JP3570897B2 - ドライバ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライバ回路に関し、特にAMI信号を送出するドライバ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のドライバ回路は、例えば、特開平6−152427号公報に示されるように回路を簡略化し、チップ面積を小さくする目的で用いられている。
【0003】
図7は従来のドライバ回路の一例を示す図である。オペアンプのボルテージフォロワによるドライバアンプ11と、このドライバアンプ11の出力側にそれぞれ接続される2つのスイッチS1,S2と、ドライバアンプ側である1次側が2回路別々に巻かれ且つ2次側から出力を取り出すパルストランス13と、スイッチS1,S2を制御する信号変換回路12とを有する。このパルストランス13にドライバアンプ11を接続するとき、接続するパルストランス13の一次側回路を、正側のパルスを出力するためのスイッチS1または負側のパルスを出力するためのスイッチS2により切り換える。これらの スイッチS1,S2のON/OFFにより、パルストランス13に流れる電流の方向を制御し、100%AMI符号化された信号を伝送線路14に出力する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようなドライバ回路は、次のような問題をもっている。
【0005】
第1の問題点は、トランス以外を半導体集積回路で構成する場合、温度変動や電源変動及び半導体集積回路の製造偏差によって、線路に送出するAMI信号の振幅が変化することである。その理由は、半導体集積回路でスイッチを構成する場合は、通常MOSトランジスタを使用するが、MOSトランジスタのオン抵抗が温度変動や電源変動及び半導体集積回路の製造偏差によって変化するためである。
【0006】
従来回路の例ではスイッチのオン抵抗の変化によりトランス1次側の入力振幅が変化するため、温度変動や電源変動及び半導体集積回路の製造偏差によって線路に送出するAMI信号の振幅が変化してしまう。
【0007】
第2の問題点は、消費電力が大きいことである。その理由は、伝送路に送出するAMI信号が無信号状態であっても、ドライバアンプ11の出力段に電流が流れているためである。伝送路にAMI信号の正極性パルス又は負極性パルスを送出する場合はトランスの1次側に電流を供給しなければならないが、AMI信号の無信号状態の場合はトランスの1次側に電流を供給する必要がない。しかしながら、従来の回路では無信号状態であってもドライバアンプ11はボルテージフォロアとして動作しているためその出力段に電流が流れている。
【0008】
そこで、本発明の目的は、伝送路に送出するAMI信号の振幅を安定化することにある。
【0009】
本発明の他の目的は消費電力の少ないドライバ回路を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため、本発明による固定ディスク装置は、次のような特徴的な構成を採用している。
【0011】
(1)非反転入力に基準電圧入力端子を接続したアンプと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続したNチャネル型MOSトランジスタと、
中点端子をグランドに接続し、第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
前記トランスの第1の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段とを備えたドライバ回路。
【0012】
(2)非反転入力に基準電圧入力端子を接続したアンプと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続した第1のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続した第2のNチャネル型MOSトランジスタと、
中点端子をグランドに接続し、第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した電流源と、
第1の信号入力端子の信号と第2の信号入力端子の信号を入力とするNORと、
前記トランスの第1の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースと前記アンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段とを備えたドライバ回路。
【0013】
(3)非反転入力に第1の基準電圧入力端子を接続した第1のアンプと、
非反転入力に第2の基準電圧入力端子を接続した第2のアンプと、
第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続 したNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続したPチャネル型MOSトランジスタと、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Pチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第6のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Pチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第7のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第8のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。
【0014】
(4)非反転入力に第1の基準電圧入力端子を接続した第1のアンプと、
非反転入力に第2の基準電圧入力端子を接続した第2のアンプと、
