおける所定角度に突起（歯）を有するギヤが設けられ、所定角度（所定クランク角）毎に気筒判別信号Ｇ１，２を出力するものであるが、シャフトの停止時には回転角が不明であり、エンジン始動開始後のギヤの回転開始後にギヤの歯が通過した際に初めて気筒が判別できる。従って、気筒の判別により開始される点火が遅くなり、図２５における第１気筒と第２気筒においては点火遅れが発生してしまい、この気筒内に溜まった未燃ガソリンが排出されてしまうという問題があった。尚、図２５においてエンジン始動開始直後の気筒判別信号はスタータ駆動に伴うバッテリ電圧低下による誤検出防止のために無効化（マスキング）される。
【０００５】
このように、従来の回転角センサにおいては、ギヤの回転に伴う磁気ベクトルの向きの変化を検知するという方式をとっていたがために、静止状態での回転位置を検出することができず、多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムにおける気筒判別センサとして用いた場合などにおいては、エンジン始動時の点火遅れを招いてしまうので、エンジン停止時においても気筒判別が可能なセンサが望まれている。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる位置センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、回転体に固定され、回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円形状をなす歯と、前記回転体の軸に直交する方向から前記回転体に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記回転体の軸方向において前記半円形状をなす歯の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の軸方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子とを備えた位置センサをその要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の位置センサにおいて、前記半円形状をなす歯は２枚よりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサをその要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサをその要旨とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、回転体に固定され、回転体の軸に直交する面において回転体の軸心と同心の所定の半径を有し所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円環状をなす突条と、前記回転体の軸と平行な方向から前記半円環状をなす突条に向かうバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記回転体の径方向において前記半円環状をなす突条の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の径方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子とを備えた位置センサをその要旨とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の位置センサにおいて、前記半円環状をなす突条は２つよりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサをその要旨とする。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサをその要旨とする。
【００１３】
【作用】
請求項１に記載の発明によれば、磁気抵抗素子が回転体の軸方向での被検出対象の設置位置とはズレた位置においてバイアス磁界中に設けられる。そして、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きが磁気抵抗素子にて検出される。この際、被検出対象が回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この被検出対象に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子にて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転体の軸と平行な方向に振れ、それが磁気抵抗素子によって検出される。よって、回転体が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。
【００１４】
特に、請求項１に記載の発明によれば、１回転３６０度のうちの半分の角度が半円形状をなす歯により検出される。請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、半円形状をなす歯が２枚あり、かつ、異なる角度に設けられていることにより、１回転３６０度のうちの半分の角度毎に磁気ベクトルの向きが変わり、それが磁気抵抗素子にて検出される。よって、半円形状をなす歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなる。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、磁気抵抗素子は、回転体の軸を含む面内において回転体の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されていることにより、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化が感度よく検出される。