CN110993626B - 阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备。该阵列基板的导电层内布置有近场通信天线，近场通信天线包括：主线圈和副线圈；主线圈和副线圈位于阵列基板的不同导电层内，主线圈的一个端子通过阵列基板的一个第一过孔中的导电体与副线圈的一个端子电连接，主线圈的另一个端子通过阵列基板的另一个第一过孔中的导电体与副线圈的另一个端子电连接。本申请实施例将近场通信天线集成到了阵列基板中，使近场通信天线与智能穿戴设备的显示屏表面的距离更短，大大缩短了智能穿戴设备的近场通信距离，有效提高了信号质量，极大地降低了通信失效率。

Description

阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备。
背景技术
近场通信(Near Field Communication，简称NFC)，是一种新兴的技术，使用了NFC技术的设备(例如移动电话)可以在彼此靠近的情况下进行数据交换，是由非接触式射频识别(RFID)及互连互通技术整合演变而来的，通过在单一芯片上集成感应式读卡器、感应式卡片和点对点通信的功能，利用移动终端实现移动支付、电子票务、门禁、移动身份识别、防伪等应用。
目前NFC功能已经在手机和智能穿戴产品上得到广泛使用。NFC天线通常独立布设，并受设备的可安装空间的局限，NFC天线通常布置于设备的远离显示屏的一侧。例如手机的NFC天线一般设计在后盖板内，在实现支付等通信功能时，只需要把手机后盖板靠近支付终端等对应NFC通信终端即可完成，此时的NFC的通信距离较短，通信质量有保障。但智能穿戴与手机在使用习惯上存在差异，智能穿戴产品是戴身上，例如戴在手腕上，用户不会选择摘下后使用通信功能，由于NFC天线设计在智能穿戴产品中远离显示屏的内部，此时NFC通信距离长，信号质量无法保证，通信失效率较高。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备，用以解决现有技术存在智能穿戴产品的NFC通信距离长，或信号质量无法保证，或通信失效率较高的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，阵列基板的导电层内布置有近场通信天线，近场通信天线包括：主线圈和副线圈；
主线圈和副线圈位于阵列基板的不同导电层内，主线圈的一个端子通过阵列基板的一个第一过孔中的导电体与副线圈的一个端子电连接，主线圈的另一个端子通过阵列基板的另一个第一过孔中的导电体与副线圈的另一个端子电连接。
第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：背光模组、滤光模组、和如上述第一个方面提供的阵列基板；
背光模组设置于阵列基板的入光侧；
滤光模组设置于阵列基板的出光侧。
第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如上述第一个方面提供的阵列基板；
或，如上述第二个方面提供的显示面板。
第四个方面，本申请实施例提供一种可穿戴设备，包括：如上述第一个方面提供的阵列基板；
或，如上述第二个方面提供的显示面板；
或，如上述第三个方面提供的显示装置。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
1、将近场通信天线集成到了阵列基板中，使近场通信天线与智能穿戴设备的显示屏表面的距离更短，大大缩短了智能穿戴设备的近场通信距离，有效提高了信号质量，极大地降低了通信失效率；
2、将近场通信天线集成到了阵列基板中，即将近场通信天线集成到了显示屏内，无需在智能穿戴设备的其他部分另行独立设计近场通信天线，提高了显示屏的集成度，也可以使智能穿戴设备省去布置独立近场通信天线的空间，利于智能穿戴设备的小型化；
3、集成在阵列基板中的近场通信天线，采用主线圈和副线圈的并联结构，有效减小了近场通信天线的内阻，使近场通信天线在集成于阵列基板的状态下，仍能够具备足够的通信强度，保证良好的通信质量。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的近场通信天线的主线圈的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的近场通信天线的副线圈的结构示意图。
