JP3568107B2 - アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ - Google Patents

アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は結晶構造の相転移に起因する薄膜の体積変化を利用してアクチュエータ(actuator)を構成する技術に係わる。特に、オンデマンド方式のインクジェット式記録ヘッドに好適なアクチュエータの構造に係わる。
【0002】
【従来の技術】
オンデマンド方式のインクジェット式記録ヘッドは、一般的に、多数の個別インク通路(インクキャビティ、インク溜り等)が形成された加圧室基板と、インク通路を覆うようにヘッド基台に取付けた振動板膜と、振動板膜の個別インク通路上に対応して被着形成された圧電アクチュエータ(圧電体素子)を備えて構成されている。圧電アクチュエータはインクジェット式記録ヘッドのインク吐出駆動源として機能する電気機械変換素子であり、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の圧電性セラミックスを主成分とする。中心対称性を持たない結晶点群に属する物質、特に、ペロブスカイト結晶構造を有する圧電性セラミックスはこの作用を顕著に示すものが多いため、圧電アクチュエータに用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛等は圧力や温度条件に応じて相転移を示すことが知られている。このような相転移膜の体積歪みと縦歪みには下式に示す関係がある。
【0004】
Figure 0003568107
ここで、Vは相転移膜の単位格子の体積であり、aは結晶系(立方晶系)の一辺の長さである。このため、V=aの関係を満たす。εは縦方向の歪みであり、νはポアソン比である。ε、ε≪1であるから上式のε項、ε項を無視すると、体積歪み(ΔV/V)と縦歪み(ε)の間には、
ΔV/V=(1−2ν)ε
の関係がある。相転移に伴う体積歪みは0.3%〜0.4%程度であるから、体積歪みを効率良く縦歪みに変換したとすると、縦歪みは0.75%〜1.0%程度になる(但し、νを0.3程度で計算)。圧電体膜の逆圧電効果で得られる縦歪みはせいぜい0.4%程度であるから、相転移膜の変位量は圧電体膜の変位量を大きく上回る。このため、インク吐出駆動源として相転移膜を利用したアクチュエータを用いることで、従来よりもインク吐出特性に優れたインクジェット式記録ヘッドを提供することができると考えられる。
【0005】
また、圧電性セラミックスには鉛を含有しているものが多く、自然環境への影響等を考慮すると鉛を含有していない材料でアクチュエータを実現することが望まれる。
【0006】
そこで、本発明は従来の圧電アクチュエータよりも変位量が大きく、駆動特性に優れたアクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタを提供することを課題とする。更には、鉛を含有しない材料でアクチュエータを実現することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するべく、本発明のアクチュエータは電極、相転移膜及び発熱体を備える。かかる相転移膜は、電極によって印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して結晶構造が相転移(強誘電的相転移)することで歪みを生じる薄膜である。発熱体は相転移膜をキュリー点TC付近の温度Tに調整する。このような構成によれば、相転移膜をキュリー点付近に温度調整し、電界を印加すると、相転移膜には応力が掛かる。相転移膜に引っ張り応力が掛かるように構成すれば、キュリー点は高温側へシフトし、圧縮応力が掛かるように構成すれば、キュリー点は低温側へシフトする。この結果、相転移膜は結晶構造が相転移し、歪みを生じる。かかる歪みによってアクチュエータを実現できる。
【0008】
ここで、相転移とは、多形(polymorphism)のことをいい、化学組成が同一で結晶構造が異なる現象をいう。同質多形、同質異形、同質多像ともいう。多形の原因は主に温度、圧力等の物理的化学的条件による。
【0009】
好ましくは、相転移膜の歪み方向(最大歪み方向)を、膜厚方向に概略一致するように構成する。かかる構成によれば、相転移膜の体積変化は効率良く縦歪みに変換できるため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。
【0010】
また、相転移膜の歪み方向(最大歪み方向)を、膜面方向(膜厚方向に直交する方向)に概略一致させるように構成してもよい。かかる構成によれば、後述するように、簡易な駆動制御信号でいわゆる“引き打ち”を実現できる。
【0011】
発熱体は、相転移膜の温度Tを、T−10≦T≦T−5の温度範囲、或いは、T+5≦T≦T+10の温度範囲に調整することが好ましい。相転移膜の温度をキュリー点付近に調整することで電界による相転移膜の歪み制御(相転移制御)を容易にできる。また、かかる構成により低電圧でアクチュエータを駆動できるため、消費電力を抑えることができる。
【0012】
相転移膜のキュリー点Tは、50℃以上90℃以下の温度範囲であることが好ましい。キュリー点Tが必要以上に高温であるとインク特性に悪影響を及ぼす可能性があるためである。多成分系から構成される相転移膜はかかる温度範囲にキュリー点Tをもつため、本発明に好適である。
【0013】
相転移膜の組成は、チタン酸バリウム、ジルコニウム酸鉛、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム・スズのうち何れかが好適である。かかる構成によれば、鉛を含む材料を使用しなくてもアクチュエータを実現できるため、環境に対する悪影響を極力低減することができる。発熱体は、ジュール熱により発熱する薄膜抵抗体が好適である。かかる薄膜抵抗体は公知の薄膜プロセスで成膜することができる。
【0014】
本発明のインクジェット式記録ヘッドは、加圧室を複数備えた加圧室基板と、加圧室に対応して設けられた本発明のアクチュエータと、を備える。好ましくは、加圧室とアクチュエータの間に振動板膜を介在させる。
【0015】
本発明のインクジェットプリンタは、本発明のインクジェット式記録ヘッドを備えている。更には、略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で本発明のアクチュエータを駆動する制御回路(インク吐出制御回路)を備える。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、各図を参照して本実施の形態について説明する。図1にインクジェットプリンタの構成図を示す。インクジェットプリンタは、主にインクジェット式記録ヘッド100、本体102、トレイ103、ヘッド駆動機構106を備えて構成されている。インクジェット式記録ヘッド100は、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの計4色のインクカートリッジ101を備えており、フルカラー印刷が可能なように構成されている。また、このインクジェットプリンタは、内部にイメージ生成部、ワークメモリ、プリントエンジン部等を備えている。イメージ生成部等は図示していないが、専用のコントローラボード等で構成されている。イメージ生成部は外部から供給された印刷ジョブデータをワークメモリにバッファリングし、ラスタイメージデータを生成する。プリントエンジン部はラスタイメージデータを基に、インクジェット式記録ヘッド100のインク吐出タイミング、及び、ヘッド駆動機構106の走査を制御し、高精度なインクドット制御、ハーフトーン処理等を実現する。また、本体102は背面にトレイ103を備えるとともに、その内部にオートシードフィーダ(自動連続給紙機構)105を備え、記録用紙107を自動的に送り出し、正面の排出口104から記録用紙107を排紙する。記録用紙107として、普通紙、専用紙、推奨OHPシート、光沢紙、光沢フィルム、レベルシート、官製葉書等が利用できる。
【0017】
次に、インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図を図2に示す。ここではインクの共通通路が加圧室基板内に設けられるタイプを示す。同図に示すように、インクジェット式記録ヘッドは加圧室基板1、ノズルプレート2及び基体3から構成される。加圧室基板1はシリコン単結晶基板がエッチング加工された後、各々に分離される。加圧室基板1には複数の短冊状の加圧室10が設けられ、全ての加圧室10にインクを供給するための共通通路12を備える。加圧室10の間は側壁11により隔てられている。加圧室基板1の基体3側にはインク吐出駆動源としてアクチュエータが設けられている。また、各アクチュエータからの配線はフレキシブルケーブルである配線基板4に収束され、インク吐出制御回路(図示せず)に接続される。インク吐出制御回路はプリントエンジン部により制御され、所定の駆動信号でアクチュエータを駆動する。駆動信号の詳細については後述する。
【0018】
ノズルプレート2は加圧室基板1に貼り合わされる。ノズルプレート2における加圧室10の対応する位置にはインク滴を吐出するためのノズル21が形成されている。ノズル21間のピッチは印刷精度に応じて適宜設定される。例えば、1440dpi×720dpiの解像度を設定すると、ノズル径は極細になるため、超微少のインクドットにより高精細な印字が可能になる。各色のノズル数は、カラー印字精度に応じて定められ、例えば、黒色32ノズル、カラー各色32ノズル等が設定される。基体3はプラスチック等で形成されており、加圧室基板1の取付台となる。
【0019】
インクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図を図3に示す。加圧室基板1には加圧室10がエッチング加工により形成されている。加圧室10の上面には振動板膜5を介してアクチュエータ13が形成されている。アクチュエータ13は発熱体6、層間絶縁膜7、下部電極81、相転移膜9及び上部電極82を備えて構成されている。振動板膜5はアクチュエータ13の振動を加圧室10に伝達する役割を担う薄膜である。振動板膜5は加圧室10内のインク圧を瞬時に高めることでインク滴をノズル21から吐出する。発熱体6は電流の印加等によって発熱し、後述する相転移膜9を適当な温度範囲に設定する役割を担う薄膜抵抗体である。薄膜抵抗体は窒化タンタル、酸化ルビジウム、酸化錫、ニクロム合金等で構成される。層間絶縁膜7は発熱体6と後述する下部電極81を電気的に分離する役割を担う薄膜である。同図に図示してないが、上部電極82、相転移膜9及び表面に露出している下部電極81の全面を覆うようにパッシベーション膜で被覆してもよい。パッシベーション膜としてフッ素樹脂、シリコン酸化膜、エポキシ樹脂等が好適である。
【0020】
同図に示すアクチュエータ13は、膜内部に生じる応力(引張り応力又は圧縮応力)に起因して結晶構造が相転移する薄膜、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)、ジルコニウム酸鉛(PbZrO3)、チタン酸バリウム・ストロンチウム((Ba,Sr)TiO3)、チタン酸バリウム・スズ(Ba(Ti,Sn)O3)等を相転移膜9として備えている。相転移膜9の種類としては、例えば、正方晶系から菱面体晶系へ(或は菱面体晶系から正方晶系へ)、又は、菱面体晶系或いは正晶系から立方晶系へ(或は立方晶系から菱面体晶系若しくは正晶系へ)転移する薄膜を用いることができる。特に、後者の相転移は強誘電体と常誘電体間の相転移に相当する。また、キュリー点を境に存在する強誘電相(ferroelectric phase)と常誘電相(paraelectric phase)の間で相転移する強誘電体も使用することができる。
【0021】
ここで、本明細書における膜応力の定義をする。薄い基板に膜が成膜されると、基板には膜応力による反りが現れるのが一般的である。この反りの基板に対する方向により引張り応力と圧縮応力を区別する。例えば、図9(A)に示すように、基板が膜を内側にして反る場合を膜内に引張り応力(T応力)が存在すると定義し、同図(B)に示すように、基板が膜を外側にして反る場合を膜内に圧縮応力(C応力)が存在すると定義する。基板を加圧室に喩えると、膜に引張り応力が存在する場合には膜は加圧室を加圧する方向に反り、膜に圧縮応力が存在する場合には膜は加圧室を減圧する方向に反ることになる。以上の定義は、“薄膜の力学的特性評価技術(株)リアライズ社 第218頁〜219頁 平成4年3月19日発行”に基づいている。
【0022】
本発明のアクチュエータ13の駆動方法について図5を参照して説明する。同図は相転移膜9の比誘電率の温度特性を示している。縦軸は比誘電率(ε)、横軸は温度(T)を表している。同図(A)に示す曲線15は膜内部に応力が存在しない状態での相転移膜9の比誘電率対温度特性曲線であり、曲線16は膜内部に引張り応力が存在する場合の比誘電率対温度特性曲線である。比誘電率対温度特性曲線15のキュリー点はTであり、比誘電率対温度特性曲線16のキュリー点はT´である。相転移膜9のキュリー点は50℃〜90℃の範囲にあるものが好ましい。キュリー点が必要以上に高温であると、相転移膜9の温度制御の際に加圧室10内のインクの特性が劣化する等の問題が生じるためである。多成分系の相転移膜9を選ぶと、キュリー点が比較的低温になる特性を備えているため好ましい。アクチュエータ13を駆動する際にまず、発熱体6を加熱し、相転移膜9の温度を制御温度Tに設定する。制御温度Tは、
+5≦T≦T+10
の条件を満たすことが好ましい。制御温度Tをキュリー点T付近に設定することで以降の相転移膜9の電界制御が容易になる。次に、相転移膜9に電圧を印加すると、相転移膜9の膜面方向(膜厚方向と垂直方向)に引張り応力が生じ、振動板膜5は加圧室10を加圧する方向に撓む。引張り応力の存在下ではキュリー点は高温度側にシフトするため、相転移膜9の比誘電率対温度特性曲線は曲線15(点線)から曲線16(実線)にシフトする。すると、相転移層9は立方晶系から正方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が(001)配向するように配向処理をすることで相転移膜9は膜厚方向に延びる向きに歪みが生じる。振動板膜5はさらに引張り応力を受けるので加圧室10側へより多く変位する。相転移膜9の体積変化は効率良く縦歪みに変換できるため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。
【0023】
一方、正方晶系の結晶構造が(100)配向するように配向処理をすることで、いわゆる“引き打ち”を実現することができる。“引き打ち”とは、インク滴を吐出する前に一旦加圧室を減圧する方向に振動板膜を変位させ、次の瞬間に加圧室を加圧してインク滴を吐出することをいう。従来の圧電アクチュエータで“引き打ち”を実現するためには、図6(C)に示す駆動波形で圧電アクチュエータを駆動していた。圧電アクチュエータの“引き打ち”動作を図8と併せて説明する。同図に示すように、圧電アクチュエータ14は上部電極85と下部電極83に挟持固定される圧電体膜84を備えて構成されている。また、加圧室内にはインク66が充填されている。時刻0≦T≦Tでは、圧電アクチュエータ14にオフセット電圧Vが印加されており、振動板膜5は微少距離dxだけ変位した位置でインク吐出の待機状態になっている(図8(A))。インク吐出の直前、即ち、時刻T≦T≦Tでは、圧電アクチュエータ14に印加される電圧を0Vにまで減少させ、加圧室内の圧力を瞬時に低下させる。このステップにより、振動板膜5は元の位置に戻り、変位量は0になる。このときノズル21近傍にはメニスカス61が形成される(同図(B))。時刻T≦T≦Tでは、印加電圧をVまで瞬時に上昇させることで、圧電アクチュエータ14は膜厚方向に延びる。すると、振動板膜5は引張り応力により、加圧室側に撓み、インク滴62を吐出する(同図(C))。時刻T≦T≦Tにおいて圧電アクチュエータ14の印加電圧Vを保持した後、時刻T≦T≦Tにおいて再び印加電圧をオフセット電圧Vに戻す。
【0024】
次に、簡単な駆動波形で“引き打ち”を容易に実現する本実施の形態のアクチュエータの駆動方法について図6(A)及び図7を参照して説明する。時刻T≦Tにおいてはアクチュエータ13には電圧が印加されておらず、インク吐出待機時にある(図7(A))。加圧室10内にはインク70が充填されている。このとき、前述したように、相転移膜9の温度を上記Tに設定しておく。時刻T≦T≦Tにおいて印加電圧を0からVまで上昇させると、相転移膜9には膜面方向に引張り応力が生じ、振動板膜5は加圧室10側へ撓む(同図(B))。さらに印加電圧を上昇させると、時刻T≦T≦Tにおいて、相転移膜9は立方晶系から正方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が(100)配向するように配向処理されているため、相転移膜9は膜厚方向に縮む向き(膜面方向に延びる向き)に歪みが生じる。この結果、相転移膜9には膜面方向に圧縮応力が掛かり、振動板膜5は加圧室10を減圧する方向に撓む(同図(C))。このとき、ノズル21にメニスカス71が形成される。時刻T≦T≦Tにおいて、印加電圧を0にすると、振動板膜5等に掛かっている圧縮応力が開放され、振動板膜5は元の状態に戻る(同図(D))。このとき加圧室10内のインク圧は瞬時に高められ、ノズル21からインク滴72が吐出する。
【0025】
このように、本実施の形態のアクチュエータによれば、“引き打ち”のような複雑な制御を略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で実現することができる。このため、制御回路の部品点数を減少させることができ、インクジェットプリンタの製造コストを下げることができる。また、従来のようにインク吐出の待機時にオフセット電圧を印加する必要はないため、アクチュエータの寿命が短くなる問題を解消できる。また、従来の圧電アクチュエータの電気的特性(例えば、容量、絶縁性等)の変化が制御回路に与える影響を考慮する必要が無く、回路設計が容易になる。また、従来のようにアクチュエータの電気的特性の変化が無いため、安定したインク吐出特性を得ることができる。
【0026】
以上の説明においては相転移膜9の制御温度をキュリー点以上に設定したが、制御温度をキュリー点以下に設定しても、アクチュエータ13は上記と同様の動作特性を示す。図5(B)は相転移膜9の比誘電率対温度特性曲線を示しており、曲線17(点線)は膜内部に応力が掛かっている状態の比誘電率対温度特性曲線であり、曲線18(実線)は膜内部に応力が掛かっていない状態の比誘電率対温度特性曲線である。曲線17のキュリー点はTCであり、曲線18のキュリー点はTC′である。アクチュエータ13を駆動するには、まず、発熱体6の温度を調整し、相転移膜9の温度を制御温度TLに設定する。制御温度TLは、TC−10≦TL≦TC−5の条件を満たすことが好ましい。制御温度TLをキュリー点TC付近に設定することで相転移膜9の電界制御が容易になる。相転移膜9の温度を上記の範囲に設定した場合のアクチュエータ13の駆動方法を 図6(B)及び 図7(B)〜同図(D)を参照して説明する。時刻T≦T1においてアクチュエータ13はインク吐出待機状態にあり、相転移膜9には一定電圧VR印加されたままの状態にある。このとき相転移膜9は膜面方向に引張り応力が生じており、振動板膜5は加圧室10を加圧する方向に撓んだ状態になっている(図7(B))。インク滴を吐出するとき、時刻T1≦T≦T2において印加電圧をVRからVSへ減少させることで、相転移膜9に生じていた引っ張り応力は解除され、圧縮応力側へシフトする。圧縮応力の存在下ではキュリー点は低温度側にシフトするため、相転移膜9の比誘電率対温度特性曲線は曲線17(点線)から曲線18(実線)にシフトする。すると、相転移層9は正方晶系から立方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が(001)配向するように配向処理をすることで、相転移膜9には膜厚方向に縮む向き(膜面方向に延びる向き)に歪みが生じ、振動板膜5は加圧室10を減圧する方向に撓む(同図(C))。すると、次の瞬間、時刻T2≦T≦T3において振動板膜5は加圧室10を加圧する方向に撓み、インク滴を吐出する(同図(D))。時刻T4≦T≦T5において印加電圧を0からVRに戻すことで、再びインク吐出待機状態に復帰する。
【0027】
尚、上記の場合において、正方晶系の結晶構造が(100)配向するように配向処理をすれば、相転移膜9には膜厚方向に延びる向きに歪みが生じ、振動板膜5は加圧室10を加圧する方向に撓むため、通常のインク吐出動作をすることができる。また、相転移膜9を複数に分割することで、吐出されるインク滴の速度、重量等を調整することができる。また、本発明のアクチュエータはインクジェット式記録ヘッドのインク吐出駆動源の他に、マイクロポンプ、マイクロスイッチ等の各種精密機器のアクチュエータとして使用することもできる。
【0028】
次に、図4を参照してインクジェット式記録ヘッドの製造プロセスについて説明する。まず、同図(A)に示すように、加圧室基板1に振動板膜5、発熱体6、層間絶縁膜7、下部電極81、相転移膜9及び上部電極82を成膜する。加圧室基板として、例えば、直径100mm、厚さ220μmのシリコン単結晶基板を用いる。振動板膜5は、例えば、1100℃の炉の中で、乾燥酸素を流して22時間程度熱酸化させ、約1μmの膜厚の熱酸化膜とすることで成膜する。或いは、1100℃の炉の中で、水蒸気を含む酸素を流して5時間程度熱酸化させ、約1μmの膜厚の熱酸化膜を形成してもよい。その他、CVD法等の成膜法を適宜選択して成膜してもよい。振動板膜5として、二酸化珪素膜に限られず、酸化ジルコニウム膜、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜でもよい。次に、発熱体6として例えば薄膜抵抗体を成膜する。窒化タンタルを成膜する場合は、タンタルをターゲットとし、窒素ガスの導入による反応性スパッタリング法等を適用できる。ニクロム金属皮膜を成膜する場合は、真空蒸着法を適用できる。次に、層間絶縁膜7を成膜する。層間絶縁膜7として二酸化珪素膜等の上述した絶縁膜を成膜すればよい。下部電極81は、白金、金又はアルミニウム等の導電性物質をターゲットとして層間絶縁膜7の全面にスパッタ成膜する。膜厚は0.3μm程度とする。この場合、下部電極81と層間絶縁膜7間の密着力を高めるために、極薄のチタン、クロム等を中間層として介在させてもよい。
【0029】
次に、下部電極81上に相転移膜9を成膜する。本例では、チタン酸バリウムをMOD法で成膜する方法を説明する。まず、相転移膜8の前駆体となるゾルを調整する。酢酸バリウム(Ba(CHCOOH))を酢酸に溶解させた溶液と、テトライソプロポキシチタン(Ti(O−i−C)をブトキシエタノールに溶解させた溶液とを混合し、溶質濃度を1M、BaとTiのモル比を1:1としたゾルを調整する。このゾルを1500rpmで0.1μmの厚さにスピンコーティングし、400℃の温度環境下で脱脂する。この工程を5回繰り返し、膜厚0.5μmのゲルとする。最後にRTA(Rapid Thermal Annealing)で結晶化する。この処理は650℃で5分、又は、900℃で1分とする。以上の工程を経て下部電極81上に膜厚0.5μmの相転移膜9が成膜される。次に、相転移膜9上に白金をスパッタ成膜して上部電極82を得る。
【0030】
次に、同図(B)に示すように、上部電極82上にレジストをスピンコートし、加圧室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極82及び相転移膜9をエッチングしてアクチュエータ13を形成する。次に、同図(C)に示すように、加圧室が形成されるべき位置に合わせてエッチングマスク(図示せず)を施し、平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いたドライエッチング、或は、5重量%〜40重量%の水酸化カリウム水溶液等の高濃度アルカリ水溶液によるウエットエッチングで加圧室10を形成する。エッチングされずに残った部分は側壁11となる。同図(D)に示すように、樹脂等を用いてノズルプレート2を加圧室基板1に接合する。このとき、各ノズル21が加圧室10の各々の空間に対応して配置されるよう位置合せする。ノズルプレート2を接合した加圧室基板1を基体3に取り付ければ、インクジェット式記録ヘッドが完成する。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、相転移膜の温度をキュリー点付近に設定し、電界を印加することで相転移膜を相転移させ、このときの歪みを利用してアクチュエータを駆動するため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。また、相転移膜の歪み方向を膜面方向になるように配向処理すれば、簡単な駆動信号波形で"引き打ち"を実現することができる。また、応答速度が速く、変位量が大きいため、印字スピードの向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】インクジェットプリンタの構成図である。
【図2】インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図3】本発明のインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
【図4】本発明のインクジェット式記録ヘッドの主要部の製造工程断面図である。
【図5】相転移膜の誘電率対温度特性曲線のグラフである。
【図6】アクチュエータの駆動信号波形である。
【図7】本発明のアクチュエータの“引き打ち”の説明図である。
【図8】従来の圧電アクチュエータの“引き打ち”の説明図である。
【図9】膜応力の説明図である。
【符号の説明】
1…加圧室基板、2…ノズルプレート、3…基体、4…配線基板、5…振動板膜、6…発熱体、7…層間絶縁膜、81…下部電極、9…相転移膜、82…上部電極、10…加圧室、11…側壁、12…共通流路、13…アクチュエータ、14…圧電アクチュエータ

Claims (15)

  1. 外部から印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して結晶構造が相転移することで歪みを生じる相転移膜と、前記相転移膜に電界を印加する電極と、前記相転移膜をキュリー点TC付近の温度Tに調整する発熱体と、を備えるアクチュエータ。
  2. 外部から印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して、正方晶系と菱面体晶系との間、又は、菱面体晶系或いは正方晶系と立方晶系との間で転移する相転移膜と、前記相転移膜に電界を印加する電極と、前記相転移膜をキュリー点T C 付近の温度Tに調整する発熱体と、を備えるアクチュエータ。
  3. 前記相転移膜の最大歪みの方向は、膜厚方向に概略一致することを特徴とする請求項1又は2に記載のアクチュエータ。
  4. 前記相転移膜の最大歪みの方向は、膜面方向に概略一致することを特徴とする請求項1又は2に記載のアクチュエータ。
  5. 前記温度Tは、TC−10≦T≦TC−5の温度範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  6. 前記温度Tは、TC+5≦T≦TC+10の温度範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  7. 前記キュリー点TCは、50℃以上90℃以下の温度範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  8. 前記相転移膜は、多成分系から構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  9. 前記相転移膜の組成は、チタン酸バリウム、ジルコニウム酸鉛、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム・スズのうち何れかであることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  10. 前記発熱体は、ジュール熱により発熱する薄膜抵抗体であることを特徴とする請求項1乃至請求項のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  11. 上部電極/相転移膜/下部電極/層間絶縁膜/発熱体の積層構造を有することを特徴とする請求項1乃至請求項10のうち何れか1項に記載のアクチュエータ。
  12. 加圧室を複数備えた加圧室基板と、前記加圧室に対応して設けられた請求項1乃至請求項11のうち何れか1項に記載のアクチュエータと、を備えるインクジェット式記録ヘッド。
  13. 前記加圧室と前記アクチュエータの間に振動板膜を介在させたことを特徴とする請求項12に記載のインクジェット式記録ヘッド。
  14. 請求項12又は請求項13に記載のインクジェット式記録ヘッドを備えたインクジェットプリンタ。
  15. 請求項に記載のアクチュエータと、略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で前記アクチュエータを駆動する制御回路と、を備えたインクジェットプリンタ。
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