JP3619793B2 - 定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 - Google Patents
定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3619793B2 JP3619793B2 JP2001236123A JP2001236123A JP3619793B2 JP 3619793 B2 JP3619793 B2 JP 3619793B2 JP 2001236123 A JP2001236123 A JP 2001236123A JP 2001236123 A JP2001236123 A JP 2001236123A JP 3619793 B2 JP3619793 B2 JP 3619793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- resistor
- voltage
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一定電流を発生する定電流発生回路、一定電圧を発生する定電圧発生回路、一定電圧および一定電流を発生する定電圧定電流発生回路およびそれを用いた増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
種々のアナログ回路に、一定の基準電流を発生する基準電流発生回路や、一定の基準電圧を発生する基準電圧発生回路が用いられている。例えば、CD(コンパクトディスク)ドライブのAPC回路(オートレーザパワーコントロール回路)やA/D変換器(アナログ/デジタル変換器)においては、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない一定の基準電圧を発生する定電圧発生回路が必要である。
【0003】
一方、演算増幅器の周波数特性はバイアス電流に大きく依存する。バイアス電流が一定であれば、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきへの依存度を小さくでき、高性能なアナログ回路を実現することが可能である。このような観点から、一定のバイアス電流を供給するために定電流発生回路が重要となる。
【0004】
ところで、昨今、上記のAPC回路、A/D変換器、演算増幅器等のアナログ回路をCMOS(相補的金属酸化物半導体)プロセスを用いてワンチップ化することが行われてきている。この場合、CMOS回路で定電圧発生回路や定電流発生回路を設計する必要がある。
【0005】
CMOS回路を用いた定電流発生回路により発生される電流は、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきにより変動する。この場合の変動量はかなり大きい。
【0006】
図8は従来の定電流発生回路の一例を示す回路図である。
図8の定電流発生回路は、pチャネルMOS電界効果トランジスタ81,82,87、nチャネルMOS電界効果トランジスタ83,84,85,86および抵抗88により構成される。
【0007】
トランジスタ81のソースは電源電圧を受ける電源端子に接続され、ドレインはノードN81に接続され、ゲートはノードN82に接続されている。トランジスタ82のソースは電源端子に接続され、ドレインおよびゲートはノードN82に接続されている。トランジスタ83のドレインはノードN81に接続され、ソースはノードN83に接続され、ゲートはノードN84に接続されている。トランジスタ84のドレインはノードN82に接続され、ソースはノードN84に接続され、ゲートはノードN81に接続されている。
【0008】
トランジスタ85のドレインはノードN83に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。トランジスタ86のドレインは抵抗88を介してノードN84に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。トランジスタ87のソースは電源端子に接続され、ゲートはノードN82に接続され、ドレインから電流ICが供給される。
【0009】
トランジスタ81,82はカレントミラー回路を構成し、トランジスタ81に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流がトランジスタ82に流れる。
【0010】
図8の定電流発生回路において、反転スタンバイ信号STBがハイレベルになると、トランジスタ85,86がオンする。それにより、電源端子からトランジスタ82,84、抵抗88およびトランジスタ86を通して接地端子に電流Irが流れる。
【0011】
また、電流Irと等しいかまたは比例関係にある電流Itが電源端子からトランジスタ81,83,85を通して接地端子に流れる。この場合、トランジスタ83のゲート・ソース間電圧により抵抗88の両端にかかる電圧が一義的に定まる。それにより、電源電圧と無関係に抵抗88の両端に一定電圧がかかる。したがって、抵抗88に流れる電流Irは電源電圧の変動に依存しない。
【0012】
この場合、次式により抵抗88に流れる電流Irが決定される。
Ir=Va/R=β・(Va−Vt)2 …(A1)
ここで、Vaは抵抗88の両端にかかる電圧、すなわちトランジスタ83のゲート・ソース間電圧、Vtはトランジスタ83のしきい値電圧、Rは抵抗88の抵抗値である。また、βは次式で表される。
【0013】
β=(1/2)・(W/L)・Cox・μ …(A2)
上式(A2)において、Wはトランジスタ83のゲート幅、Lはトランジスタ83のゲート長、Coxはトランジスタ83の単位酸化膜容量、μは電子または正孔の移動度である。
【0014】
従来は、トランジスタ83のゲート・ソース間電圧がしきい値電圧Vtとほぼ等しくなるようにバイアス電圧が設定されていた。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、図8の定電流発生回路においては、電流ICが電源電圧の変動に依存せずに一定となる。しかしながら、プロセス上のばらつきにより上式(A2)におけるβ、VtおよびRが変動し、温度変化によっても電流Irおよび電圧Vaが変動する。それにより、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない一定電流を得ることができない。
【0016】
また、CMOS回路を用いて定電圧を発生する定電圧発生回路を構成する場合、定電流発生回路により発生された定電流を抵抗負荷を用いて定電圧に変換することが一般的に行われる。図8の定電流発生回路を用いて定電圧発生回路を構成する場合、電流ICを抵抗を用いて電圧に変換する。この場合にも、電流ICが温度変化およびプロセス上のばらつきにより変動するため、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない一定電圧を得ることができない。
【0017】
本発明の目的は、電界効果トランジスタにより構成され、電源電圧の変動および温度変化に依存することなく一定電流を発生することができる定電流発生回路を提供することである。
【0018】
本発明の他の目的は、電界効果トランジスタにより構成され、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定電流を発生することができる定電流発生回路を提供することである。
【0019】
本発明のさらに他の目的は、電界効果トランジスタにより構成され、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定電圧を発生することができる定電圧発生回路を提供することである。
【0020】
本発明のさらに他の目的は、電界効果トランジスタにより構成され、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定電流および一定電圧を発生することができる定電圧定電流発生回路およびそれを用いた増幅回路を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第1の発明に係る定電流発生回路は、しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、第1の抵抗とを備え、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ第1の電界効果トランジスタに流れる電流および第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように第1の電界効果トランジスタのソースが第1の抵抗の一端に接続されかつ第1の電界効果トランジスタのゲートが第1の抵抗の他端に接続され、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定される。