图中：
100-阵列基板；
111-主线圈；111a-第一主线圈；111b-第二主线圈；111c-跳线；
112-副线圈；112a-第一副线圈；112b-第二副线圈；112c-跳线；
120-玻璃基板；130-缓冲层；140-栅极绝缘层；150-栅极层；160-层间绝缘层；170-源漏极层；180-钝化层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：
近场通信：Near Field Communication，简称NFC。
本申请的发明人进行研究发现，智能穿戴设备与手机在使用习惯上存在差异，智能穿戴产品是戴身上，例如戴在手腕上，用户不会选择摘下后使用通信功能，由于NFC天线设计在智能穿戴产品中远离显示屏的内部，此时NFC通信距离长，信号质量无法保证，通信失效率较高。因此，智能穿戴设备的NFC天线更适合设计在显示屏上，但这种设计方案在小尺寸穿戴产品中实现难度较高。
根据公式Ψ(磁通链)＝N(匝数)×B(磁感应强度)×S(面积)，因为穿戴产品尺寸小，绕一圈的面积小，所以就要通过增加匝数弥补面积不足。但屏幕内可走线空间有限，随着线圈匝数增加，需要将走线线宽减小，根据电阻公式
Figure BDA0002329437790000041
R就会增大。NFC线圈的电阻R的参数指标需满足R＜2Ω，而由于可走线尺寸为4mm，线圈设计为4圈，线圈走线线宽(0.6mm)和膜层厚度(0.58μm)，计算线圈内阻约为45欧姆，不能满足2Ω以内的要求。
故，小尺寸穿戴产品屏幕集成NFC天线受屏幕尺寸限制，线圈走线难度较大，内阻一般无法满足要求，匹配难度较大。
综上，小尺寸穿戴产品屏幕集成NFC天线的设计困难或问题包括：
a、由于天线设计在屏幕内，需要对天线走线膜层进行严格控制；
b、由于穿戴产品屏幕尺寸较小，使得NFC天线在各膜层内可走线空间受到限制，需控制约束走线的线宽，但走线线宽过细，会导致天线电阻变大；同时走线膜层厚度较薄，两者共同导致天线电阻较大，进而导致NFC在通信时不易匹配。
本申请提供的阵列基板、显示面板、显示装置和可穿戴设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种阵列基板100，阵列基板100的导电层内布置有近场通信天线，近场通信天线的结构示意图如图1-图3所示，包括：主线圈111和副线圈112。
主线圈111和副线圈112位于阵列基板100的不同导电层内，主线圈111的一个端子通过阵列基板100的一个第一过孔中的导电体与副线圈112的一个端子电连接，主线圈111的另一个端子通过阵列基板100的另一个第一过孔中的导电体与副线圈112的另一个端子电连接。
在本实施例中，利用阵列基板100中的导电层布置近场通信天线，可以实现将近场通信天线集成到了阵列基板100中。将近场通信天线的接入端一分为二，即分为主线圈111和副线圈112，主线圈111和副线圈112分别在两个导电层进行走线，并利用两个第一过孔使主线圈111和副线圈112对应的端子电连接，实现了近场通信天线的主线圈111和副线圈112的并联结构。
将近场通信天线集成到了阵列基板100中，使近场通信天线与智能穿戴设备的显示屏表面的距离更短，大大缩短了智能穿戴设备的近场通信距离，有效提高了信号质量，极大地降低了通信失效率。
将近场通信天线集成到了阵列基板100中，即将近场通信天线集成到了显示屏内，无需在智能穿戴设备的其他部分另行独立设计近场通信天线，提高了显示屏的集成度，也可以使智能穿戴设备省去布置独立近场通信天线的空间，利于智能穿戴设备的小型化。
集成在阵列基板100中的近场通信天线，采用主线圈111和副线圈112的并联结构，有效减小了近场通信天线的内阻，使近场通信天线在集成于阵列基板100的状态下，仍能够具备足够的通信强度，保证良好的通信质量。
本申请的发明人考虑到，近场通信天线的主线圈111和副线圈112通电后均可以产生磁场，产生的两磁场共同决定了近场通信天线的信号质量。为此，本申请为阵列基板100提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的阵列基板100中，近场通信天线的主线圈111与副线圈112同轴设置。
