JP3602010B2 - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶装置の製造方法に関し、より詳細には、フローティングゲート及びコントロールゲートを有し、フローティングゲート間に絶縁膜を配置させる半導体記憶装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、フローティングゲート及びコントロールゲートを有する半導体記憶装置において、低電圧化を図るために、カップリング比(C2/(C1+C2)、
C1:フローティングゲート・半導体基板間の結合容量、C2:フローティングゲート・コントロールゲート間の結合容量)を増大させる方法が、例えば、特開平9−102554号公報に提案されている。
以下に、この方法における半導体記憶装置の製造方法を説明する。なお、図28(a)〜図29(g)は図27(a)におけるX−X’線断面図であり、図28(a’)〜図29(g’)は図27(a)におけるY−Y’線断面図を示す。
【0003】
まず、図28(a)及び(a’)に示したように、P型半導体基板21の活性領域上に、熱酸化法により膜厚10nm程度のトンネル酸化膜22を形成し、さらに、下層フローティングゲート用の材料として、膜厚が100nm〜200nmで、燐が不純物としてドープされたポリシリコン膜23を形成する。その上に、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングしてレジストパターンR1(図27(b)参照)を形成する。次いで、レジストパターンR1をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりポリシリコン膜23、トンネル酸化膜22を順次エッチングしてフローティングゲートに加工する。
【0004】
続いて、図28(b)及び(b’)に示したように、レジストパターンR1及びポリシリコン膜23をマスクとして用いて、例えば、砒素を基板表面に対する法線方向から7°傾斜させて(以下、単に「7°で」と記す)、70keVの加速エネルギー、1×1015/cm2のドーズ でイオン注入し、高濃度の不純物層29を形成する。
【0005】
次に、レジストパターンR1を除去した後、図28(c)及び(c’)に示したように、ポリシリコン膜23をマスクとして用いて、例えば、燐を基板表面に垂直な方向から(以下、単に「0°で」と記す)、50KeV、3×1013/cm2でイオン注入し、低濃度の不純物層28を形成する。
【0006】
図28(d)及び(d’)に示したように、得られた半導体基板21を、窒素雰囲気中で、900℃、10分間熱処理を行うことにより、不純物が活性化された不純物層28a及び29aを形成する。
【0007】
図28(e)及び(e’)に示したように、半導体基板21上全面に、CVD(化学気相成長)法により膜厚200〜300nm程度のシリコン酸化膜を形成し、ポリシリコン膜23が露出するまで反応性イオンエッチングによりシリコン酸化膜をエッチバックして、フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜30を形成する。この際、ポリシリコン膜23の側壁が一部露出する程度に埋め込み絶縁膜30を配置させる。
【0008】
次に、図29(f)及び(f’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、半導体基板21上全面に、燐が不純物としてドープされたポリシリコン膜を100nm程度堆積し、このポリシリコン膜を反応性イオンエッチングによりエッチバックすることにより、フローティングゲートの突起部となるポリシリコン膜31を形成する。
【0009】
続いて、図29(g)及び(g’)に示したように、熱酸化法により得られた半導体基板21上に、6nmのシリコン酸化膜、CVD法による8nmのシリコン窒化膜、6nmのシリコン酸化膜を順次堆積することにより、フローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電膜となるONO膜32を形成し、さらに、その上に、燐が不純物としてドープされたポリシリコン膜を100nm、タングステンシリサイド膜を100nmを順次堆積することにより、膜厚200nmのポリサイド膜を形成する。その上に、レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングしてレジストパターンR3(図27(b)参照)を形成する。続いて、レジストパターンR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングにより、ポリサイド膜、ONO膜32、ポリシリコン膜31及びポリシリコン膜23を順次エッチングして、コントロールゲート13及びフローティングゲート23a、31aを形成する。
【0010】
レジストR3を除去した後、コントロールゲート33をマスクとして用いて、例えば、硼素を0°、10〜40KeV、5×1012〜5×1013/cm2でイオン注入し、メモリ素子分離用の不純物層34を形成する。。
その後、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
上記のように、カップリング比C2/C1を増大させたソース/ドレイン非対称の半導体記憶装置の等価回路図を図30に示す。
【0011】
図30において、Tr.00〜Tr.32はフローテイングゲートを有するメモリセルであり、WL0〜3はメモリセルのコントロールゲートと接続されたワード線、BL0〜3はメモリセルのドレイン/ソース共通拡散配線層と接続されたビット線である。ワード線WL0はTr.00、Tr.01、Tr.02のコントロールゲートと、ワード線WL1はTr.10、Tr.11、Tr.12のコントロールゲートと(以下省略)それぞれ接続されている。また、ビット線BL1はTr.01、Tr.11、Tr.21、Tr.31のドレイン又はTr.00、Tr.10、Tr.20、Tr.30のソースとに接続されており、ビット線BL2はTr.02、Tr.12、Tr.22、Tr.32のドレイン又はTr.01、Tr.11、Tr.21、Tr.31のソースとに接続されている。
【0012】
また、図30におけるTr.11を選択した時の読み出し、書き込み及び消去の動作電圧を表1に示す。さらに、図31はTr.11を選択して読み出す状態、図32はTr.11を選択して書き込む状態、図33はTr.11を含むワード線WL1に接続されたTr.10 、Tr.12を消去する状態を示す。
【0013】
【表1】
【0014】
メモリセルの書き込みの定義をVth<2V、消去の定義をVth>4Vとする。
読み出し時においては、図31及び表1に示したように、コントロールゲートに3V印加し、基板とドレインとを接地し、ソースに1V印加することで電流iが流れ、メモリセルの情報を読み出すことができる。
【0015】
書き込み時においては、図32及び表1に示したように、Tr.11の書き込みには、コントロールゲートに−12V印加し、基板を接地し、ドレインに4V印加することでドレインとフローティングゲートのオーバーラップ領域の薄い酸化膜に流れるFNトンネル電流を用いて、フローティングゲートから電子を引き抜くことにより行うことができる。このとき、正の電圧が印加されたドレインと共通のTr.10のソースにも4Vの電圧が印加されるが、不純物濃度が薄いために基板側に空乏層が広がり、実際にソースとフローティングゲートのオーバーラップ領域の薄い酸化膜に加わる電界はFNトンネル電流が発生するのには不充分となり、その結果、選択的にドレイン側(高濃度不純物層側)とオーバーラップしているフローティングゲートを有するメモリセルにのみ書き込みが行われる。
【0016】
消去時においては、図33及び表1に示したように、Tr.11の消去には、コントロールゲートに12V印加し、ソース/ドレイン及び基板に−8V印加することで、チャネル全体に流れるFNトンネル電流を用いてフローティングゲートへ電子を注入することにより行うことができる。この際、Tr.11とワード線WL1を介して接続されたTr.10、Tr.12のコントロールゲートとソース/ドレイン/基板との間の印加電圧状態は同じで、選択されたワードラインに接続されたメモリセルは同時に消去される。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
図29(g)及び(g’)に示したように、フローティングゲート23a、31aとなるポリシリコン膜23、31及びコントロールゲート13となるポリサイド膜をパターニングする際、ポリサイド膜、ONO膜12及びポリシリコン膜31をエッチング除去した時点で、埋め込み絶縁膜30が露出するため、埋め込み絶縁膜30がエッチング保護膜としての機能も果たす。また、この埋め込み絶縁膜30表面には、ポリシリコンのエッチングに対して高選択比を保つ反応生成物35が生成され、この反応生成物35が、埋め込み絶縁膜30の表面を保護することとなる。
【0018】
このような状態で、ポリシリコン膜23のエッチングがさらに進行すると、図34(a)に示したように、埋め込み絶縁膜30の側部である垂直面にポリシリコン膜23の一部23bが、埋め込み絶縁膜30の高さよりもやや低いフェンス状に残存する。これは、図34(b)に示したように、埋め込み絶縁膜30の表面に生成される反応生成物35の張り出し又は埋め込み絶縁膜30側部のポリシリコンの反応生成物35による被膜によって、埋め込み絶縁膜30の側部のポリシリコン膜23bのエッチングの進行が、局所的に鈍化するためである。
【0019】
このように、ポリシリコン膜23bの埋め込み絶縁膜30側部における残存により、コントロールゲートのパターニング時に分離されるはずのフローティングゲートが短絡することとなり、半導体記憶装置の不良を招く。
