JP3605150B2 - アドレスパターン発生器 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、被測定デバイスを試験するための試験パターン発生器に関し、特に、シンクロナスDRAMのバースト転送用のアドレス発生を行うアドレスパターン発生器に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体試験装置では、各種の被測定デバイスを測定する必要があり、そのためのテストパターンを発生する必要がある。被測定デバイスは高速化が行われており、その中の1つにシンクロナスDRAMがある。
【0003】
シンクロナスDRAM(SDRAM)とは、従来のDRAMにかわり、連続アクセスを高速にしたメモリであり、連続アクセスを高速にするために特殊なアーキテクチャをもち、100Mバイト/秒以上でのリード/ライトを可能としているものである。連続アクセスの高速化のために、SDRAMのリード/ライトはすべてバースト方式で行われる。これは、同一ロウ・アドレス上のデータを2、4、8ワード等のブロック単位で連続してリード・ライトする方式である。また、そのアクセスはブロックの開始アドレスを与えるだけで、以降のアドレスはSDRAM内部で動作モードに従って自動的に発生され、高速化されている。
【0004】
SDRAMは以下の様な特徴を持つ。
1.内部が2つのバンクに分かれており、バンクを切り替えることにより高速アクセスが可能である。
2.モードレジスタによりバースト転送時のアドレシングとバースト長を切り替えることができる。
3.アドレス、データがクロック同期式である。
また、バースト転送時のアドレスシーケンスはCPUからのアドレスシーケンスによりシーケンシャルモードとインターリーブモードの2通りがある。それぞれバーストスタートアドレスに対して次の様なシーケンスでメモリ内部で自動的にアドレスを発生する。
シーケンシャルモードは、バーストスタートアドレスと内部カウンタの加算によりアドレス発生が行われる。
インターリーブモードは、バーストスタートアドレスと内部カウンタの排他的論理和によりアドレス発生が行われる。
【0005】
このようなSDRAM用のテストパターン発生装置の例として、例えば特許願(整理番号=ATS93043−1)特願平6−73893の技術がある。この技術は、SDRAM用のパターン発生を、専用のラップ変換部を付加して発生し、又は、ラップ・アドレスに変換する方法を付加して、パターン発生を容易に行える、SDRAM用テストパターン発生装置及び方法を提供するものである。このための構成として、2種のデータをパターン発生器から入力し、一定の論理回路情報により変換して出力するラップ変換手段を設けて装置を構成している。また、パターン発生器からカラム・アドレス(Y0−Y2)のデータと、ラップ・アドレス(Z0−Z2)のデータとを入力し、一定の論理式で変換アドレスを出力して、SDRAM用テストパターン発生方法を構成している。
【0006】
一般に、被試験メモリの内部セルの不良解析を行うには、被試験メモリに与えるアドレスだけでなく被試験メモリ内部で自動的に発生されるバーストアドレスに対してもアドレス発生ができなければならない。
【0007】
図8に従来の半導体メモリ試験装置でのシーケンシャルモードのアドレス発生方法とバースト長の違いによるカラムアドレスの割り付けの違いを示す。バーストアドレスは、バーストスタートアドレスをZの初期値格納レジスタ31に格納しZのアドレス演算部32でインクリメントして発生する。カラムアドレスは、フォーマッタ35によりZアドレス(バーストアドレス)をYアドレスに割り込ませる形で発生する。ロウアドレスは、Xアドレス発生部10で発生する。この様にフォーマッタでカラムアドレスを割り付けて試験を行うので、バースト長の設定を変更する場合、全カラムアドレスに対しアドレス割り付けを再設定しなければならない。フォーマッタでの再設定は試験中に行えないので、バースト長を試験中にリアルタイムに変更する試験ができないという欠点がある。
【0008】
