JP3614050B2 - 導体パターンの検査方法及び電気光学装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は導体パターンの検査方法及び電気光学装置に係り、特に、液晶パネルを構成する基板上に形成された電極若しくは配線のパターンに適用する場合に好適なパターン構造及びパターンの検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的な液晶装置は、シール材を介して一対の透明な基板を貼り合わせ、これらの基板間であってシール材の内側、すなわち液晶封入領域に液晶を封入することによって構成される。
【0003】
液晶装置の構造の一例を図4及び図5に示す。図4は液晶装置10の平面構造を模式的に示す平面透視図であり、図5は液晶装置10における張出領域11sの近傍の構造を模式的に示す概略拡大断面図である。液晶装置10はシール材13を介して2枚の透明基板11,12を貼り合わせて成り、透明基板11は透明基板12よりもやや幅広に形成され、透明基板11には透明基板12の端部よりも側方へ張り出した張出領域11sが形成されている。シール材13の内側は矩形状の液晶封入領域Aとなっている。
【0004】
液晶封入領域A内の透明基板11上には透明電極11aが形成され、シール材13の下を通過して配線11bとして張出領域11sの表面上に引き出されている。透明電極11aの上には液晶封入領域Aに限定してオーバーコート膜15が形成され、さらにその上に配向膜16が形成されている。また、透明基板12上には透明電極12aが形成され、この透明電極12aは透明電極11aと直交する方向に伸びた後、シール材13の形成位置まで伸びている。透明電極12aの上には配向膜17が形成され、配向膜16と17の間には図示しない液晶が注入され、配向膜の表面状態に応じて所定の配向状態に制御される。
【0005】
張出領域11sには、上記の配線11bの左右両側に配線11cが所定パターンにて形成されている。配線11cは透明基板11上をシール材13の形成位置まで伸びている。シール材13は樹脂中に導電粒子を含んだ素材にて形成されており、透明基板11と透明基板12の間にて加圧されることによって基板厚さ方向(基板ギャップ方向)にのみ電気導電性を示す異方導電性を呈するものである。上記の透明電極12aと配線11cとはシール材13の上下導通部13bにおいて上下に重なり合い、この上下導通部13bを介して相互に導電接続されている。
【0006】
配線11b及び11cの先端部は異方性導電膜8を介して液晶駆動用のドライバIC18の図示しない出力端子に導電接続されている。また、張出領域11sには端子パターン11dもまた形成されており、この端子パターン11dの一端部は上記の異方性導電膜8を介してドライバIC18の入力端子に導電接続され、端子パターン11dの他端部はフレキシブル配線基板、TAB基板などの配線部材9に導電接続されている。
【0007】
張出領域11sに形成された配線11b,11cは小さな配線幅を有して小さな形成ピッチで形成されているため、塵埃や酸などに弱く、また、電触が発生する危険性があるため、ドライバIC18や配線部材9を実装した後、張出領域11sの実装面を全体的にシリコーン樹脂などからなる樹脂モールド材19によって覆うようにしている。
【0008】
液晶封入領域A内には、透明電極11aと透明電極12aとが交差する表示駆動領域Eが形成され、それぞれの透明電極11a及び透明電極12aに供給される電位に応じて所定の表示状態を実現できるようになっている。液晶封入領域A内には、上記表示駆動領域E(アクティブエリア)と、その周囲に形成された非駆動領域F(非アクティブエリア)とがあり、非駆動領域Fにはダミーパターン11Fを構成するダミー導体部11fが形成されている。図6は上記表示駆動領域E及び非駆動領域Fの一部を示す拡大平面図である。非駆動領域Fには本来液晶を駆動するための電極を必要としないが、非駆動領域Fは、電極が形成されない分だけ液晶層の厚さが表示駆動領域Eよりも厚くなるとともに液晶の配向状態も変化するため、外観が表示駆動領域Eと異なってしまう。そこで、上述のように、外部に接続されないダミー電極若しくはダミー配線などの複数のダミー導体部11fを備えたダミーパターン11Fを形成する。このダミー導体部11fは上記透明電極11a、配線11b及び配線11cと同時に同材質で形成される。
【0009】
ところで、上記の液晶装置の製造工程においては、透明基板11上に透明電極11a、配線11b,11cを形成した後に、これらの電極や配線間に短絡が生じていないことを確認するためにパターン検査を行う場合がある。このパターン検査においては、図6に示すように一対のプローブ3a,3bを隣接する透明電極11aに同時に接触させ、隣接する透明電極11a間の短絡の有無を確認する測定を行う。この測定は、プローブ3a,3bを順次一つずつ隣の透明電極11aに移動させながらその都度行われる。ここで、プローブ3a,3bは透明電極11aの並列方向(図示左右方向)に移動される。透明電極11a間に短絡が発生している場合には、当該短絡部分に修正を施すか、或いは当該透明基板11を不良品として廃棄する。
【0010】