上記のような、埋め込み絶縁膜30との選択比が高いポリシリコンエッチング条件をポリシリコン膜23の加工に用いる場合、フェンス状のポリシリコン膜23bが残らない条件は、埋め込み絶縁膜30の高さが50nm程度以下である。
【0020】
一方、埋め込み絶縁膜30との選択比の低いポリシリコンエッチング条件をポリシリコン膜23の加工に用いる場合、埋め込み絶縁膜30の表面に生成される反応生成物が抑制される。したがって、ポリシリコンエッチング中に埋め込み絶縁膜が膜減りし、埋め込み絶縁膜30の垂直部の高さが小さくなる。この高さが50nm以下になった場合に限り、フェンス状の導電膜が残存しなくなる。
【0021】
しかし、上述の選択比の低いポリシリコンエッチング条件を用いると、導電膜のエッチングを完了した時点で、埋め込み絶縁膜30の高さを50nm以下に制御することは困難である。つまり、埋め込み絶縁膜30を成膜した際のプロセスのばらつきと、埋め込み絶縁膜30にエッチバックした際のプロセスのばらつきとを考慮し、さらに導電膜のエッチングの際の膜べりのばらつきを考慮して、総合的に埋め込み絶縁膜30の膜厚を制御することは非常に困難である。
【0022】
また、後工程で形成されるコントロールゲート33等の上層膜の形成等を含むプロセスのばらつきを考慮した場合、これらプロセスのばらつきを下層膜である埋め込み絶縁膜30等で吸収するためには、埋め込み絶縁膜30との選択比が高い導電膜を使用することが必須となる。
このように、絶縁膜との選択比が高い導電膜を使用することが必要となる一方で、導電膜の側部で接する絶縁膜を薄膜化することも必要となる。
【0023】
さらに、コントロールゲート33を形成する際のパターニングにおいては、コントロールゲート用の導電膜、ONO膜32及びフローティングゲート用の導電膜のエッチングが必要になるため、ONO膜32のエッチング量に相当する膜厚を考慮した厚膜のエッチング保護膜を要する。つまり、エッチング保護膜として機能するフローティングゲート用の導電膜の間に埋め込まれる埋め込み絶縁膜30を、ONO膜32の垂直被覆部の高さとONO膜32自身の膜厚の合計膜厚より厚くする必要がある。
しかし、すでに述べたように、埋め込み絶縁膜30の薄膜化と、このような厚膜化とは両立せず、コントロールゲート33の加工を困難にする。
【0024】
また、カップリング比の増大を目的としたフローティングゲートの突起部となる導電膜をエッチバック法により加工する際、フローティングゲート間のスペース幅が突起部となる導電膜の膜厚の約3倍以上なければ、突起部となる導電膜がスペースに埋め込まれてしまい、エッチバックではサイドウォールスペーサ状に加工できない。よって、このようなスペースの確保のために、半導体記憶装置を微細化することは困難となる。
【0025】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フローティングゲート及びコントロールゲートを有する半導体記憶装置において、コントロールゲート加工時に用いるエッチング保護膜を、下層フローティングゲートに対して自己整合的に形成し、さらに上層フローティングゲートをエッチング保護膜に対して自己整合的に形成することにより、メモリセルの微細化を図るとともに、コントロールゲートの加工を容易にすることができる半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、(a)半導体基板上にトンネル酸化膜、下層フローティングゲートとなる第1導電膜、第1絶縁膜及び第2絶縁膜を順次形成し、これら第2絶縁膜、第1絶縁膜、第1導電膜及びトンネル酸化膜を、順次、所定の形状にパターニングし、
(b)得られた半導体基板上全面に第3絶縁膜を形成して、前記パターニングされた第1導電膜間に第3絶縁膜を埋め込み、
(c)該第3絶縁膜を前記第2絶縁膜が露出するまで後退させ、
(d)前記第2絶縁膜を除去し、
(e)前記第1絶縁膜を完全に除去するが、前記第3絶縁膜は完全に除去されず、第1絶縁膜近傍の角部からラウンドエッチされるように、前記第3絶縁膜を後退させながら前記第1絶縁膜を除去し、
(f)前記第1導電膜及び第3絶縁膜上に、上層フローティングゲートとなる第2導電膜を形成し、
(g)前記第2導電膜を第3絶縁膜が露出するまで平坦化し、
(h)前記第2導電膜及び第3絶縁膜上に層間容量膜及びコントロールゲートとなる第3導電膜を形成し、これら第3導電膜、層間容量膜、第2導電膜、第1導電膜をパターニングして、
【0027】
半導体基板上にトンネル酸化膜を介してフローティングゲート、層間容量膜及びコントロールゲートを順次形成してなる半導体記憶装置の製造方法が提供される。
【0029】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体記憶装置の製造方法における工程(a)においては、まず、半導体基板上にトンネル酸化膜、下層フローティングゲートとなる第1導電膜、第1絶縁膜及び第2絶縁膜を順次形成し、これらの膜を、順次、所望の形状にパターニングする。
【0030】
ここで使用される半導体基板は、通常半導体記憶装置に使用されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、GaAs、InGaAs、ZnSe等の化合物半導体が挙げられる。なかでもシリコンが好ましい。
トンネル酸化膜は、公知の方法、例えば、シリコン酸化膜を熱酸化法等によって、膜厚7〜15nm程度で形成することができる。
【0031】
第1導電膜は、通常フローティングゲートに使用される導電膜であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ポリシリコン;銅、アルミニウム等の金属;タングステン、タンタル、チタン等の高融点金属;高融点金属とのシリサイド;ポリサイド等が挙げられるが、中でもポリシリコンが好ましい。第1導電膜は、スパッタ法、蒸着法、CVD法等で、膜厚50〜150nm程度で形成することができる。
【0032】
第1絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の比較的エッチングレートの大きな膜を、CVD法等によって、膜厚50〜150nm程度で形成することができる。また、第2絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜等を、CVD法等によって、膜厚300〜800nm程度で形成することができる。なお、第1及び第2絶縁膜は、後工程において形成される他の膜とのエッチングレート等を考慮して、その材料、膜質及び成膜方法等を適宜選択することができる。
【0033】
これら第2絶縁膜、第1絶縁膜、第1導電膜及びトンネル酸化膜のパターニングは、公知のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、所望の形状のレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いて行うことができる。また、パターニングの際、第1絶縁膜と第2絶縁膜とをテーパ状にパターニングしてもよい。ここでのテーパ角度は、後工程である工程(e)における、いわゆるラウンドエッチの円弧の傾斜角度又は円率に影響を与えるものであるため、これら角度等を考慮して適宜選択することができる。例えば、60〜90°程度が挙げられる。テーパ状にパターニングする方法は、公知の方法、例えば、エッチングを2ステップで行い、それぞれのエッチング中に、パターン側壁に発生する反応生成物をコントロールする方法等が挙げられる。
【0034】
なお、工程(b)の前に、さらに、パターニングされた第1導電膜の側壁に、第1絶縁膜とエッチングレートがほぼ等しいサイドウォール絶縁膜、熱酸化膜又は熱酸化膜とサイドウォール絶縁膜との双方を形成してもよい。なお、サイドウォール絶縁膜は、第1導電膜の側壁のみならず、第1及び第2絶縁膜の側壁に配置していてもよい。サイドウォール絶縁膜としては、例えば、第1絶縁膜と同様の方法で形成した同様の材料の膜が挙げられる。また、成膜時には第1絶縁膜よりもエッチングレートは大きいが、熱処理等による緻密化によって第1絶縁膜とエッチングレートをほぼ同じとする膜でもよい。サイドウォール絶縁膜の形成方法は、公知の方法、例えば、所定の膜厚の絶縁膜を得られた半導体基板上全面に堆積し、エッチバックすることにより形成することができる。
【0035】
また、熱酸化膜は、第1導電膜が形成された半導体基板を、例えば、酸素雰囲気下又は空気中で、800〜1000℃程度の温度範囲で、1〜100分間程度の熱処理することにより形成することができる。熱酸化膜の膜厚は、例えば2〜50nm程度が挙げられる。なお、熱酸化によって、第1導電膜側壁のみならず、露出している半導体基板表面においても熱酸化膜が形成されることとなるため、熱処理が終わった後に、半導体基板表面の熱酸化膜は、例えば、ドライエッチングにより除去することが好ましい。
【0036】
さらに、熱酸化により熱酸化膜を形成した後、絶縁膜を堆積し、これら絶縁膜及び熱酸化膜を順次エッチバックすることにより、パターニングされた第1導電膜の側壁及び第1導電膜の外周部の半導体基板上に熱酸化膜を、さらに熱酸化膜上と第2及び第3絶縁膜の側壁とにサイドウォール絶縁膜を形成してもよい。
【0037】
工程(b)において、得られた半導体基板上全面に第3絶縁膜を形成する。第3絶縁膜としては、希HFを用いた等方エッチングにより、第1絶縁膜と第3絶縁膜とのエッチングレートがほぼ同じとなるような絶縁膜が挙げられる。例えば、第1絶縁膜として、CVDシリコン酸化膜を形成した場合には、第3絶縁膜としては、CVDシリコン酸化膜、プラズマCVD法によるシリコン酸化膜、高密度プラズマCVD(HDP−CVD)法によるシリコン酸化膜等が挙げられる。第3絶縁膜の膜厚は、400〜600nm程度が挙げられる。
