JPH0820591A - フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外吸収材料並びにそれらの製造方法 - Google Patents
フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外吸収材料並びにそれらの製造方法Info
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- JPH0820591A JPH0820591A JP17761794A JP17761794A JPH0820591A JP H0820591 A JPH0820591 A JP H0820591A JP 17761794 A JP17761794 A JP 17761794A JP 17761794 A JP17761794 A JP 17761794A JP H0820591 A JPH0820591 A JP H0820591A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 フタロシアニン骨格のベンゼン環に−ＯＳｉ
Ｒ1Ｒ2Ｒ3置換基を導入してなるフタロシアニン近赤外
吸収材料、その中間体である同置換基を有するフタロニ
トリル化合物とジイミノイソインドリン化合物並びにそ
れらの製造方法。 【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料は、
良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶な
ものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大され、光記録媒体用としても有用で
ある。また、本近赤外吸収材料は、本発明の中間体か
ら、温和な条件で容易に製造することができる。
Ｒ1Ｒ2Ｒ3置換基を導入してなるフタロシアニン近赤外
吸収材料、その中間体である同置換基を有するフタロニ
トリル化合物とジイミノイソインドリン化合物並びにそ
れらの製造方法。 【効果】 本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料は、
良好な安定性を保持しながら、種々の有機溶媒に可溶な
ものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持っている。
その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能となり、利
用形態が非常に拡大され、光記録媒体用としても有用で
ある。また、本近赤外吸収材料は、本発明の中間体か
ら、温和な条件で容易に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録材料、光電変換
材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフ
タロシアニン近赤外吸収材料、その中間体である新規な
フタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合
物、並びにそれらの製造方法に関する。
材料、赤外線カットフィルター等に利用可能な新規なフ
タロシアニン近赤外吸収材料、その中間体である新規な
フタロニトリル化合物及びジイミノイソインドリン化合
物、並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近赤外吸収材料は各種の用途に用いられ
ている。このような用途例としては、例えば次のような
ものが挙げられる。 赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター 植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター 太陽光の熱線の遮断材料 人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター 半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。 更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材
料としての用途を挙げることができる。
ている。このような用途例としては、例えば次のような
ものが挙げられる。 赤外線感光性感光材料用セーフライトフィルター 植物の生育の制御を目的とした赤外カットフィルター 太陽光の熱線の遮断材料 人間の目の組織に有害な赤外線カットフィルター 半導体受光素子の赤外線カットフィルター等。 更に大きな用途として、光情報記録媒体における記録材
料としての用途を挙げることができる。
【０００３】これまで赤外線吸収性物質としては、シア
ニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色
素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知ら
れており、これらの色素を記録材料として用いた情報記
録媒体も知られている（例えば、特開昭５５−９７０３
３号、特開昭５８−８３３４４号、特開昭５８−２２４
７９３号、特開昭５８−２１４１６２号、特開昭５９−
２４６９２号各公報等）。
ニン色素、フェナンスレン系色素、ナフトキノン系色
素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素等が知ら
れており、これらの色素を記録材料として用いた情報記
録媒体も知られている（例えば、特開昭５５−９７０３
３号、特開昭５８−８３３４４号、特開昭５８−２２４
７９３号、特開昭５８−２１４１６２号、特開昭５９−
２４６９２号各公報等）。
【０００４】ただ、上記のような色素は、記録材料とし
た場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナ
ンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウ
ム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反
射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
と、レーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情
報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシア
ニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利
点を有する反面、耐光性に劣り、再生光（自然光）によ
り劣化しやすいという問題がある。これらに対しフタロ
シアニン系色素は、安定性（熱、光に対し）が極めて高
いという特徴を有している一方、有機溶剤への溶解性が
乏しく、ごく一部のフタロシアニン系色素が蒸着法で薄
膜化できるのみで、製品応用への用途としては乏しいも
のであった。
た場合、種々の問題点をかかえている。例えば、フェナ
ンスレン系色素、ナフトキノン系色素及びスクアリリウ
ム系色素は、蒸着しやすいという利点を有する反面、反
射率が低いという問題点を有している。反射率が低い
と、レーザー光により記録された部分と未記録部分との
反射率に関するコントラストが低くなり、記録された情
報の再生が困難になる。また、ピリリウム系色素やシア
ニン色素は、塗布によるコーティングができるなどの利
点を有する反面、耐光性に劣り、再生光（自然光）によ
り劣化しやすいという問題がある。これらに対しフタロ
シアニン系色素は、安定性（熱、光に対し）が極めて高
いという特徴を有している一方、有機溶剤への溶解性が
乏しく、ごく一部のフタロシアニン系色素が蒸着法で薄
膜化できるのみで、製品応用への用途としては乏しいも
のであった。
【０００５】上記の問題を解決するために、最近フタロ
シアニンに置換基を導入して有機溶媒に溶解し得るフタ
ロシアニン化合物となした後、これを塗布することが行
なわれている。特開平１−１８０８６５号、特開平２−
２６５７８８号、特開平３−２１５４６６号各公報等に
開示されているフタロシアニン化合物は、フタロシアニ
ンのベンゼン環に長鎖のアルキル基又はアルコキシ基を
導入して炭化水素系有機溶剤に対する溶解性を得たもの
である。これら以外にも、エステル基、ポリエーテル
基、チオエーテル基等の官能基を介して長鎖のアルキル
基を導入することが数多く行なわれている。
シアニンに置換基を導入して有機溶媒に溶解し得るフタ
ロシアニン化合物となした後、これを塗布することが行
なわれている。特開平１−１８０８６５号、特開平２−
２６５７８８号、特開平３−２１５４６６号各公報等に
開示されているフタロシアニン化合物は、フタロシアニ
ンのベンゼン環に長鎖のアルキル基又はアルコキシ基を
導入して炭化水素系有機溶剤に対する溶解性を得たもの
である。これら以外にも、エステル基、ポリエーテル
基、チオエーテル基等の官能基を介して長鎖のアルキル
基を導入することが数多く行なわれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらのフ
タロシアニン化合物は、無極性の溶剤には溶けるが、充
分満足される溶解度を有するまでには至っておらず、ま
たシアニン色素に比べて反射率が不充分であるなどとい