この検査工程においては、一対のプローブ3a,3bの相対的な位置関係を、隣接する透明電極11aにそれぞれが接触するように、プローブ3aとプローブ3bとが透明電極11aの並列方向(図示左右方向)に透明電極11aの形成ピッチ分だけ離れるように規定するとともに、プローブ間隔を充分に確保してプローブ同士の短絡を防止するため及びプローブの取り付けを容易にするために、透明電極11aの延長方向(図示上下方向)にも相互にずれた位置に配置されるように設定する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の検査工程においては、隣接した透明電極11a間に対して順次上記の測定を実施していくように図8に示す検査装置3の一対のプローブ3a,3bをその相互間隔を保持した状態で、透明電極11aの形成ピッチ毎に、隣接する透明電極11aにプローブ3a,3bを接触させる動作を繰り返しながら、透明電極11aの並列方向(図示左右方向)へ走査していく。このため、透明電極11aの上記の並列方向(図示右側)にダミー導体部11fを有するダミーパターン11Fが形成されている場合、一般にダミー導体部11fは透明電極11aよりも幅広く、且つ、或る程度長い形状を備えている場合が多いため、プローブ3a,3bが共に同一のダミー導体部11fに接触することにより短絡するので、実際に使用される透明電極11aでは問題がなくても、ダミー導体部11fによって短絡が発生しているものと判定してしまう。図7は従来の電極若しくは配線パターンの検査を時間の経過とともに示すグラフである。検査の過程で上述のようにダミー導体部11fが存在すると、プローブ3a,3bが短絡し、図示Wのように検査結果に異常が発生し、検査装置3においてパターン欠陥が存在するものと判定してしまう。検査結果を解析して通常の透明電極11aに欠陥がないことを確認することはできるが、基板のパターン毎に検査結果を解析するという煩雑な作業を伴うものとなる。
【0012】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、導体パターンの検査時において、ダミーパターンに起因する検査結果の誤りを発生させないようにする方法或いは構造を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の導体パターンの検査方法は、基体上に複数の延長形状の導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体部とは別にダミー導体部を有するダミーパターンが形成された電極基板に対して、複数の前記導体部のうち、少なくとも2つの前記導体部にそれぞれ接触するように相対的位置関係が規定された少なくとも2つのプローブを接触させて前記導体部間の電気的特性を計測する導体パターンの検査方法であって、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記プローブのうち2つ以上が同一のダミー導体部に同時に接触しないように分割形成されて成り、前記プローブを前記並列方向に順次移動させながら継続的に計測していくことを特徴とする。
【0014】
この発明によれば、導体部の並列方向に配置されたダミー導体部が分割形成され、前記プローブのうち2つ以上が同一のダミー導体部に同時に接触しないようになっているため、プローブを導体部の並列方向に順次移動させながら継続的に計測していってもダミー導体部によるプローブ間の短絡が発生しないから、誤判定を防止することができ、判定結果から導体パターンの良、不良を迅速且つ容易に判別することができる。
【0015】
本発明において、前記導体部は前記基体上に形成された電極若しくは配線であることが好ましい。
【0016】
この発明によれば、基体上に形成された電極や配線間の短絡などの不良を容易に発見することができる。
【0017】
本発明において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対して前記並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記プローブの間に配置される部分で前記導体部の延長方向に分断された状態に形成されて成ることが好ましい。
【0018】
この発明によれば、ダミー導体部がプローブ間に配置される部分で導体部の延長方向に分断されていることによって、ダミーパターンを複雑にすることなく、容易にプローブ間の短絡を防止することができる。特に、導体部の延長方向に分断され、その分断線(例えばパターンの間隙部)が導体部の並列方向に伸びるように形成されている場合には、プローブ間の数に対応する数の分断線のみを形成すればプローブ間の短絡を防止することができるので、ダミーパターンを必要以上に細かく分断する必要がなくなり、ダミーパターンの短絡不良による誤検出を低減することができる。なお、本願において〜方向に分断されているとは、〜方向に電気導通がなくなるように分断されているという意味に用いる。
【0019】
本発明において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対して前記並列方向に配置された前記ダミー導体部における前記導体部の延長方向の長さが前記プローブ間の前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように形成されて成ることが好ましい。
【0020】