【0038】
工程(c)において、第3絶縁膜を第2絶縁膜が露出するまで後退させる。ここでの後退させる方法は、第2及び第3絶縁膜の材料、膜質等により、適宜選択することができる。例えば、ふっ酸、熱リン酸、硝酸、硫酸等を用いたウェットエッチング、RIE法等のドライエッチング、CMP(化学的機械的研磨)法等種々の方法が挙げられる。第2絶縁膜としてシリコン窒化膜、第3絶縁膜としてHDP−CVDシリコン酸化膜を用いた場合には、ふっ酸を用いたウェットエッチング、CMP法等が好ましい。
【0039】
工程(d)において、第2絶縁膜を除去する。ここでの除去は、工程(c)における後退させる方法と同様の方法が挙げられるが、第3絶縁膜に比べて第2絶縁膜を選択的にエッチングすることができる方法が好ましい。第2絶縁膜としてシリコン窒化膜、第3絶縁膜としてHDP−CVDシリコン酸化膜を用いた場合には、熱リン酸を用いたウェットエッチングが好ましい。
【0040】
工程(e)において、第3絶縁膜を後退させながら第1絶縁膜を除去する。つまり、ここでの除去は、第1絶縁膜を完全に除去するが、第3絶縁膜は完全に除去されず、第1絶縁膜近傍の角部から、いわゆるラウンドエッチされるように除去することが好ましい。具体的な除去方法は、工程(c)における後退させる方法と同様の方法が挙げられるが、第3絶縁膜のエッチングレートが第1絶縁膜のエッチングレートよりも小さいか、ほぼ同じにエッチングすることができる方法を選択することが好ましい。例えば、ふっ酸を用いたウェットエッチングが好ましい。なお、第1及び第3絶縁膜のエッチングレートの差は、第3絶縁膜のラウンドエッチの傾斜角度に影響を与える。つまり、第3絶縁膜のエッチングレートが第1絶縁膜のエッチングレートとほぼ同じ場合には、第3絶縁膜のエッチングレートが小さい場合に比較して、第3絶縁膜のラウンドエッチの傾斜角度が緩やかになり、その後工程であるコントロールゲートの加工、特に傾斜部での加工が容易となる。
【0041】
また、先の工程において、パターニングされた第1導電膜の側壁に第1絶縁膜とエッチングレートがほぼ等しいサイドウォール絶縁膜、熱酸化膜又は熱酸化膜とサイドウォール絶縁膜との双方が形成されている場合には、ここでの第3絶縁膜のラウンドエッチの傾斜角度がこれらサイドウォール絶縁膜や熱酸化膜のエッチングレートに応じて緩やか又は急峻となるように調整することができる。特に、熱酸化膜を形成したり、サイドウォール絶縁膜を形成した後に熱処理をする場合には、第2絶縁膜やサイドウォール絶縁膜を、この熱処理によって緻密化して、エッチングレートを低下させることができるため、この工程における第3絶縁膜のラウンドエッチの傾斜角度を容易に調整することができる。
【0042】
工程(f)において、第1導電膜及び第3絶縁膜上に、上層フローティングゲートとなる第2導電膜を形成する。ここでの第2導電膜は、第1導電膜と同様の方法で形成した、同様の材料の膜を挙げることができる。なかでも、ポリシリコンが好ましい。なお、第1導電膜と第2導電膜は必ずしも同一の膜である必要はないが、同一の膜で形成することが好ましい。第2導電膜の膜厚は、第1導電膜の膜厚、残存する第3絶縁膜の膜厚等により、適宜調整することができるが、残存する第3絶縁膜の膜厚より若干厚膜に、具体的には100〜200nm程度の膜厚で形成することが好ましい。
【0043】
工程(g)において、第2導電膜を第3絶縁膜が露出するまで平坦化する。ここでの平坦化は、工程(c)における後退させる方法と同様の方法が挙げられるが、なかでも、CMP法が好ましい。これにより、第2導電膜及び第3絶縁膜の表面を平坦化することができる。なお、この工程の後、さらに、第2導電膜の側壁の一部が露出するように、第3絶縁膜を若干除去する工程を追加してもよい。この際の第3絶縁膜の除去は、第3絶縁膜を選択的に除去できる方法を選択することが好ましく、除去する第3絶縁膜の膜厚は、10〜50nm程度が挙げられる。
【0044】
工程(h)において、第2導電膜及び第3絶縁膜上に層間容量膜及びコントロールゲートとなる第3導電膜を形成する。層間容量膜としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、これらの積層膜等を、上述した方法と同様の方法で形成することができる。層間容量膜の膜厚は、10〜20nm程度が挙げられる。第3導電膜は、第1導電膜と同様の方法で形成した、同様の材料の膜を挙げることができる。なお、第1導電膜と第3導電膜は同一の膜又は異なる膜のいずれでもよい。なかでも、高融点金属のポリサイド膜が好ましい。第3導電膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、例えば、100〜300nm程度が挙げられる。
これら第3導電膜、層間容量膜、第2導電膜、第1導電膜を順次パターニングする。パターニングは、工程(a)と同様に行うことができる。
【0045】
これらの工程により、工程(a)で予備的にパターニングされた第1導電膜を下層フローティングゲートとして、工程(g)で第3絶縁膜の間に埋め込まれて表面が平坦化された第2導電膜を上層フローティングゲートとして形成することができるとともに、上層フローティングゲート上に形成された第3導電膜を、複数のフローティングゲート上に一体的形状のコントロールゲートとして、さらに層間容量膜を第3導電膜と同じ形状に形成することができる。
【0046】
なお、本発明の半導体記憶装置の製造方法においては、所望の工程前、中、後に、低濃度及び/又は高濃度不純物層を形成するためのイオン注入を行うことが好ましい。この場合のイオン注入は、不純物層がフローティングゲートの両側で対称に形成されるように行ってもよいし、非対称に形成されるように行ってもよい。また、イオン注入は、不純物層の形成位置、不純物濃度、イオン注入方法等に応じて、基板に対して垂直な方向から又は所定角度傾斜させて行ってもよい。
【0047】
本発明の半導体記憶装置の製造方法により得られた半導体記憶装置は、実質的には、従来例で述べた動作と同様に動作させることができる。
以下に、本発明の半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0048】
実施の形態1
この実施の形態で形成する半導体記憶装置は、図1(a)に示すように、下層フローティングゲートとその上に積層された上層フローティングゲートとからなるフローティングゲートと、フローティングゲート上に形成されたコントロールゲートとを有する。
【0049】
以下に、このような半導体記憶装置の製造方法を説明する。なお、図2(a)〜図4(j)は図1(a)におけるX−X’線断面図であり、図2(a’)〜図4(j’)は図1(a)におけるY−Y’線断面図を示す。
まず、図2(a)及び(a’)に示したように、P型半導体基板1の活性領域上に、熱酸化法により、膜厚10nm程度のシリコン酸化膜からなるトンネル酸化膜2、その上に膜厚50nmで、下層フローティングゲートの材料となる燐が不純物としてドープされたポリシリコン膜(以下「燐ドープポリシリコン膜」と称する)3、膜厚50nm〜150nm程度のCVD法によるシリコン酸化膜4、膜厚200nm程度のシリコン窒化膜5を順次堆積する。その後、シリコン窒化膜5上に、図1(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR1を形成する。このレジストR1をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりシリコン窒化膜5、シリコン酸化膜4、ポリシリコン膜3、トンネル酸化膜2を順次エッチングして下層フローティングゲートの加工を行う。
【0050】
次に、レジストR1を除去した後、図2(b)及び(b’)に示したように、フローティングゲートをマスクとして用いて、例えば、砒素を0°から、5〜40KeV、5×1012〜5×1013/cm2のドーズでイオン注入し、さらに図2(c)及び(c’)に示したように、例えば、砒素を−7〜−25°から、5〜40KeV、1×1015〜1×1016/cm2のドーズでイオン注入して不純物層8、9を形成し、熱処理によって不純物を活性化する。
続いて、図2(d)及び(d’)に示したように、HDP−CVD法によりシリコン酸化膜10を膜厚400nm〜600nm程度堆積する。
【0051】
次いで、図3(e)及び(e’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面をエッチングし、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出させる。なお、シリコン窒化膜5直上であって、シリコン酸化膜10の表面には、HDP−CVD法による酸化膜に特有の突起が形成されているが、この際のエッチングでは、この突起を除去しながら行われる。
【0052】
その後、図3(f)及び(f’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図3(g)及び(g’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。このようにして、下層フローティングゲート間のスペースに、埋め込み絶縁膜10bの埋め込みを行った。
【0053】
次に、図3(h)及び(h’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐が不純物としてドープされたポリシリコン膜11を膜厚100nmで堆積し、図4(i)及び(i’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートの加工を行う。