う難点があった。
タロシアニン化合物は、無極性の溶剤には溶けるが、充
分満足される溶解度を有するまでには至っておらず、ま
たシアニン色素に比べて反射率が不充分であるなどとい
う難点があった。
【０００７】従って、本発明の目的は、フタロシアニン
化合物が本来もっている安定性を損なうことなく、溶解
性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高い吸収を
もつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤とその中間
体及びそれらの製造方法を提供することにある。
化合物が本来もっている安定性を損なうことなく、溶解
性を高め、生産性が高く、しかも近赤外線に高い吸収を
もつ、新規なフタロシアニン近赤外線吸収剤とその中間
体及びそれらの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物が提供され
る。
般式（Ｉ）で示されるフタロニトリル化合物が提供され
る。
【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素、又はシリル基。)
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素、又はシリル基。)
【０００９】また、本発明によれば、下記の一般式（I
I）で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供さ
れる。
I）で示されるジイミノイソインドリン化合物が提供さ
れる。
【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素、又はシリル基。)
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素、又はシリル基。)
【００１０】更に、本発明によれば、下記の一般式（II
I a)〜（III d)で示される４種のうち、１種又は２種以
上の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提
供される。
I a)〜（III d)で示される４種のうち、１種又は２種以
上の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提
供される。
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】 （式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。）
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。）
【００１１】また、本発明によれば、下記の一般式（IV
a）〜（IV d）で示される４種のうち、１種又は２種以
上の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提
供される。
a）〜（IV d）で示される４種のうち、１種又は２種以
上の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提
供される。
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】 （式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。）
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。）
【００１２】更に、本発明によれば、下記の一般式（Ｖ
a）〜（Ｖd）で示される４種のうち、１種又は２種以上
の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提供
される。
a）〜（Ｖd）で示される４種のうち、１種又は２種以上
の混合物からなるフタロシアニン近赤外吸収材料が提供
される。
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】 （式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ16、Ｙ及びｎ１〜ｎ４はそれぞれ
以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子、 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。）
以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子、 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。）
【００１３】また、本発明によれば、３−又は４−ヒド
ロキシフタロニトリルを、有機溶媒中でアルカリの存在
下、下記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物と反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法が提供され
る。
ロキシフタロニトリルを、有機溶媒中でアルカリの存在
下、下記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物と反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法が提供され
る。
【００１４】更に、本発明によれば、３−又は４−ニト
ロフタロニトリルを、有機溶媒中で亜硝酸ナトリウム及
び炭酸カリウムと反応させた後、更に前記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ4及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物を反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法が提供され
る。
ロフタロニトリルを、有機溶媒中で亜硝酸ナトリウム及
び炭酸カリウムと反応させた後、更に前記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ4及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物を反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法が提供され
る。
【００１５】また、本発明によれば、前記一般式（Ｉ）
で示される少なくとも１種のフタロニトリル化合物又は
前記一般式（II）で示される少なくとも１種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、１置換の３価金
属、２置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特
徴とする前記一般式(III a)〜(III d)及び(IV a)〜(IV
d)で示される少なくとも１種のフタロシアニン化合物の
製造方法が提供される。
で示される少なくとも１種のフタロニトリル化合物又は
前記一般式（II）で示される少なくとも１種のジイミノ
イソインドリン化合物と、２価の金属、１置換の３価金
属、２置換の４価金属若しくはオキシ金属から選ばれた
金属又はこれらの金属の誘導体とを反応させることを特
徴とする前記一般式(III a)〜(III d)及び(IV a)〜(IV
d)で示される少なくとも１種のフタロシアニン化合物の
製造方法が提供される。
【００１６】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の
新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン
近赤外吸収材料の中間体として有用なものであり、下記
の一般式（Ｉ）で示される。
新規なフタロニトリル化合物は、本発明のフロシアニン
近赤外吸収材料の中間体として有用なものであり、下記
の一般式（Ｉ）で示される。
【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。)
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。)
【００１７】上記定義中、１価の脂肪族炭化水素基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等のアルキル基や、ビ
ニル基、アリル基、イソプロペニル基、１−ブテニル
基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基等のアルケニル
基などが挙げられる。１価の芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、ベンジル基などが挙げられる。また、
それらの置換基としては、フッ素、塩素、臭素などのハ
ロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ基、エステル基な
どが挙げられる。
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル
基、ドデシル基、オクタデシル基等のアルキル基や、ビ
ニル基、アリル基、イソプロペニル基、１−ブテニル