在本实施例中，近场通信天线的主线圈111与副线圈112采用同轴设置，即可在通电状态下，使主线圈111产生的磁场与副线圈112产生的磁场相叠加，可以实现强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
本申请的发明人考虑到，近场通信天线的主线圈111和副线圈112可以被赋予不同的功能，以降低近场通信天线内阻，同时能提高近场通信天线的信号质量。为此，本申请为阵列基板100提供如下一种可能的实现方式：
本申请实施例的近场通信天线中，主线圈111的线宽小于副线圈112的线宽，主线圈111的绕圈数大于副线圈112的绕圈数。
在本实施例中，主线圈111的线宽相对于副线圈112而言更窄，则可在限的布线空间内增加主线圈111的绕圈匝数，以增强磁场强度，提高近场通信天线的信号质量。副线圈112的线宽相对主线圈111而言更宽，则副线圈112的绕圈匝数更低，这样可以使副线圈112的内阻更小，在主线圈111与副线圈112为并联结构的前提下，整个近场通信天线的内阻可以更小，可以满足近场通信天线的内阻要求。
在一些可能的实施方式中，本申请实施例的近场通信天线中，主线圈111的绕圈数是副线圈112的绕圈数的2倍。例如，主线圈111的绕圈数为4圈，副线圈112的绕圈数为2圈。
可选地，主线圈111的线宽为0.6mm，线间距为0.2mm；副线圈112的线宽为0.14mm，线间距为0.2mm。
本申请的发明人考虑到，若能将以上实施例中的主线圈111的内阻，则可以进一步降低近场通信天线的内阻。为此，本申请为阵列基板100提供如下第一种可能的实现方式：
如图2所示，本申请实施例的近场通信天线中，主线圈111包括：第一主线圈111a和第二主线圈111b。
第一主线圈111a和第二主线圈111b位于阵列基板100的相同导电层内，第一主线圈111a和第二主线圈111b之间绝缘，第一主线圈111a的一个端子与第二主线圈111b的一个端子电连接，第一主线圈111a的另一个端子与第二主线圈111b的另一个端子电连接。
在本实施例中，主线圈111采用第一主线圈111a和第二主线圈111b，第一主线圈111a与第二主线圈111b之间绝缘，并且第一主线圈111a和第二主线圈111b对应的两端子电连接，实现了主线圈111中第一主线圈111a与第二主线圈111b的并联结构，有效降低了主线圈111的内阻。
在本实施例中，第一主线圈111a和第二主线圈111b在阵列基板100的相同导电层内布设，有利于最大化地利用同一导电层，使得导电层数较少的阵列基板100也能集成近场通信天线。
基于上述考虑，本申请为阵列基板100提供如下第二种可能的实现方式：
如图2所示，本申请实施例的近场通信天线中，主线圈111包括：第一主线圈111a和第二主线圈111b。
第一主线圈111a和第二主线圈111b位于阵列基板100的不同导电层内，第一主线圈111a的一个端子通过阵列基板100的一个第二过孔中的导电体与第二主线圈111b的一个端子电连接，第一主线圈111a的另一个端子通过阵列基板100的另一个第二过孔中的导电体与第二主线圈111b的另一个端子电连接。
在本实施例中，主线圈111采用第一主线圈111a和第二主线圈111b，第一主线圈111a与第二主线圈111b分别布设于阵列基板100的不同导电层内，以实现彼此的绝缘，并利用阵列基板100上的第二过孔将第一主线圈111a和第二主线圈111b对应的两端子电连接，实现了主线圈111中第一主线圈111a与第二主线圈111b的并联结构，有效降低了主线圈111的内阻。
在本实施例中，第一主线圈111a和第二主线圈111b分别在阵列基板100的不同导电层内布设，有利于提高第一主线圈111a和第二主线圈111b之间绝缘性。
可选地，在本实施例中的第二过孔与前述实施例中的第一过孔均为独立的实体过孔结构。
可选地，在本实施例中的第二过孔与前述实施例中的第一过孔共用一个实体过孔结构。
在一些可能的实施方式中，本申请实施例的近场通信天线中，第一主线圈111a与第二主线圈111b同轴设置。