【0054】
その後、上層フローティングゲート表面に、熱酸化法により6nmのシリコン酸化膜を、CVD法により8nmのシリコン窒化膜を、さらに6nmのシリコン酸化膜を順次堆積してONO膜12を形成し、その上に、例えば、燐ドープポリシリコン膜を100nm、タングステンシリサイド膜を100nm順次堆積し、コントロールゲートの材料となるポリサイド膜13aを膜厚200nmで堆積する。次に、フォトリソグラフィ技術により、図1(b)に示すようなレジストR3を形成し、このレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲートとなるポリサイド膜13、ONO膜12、ポリシリコン膜11a、ポリシリコン膜3を順次エッチングして、コントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成する。続いて、レジストR3を除去し、コントロールゲート13aをマスクとして用いて、例えば、硼素を0°、10〜40KeV、5×1012〜5×1013/cm2でイオン注入し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
その後、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
【0055】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼下層フローティングゲート3aとなるポリシリコン膜3の膜厚を50nm程度にしておくことで、後工程において、ポリシリコン膜3上のシリコン酸化膜4を除去しながら、HDP−CVD酸化による埋め込み絶縁膜10aを等方的にラウンドエッチすることによって、シリコン酸化膜4を除去した時点で、下層フローティングゲート側壁には、フローティングゲートと同じ又はそれ以下の膜厚の埋め込み絶縁膜が残存することとなる。このように、埋め込み絶縁膜10aの下層フローティングゲート側壁近傍の膜厚のばらつきは、シリコン酸化膜4の成膜及び除去時のエッチングばらつきによって決まり、埋め込み絶縁膜10の成膜ばらつきと独立して考えられる。したがって、シリコン酸化膜4の薄膜化することにより、このばらつきを抑えることができ、下層フローティングゲート側壁近傍の埋め込み絶縁膜10aを所望の膜厚になるように制御よく形成することができる。
【0056】
また、▲2▼埋め込み絶縁膜10aがラウンドエッチされ、この埋め込み絶縁膜10aが、円弧状で上に凸の傾斜を備えた形状に加工されることにより、コントロールゲート加工時において、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜のエッチ残りが発生しにくくなる。
【0057】
さらに、▲3▼シリコン酸化膜4と埋め込み絶縁膜10aとのエッチングレートの比は、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの円弧部の傾斜角度に作用するため、シリコン酸化膜4と埋め込み絶縁膜10aとのエッチレートの比をシリコン酸化膜4/埋め込み絶縁膜10a>1に制御することにより、埋め込み絶縁膜のラウンドエッチの幅をシリコン酸化膜の膜厚以下とすることができ、これにより、後工程で形成される上層フローティングゲートの幅を微細化することが可能となる。
【0058】
また、▲4▼シリコン酸化膜4と埋め込み絶縁膜10aとの膜厚を任意に設定することで、上層フローティングゲートの円弧垂直部の高さを50nm程度以下とすることができるため、コントロールゲートをパターニングする際に同時にパターニングされる上層フローティングゲート材料のエッチ残りを防止することができる。
【0059】
さらに、▲5▼下層フローティングゲートに対して自己整合的に埋め込み絶縁膜を形成することができ、さらに、この埋め込み絶縁膜に対して自己整合的に上層フローティングゲートを形成することができるため、フローティングゲートの微細化を図ることができるとともに、フローティングゲート下面のゲート幅とフローティングゲート上面のゲート幅とのばらつきを抑えることができ、ひいては、カップリング比のばらつきを抑えることができる。
【0060】
また、▲6▼上層フローティングゲートの表面が平坦化されるため、その上に形成される層間容量膜の薄膜化が可能となり、層間容量膜を介したカップリング比が向上し、書き込み速度が向上するとともに、コントロールゲートとなる導電膜を平坦に堆積することができるため、コントロールゲート加工時のオーバーエッチ量を少なくさせ、製造コストの低減等を図ることができる。
【0061】
実施の形態2
実施の形態1と同様の工程により、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5、不純物層8a、9aを形成し、さらに、HDP−CVD法により、シリコン酸化膜4とウェットエッチレートがほぼ等しいシリコン酸化膜10を形成し、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン窒化膜5の上面を露出させる。続いて、図5(a)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去する。
さらに、図5(b)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。
その後、実施の形態1と同様の工程により、半導体記憶装置を完成する。
【0062】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼シリコン酸化膜4と埋め込み絶縁膜10aとのエッチングレートがほぼ等しくすることにより、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅をより広くすることができる。これにより、円弧状で上に凸の傾斜を緩やかにし、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。また、フローティングゲート上面の面積を増大させて、層間容量膜を介したカップリング比を向上させ、ひいては、書き込み速度を向上させることができる。
【0063】
実施の形態3
まず、実施の形態1と同様に、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5を順次形成し、下層フローティングゲートの加工を行う。次に、図6(a)及び(a’)に示したように、CVD法によりシリコン酸化膜を膜厚25nm〜75nm程度堆積し、反応性イオンエッチングによりシリコン酸化膜をエッチバックして、下層フローティングゲート側壁にサイドウォール絶縁膜7aを形成する。
【0064】
続いて、図6(b)及び(b’)に示したように、下層フローティングゲート及びサイドウォール絶縁膜7aをマスクとして用いて、図2(b)と同様にイオン注入して不純物層8を形成し、図6(c)及び(c’)に示したように、熱処理によって不純物を活性化し、サイドウォール絶縁膜7aの下方にまで延びる不純物層8aを形成する。
次いで、図6(d)及び(d’)に示したように、図2(c)と同様にイオン注入し、熱処理を行って、不純物層9を形成する。
【0065】
次に、図7(e)及び(e’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となるシリコン酸化膜10を400nm〜600nm程度堆積し、図7(f)及び(f’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出する。ただし、この際、シリコン酸化膜10は、サイドウォール絶縁膜7aが露出しない程度に除去することが必要である。
【0066】
その後、図7(g)及び(g’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図7(h)及び(h’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10a及びサイドウォール絶縁膜7aのラウンドエッチを行う。このようにして、下層フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜10b及びサイドウォール絶縁膜7bの埋め込みを行う。
【0067】
次いで、図8(i)及び(i’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を膜厚100nmで堆積し、図8(j)及び(j’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートの加工を行う。
【0068】
その後、図8(k)及び(k’)に示したように、実施の形態1と同様に、ONO膜12、ポリサイド膜13を形成し、順次エッチングして、コントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
続いて、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
【0069】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、さらに、▲1▼サイドウォール絶縁膜7aの幅を制御することにより、容易に埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅を制御することが可能となる。特に、シリコン酸化膜4の膜厚よりもサイドウォール絶縁膜7aの幅を大きくした場合には、シリコン酸化膜4と埋め込み絶縁膜10aとのエッチングレート比には関係なく、埋め込み絶縁膜10aの円弧の幅が等方エッチ量で決まるため、ラウンドエッチの幅の制御性に優れている。
