TWI741721B - 導電性測試結構、薄膜電晶體陣列基板及顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導電性測試結構，用於測試顯示面板中目標走線導電性，所述顯示面板還包括控制器；所述導電性測試結構包括：第一導電層，所述第一導電層包括至少一第一走線及至少一第二走線，所有第一走線及所有第二走線並聯，每一第一走線及每一第二走線電連接於所述目標走線及所述控制器之間；第二導電層，與所述至少一第一走線電連接，與所述至少一第二走線電絕緣，所述第二導電層用於傳輸檢測訊號至所述至少一第一走線，以檢測所述控制器與所述目標走線之間的導電性。本發明還提供一種薄膜電晶體陣列基板及顯示面板。

Description

導電性測試結構、薄膜電晶體陣列基板及顯示面板
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種導電性測試結構、該導電性測試結構所應用的薄膜電晶體陣列基板及包括該薄膜電晶體陣列基板的顯示面板。
液晶顯示面板包括相對設置的陣列基板及彩色濾光基板。在陣列基板及彩色濾光基板對盒之後，需要利用測試點測試陣列基板及彩色濾光基板中的線路(例如閘極線、資料線、非顯示區走線等)是否可用。
傳統的線路測試方式是採用探針與所述測試點電接觸，通過探針輸入測試訊號測試所述陣列基板及彩色濾光基板中的線路是否正常導電。但，探針為剛性結構，若操作不當易刮傷所述測試點，致使液晶顯示面板在工作過程中電訊號傳導不良。
本發明一方面提供一種導電性測試結構，用於測試顯示面板中目標走線導電性，所述顯示面板還包括控制器；所述導電性測試結構包括：第一導電層，所述第一導電層包括至少一第一走線及至少一第二走線，所有第一走線及所有第二走線並聯，每一第一走線及每一第二走線電連接於所述目標走線及所述控制器之間；第二導電層，所述第二導電層與所述至少一第一走線電連接，所述第二導電層與所述至少一第二走線電絕緣，所述第二導電層用於傳輸檢測訊號至所述至少一第一走線，以檢測所述控制器與所述目標走線之間的導電性。
本發明另一方面提供一種薄膜電晶體陣列基板，包括： 玻璃基板，所述玻璃基板定義有相互拼接的顯示及非顯示區，所述顯示區設置有目標走線，所述非顯示區設置有控制器；以及導電性測試結構，所述導電性測試結構為如上述。
本發明另一方面提供一種顯示面板，包括：彩膜基板；陣列基板，所述陣列基板為如上述的陣列基板；以及液晶層，位於所述彩膜基板及所述陣列基板之間，所述彩膜基板、所述液晶層及所述陣列基板配合以顯示圖像。
上述的導電性測試結構，通過配置與第一走線並聯的第二走線，即便在測試顯示面板的目標走線導電性過程中劃傷第一走線，控制器輸出的電訊號也可正常傳輸至所述目標走線。
10:顯示面板
20:彩膜基板
30:薄膜電晶體陣列基板
31:玻璃基板
311:顯示區
312:非顯示區
32:控制器
33:導電性測試結構
331:第一導電層
332:第一走線
333:第二走線
335:第二導電層
337:第三導電層
334:第一絕緣層
338:第二絕緣層
336:第一通孔
339:第二通孔
GL1、GL2、GLm:閘極掃描線
SL1、SL2、SLn:資料線
40:液晶層
圖1為本發明實施例提供的顯示面板的結構示意圖。
圖2為本發明實施例提供的薄膜電晶體陣列基板的平面結構示意圖。
圖3A為本發明實施例提供的導電性測試結構的平面結構示意圖。
圖3B為圖3A沿線D-D的剖面結構示意圖。
圖4A為本發明實施例提供的導電性測試結構在步驟S1時的平面結構示意圖。
圖4B為圖4A沿線A-A的剖面結構示意圖。
圖5A為本發明實施例提供的導電性測試結構在步驟S2時的平面結構示意圖。
圖5B為圖5A沿線B-B的剖面結構示意圖。
圖6A為本發明實施例提供的導電性測試結構在步驟S3時的平面結構示意圖。
圖6B為圖6A沿線C-C的剖面結構示意圖。
