JP3547485B2 - 平板マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、一般的に膜を基板上にスパッタするための装置に関し、特に、改良されたターゲットを利用する平板マグネトロンスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
スパッタリングは、ターゲットにおけるイオンの衝突の結果生じる、ターゲットからの物質の物理的な射出である。イオンは、通常は、グロー放電におけるガス原子と電子の衝突によって生成される。イオンは、電界によって、ターゲットのカソードの方に加速される。基板は、適切な場所に配置され、射出された原子の一部を止める。従って、ターゲット材料のコーティングが、基板の表面上に堆積される。
大きい堆積速度を得るための試みにおいて、磁気的に高められたターゲットが用いられてきた。平板マグネトロンにおいて、カソードが永久磁石の列を有し、その永久磁石は、閉ループにおいて配列され、平板状ターゲットに関連して固定された位置に配置される。従って、磁界は、通常“レーストラック(race track)”と呼ばれる閉ループにおいて作られ、その閉ループは経路又は領域を確立し、その経路又は領域に沿って、ターゲット材料のスパッタリングが発生する。長方形に形成されたターゲットに対して、“レーストラック”は、特徴的な長円形の構成を有しており、ターゲットにおける浸食パターンが、直接に磁力線のピークの下で、円形の溝として現れる。マグネトロンカソードにおいて、磁界はグロー放電プラズマを閉じ込め、電界の影響下で動いている電子の経路長さを増加する。この結果、ガス原子と電子の衝突の確率が増加する。このことは、磁気閉じ込めを用いずに得られるスパッタリング速度よりも、高いスパッタリング速度を導く。更にスパッタリング処理が低いガス圧力の下で達成されることができる。
【0003】
スパッタリング中に発生する熱は、平板マグネトロンの適切な性能を保証するために除かれなくてはならないが、従来の平板マグネトロンにおいて、熱を有効的に除去することは、しばしば困難である。この問題は、部分的に平板マグネトロンの設計から生じており、その設計において、カソードは、基礎のカソード本体(すなわちコア)を有し、そのコアが、コアの側面に位置づけられる1つもしくは2つのチャンネルを代表的に有する。各チャンネルが、マグネットヨークによって連絡される永久磁石を有する。平板状ターゲットが、永久磁石の磁極に近接して配置され、その結果、ターゲットがチャンネルの相当の部分を覆う。例えば、米国特許 4,572,776を参照されたい。コアのチャンネルにおいてマグネットを配置することによって、コアが、有効的にターゲット上の領域に磁界の大部分を閉じ込める。この設計を用いる限り、熱を有効的に除去することが問題として残る。
従来の平板マグネトロンに関する別の問題は、下部ターゲットの利用である。典型的には、現在の大規模平板マグネトロンを有すると、全体のターゲット板が置き換えられる前に、ターゲット材料のわずか28%しか使用されない。現在のシステムにおいて、主に“レーストラック”の中心近くの狭い領域から、ターゲット材料がスパッタされるという事実にこのことは起因する。もしちょうどよい時にターゲット材料が置き換えられなければ、このことは、ターゲット材料を通って支持構造まで突き通すであろうはっきりした溝を有する浸食パターンを生成する。
【0004】
【発明の概要】
本発明の主要な目的は、改良されたターゲットを使用可能することができる平板マグネトロンを提供することである。
本発明の別の目的は、磁界に分路を用いるための構造を有するマグネットヨークを備える平板マグネトロンを提供することであり、それによって、分離したカソードコア構造を不要にすることである。
更に、本発明の目的は、改良されたターゲットの使用、及び熱の放散を証明する平板マグネトロンを提供することである。
これらの目的及び別の目的が、カソードの主構造としてのマグネットヨークを有する本発明の平板マグネトロンによって達成される。本マグネットヨークが、磁気分路及び物理的強度を提供する低カーボンスチールから構成される。本平板状ターゲットは、好ましくは実質的に同じ輪郭を有する銅のバッキングプレートに取り付けられ、従ってターゲットの側面が、実質的にバッキングプレートの側面と同一平面となる。マグネットは、ターゲットの下面上に閉ループの磁界を生成するために、バッキングプレートの近くに、且つ上部に配置される。