基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基等のアルケニル
基などが挙げられる。１価の芳香族炭化水素基として
は、フェニル基、ベンジル基などが挙げられる。また、
それらの置換基としては、フッ素、塩素、臭素などのハ
ロゲン原子、三フッ化炭素基、シアノ基、エステル基な
どが挙げられる。
【００１８】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される３−
又は４−シリルオキシフタロニトリルは、３−又は４−
ヒドロキシフタロニトリルを、有機溶媒中でアルカリの
存在下、下記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化合
物と反応させることによって製造することができる。即
ち、３−又は４−ヒドロキシフタロニトリルと炭酸カリ
ウムを有機溶媒中で溶解し、これにＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3を
作用させることによって、目的とするシリルオキシフタ
ロニトリルが得られる。
又は４−シリルオキシフタロニトリルは、３−又は４−
ヒドロキシフタロニトリルを、有機溶媒中でアルカリの
存在下、下記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化合
物と反応させることによって製造することができる。即
ち、３−又は４−ヒドロキシフタロニトリルと炭酸カリ
ウムを有機溶媒中で溶解し、これにＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3を
作用させることによって、目的とするシリルオキシフタ
ロニトリルが得られる。
【００１９】ここで用いる有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、１−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドなどが挙げられるが、特にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、あるいはこれら
２種のうちの１種とその他３種のうちの少なくとも１種
との混合溶媒であることが好ましい。ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
は通常上記ヒドロキシフタロニトリルに対して等モル添
加するが、１．２〜２．５倍モルと理論反応量よりも多
く添加した方が収率が向上するので好ましい。また、こ
のときの反応温度は０〜２００℃、好ましくは１０〜１
６０℃である。
ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、１−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドなどが挙げられるが、特にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、あるいはこれら
２種のうちの１種とその他３種のうちの少なくとも１種
との混合溶媒であることが好ましい。ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
は通常上記ヒドロキシフタロニトリルに対して等モル添
加するが、１．２〜２．５倍モルと理論反応量よりも多
く添加した方が収率が向上するので好ましい。また、こ
のときの反応温度は０〜２００℃、好ましくは１０〜１
６０℃である。
【００２０】ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3の具体例としては、次の
ものが挙げられる。 ＣｌＳｉＨ｛Ｃ（ＣＨ3）3｝2、ＣｌＳｉＨ｛ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2｝2、ＣｌＳｉＨ（ＣＨ3）2、ＢｒＳｉ（ＣＨ3）
3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（Ｃ
Ｈ3）3、ＣｌＳｉ（ＯＣＨ3）2ＣＨ3、ＣｌＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2ＣＨ＝ＣＨ2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ3Ｈ7、Ｃｌ
Ｓｉ（ＣＨ3）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ
3Ｈ6ＣＮ、ＢｒＳｉ（Ｃ2Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2
Ｃ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（Ｃ2Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5）3、ＣｌＳｉＨ（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）、ＣｌＳｉ
（ＣＨ3）2（Ｃ6Ｈ5）、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）
ＣＨ＝ＣＨ2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2ＣＨ2（Ｃ6Ｈ5）、Ｃ
ｌＳｉ（Ｃ3Ｈ7）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ8Ｈ17、Ｃｌ
ＳｉＨ（Ｃ6Ｈ5）2、ＣｌＳｉ（Ｃ4Ｈ9）3、ＣｌＳｉ
（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）2、ＣｌＳｉ（Ｃ6Ｈ5）2ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2、ＣｌＳｉ｛（ＣＨ2）5ＣＨ3｝3、ＣｌＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2（ＣＨ2）17ＣＨ3、ＣｌＳｉ（ＣＨ2−Ｃ
6Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＣＨ3、
ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）3ＣＯＯＣＨ3、ＣｌＳｉ
（Ｃ6Ｈ5）2Ｃ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（ｎ−Ｃ4Ｈ9）
2（ＣＨ3）、ＣｌＳｉ（ｔ−Ｃ4Ｈ9）2（ＣＨ3）、Ｃｌ
ＳｉＣ8Ｈ17｛ＣＨ（ＣＨ3）2｝2、ＣｌＳｉ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＦ3）3、ＣｌＳｉ｛ＣＨ（ＣＨ3）2｝3。
ものが挙げられる。 ＣｌＳｉＨ｛Ｃ（ＣＨ3）3｝2、ＣｌＳｉＨ｛ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2｝2、ＣｌＳｉＨ（ＣＨ3）2、ＢｒＳｉ（ＣＨ3）
3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（Ｃ
Ｈ3）3、ＣｌＳｉ（ＯＣＨ3）2ＣＨ3、ＣｌＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2ＣＨ＝ＣＨ2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ3Ｈ7、Ｃｌ
Ｓｉ（ＣＨ3）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ
3Ｈ6ＣＮ、ＢｒＳｉ（Ｃ2Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2
Ｃ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（Ｃ2Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＯＣ2
Ｈ5）3、ＣｌＳｉＨ（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）、ＣｌＳｉ
（ＣＨ3）2（Ｃ6Ｈ5）、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）
ＣＨ＝ＣＨ2、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2ＣＨ2（Ｃ6Ｈ5）、Ｃ
ｌＳｉ（Ｃ3Ｈ7）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ8Ｈ17、Ｃｌ
ＳｉＨ（Ｃ6Ｈ5）2、ＣｌＳｉ（Ｃ4Ｈ9）3、ＣｌＳｉ
（ＣＨ3）（Ｃ6Ｈ5）2、ＣｌＳｉ（Ｃ6Ｈ5）2ＣＨ＝Ｃ
Ｈ2、ＣｌＳｉ｛（ＣＨ2）5ＣＨ3｝3、ＣｌＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2（ＣＨ2）17ＣＨ3、ＣｌＳｉ（ＣＨ2−Ｃ
6Ｈ5）3、ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＣＨ3、
ＣｌＳｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）3ＣＯＯＣＨ3、ＣｌＳｉ