請參閱圖1，顯示面板10包括彩膜基板20、與彩膜基板20相對設置的薄膜電晶體陣列基板30以及位於彩膜基板20及薄膜電晶體陣列基板30之間的液晶層40。液晶層40中包括密集排列的液晶分子。彩膜基板20與薄膜電晶體陣列基板30之間形成電壓差時液晶分子旋轉。所述電壓差不同，液晶分子旋轉角度不同。通過控制所述電壓差的改變可控制觸控顯示面板10顯示不同的圖像。觸控顯示面板10展示圖像的一側為彩膜基板20遠離薄膜電晶體陣列基板30的一側。顯示面板10中還包括其他必要組件，本實施例中僅對部分組件進行闡述。
請一併參閱圖1及圖2，薄膜電晶體陣列基板30包括玻璃基板31。玻璃基板31上定義有相互拼接的顯示區311及非顯示區312，非顯示區312圍繞顯示區311邊緣。顯示區311為顯示面板10工作時可展示圖像的區域。非顯示區312為顯示面板10工作時不可展示圖像的區域，通常用於設置顯示面板10中由不透明材料(例如金屬、塑料等)製成的組件。通常設置邊框覆蓋非顯示區312以提高顯示面板美觀性。
請繼續參閱圖2，玻璃基板31顯示區311內設置有多條閘極掃描線GL1~GLm及多條資料線SL1~SLn。閘極掃描線GL1~GLm相互間隔平行排列，資料線SL1~SLn相互間隔平行排列，多條閘極掃描線GL1~GLm與多條資料線SL1~SLn延伸方向相互垂直。定義上述的多條閘極掃描線GL1~GLm及多條資料線SL1~SLn為目標走線。
於本發明一實施例中，所述目標走線為上述的多條閘極掃描線GL1~GLm或為上述的多條資料線SL1~SLn，例如本實施例中，目標走線為上述的多條閘極掃描線GL1~GLm。於本發明另一實施例中，所述目標走線包括多條閘極掃描線GL1~GLm及多條資料線SL1~SLn。於本發明另一實施例中，所述目標走線還可包括顯示面板10內除了多條閘極掃描線GL1~GLm及多條資料線SL1~SLn之外的其他導電線路。
請繼續參閱圖2，玻璃基板31非顯示區312內設置有控制器32及導電性測試結構33。導電性測試結構33電連接於控制器32及所述目標走線之間。多條閘極掃描線GL1~GLm及多條資料線SL1~SLn電連接於控制器32。控制器32用於輸出閘極掃描訊號至多條閘極掃描線GL1~GLm，並用於輸出圖像數據至多條資料線SL1~SLn。
本實施例中，導電性測試結構33電連接於控制器32及多條閘極掃描線GL1~GLm之間。目標走線包括多條資料線SL1~SLn時，導電性測試結構33電連接於控制器32及多條資料線SL1~SLn之間。
請一併參閱圖3A及圖3B，導電性測試結構33包括第一導電層331。第一導電層331包括相互並聯的一第一走線332及一第二走線333。第一走線332及第二走線333一端電連接所述目標走線，另一端電連接控制器32。於其他實施例中，第一導電層331可包括多條第一走線332及/或多條第二走線333。
請繼續參閱圖3A及圖3B，導電性測試結構33還包括部分覆蓋第一導電層331的第一絕緣層334以及位於第一絕緣層334遠離第一導電層331一側上的第二導電層335。也即，第一絕緣層334位於第一導電層331及第二導電層335之間。
請繼續參閱圖3A及圖3B，導電性測試結構33還包括第三導電層337及第二絕緣層338。第三導電層337位於第一導電層331及第二導電層335之間。第二絕緣層338位於第一導電層331及第三導電層337之間。
第二絕緣層338覆蓋第二走線333從而使得第二走線333與第三導電層337電絕緣。第一絕緣層334部分覆蓋第三導電層337。第一絕緣層334未覆蓋第三導電層337的位置與第二絕緣層338直接接觸。
第一絕緣層334及第二絕緣層338上覆蓋第一走線332的位置開設有複數第一通孔336。每一第一通孔336貫穿第一絕緣層334及第二絕緣層338並使第一走線332相對第一絕緣層334及第二絕緣層338裸露。第二導電層335與第一走線332相對第一絕緣層334及第二絕緣層338裸露的部分電接觸。
第一絕緣層334上還開設有複數第二通孔339。每一第二通孔339貫穿第一絕緣層334並使第三導電層337相對第一絕緣層334裸露。第二導電層335與第三導電層337相對第一絕緣層334裸露的部分電接觸，從而建立起第一導電層331與第三導電層337之間的電連接。