図9にインターリーブモードのアドレス発生方法を示す。Yアドレス発生部20は初期値格納レジスタ211、212とアドレス演算部22と算術論理演算部23により構成される。この場合バーストアドレスは、アドレス発生器の算術論理演算部23の排他的論理和演算を実行して発生させる。バーストスタートアドレスをレジスタ211に設定する。SDRAMの内部カウンタアドレスは、初期値0をレジスタ212にロードし、演算部22でインクリメントすることで発生する。バーストアドレスは演算部22とレジスタ211との排他的論理和を算術論理演算部23でとり発生する。
【0009】
上記の各試験方法では、シーケンシャルモードとインターリーブモードの試験は別々のパターンに分けなければ試験できない。従って試験用パターン作成が煩雑になるという問題もある。このように従来のアドレス発生器は、バースト長を試験中にリアルタイムに変更できないこととシーケンシャルモードとインターリーブモードの動作モードを試験中にリアルタイムに変更できない欠点があった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的はこれらの欠点を一掃し、SDRAMのバースト転送のバースト長を試験中に切り替えることができ、また、インターリーブモードとシーケンシャルモードとを試験中に切り替えることのできるアドレス発生器を提供することを第1の目的とする。さらに第2の目的として、カラムアドレスをY、Zアドレス発生部の2つではなく、Yアドレス発生部1つで発生させるアドレス発生器を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
(実施例1について)
被測定デバイスを試験するためのアドレスパターン発生器において、Yアドレス発生部20からのYアドレス信号(Y0ー2)と、Zアドレス発生部30からのZアドレス信号(Z0ー2)と、インストラクションメモリ90からの動作モード制御信号(C0)とを選択出力するnビットからなるアドレスセレクタ40を設ける。そして、当該nビットのアドレスセレクタ40出力をアドレス信号として一定の変換テーブル内容を出力する変換メモリ50を設ける。そして、当該変換メモリ50の出力であるバーストアドレス(B0ー2)と、当該Yアドレス発生部20からのYアドレス信号(Y0ー2)とを、インストラクションメモリ90からのバースト長制御信号(BS0ー2)に応じて、各ビット毎に選択出力するマルチプレクサ60を設けてアドレスパターン発生器を構成する。
【0012】
(実施例2について)
または、次のように構成しても良い。被測定デバイスを試験するためのアドレスパターン発生器において、インストラクションメモリ90からの制御信号により、シーケンシャルモードの場合はYアドレス発生部20からのYアドレス信号の下位信号(Y0ー2)をロードし、インターリーブモードの場合は固定値(#0)をロードするカウンタ91を設ける。そして、当該カウンタ91の出力信号を1入力端に与え、Yアドレス発生部20からのYアドレス信号の下位信号(Y0ー2)を他の入力端に与える排他的論理和ゲート93を設ける。そして、インストラクションメモリ90からの制御信号により、シーケンシャルモードの場合は当該カウンタ91の出力信号を、インターリーブモードの場合は当該排他的論理和ゲート93の出力信号を選択するマルチプレクサ94を設ける。そして、インストラクションメモリ90からの制御信号により、データビットが1の場合は当該マルチプレクサ94の出力信号を選択し、データビットが0の場合はYアドレス発生部20の出力信号をビット毎に選択するマルチプレクサ95を設けてアドレスパターン発生器を構成する。
【0013】
【作用】
(実施例1について)
この発明によれば、バースト長の最大値の変換データを変換メモリに設定しておくので、試験中任意にインストラクションメモリの制御で、制御用レジスタ70の設定を変えることでバースト長の変換が可能となる。また、本実施例1ではシーケンシャルモードとインターリーブモードでバーストアドレスの発生の差異を変換メモリ50で行うため、シーケンシャルモードとインターリーブモードでバーストアドレス発生の試験アドレス発生のプログラアムを共通化できる。
【0014】
(実施例2について)
