JP3574380B2 - 半導体装置、配線基板、半導体装置の実装方法、及び半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置、配線基板、半導体装置の実装方法、及び半導体装置の実装構造 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、配線基板、半導体装置の実装方法、及び半導体装置の実装構造に関する。より詳細には、表面実装用の半導体装置、配線基板、半導体装置の実装方法、及び半導体装置の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置を実装基板に高密度で実装するという目的から、半導体装置を実装基板に表面実装して成る実装構造が普及している。この従来例に係る半導体装置の実装構造について、図7を参照しながら説明する。図7は、従来例に係る半導体装置の実装構造の要部拡大断面図である。
【0003】
図7において、101は、実装基板としての多層配線基板である。図示の如く、この多層配線基板101は、銅層をパターニングしてなる配線層102、102、・・・と、層間絶縁層103、103、・・・とが交互に複数積層された構造を有している。そして、配線層102の中で最上層に形成されているものには、電極パッド106、106、・・・が形成されている。この電極パッド106、106、・・・は、搭載される半導体装置108が備えるはんだポスト105、105、・・・に対応する位置に形成されるものである。
【0004】
半導体装置108は、半導体素子107の実装面にはんだポスト105、105、・・・を設けて成るものである。そして、この半導体装置108と多層配線基板101との接続は、はんだポスト105、105、・・・が電極パッド106、106、・・・に当接した状態で該はんだポスト105、105、・・・をリフローすることにより行われる。これにより、半導体装置108と多層配線基板101とが電気的かつ機械的に接続されることになる。
【0005】
図7の点線円内に示されるものは、電極パッド106と、はんだポスト105との接合部付近の拡大断面図である。これに示されるように、電極パッド106は、銅めっき層106aの上に、ニッケルめっき層106b、及び金めっき層106cがこの順に積層された構造となっている。これらのうち、金めっき層106cは、はんだポスト105と電極パッド106との接合強度を高めるための層である。そして、その下のニッケルめっき層106bは、銅めっき層106aと金めっき層106cとの接合強度を高めるための層である。このような構造を採用することにより、はんだポスト105が電極パッド106から剥離するのを防ぐことができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したはんだポスト105、105、・・・は、鉛を含むはんだから成るものである。そして、このはんだポスト105、105、・・・は、鉛を含むめっき液を用いた電解めっきで形成されるものである。
しかしながら、鉛を含むめっき液を用いるのでは、該めっき液を廃液処理する際に、人間が生活する環境内に鉛が流出する恐れがある。環境保護の観点からすると、このように鉛が流出してしまうのは好ましくない。
【0007】
更に、上記したように、はんだポスト105と電極パッド106との接合強度を高めるために、従来例に係る多層配線基板101は金めっき層106cを用いている。
しかしながら、金めっきはその製造コストが高いので、このように金めっき層106cを用いると、多層配線基板101の製造コストが高くなってしまう。
【0008】
本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、鉛を含むはんだポストや、該はんだポストと電極パッドとの接合強度を高めるための金めっき層を用いることなしに、半導体装置を実装基板に実装することができる半導体装置、配線基板、半導体装置の実装方法、及び半導体装置の実装構造を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、第1の発明である、半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置において、前記電極端子が銅から成り、該電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたことを特徴とする半導体装置によって解決する。
又は、第2の発明である、前記電極端子の形状が柱状であることを特徴とする第1の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【0010】
又は、第3の発明である、少なくとも一以上の配線層を備え、搭載される半導体装置の電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えた配線基板において、前記電極パッドの表面に、第2の亜鉛層が形成されたことを特徴とする配線基板によって解決する。
又は、第4の発明である、半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記半導体装置として、前記電極端子が亜鉛から成るものを用い、前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えたものを用い、前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して該電極端子を溶融することにより、該電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法によって解決する。
【0011】
又は、第5の発明である、前記実装基板として、前記電極パッドの表面に第2の亜鉛層が形成されたものを用いることを特徴とする第4の発明に記載の半導体装置の実装方法によって解決する。
又は、第6の発明である、半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記半導体装置として、前記電極端子が銅から成るものを用い、前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に、表面に第2の亜鉛層が形成された銅から成る電極パッドを備えたものを用い、前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して前記第2の亜鉛層を溶融することにより、該溶融した第2の亜鉛層を介して前記電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法によって解決する。
【0012】
又は、第7の発明である、前記半導体装置として、前記電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたものを用いること特徴とする第6の発明に記載の半導体装置の実装方法によって解決する。
又は、第8の発明である、半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記半導体装置として、前記電極端子が銅から成り、該電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたものを用い、前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えたものを用い、前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して前記第1の亜鉛層を溶融することにより、該溶融した第1の亜鉛層を介して前記電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法によって解決する。
【0013】
又は、第9の発明である、前記接合工程は、前記実装基板の耐熱温度よりも低い温度で行なわれることを特徴とする第4の発明から第8の発明のいずれか一の発明に記載の半導体装置の実装方法によって解決する。
又は、第10の発明である、前記温度を、熱風法又は赤外線加熱法により得ることを特徴とする第9の発明に記載の半導体装置の実装方法によって解決する。
【0015】
又は、第11の発明である、第4から第10の発明のいずれか一に記載の半導体装置の実装方法により、前記半導体装置の前記電極端子が前記実装基板の前記電極パッドに接合されたことを特徴とする半導体装置の実装構造によって解決する。
次に、本発明の作用について説明する。
【0016】
本発明に係る半導体装置によれば、該半導体装置は、亜鉛から成る電極端子をその実装面に設けて成るものである。この電極端子を形成する際には、従来のように鉛を含むめっき液を用いることが無い。そのため、この半導体装置の製造工程においては、鉛を含むめっき液を廃液処理する必要が無いので、人間が生活する環境内に鉛が流出することがない。
【0017】
また、本発明に係る配線基板によれば、該配線基板は、搭載される半導体装置の電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えている。そして、この電極パッドの表面に、第2の亜鉛層が形成される。この配線基板に半導体装置を実装する際には、該半導体装置の電極端子が第2の亜鉛層に当接した状態で該電極端子が加熱される。この加熱により、第2の亜鉛層が溶融するので、この配線基板の電極パッド上に半導体装置の電極端子が濡れ性良く接合させられる。
【0018】
一方、本発明に係る半導体装置の実装方法によれば、半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置が実装基板に実装される。この実装の際には、半導体装置として、その電極端子が亜鉛から成るものが用いられる。そして、実装基板として、搭載する半導体装置の上記電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えたものを用いる。更に、この電極端子が電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して該電極端子を溶融することにより、該電極端子を前記電極パッドに接合する。
【0019】
これによると、実装基板の銅から成る電極パッドの表面が、溶融した亜鉛に曝されることになる。亜鉛と銅との相溶性は極めて良いので、電極パッドの表面近傍に、銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。この銅−亜鉛合金(黄銅)は、電極パッドと電極端子との接合強度を高める機能を有している。そのため、この実装方法によると、従来のように電極パッド上に金めっき層を形成することなしに、電極パッドと電極端子との接合強度が高められる。
【0020】
【発明の実施の形態】
(1)本実施形態に係る半導体装置、配線基板、及び該半導体装置に該配線基板を実装して成る実装構造についての説明
次に、本実施形態に係る半導体装置、配線基板、及び該半導体装置に該配線基板を実装して成る実装構造について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置、配線基板、及び該半導体装置に該配線基板を実装して成る実装構造について示す断面図である。
【0021】
図1において、201は、半導体装置207を実装する実装基板としての配線基板である。この配線基板201は、配線層203、203、・・・と層間絶縁層202、202、・・・とが交互に積層された、いわゆる多層配線基板である。これらのうち、配線層203、203、・・・は、無電解銅めっき層や電解銅めっき層をパターニングして成るものである。そして、層間絶縁層202、202、・・・は、感光性ポリイミド樹脂、非感光性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等から成るものである。
【0022】
また、配線層203、203、・・・の中で最上層に形成されたものには、電極パッド203a、203a、・・・が形成されている。この電極パッド203a、203a、・・・の各々は、搭載される半導体装置207が備えるポスト(電極端子)206、206、・・・の位置に対応して形成されるものである。そして、この配線基板201の半導体装置搭載面において、ポスト206、206、・・・が接合される部分以外には、ソルダレジスト204が塗布されている。
【0023】
なお、本実施形態においては、配線基板201として多層配線基板を例示したが、本発明はこれに限られるものではない。すなわち、コア基材(図示せず)の表面に一層の配線層を形成して成る配線基板でも、以下に説明するのと同様の作用、効果を奏することができる。
一方、半導体装置207は、半導体素子205の実装面周縁部にポスト(電極端子)206、206、・・・を配列して成る、いわゆるペリフェラル型の半導体装置である。このポスト206、206、・・・は、従来例に係るはんだポスト105、105、・・・(図7参照)とは異なり、亜鉛から成るものである。そこで、このポスト206、206、・・・のことを以下では亜鉛ポスト206、206、・・・と称することにする。
【0024】
この亜鉛ポスト206、206、・・・は、従来例に係るはんだポスト105、105、・・・(図7参照)と同様に、電解めっきにより形成される。この電解めっきを行なう際には、従来例に係る鉛を含むめっき液に代えて、亜鉛を含むめっき液を用いれば良い。このめっき液としては、例えば、亜鉛の硫酸塩の酸性水溶液や、亜鉛のシアン化物のアルカリ性水溶液等の鉛を含まない水溶液が用いられる。
【0025】
亜鉛ポスト206、206、・・・に対応する開口を備えためっきレジスト(図示せず)を半導体素子205の実装面に塗布した状態で、該実装面を上記のめっき液に浸すことにより、めっきレジストの開口内に亜鉛ポスト206、206、・・・が形成される。
このように、本実施形態に係る半導体装置207においては、電極端子として亜鉛ポスト206、206、・・・を用いており、それを形成する際に用いるめっき液には鉛が含まれない。そのため、このめっき液を廃液処理する際に、従来のように人間が生活する環境に鉛が流出する恐れがない。
【0026】
次に、この亜鉛ポスト206と電極パッド203aの接合部付近の構造について、図2を参照しながら説明する。図2は、図1に示される亜鉛ポスト206と電極パッド203aの接合部付近の拡大断面図である。
上記したように、配線層203、203、・・・は銅めっき層から成るものなので、それに形成された電極パッド203a、203a、・・・は銅から成るものである。そして、この銅から成る電極パッド203a、203a、・・・の表面上には、図示の如く、亜鉛から成る亜鉛層203b(以下、第2の亜鉛層203bと称す)が形成されている。この第2の亜鉛層203bは、配線基板201の製造工程において、電極パッド203a、203a、・・・上に電解めっきにより形成されるものである。
【0027】
後述するように、半導体装置207を配線基板201に実装する際、亜鉛ポスト206、206、・・・は加熱されて溶融されるが、このように第2の亜鉛層203bを電極パッド203a、203a、・・・上に予め形成しておくと、溶融した亜鉛の濡れ性が良くなる。
(2)本実施形態に係る半導体装置の実装方法についての説明
次に、本実施形態に係る半導体装置の実装方法について、図3及び図4を参照しながら説明する。図3及び図4は、本実施形態に係る半導体装置の実装方法について示す断面図である。これらの図において、図1及び図2において既に説明したのと同様の構成部材については、図1及び図2と同様の参照番号を付し、以下ではその説明を省略する。
【0028】
まず最初に、図3に示すように、第2の亜鉛層203bに亜鉛ポスト206が当接するように、半導体装置207を配線基板201に向かって降ろしていく。次に、図4に示すように、第2の亜鉛層203bに亜鉛ポスト206が当接した状態で、側方から亜鉛ポスト206にレーザを照射し、該亜鉛ポスト206を加熱・溶融する(接合工程)。この際に用いるレーザとしては、例えば、エキシマレーザ、YAGレーザ、CO2 レーザ等がある。
【0029】
ここで、亜鉛ポスト206、206、・・・の温度を室温よりも高く且つ配線基板201の耐熱温度よりも低くなるように予め高くしておき、その状態で上記のレーザの照射を行なっても良い。このようにすると、亜鉛ポスト206、206、・・・の温度が予め高められているので、小さい照射エネルギのレーザで亜鉛ポスト206、206、・・・を溶融することができる。
【0030】
なお、このように亜鉛ポスト206、206、・・・の温度を予め高めるには、例えば熱風法や赤外線加熱法等の技術を用いれば良い。これらの技術は、従来例に係るはんだポスト107(図7参照)をリフローする際に用いられる公知技術である。そして、これらの技術を用いることにより、亜鉛ポスト206、206、・・・の温度が約200℃程度にまで加熱される。
【0031】
上のようにして亜鉛ポスト206を加熱・溶融すると、該亜鉛ポスト206が当接している第2の亜鉛層203bも溶融する。そして、この溶融した第2の亜鉛層203bにより、亜鉛ポスト206を電極パッド203a上に濡れ性良く接合させることができる。
また、第2の亜鉛層203bが溶融することにより、銅から成る電極パッド203aの表面が、この溶融した亜鉛に曝されるようになる。銅と亜鉛の相溶性は極めて良く、このように電極パッド203aの表面が溶融した亜鉛に曝されると、該表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。
【0032】
この銅−亜鉛合金(黄銅)は、電極パッド203aと亜鉛ポスト206との接合強度を高めるように機能する。この機能は、従来例に係る多層配線基板101が備える金めっき層106cの機能と同様である。
なお、配線基板201として、電極パッド203a上に第2の亜鉛層が形成されておらず、該電極パッド203aの表面が露出しているものを用いても、上記の銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。すなわち、この場合、亜鉛ポスト206が電極パッド203aに当接した状態で該亜鉛ポスト206にレーザを照射し、該亜鉛ポスト206を加熱・溶融する(接合工程)。これにより、銅から成る電極パッド203aの表面が溶融した亜鉛に曝され、該表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。従って、この場合においても、銅−亜鉛合金(黄銅)により、電極パッド203aと亜鉛ポスト206との接合強度を高めることができる。
【0033】
以上により、半導体装置207が配線基板201に電気的かつ機械的に接続され、図1に示される半導体装置の実装構造が完成する。
このように、本実施形態に係る半導体装置の実装方法によれば、金めっき層を実装基板に形成せずに、半導体装置207と配線基板201(実装基板)との接合強度を高めることができる。そのため、配線基板201に金めっき層を形成する必要が無くなるので、従来例に係る多層配線基板101と比較して、金めっき層106cの製造コストの分だけ本実施形態に係る配線基板201の製造コストを安くすることができる。
【0034】
なお、上においては、半導体装置207の電極端子として亜鉛から成る亜鉛ポスト206、206、・・・を用いたが、この亜鉛ポスト206、206、・・・に代えて、図5(a)に示されるような銅ポスト208、208、・・・を用いても、上で説明したのと同様の作用、効果が奏される。図5(a)及び(b)は、本実施形態に係る他の半導体装置の拡大断面図であり、図中において既に説明が成されたものについては、以下ではその説明を行なわない。
【0035】
この銅ポスト208、208、・・・は、先に説明した亜鉛ポスト206、206、・・・と同様に、電解めっきにより半導体素子205の実装面に形成されるものである。この電解めっきは公知の技術により行なわれ、その際に用いるめっき液中には鉛が含まれない。従って、このめっき液を廃液処理する際に、従来のように人間が生活する環境に鉛が流出する恐れがない。
【0036】
また、この半導体装置207の配線基板201(図2参照)への実装は、図3及び図4で説明したのと同様の方法で行なわれる。すなわち、銅ポスト208が第2の亜鉛層203bに当接した状態で、該銅ポスト208に上記のレーザを照射する(接合工程)。このようにレーザを照射すると、銅ポスト208は加熱され、やがてその温度が亜鉛の融点よりも高くなる。すると、この銅ポスト208が当接している第2の亜鉛層203bが溶融し、該第2の亜鉛層203bを介して電極パッド203aと銅ポスト208とが接合される。このとき、電極パッド203aの表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成され、それにより電極パッド203aと銅ポスト208との接合強度が高められるということは、先に説明した通りである。
【0037】
なお、図5(b)に示すように、この銅ポスト208の表面を亜鉛層209(以下、第1の亜鉛層209と称す)で覆っても良い。このようにすると、銅ポスト208にレーザを照射する際に第1の亜鉛層209が溶融するので、銅ポスト208を電極パッド206a上に濡れ性良く接合させることができる。
また、この第1の亜鉛層209が形成された銅ポスト208を用いる場合は、配線基板201として、電極パッド203a上に第2の亜鉛層203bが形成されておらず、該電極パッド203aの表面が露出しているものを用いても良い。このような配線基板を用いる場合は、銅ポスト208の底面に形成されている第1の亜鉛層209が電極パッド203aに当接した状態において、第1の亜鉛層209に上記のレーザを照射する(接合工程)。すると、この第1の亜鉛層209が溶融し、溶融した第1の亜鉛層209を介して銅ポスト208と電極パッド203aが接合する。このとき、溶融した第1の亜鉛層209により電極パッド206aの表面が曝されるので、該表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。そして、この銅−亜鉛合金(黄銅)により、銅ポスト208と電極パッド203aとの接合強度を高めることができる。
【0038】
このように、図5(a)及び(b)に示される銅ポスト208を用いても、配線基板201に金めっき層を形成することなしに、該銅ポスト208、208、・・・と電極パッド203aとの接合強度を高めることができる。
ところで、上で説明した本実施形態に係る半導体装置207(図1参照)では、電極端子206、206、・・・が半導体素子205の実装面上に直接形成された構造を有している。しかしながら、本実施形態はこれに限られるものではなく、半導体素子の実装面を再配線したものを本実施形態に係る半導体装置として用いても、上記したのと同様の作用、効果が奏される。これについて、図6を参照しながら説明する。図6は、本実施形態に係る別の半導体装置について示す断面図である。
【0039】
図6に示されるように、この半導体装置301は、半導体素子302を備えており、該半導体素子302の実装面はSiNより成るパシベーション層303で覆われている。パシベーション層303には開口部が複数設けられており、上記実装面に形成された電極304、304、・・・がこの開口部より露出している。
【0040】
そして、パシベーション層303の表面上に、上記開口部を介して電極304、304、・・・と電気的に接続する再配線層305が形成されている。この再配線層305は銅から成り、その表面には銅ポスト306、306、・・・が形成されている。この銅ポスト306、306、・・・の端部には、半導体装置301の電極端子として機能する亜鉛バンプ307、307、・・・が固着されている。なお、パシベーション層303、再配線層305、及び銅ポスト306、306、・・・の側壁は、モールド樹脂308で覆われている。
【0041】
この半導体装置301によると、鉛を含むはんだポストを従来のように電極端子として用いておらず、その代わり亜鉛より成る亜鉛バンプ307、307、・・・を電極端子として用いている。そのため、この半導体装置301の製造工程においては、人間が生活する環境内に鉛が流出することが無い。
また、この半導体装置301を配線基板201(図1参照)へ実装する実装方法は、図3及び図4で説明したのと同様の方法で行われる。すなわち、上記亜鉛バンプ307が第2の亜鉛層203b(図4参照)に当接した状態で該亜鉛バンプ307にレーザを照射することにより、該亜鉛バンプ307を加熱・溶融し(接合工程)、半導体装置301を配線基板201に電気的かつ機械的に接続する。
【0042】
この実装方法によると、先に説明したように、電極パッド203aの表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。そして、この銅−亜鉛合金が、電極パッド203aと亜鉛バンプ307との接合強度を高める機能を有しているので、この実装方法では、従来のように実装基板に高価な金めっき層を形成する必要が無い。
【0043】
このように、半導体素子の実装面を再配線したものを本実施形態に係る半導体装置として用いても、半導体素子の実装面上に電極端子が直接形成された半導体装置と同様の作用、効果が奏される。従って、本発明で言う半導体装置とは、上の二つの半導体装置のいずれか一方に限定して解釈すべきでなく、両方の半導体装置を含むものとして解釈されるものである。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体装置によると、該半導体装置は亜鉛から成る電極端子を備えている。これによると、従来のように鉛を含むはんだから成る電極端子を用いていないので、半導体装置の製造工程において人間が生活する環境内に鉛が流出する恐れがない。
【0045】
また、本発明に係る配線基板によると、搭載される半導体装置の電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドが形成され、その電極パッド上に第2の亜鉛層が形成される。これによると、半導体装置の電極端子を電極パッド上に濡れ性よく接合させることができる。
更に、本発明に係る半導体装置の実装方法によると、亜鉛から成る電極端子を備えた半導体装置を、該電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えた実装基板上に実装する。そして、半導体装置の電極端子が実装基板の電極パッドに当接した状態で、該電極端子にレーザを照射して該電極端子を溶融することにより、該電極端子を前記電極パッドに接合する。これによると、銅から成る電極パッドの表面が、溶融した亜鉛に曝され、該表面近傍に銅−亜鉛合金(黄銅)が生成される。この銅−亜鉛合金(黄銅)は、従来例に係る金めっき層と同様に、電極パッドと電極端子との接合強度を高める機能を有している。従って、本発明に係る半導体装置の実装方法では、高価な金めっき層を形成することなしに、電極パッドと電極端子との接合強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体装置、配線基板、及び該半導体装置に該配線基板を実装して成る実装構造について示す断面図である。
【図2】図1に示される亜鉛ポスト206と電極パッド203aの接合部付近の拡大断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装方法について示す断面図(その1)である。
【図4】本発明の実施の形態に係る半導体装置の実装方法について示す断面図(その2)である。
【図5】本発明の実施の形態に係る他の半導体装置の拡大断面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る別の半導体装置の断面図である。
【図7】従来例に係る半導体装置の実装構造の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
101・・・・・・・・・・・多層配線基板、
102、203・・・・・・・配線層、
103、202・・・・・・・層間絶縁層、
104、204・・・・・・・ソルダレジスト、
105・・・・・・・・・・・はんだポスト、
106、203a・・・・・・電極パッド、
106a・・・・・・・・・・銅めっき層、
106b・・・・・・・・・・ニッケルめっき層、
106c・・・・・・・・・・金めっき層、
107、205、302・・・半導体素子、
108、207、301・・・半導体装置、
201・・・・・・・・・・・配線基板、
203b・・・・・・・・・・第2の亜鉛層、
206・・・・・・・・・・・亜鉛ポスト、
208、306・・・・・・・銅ポスト、
209・・・・・・・・・・・第1の亜鉛層、
303・・・・・・・・・・・パシベーション層、
304・・・・・・・・・・・電極、
305・・・・・・・・・・・再配線層、
307・・・・・・・・・・・亜鉛バンプ、
308・・・・・・・・・・・モールド樹脂。
Claims (11)
- 半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置において、
前記電極端子が銅から成り、該電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記電極端子の形状が柱状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも一以上の配線層を備え、搭載される半導体装置の電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えた配線基板において、
前記電極パッドの表面に、第2の亜鉛層が形成されたことを特徴とする配線基板。 - 半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、
前記半導体装置として、前記電極端子が亜鉛から成るものを用い、
前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えたものを用い、
前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して該電極端子を溶融することにより、該電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 前記実装基板として、前記電極パッドの表面に第2の亜鉛層が形成されたものを用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の実装方法。
- 半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、
前記半導体装置として、前記電極端子が銅から成るものを用い、
前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に、表面に第2の亜鉛層が形成された銅から成る電極パッドを備えたものを用い、
前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して前記第2の亜鉛層を溶融することにより、該溶融した第2の亜鉛層を介して前記電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 前記半導体装置として、前記電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたものを用いること特徴とする請求項6に記載の半導体装置の実装方法。
- 半導体素子の実装面に複数の電極端子が設けられた半導体装置を実装基板に実装する半導体装置の実装方法において、
前記半導体装置として、前記電極端子が銅から成り、該電極端子の表面に第1の亜鉛層が形成されたものを用い、
前記実装基板として、搭載する半導体装置の前記電極端子に対応する位置に銅から成る電極パッドを備えたものを用い、
前記電極端子が前記電極パッドに当接した状態で該電極端子にレーザを照射して前記第1の亜鉛層を溶融することにより、該溶融した第1の亜鉛層を介して前記電極端子を前記電極パッドに接合する接合工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 前記接合工程は、前記実装基板の耐熱温度よりも低い温度で行なわれることを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法。
- 前記温度を、熱風法又は赤外線加熱法により得ることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の実装方法。
- 請求項4から請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置の実装方法により、前記半導体装置の前記電極端子が前記実装基板の前記電極パッドに接合されたことを特徴とする半導体装置の実装構造。
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