JP3573021B2 - 結晶保持装置 - Google Patents
結晶保持装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3573021B2 JP3573021B2 JP27663499A JP27663499A JP3573021B2 JP 3573021 B2 JP3573021 B2 JP 3573021B2 JP 27663499 A JP27663499 A JP 27663499A JP 27663499 A JP27663499 A JP 27663499A JP 3573021 B2 JP3573021 B2 JP 3573021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- rotary
- clamp
- clamps
- rotary clamps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/911—Seed or rod holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CZ法による単結晶の育成に使用される結晶保持装置に関し、より具体的には、育成結晶を上端部で機械的に保持して引上げる、結晶保持引上げに使用される結晶保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウエーハの素材としては、CZ法により製造されたシリコン単結晶が多用されている。CZ法によるシリコン単結晶の製造では、周知の通り、引上げ軸の下端に保持された種結晶を、坩堝内に形成されたシリコン融液に漬け、この状態から引上げ軸を回転させながら上昇させることにより、種結晶の下方にシリコンの単結晶を育成する。
【0003】
ここで種結晶は、シリコン単結晶からなる直径が10数mm程度の細い棒体であり、上部が種ホルダーに連結され、下部がシリコン融液に浸漬される。このような種結晶を高温のシリコン融液に浸漬すると、熱衝撃により転位が導入されるため、種結晶をシリコン融液に浸漬した後に種結晶の直径を絞り、しばらくの間この状態を維持して結晶の無転位化を図る、いわゆる種絞りが実施される。種絞り部の直径は無転位化の点から5mm以下が必要とされ、3mm以下が望ましいとされている。
【0004】
一方、CZ法によって製造されるシリコン単結晶は、これまでは直径が8インチで重量が100kg前後のものが主流であった。しかし、最近になって単結晶の更なる大径化が進み、直径が12インチのシリコン単結晶の試験製造も始まっている。
【0005】
単結晶の直径が大きくなると、その重量は飛躍的に増え、直径が12インチの場合で重量は200〜300kgに達する。この重量は、単結晶の上端部に位置し且つ最小径部である種絞り部に最も集中することになるが、シリコンの破壊強度は20kg/mm2 程度であるため、200kgのシリコン単結晶でさえこれを確実に保持するためには少なく見積もっても5mmを超える直径が種絞り部に必要になる。従って、結晶保持の点からは、12インチ単結晶の安定な引上げは不可能ということなる。
【0006】
この矛盾を解消するとりわけ有効な技術の一つとして、種絞り部に依存しない結晶保持引上げがある。特公平5−65477号公報、特開平10−81582号公報、特開平10−81583号公報等に記載されているこの技術では、図7に示すように、シードチャック3に保持された種結晶3を種絞りした後、その種絞り部11の下に、種絞り部11より大径で且つ機械的な保持が可能な被係止部12を形成し、その下に従来どおりの本体部13を形成する。被係止部12が形成されると、結晶保持装置20により被係止部12を機械的に保持して単結晶10を引上げる。
【0007】
単結晶10の脱落を防止るすため、その被係止部12は、通常は上部が太く、下部が細い形状とされ、下の細い部分でも、その外径は種絞り径より十分に大きく設定される。上の太い部分は、ノブ形状に類似し、下の部分は、下方の本体部13に対してくびれていることから、この被係止部12はノブ部或いはくびれ部と呼ばれている。
【0008】
また、結晶保持装置20としては、単結晶10を引上げるために昇降及び回転を行う円筒形状のフレーム21に、複数の回動式クランプ22,22を周方向に等間隔で取付けたものが知られている。単結晶10の育成に使用される引上げ軸1は、フレーム21の内側を挿通し、引上げ軸1の下端部に連結されたシードチャック2は、単結晶10の育成の進行に伴って、フレーム21内に引き込まれる。複数の回動式クランプ22,22は、内側へ回動することにより閉状態となり、閉状態で単結晶10の被係止部12を把持し、閉状態から上方へは回動自在である。
【0009】
回動式クランプ22,22を使用する結晶保持装置20の一般的な使用方法は以下の通りである。
【0010】