【0005】
本発明の特徴の1つは、マグネットが、細長い内部マグネット、及びバッキングプレートの縁に沿って位置される環状の外部マグネットを有する。本マグネットヨークは、内部マグネット上に位置される内部突起、及び外部マグネット上に位置される外部突起を有する。本突起は、主冷却液チャンネルを画定し、そのチャンネルが、バッキングプレートの実質的な領域と直接熱的に連絡している。更に、マグネットヨークが、ターゲットの縁における磁界に分路を造るために、ターゲットの側面に沿った構造を有する。
熱除去を容易にするために、平板マグネトロンは、従属的に冷却液チャンネルを有するサイドバーを備え、そのチャンネルを通って、水のような冷却液が循環される。サイドバーはアノードとして機能でき、代替的には、サイドバーに取り付けられる分離したアノード構造が用いられることができる。本発明の平板マグネトロンを用いると、ターゲット材料の36%、もしくはそれ以上が、ターゲットが取り換えられるべき状態の前に、スパッタされる。更に、ターゲット領域に対する作用領域の割合は、従来の平板マグネトロンのその割合より大きい。
【0006】
【実施例】
本発明は、分離したカソードコア(すなわち基本体)を有する必要性、及びマグネットヨーク構造を有する必要性を取り除く、改良された平板マグネトロンの開発に部分的に基づいている。このことは、カソードとして役立ち、且つ磁界に分路を造ることが可能なマグネットヨークを使用することによって達成される。改良された平板マグネトロンは、優れたカソード及びアノード冷却を供給し、任意のソース領域に対する作用ターゲット領域を増加する。“ソース領域”は、平板状ターゲット側部の全表面領域として一般的に定義され、ターゲット材料がその領域からスパッタされる。また、“作用ターゲット領域”は、ソース領域の一部として定義され、ターゲット材料が実際にその領域からスパッタされる。平板マグネトロン上の特有の“レーストラック”は、スパッタリング中の作用ターゲット領域の浸食によって生じさせられる。
図1は、1つの実施例の構成断面図であって、排気可能チャンバーにおける取付けに適した平板マグネトロンスパッタリング装置を示す。本装置は、カソード本体の主構造としてマグネットヨーク100を有する。本マグネットヨークは、磁気分路及び物理的強度を提供する低カーボンスチールから構成される。平板状下面106を有するターゲット105は、一般的に長方形であり、スパッタされるための特定の材料から形成される。通常のスパッタリング材料は、チタン及び亜鉛のような金属を含む。ターゲットは、一般には、表面すなわちその上にスパッタされた堆積が生成されるべき表面に平行に配置される。従って、コーティングされるための基板は、平板状ターゲット下面106からの短い距離を維持するであろう。
【0007】
本ターゲットは金属バッキングプレート110に取付けられ、そのバッキングプレートは、好ましくは銅もしくはいずれかの適する材料から構成される。銅は高い熱伝導性、及び優れた機械特性を有するために、好まれる。ターゲットの上面は、はんだ付け、蝋接、接着剤もしくは他の結合技術によって、バッキングプレートの下面に結合される。バッキングプレートの下面は、好ましくは、ターゲットの上面と実質的に同じ輪郭を有し、その結果ターゲットの側面が、実質的にバッキングプレートの側面と同一平面になる。(十分な強度を有し、且つ加工容易な材料、例えばチタンもしくはステンレススチールによって構成されるターゲットに対して、バッキングプレートは必要でない。)
ターゲットの下面106上に閉ループ磁界を生成するために設計された適切なマグネット手段が、バッキングプレート上面の近くで且つその上に配置される。本マグネット手段は、細長い中心マグネット122、及び外部マグネット121,123を有する。121,122,もしくは123のいずれかに示される各マグネットは、好ましくは複数の個々のマグネットを有する。以下に記されるように、外部マグネット121及び123は、バッキングプレートの縁近くに位置される外側部を有する、連続して環状に形づけられたマグネットを形成する。長方形に形づけられたバッキングプレートに対して、環状外部マグネットが、バッキングプレートの長さ方向に沿った縁の一部にのみ近接する。各永久磁石の磁極(121及び123)とバッキングプレートの間(もしくはバッキングプレートが必要でない時、磁極とターゲットの間)には、おおよそ0.050インチ(0.1524cm)の微小なギャップが存在する。従って、磁極はターゲット及びバッキングプレートの厚さによって、ターゲット表面106から基本的に分離される。
