JP3583162B2 - フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法 - Google Patents

フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外線吸収剤並びにそれらの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、光記録材料、光電変換材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤、その中間体である新規なフタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合物、並びにそれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近赤外線を吸収する物質は各種の用途に用いられている。このような用途例としては、例えば次のようなものが挙げられる。
▲1▼赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター
▲2▼植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター
▲3▼太陽光の熱線の遮断材料
▲4▼人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター
▲5▼半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。
更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材料としての用途を挙げることができる。
【0003】
これまで赤外線吸収性物質としては、シアニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知られており、これらの色素を記録材料として用いた情報記録媒体も知られている(例えば、特開昭55−97033号、特開昭58−83344号、特開昭58−224793号、特開昭58−214162号、特開昭59−24692号各公報等)。
【0004】
ただ、上記のような色素は、記録材料とした場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反射率が低いという問題点を有している。反射率が低いと、レーザー光により記録された部分と未記録部分との反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシアニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利点を有する反面、耐光性に劣り、再生光(自然光)により劣化しやすいという問題がある。これらに対しフタロシアニン系色素は、安定性(熱、光に対し)が極めて高いという特徴を有している一方、有機溶剤への溶解性が乏しく、ごく一部のフタロシアニン系色素が蒸着法で薄膜化できるのみで、製品応用への用途としては乏しいものであった。
【0005】
上記の問題を解決するために、最近フタロシアニンに置換基を導入して有機溶媒に溶解し得るフタロシアニン化合物となした後、これを塗布することが行なわれている。特開平1−180865号、特開平2−265788号、特開平3−215466号各公報等に開示されているフタロシアニン化合物は、フタロシアニンのベンゼン環に長鎖のアルキル基又はアルコキシ基を導入して炭化水素系有機溶剤に対する溶解性を得たものである。これら以外にも、エステル基、ポリエーテル基、チオエーテル基等の官能基を介して長鎖のアルキル基を導入することが数多く行なわれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これらのフタロシアニン化合物は、無極性の溶剤には溶けるが、充分満足される溶解度を有するまでには至っておらず、またシアニン色素に比べて反射率が不充分であるなどという難点があった。
【0007】
従って、本発明の目的は、フタロシアニン化合物が本来もっている安定性を損なうことなく、溶解性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高い吸収をもつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤とその中間体及びそれらの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記一般式(I)で示されるフタロニトリル化合物が提供される。
【化1】
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
【0009】
また、本発明によれば、下記の一般式(II)で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供される。
【化2】
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
【0010】
さらに、本発明によれば、下記の一般式(III)で示されるフタロシアニン近赤外線吸収剤が提供される。
【化3】
(式中、M及びXはそれぞれ以下のものを表わす。
M:2個の水素原子、2価の金属原子、一置換の3価金属原子、二置換の4価金属原子又はオキシ金属原子、
〜X:それぞれ独立に−ORSiR基で、X〜Xは同じであっても異なっていてもよい、
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
【0011】
更に、本発明によれば、2,3−ジシアノハイドロキノンと下記一般式(IV)
ClRSiR (IV)
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
で示される少なくとも一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることを特徴とする前記一般式(I)で示されるフタロニトリル化合物の製造方法が提供され、また前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点70〜140℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、ガス状アンモニアと反応させることを特徴とする前記一般式(II)で示されるジイミノイソインドリン化合物の製造方法が提供される。
【0012】
更に、本発明によれば、前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式(II)で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物と、2価の金属、一置換の3価金属、二置換の4価金属若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特徴とする前記一般式(III)で示されるフタロシアニン化合物の製造方法が提供され、また前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式(II)で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用させることを特徴とする前記一般式(III)においてMが2個の水素原子であるフタロシアニン化合物の製造方法が提供される。