SDRAMに印加する/CASをローにするタイミングに同期して、カウンタ91にインストラクションメモリ90からの制御信号によりSDRAMがシーケンシャルモードの場合はYアドレス信号の下位信号を、インターリーブモードの場合は、(#0)をロードする。但し、実際のタイミング関係は被測定メモリからの出力信号に合わせて発生する。そして、SDRAMがクロックの入力により内部でバーストアドレスを発生するのと同期して、アドレス発生器内のカウンタ91も+1動作を行う。この+1動作によりYアドレスの下位にSDRAMの内部で発生しているバーストアドレスと同じものが割り込むことになる。また、試験中SDRAM側のバーストレングスの変更を行う時、アドレス発生器のレジスタ92に同じバーストレングスを指定するデータを設定する。このように、試験中SDRAM側のバーストタイプの変更を行う時、アドレス発生器のマルチプレクサ94のセレクト信号をインストラクションメモリ90からの制御信号で切り替える事でシーケンシャルとインターリーブのタイプ切り替えが行われる。従って、SDRAMの試験中任意にバーストレングスとバーストタイプの変更が可能となる。また、カラムアドレスをYアドレス発生部20の1つで発生させるので、従来のようにY、Zアドレス発生部の2つで発生させる場合よりアドレス発生のプログラムが作成が容易となる。
【0015】
【実施例】
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0016】
(実施例1)
図1は本発明の実施例1を示すアドレスパターン発生器のブロック図である。図1に示すように、アドレスセレクタ40、変換メモリ50、マルチプレクサ60、制御用レジスタ70を付加してアドレスパターン発生器を構成している。バーストスタートアドレスはYアドレス発生部20で発生し、内部カウンタアドレスはZアドレス発生部30で発生している。
【0017】
図2にアドレスセレクタ40でのアドレス選択割り付け例を示す。アドレスセレクタ40は、アドレスポインタ41、デコーダ42、レジスタ(431、432、433)、マルチプレクサ(441、442)により構成する。レジスタ(431、432、433)は、変換メモリア50のアドレスビット数と同じビット数(n)を持ち、アドレスポインタ41とデコーダ42により出力された変換メモリアドレスビットを選択し、選択データを各レジスタ(431、432、433)に格納する。各レジスタ(431、432、433)からの選択信号(S1、S2、S3)により、YアドレスやZアドレス等から変換メモリアドレスを選択する。
【0018】
図3に変換メモリ50のアドレス割り付け例を示す。本例では、変換メモリアドレス(n)は7ビットで構成している。従って、マルチプレクサ(441、442)は、7個で構成できる。本例では、YアドレスとZアドレスの他に、シーケンシャルモードとインターリーブモードとを切り替えるための動作モード制御信号を割り付ける。当該動作モード制御信号(C0)は、制御用レジスタ70から供給する。なお、変換メモリ50のアドレスの選択データは試験開始前に予めレジスタに設定しておく。
【0019】
変換メモリ50には、変換テーブルとして、シーケンシャルモードとインターリーブモードのそれぞれの最大バースト長のアドレスシーケンスを予め個別のアドレスに書き込んでおく。例えばバースト長は2、4、8がある場合、バースト長8のシーケンスについてシーケンシャルモードとインターリーブモードの発生パターンをそれぞれ書き込んでおく。
【0020】
また、バースト長4のシーケンスはバースト長8のシーケンスに対し、2進で考えると下位の2ビットのシーケンスと同じになる。同様にバースト長2のシーケンスはバースト長8のシーケンスに対し、2進で考えると下位の1ビットのシーケンスと同じになるので結局最大のバースト長のアドレスシーケンスを変換メモリ50に格納しておき、制御するビット長を変更することでアドレス変換が可能になる。
【0021】
図3では、変換メモリ50に、バーストアドレス(Y0ーY2)、カウンタアドレス(Z0ーZ2)、動作モード制御信号(C0)に従って変換されたバーストアドレス発生例を示す。例えばシーケンシャルモード(動作モード制御信号C0=0)では、バーストアドレスY0ーY2=0の場合、カウンタアドレスZ0ーZ2=0なら変換メモリアドレスA0ーA6=0に所望の発生データを書き込む。このように、各アドレスに該当する発生パターンを書き込んでおく。同様に、インターリーブモード(動作モード制御信号C0=1)用の変換データも変換メモリ50に書き込んでおく。SDRAMの試験中に変換メモリがこれらのアドレス(Y0ーY2、Z0ーZ2、C0)でアクセスされた時、変換メモリの読み出しデータがバーストアドレスとして出力される。このようにしてシーケンシャルモードとインターリーブモードでのバーストアドレスの発生が可能となる。
