JP3636213B2 - 電気的に変調可能な熱放射源およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は電気的に変調可能な熱放射源に関する。
【0002】
本発明は、また、その製造方法に関する。
【0003】
【従来の技術および発明が解決しようとする問題点】
赤外線放射源は、光学的分析法でIR放射源として、また、その他種々の利用分野で熱源として使用される。光学的分析法の分野では、“グローバー”放射源や、白熱電球および厚膜放射体のような種々のタイプのIR放射源が使用されている。放射源によって発せられる放射ビームの強度は、放射源への入力電力を変化させて放射源の温度を変えることによって変調され得、あるいは、放射源の温度を可能な限り一定に保つと同時に“チョッパー”と呼ばれる機械的なビーム遮断装置を使用することによって変調され得る。
【0004】
機械的に可動なチョッパーをビームの変調用に使用すると、放射源が故障するまでの平均時間は、通常はチョッパーの寿命によって決まり、一般的に1〜2年である。電気的に変調される放射源は、より長い耐用期間をもたらす。
【0005】
その名の示すとおり、“グローバー”は発光する棒である。棒は、通常、電流で加熱されるセラミック材料から作られる。“グローバー”装置は、その標準的なものは数ミリメートルの厚さおよび数センチメートルの長さを有しており、その熱時定数は数秒である。通常、“グローバー”は、装置に加えられる入力電力を変化させることによっては変調されない。一般的に入力電力は数ワットから百ワットの範囲にある。“グローバー”の変形は、その周りに巻回される抵抗線を有するセラミック棒である。この変形の特性は単純な“グローバー”の特性と同等である。
【0006】
白熱電球は数十ヘルツ、更には数百ヘルツまでの周波数で電気的に変調され得るが、電球のガラス球部は赤外線領域の放射線を吸収して長期間経つと黒くなり、これにより、電球から出る放射線強度は時間と共に減少する。必要な入力電力は一般的に数ワットないし数十ワットである。
【0007】
厚膜放射体は、通常、アルミナ基材の上に形成され且つ電流によって加熱される厚膜抵抗体を備えている。通常、抵抗体の寸法は0.5ミリメートルの厚さで数平方ミリメートルのオーダーである。抵抗体の熱時定数は、通常、秒のオーダーであり、所要の入力電力は数ワットである。
【0008】
後述する引用文献1,2,3に記載されているような、マイクロエレクトロニクスおよびマイクロメカニクスで使用されている在来の製造技術は、シリコンからミニアチュアサイズの電気的に変調可能な放射源を製造することを可能にする。そのような装置は、通常、約1ミクロメータの厚さおよび数百ミクロメータの長さを備えたポリシリコンの薄膜構造を有している。薄膜抵抗素子の幅は数ミクロメータから数十ミクロメータの間である。このようなシリコン白熱フィラメントの熱容量は低く、数百ヘルツまでの周波数でその変調が可能である。純粋なシリコンは、電流の導体としては劣っている。しかしながら、硼素または燐のような適当なドーパントでそれをドーピングすることにより、良好な導電性を得ることができる。ドーパントとしての硼素は、その活性化レベルが、安定せず、シリコン白熱フィラメントの初期の動作温度に影響されるということにより、ハンディキャップを背負わされている。これは、活性化レベルが更に新たな平衡状態を連続的に探し求めるということを引き起こし、そして、このことは、フィラメントの抵抗が時間の経過と共にドリフトし、入力電力が外部的に安定化されない限り、入力電力もドリフトするということを意味する。ドーパントとしての硼素を使用したシリコンにおける最高の可能な不純物濃度は約5×1019原子/cm3 である。他の一般的に使用されるドーパントは砒素とアンチモンである。ドーパントとしてのこれらの元素に遭遇する問題点は、低電圧で使用する場合でも十分に高い導電性を達成するための、適切な高い不純物濃度を得ることが困難であるということである。
【0009】
引用文献1(H. Guckel および D. W. Burns,“Integrated transducers based on black-body radiation from heated polysilicon films(加熱ポリシリコン膜からの黒体放射による集積変換器)” Transducers '85, 364-366 (1985年6月11〜14日))に記載されている白熱フィラメントは、燐でドーピングすることによって作られ、50Ω/平方超の面積抵抗率を得ることができる。白熱フィラメントは100μmの長さ、20μmの幅であり、基材から1.2μm上にある。そのような構造では基材との空隙による放射強度損失が非常に大きく、また、フィラメントは加熱中にたわむので、フィラメントが基材に付着するという大きな危険性がある。
【0010】
引用文献2(Carlos H. Mastrangelo, James Hsi-Jen Yeh および Richard S.Muller:“Electrical and optical characteristics of vacuum sealed polysilicon microlamps(真空密封されたポリシリコンマイクロランプの電気的および光学的特性)” IEEE Transactions on Electron Device, 39, 6, 1363-1375 (1992年6月))に記載されている白熱フィラメントは、薄膜の窓を備えたカプセルであって、断線を防ぐために白熱フィラメントを真空下に置くものの中に収容されている。そのような窓は数十ミクロンメートルよりも幅広くはなり得ず、このため、フィラメントの全表面積、従って、その放射出力は小さいままである。フィラメントの付着を避けるために、基材にはV字形の溝がエッチングされている。