また、▲2▼サイドウォール絶縁膜7aを通して不純物を注入して不純物層を形成するため、サイドウォール絶縁膜7aの幅を制御することにより、不純物層が下層フローティングゲート3aとオーバーラップする幅の最適化を行うことができるため、フローティングゲートの微細化を容易に実現することができる。
【0070】
実施の形態4
まず、図9(a)及び(a’)に示したように、実施の形態1と同様に、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5を順次形成し、下層フローティングゲートの加工を行う。
【0071】
次いで、図9(b)及び(b’)に示したように、P型半導体基板1の露出した部分及びポリシリコン膜3の側壁を熱酸化して、膜厚が2〜50nm程度の熱酸化膜6を形成する。なお、この熱酸化により、シリコン酸化膜4は、緻密化されてウエットエッチのレートが低いシリコン酸化膜4aとなる。
【0072】
その後、図9(c)及び(c’)に示したように、P型半導体基板1上のシリコン酸化膜6をドライエッチにより除去し、下層フローティングゲート側壁にのみシリコン酸化膜6aを残存させる。この下層フローティングゲート及びをシリコン酸化膜6aをマスクとして用いて、図2(b)と同様にイオン注入することにより、不純物層8を形成する。
続いて、図9(d)及び(d’)に示したように、図2(c)と同様にイオン注入することにより、不純物層9を形成する。この後、熱処理によって不純物層8、9を活性化する。
【0073】
次いで、図10(e)及び(e’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となる埋め込み絶縁膜10を400nm〜600nm程度堆積し、図10(f)及び(f’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出する。
【0074】
その後、図10(g)及び(g’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図10(h)及び(h’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。このようにして、下層フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜10bの埋め込みを行う。
【0075】
続いて、図11(i)及び(i’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を100nm堆積し、図11(j)及び(j’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまで、ポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜11aに加工する。
【0076】
その後、図11(k)及び(k’)に示したように、ONO膜12、ポリサイド膜13を堆積し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲート13aを形成するとともに、下層フローティングゲート3a及び上層フローティングゲート11bからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
次いで、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
【0077】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼ポリシリコン膜3の側壁を熱酸化することにより、シリコン酸化膜4の膜質を緻密化し、このシリコン酸化膜4のエッチングレートを、後工程で堆積する埋め込み絶縁膜10のエッチングレートと同程度とすることができ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅をより広くすることができる。これにより、円弧状で上に凸の傾斜を緩やかにし、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。また、フローティングゲート上面の面積を増大させて、層間容量膜を介したカップリング比を向上させ、ひいては、書き込み速度を向上させることができる。
【0078】
実施の形態5
まず、図12(a)及び(a’)に示したように、実施の形態1と同様に、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5を順次形成し、下層フローティングゲートの加工を行う。
【0079】
次いで、図12(b)及び(b’)に示したように、P型半導体基板1の露出した部分及びポリシリコン膜3の側壁を熱酸化して、膜厚が2〜50nm程度の熱酸化膜6を形成する。なお、この熱酸化により、シリコン酸化膜4は、緻密化されてウエットエッチのレートが低いシリコン酸化膜4aとなる。
【0080】
その後、図12(c)及び(c’)に示したように、CVD法により絶縁膜となるシリコン酸化膜7を25nm〜75nm程度堆積し、反応性イオンエッチングによりシリコン酸化膜7及び熱酸化膜6をエッチバックして、下層フローティングゲート側壁にサイドウォール絶縁膜7a、6aを形成する。続いて、下層フローティングゲート及びサイドウォール絶縁膜7aをマスクとして用いて、例えば、図2(b)と同様にイオン注入することにより、不純物層8を形成する。
【0081】
次に、図12(d)及び(d’)に示したように、図2(c)と同様にイオン注入して不純物層9を形成する。この後、熱処理によって不純物層8、9を活性化し、さらに、不純物層8、9を下層フローティングゲート下にまで拡散させる。
続いて、図13(e)及び(e’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となるシリコン酸化膜10を400nm〜600nm程度堆積し、図13(f)及び(f’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出する。
【0082】
その後、図13(g)及び(g’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図13(h)及び(h’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10a及び7aのラウンドエッチを行う。このようにして、下層フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜10b及び7bの埋め込みを行う。
【0083】
その後、図14(i)及び(i’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を100nm堆積し、図14(j)及び(j’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜11aに加工する。
【0084】
続いて、図14(k)及び(k’)に示したように、ONO膜12、ポリサイド膜13を堆積し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
次いで、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
【0085】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼ポリシリコン膜3の側壁を熱酸化することにより、シリコン酸化膜4の膜質を緻密化し、このシリコン酸化膜4のエッチングレートを、後工程で堆積する埋め込み絶縁膜10のエッチングレートと同程度とすることができ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅をより広くすることができる。
また、▲2▼サイドウォール絶縁膜と埋め込み絶縁膜10aとのエッチングレートの比を、サイドウォール絶縁膜/埋め込み絶縁膜10a>1に制御することにより、階段状でかつ円弧状の上に凸の埋め込み絶縁膜を形成することができ、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。
【0086】
実施の形態6
まず、図15(a)及び(a’)に示したように、実施の形態5と同様に、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5を順次形成し、下層フローティングゲートの加工を行う。
【0087】
次いで、図15(b)及び(b’)に示したように、P型半導体基板1の露出した部分及びポリシリコン膜3の側壁を熱酸化して、膜厚が2〜50nm程度の熱酸化膜6を形成する。なお、この熱酸化により、シリコン酸化膜4は、緻密化されてウエットエッチのレートが低いシリコン酸化膜4aとなる。続いて、CVD法により絶縁膜となるシリコン酸化膜7を25nm〜75nm程度堆積し、反応性イオンエッチングによりシリコン酸化膜7及びシリコン酸化膜6をエッチバックして、下層フローティングゲート側壁にサイドウォール絶縁膜7a、6aを形成する。
【0088】
次に、図15(c)及び(c’)に示したように、下層フローティングゲート及びサイドウォール絶縁膜7aをマスクとして用いて、図2(b)と同様にイオン注入することにより、不純物層8を形成し、図15(d)及び(d’)に示したように、熱処理によって、サイドウォール絶縁膜7aの下にまで広がる不純物層8aを形成する。この際の熱処理は、サイドウォール絶縁膜7aを緻密化するのに十分なものとし、シリコン酸化膜4aと同程度のウエットエッチのレートであるサイドウォール絶縁膜7bとする。