【0022】
本発明に係る定電流発生回路においては、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するとともに第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まるため、第1の抵抗の両端にかかる電圧が電源電圧の変動に依存しない。また、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(V+0.4)ボルト以下の範囲内に設定されることにより、第1の抵抗の両端にかかる電圧が温度変化に依存しない。したがって、電源電圧の変動および温度変化に依存することなく一定電流を発生することができる。
【0023】
定電流発生回路は、第1の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流を流す第1のカレントミラー回路をさらに備えてもよい。
【0024】
この場合、第1のカレントミラー回路により第1の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流が流される。
【0025】
定電流発生回路は、第2の電界効果トランジスタをさらに備え、第1のカレントミラー回路は第3および第4の電界効果トランジスタを含み、第1の電界効果トランジスタのゲートが抵抗の一端に電気的に接続され、第1の電界効果トランジスタのソースが抵抗の他端に電気的に接続され、第1の電界効果トランジスタのドレインが第3の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのゲートが第1の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのソースが抵抗の一端に電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのドレインが第4の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第3の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続され、第3の電界効果トランジスタのゲートが第4の電界効果トランジスタのゲートおよびドレインに電気的に接続され、第4の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続されてもよい。
【0026】
この場合、第3の電界効果トランジスタおよび第1の電界効果トランジスタに電流が流れると、第4の電界効果トランジスタ、第2の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に第1の電界効果トランジスタに流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流が流れる。特に、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するとともに第1の電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に第1の抵抗が電気的に接続されているので、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まる。
【0027】
第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタは金属酸化物半導体電界効果トランジスタであってもよい。
【0028】
定電流発生回路は、第1の電界効果トランジスタのドレインを所定の電位に保つ電位保持手段をさらに備えてもよい。この場合、第1の電界効果トランジスタのドレインが不所望の電位で安定することが防止される。
【0029】
第1の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であってもよい。それにより、第1の電界効果トランジスタの特性がばらついた場合に、第1の抵抗の抵抗値を調整することにより、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧を(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定することができる。
【0030】
この場合、メーカが抵抗値を調整可能であるとともに、その定電流発生回路を有する製品を購入したユーザも抵抗値を調整可能である。
【0031】
第1の抵抗は多結晶シリコンにより構成されてもよい。それにより、第1の抵抗の温度係数を小さくすることができ、温度変化に依存しない一定の電流を得ることが可能となる。また、第1の抵抗は2層多結晶シリコンにより構成されてもよい。それにより、温度係数をさらに小さくすることができる。
【0032】
第1の温度時に第1の抵抗の両端にかかる電圧と第1の温度時と異なる第2の温度時に第1の抵抗にかかる電圧とが等しくなるように第1の電界効果トランジスタのゲート長およびゲート幅が設定されてもよい。
【0033】
これにより、第1の温度時と第2の温度時とで第1の抵抗にかかる電圧が温度変化に依存せずに一定となる。その結果、電源電圧に依存しない一定電流を得ることができる。
【0034】
第1の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、複数の抵抗をスイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有してもよい。
【0035】
第2の発明に係る定電圧発生回路は、定電流発生回路と、定電流発生回路により発生される電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを備え、定電流発生回路は、しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、第1の抵抗とを備え、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ第1の電界効果トランジスタに流れる電流および第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように第1の電界効果トランジスタのソースが第1の抵抗の一端に接続されかつ第1の電界効果トランジスタのゲートが第1の抵抗の他端に接続され、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、電流電圧変換回路は、定電流発生回路の第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含むものである。
【0036】
本発明に係る定電圧発生回路においては、定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流が第2のカレントミラー回路により第2の抵抗に流される。それにより、電流が電圧に変換される。この場合、定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流が電源電圧の変動および温度変化に依存することなく一定となるので、第2の抵抗の両端に電源電圧の変動および温度変化に依存することなく一定の電圧が発生する。
【0037】
また、第2の抵抗が第1の抵抗と同じ材料により構成されるので、プロセス上で第1の抵抗の抵抗値がばらついた場合には、第2の抵抗の抵抗値も同様にばらつく。それにより、第1の抵抗の抵抗値のばらつきにより定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流が変動する場合に、電流電圧変換回路の第2の抵抗の両端に発生する電圧の変動を第2の抵抗の抵抗値のばらつきにより相殺することができる。したがって、プロセス上のばらつきに依存することなく一定の電圧を発生することができる。
【0038】
第2の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であってもよい。それにより、出力電圧がばらついた場合に、第2の抵抗の抵抗値を調整することにより、第2の抵抗の両端に発生する電圧を所望の電圧に設定することができる。