【0022】
制御用レジスタ70は、インストラクションメモリ90のアドレス演算エリア80に記述される、動作モード制御データとバースト長制御データをラッチする。レジスタを持つ理由は、動作モードとバースト長の設定をインストラクションメモリ内で切り替えない限り同一の設定での試験が可能で、全てのサイクルに対して動作モードを記述しないで済むメリットがあるからである。この制御用レジスタ70の出力のうち動作モード制御信号(C0)はアドレスセレクタ40に与えるので、試験中に任意にシーケンシャルモードとインターリーブモードの切り替えが可能となる。
【0023】
図4に、カラムアドレスのビットに対するバースト長制御の関係を示す。制御は、制御用レジスタ70の出力であるバースト長制御信号(BS0ーBS2)がマルチプレクサ60に与えられて、カラムアドレス下位3ビットがこの制御信号(BS0ーBS2)によりビット毎にYアドレスY0ーY2と変換メモリ50からのバーストアドレス(B0ーB2)を切り替える。
【0024】
図5にマルチプレクサ60の構成例を示す。動作は、バースト長が8の時、BS0ーBS2の3ビットを全て1にしてバーストアドレスB0ーB2を選択する。バースト長が4の時は、BS2を0に、BS1を1に、BS0を1に設定することにより、カラムアドレスビットの0は、バーストアドレスのB0を、カラムアドレスビットの1は、バーストアドレスのB1を、カラムアドレスビットの2は、YアドレスのY2を選択する。同様に、バースト長が2の時、BS2を0に、BS1を0に、BS0を1に設定することにより、カラムアドレスビットの0は、バーストアドレスのB0を、カラムアドレスビットの1は、YアドレスのY1を、カラムアドレスビットの2は、YアドレスのY2を選択する。
【0025】
以上によりバースト長の最大値の変換データを変換メモリに設定しておき、試験中任意にインストラクションメモリの制御で、制御用レジスタ70の設定を変えることでバースト長の変換が可能となる。また、本実施例ではシーケンシャルモードとインターリーブモードでバーストアドレスの発生の差異を変換メモリ50で行うため、シーケンシャルモードとインターリーブモードでバーストアドレス発生の試験アドレス発生のプログラムを共通化できる長所も持っている。すなわち、モード毎に異なるプログラムを作成する必要がない。
【0026】
(実施例2)
上記実施例においては、発生アドレスのシーケンスは変換メモリ50内に変換テーブルとして記憶させ、発生させている。しかし、この変換部を下記のように構成してもよい。
【0027】
図6は実施例2によるアドレスパターン発生器のブロック図を示す。図7はバーストアドレスビット(B0ーB2)のYアドレスビットへの割り込みの関係を示す。
【0028】
図6に示すように、カウンタ91は本例では3ビットで構成してあり、インストラクションメモリ90からの制御信号でシーケンシャルモードの場合はYアドレス発生部20からのYアドレス信号の下位信号(Y0ーY2)をロードする。インターリーブモードの場合はYアドレス信号に関係無く(#0)をロードする。ロード後カウンタはSDRAMの動作に同期してインクリメント(+1)動作を行う。
【0029】
マルチプレクサ94はインストラクションメモリ90からの制御信号によりシーケンシャルモードの場合はカウンタ91側の信号を、インターリーブモードの場合は排他的論理和ゲート93側の信号を選択し、バーストアドレス(B0ーB2)として出力を行う。
【0030】
レジスタ92は本例の場合3ビットで構成され、インストラクションメモリ90からの制御信号で値が設定され、その出力(RD0ーRD2)はマルチプレクサ95のセレクト入力にビット対応で接続される。
【0031】
マルチプレクサ95はレジスタ92のデータビットが1の場合はマルチプレクサ94側の信号を選択し、0の場合はYアドレス発生部20側の信号を選択する。これにより、レジスタ92とマルチプレクサ95で図7のようにYアドレスビットの割り込みの制御が行われる。
【0032】
本実施例2による動作は次のように行う。SDRAMの試験を開始してSDRAMの内部モードレジスタにバーストレングスを設定する時、アドレス発生部内のレジスタ92に同じバーストレングスを指定するデータを設定する。SDRAMの内部モードレジスタにバーストタイプを設定する時は、アドレス発生器内のインストラクションメモリ90に切り替え命令を格納する。