この発明によれば、ダミー導体部における導体部の延長方向の長さがプローブ間における前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように形成されているので、複数のプローブの検査位置が導体部の延長方向にずれてもプローブ間の短絡が発生しなくなるため、より確実にダミーパターンによる誤検出を防止できる。
【0021】
本発明において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記導体部の並列周期と等しい周期で前記並列方向に分断された状態に形成されて成ることが好ましい。
【0022】
この発明によれば、ダミー導体部が導体部の並列周期と等しい周期で並列方向に分断された状態に形成されているので、異なる導体部に接触するように構成された各プローブがそれぞれ異なるダミー導体部に接触するように構成できるため、プローブ間の短絡が発生しない。なお、ここで、導体部の並列周期と、ダミー導体部の並列周期とが相互に同位相となるように形成されていることが望ましい。この場合には、プローブの移動周期を途中で変えることなく、常に各プローブを異なるダミー導体部に接触させることができるので、より確実にプローブ間の短絡を防止できる。
【0023】
本発明において、前記基体は基板であり、前記電極基板は、前記基板の表面上に複数の電極及び配線が所定のパターンにて形成され、さらにその上に前記電極から電界を受ける電気光学材料が配置された電気光学装置であることが好ましい。
【0024】
次に、本発明の電気光学装置は、基板上に複数の延長形状の導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体部としての機能を要求されないダミー導体部を有するダミーパターンを形成し、前記導体パターンの上に電気光学材料を配置してなる電気光学装置であって、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が前記導体部の延長方向に分断された状態に形成されて成ることを特徴とする。この場合に、ダミー導体部における導体部の延長方向の長さは、検査時におけるプローブ間の延長方向に見た最短距離よりも短いことが望ましい。したがって、ダミー導体部における導体部の延長方向の長さを一定長さよりも常に短くなるように形成しておくことによって、当該一定長さ或いはそれ以上の間隔でプローブを配置して検査を行えば、ダミーパターンによる誤検出が防止される。
【0025】
また、基板上に複数の延長形状の導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体部としての機能を要求されないダミー導体部を有するダミーパターンを形成し、前記導体パターンの上に電気光学材料を配置してなる電気光学装置であって、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が前記導体部の並列周期とほぼ等しい周期で前記並列方向に分断された状態に形成されて成ることを特徴とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
本発明において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が前記導体部の延長方向の長さが、前記プローブ間の前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように分断された状態に形成されて成ることが好ましい。
【0027】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る導体パターンの検査方法及び電気光学装置の実施形態について詳細に説明する。以下に示す実施形態は液晶装置(液晶パネル)を構成する基板(パネル基板)上に形成された電極或いは配線のパターンを検査する方法及びその液晶装置の構造に関するものであるが、本発明は、液晶装置を構成する基板上の電極や配線に限らず、種々の導体パターンに対して適用可能であり、また、液晶装置に限らず、ルミネッセンス装置やプラズマディスプレイ装置などの各種の電気光学装置に適用可能である。
【0028】
図1は本実施形態の液晶装置を構成する透明基板11の一部を拡大して示す部分拡大平面図である。本実施形態の液晶装置は、透明基板11上に形成された透明導電体のパターン形状を除いて図4及び図5に示す液晶装置10と基本的に同一構造を有するものであるので、それらの説明は省略する。
【0029】
図1に示すように、透明基板11の表面上にはITO(インジウムスズ酸化物)等をスパッタリング法により被着してなる、上記と同様の透明電極11a、配線11b,11c、端子パターン11dと、透明電極11aの形成された表示駆動領域Eの外側の非駆動領域Fに形成されたダミーパターン11Gとを備えている。ダミーパターン11Gには多数のダミー導体部11gが形成されている。これらのダミー導体部11gは従来と同様に表示駆動領域E以外の非駆動領域Fを埋め尽くすように配列されている。
【0030】