第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続した第1のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続した第2のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続した第1のPチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続した第2のPチャネル型MOSトランジスタと、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した第1の電流源と、
前記第2のPチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した第2の電流源と、
第1の信号入力端子の信号と第2の信号入力端子の信号を入力とするNORと、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のPチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第6のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のPチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第7のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第8のスイッチ手段と、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースと前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第9のスイッチ手段と、
前記第2のPチャネル型MOSトランジスタのソースと前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第10のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。
【0015】
本発明のドライバ回路は、伝送路に送出するAMI信号が正極性パルスまたは負極性パルスである時、スイッチのオン・オフ制御によってアンプに負帰還ループを掛け、トランスの入力端子をこのアンプの仮想接地点に接続する手段(図1のすべての要素)と、伝送路に送出するAMI信号が無信号である時、スイッチのオン・オフ制御によってトランスを切り離し、同時に回路に流れる電流を削減する手段(図1のすべての要素)とを有する。
【0016】
本発明では、伝送路に送出するAMI信号が正極性パルスまたは負極性パルスである時、トランスの1次側入力電圧はアンプの仮想接地点の電圧に等しくなる。アンプの仮想接地点の電圧はアンプの非反転入力に入力された基準電圧でのみ決まるため、温度変動や電源変動、半導体集積回路の製造偏差によってスイッチのオン抵抗やNMOSトランジスタの特性が変化しても、トランス1次側の入力電圧は変化しない。このため、伝送路に送出するAMI信号のパルス振幅が安定化される。
【0017】
また、伝送路に送出するAMI信号が無信号である時、トランス1次側を切り離すと同時に、大きな電流が流れる出力部分をオフさせるため消費電力の低減を図ることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の第1の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0019】
図1は本発明の第1の実施の形態を示す回路図である。図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態は、アンプ1の非反転入力に基準電圧入力端子3を接続し、出力をNチャネル型MOSトランジスタ7(以下NMOS)のゲートに接続し、NMOS7のドレインを電源に接続し、信号入力端子5に入力された信号φ1によってオン・オフ制御されるスイッチ21を、トランス30の+側入力端子31とNMOS7のソースとの間に配置し、同様のスイッチ20をトランス30の+側入力端子31とアンプ1の反転入力端子との間に配置し、信号入力端子6に入力された信号φ2によってオン・オフ制御されるスイッチ25を、トランス30の−側入力端子32とNMOS7のソースとの間に配置し、同様のスイッチ24をトランス30の−側入力端子32とアンプ1の反転入力端子との間に配置し、トランス30の1次側巻き線の中点端子35をグランドに接続し、+側出力端子33を伝送路送出端子36に接続し、−側出力端子34を伝送路送出端子37に接続する構成となっている。
【0020】
次に、上述本発明の第1の実施の形態の動作ついて図面を参照して詳細に説明する。
【0021】
図5は本発明の第1の実施の形態の動作を説明するための波形図である。図5を参照すると、φ1は信号入力端子5に入力される信号、φ2は信号入力端子6に入力される信号である。VOは伝送路に送出されるAMI信号であり、正極性パルスを「+」、負極性パルスを「−」、パルスなしの無信号状態を「0」として表している。φ1、φ2の論理と伝送路に送出するAMI信号との関係は、φ1が1でφ2が0の時、AMI信号の正極性パルスを送出し、φ1が0でφ2が1の時、負極製パルスを送出しφ1、φ2共に0の時、無信号の状態となる。φ1、φ2が取りうる論理の中で共に1,1となる状態はないものである。説明の簡単のため、入力信号φ1、φ2の論理レベルが取りうる3状態を各状態ごとに区間A、B、Cに分け区間ごとに動作を説明する。
【0022】
<区間Aの状態>
区間Aでは、φ1は1、φ2は0であるため、スイッチ20,21がオンとなりスイッチ24、25がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。トランス30の−側入力端子32はスイッチ24、25がオフであるため解放となる。従って、トランス30の1次側では、+側入力端子31から中点端子35の方向に電源からNMOS7とスイッチ21を介して電流が供給され、2次側では−側出力端子34から+側出力端子33の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の正極性パルスが送出される。
【0023】
<区間Bの状態>