在本实施例中，近场通信天线的第一主线圈111a与第二主线圈111b采用同轴设置，即可在通电状态下，使第一主线圈111a产生的磁场与第二主线圈111b产生的磁场相叠加，可以实现强化主线圈111的磁场，进而强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
在一些可能的实施方式中，若第一主线圈111a和第二主线圈111b位于阵列基板100的相同导电层内，则第一主线圈111a的各绕圈与第二主线圈111b的各绕圈相间设置；第一主线圈111a的相邻两绕圈由跳线111c电连接，第二主线圈111b的相邻两绕圈也由跳线111c电连接。
在本实施例中，相同导电层内的第一主线圈111a的各绕圈与第二主线圈111b的各绕圈相间设置，有利于减小第一主线圈111a产生的磁场与第二主线圈111b产生的磁场之间的差异，使得主线圈111产生的磁场更均匀。也有利于第一主线圈111a产生的磁场与第二主线圈111b产生的磁场相叠加，以实现强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
在一些可能的实施方式中，阵列基板100上具有若干第四过孔，第四过孔形成第一主线圈111a的相邻两绕圈之间的跳线111c，或第四过孔形成第二主线圈111b的相邻两绕圈之间的跳线111c。
在本实施例中，采用第四过孔可以实现第一主线圈111a的相邻两绕圈之间的电连接，采用第四过孔也可以实现第二主线圈111b的相邻两绕圈之间的电连接，这样可以适应阵列基板100的结构，满足相邻第一主线圈111a与第二主线圈111b之间绝缘的前提下，实现第一主线圈111a或第二主线圈111b中相邻两绕圈的正常电连接。
本申请的发明人考虑到，若能将以上实施例中的副线圈112的内阻，则可以进一步降低近场通信天线的内阻。为此，本申请为阵列基板100提供如下第一种可能的实现方式：
如图3所示，本申请实施例的近场通信天线中，副线圈112包括：第一副线圈112a和第二副线圈112b。
第一副线圈112a和第二副线圈112b位于阵列基板100的相同导电层内，第一副线圈112a和第二副线圈112b之间绝缘，第一副线圈112a的一个端子与第二副线圈112b的一个端子电连接，第一副线圈112a的另一个端子与第二副线圈112b的另一个端子电连接。
在本实施例中，副线圈112采用第一副线圈112a和第二副线圈112b，第一副线圈112a与第二副线圈112b之间绝缘，并且第一副线圈112a和第二副线圈112b对应的两端子电连接，实现了副线圈112中第一副线圈112a与第二副线圈112b的并联结构，有效降低了副线圈112的内阻。
在本实施例中，第一副线圈112a和第二副线圈112b在阵列基板100的相同导电层内布设，有利于最大化地利用同一导电层，使得导电层数较少的阵列基板100也能集成近场通信天线。
基于上述考虑，本申请为阵列基板100提供如下第二种可能的实现方式：
如图3所示，本申请实施例的近场通信天线中，副线圈112包括：第一副线圈112a和第二副线圈112b。
第一副线圈112a和第二副线圈112b位于阵列基板100的不同导电层内，第一副线圈112a的一个端子通过阵列基板100的一个第三过孔中的导电体与第二副线圈112b的一个端子电连接，第一副线圈112a的另一个端子通过阵列基板100的另一个第三过孔中的导电体与第二副线圈112b的另一个端子电连接。
在本实施例中，副线圈112采用第一副线圈112a和第二副线圈112b，第一副线圈112a与第二副线圈112b分别布设于阵列基板100的不同导电层内，以实现彼此的绝缘，并利用阵列基板100上的第二过孔将第一副线圈112a和第二副线圈112b对应的两端子电连接，实现了副线圈112中第一副线圈112a与第二副线圈112b的并联结构，有效降低了副线圈112的内阻。
在本实施例中，第一副线圈112a和第二副线圈112b分别在阵列基板100的不同导电层内布设，有利于提高第一副线圈112a和第二副线圈112b之间绝缘性。
可选地，在本实施例中的第三过孔与前述实施例中的第一过孔、第二过孔均为独立的实体过孔结构。
可选地，在本实施例中的第三过孔与前述实施例中的第一过孔、第二过孔中的一个共用一个实体过孔结构。