【0008】
内部マグネット122の(バッキングプレートに面する)磁極の極性は、外部マグネット121及び123の(バッキングプレートに面する)磁極の極性に対して反対である。この配置は磁界を生成し、その磁界は一方の磁極を通ってターゲット下面から発生し、カーブし、ターゲットに再び入り他方の磁極に戻る。本磁界は、材料がスパッタされる“レーストラック”と定義する特有の閉ループにおいて作られる。以下に示されるように、本発明の平板マグネトロンを有すると、比較できる表面領域を備えるターゲットを有する従来の平板マグネトロンの場合よりも、ソース領域が大きくなる。改良されたターゲットを利用することは、各マグネット121,122,及び123の幅がターゲット下面の幅と比較すると相対的に小さく、且つ外部マグネットがバッキングプレートの縁に配置される事実に、部分的に起因できる。その結果、閉ループ磁界がターゲット表面の大部分を覆う。
図1は、平板マグネトロンの構成横断面図であり、本発明に関して、各マグネットの幅が、好ましくはバッキングプレートもしくはターゲット幅の約5.5%である。この横断面図は、細長い内部マグネットの断面図を含む長方形平板マグネトロンの中間部分に沿って切られた横断面図を意味する。従って、長方形平板マグネトロンの中間断面図が、マグネトロンの長さ方向に沿ってそれらの部分を有し、バッキングプレート上面(バッキングプレートを有さない実施例に対しては、ターゲット上面)が、内部マグネット及び外部マグネットの両方を保持する。従って、図2に示されるように、中間断面図が細長い内部マグネットの両端の間のマグネトロンの部分に相当する。
【0009】
本発明の重要な特徴の1つは、各マグネットの幅をターゲット幅の約6%以下にすべきであり、好ましくは5.5%以下にすることである。図1を参照し、もしターゲットが幅Wを有し、マグネット121,122,及び123が幅W1 ,W2 ,及びW3 を各々有するならば、W1 ,W2 ,及びW3 は、一括して約0.18Wに等しくなるかもしくはそれ以下になるべきであり、好ましくは約0.165Wに等しくなるかもしくはそれ以下になるべきである。概して、マグネット121及び123が単一の外部環状マグネットを有し、外部マグネット幅の関係が121,123の両方のマグネットの幅を一括して含むことが理解される。各永久磁石の小さい幅は、ターゲット材料がスパッタされることができる作用ターゲット領域を最大にする。
低カーボンスチールヨーク100が、3つの突起すなわち部材を有する。これらは内部突起102及び外部突起101,103であり、各々がマグネット122,121及び123に支えられている。バッキングプレート110は複数のTナット130及びボルト131によって、ヨークに結合される。銅のバッキングプレートは、蝋付けもしくははんだ付けを有さずに、単一の平板状ストックシートから製造されることができる。マグネットヨークは、複数の支持セラミックロッド160によって、サイドバー141及び142に取付けられる。サイドバーはカバープレート170に取付けられる。サイドバーの外部構造は、取り外しできるように真空チャンバーに取付けられる。図2に示されるように、サイドバー141及び142が、ターゲットカソードの周囲に沿って連続するフレームのような外部構造を画定する。サイドバーは、細長い部材143と144を有しており、その部材が、第二の冷却液チャンネル143A及び144Aを各々画定し、そのチャンネルを通って水のような冷却液が循環される。冷却液は注入口145及び146から供給され、放水口(図示せず)を通って除かれる。サイドバーはアノードとして機能することができるが、好ましくは示されるように、アノードがシャドーバー148及び部材143を備え、ターゲットの1端においてそれらは結合され、ターゲットの他端において、シャドーバー149及び部材144が結合している。各シャドーバーが実質的にターゲット表面106に共に平行である平板上下面を有する金属プレートを備える。本シャドーバーは混合物が暗黒部(dark space)165に堆積するのを妨げる。細長い部材143及び144が、セラミック絶縁体によって、サイドバー141及び142の上側部分から各々電気的に絶縁される。
【0010】
マグネットヨークは、バッキングプレート及びターゲットの側面に沿って配置される拡張構造101a及び103aを有する。図1に示されるように、拡張構造とターゲット側面の間の距離は、わずか約0.031インチ(0.08cm)である。これらの拡張構造は、ターゲットの縁において磁界に分路を造る。更に、サイドバー及び拡張構造がカソード周囲に暗黒部165を画定し、プラズマは生成しない。暗黒部に入り込む余分な磁界がアーク放電を引き起こす。明らかなように、マグネットヨークの拡張構造101a及び103aが、分離したカソードコア構造を有する必要性をなくす。
永久磁石がいずれかの適する材料から生成されることができ、NdFeBマグネットが特に適する。拡張構造101a及び103aの存在は、NdFeBマグネットが従来のアルニコもしくはセラミックマグネットと比較して小さくなることを許容し、引き続いてマグネット121及び123を、バッキングプレートの長さ方向に沿ったエッジの近くに、正確にはその場所に配置されるのを許容する。最後に本発明の装置が、ステンレススチールインサート150及び153を有し、ガスケット151及び152に対し腐食されない、無磁気のシール表面を提供する。インサート150が、示されるように連続する真空溶接ジョイント171によってマグネットヨークに溶接される。
【0011】
スパッタリング中、水が連続して注入管137を通って供給され、主要なチャンネル135及び136を通って循環され、排水管138を通って除かれる。冷却液はスパッタリング中生じる熱を除く。マグネットの腐食は、中心マグネット122にかぶせられたラバーシール139の二重の目的によって最小にされる。このキャップは、チャンネル135中の冷却液がチャンネル136における冷却液と混合することを妨げる。マグネットヨークの腐食は、主要冷却液チャンネルの側面をめっきしているニッケルによって最小にされる。
図1の2−2ラインに沿った図である図2に示されるように、内部マグネット122は、(外部環状マグネットに関して)中心に配置される細長い構造であり、シール139によって一列にされる。インサート180は、内部マグネットの一端に並置されて配置される。注入口137からの冷却液は、インサート180の近くの地点にあるチャンネル135に入り込み、インサートの反対側の近くに位置づけられた排水口138を通って出る。従って、インサート180が冷却液の流れを示し、冷却液が温められた冷却液と混合するのを妨げる。ステンレススチールインサート150が、インサート180及び内部マグネットの周囲に配備される環状構造を画定し、更に、インサート150及び内部マグネット及びインサート180が、主要な冷却液チャンネル135と136を画定する。ガスケット151は、インサート150によって画定される溝に位置づけられ、冷却液が真空チャンバーに漏れるのを妨げる。図1に示されるように、インサート150におけるホールにはめ込むボルト131がバッキングプレートをマグネットヨークに結び付ける。
【0012】
外部マグネット部分121及び123が、インサート150の外形に適合する内形を有する環状構造を形成し、従ってマグネットが密接してインサートに適合する。外部マグネットの環状構造が、環状領域を画定し、細長い内部マグネットが閉ループ磁界を生成するために配置される。ヨークの拡張構造101a及び103aが、環状マグネットの外周に沿って配置される長方形のフレームのような構造を形成する。最後に、(概略的に示されている)サイドバー141及び142が、拡張構造の外周に配置される長方形のフレームのような構造である。
図1及び図2に示される構造を有する平板マグネトロンであって、1インチ(2.54cm)の高さ、7インチ(17.78cm)の幅、及び51インチ(129.54cm)の長さを有するチタンカソードを備える平板マグネトロンが、排気可能チャンバーにおいて備え付けられた。チタンカソードを有すると、バッキングプレートは必要でない。作動中、スパッタリングを起こさせるための十分な大きさの負の電位が、直流電源からターゲットに供給された。アノードは接地されているか浮遊しているかのいずれかである。アルゴンがスパッタリング中不活性ガスとして使用され、アルゴン圧力は1から5ミクロンの間に保たれた。カソード組立体が、基板上にチタン金属膜をスパッタするために使用された。
【0013】
システムが約20から25kwの間で作動する1つの実験において、チタン膜が堆積され、その厚さが基板の幅に沿って種々の地点で測定された。図3は厚さ変化の割合と、平板状ガラス基板にスパッタされたチタン膜に対する基板の幅に沿った位置の関係を示すグラフである。曲線301及び302はアノードが接地されなかった場合の堆積を示し、曲線303及び304はアノードが接地された場合の堆積を示す。本グラフは、コーティング機の幅に沿って決められた12箇所の測定に基づいた平均から膜厚の偏差を示す。この実験において、使用された基板が44インチ(111.76cm)の幅を有し、その幅に沿っておよそ4インチの間隔で12個のガラススライドが配置された。各基板がチタン膜によってコーティングされた後、各スライドの膜厚が測定された。
図4は、(図1の地点154で測定された)バッキングプレートの温度とシステムに適用された電力との相関関係を示している。明らかなように、バッキングプレートの温度が電力に対応して線形的に増加する。システムに入る冷却液の水温はおよそ23°Cであった。
図5は、システムに対する電流と電圧の相関関係を示すグラフである。曲線501は、アノードが接地された時のI−V曲線であり、曲線502は、アノードが浮遊している時のI−V曲線である。電力はおよそ2から12kWの範囲で用いられた。
【0014】
図6は、チタンターゲットに対する浸食パターンを示す。明らかなように、ターゲットの半分に対する浸食溝が示されているが、他の半分に対する浸食溝も実際同一である。ターゲットの浸食が、ターゲットの横断面に沿って、ターゲットの長さ方向に沿った中間点で測定された。上記システムが2ミクロンのアルゴン圧力の下で20kWで約200時間作動された時であり、浸食曲線がチタンターゲットのスパッタされた外形を示す。明らかなように、浸食パターンの広さが、ターゲットの幅に沿って、改良されたターゲットを使用した結果から、ターゲット材料が比較的均一にスパッタされたことを示している。
ターゲットがインジウム−スズ酸化物(ITO)のような、ターゲットがバッキングプレートに取り付けられることを必要とする材料から成る時、ターゲットは通常0.5インチ(1.27cm)厚であり、バッキングプレートは0.375インチ(0.9525cm)厚である。図6に示される1インチ(2.54cm)厚のチタンプレートに対する浸食特性に基づいて、本発明の平板マグネトロンを有すれば、バッキングプレートを必要とするターゲットに対して、ターゲット使用が少なくとも約36%であることが評価される。
【0015】
本発明の装置の重要な特徴の1つは、外部磁極がバッキングプレートの外縁(もしくは周囲)に配置されるため、浸食領域の外部境界が実質的にターゲットの外縁であることである。更に、小さいマグネットを使用することは、均質性の制御のために、ターゲットの長さ方向に沿って磁界強度の優れた調整に備える。更に、比較的小さいNdFeBマグネットが、材料がスパッタされる相対的に大きい浸食領域を生成する。更に、作用ターゲット領域のソース領域に対する比が、約0.65であると測定は示した。(1メートル以上の従来の平板マグネトロンに対して、この比は通常は0.45である。)本発明の平板マグネトロンは、交流モードにおいて作動できるが、更に、本装置は、反応ガスが金属化合物の膜を形成するために、不活性ガスと混合される反応スパッタリングにおいても、使用されることができる。例えば、ターゲット材料がチタンである時、酸素の使用がTiO2 膜を生成する。
本発明の装置に対するスパッタ有効性、もしくはダイナミック堆積速度(DDR)が、従来の平板状ターゲットと比較できる。DDRは以下の式によって定義される:
DDR(Åmm2/ジュール)=(d・C・S)/(P・n)
ここで:
d=膜厚(Å)
C=ターゲットのレーストラック長さ(mm)
S=伝達(conveyer)スピード(mm/秒)
P=電力(ワット)
n=パスの数
更に、上記の装置において、(図1の構造110として示された)バッキングプレートが用いられた。本発明の他の実施例において、バッキングプレートが使用されず、従って図1で105及び110に示された構造が、代わりに1つの複合ターゲットによって置き換えられる。すなわち、2つの別の長方形平板(バッキングプレートとターゲット)を結合したものを有する代わりに、第2の実施例はバッキングプレートを有さない1つのターゲット構造を有する。明らかなように、第2の実施例のターゲット構造の特性は、好ましくは構造105及び110の結合された特性と等しくなる。
【0016】
本発明は、長方形ターゲット下面(すなわちスパッタリング表面)を有する好ましい実施例について述べられてきたが、本発明は一般的に円形のターゲット表面を含む平板マグネトロンにも適用できる。
本発明は好ましい特別な実施例に関連して記述されてきたが、本記述及び例は特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を示すものであり、制限するものでないことが理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】平板マグネトロンの構成断面図である。
【図2】ライン2−2に沿って切られた図1の平板マグネトロンの平面図である。
【図3】スパッタされたチタン膜の厚さ変化と基板の幅に沿った位置の関係を示すグラフである。
【図4】冷却液の水温と平板マグネトロンに適用される電力の相関関係を示すグラフである。
【図5】平板マグネトロンに対する電流−電圧曲線。
【図6】チタンターゲットの浸食パターンを示す浸食カーブである。
【符号の説明】
100 マグネットヨーク
101a 拡張構造
103a 拡張構造
105 ターゲット
110 バッキングプレート
121 外部マグネット
122 内部マグネット
123 外部マグネット
135,136 チャンネル
137 注入管
138 排水管
180 インサート
Claims (11)
- 平板マグネトロン装置であって:
上部周囲を備える上面、スパッタされるべき材料の平面状下面、及び側面を備えるターゲット;
閉ループ磁界をターゲット下面上に生成するために、ターゲット上面の近くで且つ上部に配置されるマグネット手段;
マグネットヨークは、ターゲットの上面部分と熱的に連絡する1つもしくはそれ以上の冷却液用チャンネルを画定する内部突起及び外部突起を有し、外部突起が、ターゲットの側面近くに配置され、磁界に分路を造るための拡張手段を有する
ことを特徴とする平板マグネトロン装置。 - 前記マグネット手段が内部マグネット及び外部マグネットを有し、外部マグネットがターゲット上部周囲の一部の近くで且つ沿って配置され、内部突起が前記内部マグネットに取付けられ、外部突起が前記外部マグネットに取付けられることを特徴とする請求項1に記載の平板マグネトロン装置。
- ターゲットの側面近くに配置されるサイドバー構造を更に含み、前記拡張手段及び前記サイドバー構造が、その間の暗黒部を画定することを特徴とする請求項1もしくは2に記載の平板マグネトロン装置。
- サイドバー構造が1もしくはそれ以上の第二の冷却液用チャンネルを画定することを特徴とする請求項3に記載の平板マグネトロン装置。
- 外部マグネットが環状領域を画定する環状構造を有し、内部マグネットが前記環状領域内部の中央に配置される細長い内部マグネットを備えることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載の平板マグネトロン装置。
- 前記ターゲット上面は、幅W及び長手方向の長さを有して長方形に形成され、前記ターゲットの横断面に沿って幅W2を有する細長い内部マグネットが、前記ターゲットの長手方向の長さに沿ってターゲットの縁に平行であり、外部マグネットが、前記ターゲットの横断面に沿って幅W1及びW3を有しており、且つ前記幅W1、W2、及びW3の和が前記幅Wの18%に等しいかもしくはそれ以下であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の平板マグネトロン装置。
- ターゲットの反対側に配置される一対の細長いアノード構造を更に含み、各アノードがターゲットから均一な間隔で配置されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の平板マグネトロン装置。
- 細長いアノード構造の各々が、前記平板状ターゲット下面と同一平面上である平坦なアノード表面を画定することを特徴とする請求項7に記載の平板マグネトロン装置。
- 前記マグネット手段がNdFeBマグネットを有することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の平板マグネトロン装置。
- ターゲットが、バッキングプレートを備え、前記バッキングプレートにおいて、バッキングプレート下面がスパッタされるべき材料に属し、バッキングプレート上面がターゲット上面を画定することを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の平板マグネトロン装置。
- バッキングプレートが銅から成ることを特徴とする請求項10に記載の平板マグネトロン装置。
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