本実施形態では、ダミーパターン11Gは、ダミー導体部11gが透明電極11aの延長方向(図示上下方向)と、透明電極11aの並列方向(図示左右方向)との双方に適宜の間隔で分断された状態になるように構成されている。図示例においては、ダミーパターン11G(基本的に非駆動領域Fの全てを埋め尽くすように存在する。)のうち、透明電極11aの並列方向両側に配列された部分(図1の左右部分)には、透明電極11aの並列周期と上記並列方向の形成周期がほぼ等しくなるように、その幅及び間隔が設定されているダミー導体部11g(1)と、上記並列方向の形成周期は透明電極11aの並列周期とは異なるが、プローブ3a,3bの上記延長方向の間隔よりも上記延長方向の長さが短く分断されて成るダミー導体部11g(2)とのいずれかが配置されている。ダミー導体部11g(1)は上記延長方向(図示上下方向)に伸びる間隙部11v(導体が形成されていない部分)によって分断されて相互に並列したストライプ状に形成され、ダミー導体部11g(2)はプローブ3a,3b間の上記延長方向の間隔よりも短い間隔で形成された上記並列方向(図示左右方向)に伸びる間隙部11h(導体が形成されていない部分)によって分断されている。
【0031】
上記のようなダミー導体部11g(1)及び11g(2)を備えたダミーパターン11Gによって、プローブ3a,3bを図1の右方向に移動させながら、隣接する透明電極11aの間の短絡の有無を測定していくとき、プローブ3a,3bが表示駆動領域Eを越えて非駆動領域Fに入っても、プローブ3a,3bは従来の図6に示すように同一のダミー導体部11gに同時に接触することはなくなり、必ず別々のダミー導体部11gに接触するようになる。したがって、プローブ3a,3bはダミー導体部11gによっては短絡しない。
【0032】
図2は本実施形態のダミーパターンの効果を示すための模式的な概念図である。ここで、プローブ3aとプローブ3bの上記延長方向の間隔をGtとし、上記並列方向の間隔をGpとする。図2において、図8に示す検査装置3は、プローブ3a,3bを透明電極11aが並列配置された表示駆動領域Eから非駆動領域Fへと上記並列方向(図示右方向)へ移動させていく。このとき、ダミー導体部11g(2−1)は、少なくとも透明電極11aの延長方向に見てプローブ3aとプローブ3bとの間にある部分で分断されているので、プローブ3aとプローブ3bが同時に同じダミー導体部11gに接触することはなくなり、ダミーパターン11Gによる短絡もなくなる。
【0033】
しかしながら、上記構造では、プローブ3a,3bの移動位置にダミー導体部11g(2−1)間を分断する間隙部11hを配置しなければならない。したがって、予め間隙部11hを形成した場所を跨ぐようにして検査装置3の走査位置を設定しておかなければならないので、検査位置の自由度が妨げられる。
【0034】
上記の問題を回避するには、上記の図1に示す実施形態のように、間隙部11hをGtより短い間隔で上記延長方向に形成して分断したダミー導体部11g(2−2)を形成すればよい。このようにすれば、間隙部11hの形成位置と検査装置3の走査位置との関係如何に拘わらず、必ずプローブ3aとプローブ3bとの間に間隙部11hが配置されることとなるため、確実に短絡を防ぐことが可能になる。
【0035】
図3は、本実施形態のダミーパターンの効果を示すためのさらに別の模式的な概念図である。この図においては、ダミーパターンを上記並列方向にみて透明電極11aと同一周期になるようにダミー導体部11g(1)を形成している。すなわち、ダミー導体部11g(1)及びその間の間隙部11vが透明電極11aの形成ピッチ(これは上記Gpと等しい。)と同一ピッチになるように形成されている。したがって、プローブ3a,3bを表示駆動領域Eにおける状態と同じ状態で非駆動領域Fへ移動させていっても、ダミーパターン11Gによる短絡が発生することはない。
【0036】
上記の場合、特に、ダミー導体部11gの並列方向の並列周期を導体部11aの並列周期と同位相で形成することによって、プローブ3a,3bの動作周期を全く変更することなく、確実に誤検出を防止することができる。
【0037】
図1に示すダミーパターン11Gには上記のダミー導体部11g(1)と11g(2)の双方が含まれているが、このようにすることによってプローブの動作方向を自由に設定しても誤検出を防止することが可能になり、また、プローブの間隔などに対する対応性にも優れたダミーパターンとすることができる。
【0038】
尚、本発明の導体パターンの検査方法及び電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記の導体パターン及びダミーパターンの構造は透明基板11だけでなく透明基板12上に形成された電極及び配線のパターンとして形成されてもよい。また、検査対象が上記のような電極に限定されることはなく、配線であってもよく、或いはまた、検査方法の発明としては任意の導体部であって構わない。
【0039】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、導体部の並列方向に配置されたダミー導体部が分割形成され、前記プローブのうち2つ以上が同一のダミー導体部に同時に接触しないようになっているため、プローブを導体部の並列方向に順次移動させながら継続的に計測していってもダミー導体部によるプローブ間の短絡が発生しないから、誤判定を防止することができ、判定結果から導体パターンの良、不良を迅速且つ容易に判別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る導体パターンの検査方法を実施する液晶装置における基板の張出領域近傍の拡大平面図である。