【0039】
この場合、メーカが抵抗値を調整可能であるとともに、その定電流発生回路を有する製品を購入したユーザも抵抗値を調整可能である。
【0040】
定電流発生回路は、第1の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流を流す第1のカレントミラー回路をさらに備えてもよい。
【0041】
この場合、第1のカレントミラー回路により第1の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流が流される。
【0042】
定電流発生回路は、第2の電界効果トランジスタをさらに備え、第1のカレントミラー回路は第3および第4の電界効果トランジスタを含み、第1の電界効果トランジスタのゲートが抵抗の一端に電気的に接続され、第1の電界効果トランジスタのソースが抵抗の他端に電気的に接続され、第1の電界効果トランジスタのドレインが第3の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのゲートが第1の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのソースが抵抗の一端に電気的に接続され、第2の電界効果トランジスタのドレインが第4の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、第3の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続され、第3の電界効果トランジスタのゲートが第4の電界効果トランジスタのゲートおよびドレインに電気的に接続され、第4の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続されてもよい。
【0043】
この場合、第3の電界効果トランジスタおよび第1の電界効果トランジスタに電流が流れると、第4の電界効果トランジスタ、第2の電界効果トランジスタおよび第1の抵抗に第1の電界効果トランジスタに流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流が流れる。特に、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するとともに第1の電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に第1の抵抗が電気的に接続されているので、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まる。
【0044】
第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタは金属酸化物半導体電界効果トランジスタであってもよい。
【0045】
定電流発生回路は、第1の電界効果トランジスタのドレインを所定の電位に保つ電位保持手段をさらに備えてもよい。この場合、第1の電界効果トランジスタのドレインが不所望の電位で安定することが防止される。
【0046】
第1の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であってもよい。それにより、第1の電界効果トランジスタの特性がばらついた場合に、第1の抵抗の抵抗値を調整することにより、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧を(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定することができる。
【0047】
この場合、メーカが抵抗値を調整可能であるとともに、その定電流発生回路を有する製品を購入したユーザも抵抗値を調整可能である。
【0048】
第1の抵抗は多結晶シリコンにより構成されてもよい。それにより、第1の抵抗の温度係数を小さくすることができ、温度変化に依存しない一定の電流を得ることが可能となる。また、第1の抵抗は2層多結晶シリコンにより構成されてもよい。それにより、温度係数をさらに小さくすることができる。
【0049】
第1の温度時に第1の抵抗の両端にかかる電圧と第1の温度時と異なる第2の温度時に第1の抵抗にかかる電圧とが等しくなるように第1の電界効果トランジスタのゲート長およびゲート幅が設定されてもよい。
【0050】
これにより、第1の温度時と第2の温度時とで第1の抵抗にかかる電圧が温度変化に依存せずに一定となる。その結果、電源電圧に依存しない一定電流を得ることができる。
【0051】
第2の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、複数の抵抗をスイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有してもよい。
【0052】
第1の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、複数の抵抗をスイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有してもよい。
【0053】
第3の発明に係る定電圧定電流発生回路は、定電圧発生回路を備え、定電圧発生回路は、定電流発生回路と、定電流発生回路により発生される電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを備え、定電流発生回路は、しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、第1の抵抗とを備え、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ第1の電界効果トランジスタに流れる電流および第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように第1の電界効果トランジスタのソースが第1の抵抗の一端に接続されかつ第1の電界効果トランジスタのゲートが第1の抵抗の他端に接続され、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、電流電圧変換回路は、定電流発生回路の第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含み、定電圧定電流発生回路は、定電圧発生回路の定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を発生する第3のカレントミラー回路をさらに備える。
【0054】
本発明に係る定電圧定電流発生回路においては、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存せずに一定の電圧および一定の電流を小面積で発生することができる。
【0055】
第4の発明に係る増幅回路は、複数の演算増幅器と、複数の演算増幅器のうち少なくとも1つの演算増幅器の入力端子に基準電圧として一定の電圧を印加するとともにバイアス電流として一定の電流を供給する定電圧定電流発生回路とを備え、定電圧定電流発生回路は、定電圧発生回路を備え、定電圧発生回路は、定電流発生回路と、定電流発生回路により発生される電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを備え、定電流発生回路は、しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、第1の抵抗とを備え、第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ第1の電界効果トランジスタに流れる電流および第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように第1の電界効果トランジスタのソースが第1の抵抗の一端に接続されかつ第1の電界効果トランジスタのゲートが第1の抵抗の他端に接続され、第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、電流電圧変換回路は、定電流発生回路の第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含み、定電圧定電流発生回路は、定電圧発生回路の定電流発生回路の第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を発生する第3のカレントミラー回路をさらに備えたものである。