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、磁気抵抗素子が回転体の径方向において被検出対象の設置位置とはズレた位置でのバイアス磁界中に設けられる。そして、バイアス磁界の磁気ベクトルの向きが磁気抵抗素子にて検出される。この際、被検出対象が回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この被検出対象に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子にて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転体の径方向に振れ、それが磁気抵抗素子によって検出される。よって、回転体が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。
【００１７】
特に、請求項４に記載の発明によれば、１回転３６０度のうちの半分の角度が半円環状をなす突条により検出される。請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の作用に加え、半円環状をなす突条が２つあり、かつ、異なる角度に設けられていることにより、１回転３６０度のうちの半分の角度毎に磁気ベクトルの向きが変わり、それが磁気抵抗素子にて検出される。よって、半円環状をなす突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなる。
【００１８】
請求項６に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の作用に加え、磁気抵抗素子は、回転体の軸を含む面内において回転体の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置されていることにより、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化が感度よく検出される。
【００１９】
【実施例】
（第１実施例）
以下、この発明を具体化した第１実施例を図面に従って説明する。
【００２０】
図１には回転位置センサの斜視図を示す。図２には図１のＡ方向から見た図（側面図）を示し、図３には図１のＢ方向から見た図（平面図）を示す。
回転体としての棒状の回転シャフト１には、半円形状の板材よりなる２枚の半円状歯２，３が固定されている。この２枚の半円状歯２，３は磁性材料よりなり、被検出対象となる。両半円状歯（半円形状の板材）２，３は、回転シャフト１の軸に直交する面において１８０度の回転角範囲に配置されるとともに、図３に示すように、回転シャフト１の軸方向において所定間隔（ピッチ）Ｐだけ離間して配置されている。さらに、両半円状歯（半円形状の板材）２，３は、図１でのＡ方向（軸方向）から見て重ならないように配置されている。つまり、異なる回転角範囲に設けられている。
【００２１】
一方、回転シャフト１の軸に直交する方向に離間してセンサ本体４が取り付けられている。センサ本体４は、永久磁石よりなるバイアス磁石５と、磁気抵抗素子６ａ，６ｂが配置された基板７とを備えている。バイアス磁石５は円柱形状をなし、その一面５ａがＮ極に着磁されるとともに他方の面５ｂがＳ極に着磁されている。バイアス磁石５は回転シャフト１と同じ高さに配置されるとともに、バイアス磁石５のＮ極着磁面５ａが回転シャフト１に向いている。そして、バイアス磁石５は回転シャフト１の軸に直交する方向から回転シャフト１に向けてバイアス磁界を発生する。
【００２２】
バイアス磁石５におけるＮ極着磁面５ａには、長方形の基板７の一端面が接着されている。この基板７は横にした状態で配置され、かつ、基板７と回転シャフト１とは同じ高さに配置されている。基板７の表面には、２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂが蒸着にて形成されている。図４に示すように、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは帯状をなし、直線的に延びている。磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、バイアス磁石５から発生する磁気ベクトルＢに対しそれぞれ略プラス・マイナス４５度で一対配置されている。つまり、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されている。さらに、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、図３に示すように、回転シャフト１の軸方向での２枚の半円状歯２，３の設置位置の中間位置における回転シャフト１の軸に直交する方向に配置されている。即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸方向での半円状歯２，３の設置位置とはズレた位置において回転シャフト１の軸に直交する面でのバイアス磁界中に配置されている。又、回転シャフト１の軸に直交する方向において半円状歯２，３と基板７とは所定の間隔（エアギャップ）Ｇだけ離間している。
【００２３】