結晶保持装置20は、回動式クランプ22,22を閉状態にして、単結晶10の上方に待機する。この状態で単結晶10の育成が進行すると、まず、回動式クランプ22,22の内側をシードチャック2が通過する。次いで、単結晶10の種絞り部11が通過し、引き続き、回動式クランプ22,22の内側に被係止部12が進入し、被係止部12が自動的に把持される。そうすると、フレーム21は引上げ軸と同期して上昇及び回転を始める。これ以後、単結晶10は、被係止部12で結晶保持装置20により機械的に保持されつつ引上げられる。回動式クランプ22,22は、閉状態から上方へ自由に回動するので、シードチャック2の通過及び被係止部12の進入を阻害しない。
【0011】
このように、回動式クランプ22,22を使用する結晶保持装置20は、回動式クランプ22,22の操作機構を必要としないので、構造が簡単であり、この利点のため、回動式クランプ22,22は、当初から閉状態にセットされ、特に操作されないのが一般的であるが、一部の結晶保持装置20では、回動式クランプ22,22を開状態にセットしておき、その内側に被係止部21が進入したあと、単結晶10の本体部13(肩部)でプッシュロッドを突き上げて回動式クランプ22,22を閉状態に操作することも考えられている(特開平10−81582号公報)。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、回動式クランプ22,22を使用する従来の結晶保持装置20には、以下のような問題がある。
【0013】
種結晶3を保持するシードチャック2は、上部は引上げ軸1との連結のためにモリブデン等の金属で形成されているが、種結晶3を保持する下部は種結晶3の金属汚染を防止するためにカーボンで形成されている。回動式クランプ22,22を操作しない場合、即ち、回動式クランプ22,22が当初から閉状態にセットされる場合は、その内側をシードチャック2が通過するときに回動式クランプ22,22がシードチャック2の表面と擦れ合うため、カボーンの粉が脱落し、単結晶10の育成に支障を与えるおそれがある。
【0014】
また、シードチャック2が回動式クランプ22,22の内側に進入するときやその内側から抜け出るときに、段差通過による振動が生じ、これも単結晶10の育成に支障を与えるおそれがある。
【0015】
回動式クランプ22,22を開状態にセットしておき、その内側に被係止部21が進入したあと、回動式クランプ22,22を閉状態に操作する場合は、シードチャック2が回動式クランプ22,22の内側を非接触で通過するので、その通過に伴う上記の諸問題は解決される。
【0016】
しかし、回動式クランプ22,22の開状態から閉状態への切り換え操作が、単結晶10の本体部13(肩部)でプッシュロッドを突き上げることによって行われ、本体部13(肩部)に当接する位置にプッシュロッドを設ける必要があるため、結晶保持装置20が半径方向に大型化する問題がある。
【0017】
また、本体部13(肩部)は、被係止部12と比べ大径で高温であるため、プッシュロッドとの接触により汚染を生じるおそれがある。
【0018】
プッシュロッドによって内側へ操作された回動式クランプ22,22は、自重で内側へ倒れ込んで被係止部21の表面に衝突する。このときの衝撃で、単結晶10の安定な育成が阻害されるおそれもある。
【0019】
本発明の目的は、構造簡易な回動式クランプを使用する形式であるにもかかわらず、その内側をシードチャックが通過する際のカーボン脱落の問題を解決でき、しかも、半径方向への装置大型化、及び装置接触による単結晶の汚染を回避できる結晶保持装置を提供することにある。
【0020】
本発明の別の目的は、回動式クランプの自重による倒れ込みによる単結晶への衝突や、倒れ込み自体による衝撃を合わせて回避できる結晶保持装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の結晶保持装置は、単結晶を育成するための引上げ軸が内側を挿通し、育成結晶を引上げるために昇降及び回転を行うフレームと、育成結晶の上端部を把持するために、フレームの周方向複数箇所に回動自在に取付けられた複数の回動式クランプと、フレーム内に昇降自在に組み込まれ、引上げ軸の下端部に連結されたシードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇し、その上昇により複数の回動式クランプを開状態から閉状態に移行させるクランプ操作機構とを具備しており、クランプ操作機構は、各回動式クランプが自重によって閉方向に倒れ込む状態のときに、その倒れ込みを阻止しつつ各回動式クランプを閉方向に回動させる構成である。
【0022】
本発明の結晶保持装置では、クランプ操作機構により複数の回動式クランプが開状態から閉状態へ移行し、回動式クランプを当初から開状態とすることで、シードチャックが回動式クランプの内側を非接触で通過する。これにより、回動式クランプとシードチャックの接触回避が可能となる。しかも、開状態から閉状態への移行がシードチャックによる押し上げで行われ、回動式クランプの操作に育成結晶の上昇が使用されないので、育成結晶と装置の接触回避が可能となる。
【0023】