可选地，在本实施例中的第三过孔与前述实施例中的第一过孔和第二过孔，均共用一个实体过孔结构。
在一些可能的实施方式中，本申请实施例的近场通信天线中，第一副线圈112a与第二副线圈112b同轴设置。
在本实施例中，近场通信天线的第一副线圈112a与第二副线圈112b采用同轴设置，即可在通电状态下，使第一副线圈112a产生的磁场与第二副线圈112b产生的磁场相叠加，可以实现强化副线圈112的磁场，进而强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
在一些可能的实施方式中，若第一副线圈112a和第二副线圈112b位于阵列基板100的相同导电层内，则第一副线圈112a的各绕圈与第二副线圈112b的各绕圈相间设置；第一副线圈112a的相邻两绕圈由跳线112c电连接，第二副线圈112b的相邻两绕圈也由跳线112c电连接。
在本实施例中，相同导电层内的第一副线圈112a的各绕圈与第二副线圈112b的各绕圈相间设置，有利于减小第一副线圈112a产生的磁场与第二副线圈112b产生的磁场之间的差异，使得副线圈112产生的磁场更均匀。也有利于第一副线圈112a产生的磁场与第二副线圈112b产生的磁场相叠加，以实现强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
在一些可能的实施方式中，本申请实施例的阵列基板100上具有若干第五过孔，第五过孔形成第一副线圈112a的相邻两绕圈之间的跳线111c，或第五过孔形成第二副线圈112b的相邻两绕圈之间的跳线111c。
在本实施例中，采用第五过孔可以实现第一副线圈112a的相邻两绕圈之间的电连接，采用第五过孔也可以实现第二副线圈112b的相邻两绕圈之间的电连接，这样可以适应阵列基板100的结构，满足相邻第一副线圈112a与第二副线圈112b之间绝缘的前提下，实现第一副线圈112a或第二副线圈112b中相邻两绕圈的正常电连接。
在一些可能的实施方式中，本申请实施例的阵列基板100包括依次叠层设置的玻璃基板120、缓冲层130、栅极绝缘层140、栅极层150、层间绝缘层160、源漏极层170和钝化层180。
阵列基板100的导电层包括栅极层150和源漏极层170。
阵列基板100中近场通信天线的主线圈111位于栅极层150内，和/或，近场通信天线的副线圈112位于源漏极层170内。
在本实施例中，选择栅极层150为主线圈111走线，选择源漏极层170为副线圈112走线。
可选地，阵列基板100中近场通信天线的主线圈111位于源漏极层170内，和/或，近场通信天线的副线圈112位于栅极层150内。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：背光模组、滤光模组、和如上述各实施例提供的任一种阵列基板100。
背光模组设置于阵列基板100的入光侧。
滤光模组设置于阵列基板100的出光侧。
本实施例提供的显示面板，由于采用了前述各实施例提供的任一种集成了近场通信天线的阵列基板100，因此具备前述各实施例提供的阵列基板100相同的原理和有益效果，详见上文各实施例，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：如上述各实施例提供的任一种阵列基板100。
或，如上述各实施例提供的任一种显示面板。
本实施例提供的显示装置，由于采用了前述各实施例提供的任一种集成了近场通信天线的阵列基板100，因此具备前述各实施例提供的阵列基板100相同的原理和有益效果，详见上文各实施例，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种可穿戴设备，包括：如上述各实施例提供的任一种阵列基板100。
或，如上述各实施例提供的任一种显示面板。
或，如上述各实施例提供的任一种显示装置。
本实施例提供的可穿戴设备，由于采用了前述各实施例提供的任一种集成了近场通信天线的阵列基板100，因此具备前述各实施例提供的阵列基板100相同的原理和有益效果，详见上文各实施例，在此不再赘述。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