区間Bでは、φ1、φ2は0であるため、スイッチ20,21、24、25がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループと、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループとが切れるため、NMOS7はオフとなりトランス30の+側入力端子31と−側入力端子32は共に解放になる。従って、トランス30の1次側への電流の供給が行われず2次側にも電流が流れないため、伝送路送出端子36,37間はAMI信号の無信号状態となる。
【0024】
<区間Cの状態>
区間Cでは、φ1は0、φ2は1であるため、スイッチ24,25がオンとなりスイッチ20、21がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。トランス30の+側入力端子31はスイッチ20、21がオフであるため解放となる。従って、トランス30の1次側では、−側入力端子32から中点端子35の方向に電源からNMOS7とスイッチ25を介して電流が供給され、2次側では+側出力端子33から−側出力端子34の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の負極性パルスが送出される。
【0025】
以上、区間A,B,Cで説明した動作を入力信号φ1、φ2に応じて行うことにより伝送路にAMI信号を送出する回路となっている。
次に、上述本発明の第1の実施の形態の効果について説明する。伝送路にAMI信号の正極性パルス及び負極製パルスを送出する状態、すなわち前述した区間A、Cの状態では、アンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の1次側にアンプ1の仮想接地点と同じ電圧が供給される。アンプ1の仮想接地点の電圧は基準電圧入力端子3の電圧のみで決まるものであり、温度変動や電源変動及び半導体集積回路の製造偏差によって各スイッチのオン抵抗やNMOS7の特性が変化しても影響されない。従って、トランス30の入力電圧が常に一定であるため、伝送路へ送出するAMI信号の振幅が安定化されるという効果がある。
【0026】
また、伝送路にAMI信号の無信号を送出する状態、すなわち前述した区間Bの状態では、アンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛からないため、NMOS7がオフになりトランス30の1次側への電流供給が行われない。アンプ1はごく簡単なアンプ、例えば、差動対1段等の消費電力が少ない回路などで十分実現可能であるため、区間Bにおける電力を消費する回路はアンプ1のみとなり、大きな電流を消費する回路が存在しない。従って、AMI信号のパルス送出の状態に比べ、無信号を送出する状態では消費電力を低減する効果をも併せ持つ。
【0027】
次に、本発明の第2の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0028】
図2は本発明の第2の実施の形態を示す回路図である。図2を参照すると、第2の実施の形態は前述した第1の実施の形態に加え、NMOS8をアンプ1の出力に接続し、NMOS8のソースとアンプ1の反転入力間に、信号入力端子5の入力信号φ1と信号入力端子6の入力信号φ2を入力としたNOR13の出力φ3によってオン・オフ制御されるスイッチ28を配置し、NMOS8のソースとグランド間に電流源11を配置した構成となっている。
【0029】
次に、本発明の第2の実施の形態の動作ついて図面を参照しながら詳細に説明する。
【0030】
図6は本発明の第2の実施の形態の動作を説明するための波形図である。図6を参照すると、φ1は信号入力端子5に入力される信号、φ2は信号入力端子6に入力される信号、φ3はφ1とφ2のNOR出力である。VOは伝送路に送出されるAMI信号であり、正極性パルスを「+」、負極性パルスを「−」、パルスなしの無心号状態を「0」として表している。φ1、φ2の論理と伝送路に送出するAMI信号との関係は、φ1が1でφ2が0の時、AMI信号の正極性パルスを送出し、φ1が0でφ2が1の時、負極製パルスを送出しφ1、φ2共に0の時、無信号の状態となる。φ1、φ2が取りうる論理の中で共に1,1となる状態はないものである。説明の簡単のため、入力信号φ1、φ2の論理レベルが取りうる3状態を各状態ごとに区間A、B、Cに分け区間ごとに動作を説明する。
【0031】
<区間Aの状態>
区間Aでは、φ1は1、φ2は0であるため、φ3が0となりスイッチ20,21がオン、スイッチ24、25、28がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かる、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。トランス30の−側入力端子32はスイッチ24、25がオフであるため解放となる。従って、トランス30の1次側では、+側入力端子31から中点端子35の方向に電源からNMOS7とスイッチ21を介して電流が供給され、2次側では−側出力端子34から+側出力端子33の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の正極性パルスが送出される。
【0032】
<区間Bの状態>
区間Bでは、φ1、φ2は0であるため、φ3が1となりスイッチ20,21、24、25がオフ、スイッチ28がオンとなる。このような場合、NMOS8からスイッチ28を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かる。このとき、NMOS7にはこれをオンされるに十分なゲートソース間電圧が掛かることになるが、スイッチ20、21、24、25をがオフであるためトランス30の+側入力端子31と−側入力端子32は共に解放になる。従って、トランス30の1次側への電流の供給が行われず2次側にも電流が流れないため、伝送路送出端子36,37間はAMI信号の無信号状態となる。
【0033】
<区間Cの状態>