【0056】
本発明に係る増幅回路においては、複数の演算増幅器のうち少なくとも1つの演算増幅器の入力端子に電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存せずに基準電圧として一定の電圧を印加するとともにバイアス電流として一定の電流を供給することができる。したがって、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない増幅回路が実現される。
【0057】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1の実施の形態における定電圧発生回路の構成を示す回路図である。
【0058】
図1の定電圧発生回路は、定電流発生回路10、パワーアップ回路20および電流電圧変換回路30を備える。
【0059】
定電流発生回路10は、pチャネルMOS電界効果トランジスタ11,12,17、nチャネルMOS電界効果トランジスタ13,14,15,16および抵抗18により構成される。
【0060】
トランジスタ11のソースは所定の電源電圧を受ける電源端子に接続され、ドレインはノードN11に接続され、ゲートはノードN12に接続されている。トランジスタ12のソースは電源端子に接続され、ドレインおよびゲートはノードN12に接続されている。トランジスタ11,12はカレントミラー回路を構成する。
【0061】
トランジスタ13のドレインはノードN11に接続され、ソースはノードN13に接続され、ゲートはノードN14に接続されている。トランジスタ14のドレインはノードN12に接続され、ソースはノードN14に接続され、ゲートはノードN11に接続されている。
【0062】
トランジスタ15のドレインはノードN13に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。トランジスタ16のドレインは抵抗18を介してノードN14に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。
【0063】
トランジスタ17のソースは電源端子に接続され、ドレインはノードN12に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。
【0064】
パワーアップ回路20は、pチャネルMOS電界効果トランジスタ21およびnチャネルMOS電界効果トランジスタ22,23,24を含む。トランジスタ21のソースは電源端子に接続され、ドレインおよびゲートはノードN21に接続されている。トランジスタ22のドレインおよびゲートはノードN21に接続され、ソースはノードN22に接続されている。トランジスタ23のドレインはノードN22に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。トランジスタ24のソースは電源端子に接続され、ドレインはノードN11に接続され、ゲートはノードN21に接続されている。
【0065】
電流電圧変換回路30は、pチャネルMOS電界効果トランジスタ31、nチャネルMOS電界効果トランジスタ32および抵抗33を含む。トランジスタ31のソースは電源端子に接続され、ドレインはノードN31に接続され、ゲートはノードN12に接続されている。トランジスタ12およびトランジスタ31がカレントミラー回路を構成する。
【0066】
トランジスタ32のドレインは抵抗33を介してノードN31に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートには反転スタンバイ信号STBが与えられる。
【0067】
抵抗18,33としては、温度係数の小さい2層ポリSi(多結晶シリコン)からなる抵抗を用いる。それにより、抵抗18,33の抵抗値が温度変化によらず一定となる。
【0068】
反転スタンバイ信号STBがハイレベルになると、パワーアップ回路20のトランジスタ23がオンする。それにより、電源端子からトランジスタ21,22,23を通して接地端子に電流が流れる。それにより、定電流発生回路10のノードN11の電位が接地電位で安定することが防止される。トランジスタ24に流れる電流は実質上無視できるほど小さく、定電流発生回路10の動作にほとんど影響を与えない。
【0069】
また、定電流発生回路10のトランジスタ15,16,17がオンする。これにより、電源端子からトランジスタ11,13,15を通して接地端子に電流Itが流れる。このとき、パワーアップ回路20のトランジスタ24に流れる電流は小さいため、定電流発生回路10に流れる電流Itにほとんど影響を与えない。
【0070】
このとき、電流Itと等しいかまたは定数倍の電流Irが電源端子からトランジスタ12,14、抵抗18およびトランジスタ16を通して接地端子に流れる。ここでは、電流Itと等しい電流Irが電源端子からトランジスタ12,14、抵抗18およびトランジスタ16を通して接地端子に流れるものとする。この場合、トランジスタ13は、飽和領域で動作するようにバイアスが設定される。そのため、トランジスタ13のゲート・ソース間電圧により抵抗18の両端にかかる電圧Vaが一義的に定まる。したがって、電源電圧と無関係に抵抗18の両端に一定電圧がかかり、抵抗18に流れる電流Irが一定となる。
【0071】
電流電圧変換回路30においては、トランジスタ32がオンする。それにより、定電流発生回路10の抵抗18に流れる電流Irと等しいかまたは定数倍の電流が電源端子からトランジスタ31、抵抗33およびトランジスタ32を介して接地端子に流れる。ここでは、抵抗18に流れる電流Irと等しい電流が電源端子からトランジスタ31、抵抗33およびトランジスタ32を介して接地端子に流れるものとする。このとき、抵抗33に流れる電流が一定となるため、ノードN31から一定の電圧VRが出力される。
【0072】
プロセス上のばらつきにより定電流発生回路10の抵抗18の抵抗値R1および電流電圧変換回路30の抵抗33の抵抗値R2がばらつく場合には、抵抗18の抵抗値R1および抵抗33の抵抗値R2が同じ方向にずれる。例えば、プロセス上のばらつきにより抵抗18の抵抗値R1および抵抗33の抵抗値R2がともに10%大きくなると、抵抗18に流れる電流Irが10%小さくなる。それにより、ノードN31の電圧VRは次式のようになる。
【0073】
VR=R2(1+0.1)×Ir(1−0.1)≒R2×Ir
上式から電流電圧変換回路30から出力される電圧VRはプロセス上のばらつきにほとんど依存せずに一定となる。このように、抵抗18の抵抗値R1のずれが抵抗33の抵抗値R2のずれにより相殺される。
【0074】
また、図1の定電圧発生回路では、次に説明するように温度補償が行われる。図5は温度補償を行わない場合のトランジスタ13の電流−電圧特性および抵抗18の電流−電圧特性を示す図である。図6は温度補償を行った場合のトランジスタ13の電流−電圧特性および抵抗18の電流−電圧特性を示す図である。
【0075】
図5および図6の横軸はトランジスタ13のゲート・ソース間電圧および抵抗18の両端の電圧であり、縦軸はトランジスタ13に流れる電流Itおよび抵抗18に流れる電流Irである。図5および図6において、一点鎖線は室温27℃でのトランジスタ13の電流−電圧特性を示し、破線は80℃でのトランジスタ13の電流−電圧特性を示す。また、実線は抵抗18の電流−電圧特性を示す。
【0076】
トランジスタ13に流れる電流Itと抵抗18に流れる電流Irとが等しくなるときのノードN14の電圧Vaは電源電圧に依存しない。しかしながら、図5に示すように、温度補償を行わない場合には、トランジスタ13に流れる電流Itと抵抗18に流れる電流Irとが等しくなるときのノードN14の電圧Vaは室温27℃と80℃とで異なり、すなわち温度により変動する。
【0077】
これに対して、図6に示すように、以下に説明する温度補償を行った場合には、トランジスタ13に流れる電流Itと抵抗18に流れる電流Irとが等しくなるときのノードN14の電圧Vaは温度に依存せずに一定となる。
【0078】
ここで、温度補償は、トランジスタ13のゲート長Lおよびゲート幅Wを調整し、トランジスタ13の電流−電圧特性を変化させることにより行う。次に説明するように、トランジスタ13のしきい値電圧VtとノードN14の電圧Va(トランジスタ13のゲート・ソース間電圧Vgs)との差が0.1Vから0.4Vの範囲内にあれば、図6に示す特性が得られる。