1、将近场通信天线集成到了阵列基板100中，使近场通信天线与智能穿戴设备的显示屏表面的距离更短，大大缩短了智能穿戴设备的近场通信距离，有效提高了信号质量，极大地降低了通信失效率。
2、将近场通信天线集成到了阵列基板100中，即将近场通信天线集成到了显示屏内，无需在智能穿戴设备的其他部分另行独立设计近场通信天线，提高了显示屏的集成度，也可以使智能穿戴设备省去布置独立近场通信天线的空间，利于智能穿戴设备的小型化。
3、集成在阵列基板100中的近场通信天线，采用主线圈111和副线圈112的并联结构，有效减小了近场通信天线的内阻，使近场通信天线在集成于阵列基板100的状态下，仍能够具备足够的通信强度，保证良好的通信质量。
4、近场通信天线的主线圈111与副线圈112采用同轴设置，即可在通电状态下，使主线圈111产生的磁场与副线圈112产生的磁场相叠加，可以实现强化近场通信天线的信号强度，即提高近场通信天线的信号质量。
5、主线圈111的线宽相对于副线圈112而言更窄，则可在限的布线空间内增加主线圈111的绕圈匝数，以增强磁场强度，提高近场通信天线的信号质量。副线圈112的线宽相对主线圈111而言更宽，则副线圈112的绕圈匝数更低，这样可以使副线圈112的内阻更小，在主线圈111与副线圈112为并联结构的前提下，整个近场通信天线的内阻可以更小，可以满足近场通信天线的内阻要求。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板(100)，其特征在于，所述阵列基板(100)的导电层内布置有近场通信天线，所述近场通信天线包括：主线圈(111)和副线圈(112)；
所述主线圈(111)和所述副线圈(112)位于所述阵列基板(100)的不同导电层内，所述主线圈(111)的一个端子通过所述阵列基板(100)的一个第一过孔中的导电体与所述副线圈(112)的一个端子电连接，所述主线圈(111)的另一个端子通过所述阵列基板(100)的另一个第一过孔中的导电体与所述副线圈(112)的另一个端子电连接；
所述阵列基板(100)包括依次叠层设置的玻璃基板(120)、第一导电层(150)和第二导电层(170)；
所述阵列基板(100)中近场通信天线的主线圈(111)位于所述第一导电层(150)内，和/或，所述近场通信天线的副线圈(112)位于所述第二导电层(170)内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述近场通信天线的所述主线圈(111)与所述副线圈(112)同轴设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述主线圈(111)的线宽小于所述副线圈(112)的线宽，所述主线圈(111)的绕圈数大于所述副线圈(112)的绕圈数。
4.根据权利要求3所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述主线圈(111)的绕圈数是所述副线圈(112)的绕圈数的2倍；
和/或，所述主线圈(111)的线宽为0.6mm，线间距为0.2mm；所述副线圈(112)的线宽为0.14mm，线间距为0.2mm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述主线圈(111)包括：第一主线圈(111a)和第二主线圈(111b)；
所述第一主线圈(111a)和所述第二主线圈(111b)位于所述阵列基板(100)的相同导电层内，所述第一主线圈(111a)和所述第二主线圈(111b)之间绝缘，所述第一主线圈(111a)的一个端子与所述第二主线圈(111b)的一个端子电连接，所述第一主线圈(111a)的另一个端子与所述第二主线圈(111b)的另一个端子电连接；
或，所述第一主线圈(111a)和所述第二主线圈(111b)位于所述阵列基板(100)的不同导电层内，所述第一主线圈(111a)的一个端子通过所述阵列基板(100)的一个第二过孔中的导电体与所述第二主线圈(111b)的一个端子电连接，所述第一主线圈(111a)的另一个端子通过所述阵列基板(100)的另一个第二过孔中的导电体与所述第二主线圈(111b)的另一个端子电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述第一主线圈(111a)与所述第二主线圈(111b)同轴设置；