【0089】
続いて、図16(e)及び(e’)に示したように、例えば、図2(c)と同様にイオン注入し、熱処理することによって不純物層8a、9を活性化し、下層フローティングゲート下にまで広がる不純物層9aを形成する。
次に、図16(f)及び(f’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となるシリコン酸化膜10を400nm〜600nm程度堆積し、図16(g)及び(g’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出する。
【0090】
その後、図16(h)及び(h’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図17(i)及び(i’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10a及び7aのラウンドエッチを行う。このようにして、下層フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜10b及び7bの埋め込みを行う。
【0091】
次いで、図17(j)及び(j’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を100nm堆積し、図17(k)及び(k’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜11aに加工する。
【0092】
続いて、図17(l)及び(l’)に示したように、ONO膜12、ポリサイド膜13を堆積し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。次いで、コントロールゲート13aをマスクとして用いて、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
その後、公知の技術により、層間絶縁膜を形成しコンタクトホール、及びメタル配線を形成する。
【0093】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼サイドウォール絶縁膜を形成した後熱処理を行うことにより、サイドウォール絶縁膜を緻密化して、
このサイドウォール絶縁膜のエッチングレートを、後工程で堆積する埋め込み絶縁膜10のエッチングレートと同程度とすることができ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅をより広くすることができる。これにより、円弧状で上に凸の傾斜を緩やかにし、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。また、フローティングゲート上面の面積を増大させて、層間容量膜を介したカップリング比を向上させ、ひいては、書き込み速度を向上させることができる。
【0094】
また、▲2▼サイドウォール絶縁膜を通して不純物を注入して不純物層を形成するため、サイドウォール絶縁膜の幅を制御することにより、不純物層が下層フローティングゲート3aとオーバーラップする幅の最適化を行うことができるため、フローティングゲートの微細化が容易に実現することができる。
【0095】
実施の形態7
実施の形態6と同様の工程により、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5を順次形成し、下層フローティングゲートの加工を行い、下層フローティングゲート側壁にサイドウォール絶縁膜7a、6aを形成する。さらに、不純物層8を形成する。
【0096】
不純物層8の形成後、熱処理を行い、サイドウォール絶縁膜7aの緻密化を図り、シリコン酸化膜4aと同程度のウエットエッチのレートであるサイドウォール絶縁膜7bとした後、不純物層9の形成及び活性化を行う。続いて、HDP−CVD法により、シリコン酸化膜4a及びサイドウォール絶縁膜7bとウエットエッチのレートがほぼ等しい材料により、シリコン酸化膜10を400nm〜600nm程度、下層フローティングゲート間に堆積し、その後、図18(a)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン窒化膜5の上面を露出し、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去する。
さらに、図18(b)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。
【0097】
その後、実施の形態1と同様の工程により、半導体記憶装置を完成する。
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼埋め込み絶縁膜10aとサイドウォール絶縁膜とのエッチングレートをほぼ等しくすることにより、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチの幅をより広くすることができる。これにより、円弧状で上に凸の傾斜を緩やかにし、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。また、フローティングゲート上面の面積を増大させて、層間容量膜を介したカップリング比を向上させ、ひいては、書き込み速度を向上させることができる。
【0098】
実施の形態8
まず、図19(a)及び(a’)に示したように、P型半導体基板1の活性領域上に熱酸化法により、膜厚が10nm程度のシリコン酸化膜からなるトンネル酸化膜2、下層フローティングゲートの材料となる燐が不純物としてドープされた膜厚が50nmのポリシリコン膜3、CVD法により絶縁膜となるシリコン酸化膜4を50nm〜150nm程度、絶縁膜となるシリコン窒化膜5を200nm順次堆積し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR1をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりシリコン窒化膜5、シリコン酸化膜4、ポリシリコン膜3、トンネル酸化膜2を順次エッチングして下層フローティングゲートの加工を行う。この際、シリコン窒化膜5及びシリコン酸化膜4をテーパー形状にパターニングする。
【0099】
次に、レジストR1を除去した後、図19(b)及び(b’)に示したように、下層フローティングゲートをマスクとして用いて、図2(b)と同様にイオン注入して、不純物層8、を形成し、図19(c)及び(c’)に示したように、例えば、砒素を−15〜−35°、5〜40KeV、1×1015〜1×1016/cm2でイオン注入して、不純物層9を形成する。この後、熱処理によって不純物を活性化する。
【0100】
続いて、図19(d)及び(d’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となるシリコン酸化膜10を400nm〜600nm程度堆積し、図20(e)及び(e’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出させる。この時、埋め込み絶縁膜10aはオーバーハング状になる。
【0101】
その後、図20(f)及び(f’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図20(g)及び(g’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。シリコン酸化膜4を除去する際に膜減りする埋め込み絶縁膜10aの膜減り量をオーバーハング段差より多くすることで、埋め込み絶縁膜10aのオーバーハングは完全に除去され、下層フローティングゲート間のスペースに埋め込み絶縁膜10bが埋め込まれる。
【0102】
続いて、図20(h)及び(h’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を100nm堆積し、図21(i)及び(i’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜11aに加工する。
【0103】
次いで、図21(j)及び(j’)に示したように、ONO膜12、ポリサイド膜13を形成し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。次いで、コントロールゲート13aをマスクとして用いて、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
その後、公知の技術により、層間絶縁膜を形成しコンタクトホール、及びメタル配線を形成する。
【0104】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼シリコン酸化膜4及びシリコン窒化膜5をパターニングする際に、これらをテーパ状にパターニングすることにより、後工程において、湾曲部の少ない傾斜を有する上に凸の埋め込み絶縁膜を形成することができる。これにより、傾斜部でのコントロールゲートの加工を容易とすることができる。
【0105】
また、▲2▼シリコン酸化膜4及びシリコン窒化膜5のテーパ角度は、後工程における埋め込み絶縁膜のラウンドエッチ円弧の傾斜角度及び/又は曲率に作用するため、テーパ角度を制御することで、テーパ部のオフセット幅に相当する分だけ埋め込み絶縁膜の傾斜部の幅を小さくでき、フローティングゲートの微細化を容易に実現することができる。
【0106】
実施の形態9