（Ｃ6Ｈ5）2Ｃ（ＣＨ3）3、ＣｌＳｉ（ｎ−Ｃ4Ｈ9）
2（ＣＨ3）、ＣｌＳｉ（ｔ−Ｃ4Ｈ9）2（ＣＨ3）、Ｃｌ
ＳｉＣ8Ｈ17｛ＣＨ（ＣＨ3）2｝2、ＣｌＳｉ（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2ＣＦ3）3、ＣｌＳｉ｛ＣＨ（ＣＨ3）2｝3。
【００２１】また、前記一般式（Ｉ）で示される３−又
は４−シリルオキシフタロニトリルは、３−又は４−ニ
トロフタロニトリルを、有機溶媒中で亜硝酸ナトリウム
及び炭酸カリウムと反応させた後、更に前記一般式（V
I） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） で示される少なくとも１種の化合物を反応させるこによ
って製造することができる。即ち、この方法は、３−又
は４−ニトロフタロニトリルのニトロ基を、カリウムオ
キシ基に変え、次いで前記一般式（VI）で示される珪素
化合物を添加することにより、目的とするシリルオキシ
フタロニトリルを１ポット（１容器）で直接合成するも
のである。具体的に言うと、３−又は４−ニトロフタロ
ニトリルを有機溶媒に溶解し、次いで亜硝酸ナトリウム
を加え、加熱して１００〜２００℃とし、更に炭酸カリ
ウムを加え加熱し、原料のニトロ基をカリウムオキシ基
に変化させた後、ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3を加え、０〜２００
℃で反応させることによって、目的とするシリルオキシ
フタロニトリルが得られる。なお、本反応（１ポット反
応）に使用する溶媒は、前述のヒドロキシフタロニトリ
ルからのシリルオキシフタロニトリルの製造方法で用い
た溶媒と同様のものが使用できる。
は４−シリルオキシフタロニトリルは、３−又は４−ニ
トロフタロニトリルを、有機溶媒中で亜硝酸ナトリウム
及び炭酸カリウムと反応させた後、更に前記一般式（V
I） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） で示される少なくとも１種の化合物を反応させるこによ
って製造することができる。即ち、この方法は、３−又
は４−ニトロフタロニトリルのニトロ基を、カリウムオ
キシ基に変え、次いで前記一般式（VI）で示される珪素
化合物を添加することにより、目的とするシリルオキシ
フタロニトリルを１ポット（１容器）で直接合成するも
のである。具体的に言うと、３−又は４−ニトロフタロ
ニトリルを有機溶媒に溶解し、次いで亜硝酸ナトリウム
を加え、加熱して１００〜２００℃とし、更に炭酸カリ
ウムを加え加熱し、原料のニトロ基をカリウムオキシ基
に変化させた後、ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3を加え、０〜２００
℃で反応させることによって、目的とするシリルオキシ
フタロニトリルが得られる。なお、本反応（１ポット反
応）に使用する溶媒は、前述のヒドロキシフタロニトリ
ルからのシリルオキシフタロニトリルの製造方法で用い
た溶媒と同様のものが使用できる。
【００２２】なお、ニトロフタロニトリルからアルコキ
シフタロニトリルを得る方法としては、ニトロフタロニ
トリルを有機溶媒（例えばジメチルホルムアミド）中
で、水素化ナトリウムの存在下、アルコールと反応させ
る下記の反応式（Ｉ）に従う方法が提案されている（特
開平３−２１５４６６号公報）。
シフタロニトリルを得る方法としては、ニトロフタロニ
トリルを有機溶媒（例えばジメチルホルムアミド）中
で、水素化ナトリウムの存在下、アルコールと反応させ
る下記の反応式（Ｉ）に従う方法が提案されている（特
開平３−２１５４６６号公報）。
【化１５】 ところが、本発明におけるシリルオキシフタロニトリル
を得る場合には、上記の方法を適用する（即ち、ニトロ
フタロニトリルを有機溶媒中、ＮａＨの存在下ＨＯＳｉ
Ｒ1Ｒ2Ｒ3と反応させる）と、シラノールの水酸基の脱
水縮合反応や炭素−珪素結合の切断が優先的に起こり、
目的とするシリルオキシフタロニトリルの生成は殆ど認
められない。
を得る場合には、上記の方法を適用する（即ち、ニトロ
フタロニトリルを有機溶媒中、ＮａＨの存在下ＨＯＳｉ
Ｒ1Ｒ2Ｒ3と反応させる）と、シラノールの水酸基の脱
水縮合反応や炭素−珪素結合の切断が優先的に起こり、
目的とするシリルオキシフタロニトリルの生成は殆ど認
められない。
【００２３】本発明の新規なジイミノイソインドリン化
合物は、本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料の中間
体として有用なものであり、下記の一般式（ＩＩ）で示
される。
合物は、本発明のフタロシアニン近赤外吸収材料の中間
体として有用なものであり、下記の一般式（ＩＩ）で示
される。
【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。) なお、上式のＲ1〜Ｒ4の具体例としては、前記一般式
（Ｉ）の場合と同一のものが挙げられる。
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。) なお、上式のＲ1〜Ｒ4の具体例としては、前記一般式
（Ｉ）の場合と同一のものが挙げられる。
【００２４】本発明の前記一般式（ＩＩ）で示されるジ
イミノイソインドリン化合物は、前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、アル
コール溶媒中、ナトリウム（金属ナトリウム又はナトリ
ウムアルコキシド）の存在下に、アンモニアガスと反応
させることによって、下記の反応式（II）に従って得ら
れる。
イミノイソインドリン化合物は、前記一般式（Ｉ）で示
される少なくとも一種のフタロニトリル化合物を、アル
コール溶媒中、ナトリウム（金属ナトリウム又はナトリ
ウムアルコキシド）の存在下に、アンモニアガスと反応
させることによって、下記の反応式（II）に従って得ら
れる。
【化１６】 なお、この場合の代表的なルコールとしては、メタノー
ルが一般的である。
ルが一般的である。
【００２５】本発明の新規なフタロシアニン近赤外吸収
材料は、下記一般式（IIIa）〜（IIId）で示される４種
のうち、１種又は２種以上の混合物からなるか、下記一
般式（IVa）〜（IVd）で示される４種のうち、１種又は
２種以上の混合物からなるか、あるいは一般式（Ｖa）
〜（Ｖd）で示される４種のうち、１種又は２種以上の
混合物からなるものである。
材料は、下記一般式（IIIa）〜（IIId）で示される４種
のうち、１種又は２種以上の混合物からなるか、下記一
般式（IVa）〜（IVd）で示される４種のうち、１種又は
２種以上の混合物からなるか、あるいは一般式（Ｖa）
〜（Ｖd）で示される４種のうち、１種又は２種以上の
混合物からなるものである。
【００２６】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【００２７】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【００２８】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【００２９】（式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ16、Ｙ及びｎ１〜ｎ
４はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子、 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。）
４はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子、 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。）
【００３０】上記一般式（III a）〜（III d）、（IV
a）〜（IV d）及び（Ｖ a）〜（Ｖ d）において、Ｍで
表される金属原子としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇ
ｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ
等が挙げられる。また、Ｒ1〜Ｒ4については、一般式
（Ｉ）におけると全く同義である。なお、Ｙはハロゲン
原子であり、臭素、塩素、弗素、沃素等が挙げられる
が、吸収最大波長の長波長化効果の点で特に臭素が好ま
しい。
a）〜（IV d）及び（Ｖ a）〜（Ｖ d）において、Ｍで
表される金属原子としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇ
ｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ
等が挙げられる。また、Ｒ1〜Ｒ4については、一般式
（Ｉ）におけると全く同義である。なお、Ｙはハロゲン
原子であり、臭素、塩素、弗素、沃素等が挙げられる
が、吸収最大波長の長波長化効果の点で特に臭素が好ま
しい。
【００３１】この一般式（III a）〜（III d）、（IV
a）〜（IV d）及び（Ｖ a）〜（Ｖ d）で示されるフタ
ロシアニン近赤外吸収材料は、フタロシアニン化合物が
本来もっている安定性を損なうことなしに、有機溶剤へ
の高い溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収