【0079】
MOS電界効果トランジスタの飽和領域でのソース・ドレイン電流Iは次式で表される。
【0080】
I=β・(Vgs−Vt)2 …(1)
上式(1)において、Vgsはトランジスタのゲート・ソース間電圧、Vtはトランジスタのしきい値電圧である。また、βは次式で表される。
【0081】
β=(1/2)・(W/L)・Cox・μ …(2)
上式(2)において、Wはトランジスタのゲート幅、Lはトランジスタのゲート長、Coxは単位酸化膜容量、μは電子または正孔の移動度である。
【0082】
また、トランジスタのしきい値電圧Vtの温度特性は次式で近似される。
上式(3)において、Vt(T)はある温度Tでのしきい値電圧、Vt(Tnom)は室温Tnomでのしきい値電圧、ΔVt(T)は室温Tnomから温度Tへの温度変化によるしきい値電圧の変動量である。なお、−0.22は定数であり、一般的なMOS電界効果トランジスタの典型的な値である。また、移動度μの温度特性は次式で近似される。
【0083】
μ(T)≒μ(Tnom)・(T/Tnom)−1.5 …(4)
上式(4)において、μ(T)は温度Tでの移動度、μ(Tnom)は室温での移動度である。なお、−1.5は定数であり、一般的なMOS電界効果トランジスタの典型的な値である。
【0084】
温度変化によるMOS電界効果トランジスタの飽和領域でのソース・ドレイン電流Iの変動量は上式(1)より次式のようになる。
【0085】
上式(5)において、I(T)は温度Tでのトランジスタのソース・ドレイン電流、I(Tnom)は室温Tnomでのトランジスタのソース・ドレイン電流、ΔI(T)は室温Tnomから温度Tへの温度変化によるトランジスタのソース・ドレイン電流の変動量である。ここで、β(T)は次式で表される。
【0086】
β(T)=β(Tnom)+Δβ(T) …(6)
上式(6)において、β(T)は温度Tでのβの値、β(Tnom)は室温Tnomでのβの値、Δβ(T)は室温Tnomから温度Tへの温度変化によるβの値の変動量である。
【0087】
Tnom=300K(=27℃)、T=353K(=80℃)とすれば、上式(4)より、移動度μ(T)は次式のようになる。
【0088】
よって、上式(2),(6),(7)より次式のようになる。
【0089】
さらに、上式(3)によりΔVt(353)が求められる。
【0090】
よって、上式(9)より上式(5)において、ΔI(T)=0となる条件は次式のようになる。
【0091】
Vgs−Vt(Tnom)=0.2〜0.3[V] …(10)
マージンを考慮してVgs−Vt(Tnom)=0.1〜0.4[V]とする。すなわち、トランジスタ13のゲート・ソース間電圧を(Vt+0.1)[V]から(Vt+0.4)[V]の範囲内に設定することにより、トランジスタ13に流れるソース・ドレイン電流Itを温度変化に依存せずに一定とすることができる。
【0092】
このように、図1の定電圧発生回路においては、安価なCMOS回路により電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定の電圧VRを発生することができる。
【0093】
図2は本発明の第2の実施の形態における定電圧発生回路の構成を示す回路図である。
【0094】
図2の定電圧発生回路が図1の定電圧発生回路と異なるのは、定電流発生回路10の抵抗18の代わりにプログラマブル機能を有する抵抗18aが設けられている点および電流電圧変換回路30の抵抗33の代わりにプログラマブル機能を有する抵抗33aが設けられている点である。ここで、プログラマブル機能とは、少なくとも製造時に抵抗18a,33aの抵抗値を調整することができることを意味する。
【0095】
抵抗18a,33aのプログラマブル機能は、製造時のメタルマスク工程でメタルマスクを変更することにより実現することができる。また、抵抗18a,33aを複数の抵抗およびヒューズを用いて構成し、レーザ等を用いてヒューズを切断することにより抵抗の接続を変更することにより抵抗18a,33aのプログラマブル機能を実現することもできる。さらに、抵抗18a,33aを複数の抵抗およびスイッチを用いて構成し、複数の抵抗をスイッチで切り換えることにより抵抗18a,33aのプログラマブル機能を実現することもできる。抵抗18a,33aのプログラマブル機能は、これらの方法に限定されず、その他の方法を用いて実現してもよい。
【0096】
図2の定電圧発生回路においては、nチャネルMOS電界効果トランジスタ13の特性のばらつきにより図6の温度補償がずれた場合にプログラマブル機能を有する抵抗18aの抵抗値R1および抵抗33aの抵抗値R2を調整することにより温度補償のずれを補正することができる。したがって、図2の定電圧発生回路では、トランジスタ13の特性がばらついた場合でも、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定の電圧VRを発生することができる。
【0097】
図3は本発明の第3の実施の形態における定電圧定電流発生回路の構成を示す回路図である。図3の定電圧定電流発生回路は、図1の定電流発生回路10を定電圧発生回路および演算増幅器の定電流源として共有化した例である。
【0098】
図3において、電流コピー回路40はpチャネルMOS電界効果トランジスタ41およびnチャネルMOS電界効果トランジスタ42を含む。トランジスタ41のソースは電源端子に接続され、ドレインはノードN41に接続され、ゲートは定電流発生回路10のノードN12に接続されている。トランジスタ42のソースは接地端子に接続され、ドレインおよびゲートはノードN41に接続されている。トランジスタ12およびトランジスタ41がカレントミラー回路を構成する。
【0099】
演算増幅器50は、pチャネルMOS電界効果トランジスタ51,52およびnチャネルMOS電界効果トランジスタ53,54,55を含む。トランジスタ51のソースは電源端子に接続され、ドレインおよびゲートはノードN51に接続されている。トランジスタ52のソースは電源端子に接続され、ドレインはノードN52に接続され、ゲートはノードN51に接続されている。トランジスタ53のドレインはノードN51に接続され、ソースはノードN53に接続され、ゲートには入力信号I1が与えられる。トランジスタ54のドレインはノードN52に接続され、ソースはノードN53に接続され、ゲートには入力信号I2が与えられる。トランジスタ55のドレインはノードN53に接続され、ソースは接地端子に接続され、ゲートはノードN41に接続されている。
【0100】
反転スタンバイ信号STBがハイレベルになると、定電流発生回路10の抵抗18に流れる電流Irと等しい電流または定数倍の電流が電流コピー回路40の電源端子からトランジスタ41,42を通して接地端子に流れる。ここでは、電流コピー回路40のトランジスタ41,42に定電流発生回路10の抵抗18に流れる電流Irと等しい電流が流れるものとする。
【0101】
また、電流コピー回路40のトランジスタ41,42に流れる電流と等しい電流または定数倍の電流が演算増幅器50のトランジスタ55に流れる。ここでは、トランジスタ41,42に流れる電流と等しい電流がトランジスタ55に流れるものとする。この場合、トランジスタ55に流れる電流は一定となるので、トランジスタ55は一定のバイアス電流を供給する定電流源として働く。
【0102】
演算増幅器50のトランジスタ53,54のゲートに与えられる入力信号I1,I2が差動増幅され、ノードN51,N52から増幅された出力電圧が出力される。
【0103】
一方、電流電圧変換回路30からは一定の電圧VRが出力される。電流電圧変換回路30から出力される電圧VRは基準電圧として用いることができる。
【0104】
図3の定電圧定電流発生回路では、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存せず一定の基準電圧を発生することができる基準電圧発生回路および一定のバイアス電流を演算増幅器50に供給するバイアス電流発生回路を小面積で実現することができる。
【0105】
図4は本発明の第4の実施の形態における定電圧定電流発生回路の構成を示す回路図である。図4の定電圧定電流発生回路は、図2の定電流発生回路10を定電圧発生回路および演算増幅器の定電流源として共有化した例である。
【0106】
図4の定電圧定電流発生回路が図3の定電圧定電流発生回路と異なるのは、定電流発生回路10の抵抗18の代わりにプログラマブル機能を有する抵抗18aが用いられ、電流電圧変換回路30の抵抗33の変わりにプログラマブル機能を有する抵抗33aが用いられている点である。図4の定電圧定電流発生回路の他の部分の構成は図3の定電圧定電流発生回路の構成と同様である。