【0033】
次に、SDRAMに印加する/CASをローにするタイミングに同期して、カウンタ91にインストラクションメモリ90からの制御信号によりSDRAMがシーケンシャルモードの場合はYアドレス信号の下位信号を、インターリーブモードの場合は、(#0)をロードする。但し、実際のタイミング関係は、パターン発生器で発生した信号がSDRAMに印加される関係であるが、SDRAMの動作に注目した方が理解しやすいのでSDRAMの動作中心に表現している。以後同様である。
【0034】
そして、SDRAMがクロックの入力により内部でバーストアドレスを発生するのと同期して、アドレス発生器内のカウンタ91も+1動作を行う。この+1動作によりYアドレスの下位にSDRAMの内部で発生しているバーストアドレスと同じものが割り込むことになる。
【0035】
また、試験中SDRAM側のバーストレングスの変更を行う時、アドレス発生器のレジスタ92に同じバーストレングスを指定するデータを設定する。これにより例えば、バーストレングス=8から4に変更された場合、マルチプレクサ94の出力(B0ーB2)は変わらないが、マルチプレクサ95によりカラムアドレスビット2にはそれまでのB2の代わりにY2が出力される事になり、バーストアドレスは(B0ーB1)の2ビットとなる。
【0036】
このように、試験中SDRAM側のバーストタイプの変更を行う時、アドレス発生器のマルチプレクサ94のセレクト信号をインストラクションメモリ90からの制御信号で切り替える事でシーケンシャルとインターリーブのタイプ切り替えが行われる。
【0037】
上述のように、SDRAMの試験中任意にバーストレングスとバーストタイプの変更が可能となる。また、カラムアドレスをYアドレス発生部20の1つで発生させるので、従来のようにY、Zアドレス発生部の2つで発生させる場合よりアドレス発生のプログラムが作成が容易となる。
【0038】
なお、上述の各実施例において、バーストレングス=8ワードまでの場合を説明しているが、全ワードの場合には、カウンタ、レジスタ、マルチプレクサ等を必要ビット数まで拡張することにより対応できる。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は構成されているので、次に記載する効果を奏する。SDRAMのバースト転送のバースト長を試験中に切り替えることができ、また、インターリーブモードとシーケンシャルモードとを試験中に切り替えることのできるアドレス発生器を提供できた。そして、カラムアドレスをY、Zアドレス発生部の2つではなく、Yアドレス発生部1つで発生させるアドレス発生器を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示すアドレスパターン発生器のブロック図である。
【図2】アドレスセレクタ40でのアドレス選択割り付け例を示す。
【図3】変換メモリ50のアドレス割り付け例を示す。
【図4】カラムアドレスのビットに対するバースト長制御の関係を示す。
【図5】マルチプレクサ60の構成例を示す。
【図6】実施例2によるアドレスパターン発生器のブロック図を示す。
【図7】バーストアドレスビット(B0ーB2)のYアドレスビットへの割り込みの関係を示す。
【図8】従来の半導体メモリ試験装置でのシーケンシャルモードのアドレス発生方法とバースト長の違いによるカラムアドレスの割り付けの違いを示す。
【図9】インターリーブモードのアドレス発生方法を示す。
【符号の説明】
10 Xアドレス発生器
11、21、31、92、211、212 レジスタ
12、22、32 演算部
20 Yアドレス発生器
23 算術論理演算部
30 Zアドレス発生器
35 フォーマッタ
40 アドレスセレクタ
50 変換メモリ
60、94、95マルチプレクサ
70 制御用レジスタ
80 アドレス演算エリア
90 インストラクションメモリ
91 カウンタ
93 排他的論理和ゲート
Claims (4)
- 被測定デバイスを試験するためのアドレスパターン発生器において、
