FI110727B - Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde - Google Patents
Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde Download PDFInfo
- Publication number
- FI110727B FI110727B FI943037A FI943037A FI110727B FI 110727 B FI110727 B FI 110727B FI 943037 A FI943037 A FI 943037A FI 943037 A FI943037 A FI 943037A FI 110727 B FI110727 B FI 110727B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- radiation source
- source according
- filament
- filaments
- substrate
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-AKLPVKDBSA-N silicon-31 atom Chemical compound [31Si] XUIMIQQOPSSXEZ-AKLPVKDBSA-N 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K7/00—Lamps for purposes other than general lighting
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/52—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
- G01J5/53—Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01K—ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS
- H01K1/00—Details
- H01K1/02—Incandescent bodies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
1 110727 Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde.
5
Infrapunasäteilijöitä käytetään optisessa analyysissä infrapunasäteilylähteenä ja eräissä muissa sovelluksissa lämmön lähteinä. Edellisiä on useita tyyppejä, esim. "globar", hehkulamppuja paksukalvosäteilijä. IR-säteilijästä lähtevää säteilyä voidaan moduloida muuttamalla lähteen lämpötilaa siihen syötetyn tehon avulla tai käyttämällä mekaanista 10 säteen katkojaa, ns. chopperia ja pitämällä samalla lähteen lämpötila mahdollisimman vakiona.
Jos säteen moduloimiseen käytetään mekaanisesti liikkuvaa katkojaa, on laitteen vikaantumisväli tavallisesti katkojan mekanismin määräämä, tyypillisesti vuodesta 15 kahteen vuotta. Sähköisesti moduloidun lähteen vikaantumisväli saadaan paljon pidemmäksi.
"Globar" on nimensä mukaisesti tanko, joka hehkuu. Tanko on tavallisesti tehty keraamisesta aineesta, jota lämmitetään sähkövirran avulla. Globar on tyypillisesti 20 muutaman millimetrin paksuinen ja muutaman senttimetrin pituinen, joten sen terminen aikavakio on useita sekunteja. Globaria ei yleensä moduloida siihen syötetyn tehon avulla. Tarvittava sähköteho on tyypillisesti useista wateista sataan wattiin. Globarin johdannainen on keraaminen tanko, jonka ympärille on kierretty vastuslanka. Termisesti se on samankaltainen globarin kanssa.
25
Hehkulamppu on sähköisesti moduloitavissa kymmeniin, jopa satoihin hertseihin asti, mutta lampun lasikupu absorboi infrapuna-alueen säteilyä ja tummuu ajan mittaan, mistä seuraa, että lampun intensiteetti pienenee ajan kuluessa. Tarvittava sähköteho on tyypillisesti wateista kymmeniin watteihin.
Paksukalvosäteilijä on tyypillisesti aluminasubstraatille tehty paksukalvovastus, jota kuumennetaan sähkövirralla. Sen koko on tyypillisesti muutama neliömillimetri ja 30 2 110727 paksuus puolisen millimetriä Sen terminen aikavakio on tyypillisesti sekuntiluokkaa ja tehontarve wattejä
Mikroelektroniikan ja mikromekaniikan tunnetut valmistustekniikat tarjoavat mahdolli-5 suuden valmistaa pienikokoisia sähköisesti moduloituja valolähteitä piistä ',2,3. Nämä ovat rakenteeltaan monikiteisestä piistä tehtyjä ohutkalvoja, tyypillisesti n. mikrometrin paksuja ja satoja mikrometrejä pitkiä. Niiden leveyttä voi vaihdella mikrometreistä kymmeniin mikrometreihin. Tällaisen piihehkulangan lämpökapasiteetti on niin pieni, että modulaatiotaajuus voi olla satoja Hertsejä. Pii on puhtaana huonosti sähköä 10 johtava. Lisäämällä siihen seosaineita, esim. booria tai fosforia, saadaan sille hyvä sähkönjohtavuus. Boorin huono puoli on se, että sen ns. aktivaatiotaso riippuu siitä lämpötilasta missä piihehkulanka on aikaisemmin ollut. Tästä seuraa, että aktivaatiotaso hakeutuu aina uuteen tasapainotilaan, mikä tarkoittaa sitä, että hehkulangan vastus muuttuu ajan funktiona ja siten myös siihen syötetty teho, ellei tehonsyöttöä ole 15 erikseen vakioitu. Suurin seostus, mikä voidaan tehdä boorilla on n. 5*1019 /cm3.
Muita tunnettuja seostusaineita ovat arseeni ja antimoni. Näitä käytettäessä ongelmaksi muodostuu riittävän suurien seostuskonsentraatioiden tekeminen, jotta saataisiin matalajännitekäyttöön sopiva johtavuus.
• · * · · • · > *, t; 20 Viitteessä 1 mainittu hehkulanka on seostettu fosforilla siten, että sen neliövastus on yli 50 Ω/neliö. Hehkulanka on 100 pm pitkä ja 20 pm leveä sekä 1,2 pm irti substraatista ! Tässä rakenteessa häviöteho ilmaraon yli substraattiin on erityisen suuri ja vaarana on hehkulangan tarttuminen pohjaan langan taipuessa lämmitettäessä.