【0107】
図4の定電圧定電流発生回路においては、nチャネルMOS電界効果トランジスタ13の特性のばらつきにより図6の温度補償がずれた場合にプログラマブル機能を有する抵抗18aの抵抗値R1および抵抗33の抵抗値R2を調整することにより温度補償のずれを補正することができる。したがって、図4の定電圧定電流発生回路では、トランジスタ13の特性がばらついた場合でも、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存することなく一定の基準電圧を発生することができる基準電圧発生回路および一定のバイアス電流を演算増幅器50に供給するバイアス電流発生回路を小面積で実現することができる。
【0108】
なお、図3および図4の演算増幅器50の構成は一例であり、種々の構成の演算増幅器を用いることができる。
【0109】
図7は図3または図4の定電圧定電流発生回路を用いたAPC回路(オートレーザパワーコントロール回路)の構成を示す回路図である。図7のAPC回路は、演算増幅回路110,120、ボルテージフォロワ130,140、スイッチSW、抵抗R15、定電圧定電流発生回路100およびAND回路101を含む。定電圧定電流発生回路100は図3または図4に示した構成を有する。
【0110】
演算増幅回路110は、演算増幅器OP1、可変抵抗R11および抵抗R12を含む。演算増幅回路120は、演算増幅器OP2および抵抗R13,R14を含む。ボルテージフォロワ130は、演算増幅器OP3を含む。ボルテージフォロワ140は、演算増幅器OP4を含む。
【0111】
定電圧定電流発生回路110およびAND回路101の一方の入力端子には反転スタンバイ信号STBが与えられる。AND回路101の他方の入力端子にはレーザ点灯信号LDが与えられる。反転スタンバイ信号STBがハイレベルとなりかつレーザ点灯信号LDがハイレベルとなっているときにAND回路101の出力信号がハイレベルとなり、スイッチSWがオンする。
【0112】
定電圧定電流発生回路100は、演算増幅器OP1,OP2,OP3,OP4にバイアス電流BIとして定電流を供給する。また、定電圧定電流発生回路100は、ボルテージフォロワ140の演算増幅器OP4の非反転入力端子に基準電圧Vrefとして定電圧を与える。
【0113】
ボルテージフォロワ140はインピーダンス変換を行い、一定の基準電圧REFを出力する。
【0114】
演算増幅回路110の演算増幅器OP1の非反転入力端子にはレーザダイオードから出射されるレーザ光をモニタするためのモニタ用フォトダイオードの出力電圧LDSが与えられる。演算増幅回路110は、フォトダイオードの出力電圧LDSを可変抵抗R11および抵抗R12の抵抗値により定まる利得で増幅し、増幅されたモニタ用電圧LDS0を出力する。
【0115】
演算増幅回路120は、モニタ用電圧LDS0と基準電圧REFとの差分を増幅し、増幅された差分電圧APCを出力する。ボルテージフォロワ130はインピーダンス変換を行い、差分電圧APCをスイッチSWおよび抵抗R15を介してレーザダイオード駆動電圧LDDとして出力する。レーザダイオード駆動電圧LDDはレーザダイオードに与えられる。
【0116】
このAPC回路は、モニタ用電圧LDSが低くなると、レーザダイオード駆動電圧LDDが低くなり、レーザダイオードを駆動するための駆動電流が大きくなるように制御し、モニタ用電圧LDSが高くなると、レーザダイオード駆動電圧LDDが高くなり、レーザダイオードを駆動するための駆動電流が小さくなるように制御を行う。それにより、レーザダイオードから出射されるレーザ光の光出力が一定に制御される。
【0117】
図7のAPC回路においては、図3または図4の定電圧定電流発生回路が用いられているので、演算増幅器OP4に電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない一定の基準電圧Vrefを印加することができるとともに、演算増幅器OP1,OP2,OP3,OP4に電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存しない一定のバイアス電流を供給することができる。
【0118】
したがって、電源電圧の変動、温度変化およびプロセス上のばらつきに依存せず、レーザダイオードから出射されるレーザ光の光出力を一定に制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1の実施の形態における定電圧発生回路の構成を示す回路図である。
【図2】図2は、本発明の第2の実施の形態における定電圧発生回路の構成を示す回路図である。
【図3】図3は、本発明の第3の実施の形態における定電圧定電流発生回路の構成を示す回路図である。
【図4】図4は、本発明の第4の実施の形態における定電圧定電流発生回路の構成を示す回路図である。
【図5】図5は、定電圧発生回路において温度補償を行わない場合のトランジスタの電流−電圧特性および抵抗の電流−電圧特性を示す図である。
【図6】図6は、定電圧発生回路において温度補償を行った場合のトランジスタの電流−電圧特性および抵抗の電流−電圧特性を示す図である。
【図7】図7は、図3または図4の定電圧定電流発生回路を用いたAPC回路の構成を示す回路図である。
【図8】図8は、従来の定電流発生回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
10 定電流発生回路
11,12,17,21,31,41,51,52 pチャネルMOS電界効果トランジスタ
13,14,15,16,22,23,24,32,42,53,54,55nチャネルMOS電界効果トランジスタ
18,18a,33,33a 抵抗
20 パワーアップ回路
30 電流電圧変換回路
40 電流コピー回路
50 演算増幅器
Claims (22)
- しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、
第1の抵抗とを備え、
前記第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように前記第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により前記第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ前記第1の電界効果トランジスタに流れる電流および前記第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記第1の抵抗の一端に接続されかつ前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の抵抗の他端に接続され、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定されることを特徴とする定電流発生回路。 - 前記第1の電界効果トランジスタおよび前記第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流を流す第1のカレントミラー回路をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の定電流発生回路。
- 第2の電界効果トランジスタをさらに備え、前記第1のカレントミラー回路は第3および第4の電界効果トランジスタを含み、
前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記抵抗の一端に電気的に接続され、前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記抵抗の他端に電気的に接続され、前記第1の電界効果トランジスタのドレインが前記第3の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、
前記第2の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、前記第2の電界効果トランジスタのソースが前記抵抗の前記一端に電気的に接続され、前記第2の電界効果トランジスタのドレインが前記第4の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、