【0011】
引用文献3(M. Parameswaran, A. M. Robinson, D. L. Blackburn, M. Gaitan および J. Geist, “Micromachined thermal radiation emitter from a commercial CMOS process(市販のCMOSプロセスから微小加工された熱放射エミッター)”, IEEE Electron Device Lett., 12, 2, 57-59 (1991年))に記載されているIRエミッターは100μm×100μmの寸法を持ち、加熱素子として、2つの“蛇行状”のポリシリコン抵抗体を用いている。そのような構造は加熱中に歪む傾向があり、この設計では大面積の放射素子を製造することはできない。加熱素子は連続しているが、加熱素子の寸法がその周りの開口部に比べて小さいので、基材のエッチング工程の間に発生する気泡は、問題を引き起こさない。しかしながら、この構造の温度分布パターンは、引用文献3の図2から明らかなように、特には優れていない。
【0012】
ドーピングされたポリシリコンから作られる白熱フィラメントは、特性温度を有しており、この特性温度を超えるとフィラメント抵抗の温度係数が負になる、即ち、温度上昇と共にフィラメントに更に多くの電流が流れるようになる。従って、そのような素子は、電圧によってではなく、電流によって制御され得る。電流は最低の抵抗値即ち最高温度を有するフィラメントに集中する傾向があるので、そのようなフィラメントを、放射源の表面を増加させるべく、並列に直接接続することはできない。他方、直列接続では単一のフィラメント電圧の何倍もの電圧に入力電圧を高める必要がある。硼素ドーピングでは満足できる高い特性温度が得られない。何故ならば、硼素の高い不純物濃度では特性温度が約600℃にしか到達しないからである。もし、フィラメントの動作温度がこれよりも高ければ、フィラメントの抵抗値は時間と共に変動する傾向を示す。
【0013】
本発明の目的は上述した従来技術の欠点を克服して、全く新規な電気的に変調可能な熱放射源およびその製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、多結晶シリコンから作られる放射源の白熱フィラメントを燐で多量にドーピングして、白熱フィラメントの特性温度をフィラメントの動作温度よりも実質的に高くすることを基本としている。
【0015】
特に、本発明による電気的に変調可能な熱放射源は、白熱フィラメントが少なくとも5×1019原子/cm3 の不純物濃度まで燐でドーピングされていることを特徴としている。
【0016】
更に、本発明による製造方法は、少なくとも1つの白熱フィラメントへと造形されたポリシリコン層が少なくとも5×1019原子/cm3 の不純物濃度まで燐でドーピングされることを特徴としている。
【0017】
本発明は多くの利点を提供する。
【0018】
本発明は、硼素でドーピングされた白熱フィラメントよりも極めて優れた安定特性をもたらす。燐の活性化レベルは温度では変化せず、面積抵抗率は与えられた温度で一定である。従って、フィラメントの抵抗は設計温度では一定であるので、そのような白熱フィラメントは動作中は極めて安定である。燐で多量にドーピングすることの別の利点は、特性温度が動作温度(最高800℃)よりも実質的に高くなることである。そこから引き出せる結論は、フィラメントの温度係数は全動作温度範囲にわたって正のままであり、従って、フィラメントの並列接続およびそれらの電圧制御操作が可能となるということである。燐でドーピングされたフィラメントの特性温度は約900℃のオーダーになることもある。燐で多量にドーピングすることの更に別の利点は、そのフィラメントの動作電圧が、対応する面積を有する硼素でドーピングされたフィラメントの動作電圧よりも低いことである。加えて、硼素でのドーピングによって得られる自由電荷キャリヤよりも、燐での多量のドーピングで得られる高濃度自由電荷キャリヤの方が、白熱フィラメントを光学的により不透明にし、この事が本発明に関する最大の利点である。
【0019】
本発明の製造方法で使用される窒化物でのカプセル化により、放射源の耐用年数が長くなる。
【0020】
【実施例】
以下、本発明を、添付図面に示されている実施例を参照して更に詳しく説明する。
【0021】
本発明は高速で電気的に変調可能な熱放射源として光学分析に使用されることを意図している。
【0022】
本発明による実施例は、白熱フィラメントの面積抵抗率が10Ω/平方以下、通常は5Ω/平方であり、これにより、1μmの厚さの膜の抵抗率が0.001Ωcmとなるような、燐の高い不純物濃度を使用する。燐の不純物濃度は硼素ドーピングで得られるものよりも10倍も高くなり得る。本発明による面積抵抗率は、5×1019原子/cm3 を超える燐ドーピング濃度によって得られる。