25 Sekä booriseostuksen että fosforiseostuksen ongelmana on seosaineiden siirtymä (migraatio). Tämä näkyy siten, että hehkulankaan tulee kuuma alue langan toiseen .:. päähän siihen kohtaan mistä seosaineet ovat siirtyneet pois. Seurauksena on intensiteet- tijakautuman jatkuva hidas muuttuminen, mikä näkyy pitkän ajan epästabiilisuutena.
. · · · 30 Viitteessä 2 mainittu hehkulanka on kapseloitu ohutkalvoikkunalla ja hehkulanka on ..'. ’ vakuumissa palamisen estämiseksi. Tällainen ikkuna ei voi olla muutamaa kymmentä » * % \ ’. mikrometriä leveämpi, joten hehkun kokonaispinta-ala ja siten sen säteilemä teho jäävät 3 110727 pieniksi. Substraattiin on syövytetty V-ura langan kiinnitarttumisen estämiseksi.
Viitteessä 3 mainittu IR-säteilijä on kooltaan 100 μπι kertaa 100 μπι ja siinä kaksi "meandering" polypiivastusta lämmityselementtinä. Tällainen rakenne pyrkii vääntyile-5 mään lämmitettäessä, eikä suuripinta-alaisia elementtejä voi tehdä tällä periaatteella. Vaikka lämmityselementti onkin yhtenäinen, substraatin syövytyksessä syntyvistä kaasukuplista ei tarvitse huolehtia, sillä elementin koko on pieni verrattuna sen ympärillä oleviin aukkoihin. Tässä rakenteessa lämpötilajakauma ei ole kovinkaan hyvä, kuten viitteen kuviosta 2 ilmenee.
10
Polypiistä tehtyyn seostettuun hehkulankaan liittyy karakteristinen lämpötila, jonka yläpuolella langan vastuksen lämpötilakerroin muuttuu negatiiviseksi ts. lanka pyrkii ottamaan lisää virtaa lämpötilan noustessa. Tällaista komponenttia ei voi ohjata jännitteellä vaan virralla. Tämän tyyppisiä hehkulankoja ei myöskään voi kytkeä 15 suoraan rinnan säteilylähteen pinta-alan lisäämiseksi, sillä virta pyrkii kulkemaan sen hehkulangan läpi, jonka vastus on matalin, ts. lämpötila korkein. Saijaan kytkentä puolestaan nostaa käyttöjännitteen moninkertaiseksi. Booriseostuksella ei saada ,, kovinkaan korkeita karakteristisia lämpötiloja, suurella seostuskonsentraatiolla voi » *
• M
*, . päästä n. 600 °C. Jos hehkulangan käyttölämpötila on tätä korkeampi, langan resis- t · · » * 20 tanssi muuttuu ajan funktiona.
» * · · • · · • * * • · * · Λ ,: t Viitteen mukaisessa ratkaisussa hehkulanka on tehty ohutkalvometallista. Oksidoitu-
Mil , *. ·. misen estämiseksi hehkulanka on kapseloitu vakuumiin.
» · I
25 Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä kuvatun tekniikan puutteellisuudet ja aikaansaada aivan uudentyyppinen sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde.
« i » · » « 1 * : : ’ Keksintö perustuu siihen, että hehkulankojen materiaalina käytetään metallia, esimerkik- . . ’ si wolframia, titaaniwolframia tai molybdeeniä, joka päällystetään kauttaaltaan oksidoi- 30 tumisen estävällä ohutkalvolla, esim. piinitridillä.
» · r > ,, Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle sähköisesti moduloitavalle termiselle « * 4 110727 säteilylähteelle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnus-merkkiosassa.
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.
5
Keksinnön mukaisella ratkaisulla ei tarvita vakuumikapselia hehkulankojen ympärillä. Metallihehkulangassa ei esiinny migraatioilmiötä niillä virrantiheyksillä, joilla hehku-lanka on tarkoitettu toimivaksi. Tästä seuraa se, että metallihehkulangan pitkän ajan stabiilisuus on huomattavasti parempi kuin boori- tai fosforiseostetun monikiteisen 10 piihehkulangan.
Metallihehkulangan lämpötilakerroin on positiivinen koko toiminta-alueella, jolloin hehkulankoja voidaan kytkeä rinnan ja ajaa niitä jänniteohjattuina.
15 Valmistusmenetelmässä käytetty nitridikapselointi takaa säteilylähteelle pitkän käyttöiän.
: *. Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan oheisten kuvioiden mukais- :'. · ten suoritusesimerkkien avulla :'": 20 :' ·’: Kuvio la esittää yläkuvantona yhtä keksinnön mukaista säteilylähdettä.
: · ' Kuvio Ib esittää leikkausta A - A kuvion la mukaisesta säteilylähteestä 25 Kuvio 2a esittää yläkuvantona toista keksinnön mukaista säteilylähdettä • · Kuvio 2b esittää leikkausta A - A kuvion 2a mukaisesta säteilylähteestä :: Kuvio 3 esittää kaavallisesti vaihtoehtoista keksinnön mukaista geometriaa kuvioiden ’... *30 la-2b hehkulangoille.
: | Kuvio 4 esittää halkileikattuna sivukuvantona keksinnön mukaisen säteilylähteen 5 110727 kerrosrakennetta, jossa on antiheijastuskalvo.
Kuvio S esittää haikiieikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista säteilylähdettä, jossa on integroitu optinen suodin sekä apertuuri.