ここで、バイアス磁界の磁気ベクトルは、回転シャフト１の回転に伴った半円状歯２，３の回転によって回転シャフト１の軸方向に振れるように変化するものである。つまり、本実施例のように、磁気ベクトルが振れる面に磁気抵抗素子パターンの形成面を配置した場合には、加えられるバイアス磁界の変化（磁気ベクトルの向きの変化）による抵抗変化は、特開平３−１９５９７０号公報において図３にて示されているように、磁気抵抗素子の周りの角度が１８０度の周期で正弦波状に変化する。より詳しくは、帯状の磁気抵抗素子６ａ，６ｂの延設方向（帯状の長辺の延設方向）を０度とすると、磁気ベクトルの向きが０度から９０度の方向（直角方向）に変化するにつれて、抵抗値は単調的に減少し、磁気ベクトルの向きが９０度付近で抵抗値は最小値にて飽和し、磁気ベクトルの向きが９０度から１８０度に変化するにつれて、抵抗値は単調的に上昇し、磁気ベクトルの向きが１８０度付近で最大値にて飽和する。従って、帯状の磁気抵抗素子６ａ，６ｂの延設方向に対して磁気ベクトルの向きが４５度の方向を中心に０度方向と９０度方向に変化させるときには、最大の抵抗値変化が得られる。
【００２４】
よって、図４に示されるように、磁気ベクトルの向きが半円状歯２，３によって回転シャフト１の軸に対して直交する方向（図で実線で示すベクトルＢの向き）を中心に±θの範囲で変化する位置に磁気抵抗素子６ａ，６ｂを配置し、さらに回転シャフト１の軸に対して直交する方向（図で実線で示すベクトルＢの向き）に対して４５度の方向に傾けて配置した場合には、磁気ベクトルは磁気抵抗素子６ａ，６ｂに対して４５度を中心に±θの範囲で振れるようになる。従って、感度の良いセンサを提供できる。さらに、本実施例のように、磁気抵抗素子を２つ用いて、６ａ，６ｂのように互いのなす角が９０度の場合には、抵抗変化の方向が互いに異なるため、全体として抵抗変化が大きくなり、非常に感度の高いセンサとなる。
【００２５】
ここで、図１に示す状態において回転角を次のように定義する。基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面方向）に対し上側に半円状歯３が位置し、下側に半円状歯２が位置し、かつ、両磁気抵抗素子６ａ，６ｂの中心線Ｌに対し左側の空間に半円状歯２が位置し、右側の空間に半円状歯３が位置している。この状態において、回転シャフト１の上向きの位置を基準角として回転角０度が与えられている。そして、回転シャフト１は反時計回りに回転する。
【００２６】
図５には、回転位置センサの電気的構成を示す。
２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂが直列に接続され、ブリッジ回路となっている。この直列回路の一端には電源電圧Ｖcc（５ボルト）が印加されるとともに他端は接地されている。直列回路における２つの磁気抵抗素子６ａ，６ｂの間の接続点ａはアンプ８を介してコンパレータ９の一方の入力端子と接続されている。コンパレータ９の他方の入力端子には比較電圧発生源１０が接続されている。そして、アンプ８にて接続点ａにおける電圧が増幅され、この増幅された電圧がコンパレータ９にて比較電圧発生源１０による比較電圧と比較されて、その大小関係によりハイ・ローレベルの信号が出力される。
【００２７】
次に、このように構成した回転位置センサの作用を説明する。
まず、基本原理を説明すると、磁気抵抗素子６ａ，６ｂにおいては磁気ベクトルＢの角度を検出できるという特性を利用するものである（特に、４５度に配置した場合にはより好ましいものとなる）。つまり、図７，８に示すように、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間にあると半円状歯２が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの左側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては左向きになる。一方、図９，１０に示すように、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間にあると半円状歯３が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの右側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては右向きになる。この磁気ベクトルＢの向きの変化を磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出する。
【００２８】
尚、図７，８には回転シャフト１が基準位置から９０度回転した状態（回転角９０度の状態）を、図９，１０には回転シャフト１が基準位置から２７０度回転した状態（回転角２７０度の状態）を示す。
【００２９】
より詳細に説明すると、図１，２，３に示す状態においては基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面方向）には両方の半円状歯２，３のいずれも接近した状態で存在する。この状態から反時計回りに回転シャフト１が回転し始めると、図７，８に示すように、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円状歯２が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては左側に振れる。すると、図４に示すように、磁気ベクトルＢは左向き、即ち、振れ角θとしてはマイナスの値をとり、図６に示すように、振れ角θに応じて磁気抵抗素子６ａ，６ｂの抵抗値が変化してブリッジ回路の出力電圧（図５の接続点ａでの電圧）としては２．５ボルト以下となる。その結果、コンパレータ９の出力はローレベルとなる。このように、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間にあると半円状歯２が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの左側に接近した状態で位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては左向きになり、コンパレータ９の出力はローレベル信号となる。