【0013】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン近赤外線吸収剤の中間体として有用なものであり、下記の一般式(I)で示される。
【化1】
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
【0014】
上記定義中、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、1,2−ブチレン基、1,3−ブチレン基、2,3−ブチレン基、ペンタメチレン基などが例示される。
炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、アミル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基などが例示され、炭素数1〜3のアルキル基としては、上記中炭素数1〜3のものが示される。
また、炭素数1〜3のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが例示される。
【0015】
本発明の前記一般式(I)で示される3,6−ジシリル基置換アルコキシフタロニトリルは、2,3−ジシアノハイドロキノンと下記一般式(IV)
ClRSiR (IV)
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
で示される少なくとも一種の化合物とを、有機溶媒中で反応させることによって製造することができる。なお、反応系に炭酸カリウムを存在させることが好ましい。
【0016】
ここで用いる有機溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドなどが挙げられるが、特にN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。ClRSiRは通常2,3−ジシアノハイドロキノンに対して2倍モル添加するが、2〜4倍モルと理論反応量よりも多く添加した方が収率が向上するので好ましい。また、このときの反応温度は0〜150℃、好ましくは40〜120℃である。
【0017】
ClRSiRの具体例としては、次のものが挙げられる。
ClCHSiMe,CHCHClSiMe,ClCHSi(Me)OEt,ClCHSi(Me)H,ClCHSi(Me)CH=CH,ClCHSi(Me)1225,ClCHSi(OEt)Me,ClCHSi(OiPr)Me,ClCHSi(Me)CHSi(Me),ClCHSi(Me)OSi(Me),ClCHSi(OEt),ClCHCHCHSi(Me)OMe,ClCHCHCHSiMe(OMe),ClCHCHCHSi(OEt),ClCHCHCHSi(OMe),ClCHCHCHSi(Me),ClCHCHCHSi(OSiMe),ClCH(Et)SiMe,ClCH(Pr)SiMe,ClCH(iPr)SiMe,ClCH(Bu)SiMe,ClCH(SiMe,ClCHOCHSiMe等。
(ここでMeはメチル基、Etはエチル基、Prはプロピル基、iPrはイソプロピル基、Buはブチル基である。)
【0018】
本発明の新規なジイミノイソインドリン化合物は、本発明のフタロシアニン近赤外線吸収剤の中間体として有用なものであり、下記の一般式(II)で示される。
【化2】
(式中、R〜Rはそれぞれ以下のものを表わす。
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
なお、上式のR〜Rの具体例としては、前記一般式(I)の場合と同一のものが挙げられる。
【0019】
本発明の前記一般式(II)で示されるジイミノイソインドリン化合物は、前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、沸点70〜140℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、ガス状アンモニアと反応させることによって製造することができる。
【0020】
ジイミノインドリン化合物は、一般にフタロニトリル化合物をアルコール溶媒中、ナトリウム(又はナトリウムアルコキシド)の存在下に、アンモニアガスと反応させることによって、下記の反応式(I)に従って得られる。
【化4】
(式中、Xはアルキル基、アルコキシ基、水素原子、チオアルキル基、チオアリル基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子等を示す。)
なお、この場合の代表的なルコールとしては、メタノールが一般的である。
【0021】
ところが、前記一般式(I)で示されるフタロニトリル化合物は、メタノール中で上記反応を行なっても反応は進行しない。そのため、本発明においては、メタノールよりも沸点の高いアルコール、即ち沸点70〜140℃のアルコール、好ましくは沸点100〜120℃のアルコールを使用する。その具体例としては、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、tert−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノールが挙げられ、これらは単独であるいは2種以上混合して用いられる。また、このときの反応温度は70〜90℃が好ましい。
【0022】
本発明の新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤は、下記一般式(III)で示されるものである。
【化3】
(式中、M及びXはそれぞれ以下のものを表わす。
M:2個の水素原子、2価の金属原子、一置換の3価金属原子、二置換の4価金属原子又はオキシ金属原子、
〜X:それぞれ独立に−ORSiR基で、X〜Xは同じであっても異なっていてもよい、
:炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基で、基中に−C−O−C−のいわゆるエーテル結合を含んでいてもよいし、シリル基で置換されていてもよい、
〜R:それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、又は−OSi(R基若しくは−CHSi(R基、
:炭素数1〜3のアルキル基。)
【0023】
上記一般式(III)において、Mで表される金属原子としては、Al,Si,Ca,Cd,Ti,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ge,Mo,Ru,Rh,Pd,In,Sn,Pt,Pb等が挙げられる。また、R〜Rについては、一般式(I)におけると全く同義である。
【0024】
この一般式(III)で示されるフタロシアニン近赤外線吸収剤は、フタロシアニン化合物が本来もっている安定性を損なうことなしに、有機溶剤への高い溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収力を有する。即ち、本発明のフタロシアニン化合物は、近赤外域に吸収係数10万以上の高い吸収能を有し、炭化水素系、セルソルブ系、ハロゲン系溶剤による塗布が可能である。
【0025】