5
Kuvio 6 esittää haikiieikattuna sivukuvantona keksinnön mukaista säteilylähdettä, jossa on emissiota parantava kerros.
Kuvio 7 esittää graafisesti kuvion S mukaisen säteilylähteen suodattimen spektriä.
10
Keksintö on tarkoitettu käytettäväksi optisessa analyysissä sähköisesti nopeasti moduloitavana termisenä säteilylähteenä.
Tarvittavien kalvojen kasvatus voidaan tehdä mikroelektroniikasta tunnetuilla standardi-15 prosesseilla 5.
Kuvioissa la ja Ib sekä 2a ja 2b on esitetty sellaisen säteilylähteen rakenne, jossa on : *. useita hehkulankoja kytketty sähköisesti rinnan.
;'”-20 Kuviossa la iso neliö 1 on yksikiteinen piipala, vinokulmainen neliö 2 on hehku-lankojen 3 alla oleva kuoppa ja kuvioiden 2a ja 2b vinoviivoitettu alue 6 nitridiä. Hehkulangat 3 ja niiden päissä olevat metalloinnit 5 on piirretty mustalla. Hehkulangat : 3 on kytketty rinnan ja sähkö tuodaan metallointeihin 5. Kuvioissa la ja Ib langat 3 ovat koko pituudeltaan irti toisistaan. Kuvioissa 2a ja 2b parannettu rakenne, missä 25 hehkulankojen 3 välissä on piinitridisilta 6. Sillassa olevat aukot tarvitaan siksi, että syövytyksen aikana muodostuva kaasu pääsisi helpommin pois hehkulankojen alta. Täten syövytyksen tulos paranee. Hitaasti syövytettäessä näitä aukkoja ei tarvita.
:. i. Säteilevä alue voi olla esim. 1 mm2 kokoinen. Hehkulangat 3 ovat koko pituudeltaan ’...30 ilmassa ja tuetut ainoastaan päistään. Hehkulankojen 3 alla oleva pii 1 on syövytetty pois ainakin 10 μιη:η, tyypillisesti sadan mikrometrin syvyydeltä. Hehkulankojen 3 päät • ' ·; on kytketty saman metalloinnin 5 alle. Hehkulangan 3 mitat voivat olla esim. paksuus 6 110727 1 pm, pituus 1 mm ja leveys 20 pm sekä lankojen väli 5 pm. Langat 3 kuumenevat niissä kulkevan sähkövirran vaikutuksesta. Tarvittava jännite on voltista muutamaan volttiin.
5 Keksinnön mukaan metalliset hehkulangat 3 on kapseloitu kokonaan piinitridin sisään, jonka oksidoitumisnopeus määrää hehkulangan 3 eliniän. Jos säteilylähdettä käytetään alle 800 °C lämpötilassa normaalissa huoneilmassa, sen elinaika on useita vuosia. Mitään erityistä vakuumitilaa ja siihen liittyvää ikkunaa ei tarvita.
10 Nitridoitujen hehkulankojen 3 allesyövytys voidaan tehdä KOH:n vesiliuoksessa Syövytteenä voidaan käyttää myös tetrametyyliammoniumhydroksidia tai vaihtoehtoisesti etyleenidiaminin vesiliuosta, jossa on hieman pyrokatekolia
Koska hehkulankojen 3 päällä ei ole ikkunaa, hehkulangalle 3 tuleva orgaaninen lika IS palaa pois. Jos hehkua käytetään pulssitettuna, hehkun alla oleva ilma lämpenee nopeasti ja puhaltaa mahdollisen muun pölyn pois. Keksinnön mukainen ratkaisu sisältää siten itsepuhdistusmekanismin.
;·.·. Hehkulangan 3 leveyssuuntaista lämpötilajakautumaa voidaan säätää sen geometrian ."‘20 avulla. Tasainen lämpötilajakautuma saadaan, jos langan leveys on 20 pm tai pienempi.
* ·': Leveyssuuntaista lämpötilajakaumaa voidaan edelleen parantaa kytkemällä hehkulangat • · · 3 termisesti toisiinsa esimerkiksi piinitridisillalla 6.
( I ·
Kuvion 3 mukaisesti hehkulankojen 3 pituussuuntaista lämpötilajakautumaa voidaan 25 tasoittaa kaventamalla hehkulankojen 3 päitä 7, jolloin kavennetuilla alueilla 7 kasvaa sähkövastus ja samalla syntyvä lämpöteho. Lämpötehon kasvattaminen hehkulankojen ...: päissä on tarpeen, koska hehkulakojen 3 päät 7 jäähtyvät nopeimmin lämpötehon johtuessa hehkulankojen 3 päistä 7 substraatille. Ohennettujen päiden 7 ansiosta : : : langan 3 keskiosa 8 ja päät 7 tulevat näin olemaan likimain samassa lämpötilassa ja JO säteilijän tehollinen säteilypinta-alakasvaa. Näin kavennetun langan 3 päät 7 kuumene- •’·*: vat enemän kuin kuvioiden la - 2b mukaisten tasalevyisten lankojen päät. Kavennus :*·.: voidaan tehdä kuvion mukaisesti porrastetusti tai vaihtoehtoisesti kavennus voidaan 7 110727 toteuttaa tasaisesti ilman porrastusta.