【００３０】
さらに、回転シャフト１が１８０度を越えて回転すると、図９，１０に示すように、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円状歯３が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては右側に振れる。すると、図４に示すように、磁気ベクトルＢは右向き、即ち、振れ角θとしてはプラスの値をとり、図６に示すように、ブリッジ回路の出力電圧（図５の接続点ａでの電圧）としては２．５ボルト以上となる。その結果、コンパレータ９の出力はハイレベルとなる。このように、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間にあると半円状歯３が磁気抵抗素子６ａ，６ｂの右側に位置することになり、磁気ベクトルＢの向きとしては右向きになり、コンパレータ９の出力はハイレベル信号となる。
【００３１】
そして、回転シャフト１が停止（静止）した時においても、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）にはいずれかの半円状歯２，３が右側あるいは左側に接近した状態で位置し、右向きあるいは左向きの磁気ベクトルＢを磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出することができる。
【００３２】
この回転位置センサを多気筒ガソリンエンジンの点火時期制御システムの気筒判別センサとして用いることができる。つまり、図１における回転シャフト１を多気筒ガソリンエンジンのカムシャフト（あるいはクランクシャフト）とする。そして、カムシャフト（あるいはクランクシャフト）の回転角を検出することにより、気筒の判別に用いる。
【００３３】
この場合においては、図１１に示すように、エンジン始動の際に、カムシャフト（あるいはクランクシャフト）の静止状態での気筒が検出でき、エンジン始動開始直後に点火を行わせることができることとなる。つまり、図２５を用いて説明した従来方式のセンサでは、エンジン始動開始後には第１気筒と第２気筒において点火遅れが発生するが、本実施例のセンサを用いると、エンジン始動開始直後に第１気筒と第２気筒において点火を行わせることができる。その結果、未燃ガソリンの排出を防止できる。
【００３４】
より詳しくは、４サイクルエンジンでは、吸入・圧縮・膨張・排気を行うとクランクシャフトは２回転し、カムシャフトは１回転する。従って、クランクシャフトに設けられたセンサにて気筒判別信号を得ても、その気筒が吸入・圧縮行程なのか、膨張・排気行程なのかは、判断できない。そこで、カムシャフトに設けたセンサから気筒判別信号（図２５でＧ１，Ｇ２で示す）を用いてどちらの行程なのかを判別することが可能となる。しかしながら、図２５に示される従来方式ではカムシャフトに設けたセンサにおいても、気筒判別信号（パルス信号）が得られるまでは、気筒の状態を判別することができず、エンジン始動時の未燃ガスが排出されてしまっていた。これに対し、本実施例のセンサをカムシャフトに設けることにより、エンジン始動直後に気筒判別可能となり、未燃ガスの排出を最小限に抑えることができる。
【００３５】
次に、各種の実験を行ったので、その結果を説明する。
図１２には、図３において基板７の先端面と半円状歯２，３との間隔（エアギャップ）Ｇを０ｍｍとし、半円状歯２と半円状歯３との軸方向の間隔（ピッチ）Ｐを５ｍｍとしたときのブリッジ回路の出力（図５の接続点ａでの出力）を示す。
【００３６】
又、図１３には、半円状歯間隔（ピッチ）Ｐを０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍ、１０．０ｍｍと変えた場合における基板７の先端面と半円状歯２，３との間隔（エアギャップ）Ｇに対するブリッジ回路の出力振幅（図５の接続点ａでの出力振幅）を示す。さらに、同図において磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを縦軸にとっている。この図１３から、エアギャップＧの使用領域であるＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍにおいてどの半円状歯間隔（ピッチ）Ｐとしても十分な出力振幅および磁気抵抗変化率ΔＲ／Ｒを得ることができるが分かった。
【００３７】
ここで、エアギャップＧの使用領域をＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍとしたのは、次の理由による。センサ本体４の先端側（基板７の先端面）はキャップ材で覆われることとなり、このキャップ材の厚みを１ｍｍと考えると、エアギャップＧとして１ｍｍ以上必要となる。又、センサ本体４（バイアス磁石５および基板７）の取付け公差を１ｍｍとする。これらのことを考慮して、エアギャップＧの使用領域をＧ＝１ｍｍ〜２ｍｍとした。
【００３８】
次に、センサ本体４の取付けズレによる影響を調べた。ここで、取付けズレとして、（１）図３において▲１▼にて示すように、回転シャフト１の軸方向におけるセンサ本体４の取付けズレ、（２）図２において▲２▼にて示すように、回転シャフト１の軸に直交する面での上下方向におけるセンサ本体４の取付けズレ、（３）図１において▲３▼にて示すように、センサ本体４の回転方向における取付けズレ、（４）図３において▲４▼にて示すように、センサ本体４の首振りによる取付けズレをその対象とした。
【００３９】
この実験は半円状歯間隔Ｐを０．５〜１０ｍｍとし、エアギャップＧを０〜４ｍｍとした。又、図１に示すように、直交３軸系座標として、回転シャフト１の軸方向をＸ軸とし、回転シャフト１の軸に直交する面における上下方向をＹ方向とし、残りの軸をＺ軸とした。