本発明の前記一般式(III)で示されるフタロシアニン近赤外線吸収剤は、前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式(II)で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物と、2価の金属、一置換の3価金属、二置換の4価金属若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金属の誘導体を反応させることによって製造することができる。
【0026】
この場合のフタロシアニン環合成は、有機溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも1種(1〜4種)を、金属又は金属誘導体と溶媒中、90℃〜160℃で加熱反応させる。ここで反応温度が90℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不具合が生じるし、160℃を越えると、分解物が多く生成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物の1〜100重量倍、好ましくは3〜25重量倍であり、溶媒としては、沸点が90℃以上あれば良い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、その具体例としては、n−ブチルアルコール、n−アミルアルコール、n−ヘキサノール、シクロヘキサノール、2−メチル−1−ペンタノール、1−ヘプタノール、2−ヘプタノール、1−オクタノール、2−エチルヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。また、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Al,Si,Ca,Cd,Ti,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ge,Mo,Ru,Rh,Pd,In,Sn,Pt,Pb及びそれらのハロゲン化物、カルボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸化物、錯体等が挙げられる。
【0027】
金属又は金属誘導体とフタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で1:3〜6モルが好ましい。
なお、環形成反応の触媒として、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加しても良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物1モルに対して0.1〜10モル、好ましくは0.5〜2モルである。
【0028】
更に、前記一般式(III)において、Mが2個の水素原子である、いわゆるメタルフリーフタロシアニンの場合には、前記一般式(I)で示される少なくとも一種のフタロニトリル化合物又は前記一般式(II)で示される少なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物に、リチウム又はナトリウムを作用させることによって製造することができる。
【0029】
この反応の場合も、有機溶媒(特にアルコール系)中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物と、Na,Li,CHONa,NaH又はブチルリチウム等の存在下、アルコール中で70〜150℃で反応させる。ここで金属Li又はNaの添加量は、フタロニトリル又はジイミノイソインドリン化合物に対し、0.5〜4倍モルがよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量などは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様であるが、反応温度は150℃以下である。150℃を越えると分解物の生成が多くなる。
【0030】
【実施例】
以下実施例について本発明を説明するが、本発明これらに限定されるものではない。
【0031】
実施例1
(フタロニトリルの合成)
2,3−ジシアノハイドロキノン30g(0.1875mol)と炭酸カリウム25.91g(0.1875mol)をN,N−ジメチルホルムアミド200mlに加熱溶解し、アルゴン雰囲気下クロロメチルトリメチルシラン50.5g(0.4125mol)を40℃で滴下し、滴下終了後反応温度を、80〜90℃に保ち、30時間撹拌した。反応槽が室温になるまで冷却した後、希塩酸300mlを反応槽に送入し、クロロホルム1.5lで分液し、有機層を充分に水洗いした後、硫酸マグネシウムで余分な水を除去した後、クロロホルムを留去し、トルエン/シリカゲル・カラムにて精製し、下記式(IV)で示される化合物を52.8g(収率84.8%)得た。この化合物は白色針状結晶で、その融点は143〜144℃である。そのIRスペクトルを図1に、NMRスペクトルを図2に示す。
【0032】
【化5】
【0033】
上記の反応は、クロロメチルシランの代わりにClC(CH)H−SiMe、ClCHSiMeH、ClCHCHCHSiMeを用いても同様に実施され、対応する置換フタロニトリルが得られた。
【0034】
実施例2
(ジイミノイソインドリンの合成)
前記式(IV)で示されるフタロニトリル21g(0.06325mol)とナトリウムメトキシド8.54g(0.1581mol)を、n−ブタノール180mlに送入し、NHガスを吹込みながら室温で1時間撹拌し、その後反応温度を70〜80℃にして3時間(NHガスは吹込む)加熱撹拌して、室温まで冷却した。n−BuOHを留去し、クロロホルム800mlに溶解し、水及び温水で充分に洗浄し、硫酸マグネシウムで余分な水を除去した後、クロロホルムを留去し、ヘキサンで再結晶し、下記式(V)で示される化合物を21g(収率95.1%)得た。この化合物は淡黄色結晶で、融点はなく、分解点は205℃であった。そのIRスペクトルを図3に示す。
【0035】
【化6】
【0036】
実施例3
(フタロシアニンの合成)
前記式(V)で示されるジイミノイソインドリン10g(0.02865mol)とジアザビシクロウンデセン4.36g(0.02863mol)をn−アミルアルコール20gに溶解し、塩化ニッケル0.92g(0.0071mol)を加え、加熱環流し、30時間反応させ、室温に冷却後120mlのメタノールに排出し、析出した結晶を少量のメタノールで洗浄し、この結晶をクロロホルム/THF=9/1重量比/シリカゲルカラムで精製し、下記式(VI)で示されるフタロシアニン化合物を得た。得られた重量は2.1g(収率25.2%)であった。この化合物のトルエン中のλmax=749nm、logε=5.10であった。そのIRスペクトルを図4に示す。
【0037】
【化7】
(式中、Xは−OCHSiMe基を表わす。)
【0038】
なお、上記の反応は、Niの場合に限られるものではなく、Cu、Co、Zn、VO、Pdその他の遷移金属フタロシアニンも同様に得られる。
【0039】
実施例4
(メタルフリーフタロシアニンの合成)
前記式(IV)で示されるフタロニトリル10g(0.03mol)とナトリウムメトキシド1.63g(0.03mol)を、n−アミルアルコール40gに溶解し、環流下3時間反応させ、室温に冷却後、水/メタノール=1/1の200mlに排出し、析出した結晶を少量のメタノールで洗浄し、クロロホルム/THF=9/1重量比/シリカゲルカラムで精製し、下記式(VII)で示されるフタロシアニン化合物を30g得た(収率36.0%)。この化合物のトルエン中のλmax=754(728)nm、logε=4.97(4.91)であった。そのIRスペクトルを図5に示す。
【0040】
【化8】
(式中、Xは−OCHSiMe基である。)
【0041】
(評価)
実施例3及び4で得られたフタロシアニン化合物は、種々の溶媒に可溶である。詳しくは、ハロゲン系溶剤に1重量%以上、セルソルブ系及びトルエンに0.5重量%以上、テトラヒドロフランに1重量%前後溶解し、該化合物から溶剤塗工法による塗膜が容易に得られた。
【0042】
【発明の効果】
請求項3のフタロシアニン近赤外線吸収剤は、前記一般式(III)で示される構造を有することから、フタロシアニン化合物が本来有している熱、光等に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に可溶なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利用形態が非常に拡大される。
【0043】
請求項1のフタロニトリル化合物及び請求項2のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前記一般式(I)及び一般式(II)で示される構造を有することから、請求項3のフタロシアニン近赤外線吸収剤の中間体として有用なものとなる。
【0044】
請求項4の前記一般式(I)で示されるフタロニトリル化合物の製造方法、請求項5の前記一般式(II)で示されるジイミノイソインドリン化合物の製造方法、請求項6の前記一般式(III)で示される金属フタロシアニン化合物の製造方法及び請求項7の前記一般式(III)で示されるメタルフリーフタロシアニン化合物の製造方法は、いずれも温和な条件で容易に目的物を得ることができるので、いずれも工業的に極めて有利な製造方法ということができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で得られたフタロニトリル化合物のIRスペクトル図である。
【図2】実施例1で得られたフタロニトリル化合物のNMRスペクトル図である。
【図3】実施例2で得られたジイミノイソインドリン化合物のIRスペクトル図である。
【図4】実施例3で得られた金属フタロシアニン化合物のIRスペクトル図である。
【図5】実施例4で得られたメタルフリーフタロシアニン化合物のIRスペクトル図である。

Claims (5)

  1. 記一般式(II)でされるジイミノイソインドリン化合物。
    一般式( II は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよ、R〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基−OSi(R)、又は−CH2Si(R)を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。
  2. 下記一般式( III )で表されるフタロシアニン近赤外線吸収剤。
    一般式( III )中、Mは、2個の水素原子、2価の金属原子、一置換の3価金属原子、二置換の4価金属原子又はオキシ金属原子を表し、X 〜X は、それぞれ独立に−OR 1 SiR 2 3 4 基を表し、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよく、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。
  3. 下記一般式( II )で表されるジイミノイソインドリン化合物の製造方法であって、
    (一般式( II )中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
    下記一般式(I)で表されるフタロニトリル化合物の少なくとも一種を、沸点70〜140℃のアルコール中、ナトリウムの存在下、ガス状アンモニアと反応させることを特徴とするジイミノイソインドリン化合物の製造方法。
    (一般式(I)中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表す。)
  4. 下記一般式( III )で示されるフタロシアニン化合物の製造方法であって、
    (一般式( III )中、Mは、2個の水素原子、2価の金属原子、一置換の3価金属原子、二置換の4価金属原子又はオキシ金属原子を表し、X 〜X は、それぞれ独立に−OR 1 SiR 2 3 4 基を表し、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよく、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
    下記一般式(I)で表されるフタロニトリル化合物の少なくとも一種又は下記一般式( II )で表されるジイミノイソインドリン化合物の少なくとも一種と、2価の金属、一置換の3価金属、二置換の4価金属及びオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特徴とするフタロシアニン化合物の製造方法。
    (一般式(I)中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表す。)
    (一般式( II )中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
  5. 下記一般式( III )で示されるフタロシアニン化合物の製造方法であって、
    (一般式( III )中、Mは、2個の水素原子を表し、X 〜X は、それぞれ独立に−OR 1 SiR 2 3 4 基を表し、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよく、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
    下記一般式(I)で表されるフタロニトリル化合物の少なくとも一種又は下記一般式( II )で表されるジイミノイソインドリン化合物の少なくとも一種に、リチウム又はナトリウムを作用させることを特徴とするフタロシアニン化合物の製造方法。
    (一般式(I)中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表す。)
    (一般式( II )中、R は、エーテル結合を含んでいてもよい、炭素数1〜5の直鎖又は分岐アルキレン基を表し、これらはシリル基で置換されていてもよく、R 〜R は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ビニル基、−OSi ( ) 基、又は−CH 2 Si ( ) 基を表し、R は、炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
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