Säteilylähteen suurin modulaationopeus riippuu sen häviötehon suuruudesta. Pääasiallinen tehohäviö tapahtuu lankojen 3 alla olevan ilmakerroksen läpi ja lankojen päiden S kautta piisubstraattiin. Säteilyn osuus häviötehosta on muutama prosentti, joten hehkulangan 3 lämpötila on lähes lineaarinen siihen syötetyn tehon funktio. Modulaa-tionopeuden suurinta arvoa voi parhaiten säätää lankojen 3 alla olevan kuopan 2 syvyydellä. Kuopan 2 syvyys on sopivasti 50 - 300 pm. Tällä lähteellä päästään helposti millisekunnin termiseen aikavakioon, eli sitä voidaan moduloida sähköisesti 10 noin kilohertsiin asti.
Kuviossa 4 on esitetty säteilylähteen tarkempi kerrosrakenne. Kuvion mukaisessa ratkaisussa säteily kohdistetaan alaspäin, antiheijastuskavon 37 läpi. Alue 31 on tavallisimmin (100)- suuntainen yksikiteistä piitä oleva substraatti, jonka pinnalle on kasvatet-15 tu tyypillisesti 200 nm paksu nitridikerros 36. Nitridikerros 36 tarvitaan hehkulankojen eristämiseksi johtavasta substraatista 31 ja samalla se toimii hehkulankojen 33 alempana suojakalvona. Nitridikerroksen 36 pinnalle on kasvatettu tyypillisesti 0,5 pm:n j \ paksuinen metallikalvo 33, joka kuvioidaan hehkulangoiksi mikroelektroniikasta tunne- I * · ’, tuilla litografia- ja plasmaetsaustekniikoilla. Tämän jälkeen kasvatetaan ylempi piinitri- ; ’ *' * 20 dikalvo 32, jolloin metallikalvosta 33 muodostetut hehkulangat kapseloituvat koko- ) 11 naisuudessaan nitridikalvon sisään. Kalvo 32 on tyypillisesti 200 nm paksu. Elimet II ‘ j' sähkön syöttämiseksi muodostuvat metalloinneista 34, jotka voivat olla esim. alumiinia.
• · Nämä muodostavat ohmisen kontaktin hehkulankametalliin 33 ylempään nitridikalvoon 32 esim. plasmaetsaamalla avattujen aukkojen kautta. Substraattipii 31 on syövytetty 25 lopuksi pois hehkulangan alta, jolloin muodostuu kuoppa 35. Syövytys tapahtuu hehku-lankojen väliin ja ulommaisten viereen avattujen aukkojen kautta. Kerros 37 on ohut, ·;;; esimerkiksi piinitridistä muodostettu antiheijastuskalvo. Tämän λ/4 kerroksen paksuus •. , voi olla esimerkiksi 400 - 500 nm aina käytetyn aallonpituuden mukaan.
• i »
* » I
30 Lähteen spektriä voi suodattaa myös kuvion 5 mukaisella Fabry-Perot-tyyppisellä | \: interferenssisuotimella, joka voidaan tehdä substraattipiin 37 alapinnalle. Tällä saavute- t| taan se etu, että lähde ei säteile turhia aallonpituuksia, mikä puolestaan näkyy pareinpa- 8 110727 na signaali-ja kohinasuhteena. Interferenssisuodin muodostuu λ/4 piidioksidi kerroksista 41 ja λ/4 piikerroksista 42. Keskimmäinen kerros 41 on 7J2 kerros. Lähteen apertuurina toimii metallikerros 44, jossa on aukko 45. Metallikerroksen 44 paksuus on tyypillisesti 100 nm.
5
Em. suodattimen läpäisyspektri on esitetty kuviossa 7. Läpäisykaistan muoto on riippuvainen interferenssisuotimen peilikerrosten lukumäärästä. Mitä enemmän kerroksia on, sitä kapeampi on läpäisykaista.
10 Wolframin emissiviteetti pienenee nopeasti kolmesta mikrometristä pitempiin aallonpituuksiin mentäessä. Tätä heikkenemistä voi kompensoida päällystämällä metallikerroksen monikiteisellä piillä 39 kuvion 6 mukaan. Kuvion 6 ratkaisussa metallihehku 33 kuumentaa monikiteisen piin 39, joka näin toimii säteilijänä. Piikerroksen 39 paksuus voi tyypillisesti olla 100 nm - 1000 nm. Säteilyspektriin vaikuttavat myös interferenssit 15 metallikerroksen 33 päällä olevissa piinitridi- 32 ja polypiikerroksissa 39. Erityisesti säteily pyrkii piikittymään sellaisille aallonpituuksille, joille monikiteinen piikerros 39 ja sen päällä oleva nitridi 32 muodostavat neljäsosa-aallonpituuden optisen paksuuden. .. Säteilytehon lisäämiseksi rakenne käsittää substraatin 31 takapinnalle sijoitetun peilin
• M
·,·. 43, joka on käytännössä 50 - 100 nm paksu metallikalvo.
» I· ·« .20 » ♦ ♦ : ’, ’ Keksinnön puitteissa voi hehkulankoja kytkeä myös esimerkiksi pareittain saijaan siten, • · . j. että syvennyksen yhdellä reunalla sij aitsevat molemmat syöttöpisteet j a hehkulankaparit II·* ; Y · ovat syvennyksen vastakkaisella reunalla kytketty päistään sähköisesti toisiinsa.