本實施例中，第一導電層331(也即，第一走線332及第二走線333)及第三導電層337為金屬，第二導電層335為氧化銦錫(ITO)。於其他實施例中，第一導電層331、第二導電層335及第三導電層337可為其他導電材料。
以下對導電性測試結構33的製作方法進行闡述。
請一併參閱圖4A及圖4B，步驟S1中，在玻璃基板31一表面上形成第一導電層331，具體的，可先形成一整層金屬層，並蝕刻所述金屬層以分別形成第一走線332及第二走線333。
請一併參閱圖5A及圖5B，步驟S2中，在第一導電層331遠離玻璃基板31一側形成第二絕緣層338。第二絕緣層338至少部分覆蓋第一走線332及第二走線333。並在第二絕緣層338遠離玻璃基板31一側形成第三導電層337。
請一併參閱圖6A及圖6B，步驟S3中，在第三導電層337遠離玻璃基板31一側形成第一絕緣層334。第一絕緣層334完全覆蓋第三導電層337及第二絕緣層338。
步驟S4中，形成同時貫穿第一絕緣層334及第二絕緣層338的第一通孔336，並形成貫穿第一絕緣層334的第二通孔339。第一走線332通過每一第一通孔336相對第一絕緣層334及第二絕緣層338裸露。第三導電層337通過每一第二通孔339相對第一絕緣層334裸露。
進一步地，在第一絕緣層334遠離玻璃基板31的一面形成第二導電層335，第二導電層335通過每一第一通孔336與第一走線332電連接，並通過每一第二通孔339與第三導電層337電連接。形成第二導電層335後的導電性測試結構33如圖3A及圖3B所示。
請再參閱圖3A及圖3B，本實施例提供的導電性測試結構33，用於在彩膜基板20及薄膜電晶體陣列基板30對盒之後測試顯示面板10內部的目標走線的導電性，檢驗目標走線是否可正常傳輸訊號。測試過程中，通過顯示面板10外部的探針接觸第二導電層335遠離第一導電層331的表面，從而建立探針與第二導電層335的電連接，然後通過探針輸入測試訊號至第二導電層335。若顯示面板10內部的目標走線正常導電，則所述測試訊號可依次由探針、第二導電層335、第一導電層331(包括第一走線332及第二走線333)及目標走線傳導至顯示面板10顯示區311內的元器件，顯示面板10被點亮。若顯示面板10無法被點亮，則表示顯示面板10中目標走線異常，需要針對性排除障礙。
通常，測試用的探針為剛性結構，在接觸第二導電層335(為了準確傳輸測試訊號，探針通常接觸第二導電層335伸入第一通孔336的位置)時，易劃傷第二導電層335。且實際產品中，第二導電層335較薄，若操作探針不當， 甚至有劃傷第二導電層335下方的第一走線332的風險。而第一走線332直接電連接控制器32及顯示區311內的目標走線，若第一走線332被劃傷，導電性將受到影響，從而導致控制器32的訊號無法通過第一走線332輸出至顯示區311內的目標走線。
一方面，本實施例提供的導電性測試結構33，通過設置與第一走線並聯的第二走線333改善上述問題。
若第一走線在測試過程中被探針劃傷致使無法正常傳輸電訊號，則控制器32輸出的電訊號可通過第二走線333傳輸至顯示區311內的目標走線。由於第二走線333上還覆蓋有第一絕緣層334、第二絕緣層338及第三導電層337，探針難以觸及第二走線333，可有效保護第二走線333不被探針劃傷。
另一方面，本實施例提供的導電性測試結構33，通過設置第三導電層337也可改善上述問題。
為了避免劃傷第一走線332，可將探針接觸第二導電層335伸入第二通孔339的位置，探針難以同時劃傷第二導電層335及第三導電層337。即便探針劃傷了第二導電層335，由於第三導電層337通過第二導電層335與第一走線332電連接，還是可通過第三導電層337傳輸來自探針的測試訊號至第一走線332。且由於探針接觸的是第二導電層335伸入第二通孔339的位置，無法對第一走線332造成破壞，測試完成後，第一走線332可正常傳輸控制器32輸出的電訊號至顯示區311的目標走線。