【図2】本発明に係る導体パターンの検査方法及びダミーパターンの構造を説明するための概念図である。
【図3】本発明に係る導体パターンの検査方法及びダミーパターンの別の構造を説明するための概念図である。
【図4】液晶装置の全体構成を示す平面透視図である。
【図5】液晶装置の張出領域近傍の構造を示す拡大断面図である。
【図6】従来の液晶装置を構成する基板上の電極パターンの検査方法を示す概念図である。
【図7】従来の検査方法によって得られた検査結果を模式的に示すグラフである。
【図8】従来の検査方法を説明するための概略説明図である。
【符号の説明】
A…液晶封入領域
E…表示駆動領域
F…非駆動領域
3…検査装置
3a…プローブ
3b…プローブ
11…透明基板
11F…ダミーパターン
11G…ダミーパターン
11a…透明電極
11b…配線
11c…配線
11f…ダミー導体部
11g…ダミー導体部
11h…間隙部
11v…間隙部
12…透明基板
12a…透明電極
Claims (9)
- 基体上に複数の延長形状の導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体パターンとは別にダミー導体部を有するダミーパターンが形成された基板に対して、複数の前記導体部のうち、少なくとも2つの前記導体部にそれぞれ接触するように相対的位置関係が規定された少なくとも2つのプローブを接触させて前記導体部間の電気的特性を計測する導体パターンの検査方法であって、
前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記プローブのうち2つ以上が同一のダミー導体部に同時に接触しないように分割形成されて成り、前記プローブを前記並列方向に移動させながら計測していくことを特徴とする導体パターンの検査方法。 - 請求項1において、前記導体部は前記基体上に形成された電極若しくは配線であることを特徴とする導体パターンの検査方法。
- 請求項1又は請求項2において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対して前記並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記プローブの間に配置される部分で前記導体部の延長方向に分断された状態に形成されて成ることを特徴とする導体パターンの検査方法。
- 請求項1から請求項3までのいずれか1項において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対して前記並列方向に配置された前記ダミー導体部における前記導体部の延長方向の長さが前記プローブ間の前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように形成されて成ることを特徴とする導体パターンの検査方法。
- 請求項1から請求項4までのいずれか1項において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記並列方向に分断された状態に形成されて成ることを特徴とする導体パターンの検査方法。
- 請求項1から請求項5までのいずれか1項において、前記基板は、該基板の表面上に複数の電極及び配線が所定のパターンにて形成され、さらにその上に前記電極から電界を受ける電気光学材料が配置された電気光学装置であることを特徴とする導体パターンの検査方法。
- 少なくとも2つのプローブが少なくとも2つの導体部にそれぞれ接触されるように、基体上に複数の延長形状の前記導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体パターンとは別にダミー導体部を有するダミーパターンが形成され、前記導体パターンの上に電気光学材料を配置してなる電気光学装置であって、
前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記導体部の延長方向の長さが、前記プローブ間の前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように分断された状態に形成されて成ることを特徴とする電気光学装置。 - 少なくとも2つのプローブが少なくとも2つの導体部にそれぞれ接触されるように、基体上に複数の延長形状の前記導体部を並列形成してなる導体パターンを設け、前記基体上における前記導体パターンの非形成領域に前記導体パターンとは別にダミー導体部を有するダミーパターンが形成され、前記導体パターンの上に電気光学材料を配置してなる電気光学装置であって、
前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が、前記導体部の並列周期とほぼ等しい周期で前記並列方向に分断された状態に形成されて成ることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項8において、前記ダミーパターンは、前記導体部に対してその並列方向に配置された前記ダミー導体部が前記導体部の延長方向の長さが、前記プローブ間の前記延長方向に見た最短距離よりも短くなるように分断された状態に形成されて成ることを特徴とする電気光学装置。
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