25 Syvennys voi keksinnön puitteissa olla myös substraatin läpi ulottuva reikä.
,, j Vaihtoehtoisia, eristeitä olevia substraattimateriaaleja ovat mm. alumina, safiiri, kvartsi *.· ja kvartsilasi.
• I
* I
I I · y ’30 Hehkulankojen 3 päällystykseen voidaan piinitridin sijasta käyttää myös alumiiniok-; ‘,'. sidista tai piioksidista tehtyjä ohutkalvoja.
I I
\ t k
I I
9 110727 1. H. Guckel and D. W. Bums,"Integrated transducers based on black-body radiation from heated polysilicon films", Transducers '85,364-6 (June 11-14, 1985) 2. Carlos H. Mastrangelo, James Hsi-Jen Yeh, and Richard S. Muller: "Electrical and optical characteristics of vacuum sealed polysilicon S microlamps", IEEE Transactions on Electron Devices, 39, 6, 1363-75 (June 1992) 3. M. Parameswaran, A. M. Robinson, D.L. Blackburn, M. Gaitan and J. Geist, "Micromachined thermal radiation emitter from a commercial CMOS process"; IEEE Electron Device Lett.,12, 2, 57-59 (1991) 4. Semiconductor International, p. 17, November 1992 5. S.M. Sze,”VLSI Technology", McGraw-Hill Book Company, Third printing 1985, chapters 5 and 6
Claims (18)
1. Sähköisesti moduloitavissa oleva säteilylähde, joka käsittää 5 - oleellisen tasomaisen alustan (1), - alustaan (1) muodostetun syvennyksen (2) tai reiän, - ainakin yhden alustaan (1) kiinnitetyn hehkulangan (3), joka on sovitettu 10 syvennyksen (2) tai reiän kohdalle, ja - alustaan (1) hehkulangan (3) molempiin päihin muodostetut kontakti-alueet (5) sähkövirran syöttämiseksi hehkulankaan (3), 15 tunnettu siitä,että - hehkulanka (3) on metallia ja pinnoitettu ainakin alustasta (1) irti olevalta osaltaan yhtenäisellä, oksidoitumista estävällä ohutkalvolla (39).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että ohutkalvo (32, • · ." *: 36) on piinitridiä. • · · • · I* · f ..li*
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että hehkulankoja (3) • i · : ·’ on kytketty sähköisesti Saijaan kaksi tai useampia. 25
• % ’· ” 4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että hehkulankoja (3) • · •; · ’ on kytketty sähköisesti rinnakkain kaksi tai useampia.
• · » ’... * 5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että hehkulankoja (3) *:·*: 30 on kytketty sähköisesti sekä rinnan että Saijaan. * · · » »
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että kukin hehkulanka (3) on wolframia. n 110727 *
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että kukin hehkulanka (3) on titaaniwolframia.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että kukin hehkulanka (3) on molybdeeniä.
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että yksittäiset hehkulangat (3) on kytketty mekaanisesti toisiinsa. 10
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että yksittäiset hehkulangat (3) on kytketty mekaanisesti toisiinsa yhtenäisellä piinitridisillalla (6).
10 110727
11. Patenttivaatimuksen 9 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että yksittäiset 15 hehkulangat (3) on kytketty mekaanisesti toisiinsa yhtenäisellä piinitridisillalla (6), jossa on aukkoja.
12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että ’ ·.. hehkulankojen (3) alla on peilirakenne (43). 20
/ * ’: 13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että • · · • t \ ·* hehkulankojen (3) alla on antiheijastuskalvo (37). * « · » • · i · • I
· :: 14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että 25 se käsittää Fabry-Perot-interferometrin. • · • · · » · · • · I I t • I
15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että :.:, ’ se käsittää valoa läpäisemättömän kerroksen (44), johon on muodostettu apertuuri (45). * · · * I *: · * i 30
16. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että hehkulankakerroksen (3) päällä on monikiteinen piikerros (39).
17. Patenttivaatimuksen 16 mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että monikiteinen 110727 piikerros (39) ja sen päällä oleva kerros (32) ovat yhteiseltä paksuudeltaan mittausaallon-pituuden neljäsosa.
18. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen säteilylähde, tunnettu siitä, että 5 hehkulankojen (3) päät (7) on muodostettu hehkulankojen (3) keskiosia (8) kapeammiksi. • t · • 1 · • · · « · * * 1 t • · • 1 · • 1 · * · > I · » I i3 110727
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI943037A FI110727B (fi) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde |
| DE69512141T DE69512141T2 (de) | 1994-06-23 | 1995-06-21 | Elektrisch modulierbare thermische Strahlungsquelle |
| EP95304360A EP0689229B1 (en) | 1994-06-23 | 1995-06-21 | Electrically modulatable thermal radiant source |
| JP15797195A JP3745793B2 (ja) | 1994-06-23 | 1995-06-23 | 電気的に調節可能な熱放射源 |
| CN95108447A CN1066855C (zh) | 1994-06-23 | 1995-06-23 | 电调制热辐射源装置 |
| US08/494,636 US5644676A (en) | 1994-06-23 | 1995-06-23 | Thermal radiant source with filament encapsulated in protective film |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI943037A FI110727B (fi) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde |
| FI943037 | 1994-06-23 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI943037A0 FI943037A0 (fi) | 1994-06-23 |
| FI943037L FI943037L (fi) | 1995-12-24 |
| FI110727B true FI110727B (fi) | 2003-03-14 |
Family
ID=8540991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI943037A FI110727B (fi) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5644676A (fi) |
| EP (1) | EP0689229B1 (fi) |
| JP (1) | JP3745793B2 (fi) |
| CN (1) | CN1066855C (fi) |
| DE (1) | DE69512141T2 (fi) |
| FI (1) | FI110727B (fi) |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI102696B1 (fi) * | 1995-02-22 | 1999-01-29 | Instrumentarium Oy | Kaksoissäteilylähdekokoonpano ja mittausanturi |
| JP3205230B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2001-09-04 | 株式会社島津製作所 | 赤外光源 |
| FI112005B (fi) * | 1995-11-24 | 2003-10-15 | Valtion Teknillinen | Sähköisesti moduloitavissa oleva terminen säteilylähde |
| GB9607862D0 (en) * | 1996-04-16 | 1996-06-19 | Smiths Industries Plc | Light-emitting assemblies |
| US5956003A (en) * | 1996-07-24 | 1999-09-21 | Hypres, Inc. | Flat panel display with array of micromachined incandescent lamps |
| FR2748810A1 (fr) * | 1996-09-30 | 1997-11-21 | Commissariat Energie Atomique | Source de rayonnement infrarouge miniaturisee |
| US6036829A (en) * | 1997-02-10 | 2000-03-14 | Denso Corporation | Oxygen sensor |
| US5955839A (en) * | 1997-03-26 | 1999-09-21 | Quantum Vision, Inc. | Incandescent microcavity lightsource having filament spaced from reflector at node of wave emitted |
| FR2768813B1 (fr) * | 1997-09-19 | 1999-10-22 | Commissariat Energie Atomique | Spectrometre photoacoustique miniaturise |
| US6124145A (en) * | 1998-01-23 | 2000-09-26 | Instrumentarium Corporation | Micromachined gas-filled chambers and method of microfabrication |
| US6689976B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Electrically isolated liquid metal micro-switches for integrally shielded microcircuits |
| ITTO20010341A1 (it) * | 2001-04-10 | 2002-10-10 | Fiat Ricerche | Sorgente di luce a matrice di microfilamenti. |
| US7078849B2 (en) * | 2001-10-31 | 2006-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal piezoelectric optical latching relay |
| US20030116552A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Stmicroelectronics Inc. | Heating element for microfluidic and micromechanical applications |
| US6660977B2 (en) * | 2002-03-12 | 2003-12-09 | Shu-Lien Chen | Electrical heating plate structure |
| US6741767B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectric optical relay |
| US20030194170A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Wong Marvin Glenn | Piezoelectric optical demultiplexing switch |
| US6750594B2 (en) | 2002-05-02 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
| US6927529B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Solid slug longitudinal piezoelectric latching relay |
| US6756551B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-06-29 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
| US20040112727A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Wong Marvin Glenn | Laser cut channel plate for a switch |
| US6774324B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and production thereof |
| US6855898B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-02-15 | Agilent Technologies, Inc. | Ceramic channel plate for a switch |
| US6743990B1 (en) | 2002-12-12 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Volume adjustment apparatus and method for use |
| US7022926B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Ultrasonically milled channel plate for a switch |
| US6787719B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and method for producing the same |
| US7019235B2 (en) | 2003-01-13 | 2006-03-28 | Agilent Technologies, Inc. | Photoimaged channel plate for a switch |
| US6809277B2 (en) * | 2003-01-22 | 2004-10-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for registering a deposited material with channel plate channels, and switch produced using same |
| US6747222B1 (en) | 2003-02-04 | 2004-06-08 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in a nonphotoimagable material and switch incorporating same |
| US6825429B2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-30 | Agilent Technologies, Inc. | Hermetic seal and controlled impedance RF connections for a liquid metal micro switch |
| US6730866B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-04 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay array |
| US7071432B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Reduction of oxides in a fluid-based switch |
| US6794591B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-21 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches |
| US6906271B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-14 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switch |
| US6879089B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode optical latching relay |
| US6903287B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal optical relay |
| US6818844B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-16 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
| US6956990B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Reflecting wedge optical wavelength multiplexer/demultiplexer |
| US6882088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-19 | Agilent Technologies, Inc. | Bending-mode latching relay |
| US6768068B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-27 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
| US6803842B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode solid slug optical latching relay |