実施の形態1と同様の工程により、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2、ポリシリコン膜3、シリコン酸化膜4、シリコン窒化膜5、不純物層8、9及びHDP−CVD法によるシリコン酸化膜10を形成し、図22(a)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)に代えて、CMP法によってシリコン窒化膜5の上面を露出及び研磨する。
その後、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図22(b)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。
その後、実施の形態1と同様の工程により、半導体記憶装置を完成する。
【0107】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼埋め込み絶縁膜10を形成し、除去する際に、シリコン窒化膜5をストッパーとして用いて研磨することにより、シリコン窒化膜5上面と面一で埋め込み絶縁膜10aを平坦に除去することができ、特に、下層フローティングゲートとなるポリシリコン膜の側壁にサイドウォール絶縁膜が形成されている場合でも、サイドウォール絶縁膜が露出しないように埋め込み絶縁膜10aの除去を制御する必要がなく、製造工程が簡略化される。
【0108】
実施の形態10
まず、図23(a)及び(a’)に示したように、P型半導体基板1の活性領域上に熱酸化法により、膜厚が10nm程度のシリコン酸化膜からなるトンネル酸化膜2、膜厚が50nmで、下層フローティングゲートの材料となる燐ドープポリシリコン膜3、CVD法により絶縁膜となるシリコン酸化膜4を50nm〜150nm程度、絶縁膜となるシリコン窒化膜5aを300nm堆積する。次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR1をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりシリコン窒化膜5、シリコン酸化膜4、ポリシリコン膜3、トンネル酸化膜2を順次エッチングして下層フローティングゲートの加工を行う。
【0109】
次いで、レジストR1を除去した後、図23(b)及び(b’)に示したように、下層フローティングゲートをマスクとして用いて、図2(b)と同様にイオン注入して不純物層8を、図23(c)及び(c’)に示したように、砒素を−15〜−35°、5〜40KeV、1×1015〜1×1016/cm2でイオン注入して不純物層9を形成し、さらに、熱処理によって不純物を活性化する。
【0110】
続いて、図23(d)及び(d’)に示したように、HDP−CVD法により、絶縁膜となるシリコン酸化膜10を500nm〜700nm程度堆積し、図24(e)及び(e’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜10の表面を除去し、パターニングされたシリコン窒化膜5の上面を完全に露出する。この時、シリコン酸化膜4の上面とシリコン酸化膜10の上面の段差を後のシリコン酸化膜4を除去する際に膜減りするシリコン酸化膜10の膜減り量より大きくすることが必要である。
【0111】
その後、図24(f)及び(f’)に示したように、シリコン窒化膜5を熱リン酸にて除去し、さらに、図24(g)及び(g’)に示したように、ウエットエッチバック法(希釈弗酸)によってシリコン酸化膜4を除去しつつ、埋め込み絶縁膜10aのラウンドエッチを行う。この時、埋め込み絶縁膜10bの上部側面は半導体基板に対して垂直な面を有する形状となる。
【0112】
次いで、図24(h)及び(h’)に示したように、ゲートカップリング比を上げるために、燐ドープポリシリコン膜11を200nm堆積し、図25(i)及び(i’)に示したように、CMP法によって下層フローティングゲート間のスペースの埋め込み絶縁膜10bを露出させるまでポリシリコン膜11を研磨することにより、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜11aに加工する。この時、CMPの研磨量がばらついたとしても、ポリシリコン膜11aの研磨面が埋め込み絶縁膜10bの垂直な面と交差する範囲で制御することにより、ポリシリコン膜11aの上面積、つまりONO膜で被覆される面積のばらつきが抑えられる。
【0113】
さらに、図25(j)及び(j’)に示したように、ポリシリコン膜11aをマスクとして用いて、埋め込み絶縁膜10bをエッチバックすることで、ポリシリコン膜11aの側壁を露出させる。この際、埋め込み絶縁膜10bのエッチバックは、ポリシリコン膜11aの湾曲部に至らない程度に、つまり、ポリシリコン膜11aの側壁が垂直に近い部分のみの埋め込み絶縁膜10bを除去するように行うことが必要である。
【0114】
この後、図25(k)及び(k’)に示したように、ONO膜12、ポリサイド膜13を堆積し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたレジストR3をマスクとして用いて、反応性イオンエッチングによりコントロールゲート13aを形成するとともに、上層フローティングゲート11bと下層フローティングゲート3aとからなるフローティングゲートを形成し、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。次いで、コントロールゲート13aをマスクとして用いて、メモリ素子分離用の不純物層14を形成する。
次いで、公知の技術により、層間絶縁膜、コンタクトホール及びメタル配線を形成し、半導体記憶装置を完成する。
【0115】
上記のような半導体記憶装置の製造方法によれば、▲1▼ポリシリコン膜11a間に位置する埋め込み絶縁膜10bの上部を、ポリシリコン膜11aの湾曲部に至らない程度にエッチバックすることにより、ポリシリコン膜11aの露出した側壁の分、表面積を増大させ、層間容量膜を介したカップリング比を向上させ、ひいては、書き込み速度を向上させることが可能となる。
【0116】
実施の形態11
この半導体記憶装置は、図26に示したように、P型半導体基板1の活性領域上に、トンネル酸化膜2を介して下層フローティングゲート3aと上層フローティングゲート11bとからなる2層構造のフローティングゲートが形成されており、そのフローティングゲート上に、容量絶縁膜としてONO膜12を介してコントロールゲート13aが形成されている。フローティングゲートは、その側面が基板に対してほぼ垂直に形成された下層フローティングゲート3aと、下層フローティングゲート3a上に形成され、ほぼ逆テーバ状の上層フローティングゲート11bから構成されている。フローティングゲートと隣接するフローティングゲートとの間には、フローティングゲートの形状に対応して、ほぼテーパー形状の埋め込み絶縁膜10aが配置している。また、下層フローティングゲート3aの両側には、非対称に構成され、それぞれコントロールゲート13aに直交する不純物層8a、9aが配置されている。
なお、下層フローティングゲート3aに対応する埋め込み絶縁膜10aの基板に対してほぼ垂直となる側面の高さは、コントロールゲート13a、ONO膜12、フローティングゲートを順序エッチングする際に、下層フローティングゲート3aのエッチ残りを発生させない程度の高さに設定されている。
【0117】
上記のような半導体記憶装置によれば、フローティングゲートが電気的に接続された二層の導電体で構成されており、下層フローティングゲートであるポリシリコン膜側壁近傍の埋め込み絶縁膜をコントロールゲート加工時にポリシリコン膜残りが発生しない程度に薄膜化することで、コントロールゲートの加工が容易となるとともに、メモリ素子の不良が回避できる。
【0118】
さらに、埋め込み絶縁膜は、下層フローティングゲート側壁近傍から水平方向へ離れていくにしたがって、次第に厚くなっていくようなテーパ形状に形成され、少なくともテーパ形状となる側面には上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜が、埋め込み絶縁膜の形状に対して自己整合的に形成されるため、埋め込み絶縁膜は、コントロールゲート加工時に十分に耐えられるだけの膜厚を得ることができる。
また、埋め込み絶縁膜のテーパ部では、上層フローティングゲートとなるポリシリコン膜のエッチング中に発生する反応生成物が除去されつつ、エッチングが進行するため、エッチング不良が発生しない。
【0119】
【発明の効果】
本発明の半導体記憶装置の製造方法によれば、フローティングゲートの間の幅を縮小させることができ、単位面積あたりのビット線の数を増加させ、セル面積を小さくすることができる。さらに、フローティングゲート上面を鏡面化することにより層間容量膜の薄膜化を実現させ、書き込み速度の向上を図ることができる。また、フローティングゲート側壁の絶縁膜の膜厚の制御性を向上することができるため、電荷保持特性及びディスターブ特性を向上させることができ、信頼性の高い半導体記憶装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置の製造方法を説明するための要部の概略平面図である。