【0023】
燐ドーピングおよび必要とされる異なる膜層の付着は、マイクロエレクトロニクスの在来の標準的な方法を使用して行うことができる(例えば、S. M. Sze,“VLSI technology(VLSI技術)”, McGraw-Hill Book Company, 第3刷, 1985年,第5章および第6章参照)。
【0024】
図1〜図4を参照するに、そのような放射源の構造は、複数の白熱フィラメントが電気的に並列に接続されているものとして示されている。
【0025】
図1に関し、単結晶シリコンチップ1が大きな四角形で示されている一方、白熱フィラメント3の下に形成された凹部は面取りされた四角形で示されている。図3および図4の斜めにハッチングされた箇所は後述する窒化物である。白熱フィラメント3およびその両端にある金属化パッド5は黒線で描かれている。フィラメント3は並列に接続されており、そして、入力電圧は金属化パッド5に印加される。図1および図2はフィラメント3がその全長に沿って互いに離れ離れである構造を示している。図3および図4に示されている改良された構造は、フィラメント3を機械的に相互接続する窒化珪素ブリッジ6を有している。そのブリッジの開口部は、エッチング中にフィラメントの下から発生するガスを逃がし易くするために必要である。エッチング工程が、これにより改良される。遅いエッチング速度が使用されるならば、開口部は不要である。
【0026】
放射領域は、例えば1mm2 であってよい。白熱フィラメント3はその端だけが支持されていて全長は空気中に浮いている。フィラメント3の下のシリコンチップ1は少なくとも10μm、通常100μmの深さにエッチングされる。フィラメント3の端は各々の両端に置かれた金属化パッド5によって並列に接続されている。フィラメント3の寸法は、例えば1μmの厚さ×20μmの幅×1mmの長さで、しかもフィラメント間の隙間は5μmであってよい。フィラメント3はそれらを流れる電流によって加熱される。所要の入力電圧は数ボルトである。
【0027】
本発明により、燐で多量にドーピングされたポリシリコン白熱フィラメント3は窒化珪素で完全にカプセル化されており、これにより、窒化物の酸化速度がフィラメント3の耐用年数を決定する。放射源が通常の室内大気中で800℃より低い温度で使用されると、耐用年数は10年を超える。必要な出力窓を備えた特別の真空状態は、不要である。
【0028】
本技術による、硼素での多量のドーピングが用いられるならば、白熱フィラメントのアンダーエッチングはフィラメントを窒化することなく行うことができる。何故ならば、硼素で多量にドーピングされたシリコンはKOH水溶液でのエッチングに耐えるからである。しかしながら、燐でのドーピングが用いられるときは、フィラメント3は、フィラメントの周りに形成される、例えば窒化物の助けを借りてエッチング液から保護されなければならない。使用されるエッチング液は、水酸化テトラメチルアンモニウムであってもよく、あるいは、少量のピロカテコールが添加されたエチレンジアミン水溶液であってもよい。
【0029】
白熱フィラメント3は、その上に設けられる窓を使用することなく動作するので、フィラメント3の上に落ちる有機汚染物は、すべて焼き尽くされる。もし放射源がパルスモードで動作させられるならば、白熱フィラメントの下の空気は、急速に昇温し、溜まっている塵をすべて吹き飛ばす。従って、本発明による実施例は固有の自浄機構を備えている。
【0030】
白熱フィラメント3の横方向の温度分布は、フィラメントの配列を変えることによって調整され得る。均等な温度分布は、フィラメント幅を20μm以下にすることによってもたらされ得る。例えば窒化珪素ブリッジ6によってフィラメント3を互いに熱的に相互接続することにより、横方向の温度分布が更に改良され得る。
【0031】
放射源の使用可能な最大変調速度は、熱損失の割合に依存する。そのような損失の大部分はフィラメント3の下の空気層およびシリコン基材と接合しているフィラメント端によって生じる。全損失中の放射損失の割合は数パーセントであるから、白熱フィラメント3の温度は入力電力のほぼ1次関数である。最大変調速度はフィラメント3の下の凹部2の深さを変えることによって容易に調整され得る。凹部の適切な深さは、50〜300μmである。本明細書に記載されている構造では、約1msの熱時定数が、約1kHzまでの電気的変調を可能にしつつ、達成され得る。
【0032】
図5には、放射源の積層構造が詳細に示されている。基材31は、(100)配向の単結晶シリコンチップで形成されており、その上には通常200nmの厚さの窒化珪素層36が付着させられている。窒化珪素層36は、白熱フィラメントを導電性の基材31から隔離するために必要である。誘電性基材が使用されるときは、隔離層36は凹部領域以外では明らかに不要である。隔離層36の表面上に、燐でドーピングされた通常1μmの厚さのポリシリコン層33が付着させられている。続いて、ポリシリコン層33は、マイクロエレクトロニクス製造業で使用される写真平版およびプラズマエッチング技術によって白熱フィラメントへと造形される。次に、上部窒化珪素層32が付着させられ、これにより、ポリシリコン層33に形成された白熱フィラメントは、窒化物層内に完全にカプセル化される。入力電圧を供給する手段は金属化パッド34からなっており、この金属化パッドは例えばアルミニウムから作られる。これらのパッドは、例えばプラズマエッチングによって上部窒化珪素層32に作られた開口部を介してポリシリコン層33とオーム接触を形成する。基材31を形成している単結晶シリコンは最後にフィラメントの下からエッチングでくり抜かれ、もって、凹部35が形成される。このエッチング工程はフィラメント間に作られた開口部と最外部フィラメントの側部とで行われる。
【0033】
放射源の放射率は、白熱フィラメントを、例えばタングステンであって、凹部35のエッチングに先立って上部窒化物層32上にスパッタリングされ得るもので被覆することによって改良され得る。フィラメントは最初に空気中で加熱されるので、金属被覆物は酸化される。知られているように、酸化物は窒化されたポリシリコン膜単体よりも高いIR放射率を有する。
【0034】
図6を参照するに、燐不純物濃度に対するポリシリコンの抵抗率依存性は、単調関数である。本発明の利点は、5×1019原子/cm3 以上の不純物濃度を使用することによって達成される。有利な結果が、8×1019原子/cm3 の不純物濃度で得られる。図(細いハッチング部)によると、そのようなドーパント濃度は0.001Ωcm以下の抵抗率に対応する。
【0035】
本発明の範囲および精神から逸脱することなく、白熱フィラメントは、例えば、それらの隣接する各対が、凹部の一方の側でそれらの一方の端部を結合することによって電気的に直列に接続される一方、凹部の他方の側に2つの入力電圧供給パッドを配置することにより、対をなす状態で直列に接続され得る。
【0036】
更に、フィラメントの下の凹部は、本発明の範囲内で、基材を貫通する穴で代替され得る。
【0037】
誘電性を有する代替可能な基材は、アルミナ、サファイア、石英および石英ガラスである。
【0038】
導電性を有する代替可能な基材は、例えば金属である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による放射源の平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿う断面図である。
【図3】本発明による別の放射源の平面図である。
【図4】図3のA−A線に沿う断面図である。
【図5】本発明による放射源の積層構造を示す断面図である。
【図6】燐不純物濃度に対するポリシリコンの抵抗率依存性を示す図である。
【符号の説明】
1 シリコンチップ
2 凹部
3 白熱フィラメント
5 金属化パッド
6 窒化珪素ブリッジ
31 基材
32 上部窒化珪素層
33 ポリシリコン層
34 金属化パッド
35 凹部
36 窒化珪素層
Claims (15)
- 電気的に変調可能な熱放射源であって、
平面の基材(1)と、
基材(1)に形成されている凹部(2)または穴と、
基材(1)に装着される少なくとも1つの白熱フィラメント(3)であって、前記凹部(2)または穴と整合させられているものと、
基材(1)上で白熱フィラメント(3)の両端に形成される接触パッド(5)であって、白熱フィラメント(3)に電流を供給するものと、
を具備するものにおいて、
前記白熱フィラメント(3)が、5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされていることを特徴とする放射源。 - 基材が多結晶シリコンからなっており、且つ、5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされた白熱フィラメント(3)がポリシリコンで作られている請求項1に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)のうちの少なくとも2つが電気的に直列に接続されている請求項1または2に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)のうちの少なくとも2つが電気的に並列に接続されている請求項1に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)が、基材(1)の凹部(2)上方における、基材(1)から離隔している部分において、隣接する窒化珪素層で取り囲まれている請求項1に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)の数が2以上である場合において、個々の白熱フィラメント(3)が、互いに機械的に相互接続されている請求項4または5に記載の放射源。
- 個々の白熱フィラメント(3)が、隣接する窒化珪素ブリッジ(6)により、互いに機械的に相互接続されている請求項6に記載の放射源。
- 個々の白熱フィラメント(3)が、隣接する窒化珪素ブリッジ(6)であってその中に開口部を有するものにより、互いに機械的に相互接続されている請求項6に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)が、周囲空気に囲まれている請求項1に記載の放射源。
- 白熱フィラメント(3)が、金属酸化物層で被覆されている請求項1〜9のいずれか一項に記載の放射源。
- 凹部(2)の深さが、10μm〜300μmの範囲内にある請求項1に記載の放射源。
- 単結晶シリコンの基材(1)上に電気的に変調可能な放射源を製造する方法であって、
基材(1)上に窒化珪素層(36)を形成する工程と、
窒化珪素層(36)上に燐でドーピングされたポリシリコン層(33)を形成する工程と、
燐でドーピングされたポリシリコン層(33)を少なくとも1つの白熱フィラメント(3)へと造形する工程と、
燐でドーピングされたポリシリコン層(33)上に窒化珪素層(32)を付着させる工程と、
燐でドーピングされたポリシリコン層(33)から形成された白熱フィラメント(3)を介して電流を供給する導電性接触パッド(34)を形成する工程と、
を具備するものにおいて、
少なくとも1つの白熱フィラメントへと造形されたポリシリコン層(33)が、5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされることを特徴とする方法。 - 5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされた前記層(33)が、少なくとも2つの白熱フィラメント(3)を形成すべく造形される請求項12に記載の方法。
- 5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされた層(33)から形成され且つ窒化珪素層で被覆されている白熱フィラメントが、酸化可能な金属で被覆される請求項12に記載の方法。
- 5×1019原子/cm3〜5×10 22 原子/cm3の範囲内の不純物濃度まで燐でドーピングされた層(33)から形成され且つ窒化珪素層で被覆されている白熱フィラメントが、タングステンで被覆される請求項14に記載の方法。
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US5955839A (en) * | 1997-03-26 | 1999-09-21 | Quantum Vision, Inc. | Incandescent microcavity lightsource having filament spaced from reflector at node of wave emitted |
US6124145A (en) * | 1998-01-23 | 2000-09-26 | Instrumentarium Corporation | Micromachined gas-filled chambers and method of microfabrication |
US6796866B2 (en) * | 1999-07-08 | 2004-09-28 | California Institute Of Technology | Silicon micromachined broad band light source |
JP4576656B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2010-11-10 | 横河電機株式会社 | 赤外線光源及び赤外線ガス分析計 |
ITTO20010341A1 (it) * | 2001-04-10 | 2002-10-10 | Fiat Ricerche | Sorgente di luce a matrice di microfilamenti. |
WO2005041246A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 赤外線放射素子およびそれを用いたガスセンサ |
CN101061752B (zh) * | 2004-09-30 | 2011-03-16 | 沃特洛电气制造公司 | 模块化的层状加热系统 |
US7846391B2 (en) * | 2006-05-22 | 2010-12-07 | Lumencor, Inc. | Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem |
WO2007139022A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源およびその製造方法 |
WO2007141826A1 (ja) | 2006-05-26 | 2007-12-13 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源 |
US7709811B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
US8410560B2 (en) * | 2010-01-21 | 2013-04-02 | Cambridge Cmos Sensors Ltd. | Electromigration reduction in micro-hotplates |
US8859303B2 (en) | 2010-01-21 | 2014-10-14 | Cambridge Cmos Sensors Ltd. | IR emitter and NDIR sensor |
US9214604B2 (en) | 2010-01-21 | 2015-12-15 | Cambridge Cmos Sensors Limited | Plasmonic IR devices |
US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
US8967811B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-03-03 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
KR102132359B1 (ko) | 2012-05-08 | 2020-07-10 | 사이오센스 비.브이. | 적외선 에미터 및 비분산 적외선 센서 |
US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
DE102015222072B4 (de) * | 2015-11-10 | 2019-03-28 | Robert Bosch Gmbh | Heizvorrichtung für MEMS-Sensor |
US10680150B2 (en) * | 2017-08-15 | 2020-06-09 | Dragan Grubisik | Electrically conductive-semitransparent solid state infrared emitter apparatus and method of use thereof |
US10320143B2 (en) * | 2017-08-15 | 2019-06-11 | Alex Kropachev | Solid state particulate metal oxide infrared emitter apparatus and method of use thereof |
US10636777B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-04-28 | Ams Sensors Uk Limited | Infra-red device |
US10883804B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-01-05 | Ams Sensors Uk Limited | Infra-red device |
US10593826B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-03-17 | Cambridge Gan Devices Limited | Infra-red devices |
US11067422B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-07-20 | Cambridge Gan Devices Limited | Thermal fluid flow sensor |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6701782A (ja) * | 1967-02-06 | 1968-08-07 | ||
US3604971A (en) * | 1969-07-30 | 1971-09-14 | Singer Co | Filament mounting structure for display device |
US3715785A (en) * | 1971-04-29 | 1973-02-13 | Ibm | Technique for fabricating integrated incandescent displays |
DE3019387C2 (de) * | 1980-05-21 | 1986-01-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Dünnschicht-Halbleiter-Gassensor mit einem in den Sensoraufbau integrierten Heizelement |
US4378489A (en) * | 1981-05-18 | 1983-03-29 | Honeywell Inc. | Miniature thin film infrared calibration source |
US4648175A (en) * | 1985-06-12 | 1987-03-10 | Ncr Corporation | Use of selectively deposited tungsten for contact formation and shunting metallization |
US4719477A (en) * | 1986-01-17 | 1988-01-12 | Hewlett-Packard Company | Integrated thermal ink jet printhead and method of manufacture |
US4724356A (en) * | 1986-10-10 | 1988-02-09 | Lockheed Missiles & Space Co., Inc. | Infrared display device |
US5285131A (en) * | 1990-12-03 | 1994-02-08 | University Of California - Berkeley | Vacuum-sealed silicon incandescent light |
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