前記第3の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続され、前記第3の電界効果トランジスタのゲートが前記第4の電界効果トランジスタのゲートおよびドレインに電気的に接続され、前記第4の電界効果トランジスタのソースが前記所定の電位に電気的に接続されることを特徴とする請求項2記載の定電流発生回路。 - 前記第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタは金属酸化物半導体電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項3記載の定電流発生回路。
- 前記第1の電界効果トランジスタのドレインを所定の電位に保つ電位保持手段をさらに備えることを特徴とする請求項3または4記載の定電流発生回路。
- 前記第1の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 前記第1の抵抗は多結晶シリコンにより構成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 第1の温度時に前記第1の抵抗の両端にかかる電圧と前記第1の温度時と異なる第2の温度時に前記第1の抵抗にかかる電圧とが等しくなるように前記第1の電界効果トランジスタのゲート長およびゲート幅が設定されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 前記第1の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、前記複数の抵抗を前記スイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 定電流発生回路と、
前記定電流発生回路に流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを備え、
前記定電流発生回路は、
しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、
第1の抵抗とを備え、
前記第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように前記第1の電界効果トラ ンジスタのバイアスが設定されるとともに前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により前記第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ前記第1の電界効果トランジスタに流れる電流および前記第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記第1の抵抗の一端に接続されかつ前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の抵抗の他端に接続され、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、
前記電流電圧変換回路は、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を前記第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含むことを特徴とする定電圧発生回路。 - 前記第2の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であることを特徴とする請求項10記載の定電圧発生回路。
- 前記定電流発生回路は、前記第1の電界効果トランジスタおよび前記第1の抵抗に互いに等しいかまたは比例関係にある電流を流す第1のカレントミラー回路をさらに備えることを特徴とする請求項10または11記載の定電圧発生回路。
- 前記定電流発生回路は、第2の電界効果トランジスタをさらに備え、前記第1のカレントミラー回路は第3および第4の電界効果トランジスタを含み、
前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記抵抗の一端に電気的に接続され、前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記抵抗の他端に電気的に接続され、前記第1の電界効果トランジスタのドレインが前記第3の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、
前記第2の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、前記第2の電界効果トランジスタのソースが前記抵抗の前記一端に電気的に接続され、前記第2の電界効果トランジスタのドレインが前記第4の電界効果トランジスタのドレインに電気的に接続され、
前記第3の電界効果トランジスタのソースが所定の電位に電気的に接続され、前記第3の電界効果トランジスタのゲートが前記第4の電界効果トランジスタのゲートおよびドレインに電気的に接続され、前記第4の電界効果トランジスタのソースが前記所定の電位に電気的に接続されることを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の定電圧発生回路。 - 前記第1、第2、第3および第4の電界効果トランジスタは金属酸化物半導体電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項13記載の定電圧発生回路。
- 前記定電流発生回路は、前記第1の電界効果トランジスタのドレインを所定の電位に保つ電位保持手段をさらに備えることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載の定電圧発生回路。
- 前記第1の抵抗の抵抗値が少なくとも製造時に調整可能であることを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載の定電圧発生回路。
- 前記第1の抵抗は多結晶シリコンにより構成されることを特徴とする請求項10〜16のいずれかに記載の定電圧発生回路。
- 第1の温度時に前記第1の抵抗の両端にかかる電圧と前記第1の温度時と異なる第2の温度時に前記第1の抵抗にかかる電圧とが等しくなるように前記第1の電界効果トランジスタのゲート長およびゲート幅が設定されることを特徴とする請求項10〜17のいずれかに記載の定電圧発生回路。
- 前記第2の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、前記の複数の抵抗を前記スイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有することを特徴とする請求項10〜18のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 前記第1の抵抗は、複数の抵抗およびスイッチを用いて構成され、前記複数の抵抗を前記スイッチにより切り換えることにより、プログラマブル機能を有することを特徴とする請求項10〜19のいずれかに記載の定電流発生回路。
- 定電圧発生回路を備え、
前記定電圧発生回路は、
定電流発生回路と、
前記定電流発生回路に流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを含み、
前記定電流発生回路は、
しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと
第1の抵抗とを備え、
前記第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように前記第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により前記第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ前記第1の電界効果トランジスタに流れる電流および前記第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記第1の抵抗の一端に接続されかつ前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の抵抗の他端に接続され、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、