【図2】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第1の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図3】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第1の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図4】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第1の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図5】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第2の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図6】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第3の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図7】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第3の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図8】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第3の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図9】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第4の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図10】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第4の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図11】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第4の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図12】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第5の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図13】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第5の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図14】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第5の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図15】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第6の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図16】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第6の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図17】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第6の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図18】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第7の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図19】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第8の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図20】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第8の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図21】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第8の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図22】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第9の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図23】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第10の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図24】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第10の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図25】本発明の半導体記憶装置の製造方法の第10の実施例を説明するための概略断面工程図である。
【図26】本発明の半導体記憶装置の実施例(実施の形態11)を説明するための概略断面図である。
【図27】本発明の半導体記憶装置の製造方法を説明するための要部の概略平面図である。
【図28】従来の半導体記憶装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。
【図29】従来の半導体記憶装置の製造方法を説明するための概略断面工程図である。
【図30】従来の半導体記憶装置の動作原理を説明するための等価回路図である。
【図31】従来の半導体記憶装置の読み出し原理を説明するための模式断面図である。
【図32】従来の半導体記憶装置の書き込み原理を説明するための模式断面図である。
【図33】従来の半導体記憶装置の消去原理を説明するための模式断面図である。
【図34】従来の半導体記憶装置の製造方法における解決課題を説明するための要部の概略断面図である。
【符号の説明】
1 P型半導体基板
2 トンネル酸化膜
3 ポリシリコン膜(第1導電膜)
3a 下層フローティングゲート
4 シリコン酸化膜(第1絶縁膜)
4a シリコン酸化膜
5 シリコン窒化膜(第2絶縁膜)
6、6a 熱酸化膜
7、7a、7b サイドウォール絶縁膜
8、8a 低濃度不純物層
9、9a 高濃度不純物層
10a、10b、10c 埋め込み絶縁膜(第3絶縁膜)
11、11a ポリシリコン膜(第2導電膜)
11b 上層フローティングゲート
12 ONO膜(層間容量膜)
13a コントロールゲート
13 ポリサイド膜(第3導電膜)
14 不純物層
Claims (10)
- (a)半導体基板上にトンネル酸化膜、下層フローティングゲートとなる第1導電膜、第1絶縁膜及び第2絶縁膜を順次形成し、これら第2絶縁膜、第1絶縁膜、第1導電膜及びトンネル酸化膜を、順次、所定の形状にパターニングし、
(b)得られた半導体基板上全面に第3絶縁膜を形成して、前記パターニングされた第1導電膜間に第3絶縁膜を埋め込み、
(c)該第3絶縁膜を前記第2絶縁膜が露出するまで後退させ、
(d)前記第2絶縁膜を除去し、
(e)前記第1絶縁膜を完全に除去するが、前記第3絶縁膜は完全に除去されず、第1絶縁膜近傍の角部からラウンドエッチされるように、前記第3絶縁膜を後退させながら前記第1絶縁膜を除去し、
(f)前記第1導電膜及び第3絶縁膜上に、上層フローティングゲートとなる第2導電膜を形成し、
(g)前記第2導電膜を第3絶縁膜が露出するまで平坦化し、
(h)前記第2導電膜及び第3絶縁膜上に層間容量膜及びコントロールゲートとなる第3導電膜を形成し、これら第3導電膜、層間容量膜、第2導電膜、第1導電膜をパターニングして、
半導体基板上にトンネル酸化膜を介してフローティングゲート、層間容量膜及びコントロールゲートを順次形成してなる半導体記憶装置の製造方法。 - 第3絶縁膜と第1絶縁膜とのエッチングレートがほぼ同じである請求項1に記載の方法。
- パターニングされた第1導電膜の側壁に、第1絶縁膜とエッチングレートがほぼ同じであるサイドウォール絶縁膜を形成する請求項1又は2に記載の方法。
- パターニングされた第1導電膜の側壁を熱酸化する請求項1又は2に記載の方法。
- パターニングされた第1導電膜を熱酸化した後、該第1導電膜の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する請求項1又は2に記載の方法。
- サイドウォール絶縁膜を形成した後、熱処理することにより、該サイドウォール絶縁膜を緻密化して第1絶縁膜とエッチングレートをほぼ同じとする請求項5に記載の方法。
- 第3絶縁膜と第1絶縁膜とのエッチングレートがほぼ同じである請求項6に記載の方法。
- 工程(a)において、第1絶縁膜及び第2絶縁膜をテーパー形状にパターニングする請求項1〜6のいずれか1つに記載の方法。
- 工程(c)において、第3絶縁膜の除去が、エッチバック又は研磨である請求項1〜7のいずれか1つに記載の方法。
- 工程(g)において、第2導電膜を第3絶縁膜が露出するまで平坦化した後、さらに、第2導電膜の側壁の一部が露出するように第3絶縁膜を後退させる請求項1〜8のいずれか1つに記載の方法。
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