JP3632819B2 - 半導体装置の入力バッファ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に係り、特に半導体装置の入力バッファに関する。
【0002】
【従来の技術】
入力バッファは、半導体装置の外部から印加される信号をチップ内で用いられる内部信号に変換する役割を果たす。特に、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)装置で通常使用されるTTL(Transistor Transistor Logic)入力バッファは、外部から印加されるTTLレベルの入力信号を入力としてチップ内部で使用されるCMOSレベルの内部信号に変換する回路である。従って、半導体装置は、CMOSレベルに変換された内部信号により動作するので、入力バッファの出力信号である内部信号は安定した電圧レベルを維持するべきである。
【0003】
図1は、半導体装置に用いられる従来の一般のTTL入力バッファの回路図である。図1に示すように、従来のTTL入力バッファは、TTLレベルの入力信号INPUTを受取って、これを反転及びバッファリングするTTL反転バッファ11と、TTL反転バッファ11の出力信号を再び反転及びバッファリングする第1反転ドライバー13とを具備する。また、通常、入力バッファは、大きな負荷を有する出力ラインを駆動するために、第1反転ドライバー13の出力信号を再び反転及びバッファリングして内部信号OUTPUTを発生する第2反転ドライバー15をさらに具備する。参照符号P11、P12はPMOSトランジスタを示し、N11、N12及びN13はNMOSトランジスタを示す。
【0004】
前述したように、半導体装置は、入力バッファによりCMOSレベルに変換された内部信号OUTPUTにより動作するので、該入力バッファは、外部から印加されるTTLレベルの入力信号INPUTを受取って安定したCMOSレベルを維持する内部信号OUTPUTを発生させるべきである。
【0005】
特に、DRAMでは、入力バッファがTTLレベルのチップイネーブル信号を受取ってDRAMを活性化させる内部信号を発生させる。即ち、TTLレベルのチップイネーブル信号が論理”ハイ”から論理”ロー”に遷移し、内部信号OUTPUTが論理”ロー”から論理”ハイ”に遷移することにより、DRAMは活性化される。従って、DRAMでは、安定したレベルを維持する内部信号OUTPUTを発生させることがさらに重要である。ところが、図2に示すタイミング図から理解されるように、従来の入力バッファでは、半導体装置の内部で発生するノイズ、例えばDRAMの場合、ビットラインセンシングノイズやデータ出力ノイズ等の電源供給電圧(VDD)ノイズ又は接地電圧(VSS)ノイズにより、内部信号OUTPUTが歪曲することがある。このため、半導体装置が正常に動作しない恐れがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、VDDノイズ及びVSSノイズの影響の少ない入力バッファを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の入力バッファは、TTLレベルの入力信号を受取ってCMOSレベルに変換された内部信号を発生する入力バッファであって、前記TTLレベルの入力信号を反転及びバッファリングするTTL反転バッファと、前記TTL反転バッファの出力信号を反転及びバッファリングする第1反転ドライバーと、前記入力信号及び前記第1反転ドライバーの出力信号に応答して前記TTL反転バッファの出力端に電流を供給する電流供給器とを具備することを特徴とする。
【0008】
また、前記本発明の他の側面に係る入力バッファは、例えば、大きな負荷を有する出力ラインを駆動するために、前記第1反転ドライバーの出力信号を再び反転及びバッファリングして前記内部信号を発生する第2反転ドライバーをさらに具備する。
【0009】
前記電流供給器は、ソースに電源供給電圧が印加され、ゲートに前記第1反転ドライバーの出力信号が印加される第1PMOSトランジスタと、ソースに前記第1PMOSトランジスタのドレインが接続され、ゲートに前記入力信号が印加され、ドレインに前記出力端が接続された第2PMOSトランジスタとを含む。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施の形態を説明する。
【0011】
図3は、本発明の好適な実施の形態に係る入力バッファの構成を示す図である。図3に示すように、本発明の好適な実施の形態に係る入力バッファは、TTL反転バッファ21と、第1反転ドライバー23と、第2反転ドライバー25と、電流供給器27を具備する。
【0012】
TTL反転バッファ21は、半導体装置の外部からパッドに印加されるTTLレベルの入力信号INPUTを受取り、これを反転及びバッファリングする。第1反転ドライバー23は、TTL反転バッファ21の出力信号を反転及びバッファリングする。また、第2反転ドライバー25は、大きな負荷を有する出力ラインを駆動するために設けられており、第1反転ドライバー23の出力信号を再び反転及びバッファリングして内部信号OUTPUTを発生する。電流供給器27は、入力信号INPUT及び前記第1反転ドライバー23の出力信号に応答して、TTL反転バッファ21の出力端Xに電流を供給する。
【0013】
TTL反転バッファ21及び第1反転ドライバー23は、必要に応じて種々の論理回路で構成することができる。図3は、TTL反転バッファ21及び第1反転ドライバー23をインバータ型で構成した例である。
【0014】
ここで、TTL反転バッファ21は、ソースに電源供給電圧VDDが印加され、ゲートに入力信号INPUTが印加され、ドレインに出力端Xが接続されたPMOSトランジスタP21と、ドレインに出力端Xが接続され、ゲートに入力信号INPUTが印加される第1NMOSトランジスタN21と、ドレインに第1NMOSトランジスタN21のソースが接続され、ゲートに入力信号INPUTが印加され、ソースに接地電圧VSSが印加される第2NMOSトランジスタN22とを有する。
【0015】