於一變更實施例中，導電性測試結構33可不包括第一絕緣層334及第三導電層337。於該實施例中，第二導電層335設置於第二絕緣層338遠離玻璃基板31的一側並與第二絕緣層338直接接觸，第二導電層335通過每一第一通孔336與第一走線332相對第二絕緣層338裸露的部分電接觸。該實施例中，導電性測試結構33整體厚度較小，且製程較簡單。
是故，本實施例提供的導電性測試結構33，有利於改善因測試線路導電性過程中操作不當造成顯示面板10中線路電訊號傳導不良的技術問題。
本技術領域之普通技術人員應當認識到，以上之實施方式僅是用來說明本發明，而並非用作為對本發明之限定，只要於本發明之實質精神範圍之內，對以上實施例所作之適當改變及變化均落於本發明要求保護之範圍之內。
30:薄膜電晶體陣列基板
31:玻璃基板
311:顯示區
312:非顯示區
32:控制器
33:導電性測試結構
GL1、GL2、GLm:閘極掃描線
SL1、SL2、SLn:資料線

Claims (10)

  1. 一種導電性測試結構，用於測試顯示面板中目標走線導電性，所述顯示面板還包括控制器；其改良在於，所述導電性測試結構包括：第一導電層，所述第一導電層包括至少一第一走線及至少一第二走線，所有第一走線及所有第二走線並聯，每一第一走線及每一第二走線電連接於所述目標走線及所述控制器之間；第二導電層，所述第二導電層與所述至少一第一走線電連接，所述第二導電層與所述至少一第二走線電絕緣，所述第二導電層用於傳輸檢測訊號至所述至少一第一走線，以檢測所述控制器與所述目標走線之間的導電性。
  2. 如請求項1所述的導電性測試結構，其中，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層位於所述第一導電層及所述第二導電層之間；所述絕緣層用於電絕緣所述至少一第二走線與所述第二導電層；所述絕緣層上開設有複數第一通孔，所述第二導電層與所述至少一第一走線通過所述複數第一通孔電連接。
  3. 如請求項2所述的導電性測試結構，其中，還包括第三導電層；所述第三導電層位於所述第二導電層與所述第一導電層之間，所述第三導電層通過所述第二導電層與所述第一導電層電連接。
  4. 如請求項3所述的導電性測試結構，其中，還包括第二絕緣層；所述第二絕緣層位於所述第一導電層與所述第三導電層之間，用於電絕緣所述至少一第二走線與所述第三導電層；所述第二絕緣層上開設有複數第二通孔，所述第二導電層通過所述複數第二通孔電連接所述第三導電層。
  5. 如請求項1所述的導電性測試結構，其中，所述第一導電層為金屬，所述第二導電層為氧化銦錫。
  6. 一種薄膜電晶體陣列基板，其改良在於，包括：玻璃基板，所述玻璃基板定義有相互拼接的顯示及非顯示區，所述顯示區設置有目標走線，所述非顯示區設置有控制器；以及導電性測試結構，所述導電性測試結構為如請求項1至5任一項所述。
  7. 如請求項6所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，所述導電性測試結構位於所述非顯示區。
  8. 如請求項6所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，所述目標走線為閘極掃描線及/或資料線。
  9. 一種顯示面板，其改良在於，包括：彩膜基板；薄膜電晶體陣列基板，所述薄膜電晶體陣列基板為如請求項6至8任一項所述的薄膜電晶體陣列基板；以及液晶層，位於所述彩膜基板及所述薄膜電晶體陣列基板之間，所述彩膜基板、所述液晶層及所述薄膜電晶體陣列基板配合以顯示圖像。
  10. 如請求項9所述的顯示面板，其中，所述顯示面板顯示圖像時，所述控制器通過所述至少一第一走線或/及所述至少一第二走線輸出顯示訊號至所述目標走線。
TW109126405A 2020-07-31 2020-08-04 導電性測試結構、薄膜電晶體陣列基板及顯示面板 TWI741721B (zh)

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