【００４０】
そして、取付けズレとして許容される範囲として、図１４に示すように、出力振幅をｄ、５０％振幅での電圧（中点電圧）をＶ0.5 とし、さらに、取付けズレが無いときのＶ0.5 値と取付けズレが有ったときのＶ0.5 値とのズレ量をΔＶ0.5 としたときにおいて、
０．４・ｄ＞ΔＶ0.5 ・・・（１）
を満足するか否かを調べた。
【００４１】
その結果を、図１５〜図２０に示す。図１５においては半円状歯間隔Ｐ＝０．５ｍｍ、かつ、エアギャップＰ＝１ｍｍとＰ＝２ｍｍにおける各取付けズレに対する前記（１）式を満たさない領域をハッチングにて示している。同じく、図１６においては半円状歯間隔Ｐ＝１．０ｍｍのときを、図１７においては半円状歯間隔Ｐ＝２．０ｍｍのときを、図１８においては半円状歯間隔Ｐ＝３．０ｍｍのときを、図１９においては半円状歯間隔Ｐ＝５．０ｍｍのときを、図２０においては半円状歯間隔Ｐ＝１０．０ｍｍのときを、それぞれ示す。
【００４２】
又、図１５〜２０において、本発明者が実際にセンサを使用するにあたり必要とされるであろう目標公差を記入するとともに、その目標公差がハッチングの無い領域（許容範囲内）にあるか否か判定し、その判定結果を○、△、×として示した。
【００４３】
尚、図１５〜２０においては、センサの上限作動温度（上限雰囲気温度）を１５０℃している。
これらの図からハッチングの無い領域が広い方が、取付けのズレとして許容される範囲が広く、実用性に優れていると判定することができる。その結果、半円状歯間隔Ｐは３．０〜５．０ｍｍが最適であることが分かった。
【００４４】
このように本実施例では、回転シャフト１（回転体）に固定され、回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円状歯２，３（被検出対象）と、回転シャフト１の軸に直交する方向から回転シャフト１に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石５と、回転シャフト１の軸方向での半円状歯２，３の設置位置とはズレた位置においてバイアス磁界中に設けられ、回転シャフト１の軸方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子６ａ，６ｂとを備えた。よって、半円状歯２，３が回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この半円状歯２，３に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転シャフト１の軸方向に振れ、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂによって検出される。その結果、回転シャフト１が静止状態でも所定の回転角範囲にあることが検出される。このように、回転シャフト１の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。
【００４５】
又、被検出対象は半円形状をなす歯（半円状歯２，３）により構成したので、１回転３６０度のうちの半分の角度を半円状歯２，３により検出することができる。
【００４６】
さらに、半円状歯２，３は異なる角度に設けられた２枚よりなり、両歯２，３は回転シャフト１の軸方向に離間して配置し、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の軸方向における両歯２，３の間に向けて配置したので、歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００４７】
さらには、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、回転シャフト１の軸を含む面内において、回転シャフト１の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置したので、磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００４８】
本実施例の応用としては、上記実施例では半円状歯２，３を２つ設けたが、一つのみでもよい。つまり、例えば、図１〜図３における半円状歯２を取り外し半円状歯３のみを配置する。この場合には、磁気抵抗素子６ａ，６ｂの磁気ベクトル検出面においては、回転角が０〜１８０度の間は半円状歯が接近した状態で存在しないので、磁気ベクトルＢの向きは正面となり、回転角が１８０〜３６０度の間は半円状歯３が接近した状態で位置するので、磁気ベクトルＢの向きは右向きとなる。
（第２実施例）
次に、第２実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。
【００４９】
図２１には回転位置センサの斜視図を示す。図２２には図２１のＣ方向から見た図（正面図）を示し、図２３には図２１のＤ方向から見た図（側面図）を示す。
【００５０】
前記第１実施例では回転シャフト１の軸から直交する方向にセンサ本体４を配置していたが、本実施例では回転シャフト１の軸に平行な方向にセンサ本体４を配置している。
【００５１】
以下、詳細に説明する。
回転シャフト１にはその軸に直交する面に円板１１が固定されている。この円板１１の一面には２本の半円環状突条１２，１３が延設されている。半円環状突条１２，１３は磁性材料よりなる薄板材にて構成され、被検出対象となる。半円環状突条１２は、その半径がｒ１であり、１８０度にわたり延びている。又、半円環状突条１３は、その半径が前記半円環状突条１２の半径ｒ１よりも小さな半径ｒ２であり、１８０度にわたり延びている。半円環状突条１２，１３は回転シャフト１の軸心と同心の位置に配置され、かつ、基準位置に対し回転角が０〜１８０度までは半円環状突条１２が配置され、基準位置に対し回転角が１８０〜３６０度までは半円環状突条１３が配置されている。このように、半円環状突条１２，１３は回転シャフト１の径方向に距離Ｐ（≒ｒ１−ｒ２）だけ離間して配置されている。