また、第1反転ドライバー23は、ソースに電源供給電圧VDDが印加され、ゲートにTTL反転バッファ21の出力信号が印加されるPMOSトランジスタP22と、ドレインにPMOSトランジスタP22のドレインである出力端が接続され、ゲートにTTL反転バッファ21の出力信号が印加され、ソースに接地電圧VSSが印加されるNMOSトランジスタN23を有する。
【0016】
この実施の形態の特徴部である電流供給器27は、ソースに電源供給電圧VDDが印加され、ゲートに第1反転ドライバー23の出力信号が印加される第1PMOSトランジスタP23と、ソースに第1PMOSトランジスタP23のドレインが接続され、ゲートに入力信号INPUTが印加され、ドレインにTTL反転バッファ21の出力端Xが接続された第2PMOSトランジスタP24とを有する。電流供給器27は、必要に応じて他の回路で構成することができる。
【0017】
以下、図3に示す入力バッファの動作を説明する。
【0018】
入力信号INPUTが論理”ロー”の場合、電源供給電圧VDDとTTL反転バッファ21の出力端Xとの間には2つの電流パスが存在する。即ち、入力信号INPUTにより制御されるTTL反転バッファのPMOSトランジスタP21を通る第1電流パスと、第1反転ドライバー23の出力信号及び入力信号INPUTにより各々制御される電流供給器27のPMOSトランジスタP23及びP24を通る第2電流パスとが、電源供給電圧VDDとTTL反転バッファ21の出力端Xとの間に存在する。
【0019】
従って、入力信号INPUTが論理”ロー”の場合は、電流供給器27のPMOSトランジスタP23及びP24を通る第2電流パスを経て出力端Xにさらに多くの電流が供給されることにより、出力端Xがさらに強く論理”ハイ”に駆動される。これにより、半導体装置の内部で電源供給電圧VDDノイズ及び接地電圧VSSノイズが発生しても、入力バッファの出力信号である内部信号OUTPUTに現れるVDDノイズ及びVSSノイズの影響は微々たるものである。
【0020】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。
【0021】
【発明の効果】
本発明に係る入力バッファによれば、半導体装置を安定して動作させることができる。
【0022】
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の一般的なTTL入力バッファの回路図である。
【図2】VDDノイズ及びVSSノイズの発生時における図1に示す従来の入力バッファの動作を示すタイミング図である。
【図3】本発明の好適な実施の形態に係る入力バッファの回路図である。
【符号の説明】
21 TTL反転バッファ
23 第1反転ドライバー
25 第2反転ドライバー
27 電流供給器
Claims (7)
- TTLレベルの入力信号を受取ってCMOSレベルに変換された内部信号を発生する入力バッファにおいて、
前記TTLレベルの入力信号を反転及びバッファリングするTTL反転バッファと、
前記TTL反転バッファの出力信号を反転及びバッファリングする第1反転ドライバーと、
前記入力信号及び前記第1反転ドライバーの出力信号に応答して前記TTL反転バッファの出力端に電流を供給する電流供給器と、
を具備することを特徴とする半導体装置の入力バッファ。 - 前記第1反転ドライバーの出力信号を反転及びバッファリングして前記内部信号を発生する第2反転ドライバーをさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の入力バッファ。
- 前記TTL反転バッファは、
ソースに電源供給電圧が印加され、ゲートに前記入力信号が印加され、ドレインに前記出力端が接続されたPMOSトランジスタと、
ドレインに前記出力端が接続され、ゲートに前記入力信号の印加される第1NMOSトランジスタと、
ドレインに第1NMOSトランジスタのソースが接続され、ゲートに前記入力信号が印加され、ソースに接地電圧が印加される第2NMOSトランジスタと、
を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の入力バッファ。 - 前記電流供給器は、
ソースに電源供給電圧が印加され、ゲートに前記第1反転ドライバーの出力信号が印加される第1PMOSトランジスタと、
ソースに前記第1PMOSトランジスタのドレインが接続され、ゲートに前記入力信号が印加され、ドレインに前記出力端が接続される第2PMOSトランジスタと、
を具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の入力バッファ。 - パッドに印加される入力信号を受取って反転及びバッファリングする反転バッファと、
前記反転バッファの出力信号を反転させる第1反転器と、
を具備し、前記入力信号により制御される第1電流パスと、前記第1反転器の出力信号及び前記入力信号により制御される第2電流パスとが前記電源供給電圧と前記反転バッファの出力端との間に同時に存在することを特徴とする半導体装置の入力バッファ。 - 前記第1反転器の出力信号を反転及びバッファリングして内部信号を発生する第2反転器をさらに具備することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の入力バッファ。
- 前記反転バッファは、
ソースに電源供給電圧が印加され、ゲートに前記入力信号が印加され、ドレインに前記出力端が接続される第1PMOSトランジスタと、
ソースに電源供給電圧が印加され、ゲートに前記第1反転器の出力信号が印加される第2PMOSトランジスタと、
ソースに前記第2PMOSトランジスタのドレインが接続され、ゲートに前記入力信号が印加され、ドレインに前記出力端が接続された第3PMOSトランジスタと、
ドレインに前記出力端が接続され、ゲートに前記入力信号が印加される第1NMOSトランジスタと、
ドレインに前記第1NMOSトランジスタのソースが接続され、ゲートに前記入力信号が印加され、ソースに接地電圧の印加される第2NMOSトランジスタと、
を具備することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の入力バッファ。
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