| US6891315B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Shear mode liquid metal switch |
| US7070908B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in thick-film inks |
| US6838959B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-04 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching relay |
| US6762378B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-13 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal, latching relay with face contact |
| US6900578B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-31 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency latching relay with bending switch bar |
| US6903492B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Wetting finger latching piezoelectric relay |
| US7012354B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-03-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
| US6765161B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug caterpillar piezoelectric latching reflective optical relay |
| US6885133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-26 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency bending-mode latching relay |
| US7048519B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-05-23 | Agilent Technologies, Inc. | Closed-loop piezoelectric pump |
| US6925223B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated optical latching relay |
| US6924443B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
| US6946775B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted longitudinal piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
| US6841746B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-11 | Agilent Technologies, Inc. | Bent switching fluid cavity |
| US6876131B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay with face contact |
| US6946776B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for maintaining a liquid metal switch in a ready-to-switch condition |
| US6879088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay array |
| US6888977B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-03 | Agilent Technologies, Inc. | Polymeric liquid metal optical switch |
| US6870111B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Bending mode liquid metal switch |
| US6816641B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric optical relay |
| US6961487B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-11-01 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
| US6831532B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-12-14 | Agilent Technologies, Inc. | Push-mode latching relay |
| US6891116B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Substrate with liquid electrode |
| US6894237B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | Formation of signal paths to increase maximum signal-carrying frequency of a fluid-based switch |
| US6774325B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
| US6876132B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric relay |
| US6740829B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay |
| US6920259B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching optical relay |
| US6903490B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode optical latching relay |
| US6770827B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc. | Electrical isolation of fluid-based switches |
| US6798937B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-28 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated solid slug optical latching relay |
| US6894424B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency push-mode latching relay |
| US6876130B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode latching relay |
| US6876133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Latching relay with switch bar |
| US6903493B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Inserting-finger liquid metal relay |
| US20040201447A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-14 | Wong Marvin Glenn | Thin-film resistor device |
| US6750413B1 (en) | 2003-04-25 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using patterned thick film dielectric as channels and a thin ceramic or glass cover plate |
| US6777630B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using as channels and heater cavities matching patterned thick film dielectric layers on opposing thin ceramic plates |
| US6759610B1 (en) | 2003-06-05 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Multi-layer assembly of stacked LIMMS devices with liquid metal vias |
| US6833520B1 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-21 | Agilent Technologies, Inc. | Suspended thin-film resistor |
| US6759611B1 (en) | 2003-06-16 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches and methods for producing the same |
| US6781074B1 (en) | 2003-07-30 | 2004-08-24 | Agilent Technologies, Inc. | Preventing corrosion degradation in a fluid-based switch |
| US6787720B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Gettering agent and method to prevent corrosion in a fluid switch |
| JP4534620B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 赤外線放射素子 |
| US20060006787A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | David Champion | Electronic device having a plurality of conductive beams |
| JP4534645B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 赤外線放射素子 |
| DE102004046705A1 (de) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanisch hergestellter Infrarotstrahler |
| US7846391B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-12-07 | Lumencor, Inc. | Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem |
| FI20070486A7 (fi) * | 2007-01-03 | 2008-07-04 | Kone Corp | Hissin turvajärjestely |
| FI125141B (fi) * | 2007-01-03 | 2015-06-15 | Kone Corp | Hissin turvalaite |
| US7709811B2 (en) * | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
| US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
| US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
| US8975604B2 (en) * | 2009-09-18 | 2015-03-10 | Thermo Electron Scientific Instruments Llc | Emissivity enhanced mid IR source |
| US8410560B2 (en) * | 2010-01-21 | 2013-04-02 | Cambridge Cmos Sensors Ltd. | Electromigration reduction in micro-hotplates |
| US9214604B2 (en) | 2010-01-21 | 2015-12-15 | Cambridge Cmos Sensors Limited | Plasmonic IR devices |
| US8859303B2 (en) | 2010-01-21 | 2014-10-14 | Cambridge Cmos Sensors Ltd. | IR emitter and NDIR sensor |
| US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
| JP5639528B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2014-12-10 | パナソニック株式会社 | 赤外線放射素子、赤外線光源 |