Yアドレス発生部(20)からのYアドレス信号(Y0−2)と、Zアドレス発生部(30)からのZアドレス信号(Z0−2)と、インストラクションメモリ(90)からの動作モード制御信号(C0)から、予め設定されたデータによって選択されたnビットからなる変換メモリアドレスを出力するアドレスセレクタ(40)を設け、
上記変換メモリアドレスをアドレス信号として一定の変換テーブル内容を読み出してバーストアドレス(B0−2)を出力する変換メモリ(50)を設け、
当該変換メモリ(50)の出力であるバーストアドレス(B0−2)と、当該Yアドレス発生部(20)からのYアドレス信号(Y0−2)とを、インストラクションメモリ(90)からのバースト長制御信号(BS0−2)に応じて、各ビット毎に選択出力するマルチプレクサ(60)を設けたことを特徴とするアドレスパターン発生器。 - アドレスセレクタ(40)は、 アドレスポインタ(41)とデコーダ(42)により、選択データ(S1、S2、S3)を格納するnビット数からなるレジスタ(431、432、433)と、
当該選択データ(S1、S2、S3)に応じて、Yアドレス発生部(20)からのYアドレス信号(Y0−2)と、Zアドレス発生部(30)からのZアドレス信号(Z0−2)と、インストラクションメモリ(90)からの動作モード制御信号(C0)から、nビットからなる変換メモリアドレスを出力するマルチプレクサ(441、442)とから成る、請求項1記載のアドレスパターン発生器。 - 被測定デバイスを試験するためのアドレスパターン発生器において、
インストラクションメモリ(90)からの制御信号により、シーケンシャルモードの場合はYアドレス発生部(20)からのYアドレス信号の下位信号(Y0−2)をロードし、インターリーブモードの場合は固定値(#0)をロードするカウンタ(91)を設け、
当該カウンタ(91)の出力信号を1入力端に与え、Yアドレス発生部(20)からのYアドレス信号の下位信号(Y0−2)を他の入力端に与える排他的論理和ゲート(93)を設け、
インストラクションメモリ(90)からの制御信号により、シーケンシャルモードの場合は当該カウンタ(91)の出力信号を、インターリーブモードの場合は当該排他的論理和ゲート(93)の出力信号を選択するマルチプレクサ(94)を設け、
インストラクションメモリ(90)からの制御信号により、データビットが1の場合は当該マルチプレクサ(94)の出力信号を選択し、データビットが0の場合はYアドレス発生部(20)の出力信号をビット毎に選択するマルチプレクサ(95)を設け、
上記構成を具備したことを特徴とするアドレスパターン発生器。 - インストラクションメモリ(90)からの各信号は、
インストラクションメモリ(90)からの各信号をラッチするレジスタ(70、92)を設け、
当該レジスタ(70、92)の出力から供給される信号である、
請求項1、2又は3記載のアドレスパターン発生器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22097994A JP3605150B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | アドレスパターン発生器 |
KR1019950025631A KR100198521B1 (ko) | 1994-08-22 | 1995-08-21 | 어드레스 패턴 발생기 |
US08/517,271 US5835969A (en) | 1994-08-22 | 1995-08-22 | Address test pattern generator for burst transfer operation of a SDRAM |
US09/016,710 US5940875A (en) | 1994-08-22 | 1998-01-30 | Address pattern generator for burst address access of an SDRAM |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22097994A JP3605150B2 (ja) | 1994-08-22 | 1994-08-22 | アドレスパターン発生器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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