和/或，若所述第一主线圈(111a)和所述第二主线圈(111b)位于所述阵列基板(100)的相同导电层内，则所述第一主线圈(111a)的各绕圈与所述第二主线圈(111b)的各绕圈相间设置；所述第一主线圈(111a)的相邻两绕圈由跳线(111c)电连接，所述第二主线圈(111b)的相邻两绕圈也由跳线(111c)电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述阵列基板(100)上具有若干第四过孔，所述第四过孔形成所述第一主线圈(111a)的相邻两绕圈之间的跳线(111c)，或所述第四过孔形成所述第二主线圈(111b)的相邻两绕圈之间的跳线(111c)。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述副线圈(112)包括：第一副线圈(112a)和第二副线圈(112b)；
所述第一副线圈(112a)和所述第二副线圈(112b)位于所述阵列基板(100)的相同导电层内，所述第一副线圈(112a)和所述第二副线圈(112b)之间绝缘，所述第一副线圈(112a)的一个端子与所述第二副线圈(112b)的一个端子电连接，所述第一副线圈(112a)的另一个端子与所述第二副线圈(112b)的另一个端子电连接；
或，所述第一副线圈(112a)和所述第二副线圈(112b)位于所述阵列基板(100)的不同导电层内，所述第一副线圈(112a)的一个端子通过所述阵列基板(100)的一个第三过孔中的导电体与所述第二副线圈(112b)的一个端子电连接，所述第一副线圈(112a)的另一个端子通过所述阵列基板(100)的另一个第三过孔中的导电体与所述第二副线圈(112b)的另一个端子电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述第一副线圈(112a)与所述第二副线圈(112b)同轴设置；
和/或，若所述第一副线圈(112a)和所述第二副线圈(112b)位于所述阵列基板(100)的相同导电层内，则所述第一副线圈(112a)的各绕圈与所述第二副线圈(112b)的各绕圈相间设置；所述第一副线圈(112a)的相邻两绕圈由跳线(112c)电连接，所述第二副线圈(112b)的相邻两绕圈也由跳线(112c)电连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述阵列基板(100)上具有若干第五过孔，所述第五过孔形成所述第一副线圈(112a)的相邻两绕圈之间的跳线(112c)，或所述第五过孔形成所述第二副线圈(112b)的相邻两绕圈之间的跳线(112c)。
11.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述阵列基板(100)包括依次叠层设置的玻璃基板(120)、缓冲层(130)、栅极绝缘层(140)、栅极层(150)、层间绝缘层(160)、源漏极层(170)和钝化层(180)；
所述阵列基板(100)的导电层包括所述栅极层(150)和所述源漏极层(170)；
所述阵列基板(100)中近场通信天线的主线圈(111)位于所述栅极层(150)内，和/或，所述近场通信天线的副线圈(112)位于所述源漏极层(170)内。
12.一种显示面板，其特征在于，包括：背光模组、滤光模组、和如上述权利要求1-11中任一项所述的阵列基板(100)；
所述背光模组设置于所述阵列基板(100)的入光侧；
所述滤光模组设置于所述阵列基板(100)的出光侧。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-11中任一项所述的阵列基板(100)；
或，如上述权利要求12所述的显示面板。
14.一种可穿戴设备，其特征在于，包括：如上述权利要求1-11中任一项所述的阵列基板(100)；
或，如上述权利要求12所述的显示面板；
或，如上述权利要求13所述的显示装置。
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