【００５２】
又、回転シャフト１の軸と平行にセンサ本体４（磁気抵抗素子６ａ，６ｂ、基板７およびバイアス磁石５）が配置されている。つまり、回転シャフト１の軸と平行な方向から回転シャフト１の径方向における半円環状突条１２，１３の設置位置の中心に向かってバイアス磁界が発生するようにバイアス磁石５が配置されている。又、基板７が上下方向に延びるように設けられ（立てた状態で配置され）、基板７の表面の磁気抵抗素子６ａ，６ｂがバイアス磁界中に配置されている。この磁気抵抗素子６ａ，６ｂにより回転シャフト１の径方向の磁気ベクトルＢの向きの変化を検知することができるようになっている。
【００５３】
そして、回転シャフト１の回転角が０度から１８０度の間は、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円環状突条１３が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては下側に振れる（図２２でＢ１で示す）。又、回転シャフト１の回転角が１８０度から３６０度の間は、基板７の表面にてなす面（即ち、磁気抵抗素子６ａ，６ｂによる磁気ベクトル検出面）には半円環状突条１２が接近した状態で位置し、磁気ベクトルＢの向きとしては上側に振れる（図２２でＢ２で示す）。
【００５４】
このように本実施例では、回転シャフト１（回転体）に固定され、回転シャフト１に直交する面において回転シャフト１の軸心と同心の所定の半径ｒ１，ｒ２を有し所定の回転角範囲（０〜１８０°、１８０〜３６０°）に配置された磁性材料よりなる半円環状突条１２，１３（被検出対象）と、回転シャフト１の軸と平行な方向から半円環状突条１２，１３に向かうバイアス磁界を発生するバイアス磁石５と、回転シャフト１の径方向において半円環状突条１２，１３の設置位置とはズレた位置でのバイアス磁界中に設けられ、回転シャフト１の径方向での磁気ベクトルの向きの変化を検出する磁気抵抗素子６ａ，６ｂとを備えた。よって、半円環状突条１２，１３が回転シャフト１の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置されているので、この半円環状突条１２，１３に磁気ベクトルが向くと、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂにて検出される。つまり、回転角によって磁気ベクトルが回転シャフト１の径方向に振れ、それが磁気抵抗素子６ａ，６ｂによって検出される。その結果、回転シャフト１が静止状態でも、所定の回転角範囲にあることが検出される。このようにして、回転シャフト１の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。
【００５５】
又、被検出対象は半円環状をなす突条（半円環状突条１２，１３）により構成したので、１回転３６０度のうちの半分の角度を半円環状突条１２，１３により検出することができる。
【００５６】
さらに、半円環状突条１２，１３は異なる角度に設けられた２枚よりなり、両突条１２，１３は半径が異なり（ｒ１≠ｒ２）、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは回転シャフト１の径方向における両突条１２，１３の間に向けて配置したので、突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００５７】
さらには、磁気抵抗素子６ａ，６ｂは、回転シャフト１の軸を含む面内において、回転シャフト１の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置したので、磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００５８】
本実施例の応用としては、上記実施例では半円環状突条１２，１３を２つ設けたが、一つのみでもよい。つまり、例えば、図２１〜図２３における半円環状突条１３を取り外し半円環状突条１２のみを配置する。この場合には、磁気抵抗素子６ａ，６ｂの磁気ベクトル検出面においては、回転角が０〜１８０度の間は半円環状突条が接近した状態で存在しないので、磁気ベクトルＢの向きは正面となり、回転角が１８０〜３６０度の間は半円環状突条１２が接近した状態で位置するので、磁気ベクトルＢの向きは上向きとなる。
【００５９】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項１に記載の発明によれば、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる優れた効果を発揮する。
【００６０】
特に、請求項１に記載の発明によれば、歯により１回転３６０度のうちの半分の角度を検出することができる。請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、半円形状をなす歯が１枚のみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００６１】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【００６２】
請求項４に記載の発明によれば、回転体の静止状態においても回転位置を容易に検出することができる。特にこの場合、請求項４に記載の発明によれば、突条により１回転３６０度のうちの半分の角度を検出することができる。
【００６３】