力を有する。即ち、溶解性が向上したため、溶剤塗工法
により薄膜化が可能で、生産性に優れ、安定性の良いし
かも吸収能の高い膜が得られ、各種電子材料への応用が
可能となる。
a）〜（IV d）及び（Ｖ a）〜（Ｖ d）で示されるフタ
ロシアニン近赤外吸収材料は、フタロシアニン化合物が
本来もっている安定性を損なうことなしに、有機溶剤へ
の高い溶解性を有し、もちろん近赤外線に対し高い吸収
力を有する。即ち、溶解性が向上したため、溶剤塗工法
により薄膜化が可能で、生産性に優れ、安定性の良いし
かも吸収能の高い膜が得られ、各種電子材料への応用が
可能となる。
【００３２】本発明の前記一般式（III a）〜（III d）
及び（IV a）〜（IV d）で示されるフタロシアニン近赤
外吸収材料は、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
１種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（ＩＩ）で
示される少なくとも１種のジイミノイソインドリン化合
物と、２価の金属、１置換の３価金属、２置換の４価金
属若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金
属の誘導体を反応させることによって製造することがで
きる。
及び（IV a）〜（IV d）で示されるフタロシアニン近赤
外吸収材料は、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
１種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（ＩＩ）で
示される少なくとも１種のジイミノイソインドリン化合
物と、２価の金属、１置換の３価金属、２置換の４価金
属若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金
属の誘導体を反応させることによって製造することがで
きる。
【００３３】この場合のフタロシアニン環合成は、有機
溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニ
トリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも
１種（１〜４種）を、金属又は金属誘導体と溶媒中、９
０℃〜２４０℃で加熱反応させる。ここで反応温度が９
０℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不
具合が生じるし、２４０℃を越えると、分解物が多く生
成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用
量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリ
ン化合物の１〜１００重量倍、好ましくは３〜２５重量
倍であり、溶媒としては、沸点が９０℃以上あれば良
い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、そ
の具体例としては、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−アミル
アルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、
２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２
−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシ
エタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。ま
た、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ及びそれらのハロゲン化物、カル
ボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸
化物、錯体等が挙げられる。
溶媒中で実施するのが好ましい。即ち、原料のフタロニ
トリル又はジイミノイソインドリン化合物の少なくとも
１種（１〜４種）を、金属又は金属誘導体と溶媒中、９
０℃〜２４０℃で加熱反応させる。ここで反応温度が９
０℃より低いと、反応進行が遅い又は進行しない等の不
具合が生じるし、２４０℃を越えると、分解物が多く生
成し、収率が落ちるという不具合が生じる。溶媒の使用
量としては、フタロニトリル又はジイミノイソインドリ
ン化合物の１〜１００重量倍、好ましくは３〜２５重量
倍であり、溶媒としては、沸点が９０℃以上あれば良
い。使用する溶媒としては、アルコールが好ましく、そ
の具体例としては、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−アミル
アルコール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、
２−メチル−１−ペンタノール、１−ヘプタノール、２
−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサ
ノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、エトキシエタノール、プロポキシ
エタノール、ブトキンエタノール等が挙げられる。ま
た、反応に用いる金属又は金属誘導体としては、Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｐｔ，Ｐｂ及びそれらのハロゲン化物、カル
ボン酸誘導体、硫酸塩、硝酸塩、カルボニル化合物、酸
化物、錯体等が挙げられる。
【００３４】金属又は金属誘導体とフタロニトリル又は
ジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で
１：３〜６モルが好ましい。なお、環形成反応の触媒と
して、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、
ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加して
も良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイ
ソインドリン化合物１モルに対して０．１〜１０モル、
好ましくは０．５〜２モルである。
ジイミノイソインドリン化合物の使用量は、モル比で
１：３〜６モルが好ましい。なお、環形成反応の触媒と
して、有機塩基、例えば、ジアザビシクロウンデセン、
ジアザビシクロノネンなどの強塩基の補助剤を添加して
も良く、その添加量は、フタロニトリル又はジイミノイ
ソインドリン化合物１モルに対して０．１〜１０モル、
好ましくは０．５〜２モルである。
【００３５】更に、前記一般式（III a）〜（III d）及
び（IV a）〜（IV d）において、Ｍが２個の水素原子で
ある、いわゆるメタルフリーフタロシアニンの場合に
は、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも一種のフタ
ロニトリル化合物又は前記一般式（ＩＩ）で示される少
なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物に、リチ
ウム又はナトリウムを作用させることによって製造する
ことができる。
び（IV a）〜（IV d）において、Ｍが２個の水素原子で
ある、いわゆるメタルフリーフタロシアニンの場合に
は、前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも一種のフタ
ロニトリル化合物又は前記一般式（ＩＩ）で示される少
なくとも一種のジイミノイソインドリン化合物に、リチ
ウム又はナトリウムを作用させることによって製造する
ことができる。
【００３６】この反応の場合も、有機溶媒（特にアルコ
ール系）中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニト
リル又はジイミノイソインドリン化合物と、Ｎａ，Ｌ
ｉ，ＣＨ3ＯＮａ，ＮａＨ又はブチルリチウム等の存在
下、アルコール中で７０〜１５０℃で反応させる。ここ
で金属Ｌｉ又はＮａの添加量は、フタロニトリル又はジ
イミノイソインドリン化合物に対し、０．５〜４倍モル
がよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量な
どは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様で
あるが、反応温度は１５０℃以下である。１５０℃を越
えると分解物の生成が多くなる。
ール系）中で実施するのが好ましい。即ち、フタロニト
リル又はジイミノイソインドリン化合物と、Ｎａ，Ｌ
ｉ，ＣＨ3ＯＮａ，ＮａＨ又はブチルリチウム等の存在
下、アルコール中で７０〜１５０℃で反応させる。ここ
で金属Ｌｉ又はＮａの添加量は、フタロニトリル又はジ
イミノイソインドリン化合物に対し、０．５〜４倍モル
がよい。使用するアルコールの具体例やアルコール量な
どは、前述の金属フタロシアニン製造の際と全く同様で
あるが、反応温度は１５０℃以下である。１５０℃を越
えると分解物の生成が多くなる。
【００３７】また、本発明の前記一般式（Ｖ a）〜（Ｖ
d）で示されるフタロシアニン近赤外吸収材料は、前記
一般式（III a）〜（III d）あるいは（IV a）〜（IV
d）で示されるフタロシアニン化合物をハロゲン化する
ことによって得ることができる。この場合のハロゲン化
反応は、特開平３−６２８７８号、同３−２１５４６６
号、同４−３４８１６８号、同４−２２６３９０号、同
４−１５２６３号、同４−１５２６４号、同４−１５２
６５号、同４−１５２６６号、同５−１７４７７号、同
５−８６３０１号、同５−２５１７７号、同５−２５１
７９号、同５−１７７００号、同５−１２７２号各公報
等の記載例をそのまま利用できる。即ち、ハロゲン系溶
剤、炭化水素又は水の１種又は２種以上の混合物中で、
臭素などのハロゲン化剤を作用させることにより得られ
る。
d）で示されるフタロシアニン近赤外吸収材料は、前記
一般式（III a）〜（III d）あるいは（IV a）〜（IV
d）で示されるフタロシアニン化合物をハロゲン化する
ことによって得ることができる。この場合のハロゲン化
反応は、特開平３−６２８７８号、同３−２１５４６６
号、同４−３４８１６８号、同４−２２６３９０号、同
４−１５２６３号、同４−１５２６４号、同４−１５２
６５号、同４−１５２６６号、同５−１７４７７号、同
５−８６３０１号、同５−２５１７７号、同５−２５１
７９号、同５−１７７００号、同５−１２７２号各公報
等の記載例をそのまま利用できる。即ち、ハロゲン系溶
剤、炭化水素又は水の１種又は２種以上の混合物中で、
臭素などのハロゲン化剤を作用させることにより得られ
る。
【００３８】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明これらに限定されるものではない。
発明これらに限定されるものではない。
【００３９】実施例１ （フタロニトリルの合成）３−ヒドロキシフタロニトリ
ル２０ｇと炭酸カリウム１０．５５ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド１８０ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲
気下ジｔｅｒｔブチルクロロシラン２９．７５ｇを２５
℃で滴下し、滴下終了後反応温度を８０〜９０℃に保
ち、２８時間攪拌した。反応槽が室温になるまで冷却し
た後、希塩酸２５０ｍｌを注入し、トルエン１ｌで分液
し、有機層を充分に水洗いした後、硫酸マグネシウムで
余分な水を除去し、その後にトルエンを留去し、トリエ
ン／シリカゲルカラムにて精製し、下記式（ＶＩＩ）で
示されるフタロニトリル粗製物を２９．８ｇ得た。その
ＩＲスペクトルを図１に示す。
ル２０ｇと炭酸カリウム１０．５５ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド１８０ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲
気下ジｔｅｒｔブチルクロロシラン２９．７５ｇを２５
℃で滴下し、滴下終了後反応温度を８０〜９０℃に保
ち、２８時間攪拌した。反応槽が室温になるまで冷却し
た後、希塩酸２５０ｍｌを注入し、トルエン１ｌで分液
し、有機層を充分に水洗いした後、硫酸マグネシウムで
余分な水を除去し、その後にトルエンを留去し、トリエ
ン／シリカゲルカラムにて精製し、下記式（ＶＩＩ）で
示されるフタロニトリル粗製物を２９．８ｇ得た。その
ＩＲスペクトルを図１に示す。
【００４０】
【化１７】
【００４１】実施例２ （フタロニトリルの合成）３−ニトロフタロニトリル３
０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／１−メチル−２
−ピロリドン＝１／１（容量比）混合溶媒１５０ｍｌに
溶解し、亜硝酸ナトリウム１１．９７ｇを加え、温度１
７０℃にて４０分攪拌し、温度を４０℃まで下げ、炭酸
カリウム１６．８ｇを加え、温度１５０℃で４０分攪拌
した。温度を３０℃まで下げた後ジｔｅｒｔブチルクロ
ロシラン４４．６ｇを加え、反応温度を８０〜９０℃に
保ち、３０時間攪拌した。反応物が室温になるまで冷却
した後、希塩酸３５０ｍｌに排出し、トルエン１．２ｌ
で抽出した。有機層を充分に水洗いした後、硫酸マグネ
シウムにて余分な水を除去し、その後にトルエンを留去
し、トリエン／シリカゲルカラムにて精製し、前記式
（ＶＩＩ）で示されるフタロニトリル粗製物を３６．８
ｇ得た。
０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド／１−メチル−２
−ピロリドン＝１／１（容量比）混合溶媒１５０ｍｌに
溶解し、亜硝酸ナトリウム１１．９７ｇを加え、温度１
７０℃にて４０分攪拌し、温度を４０℃まで下げ、炭酸
カリウム１６．８ｇを加え、温度１５０℃で４０分攪拌
した。温度を３０℃まで下げた後ジｔｅｒｔブチルクロ
ロシラン４４．６ｇを加え、反応温度を８０〜９０℃に
保ち、３０時間攪拌した。反応物が室温になるまで冷却
した後、希塩酸３５０ｍｌに排出し、トルエン１．２ｌ
で抽出した。有機層を充分に水洗いした後、硫酸マグネ
シウムにて余分な水を除去し、その後にトルエンを留去
し、トリエン／シリカゲルカラムにて精製し、前記式
（ＶＩＩ）で示されるフタロニトリル粗製物を３６．８
ｇ得た。
【００４２】実施例３ （ジイミノイソインドリンの合成）前記式（ＶII）で示
されるフタロニトリル１０ｇを１００ｍｌのドライメタ
ノールに混合し、更にナトリウムメトキシド４．７２ｇ
を加え、アンモニアガスを吹き込みながら、室温で１時
間撹拌する。次に加熱し、アンモニアガスを吹き込みな
がら３時間還流する。室温まで冷却の後、温度をかけず
にメタノールを留去し、水洗いをし、下記式（ＶIII）
で示される結晶８．７ｇを得た。 ＩＲデータ ＳｉＨ…２９９６ｃｍ-1；ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３％、１
４２２ｃｍ-1
されるフタロニトリル１０ｇを１００ｍｌのドライメタ
ノールに混合し、更にナトリウムメトキシド４．７２ｇ
を加え、アンモニアガスを吹き込みながら、室温で１時
間撹拌する。次に加熱し、アンモニアガスを吹き込みな
がら３時間還流する。室温まで冷却の後、温度をかけず
にメタノールを留去し、水洗いをし、下記式（ＶIII）
で示される結晶８．７ｇを得た。 ＩＲデータ ＳｉＨ…２９９６ｃｍ-1；ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３％、１
４２２ｃｍ-1
【００４３】
【化１８】
【００４４】実施例４ （フタロニトリルの合成）４−ヒドロキシフタロニトリ
ル２０ｇと炭酸カリウム１０．５５ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド１８０ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲
気下ジメチルクロロシラン１９．６９ｇを温度１０℃で
滴下し、１０℃で３時間、室温で２時間撹拌した後、温
度を５０〜８０℃に加熱し、２０時間攪拌した。反応物
が室温になるまで冷却した後、希塩酸２５０ｍｌに排出
し、トルエン８００ｍｌで抽出し、有機層を充分に水洗
した後、硫酸マグネシウムで余分な水の除去をした後、
トルエンを留去し、トリエン／シリカゲルカラムにて精
製し、下記式（ＩＸ）で示される化合物１８．０ｇを得
た。 ＩＲデータ Ｃ≡Ｎ…２２４０ｃｍ-1；ＳｉＨ…２２９５ｃｍ-1； −ＣＨ3…２８６２ｃｍ-1
ル２０ｇと炭酸カリウム１０．５５ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド１８０ｍｌに加熱溶解し、アルゴン雰囲
気下ジメチルクロロシラン１９．６９ｇを温度１０℃で
滴下し、１０℃で３時間、室温で２時間撹拌した後、温
度を５０〜８０℃に加熱し、２０時間攪拌した。反応物
が室温になるまで冷却した後、希塩酸２５０ｍｌに排出
し、トルエン８００ｍｌで抽出し、有機層を充分に水洗
した後、硫酸マグネシウムで余分な水の除去をした後、
トルエンを留去し、トリエン／シリカゲルカラムにて精
製し、下記式（ＩＸ）で示される化合物１８．０ｇを得
た。 ＩＲデータ Ｃ≡Ｎ…２２４０ｃｍ-1；ＳｉＨ…２２９５ｃｍ-1； −ＣＨ3…２８６２ｃｍ-1
【００４５】
【化１９】
【００４６】実施例５ （フタロシアニンの合成）前記式（ＶIII）で示される
ジイミノイソインドリン１０ｇを、３０ｇのｎ−アミル
アルコールに加熱溶解し、塩化銅１．１ｇを加え、Ｎ2
ブローしながら加熱還流し、３６時間撹拌した。反応物
が室温になるまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液に１５
０ｍｌのメタノールを注ぎ、１日放置し、結晶を濾取し
て、その結晶をヘキサン／トルエン＝８／２シリカゲル
カラムにて、下記式（１Ａ）（１Ｂ）（１Ｃ）及び（１
Ｄ）で示される（１Ａ）／（１Ｂ）／（１Ｃ）／（１
Ｄ）＝４５／４０／１０／５の混合物５．１ｇを得た。
なお、この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、７１
１ｎｍであった。 ＩＲデータ −ＣＨ3…２８６４ｃｍ-1；Ｓｉ−Ｈ…２１０５ｃ
ｍ-1； ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３９５，１２４０ｃｍ-1
ジイミノイソインドリン１０ｇを、３０ｇのｎ−アミル
アルコールに加熱溶解し、塩化銅１．１ｇを加え、Ｎ2
ブローしながら加熱還流し、３６時間撹拌した。反応物
が室温になるまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液に１５
０ｍｌのメタノールを注ぎ、１日放置し、結晶を濾取し
て、その結晶をヘキサン／トルエン＝８／２シリカゲル
カラムにて、下記式（１Ａ）（１Ｂ）（１Ｃ）及び（１
Ｄ）で示される（１Ａ）／（１Ｂ）／（１Ｃ）／（１
Ｄ）＝４５／４０／１０／５の混合物５．１ｇを得た。
なお、この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、７１
１ｎｍであった。 ＩＲデータ −ＣＨ3…２８６４ｃｍ-1；Ｓｉ−Ｈ…２１０５ｃ
ｍ-1； ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３９５，１２４０ｃｍ-1
【００４７】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【００４８】実施例６ （フタロシアニンの合成）前記式（ＶＩＩ）で示される
フタロニトリル１０ｇを、３５ｇのｎ−アミルアルコー
ルに加熱溶解し、ジアザビシクロウンデセン４ｇを加
え、次いで更に塩化パラジウム１．９５ｇを加え、Ａｒ
雰囲気下１２０℃で２８時間攪拌した。反応物が室温に
なるまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液に１５０ｍｌの
メタノールを注ぎ１日放置し、結晶を濾取して、その結
晶をヘキサン／トルエン＝９／１シリカゲルカラムに
て、下記式（２Ａ）（２Ｂ）（２Ｃ）及び（２Ｄ）で示
される化合物を（２Ａ）／（２Ｂ）／（２Ｃ）／（２
Ｄ）＝４５／５５／０／０の比率で得た。なお、式（２
Ａ）で示される化合物のクロロホルム中のλｍａｘは、
６９５ｎｍであり、また式（２Ｂ）で示される化合物の
クロロホルム中のλｍａｘは７０４ｎｍであった。（２
Ａ）／（２Ｂ）混合物のＩＲ図を図２に示す。 ＩＲデータ −ＣＨ3…２８６４ｃｍ-1；Ｓｉ−Ｈ…２１０８ｃ
ｍ-1； ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３９６，１２４１ｃｍ-1
フタロニトリル１０ｇを、３５ｇのｎ−アミルアルコー
ルに加熱溶解し、ジアザビシクロウンデセン４ｇを加
え、次いで更に塩化パラジウム１．９５ｇを加え、Ａｒ
雰囲気下１２０℃で２８時間攪拌した。反応物が室温に
なるまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液に１５０ｍｌの
メタノールを注ぎ１日放置し、結晶を濾取して、その結
晶をヘキサン／トルエン＝９／１シリカゲルカラムに
て、下記式（２Ａ）（２Ｂ）（２Ｃ）及び（２Ｄ）で示
される化合物を（２Ａ）／（２Ｂ）／（２Ｃ）／（２
Ｄ）＝４５／５５／０／０の比率で得た。なお、式（２
Ａ）で示される化合物のクロロホルム中のλｍａｘは、
６９５ｎｍであり、また式（２Ｂ）で示される化合物の
クロロホルム中のλｍａｘは７０４ｎｍであった。（２
Ａ）／（２Ｂ）混合物のＩＲ図を図２に示す。 ＩＲデータ −ＣＨ3…２８６４ｃｍ-1；Ｓｉ−Ｈ…２１０８ｃ
ｍ-1； ｔｅｒｔ−Ｂｕ…１３９６，１２４１ｃｍ-1
【００４９】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【００５０】実施例７ （フタロシアニンのハロゲン化）実施例６で得られた前
記式（２Ｂ）で示されるフタロシアニン化合物を、ジク
ロロメタンと水の混合溶媒に溶解し、臭素（フタロシア
ニンに対し４〜６倍モル）を加え、反応温度４０〜５０
℃で３〜４時間撹拌し、冷却後有機層を濃縮することに
より、下記式（３Ｂ）で示される臭素化フタロシアニン
化合物を得た。そのクロロホルム中のλｍａｘは、７１
９ｎｍと長波長化した。なお、実施例５で得られたフタ
ロシアニン化合物もハロゲン化が可能である。
記式（２Ｂ）で示されるフタロシアニン化合物を、ジク
ロロメタンと水の混合溶媒に溶解し、臭素（フタロシア
ニンに対し４〜６倍モル）を加え、反応温度４０〜５０
℃で３〜４時間撹拌し、冷却後有機層を濃縮することに
より、下記式（３Ｂ）で示される臭素化フタロシアニン
化合物を得た。そのクロロホルム中のλｍａｘは、７１
９ｎｍと長波長化した。なお、実施例５で得られたフタ
ロシアニン化合物もハロゲン化が可能である。
【００５１】
【化２８】
【００５２】実施例１〜４で得られた化合物以外のフタ
ロニトリル及びジイミノイソインドリンの例を表１に示
す。
ロニトリル及びジイミノイソインドリンの例を表１に示
す。
【００５３】
【表１】
【００５４】実施例５〜７で得られた化合物以外のフタ
ロシアニンの例を表２に示す。なお、前述したような異
性体を、別々には列挙しない（もちろん異性体は存在す
る。）
ロシアニンの例を表２に示す。なお、前述したような異
性体を、別々には列挙しない（もちろん異性体は存在す
る。）
【００５５】
【表２】
【００５６】（評価）実施例５〜７で得られたフタロシ
アニン化合物は種々の溶媒に可溶であり、溶剤塗工法に
よる塗膜が容易に得られ、しかも近赤外領域に優れた吸
収能を有する。
アニン化合物は種々の溶媒に可溶であり、溶剤塗工法に
よる塗膜が容易に得られ、しかも近赤外領域に優れた吸
収能を有する。
【００５７】応用例１ 深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、実施例７で得られた式（３
Ｂ）で示される化合物をエチルセルソルブ／ヘキサン／
メチルセルソルブ／１，２−ジクロロエタン混合溶液に
溶解した溶液をスピナー塗布し、厚さ１８００Åの記録
層を設け、その上にＡｕを１２００Åの厚みで真空蒸着
して反射層とし、更にその上にアクリレート系フォトポ
リマーをスピンナー塗布して厚さ６μｍとし、紫外線硬
化させて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とし
た。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、実施例７で得られた式（３
Ｂ）で示される化合物をエチルセルソルブ／ヘキサン／
メチルセルソルブ／１，２−ジクロロエタン混合溶液に
溶解した溶液をスピナー塗布し、厚さ１８００Åの記録
層を設け、その上にＡｕを１２００Åの厚みで真空蒸着
して反射層とし、更にその上にアクリレート系フォトポ
リマーをスピンナー塗布して厚さ６μｍとし、紫外線硬
化させて保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とし
た。
【００５８】応用例２〜４ 応用例１において、式（３Ｂ）で示される化合物の代わ
りに、それぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１
５、Ｎｏ．１６を用いたこと以外は、応用例１と同様に
して応用例２〜４の記録媒体を得た。
りに、それぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１
５、Ｎｏ．１６を用いたこと以外は、応用例１と同様に
して応用例２〜４の記録媒体を得た。
【００５９】応用比較例１ 応用例１において、式（３Ｂ）で示される化合物の代り
に、下記一般式（Ｘ）で示される臭素化フタロシアニン
化合物を用いたこと以外は、応用例１と同様にして応用
比較例のＣＤ−Ｒ型記録媒体を得た。
に、下記一般式（Ｘ）で示される臭素化フタロシアニン
化合物を用いたこと以外は、応用例１と同様にして応用
比較例のＣＤ−Ｒ型記録媒体を得た。
【化２９】
【００６０】応用比較例２ 応用例１において、式（３Ｂ）で示される化合物の代わ
りに下記式（ＸI）で示されるシアニン色素を用いたこ
と以外は、応用例１と同様にして応用比較例のＣＤ−Ｒ
型記録媒体を得た。
りに下記式（ＸI）で示されるシアニン色素を用いたこ
と以外は、応用例１と同様にして応用比較例のＣＤ−Ｒ
型記録媒体を得た。
【化３０】
【００６１】応用例１〜４及び応用比較例１〜２の記録
媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速１．４
ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、最適記録
パワーでのＣ1エラーを測定し、更にその媒体について
３万５千Ｌｕｘ光に４００時間暴露後のＣ1エラー数を
測定した。その結果を表３に示す。
媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速１．４
ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、最適記録
パワーでのＣ1エラーを測定し、更にその媒体について
３万５千Ｌｕｘ光に４００時間暴露後のＣ1エラー数を
測定した。その結果を表３に示す。
【００６２】
【表３】
【００６３】（評価）本発明のフタロシアニン化合物
は、安定性が高く、７７０〜８００ｎｍに高い屈折率を
有するので、光記録用材料に優れた特性を与えることが
できる。
は、安定性が高く、７７０〜８００ｎｍに高い屈折率を
有するので、光記録用材料に優れた特性を与えることが
できる。
【００６４】
【発明の効果】請求項３〜５のフタロシアニン近赤外吸
収材料は、前記一般式（III a）〜（III d）、（IV a）
〜（IV d）、（V a）〜（V d）で示される構造を有する
ことから、フタロシアニン化合物が本来有している熱、
光等に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に
可溶なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持って
いる。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能とな
り、利用形態が非常に拡大され、また光記録媒体用とし
て有用である。
収材料は、前記一般式（III a）〜（III d）、（IV a）
〜（IV d）、（V a）〜（V d）で示される構造を有する
ことから、フタロシアニン化合物が本来有している熱、
光等に対する安定性を保持したまま、種々の有機溶媒に
可溶なものとなり、しかも高い近赤外線吸収能を持って
いる。その結果、溶剤塗工法による塗膜形成が可能とな
り、利用形態が非常に拡大され、また光記録媒体用とし
て有用である。
【００６５】請求項１のフタロニトリル化合物及び請求
項２のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前記
一般式（Ｉ）及び一般式（II）で示される構造を有する
ことから、請求項３〜５のフタロシアニン近赤外吸収材
料の中間体として有用なものとなる。
項２のジイミノイソインドリン化合物は、それぞれ前記
一般式（Ｉ）及び一般式（II）で示される構造を有する
ことから、請求項３〜５のフタロシアニン近赤外吸収材
料の中間体として有用なものとなる。
【００６６】請求項６〜７の前記一般式（Ｉ）で示され
るフタロニトリル化合物の製造方法並びに請求項８の前
記一般式（III a）〜（III d）及び（IV a）〜（IV d）
で示される金属フタロシアニン化合物の製造方法は、い
ずれも温和な条件で容易に目的物を得ることができるの
で、いずれも工業的に極めて有利な製造方法ということ
ができる。
るフタロニトリル化合物の製造方法並びに請求項８の前
記一般式（III a）〜（III d）及び（IV a）〜（IV d）
で示される金属フタロシアニン化合物の製造方法は、い
ずれも温和な条件で容易に目的物を得ることができるの
で、いずれも工業的に極めて有利な製造方法ということ
ができる。
【図１】実施例１で得られたフタロニトリル化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図２】実施例６で得られたフタロシアニン化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 3/00 １０５
Claims (8)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示されるフタロニト
リル化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。) - 【請求項２】 下記の一般式（II）で示されるジイミノ
イソインドリン化合物。 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ以下のものを表わす。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基。) - 【請求項３】 下記の一般式（III a)〜（III d)で示さ
れる４種のうち、１種又は２種以上の混合物からなるフ
タロシアニン近赤外吸収材料。 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 （式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。） - 【請求項４】 下記の一般式（IV a）〜（IV d）で示さ
れる４種のうち、１種又は２種以上の混合物からなるフ
タロシアニン近赤外吸収材料。 【化７】 【化８】 【化９】 【化１０】 （式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、ベンゼン環についているＸ1
〜Ｘ16以外の原子：水素原子又はハロゲン原子。） - 【請求項５】 下記の一般式（Ｖa）〜（Ｖd）で示され
る４種のうち、１種又は２種以上の混合物からなるフタ
ロシアニン近赤外吸収材料。 【化１１】 【化１２】 【化１３】 【化１４】 （式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ16、Ｙ及びｎ１〜ｎ４はそれぞれ
以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、２価の金属原子、１置換の３価金
属原子、２置換の４価金属原子又はオキシ金属原子、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3基、 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子又はハロゲン原子、 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。） - 【請求項６】 ３−又は４−ヒドロキシフタロニトリル
を、有機溶媒中でアルカリの存在下、下記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物と反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法。 - 【請求項７】 ３−又は４−ニトロフタロニトリルを、
有機溶媒中で亜硝酸ナトリウム及び炭酸カリウムと反応
させた後、更に前記一般式（VI） ＺＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3 （VI） （式中、Ｒ1〜Ｒ3及びＺはそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｒ1〜Ｒ3：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の１価の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の１
価の芳香族炭化水素基、又は−ＯＲ4基、 Ｒ4：水素原子、置換若しくは未置換の１価の脂肪族炭
化水素基、又はシリル基、 Ｚ ：ハロゲン原子。）で示される少なくとも１種の化
合物を反応させることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
示されるフタロニトリル化合物の製造方法。 - 【請求項８】 前記一般式（Ｉ）で示される少なくとも
１種のフタロニトリル化合物又は前記一般式（II）で示
される少なくとも１種のジイミノイソインドリン化合物
と、２価の金属、１置換の３価金属、２置換の４価金属
若しくはオキシ金属から選ばれた金属又はこれらの金属
の誘導体とを反応させることを特徴とする前記一般式(I
II a)〜(III d)及び(IV a)〜(IV d)で示される少なくと
も１種のフタロシアニン化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761794A JPH0820591A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外吸収材料並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17761794A JPH0820591A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外吸収材料並びにそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820591A true JPH0820591A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=16034143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17761794A Pending JPH0820591A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フタロニトリル化合物、ジイミノイソインドリン化合物及びフタロシアニン近赤外吸収材料並びにそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11322935A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Nippon Unicar Co Ltd | モノハロシランからオルガノシロキサンを製造する方法 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP17761794A patent/JPH0820591A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11322935A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Nippon Unicar Co Ltd | モノハロシランからオルガノシロキサンを製造する方法 |
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