前記電流電圧変換回路は、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を前記第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含み、
前記定電圧電流発生回路は、
前記定電圧発生回路の前記定電流発生回路の前記第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を発生する第3のカレントミラー回路をさらに備えることを特徴とする定電圧電流発生回路。 - 複数の演算増幅器と、
前記複数の演算増幅器のうち少なくとも1つの演算増幅器の入力端子に基準電圧として一定の電圧を印加するとともにバイアス電流として一定の電流を供給する定電圧定電流発生回路とを備え、
前記定電圧定電流発生回路は、
定電圧発生回路を備え、
前記定電圧発生回路は、
定電流発生回路と、
前記定電流発生回路に流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換回路とを備え、
前記定電流発生回路は、
しきい値電圧Vtを有する第1の電界効果トランジスタと、
第1の抵抗とを備え、
前記第1の電界効果トランジスタが飽和領域で動作するように前記第1の電界効果トランジスタのバイアスが設定されるとともに前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧により前記第1の抵抗の両端にかかる電圧が一義的に定まりかつ前記第1の電界効果トランジスタに流れる電流および前記第1の抵抗に流れる電流が等しいかまたは比例関係にあるように前記第1の電界効果トランジスタのソースが前記第1の抵抗の一端に接続されかつ前記第1の電界効果トランジスタのゲートが前記第1の抵抗の他端に接続され、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が(Vt+0.1)ボルト以上(Vt+0.4)ボルト以下の範囲内に設定され、
前記電流電圧変換回路は、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗と同じ材料により構成される第2の抵抗と、
前記定電流発生回路の前記第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を前記第2の抵抗に流す第2のカレントミラー回路とを含み、
前記定電圧定電流発生回路は、
前記定電圧発生回路の前記定電流発生回路の前記第1の抵抗に流れる電流と等しいかまたは比例関係にある電流を発生する第3のカレントミラー回路をさらに備えることを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001236123A JP3619793B2 (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-03 | 定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-243473 | 2000-08-10 | ||
JP2000243473 | 2000-08-10 | ||
JP2001236123A JP3619793B2 (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-03 | 定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002132360A JP2002132360A (ja) | 2002-05-10 |
JP3619793B2 true JP3619793B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=26597778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001236123A Expired - Fee Related JP3619793B2 (ja) | 2000-08-10 | 2001-08-03 | 定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3619793B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4385811B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-12-16 | 株式会社デンソー | 定電流回路 |
JP2008235974A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Yamaha Corp | 定電流制御回路および該回路を備えた半導体集積回路 |
-
2001
- 2001-08-03 JP JP2001236123A patent/JP3619793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002132360A (ja) | 2002-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100399861B1 (ko) | 정전류 발생 회로, 정전압 발생 회로, 정전압 정전류 발생회로 및 증폭 회로 | |
US6998902B2 (en) | Bandgap reference voltage circuit | |
JP5097664B2 (ja) | 定電圧電源回路 | |
US8704588B2 (en) | Circuit for generating a reference voltage | |
US5640122A (en) | Circuit for providing a bias voltage compensated for p-channel transistor variations | |
KR101070031B1 (ko) | 기준 전류 발생 회로 | |
US6118266A (en) | Low voltage reference with power supply rejection ratio | |
JP2003114728A (ja) | 半導体装置の内部基準電圧生成回路及びこれを備える内部供給電圧生成回路 | |
US7312651B2 (en) | Cascode current mirror circuit operable at high speed | |
JP2008015925A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JPH0667744A (ja) | 定電圧回路 | |
US6377113B1 (en) | Reference current generating circuit | |
JP2004328640A (ja) | バイアス電流生成回路、レーザダイオード駆動回路及び光通信用送信器 | |
JP2006351945A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
JP7283063B2 (ja) | 増幅回路 | |
JP2005094091A (ja) | トランスコンダクタンス調整回路 | |
US6124754A (en) | Temperature compensated current and voltage reference circuit | |
US6538513B2 (en) | Common mode output current control circuit and method | |
US6965270B1 (en) | Regulated cascode amplifier with controlled saturation | |
JP3619793B2 (ja) | 定電流発生回路、定電圧発生回路、定電圧定電流発生回路および増幅回路 | |
US6060940A (en) | CMOS output stage for providing stable quiescent current | |
US7148734B2 (en) | Analog level shifter | |
KR20080003048A (ko) | 기준 전압 발생 회로 | |
KR100332508B1 (ko) | 안정화전류미러회로 | |
JPH10112614A (ja) | バイアス電流供給方法およびその回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |