JP3557876B2 - GaN系半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体素子及びその製造方法に関する。更に詳しくは、シリコン基板とGaN系半導体からなる発光素子構造とを備えてなり、緑色乃至青色という短波長領域の光を発光する素子及びその製造方法の改良に関する。また、この発明は受光素子にも適用できる。
【0002】
【従来の技術】
GaN系の半導体は例えば紫外〜赤色の発光素子(現在は主として緑色及び青色)として利用できることが知られている。かかる発光素子では、基板にサファイアが用いられ、例えばAlN製等のバッファ層を介してGaN系の半導体層が積層されて発光素子構造が形成される。発光素子構造としては、バッファ層の上にn型の第1の半導体層、活性層(発光層)及びp型の第2の半導体層を順次形成する構成である。成長の方法として有機金属化合物気相成長法(以下、「MOVPE法」という。)を採用した場合、第1及び第2の半導体層の成長温度に比べ、活性層の成長温度は低い。例えば、緑色発光ダイオードの場合、前者(GaN層)の成長温度は約900℃であるのに対し、活性層の量子井戸層(InGaN層)の成長温度は約600℃である。
【0003】
このような素子において、サファイア基板を他の材料に置換することが望まれている。サファイア基板は高価であるからである。更には、サファイア基板は絶縁体であるため同一面側に両電極を形成するために半導体層をエッチングしなければならず、それに応じてボンディングの工程も2倍となる。また、両電極を同一面側に形成する為、素子サイズの小型化にも限界があった。さらには、チャージアップの問題もあった。
【0004】
このようなサファイア基板の不具合を回避するため、シリコン基板上にGaN系の導体層を成長させる技術が検討されている。特開平8−310900号公報、特開平9−92882号公報等を参照されたい。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者の検討によれば、シリコン基板の上にGaN系の半導体層を成長させることは非常に困難であった。その原因の一つに、シリコンとGaN系の半導体の熱膨張率の差がある。シリコンの線膨張係数が4.7 X 10−6/Kであるのに対しGaNの線膨張係数は5.59 X 10−6/Kであり、前者が後者より小さい。従って、GaN系の半導体を成長させる際に加熱をすると、図1に示す如く、シリコン基板1が伸長されGaN系の半導体層3側が圧縮するようにウエハが変形する。このとき、半導体層3内に引っ張り応力が生じ、その結果クラック5の発生するおそれがある。
発光素子構造についてみれば、基板の上に形成されるクラッド層の成長温度が活性層の成長温度より高い。従って、当該クラッド層にクラックが生じ易い。このようなクラックのある層の上に活性層を成長させると、活性層に当該クラックの影響が及び、活性層はその本来の機能を発揮できなくなる。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明は本発明者らが見いだした上記課題の少なくとも1つを解決するためになされた。そしてその構成は次の通りである。
GaN系半導体からなる半導体素子を製造する方法であって、
前記GaN系半導体よりも熱膨張係数が小さい材料からなる基板の上に第1の半導体層を形成し、
該第1の半導体層の結晶構造にクラックを発生させ、
該クラックの発生された第1の半導体層の上に第2の半導体層を形成し、
その後、活性層を形成する、ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【0007】
上記のようにして半導体素子を形成すれば、図2に示すように、予め第1の半導体層13の結晶構造にクラック12が発生されているため、その後の半導体層を形成する際の引張り応力は第1の半導体層13内に既にあるクラック12によって吸収緩和される。従って、第2の半導体層14においてクラックは殆ど発生することがない。よって、活性層15はクラック12の影響を何ら受けることなく成長し、このようにして形成された活性層15はその本来の機能を発揮できる。即ち、発光効率が向上し、寿命が向上し、歩留まりが向上する。
第1の半導体層13にクラック12が発生してその応力が逃がされるので、ウエハの反り返りが緩和される。従って、最終段階においてウエハは平板状に近くなり、これを所望の形状に切り分ける作業が容易になる。
【0008】
上記において、GaN系の半導体とはIII属窒化物半導体であって、一般的にはAlXInYGa1ーXーYN(X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で表される。
発光素子及び受光素子では、周知のように、活性層が異なる導電型の半導体層(クラッド層)で挟まれる構成であり、活性層には超格子構造やダブルヘテロ構造等が採用される。
かかるGaN系半導体層は例えばMOVPE法により形成される。
【0009】
基板11はシリコン製のものを考慮しているが、GaN系半導体より熱膨張係数の小さいものあれば、他の材料で形成された基板にもこの発明が適用できることは言うまでもない。
【0010】
第1の半導体層13の材質は、GaN系のものであれば、特に限定されない。
この第1の半導体層13とシリコン基板11との間に、バッファ層を形成することが好ましい。
【0011】
かかる第1の半導体層を基板上に形成すると、両者の熱膨張係数の違いから、ウエハは図1に示すように変形する。そして、この第1の半導体層にクラックを確実に発生させるには、これを基板とともに冷却(降温)する。発光素子構造の中で活性層、特に量子井戸層の成長温度(第4の温度)が最も低いことをを考慮して、ここでは当該活性層の成長温度(第4の温度)より低い温度(第2の温度)まで冷却する。これにより、当該クラックを発生させるために冷却する工程でウエハは一旦図1の状態から平板状に戻り、第1の半導体層の圧縮応力が解放される。このときにも、第1の半導体層の結晶構造がずれてクラックを生じさせる(図2参照)。
【0012】
その後、再度昇温して残りの半導体層14、15を形成するときには、GaN系半導体とシリコン基板との熱膨張係数の違いからウエハが変形するが、半導体層内の引っ張り応力は主に第1の半導体層13に集中し、他の半導体層14、15にはクラックが殆ど発生しない。第1の半導体層13には既にクラック12が生じており、その結晶構造がずれやすくなっているからである。
【0013】
温度制御の容易さを考慮すると、第1の半導体層は室温まで冷却することが好ましい。
【0014】
第1の半導体層13内により積極的にクラック12を発生させるため、急速冷却とすることもできる。
また、第1の半導体層13を基板11と共にその成長温度よりも高い温度まで昇温し、より強い圧縮応力を第1の半導体層13に与え、その後冷却することによっても当該第1の半導体層13内にクラック12を発生させることができる。この場合、冷却後の温度は次の半導体層14を形成する温度でよい。好ましくは、冷却後の温度を活性層15の成長温度よりも低くする。更に好ましくは、冷却後の温度を室温とする。
また、ウエハに物理的な力、例えばウエハが図1の様に撓むようにウエハを両側から圧縮する、第1の半導体層13に衝撃を加える、ことによって第1の半導体層13にクラック12を発生させることもできる。
熱履歴と物理的な力との両者を組み合わせて第1の半導体層13にクラック12を発生させることもできる。
【0015】
第1の半導体層13は活性層15より厚くすることが好ましい。膜厚は1〜5μmとすることが好ましい。
また、結晶構造にクラックを持った第1の半導体層は1層に限られるものではなく、図3に示すように2層、及び2層以上、とすることができる。
図3では、下側の第1の半導体層13にクラック12を発生させた後、上側の第1の半導体層13’の材料を成長させ、その後クラック12’を発生させる。このとき、上下の第1の半導体層13及び13’の材料及びクラック12及び12’の発生条件は、制御を容易にする見地から、同一とすることが好ましい。
【0016】
第2の半導体層14はクラック12の発生した第1の半導体層13の直上に連続して形成される。この第2の半導体層14は活性層15の下地層となり、活性層15を形成するときに第1の半導体層13のクラック12を埋め、このクラック12が活性層15に影響しないようにする。そのためには、第1の半導体層13の材料となじみのよい材料で第2の半導体層14を形成することが好ましい。実施例では第2の半導体層14を、第1の半導体層13と同じの、nクラッド層の材料で形成した。
第2の半導体層14の膜厚は特に限定されないが、クラック12の影響を隠し、第2の半導体層14の表面がフラットとなるようにするには、この膜厚を2〜4μmとすることが好ましい。
【0017】
【実施例】
以下、この発明の一の実施例を説明する。この実施例は発光ダイオード20であり、その構成を図4に示す。
【0018】
各半導体層のスペックは次の通りである。
【0019】
上記において、第1及び第2の半導体層23、24によってnクラッド層が構成される。
バッファ層はAlGaN(10%以上)から形成することもできる。
第2の半導体層24は活性層25側の低電子濃度n層とバッファ層22側の高電子濃度n+層とからなる2層構造とすることができる。
活性層25は超格子構造のものに限定されず、シングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用いることができる。
活性層25とpクラッド層26との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバンドギャップの広いAlXInYGa1−X−YN(X=0,Y=0,X=Y=0を含む)層を介在させることができる。これは活性層25中に注入された電子がpクラッド層26に拡散するのを防止するためである。
pクラッド層26を活性層25側の低ホール濃度p層と電極27側の高ホール濃度p+層とからなる2層構造とすることができる。
【0020】
各半導体層は周知のMOVPE法により形成される。この成長法においては、アンモニアガスと3族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の結晶を基板の上に成長させる。
【0021】
第1の半導体層23を形成した後、この半導体層を基板と共に室温まで放冷する。これにより、第1の半導体層23の結晶構造にクラックが発生する。
その後、第2の半導体層24の成膜温度まで基板及び半導体層を昇温し、第2の半導体層24を成長させる。以下の半導体層は一般的な方法で形成される。
【0022】
透光性電極27は金を含む薄膜であり、pクラッド層26の上面の実質的な全面を覆って積層される。p電極28も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極27の上に形成される。
n電極29は、蒸着により基板21へ取り付けられる。
【0023】
従来技術では、前述の課題により実現不可能であったが、実施例の発光ダイオード20の作製が可能となった。
【0024】
この発明は上記発明の実施の形態及び実施例の記載に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で当業者が想到し得る種々の変形態様を包含する。
【0025】
以下、次の事項を開示する。
(7) GaN系半導体からなる素子を製造する方法であって、
シリコン基板の上に、バッファ層を介して、第1の温度でn伝導型の第1の半導体層を成長させる第1のステップと、
前記シリコン基板と前記第1の半導体層を第2の温度まで降温する第2のステップと、
再び前記第1の温度まで昇温して、前記第1の半導体層の上に更にn伝導型の第1の半導体層を成長させる第3のステップと、
前記第1の温度より低くかつ前記第2の温度より高い第4の温度で活性層を形成する第4のステップと、を含んでなるGaN系半導体素子の製造方法。
【0026】
(8) 前記第2のステップでは、前記シリコン基板と前記第1の半導体層とを放冷により室温まで降温する、ことを特徴とする(7)に記載のGaN系半導体素子の製造方法。
【0027】
(9) 前記第2のステップは前記第1の半導体層の結晶構造にクラックを生じさせること、を特徴とする(7)に記載のGaN系半導体素子の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はシリコン製の基板とGaN系半導体層との熱膨張率の差に起因するウエハの反りを説明する図である。
【図2】図2は本発明の概念図である。
【図3】図3はこの発明の他の実施態様の概念図である。
【図4】図4はこの発明の実施例の発光ダイオードの構成を示す図である。
【符号の説明】
1、11、21 基板
5、12、12’ クラック
13、13’、23 第1の半導体層
14、24 第2の半導体層
15、25 活性層
20 発光ダイオード
Claims (3)
- GaN系半導体からなる半導体素子を製造する方法であって、
第1の温度でシリコン基板の上に第1の半導体層を形成する第1のステップと、
該第1の半導体層を前記基板とともに第2の温度まで降温して前記第1の半導体層の結晶構造にクラックを生じさせる第2のステップと、
その後、昇温して第3の温度で、前記第1の半導体層の形成に連続して該第1の半導体層の直上に第2の半導体層を形成する第3のステップと、
その後、前記第2の温度以上の温度である第4の温度で活性層を形成する第4のステップと、からなるGaN系半導体素子の製造方法。 - 前記第2の温度は室温である、ことを特徴とする請求項1に記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- GaN系半導体からなる半導体素子を製造する方法であって、
第1の温度でシリコン基板の上に第1の半導体層を形成する第1のステップと、
該第1の半導体層を前記基板とともに第2の温度まで降温して前記第1の半導体層の結晶構造に応力を吸収緩和するクラックを生じさせる第2のステップと、
その後、昇温して第3の温度で、前記第1の半導体層の形成に連続して該第1の半導体層の直上に第2の半導体層を形成する第3のステップと、
その後、前記第2の温度以上の温度である第4の温度で活性層を形成する第4のステップと、からなるGaN系半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29346497A JP3557876B2 (ja) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | GaN系半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29346497A JP3557876B2 (ja) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | GaN系半導体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11121799A JPH11121799A (ja) | 1999-04-30 |
JP3557876B2 true JP3557876B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=17795096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29346497A Expired - Fee Related JP3557876B2 (ja) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | GaN系半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3557876B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4725763B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2011-07-13 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子形成用板状基体の製造方法 |
JP2006351640A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Furukawa Co Ltd | Iii族窒化物半導体基板 |
JP5439675B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2014-03-12 | 株式会社シリコンテクノロジー | 窒化物半導体形成用基板及び窒化物半導体 |
US9806224B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer sequence and method for producing a semiconductor layer sequence |
KR102347387B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2022-01-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 자외선 발광 소자 |
-
1997
- 1997-10-10 JP JP29346497A patent/JP3557876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11121799A (ja) | 1999-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040315 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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