| US9642515B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-05-09 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
| EP2848087B1 (en) | 2012-05-08 | 2017-11-15 | AMS Sensors UK Limited | Ir emitter and ndir sensor |
| US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
| DE102013218840A1 (de) * | 2013-09-19 | 2015-03-19 | Robert Bosch Gmbh | Mikroheizplattenvorrichtung und Sensor mit einer Mikroheizplattenvorrichtung |
| US9801415B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-10-31 | POSIFA Microsytems, Inc. | MEMS vaporizer |
| EP2975386B1 (en) * | 2014-07-14 | 2020-09-02 | Sensirion AG | Heater structure for a sensor device |
| US9793478B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-10-17 | Si-Ware Systems | Structured silicon-based thermal emitter |
| CN105222897A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-06 | 北京环境特性研究所 | 一种定量型高温红外辐射源系统 |
| DE102015222072B4 (de) * | 2015-11-10 | 2019-03-28 | Robert Bosch Gmbh | Heizvorrichtung für MEMS-Sensor |
| US10680150B2 (en) * | 2017-08-15 | 2020-06-09 | Dragan Grubisik | Electrically conductive-semitransparent solid state infrared emitter apparatus and method of use thereof |
| US10883804B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-01-05 | Ams Sensors Uk Limited | Infra-red device |
| US10636777B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-04-28 | Ams Sensors Uk Limited | Infra-red device |
| US10593826B2 (en) | 2018-03-28 | 2020-03-17 | Cambridge Gan Devices Limited | Infra-red devices |
| US11067422B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-07-20 | Cambridge Gan Devices Limited | Thermal fluid flow sensor |
| KR20220106141A (ko) | 2019-12-03 | 2022-07-28 | 트리나미엑스 게엠베하 | 방사선 발생 장치 및 방법 |
| US12106957B2 (en) * | 2020-04-30 | 2024-10-01 | Taiwan Nano & Micro-Photonics Co., Ltd. | Narrow band infrared emitter through thermal manner |
| EP4170301B1 (en) * | 2021-10-22 | 2025-05-07 | Infineon Technologies AG | Infrared radiation source |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH638055A5 (fr) * | 1979-06-07 | 1983-08-31 | Siv Soc Italiana Vetro | Miroir chauffant, destine a constituer un element de retroviseur exterieur pour vehicule. |
| US4315968A (en) * | 1980-02-06 | 1982-02-16 | Avco Corporation | Silicon coated silicon carbide filaments and method |
| US4501144A (en) * | 1982-09-30 | 1985-02-26 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
| EP0125859B1 (en) * | 1983-05-09 | 1987-09-09 | Shaye Communications Limited | Element |
| US4682503A (en) * | 1986-05-16 | 1987-07-28 | Honeywell Inc. | Microscopic size, thermal conductivity type, air or gas absolute pressure sensor |
| US4706061A (en) * | 1986-08-28 | 1987-11-10 | Honeywell Inc. | Composition sensor with minimal non-linear thermal gradients |
| US4724356A (en) * | 1986-10-10 | 1988-02-09 | Lockheed Missiles & Space Co., Inc. | Infrared display device |
| DE3711511C1 (de) * | 1987-04-04 | 1988-06-30 | Hartmann & Braun Ag | Verfahren zur Bestimmung der Gaskonzentrationen in einem Gasgemisch und Sensor zur Messung der Waermeleitfaehigkeit |
| DE68921124T2 (de) * | 1988-08-25 | 1995-07-20 | Toshiba Lighting & Technology | Heizstreifen. |
| US5021711A (en) * | 1990-10-29 | 1991-06-04 | Gte Products Corporation | Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation |
| US5285131A (en) * | 1990-12-03 | 1994-02-08 | University Of California - Berkeley | Vacuum-sealed silicon incandescent light |
| US5408319A (en) * | 1992-09-01 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Optical wavelength demultiplexing filter for passing a selected one of a plurality of optical wavelengths |
| US5464966A (en) * | 1992-10-26 | 1995-11-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Micro-hotplate devices and methods for their fabrication |
| FI101911B (fi) * | 1993-04-07 | 1998-09-15 | Valtion Teknillinen | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde ja menetelmä sen valmist amiseksi |
-
1994
- 1994-06-23 FI FI943037A patent/FI110727B/fi active
-
1995
- 1995-06-21 EP EP95304360A patent/EP0689229B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-21 DE DE69512141T patent/DE69512141T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-23 US US08/494,636 patent/US5644676A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-23 JP JP15797195A patent/JP3745793B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-23 CN CN95108447A patent/CN1066855C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0689229A2 (en) | 1995-12-27 |
| FI943037A0 (fi) | 1994-06-23 |
| JPH0864183A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3745793B2 (ja) | 2006-02-15 |
| CN1066855C (zh) | 2001-06-06 |
| US5644676A (en) | 1997-07-01 |
| CN1121679A (zh) | 1996-05-01 |
| EP0689229A3 (en) | 1996-07-10 |
| FI943037L (fi) | 1995-12-24 |
| DE69512141T2 (de) | 2000-04-20 |
| DE69512141D1 (de) | 1999-10-21 |
| EP0689229B1 (en) | 1999-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI110727B (fi) | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde | |
| FI112005B (fi) | Sähköisesti moduloitavissa oleva terminen säteilylähde | |
| FI101911B (fi) | Sähköisesti moduloitava terminen säteilylähde ja menetelmä sen valmist amiseksi | |
| US4338281A (en) | Thin film semiconductor gas sensor having an integrated heating element | |
| US6204083B1 (en) | Process for producing infrared emitting device and infrared emitting device produced by the process | |
| WO2006007446A2 (en) | Photonic crystal emitter, detector, and sensor | |
| KR102294826B1 (ko) | 적외선 방사 소자 | |
| US10651027B2 (en) | Light-emitting device and light source apparatus | |
| RU2218631C2 (ru) | Схема, управляемая инфракрасным излучением (варианты), датчик энергии инфракрасного излучения и способ использования инфракрасного излучения на основе sic | |
| US5128514A (en) | Black radiator for use as an emitter in calibratable gas sensors | |
| JPWO1997047159A1 (ja) | 赤外線放射素子の製造方法及び同方法によって製造される赤外線放射素子 | |
| EP1679735B1 (en) | Infrared light emitting device and gas sensor using same | |
| US10674567B2 (en) | Micro-heating conductor | |
| KR101980473B1 (ko) | 기판의 열 처리를 위한 장치, 그러한 장치를 위한 캐리어 및 기판 지지 요소 | |
| US7279692B2 (en) | Micromechanical infrared source | |
| JPH0640847U (ja) | マイクロ化した赤外線分析計用赤外光源 | |
| EP4576930A1 (en) | Mems heater and mems fluid sensor | |
| CN114018959B (zh) | 透射电镜原位原子尺度电热耦合芯片及其制备方法 | |
| JPS62220850A (ja) | 雰囲気検出装置 | |
| CA2978448C (en) | Apparatus for thermal treatment of a substrate, a carrier and a substrate support element for that apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GB | Transfer or assigment of application |
Owner name: INSTRUMENTARIUM OY |