請求項５に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の効果に加え、半円環状をなす突条が１つのみの場合よりも磁気ベクトルの振れ角が大きくなり、検出精度を上げることができる。
【００６４】
請求項６に記載の発明によれば、請求項４に記載の発明の効果に加え、回転体の回転に伴った被検出対象の回転による磁気ベクトルの向きの変化を感度よく検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の回転位置センサの斜視図。
【図２】図１のＡ矢視図。
【図３】図１のＢ矢視図。
【図４】センサ本体の拡大図。
【図５】回転位置センサの電気的構成図。
【図６】回転位置センサの出力特性図。
【図７】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＡ矢視図。
【図８】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＢ矢視図。
【図９】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＡ矢視図。
【図１０】第１実施例の回転位置センサの作用を説明するための図１のＢ矢視図。
【図１１】４気筒ガソリンエンジンの点火開始時期を説明するための燃焼サイクルを示すタイミングチャート。
【図１２】第１実施例の回転位置センサの出力波形図。
【図１３】歯の間隔を変えた場合におけるエアギャップと出力振幅および磁気抵抗変化率の関係を示す特性図。
【図１４】第１実施例の回転位置センサの出力波形図。
【図１５】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１６】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１７】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１８】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図１９】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図２０】取付けズレの実験結果を説明するための説明図。
【図２１】第２実施例の回転位置センサの斜視図。
【図２２】図２１のＣ矢視図。
【図２３】図２１のＤ矢視図。
【図２４】従来の回転センサを示す説明図。
【図２５】４気筒ガソリンエンジンの点火開始時期を説明するための燃焼サイクルを示すタイミングチャート。
【符号の説明】
１…回転シャフト、２…半円状歯、２…半円状歯、５…バイアス磁石、６ａ…磁気抵抗素子、６ｂ…磁気抵抗素子、１２…半円環状突条、１３…半円環状突条
Claims (10)
- 回転体に固定され、回転体の軸に直交する面における所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円形状をなす歯と、
前記回転体の軸に直交する方向から前記回転体に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体の軸方向において前記半円形状をなす歯の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の軸方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子と
を備えたことを特徴とする位置センサ。 - 請求項１に記載の位置センサにおいて、前記半円形状をなす歯は２枚よりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサ。
- 請求項１に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に直交する方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサ。
- 回転体に固定され、回転体の軸に直交する面において回転体の軸心と同心の所定の半径を有し所定の回転角範囲に配置された磁性材料よりなる半円環状をなす突条と、
前記回転体の軸と平行な方向から前記半円環状をなす突条に向かうバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、
前記回転体の径方向において前記半円環状をなす突条の設置位置とはズレた位置での前記バイアス磁界中に設けられ、前記回転体の径方向での磁気ベクトルの向きを検出する磁気抵抗素子と
を備えたことを特徴とする位置センサ。 - 請求項４に記載の位置センサにおいて、前記半円環状をなす突条は２つよりなり、かつ、異なる角度に設けられている位置センサ。
- 請求項４に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、前記回転体の軸を含む面内において、前記回転体の軸に平行な方向に対し略４５度傾けて配置されている位置センサ。
- 請求項２に記載の位置センサにおいて、前記２枚の半円形状をなす歯は、前記回転体の軸方向において所定間隔だけ離間して配置されている位置センサ。
- 請求項７に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、これら半円形状をなす歯の設置位置の中間位置における前記回転体の軸に直交する方向に配置されている位置センサ。
- 請求項５に記載の位置センサにおいて、前記２つの半円環状をなす突条は、それぞれ異なる半径を有している位置センサ。
- 請求項９に記載の位置センサにおいて、前記磁気抵抗素子は、これら半円環状をなす突条の設置位置の中間位置における前記回転体の軸に平行な方向に配置されている位置センサ。
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