区間Cでは、φ1は0、φ2は1であるため、φ3が0であるスイッチ24,25がオン、スイッチ20、21、28がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。トランス30の+側入力端子31はスイッチ20、21がオフであるため解放となる。従って、トランス30の1次側では、−側入力端子32から中点端子35の方向に電源からNMOS7とスイッチ25を介して電流が供給され、2次側では+側出力端子33から−側出力端子34の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の負極性パルスが送出される。
【0034】
以上、区間A,B,Cで説明した動作を入力信号φ1、φ2に応じて行うことにより伝送路にAMI信号を送出する回路となっている。
【0035】
次に、本発明の第2の実施の形態の効果について説明する。本発明の第2の実施の形態では前述した第1の実施の形態の効果に加えて、伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くすることができる効果を有する。その理由は、第1の実施の形態ではAMI信号の無信号状態の時、負帰還ループが切れるためアンプ1の出力電圧が不定になっていたのに対し、第2の実施の形態では区間Bで動作説明したように負帰還ループが掛かかるため、アンプ1の出力電圧をパルス有りの時の動作電圧から変化させないように設定できる。従って、無信号状態からパルス有りの状態へ遷移する際の負帰還ループの収束時間が速くなるため、結果的に伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くすることができる。
【0036】
また、無信号を送出する状態での消費電力は、第1の実施の形態に比べて電流源11のぶんだけ大きくなっているが、電流源11よりはるかに大きな電流が流れるNMOS7がオフしていることは変わらないため、消費電力を低減する効果がなくなるものではない。
【0037】
次に、本発明の第3の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0038】
図3は本発明の第3の実施の形態を示す回路図である。図3を参照すると、本発明の第3の実施の形態は、アンプ1の非反転入力に基準電圧入力端子3を接続し、出力をNMOS7のゲートに接続し、アンプ2の非反転入力に基準電圧入力端子4を接続し、出力をPチャネル型MOSトランジスタ(以下PMOS)9のゲートに接続し、NMOS7のドレインを電源に接続し、PMOS9のドレインをグランドに接続し、信号入力端子5に入力された信号φ1によってオン・オフ制御されるスイッチ21を、トランス30の+側入力端子31とNMOS7のソースとの間に配置し、同様のスイッチ20をトランス30の+側入力端子31とアンプ1の反転入力端子との間に配置し、同様のスイッチ23をトランス30の−側入力端子32とアンプ2の反転入力端子との間に配置し、同様のスイッチ22をトランス30の−側入力端子32とPMOS9のソースとの間に配置し、信号入力端子6に入力された信号φ2によってオン・オフ制御されるスイッチ25をトランス30の−側入力端子32とNMOS7のソースとの間に配置し、同様のスイッチ27をトランス30の+側入力端子31とアンプ2の反転入力端子との間に配置し、同様のスイッチ24をトランス30の−側入力端子32とアンプ1の反転入力端子との間に配置し、同様のスイッチ26をトランス30の+側入力端子31とPMOS9のソースとの間に配置し、トランス30の+側出力端子33を伝送路送出端子36に接続し、−側出力端子34を伝送路送出端子37に接続する構成となっている。
【0039】
次に、本発明の第3の実施の形態の動作ついて図面を参照しながら詳細に説明する。
【0040】
図5は本発明の第3の実施の形態の動作を示す波形図である。図5を参照すると、φ1は信号入力端子5に入力される信号、φ2は信号入力端子6に入力される信号である。VOは伝送路に送出されるAMI信号であり、正極性パルスを「+」、負極性パルスを「−」、パルスなしの無信号状態を「0」として表している。φ1、φ2の論理と伝送路に送出するAMI信号との関係は、φ1が1でφ2が0の時、AMI信号の正極性パルスを送出し、φ1が0でφ2が1の時、負極製パルスを送出しφ1、φ2共に0の時、無信号の状態となる。φ1、φ2が取りうる論理の中で共に1,1となる状態はないものである。また、基準電圧3の電圧は基準電圧4の電圧より高い電圧が入力されるものとする。説明の簡単のため、入力信号φ1、φ2の論理レベルが取りうる3状態を各状態ごとに区間A、B、Cに分け区間ごとに動作を説明する。
【0041】
<区間Aの状態>
区間Aではφ1は1、φ2は0であるため、スイッチ20〜23がオンとなりスイッチ24〜27がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。同様にPMOS9からスイッチ22、23を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ2の仮想接地点と同じ基準電圧4に等しい電圧となる。この時、トランス30の1次側での電流の方向は+側入力端子31から−側入力端子32の方向であり、電源からNMOS7とスイッチ21を介して供給される電流が、トランスの1次側を通りスイッチ22とPMOS9を経由してグランドに流れる。2次側では−側出力端子34から+側出力端子33の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の正極性パルスが送出される。
【0042】
<区間Bの状態>
区間Bではφ1、φ2は0であるため、スイッチ20〜27のすべてがオフとなる。このような場合には、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループと、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループと、PMOS9からスイッチ26、27を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループと、PMOS9からスイッチ22、23を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループとが切れるため、+側入力端子31と−側入力端子32は共に解放になる。従って、トランス30の1次側への電流の供給が行われず2次側にも電流が流れないため、伝送路送出端子36,37間はAMI信号の無信号状態となる。
【0043】
<区間Cの状態>
区間Cでは、φ1は0、φ2は1であるため、スイッチ24〜27がオンとなりスイッチ20〜23がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。同様にPMOS9からスイッチ26、27を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ2の仮想接地点と同じ基準電圧4に等しい電圧となる。この時、トランス30の1次側での電流の方向は−側入力端子32から+側入力端子31の方向であり、電源からNMOS7とスイッチ25を介して供給される電流が、トランスの1次側を通りスイッチ26とPMOS9を経由してグランドに流れる。2次側では+側出力端子33から−側出力端子34の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の負極性パルスが送出される。
【0044】
以上、区間A,B,Cで説明した動作を入力信号φ1、φ2に応じて行うことにより伝送路にAMI信号を送出する回路となっている。
【0045】
次に、本発明の第3の実施の形態の効果について説明する。伝送路にAMI信号の正極性パルス及び負極製パルスを送出する状態、すなわち前述した区間A、Cの状態では、アンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループとアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の1次側にはアンプ1の仮想接地点と同じ電圧と、アンプ2の仮想接地点と同じ電圧が供給される。アンプ1の仮想接地点の電圧は基準電圧入力端子3の電圧で、同様にアンプ2の仮想接地点の電圧は基準電圧入力端子4のみで決まるものであり、温度変動や電源変動及び半導体集積回路の製造偏差によって各スイッチのオン抵抗やNMOS7の特性が変化しても影響されない。従って、トランス30の入力電圧は基準電圧入力端子3と4の差電圧で常に一定であるため、伝送路へ送出するAMI信号の振幅が安定化されるという効果がある。
【0046】
また、伝送路にAMI信号の無信号を送出する状態、すなわち前述した区間Bの状態では、アンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループとアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛からないため、NMOS7とPMOS9がオフになりトランス30の1次側への電流供給が行われない。アンプ1と2はごく簡単なアンプ、例えば、差動対1段等の消費電力が少ない回路などで十分実現可能であるため、区間Bにおける電力を消費する回路はアンプ1と2のみとなり、大きな電流を消費する回路が存在しない。従って、AMI信号のパルス送出の状態に比べ、無信号を送出する状態では消費電力を低減する効果をも併せもっている。
【0047】
次に、本発明の第4の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0048】
図4は本発明の第4の実施の形態を示す回路図である。図4を参照すると、第4の実施の形態は前述した第3の実施の形態に加え、NMOS8をアンプ1の出力に接続し、NMOS8のソースとアンプ1の反転入力間に、信号入力端子5の入力信号φ1と信号入力端子6の入力信号φ2を入力としたNOR13の出力φ3によってオン・オフ制御されるスイッチ28を配置し、NMOS8のソースとグランド間に電流源11を配置し、PMOS10をアンプ2の出力に接続し、PMOS10のソースとアンプ2の反転入力間に、信号入力端子5の入力信号φ1と信号入力端子6の入力信号φ2を入力としたNOR13の出力φ3によってオン・オフ制御されるスイッチ29を配置し、PMOS10のソースと電源間に電流源12を配置した構成となっている。
【0049】
次に、本発明の第4の実施の形態の動作ついて図面を参照しながら詳細に説明する。
【0050】
図6は本発明の第4の実施の形態の動作を示す波形図である。図6を参照すると、φ1は信号入力端子5に入力される信号、φ2は信号入力端子6に入力される信号、φ3はφ1とφ2のNOR出力である。VOは伝送路に送出されるAMI信号であり、正極性パルスを「+」、負極性パルスを「−」、パルスなしの無信号状態を「0」として表している。φ1、φ2の論理と伝送路に送出するAMI信号との関係は、φ1が1でφ2が0の時、AMI信号の正極性パルスを送出し、φ1が0でφ2が1の時、負極製パルスを送出しφ1、φ2共に0の時、無信号の状態となる。φ1、φ2が取りうる論理の中で共に1,1となる状態はないものである。また、基準電圧3の電圧は基準電圧4の電圧より高い電圧が入力されるものとする。説明の簡単のため、入力信号φ1、φ2の論理レベルが取りうる3状態を各状態ごとに区間A、B、Cに分け区間ごとに動作を説明する。
【0051】
<区間Aの状態>
区間Aでは、φ1は1、φ2は0であるため、φ3が0となりスイッチ20〜23がオン、スイッチ24〜29がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ21、20を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。同様にPMOS9からスイッチ22、23を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ2の仮想接地点と同じ基準電圧4に等しい電圧となる。この時、トランス30の1次側での電流の方向は+側入力端子31から−側入力端子32の方向であり、電源からNMOS7とスイッチ21を介して供給される電流が、トランスの1次側を通りスイッチ22とPMOS9を経由してグランドに流れる。2次側では−側出力端子34から+側出力端子33の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の正極性パルスが送出される。
【0052】
<区間Bの状態>
区間Bでは、φ1、φ2は0であるため、φ3は1となりスイッチ20〜27のすべてがオフ、スイッチ28、29がオンとなる。このような場合、NMOS8とスイッチ28を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かり、同様に、PMOS10からスイッチ29介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かる。このような場合、NMOS7とPMOS9にはこれらをオンさせるに十分なゲートソース間電圧が掛かることになるが、トランス30の1次側に接続されるすべてのスイッチ20〜27がオフであるため、+側入力端子31と−側入力端子32は解放となる。従って、トランス30の1次側への電流の供給が行われず2次側にも電流が流れないため、伝送路送出端子36,37間はAMI信号の無信号状態となる。
【0053】
<区間Cの状態>
区間Cでは、φ1は0、φ2は1であるため、φ3が0となりスイッチ24〜27がオン、スイッチ20〜23、28、29がオフとなる。このような場合、NMOS7からスイッチ25、24を介してアンプ1の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の−側入力端子32の電圧はアンプ1の仮想接地点と同じ基準電圧3に等しい電圧となる。同様にPMOS9からスイッチ26、27を介してアンプ2の出力から反転入力までの負帰還ループが掛かるため、トランス30の+側入力端子31の電圧はアンプ2の仮想接地点と同じ基準電圧4に等しい電圧となる。この時、トランス30の1次側での電流の方向は−側入力端子32から+側入力端子31の方向であり、電源からNMOS7とスイッチ25を介して供給される電流が、トランスの1次側を通りスイッチ26とPMOS9を経由してグランドに流れる。2次側では+側出力端子33から−側出力端子34の方向に電流が流れるため、伝送路送出端子36,37間にAMI信号の負極性パルスが送出される。
【0054】
以上、区間A,B,Cで説明した動作を入力信号φ1、φ2に応じて行うことにより伝送路にAMI信号を送出する回路となっている。
【0055】
次に、本発明の第4の実施の形態の効果について説明する。本発明の第4の実施の形態では前述した第3の実施の形態の効果に加えて、伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くすることができる効果を有する。その理由は、第3の実施の形態ではAMI信号の無信号状態の時、負帰還ループが切れるためアンプ1の出力電圧とアンプ2の出力電圧が不定になっていたのに対し、第4の実施の形態では区間Bで動作説明したように負帰還ループが掛かかるため、アンプ1とアンプ2の出力電圧をそれぞれパルス有りの時の動作電圧から変化させないように設定できる。従って、無信号状態からパルス有りの状態へ遷移する際の負帰還ループの収束時間が速くなるため、結果的に伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くすることができる。
【0056】
また、無信号を送出する状態での消費電力は、第3の実施の形態に比べて電流源11と電流源12のぶんだけ大きくなっているが、電流源11、12よりはるかに大きな電流が流れるNMOS7、9がオフしていることは変わらないため、消費電力を低減する効果がなくなるものではない。
【0057】
【発明の効果】
以上説明した本発明によるドライバ回路は、次のような効果を奏する。
【0058】
第1の効果は、伝送路に送出するAMI信号の振幅を安定化することができるということである。その理由は、パルス送出時のトランス1次側の入力電圧が温度変動、電源変動及び半導体集積回路の製造偏差に対して影響を受けないためである。トランス1次側の入力電圧が安定であるため、伝送路に送出されるAMI信号の振幅も安定である。
【0059】
第2の効果は、消費電力の少ないドライバ回路が提供できることである。その理由は、伝送路に送出するAMI信号が無信号の状態である時、大きな電流が流れる出力段をオフさせて電流を流さないようにするからである。
【0060】
第3の効果は、第2及び第4の実施の形態では、伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くできることである。その理由は、第1、第3の実施の形態ではAMI信号の無信号状態の時、負帰還ループが切れるためアンプの出力電圧が不定になっていたのに対し、第2、4の実施の形態では負帰還ループが掛かかるため、アンプの出力電圧をパルス有りの時の動作電圧から変化させないように設定できるためである。従って、無信号状態からパルス有りの状態へ遷移する際の負帰還ループの収束時間が速くなるため、結果的に伝送路に送出するAMI信号が無信号からパルス有りの状態へ遷移する際の応答時間を速くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるドライバ回路の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】本発明によるドライバ回路の第2の実施の形態を示す回路図である。
【図3】本発明によるドライバ回路の第3の実施の形態を示す回路図である。
【図4】本発明によるドライバ回路の第4の実施の形態を示す回路図である。
【図5】本発明によるドライバ回路の第1の実施の形態と第3の実施の形態の動作を示す波形図である。
【図6】本発明によるドライバ回路の第2の実施の形態と第4の実施の形態の動作を示す波形図である。
【図7】従来のドライバ回路図である。
【符号の説明】
1、2 アンプ
3,4 基準電圧入力端子
5,6 信号入力端子
7,8 NMOS
9,10 PMOS
11,12 電流源
13 NOR
20〜29 スイッチ
30 トランス
31 トランスの+側入力端子
32 トランスの−側入力端子
33 トランスの+側出力端子
34 トランスの−側出力端子
35 トランス1次側巻線の中点端子
36、37 伝送路出力端子
VDD 電源
Claims (4)
- 非反転入力に基準電圧入力端子を接続したアンプと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続したNチャネル型MOSトランジスタと、
中点端子をグランドに接続し、第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
前記トランスの第1の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。 - 非反転入力に基準電圧入力端子を接続したアンプと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続した第1のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記アンプの出力に接続した第2のNチャネル型MOSトランジスタと、
中点端子をグランドに接続し、第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した電流源と、
第1の信号入力端子の信号と第2の信号入力端子の信号を入力とするNORと、
前記トランスの第1の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記アンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースと前記アンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。 - 非反転入力に第1の基準電圧入力端子を接続した第1のアンプと、
非反転入力に第2の基準電圧入力端子を接続した第2のアンプと、
第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続 したNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続したPチャネル型MOSトランジスタと、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Pチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記Nチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第6のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記Pチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第7のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第8のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。 - 非反転入力に第1の基準電圧入力端子を接続した第1のアンプと、
非反転入力に第2の基準電圧入力端子を接続した第2のアンプと、
第1の出力端子を第1の伝送路出力端子とし、第2の出力端子を第2の伝送路出力端子としたトランスと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続した第1のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインを電源に接続し、ゲートを前記第1のアンプの出力に接続した第2のNチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続した第1のPチャネル型MOSトランジスタと、
ドレインをグランドに接続し、ゲートを前記第2のアンプの出力に接続した第2のPチャネル型MOSトランジスタと、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した第1の電流源と、
前記第2のPチャネル型MOSトランジスタのソースとグランド間に配置した第2の電流源と、
第1の信号入力端子の信号と第2の信号入力端子の信号を入力とするNORと、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第1のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第2のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のPチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第3のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第1の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第4のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第5のスイッチ手段と、
前記トランスの第2の入力端子と前記第1のNチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第6のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第1のPチャネル型MOSトランジスタのソース間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第7のスイッチ手段と、
前記トランスの第1の入力端子と前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、第2の信号入力端子の信号によってオン・オフ制御される第8のスイッチ手段と、
前記第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースと前記第1のアンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第9のスイッチ手段と、
前記第2のPチャネル型MOSトランジスタのソースと前記第2のアンプの反転入力との間に配置した、前記NORの出力によってオン・オフ制御される第10のスイッチ手段とを備えたことを特徴とするドライバ回路。
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