クランプ操作機構は、育成結晶の種絞り部が複数の回動式クランプの内側を通過するとき、回動式クランプを開状態から閉状態に移行させる構成が好ましい。回動式クランプは、細い種絞り部には閉状態でも接触しないので、種絞り部の通過時に回動式クランプを開状態から閉状態に移行させることにより、育成結晶への回動式クランプの衝突が回避される。閉状態に移行した回動式クランプは、その後、内側を上昇する結晶上端部の滑らかな外面形状に沿って緩やかに回動し、保持位置を把持する。
【0024】
クランプ操作機構の具体的な構成としては、複数の回動式クランプでは、各回動式クランプが開状態のときに外側を向くクランプ表面に、上方に向かって外側に傾斜するテーパ部を設け、クランプ操作機構では、複数の回動式クランプの外側にテーパ部の下方で嵌合し、シードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇する環状の操作部材を設けることが好ましい。この構成によれば、簡単な構造で、複数の回動式クランプが同期して開状態から閉状態に移行する。
【0025】
本発明の結晶保持装置では又、クランプ操作機構は、各回動式クランプが自重によって閉方向に倒れ込む状態のときに、その倒れ込みを阻止しつつ各回動式クランプを閉方向に回動させる構成になっている。この構成により、開状態から閉状態への移行が、シードチャックの上昇に同期して徐々に行なわれ、回動式クランプの倒れ込み自体による衝撃が防止される。
【0026】
回動式クランプの倒れ込みを阻止するための具体的な構成としては、複数の回動式クランプでは、各回動式クランプが開状態のときに外側を向くクランプ表面に凸部を設けると共に、凸部に外側を向く凹部と凹部を上方に開口させるスリットとを設け、クランプ操作機構では、シードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇する下向きの操作部材の下端部を、前記スリットを通して凹部に係合させることが好ましい。
【0027】
この具体的な構成によると、回動式クランプの重心点が回動中心より外側にある間は、回動式クランプは、その凸部が上方へ引かれて閉方向へ強制的に操作され、回動式クランプの重心点が回動中心より内側へ移動した後は、回動式クランプは、その凸部が下方へ押されて自重による内側への倒れ込みが阻止され、閉状態では操作部材が凹部から上方へ引き抜かれて回動式クランプを解放する。
【0028】
なお、クランプ操作機構は、回動式クランプを閉状態で回動自在とするため、開状態から閉状態への移行の後は、回動式クランプを解放し、結晶上端部等の通過を許容する構成が好ましい。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を説明する。図1は本発明の前提となる結晶保持装置の正面図で、その右半分は縦断面図、図2は同結晶保持装置の側面図である。
【0030】
本発明の前提となる結晶保持装置は、円筒形状のフレーム30と、フレーム30に取付けられた複数の回動式クランプ40,40と、回動式クランプ40,40を操作するためにフレーム30内に組み込まれたクランプ操作機構50とを備えている。
【0031】
フレーム30は円環状の上段ベース31と、同じく円環状の下段ベース32とを、複数本の垂直な連結棒33,33で連結した構造になっている。上段ベース31は、円環状の吊り下げベース60を介して2本の保持ワイヤ70,70に吊り下げられている。吊り下げベース60は、下方の上段ベース31とは、2本の保持ワイヤ70,70を含む平面に直角な2本の水平軸61、61により回動自在に連結されている。これにより、フレーム30は水平面内で直角な2方向に傾動自在となる。
【0032】
円環状の上段ベース31、下段ベース32及び吊り下げベース60の各内径は、シードチャック2の通過を許容するために、いずれもシードチャック2の外径より大とされている。
【0033】
複数の回動式クランプ40,40は、フレーム30の下端部の周方向複数位置に等間隔で配置されており、各基部が下段ベース32の上面に形成されたブラケット状の支持部32aに水平軸41により回動自在に支持されている。ここで、各水平軸41は、フレーム30の半径方向に直角である。これにより、各回動式クランプ40は、フレーム30の半径方向の垂直面内で基部を中心に内外に回動し、内側へ水平に倒れて閉状態となり、外側へ垂直に起立して開状態となる。そして、閉状態では開方向に回動自在であり、開状態では重心点が回動中心の外側に位置することにより自立する。
【0034】
回動式クランプ40,40の内側に形成される空間の直径は、閉状態では単結晶の被係止部を把持できるように、被係止部の最小外径より大きく、最大外径より小さく設定されており、開状態ではシードチャック2の外径より大きく設定されている。なお。単結晶の種絞り部の外径は、被係止部の最小外径より十分に小さい。
【0035】
クランプ操作機構50は、フレーム30の連結棒33,33をガイドとして、フレーム30内に昇降自在に組み込まれた環状の昇降ベース51と、昇降ベース51の下方に複数本の連結棒52,52により吊り下げられた円環状の操作部材53とを備えている。環状の昇降ベース51は、フレーム30内に同心状に配置されており、その内径はシードチャック2の外径より小さく設定されている。これにより、昇降ベース51は、フレーム30内をシードチャック2が通過するとき、そのシードチャック2によって上方へ押し上げられる。
【0036】
操作部材53も昇降ベース51と同様、フレーム30内に同心状に設けられており、下限位置では、下段ベース32の上面に形成されたブラケット状の支持部32a,32a上に載り、この状態で、支持部32a,32aに支持された開状態の回動式クランプ40,40の外側に嵌合し、回動式クランプ40,40を外側から支持して開状態に自立させる。回動式クランプ40,40は、開状態で外側に傾斜するテーパ面42,42を背面に有し、操作部材53はテーパ面42,42の下方のくびれ部43,43に嵌合する。これにより、操作部材53が下限位置から上昇した場合は、回動式クランプ40,40は内側へ押され、閉状態へ移行する。
【0037】
昇降ベース51から操作部材53までの距離は、シードチャック2の下方に形成される種絞り部が回動式クランプ40,40の内側を通過するときに、回動式クランプ40,40が開状態から閉状態へ移行するように設定されている。
【0038】
次に、本発明の前提となる結晶保持装置の機能について説明する。
【0039】
単結晶を育成する際には、フレーム30は定位置で待機する。クランプ操作機構50は下限位置にあり、回動式クランプ40,40は開状態にセットされる。一方、引上げ軸1はフレーム30の内側を通って下方に垂下される。引上げ軸1の下端部に接続されたシードチャック2には種結晶が保持される。
【0040】
単結晶の育成では、まず種結晶を原料融液に浸漬し、種絞りを行った後、種絞り部の下方に被係止部を形成し、本体部の育成を開始する。本体部の育成中、シードチャック2は所定速度で回転しながら上昇する。これにより、シードチャック2はフレーム30内に下方から進入し、回動式クランプ40,40の内側を通過する。回動式クランプ40,40は、開状態に起立しているので、シードチャック2は回動式クランプ40,40の内側を非接触で通過する。
【0041】
従って、シードチャック2が回動式クランプ40,40の内側を接触しながら通過するときに問題となるカーボン粉の脱落や振動が防止され、これらによる結晶育成への悪影響が回避される。
【0042】
フレーム30内をシードチャック2が更に上昇すると、クランプ操作機構50の昇降ベース51にシードチャック2が下方から当接し、昇降ベース51が上方へ押し上げられる。これにより、クランプ操作機構50の操作部材53が上昇し、その上昇に伴って回動式クランプ40,40が内側へ押され、回動式クランプ40,40の重心点が回動中心より内側へ移動した後は、自重で内側へ倒れ込んで閉状態へ自然に移行する。
【0043】
このとき、回動式クランプ40,40の内側を単結晶の種絞り部が通過しているので、内側へ倒れ込んだ回動式クランプ40,40は単結晶に衝突しない。このため、その衝突による結晶育成への悪影響が回避される。また、回動式クランプ40,40の開状態から閉状態への切り替えをシードチャック2による押し上げで行い、単結晶の本体部を用いないので、本体部を用いるときに問題となる本体部の汚染及び結晶保持装置の半径方向の大型化が回避される。
【0044】
回動式クランプ40,40が内側へ倒れ込むことにより、回動式クランプ40,40はクランプ操作機構50から解放され、閉状態で上方へ回動自在となる。倒れ込みの後もクランプ操作機構50はフレーム30内でしばらく上昇を続ける。この間に、回動式クランプ40,40の内側に単結晶の被係止部が進入し、被係止部が回動式クランプ40,40により把持される。単結晶の被係止部は、シードチャック2と異なり外形が滑らかであるので、回動式クランプ40,40を穏やかに押し上げてその内側に進入する。このため、単結晶の被係止部が進入するときの回動式クランプ40,40の回転動作は、単結晶の育成に悪影響を及ぼさない。
【0045】
単結晶の被係止部が回動式クランプ40,40により把持されると、フレーム30がシードチャック2に同期して回転及び上昇を開始する。これ以後、単結晶は結晶保持装置で機械的に保持されて引上げられる。
【0046】
図3は本発明の一実施形態を示す結晶保持装置の正面図で、その右半分は縦断面図、図4は同結晶保持装置の側面図、図5は同結晶保持装置の主要部の構造を示す、回動式クランプの一部破断側面図及び正面図、図6は同主要部の動作を示す、回動式クランプの一部破断側面図である。
【0047】
本実施形態の結晶保持装置は、上述した前提の結晶保持装置と比べ、回動式クランプ40,40及びクランプ操作機構50の構造が主に相違する。他の部分の構造は上述した前提の結晶保持装置と実質同一であるので、同一部分については同一番号を付して説明を省略する。
【0048】
回動式クランプ40,40は、図5に詳細に示されるように、開状態で外側を向く面に、その外側に突出する凸部44を備えている。凸部44は回動式クランプ40の基部に位置している。凸部44には、外側から断面が円形の凹部45が設けられると共に、上方からスリット46が凹部45に連通して設けられている。スリット46の幅は凹部45の内径より小である。
【0049】
クランプ操作機構50は、昇降ベース51から下方に延出した複数本の棒状の操作部材54,54を備えている。操作部材54,54は、下部に細径部55を有し、その更に下方(下端部)に球体状の係合部56を有している。細径部55は外側からスリット46に挿入され、係合部56は外側から凹部45に挿入されている。係合部56が外側から凹部45に挿入されることにより、その係合部56は凸部44に上方から係合した状態となる。
【0050】
単結晶の育成では、本実施形態の結晶保持装置は、上述した前提の結晶保持装置と同様、回動式クランプ40,40を開状態として待機位置でシードチャック2の進入を待つ。単結晶の育成の進行に伴って、シードチャック2がフレーム30内に下方から進入し、回動式クランプ40,40の内側を通過する。回動式クランプ40,40は、開状態に起立しているので、シードチャック2は回動式クランプ40,40の内側を非接触で通過する。
【0051】
フレーム30内をシードチャック2が更に上昇すると、クランプ操作機構50の昇降ベース51にシードチャック2が下方から当接し、昇降ベース51が上方へ押し上げられる。これにより、クランプ操作機構50の操作部材54,54が上昇し、その上昇に伴って回動式クランプ40,40の凸部44,44が係合部56,56により上方へ引き上げられる。これにより、回動式クランプ40,40は操作部材54,54の上昇に伴って内側へ傾く。スリット46,46に挿入された細径部55,55は、回動式クランプ40,40の傾斜を阻害しない。
【0052】
図6(a)に示すように、回動式クランプ40,40の傾斜角度が大きくなり、回動式クランプ40,40の重心点が回動中心より内側へ移動した後は、回動式クランプ40,40は自重で内側へ倒れ込もうとするが、操作部材54,54の係合部56,56は凸部44,44を下方に押し、その倒れ込みを阻止する。このため、回動式クランプ40,40は、その重心点が回動中心より内側へ移動した後も、シードチャック2の上昇に同期して内側へ徐々に傾斜する。
【0053】
即ち、操作部材54,54の係合部56,56は、回動式クランプ40,40の重心点が回動中心より外側にある間は、回動式クランプ40,40の凸部44,44を上方へ引き上げることにより、回動式クランプ40,40を閉方向に強制的に操作し、回動式クランプ40,40の重心点が回動中心より内側へ移動した後は、回動式クランプ40,40の凸部44,44を下方へ押すことにより、回動式クランプ40,40の自重による内側への倒れ込みを阻止し、回動式クランプ40,40を閉状態へ緩やかに移行させる。
【0054】
従って、本実施形態の結晶保持装置では、回動式クランプ40,40の自重による内側への倒れ込みによる衝撃、及びこの衝撃による結晶育成への悪影響も回避される。
【0055】
回動式クランプ40,40が閉状態へ移行すると、図6(b)に示すように、回動式クランプ40,40が水平に倒れることにより、凸部44,44は真上を向く。これにより、操作部材54,54の係合部56,56は、凹部45,45から円滑に引き抜かれ、回動式クランプ40,40を解放する。
【0056】
従って、操作部材54,54の係合部56,56は、閉状態になるまでは全期間にわたって回動式クランプ40,40を拘束するが、閉状態では回動式クランプ40,40の自由な回動を保証し、単結晶の被係止部の進入・把持を阻害しない。
【0057】
【発明の効果】
以上に説明した通り、本発明の結晶保持装置は、回動式クランプの開状態から閉状態への切り替えを行うので、回動式クランプとシードチャックの接触による結晶育成への悪影響を回避できる。また、回動式クランプの開状態から閉状態への切り替えをシードチャックによる押し上げで行うので、切り替え時の育成結晶と装置の接触による結晶育成への悪影響も回避できる。従って、単結晶の上端部を機械的に保持するにもかかわらず、安定な育成を保証し得る。更に、装置の小型化も可能である。
【0058】
育成結晶の種絞り部が複数の回動式クランプの内側を通過するとき、回動式クランプを開状態から閉状態に移行させる構成としたときは、育成結晶へのクランプ衝突による結晶育成への悪影響も回避できる。
【0059】
本発明の結晶保持装置は又、回動式クランプが自重によって閉方向に倒れ込む状態のときに、その倒れ込みを阻止しつつ各回動式クランプを閉方向に回動させる構成としたことにより、回動式クランプの倒れ込み自体による衝撃を防止でき、これによる結晶育成への悪影響も回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の前提となる結晶保持装置の正面図で、その右半分は縦断面図である。
【図2】同結晶保持装置の側面図である。
【図3】本発明の一実施形態を示す結晶保持装置の正面図で、その右半分は縦断面図である。
【図4】同結晶保持装置の側面図である。
【図5】(a)は同結晶保持装置の主要部の構造を示す、回動式クランプの一部破断側面図、(b)は同回動式クランプの正面図である。
【図6】(a)(b)は同主要部の動作を段階的に示す、回動式クランプの一部破断側面図である。
【図7】結晶保持引上げの概念図である。
Claims (4)
- CZ法により育成される単結晶を上端部で保持して引上げる結晶保持装置であって、単結晶を育成するための引上げ軸が内側を挿通し、育成結晶を引上げるために昇降及び回転を行うフレームと、育成結晶の上端部を把持するために、フレームの周方向複数箇所に回動自在に取付けられた複数の回動式クランプと、フレーム内に昇降自在に組み込まれ、引上げ軸の下端部に連結されたシードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇し、その上昇により複数の回動式クランプを開状態から閉状態に移行させるクランプ操作機構とを具備しており、クランプ操作機構は、各回動式クランプが自重によって閉方向に倒れ込む状態のときに、その倒れ込みを阻止しつつ各回動式クランプを閉方向に回動させる構成である結晶保持装置。
- クランプ操作機構は、育成結晶の種絞り部が複数の回動式クランプの内側を通過するときに、複数の回動式クランプを開状態から閉状態に移行させる構成である請求項1に記載の結晶保持装置。
- 複数の回動式クランプは、開状態で外側を向く面に、上方に向かって外側に傾斜するテーパ部を有し、クランプ操作機構は、複数の回動式クランプの外側にテーパ部の下方で嵌合し、シードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇する環状の操作部材を有する請求項1又は2に記載の結晶保持装置。
- 複数の回動式クランプでは、各回動式クランプが開状態のときに外側を向くクランプ表面に凸部を設けると共に、凸部に外側を向く凹部と凹部を上方に開口させるスリットとを設け、クランプ操作機構では、シードチャックに押し上げられてフレーム内を上昇する下向きの操作部材の下端部を、前記スリットを通して凹部に係合させたことを特徴とする請求項1に記載の結晶保持装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27663499A JP3573021B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 結晶保持装置 |
US10/038,865 US6645296B2 (en) | 1999-09-29 | 2002-01-08 | Crystal holding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27663499A JP3573021B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 結晶保持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001097798A JP2001097798A (ja) | 2001-04-10 |
JP3573021B2 true JP3573021B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=17572189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27663499A Expired - Fee Related JP3573021B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 結晶保持装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6645296B2 (ja) |
JP (1) | JP3573021B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006034433B4 (de) | 2006-07-26 | 2018-03-22 | Crystal Growing Systems Gmbh | Kristallziehanlage, Unterstützungsvorrichtung und Verfahren zur Her-stellung von schweren Kristallen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6139633A (en) * | 1996-09-03 | 2000-10-31 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Single crystal pulling apparatus |
JP2990660B2 (ja) * | 1996-09-06 | 1999-12-13 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引上装置 |
JP2990659B2 (ja) * | 1996-09-06 | 1999-12-13 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引上装置 |
JPH10273381A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 結晶体の引上げ装置 |
TW370580B (en) * | 1997-09-22 | 1999-09-21 | Super Silicon Crystal Res | Monocrystal pulling device |
JP4149016B2 (ja) * | 1997-10-23 | 2008-09-10 | Sumco Techxiv株式会社 | 結晶体引上げ装置の結晶体把持機構 |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27663499A patent/JP3573021B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-08 US US10/038,865 patent/US6645296B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001097798A (ja) | 2001-04-10 |
US20020117106A1 (en) | 2002-08-29 |
US6645296B2 (en) | 2003-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1036187A (ja) | 単結晶の引上げ方法及び装置 | |
JP3573021B2 (ja) | 結晶保持装置 | |
KR100310780B1 (ko) | 단결정 인상장치 | |
JP3598681B2 (ja) | 単結晶の引上げ方法及び装置 | |
JPH02120294A (ja) | リチャージ装置 | |
JPH10120489A (ja) | 単結晶の引上げ方法 | |
JP3964002B2 (ja) | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 | |
JPH10279386A (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶支持機構並びに単結晶引上げ方法 | |
JP4026694B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
JPH1081581A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP4026695B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
JP2000344591A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPH10265291A (ja) | 単結晶引き上げ装置及び引き上げ方法 | |
JP4248671B2 (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
JPH11100291A (ja) | 単結晶保持装置 | |
JP4651032B2 (ja) | 半導体材料から成る成長する単結晶を支持するための支持装置および単結晶を製作するための方法 | |
JP2990659B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP4070162B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
JP3050135B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置 | |
JPH09227281A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JPH11199374A (ja) | 単結晶の引き上げ装置および落下防止装置 | |
JP2001261486A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JPH11217292A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPH05301793A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP4046991B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造に用いるロッド補充システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040127 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040608 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3573021 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |