JP3533821B2 - プラズマディスプレイパネル製造装置 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル製造装置Info
- Publication number
- JP3533821B2 JP3533821B2 JP11754596A JP11754596A JP3533821B2 JP 3533821 B2 JP3533821 B2 JP 3533821B2 JP 11754596 A JP11754596 A JP 11754596A JP 11754596 A JP11754596 A JP 11754596A JP 3533821 B2 JP3533821 B2 JP 3533821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- pdp
- temperature
- vacuum
- pdps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（以下ＰＤＰと称する）の製造装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】図７はＰＤＰの基本構造を示す模式的要
部側断面図である。図中、１と２はガラス基板、Δは２
枚のガラス基板１と２間に形成される放電空間、３は放
電空間Δを封止するための封止材（フリットガラス）、
５は放電空間Δを真空引きするとき或いは放電空間Δ内
にプラズマ生成用ガス（図示せず）を送り込むときに使
用されるチップ管、４はガラス基板２とチップ管５を固
着するためのガラスペースト、をそれぞれ示す。 【０００３】図７に示すようなＰＤＰを製造する場合、
従来は、まず所定のプロセスで形成した２枚のガラス基
板１，２を封止炉（図示せず）に送り込んで周辺を封止
材３でシールすると共にガラスペースト４を用いてチッ
プ管５を取付け、一旦炉外へ取り出していた。そしてこ
のシールされたＰＤＰを別の排気炉にセットし、チップ
管５に真空ポンプ（図示せず）を接続してリークチェッ
クを行うとともに、加熱した状態で排気し、放電空間Δ
に所要の放電用ガスを封入してチップオフしていた。 【０００４】図８は従来の封止排気工程を示す図であっ
て、図中、Ａは封止工程、Ｂはリークチェック工程、Ｃ
は排気工程をそれぞれ示す。封止工程Ａは、前記図７に
開示されている封止材３を溶融させてガラス基板１と２
間に放電空間Δを形成する工程であるが、ガラスペース
ト４を溶融させてガラス基板２とチップ管５を接合する
工程もこの封止工程Ａに含まれる。この封止工程Ａは約
４１０°Ｃで行われる。 【０００５】次のリークチェック工程Ｂは、前記放電空
間Δを真空引きしてリークの有無をチェックする工程で
あるが、従来はこのリークチェックを作業者が手作業で
行っていた。従って、リークチェックを実施するために
は４１０°Ｃに加熱されたＰＤＰを一旦常温（２０°
Ｃ）に戻す必要がある。 【０００６】次の排気工程Ｃは、リークチェック工程Ｂ
でリークが発見されなかったＰＤＰを対象に行われる。
なお、この排気工程Ｃは約３５０°Ｃの雰囲気中で行わ
れるので、リークチェック工程Ｂを実施するために一旦
２０°Ｃに冷却されたＰＤＰは再び封止・排気・熱処理
炉に収容されて３５０°Ｃとなるまで加熱される。そし
て温度が３５０°Ｃをキープした時点でこの排気工程Ｃ
が開始される。 【０００７】以上の説明から明らかなように、この従来
の封止排気方法は、封止工程Ａを行うために４１０°Ｃ
に加熱したＰＤＰを一旦常温（２０°Ｃ）に戻してリー
クチェック工程Ｂを実施し、リークチェックに合格した
ものを再び３５０°Ｃに加熱して排気工程Ｃを実施する
というものである。従って、この従来方法を適用して封
止と排気を行うと、封止工程Ａの中にＰＤＰの温度が３
５０°Ｃから２０°Ｃ（常温）になるまでの所要時間Ａ
1 が含まれ、排気工程Ｃの中にＰＤＰの温度が２０°Ｃ
から３５０°Ｃになるまでの所要時間Ｃ1 が含まれるの
で、１サイクルの封止排気工程に要する時間Ｔが図８に
示すように長くなる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】従来のＰＤＰの製造方
法は、図８に開示されているように、４１０°Ｃで封止
したＰＤＰを一旦常温（２０°Ｃ）に戻してリークチェ
ックを行い、リークチェックが終了したＰＤＰを再び３
５０°Ｃまで加熱して排気工程を実施することから、１
サイクルの所要時間Ｔが必然的に長くなる。 【０００９】本発明は、１サイクルの所要時間を短縮し
てＰＤＰの製造工程を効率化することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明によるＰＤＰ製造
装置は、図１に示すように、複数のプラズマディスプレ
イパネルPDP1，PDP2，PDP3，PDP4，PDP5（以下これらを
ＰＤＰ１〜５と呼ぶ）を収容する封止・排気・熱処理炉
60と、前記各ＰＤＰ１〜５と真空引きを行う装置（排気
マニホールド10）との間に配置された複数の真空バルブ
VV1 ，VV2 ，VV3 ，VV4 ，VV5 （以下これらを真空バル
ブＶＶ１〜５と呼ぶ）と、前記複数のＰＤＰ１〜５の放
電空間Δ内の真空度を検出する真空計20と、を具備して
なり、封止処理を終了したＰＤＰ１〜５が排気可能温度
に到達した時点で、前記放電空間のリークチェック処理
と排気処理を実行する装置構成になっている。 【００１１】本発明によるこのＰＤＰ製造装置は、図２
の封止排気工程図に開示しているように、封止工程Ａ’
を実施するために例えば４１０°Ｃに加熱された前記Ｐ
ＤＰ１〜５の温度が排気可能温度例えば３５０°Ｃに到
達した時点で、リークチェック工程Ｂ’をスタートさせ
る装置構成になっている。このため、このＰＤＰ製造装
置を用いて封止・排気を行うと、前記従来例と比較して
封止工程Ａ’を終了したＰＤＰ１〜５の温度が３５０°
Ｃから２０°Ｃ（これは手作業によるリークチェックが
可能な温度）に下がるまでの時間Ａ1 と、リークチェッ
ク工程Ｂ’を終了したＰＤＰ１〜５の温度が再び排気可
能温度（３５０°Ｃ）になるまでの時間Ｃ1 が節減され
る。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下実施例図に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は本発明の第一実施例を説明する
ための装置の回路図であって、図中、ＰＤＰ１〜５はプ
ラズマディスプレイパネル、10はＰＤＰ１〜５の真空引
きを行う装置である排気マニホールド、ＶＶ１〜５は排
気マニホールド10と各ＰＤＰ１〜５との間に配置された
真空バルブ、45はＰＤＰ１〜５の放電空間Δに充填され
るプラズマ生成用ガスを収容するガスボンベ、ＶＧ１〜
５はガスボンベ45と各ＰＤＰ１〜５間に配置されたガス
バルブ、30は真空ポンプ、Ｖ１は真空ポンプ30と排気マ
ニホールド10間に配置されたポンプバルブ、60は封止・
排気・熱処理炉、70は封止・排気・熱処理炉60内の温度
を検出する温度センサ、50は装置内に配置されている各
構成部材の動作を総合的に制御する制御部、をそれぞれ
示す。 【００１３】図１に示すように、本発明によるＰＤＰ製
造装置は、複数のＰＤＰ１〜５を収容する封止・排気・
熱処理炉60と、各ＰＤＰ１〜５と排気マニホールド10と
の間に配置された複数の真空バルブＶＶ１〜５と、前記
複数のＰＤＰ１〜５の放電空間Δ内の真空度を一括的に
検出する真空計20と、を具備し、前記各ＰＤＰ１〜５の
封止工程が終了して前記封止・排気・熱処理炉60内の温
度が排気可能温度になった時点で、前記放電空間Δのリ
ークの有無をチェックするリークチェック処理と放電空
間Δを排気する排気処理が実行される装置構成になって
いる。 【００１４】実際上は、本発明の場合、封止と排気とガ
ス充填を共通の加熱炉60（封止・排気・熱処理炉60）内
において連続して行うので、封止・排気・熱処理炉60内
には間に封止材３（図７参照）を挟んで位置合わせした
２枚のガラス基板１，２（図７参照）のセットをそれぞ
れクリップ等で仮固定した状態で複数セット設置する。
また、各セットの排気孔側のガラス基板２（図７参照）
が上側になるようにしてその排気孔部に同じくガラスペ
ースト４（図７参照）を挟んでフランジ付きのチップ管
５（図７参照）を図示しないクリップ等で仮止めし、さ
らにこのチップ管５の自由端を排気マニホールド10に連
通して炉外から導入した耐熱性パイプの端部にべローズ
機能を持った気密の継手をそれぞれ個別に接続する。か
くして封止と排気とガス充填の連続プロセスの準備が整
うことになる。 【００１５】図２は本発明によるＰＤＰ製造装置の封止
排気工程を示す図である。このＰＤＰ製造装置は、約４
１０°Ｃで実施される前記各ＰＤＰ１〜５の封止工程
Ａ’が終了して封止・排気・熱処理炉60内の温度が３５
０°Ｃ（排気可能温度）になった時点でリークチェック
工程Ｂ’をスタートさせ、このリークチェック工程Ｂ’
が終了した時点で排気工程Ｃ’を実行する。 【００１６】本発明によるこのＰＤＰ製造装置は、図２
に示すように、リークチェック工程Ｂ’を排気工程実施
可能温度（３５０°Ｃ）で実施する装置構成とすること
で、封止工程Ａ’が終了したＰＤＰ１〜５の温度を３５
０°Ｃから２０°Ｃに下げる時間Ａ1 と、リークチェッ
ク工程を終了したＰＤＰ１〜５の温度を再び３５０°Ｃ
に上昇させる時間Ｃ1 と、をそれぞれ省略することを可
能にして封止排気工程を効率化したものである。 【００１７】特に、このＰＤＰ製造装置は、温度センサ
70からの出力信号によって封止・排気・熱処理炉60内の
温度を制御する操作、真空計20に表示される排気マニホ
ールド10内の真空度に対応してポンプバルブＶ１及び真
空バルブＶＶ１〜５を開閉する操作、排気工程が終了し
た時点でガスバルブＶＧ１〜５を開放する操作、等が制
御部50の制御によって自動的に行われることから、リー
クチェック工程Ｂ’に要する時間も、手作業に依存して
いた従来のリークチェック工程Ｂの場合（図８参照）よ
り短くなる。なお、ポンプバルブＶ１，真空バルブＶＶ
１〜５，ガスバルブＶＧ１〜５等は電気的に開閉される
電磁バルブである。 【００１８】図３と図４は第一実施例に開示したＰＤＰ
製造装置を用いて封止排気工程を実施するときのフロー
チャート（その１），（その２）である。図３と図４に
示すように、第一実施例に開示したＰＤＰ製造装置は、
封止処理が終了した時点でポンプバルブＶ１と真空バル
ブＶＶ１〜５をそれぞれ“開”にして真空引きを行って
リークの有無をチェックする。そして全てのＰＤＰ１〜
５が正常であることが確認されるとガス（プラズマ生成
用ガス）を充填してチップオフする。 【００１９】なお、前記真空度測定で異常（封止不良＝
リーク有り）が発見された場合は、どのＰＤＰ１〜５が
リークしているのかを特定する必要がある。この第一実
施例に開示したＰＤＰ製造装置の場合は、次のような方
法でリークしているＰＤＰを特定する。 【００２０】(1) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１
〜５を全て“開”にして真空引きを行う。 (2) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ２．ＶＶ３．Ｖ
Ｖ４．ＶＶ５を“閉”にしてクランプを行ってＰＤＰ１
のリークチェックを行う。このとき、ＰＤＰ１の真空度
が一定値より低下すればＰＤＰ１はリーク不良と判定さ
れる。 【００２１】(3) 以下同様の手順でＰＤＰ２．ＰＤＰ
３．ＰＤＰ４．ＰＤＰ５．のリークチェックを逐次実施
する。 (4) ＰＤＰ１〜５全てのリークチェックが終了するとリ
ークの無いＰＤＰのみを対象に再真空引きを行う。 【００２２】(5) 再真空引きを行ったリークの無いＰＤ
Ｐのみガス（プラズマ生成用ガス）を充填してチップオ
フする。 次は図５に基づいて本発明の第二実施例について説明す
る。 【００２３】この第二実施例に開示したＰＤＰ製造装置
は、各ＰＤＰ１〜５それぞれに真空計20-1，20-2，20-
3，20-4，20-5を配置した形になっている点が前記第一
実施例と異なる。 【００２４】このＰＤＰ製造装置の場合は、次のような
方法でリークしているＰＤＰを特定する。図６は第二実
施例に開示したＰＤＰ製造装置を用いて封止排気工程を
実施するときのフローチャートである。 【００２５】図６に示すように、第二実施例に開示した
ＰＤＰ製造装置は、封止処理が終了してＰＤＰ１〜５が
排気可能温度になった時点でポンプバルブＶ１と真空バ
ルブＶＶ１〜５を“開”にして真空引きを行いリークの
有無をチェックする。そして全てのＰＤＰ１〜５が正常
であることが確認された場合はプラズマ生成用ガスを充
填してチップオフする。 【００２６】なお、前記真空度測定で異常（封止不良＝
リーク有り）が発見された場合は、どのＰＤＰ１〜５が
リークしているのかを特定する必要がある。第二実施例
に開示したこのＰＤＰ製造装置の場合は、次のような方
法でリークしているＰＤＰを特定する。 【００２７】(1) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１
〜５を全て“開”にして真空引きを行う。 (2) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１〜５を全て
“閉”にする。この場合は全てのＰＤＰ１〜５に対して
それぞれ個別に真空計20-1，20-2，20-3，20-4，20-5が
配置されていることから、リーク不良のＰＤＰは真空度
が一定値より低下しているので直ちに発見される。この
方法はＰＤＰ１〜５の真空度チェックが並列的に行われ
ることから、１回の操作でリーク不良のＰＤＰを特定す
ることができる。 【００２８】(3) ＰＤＰ１〜５のリークチェックが終了
するとリークの無いＰＤＰのみ再真空引きを行う。 (4) 再真空引きを行ったリークの無いＰＤＰに対してガ
ス（プラズマ生成用ガス）を充填してチップオフする。 【００２９】この第二実施例に開示したＰＤＰ製造装置
は、ＰＤＰ１〜５のリークチェックが並列的に実行され
ることから、ＰＤＰのリークチェックを直列的に行う第
一実施例に比してリークチェック時間が短縮される。 【００３０】本発明によるＰＤＰ製造装置は、ＰＤＰの
封止工程Ａ’が終了して封止・排気・熱処理炉60内の温
度が排気可能温度になった時点でリークチェック工程
Ｂ’を開始する装置構成になっていることから、封止排
気工程が著しく効率化される。 【００３１】 【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるＰＤＰ製造装置は、封止工程と排気工程とガス充
填工程が自動的に行われると共に、封止工程が終了して
ＰＤＰの温度が排気可能温度になった時点でリークチェ
ック工程を開始する構成になっていることから、このＰ
ＤＰ製造装置を使用するとＰＤＰの封止排気工程が著し
く効率化される。
レイパネル（以下ＰＤＰと称する）の製造装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】図７はＰＤＰの基本構造を示す模式的要
部側断面図である。図中、１と２はガラス基板、Δは２
枚のガラス基板１と２間に形成される放電空間、３は放
電空間Δを封止するための封止材（フリットガラス）、
５は放電空間Δを真空引きするとき或いは放電空間Δ内
にプラズマ生成用ガス（図示せず）を送り込むときに使
用されるチップ管、４はガラス基板２とチップ管５を固
着するためのガラスペースト、をそれぞれ示す。 【０００３】図７に示すようなＰＤＰを製造する場合、
従来は、まず所定のプロセスで形成した２枚のガラス基
板１，２を封止炉（図示せず）に送り込んで周辺を封止
材３でシールすると共にガラスペースト４を用いてチッ
プ管５を取付け、一旦炉外へ取り出していた。そしてこ
のシールされたＰＤＰを別の排気炉にセットし、チップ
管５に真空ポンプ（図示せず）を接続してリークチェッ
クを行うとともに、加熱した状態で排気し、放電空間Δ
に所要の放電用ガスを封入してチップオフしていた。 【０００４】図８は従来の封止排気工程を示す図であっ
て、図中、Ａは封止工程、Ｂはリークチェック工程、Ｃ
は排気工程をそれぞれ示す。封止工程Ａは、前記図７に
開示されている封止材３を溶融させてガラス基板１と２
間に放電空間Δを形成する工程であるが、ガラスペース
ト４を溶融させてガラス基板２とチップ管５を接合する
工程もこの封止工程Ａに含まれる。この封止工程Ａは約
４１０°Ｃで行われる。 【０００５】次のリークチェック工程Ｂは、前記放電空
間Δを真空引きしてリークの有無をチェックする工程で
あるが、従来はこのリークチェックを作業者が手作業で
行っていた。従って、リークチェックを実施するために
は４１０°Ｃに加熱されたＰＤＰを一旦常温（２０°
Ｃ）に戻す必要がある。 【０００６】次の排気工程Ｃは、リークチェック工程Ｂ
でリークが発見されなかったＰＤＰを対象に行われる。
なお、この排気工程Ｃは約３５０°Ｃの雰囲気中で行わ
れるので、リークチェック工程Ｂを実施するために一旦
２０°Ｃに冷却されたＰＤＰは再び封止・排気・熱処理
炉に収容されて３５０°Ｃとなるまで加熱される。そし
て温度が３５０°Ｃをキープした時点でこの排気工程Ｃ
が開始される。 【０００７】以上の説明から明らかなように、この従来
の封止排気方法は、封止工程Ａを行うために４１０°Ｃ
に加熱したＰＤＰを一旦常温（２０°Ｃ）に戻してリー
クチェック工程Ｂを実施し、リークチェックに合格した
ものを再び３５０°Ｃに加熱して排気工程Ｃを実施する
というものである。従って、この従来方法を適用して封
止と排気を行うと、封止工程Ａの中にＰＤＰの温度が３
５０°Ｃから２０°Ｃ（常温）になるまでの所要時間Ａ
1 が含まれ、排気工程Ｃの中にＰＤＰの温度が２０°Ｃ
から３５０°Ｃになるまでの所要時間Ｃ1 が含まれるの
で、１サイクルの封止排気工程に要する時間Ｔが図８に
示すように長くなる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】従来のＰＤＰの製造方
法は、図８に開示されているように、４１０°Ｃで封止
したＰＤＰを一旦常温（２０°Ｃ）に戻してリークチェ
ックを行い、リークチェックが終了したＰＤＰを再び３
５０°Ｃまで加熱して排気工程を実施することから、１
サイクルの所要時間Ｔが必然的に長くなる。 【０００９】本発明は、１サイクルの所要時間を短縮し
てＰＤＰの製造工程を効率化することを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明によるＰＤＰ製造
装置は、図１に示すように、複数のプラズマディスプレ
イパネルPDP1，PDP2，PDP3，PDP4，PDP5（以下これらを
ＰＤＰ１〜５と呼ぶ）を収容する封止・排気・熱処理炉
60と、前記各ＰＤＰ１〜５と真空引きを行う装置（排気
マニホールド10）との間に配置された複数の真空バルブ
VV1 ，VV2 ，VV3 ，VV4 ，VV5 （以下これらを真空バル
ブＶＶ１〜５と呼ぶ）と、前記複数のＰＤＰ１〜５の放
電空間Δ内の真空度を検出する真空計20と、を具備して
なり、封止処理を終了したＰＤＰ１〜５が排気可能温度
に到達した時点で、前記放電空間のリークチェック処理
と排気処理を実行する装置構成になっている。 【００１１】本発明によるこのＰＤＰ製造装置は、図２
の封止排気工程図に開示しているように、封止工程Ａ’
を実施するために例えば４１０°Ｃに加熱された前記Ｐ
ＤＰ１〜５の温度が排気可能温度例えば３５０°Ｃに到
達した時点で、リークチェック工程Ｂ’をスタートさせ
る装置構成になっている。このため、このＰＤＰ製造装
置を用いて封止・排気を行うと、前記従来例と比較して
封止工程Ａ’を終了したＰＤＰ１〜５の温度が３５０°
Ｃから２０°Ｃ（これは手作業によるリークチェックが
可能な温度）に下がるまでの時間Ａ1 と、リークチェッ
ク工程Ｂ’を終了したＰＤＰ１〜５の温度が再び排気可
能温度（３５０°Ｃ）になるまでの時間Ｃ1 が節減され
る。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下実施例図に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は本発明の第一実施例を説明する
ための装置の回路図であって、図中、ＰＤＰ１〜５はプ
ラズマディスプレイパネル、10はＰＤＰ１〜５の真空引
きを行う装置である排気マニホールド、ＶＶ１〜５は排
気マニホールド10と各ＰＤＰ１〜５との間に配置された
真空バルブ、45はＰＤＰ１〜５の放電空間Δに充填され
るプラズマ生成用ガスを収容するガスボンベ、ＶＧ１〜
５はガスボンベ45と各ＰＤＰ１〜５間に配置されたガス
バルブ、30は真空ポンプ、Ｖ１は真空ポンプ30と排気マ
ニホールド10間に配置されたポンプバルブ、60は封止・
排気・熱処理炉、70は封止・排気・熱処理炉60内の温度
を検出する温度センサ、50は装置内に配置されている各
構成部材の動作を総合的に制御する制御部、をそれぞれ
示す。 【００１３】図１に示すように、本発明によるＰＤＰ製
造装置は、複数のＰＤＰ１〜５を収容する封止・排気・
熱処理炉60と、各ＰＤＰ１〜５と排気マニホールド10と
の間に配置された複数の真空バルブＶＶ１〜５と、前記
複数のＰＤＰ１〜５の放電空間Δ内の真空度を一括的に
検出する真空計20と、を具備し、前記各ＰＤＰ１〜５の
封止工程が終了して前記封止・排気・熱処理炉60内の温
度が排気可能温度になった時点で、前記放電空間Δのリ
ークの有無をチェックするリークチェック処理と放電空
間Δを排気する排気処理が実行される装置構成になって
いる。 【００１４】実際上は、本発明の場合、封止と排気とガ
ス充填を共通の加熱炉60（封止・排気・熱処理炉60）内
において連続して行うので、封止・排気・熱処理炉60内
には間に封止材３（図７参照）を挟んで位置合わせした
２枚のガラス基板１，２（図７参照）のセットをそれぞ
れクリップ等で仮固定した状態で複数セット設置する。
また、各セットの排気孔側のガラス基板２（図７参照）
が上側になるようにしてその排気孔部に同じくガラスペ
ースト４（図７参照）を挟んでフランジ付きのチップ管
５（図７参照）を図示しないクリップ等で仮止めし、さ
らにこのチップ管５の自由端を排気マニホールド10に連
通して炉外から導入した耐熱性パイプの端部にべローズ
機能を持った気密の継手をそれぞれ個別に接続する。か
くして封止と排気とガス充填の連続プロセスの準備が整
うことになる。 【００１５】図２は本発明によるＰＤＰ製造装置の封止
排気工程を示す図である。このＰＤＰ製造装置は、約４
１０°Ｃで実施される前記各ＰＤＰ１〜５の封止工程
Ａ’が終了して封止・排気・熱処理炉60内の温度が３５
０°Ｃ（排気可能温度）になった時点でリークチェック
工程Ｂ’をスタートさせ、このリークチェック工程Ｂ’
が終了した時点で排気工程Ｃ’を実行する。 【００１６】本発明によるこのＰＤＰ製造装置は、図２
に示すように、リークチェック工程Ｂ’を排気工程実施
可能温度（３５０°Ｃ）で実施する装置構成とすること
で、封止工程Ａ’が終了したＰＤＰ１〜５の温度を３５
０°Ｃから２０°Ｃに下げる時間Ａ1 と、リークチェッ
ク工程を終了したＰＤＰ１〜５の温度を再び３５０°Ｃ
に上昇させる時間Ｃ1 と、をそれぞれ省略することを可
能にして封止排気工程を効率化したものである。 【００１７】特に、このＰＤＰ製造装置は、温度センサ
70からの出力信号によって封止・排気・熱処理炉60内の
温度を制御する操作、真空計20に表示される排気マニホ
ールド10内の真空度に対応してポンプバルブＶ１及び真
空バルブＶＶ１〜５を開閉する操作、排気工程が終了し
た時点でガスバルブＶＧ１〜５を開放する操作、等が制
御部50の制御によって自動的に行われることから、リー
クチェック工程Ｂ’に要する時間も、手作業に依存して
いた従来のリークチェック工程Ｂの場合（図８参照）よ
り短くなる。なお、ポンプバルブＶ１，真空バルブＶＶ
１〜５，ガスバルブＶＧ１〜５等は電気的に開閉される
電磁バルブである。 【００１８】図３と図４は第一実施例に開示したＰＤＰ
製造装置を用いて封止排気工程を実施するときのフロー
チャート（その１），（その２）である。図３と図４に
示すように、第一実施例に開示したＰＤＰ製造装置は、
封止処理が終了した時点でポンプバルブＶ１と真空バル
ブＶＶ１〜５をそれぞれ“開”にして真空引きを行って
リークの有無をチェックする。そして全てのＰＤＰ１〜
５が正常であることが確認されるとガス（プラズマ生成
用ガス）を充填してチップオフする。 【００１９】なお、前記真空度測定で異常（封止不良＝
リーク有り）が発見された場合は、どのＰＤＰ１〜５が
リークしているのかを特定する必要がある。この第一実
施例に開示したＰＤＰ製造装置の場合は、次のような方
法でリークしているＰＤＰを特定する。 【００２０】(1) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１
〜５を全て“開”にして真空引きを行う。 (2) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ２．ＶＶ３．Ｖ
Ｖ４．ＶＶ５を“閉”にしてクランプを行ってＰＤＰ１
のリークチェックを行う。このとき、ＰＤＰ１の真空度
が一定値より低下すればＰＤＰ１はリーク不良と判定さ
れる。 【００２１】(3) 以下同様の手順でＰＤＰ２．ＰＤＰ
３．ＰＤＰ４．ＰＤＰ５．のリークチェックを逐次実施
する。 (4) ＰＤＰ１〜５全てのリークチェックが終了するとリ
ークの無いＰＤＰのみを対象に再真空引きを行う。 【００２２】(5) 再真空引きを行ったリークの無いＰＤ
Ｐのみガス（プラズマ生成用ガス）を充填してチップオ
フする。 次は図５に基づいて本発明の第二実施例について説明す
る。 【００２３】この第二実施例に開示したＰＤＰ製造装置
は、各ＰＤＰ１〜５それぞれに真空計20-1，20-2，20-
3，20-4，20-5を配置した形になっている点が前記第一
実施例と異なる。 【００２４】このＰＤＰ製造装置の場合は、次のような
方法でリークしているＰＤＰを特定する。図６は第二実
施例に開示したＰＤＰ製造装置を用いて封止排気工程を
実施するときのフローチャートである。 【００２５】図６に示すように、第二実施例に開示した
ＰＤＰ製造装置は、封止処理が終了してＰＤＰ１〜５が
排気可能温度になった時点でポンプバルブＶ１と真空バ
ルブＶＶ１〜５を“開”にして真空引きを行いリークの
有無をチェックする。そして全てのＰＤＰ１〜５が正常
であることが確認された場合はプラズマ生成用ガスを充
填してチップオフする。 【００２６】なお、前記真空度測定で異常（封止不良＝
リーク有り）が発見された場合は、どのＰＤＰ１〜５が
リークしているのかを特定する必要がある。第二実施例
に開示したこのＰＤＰ製造装置の場合は、次のような方
法でリークしているＰＤＰを特定する。 【００２７】(1) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１
〜５を全て“開”にして真空引きを行う。 (2) ポンプバルブＶ１と真空バルブＶＶ１〜５を全て
“閉”にする。この場合は全てのＰＤＰ１〜５に対して
それぞれ個別に真空計20-1，20-2，20-3，20-4，20-5が
配置されていることから、リーク不良のＰＤＰは真空度
が一定値より低下しているので直ちに発見される。この
方法はＰＤＰ１〜５の真空度チェックが並列的に行われ
ることから、１回の操作でリーク不良のＰＤＰを特定す
ることができる。 【００２８】(3) ＰＤＰ１〜５のリークチェックが終了
するとリークの無いＰＤＰのみ再真空引きを行う。 (4) 再真空引きを行ったリークの無いＰＤＰに対してガ
ス（プラズマ生成用ガス）を充填してチップオフする。 【００２９】この第二実施例に開示したＰＤＰ製造装置
は、ＰＤＰ１〜５のリークチェックが並列的に実行され
ることから、ＰＤＰのリークチェックを直列的に行う第
一実施例に比してリークチェック時間が短縮される。 【００３０】本発明によるＰＤＰ製造装置は、ＰＤＰの
封止工程Ａ’が終了して封止・排気・熱処理炉60内の温
度が排気可能温度になった時点でリークチェック工程
Ｂ’を開始する装置構成になっていることから、封止排
気工程が著しく効率化される。 【００３１】 【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるＰＤＰ製造装置は、封止工程と排気工程とガス充
填工程が自動的に行われると共に、封止工程が終了して
ＰＤＰの温度が排気可能温度になった時点でリークチェ
ック工程を開始する構成になっていることから、このＰ
ＤＰ製造装置を使用するとＰＤＰの封止排気工程が著し
く効率化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるＰＤＰ製造装置の第一実施例を
説明するための図 【図２】 本発明によるＰＤＰ製造装置の封止・排気工
程を説明するための図 【図３】 本発明の第一実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート（その１） 【図４】 本発明の第一実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート（その２） 【図５】 本発明によるＰＤＰ製造装置の第二実施例を
説明するための図 【図６】 本発明の第二実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート 【図７】 ＰＤＰの基本構造を示す模式的要部側断面図 【図８】 従来の封止・排気工程を説明するための図 【符号の説明】 １，２ ガラス基板、 ３ 封止材、 ４ ガラスペースト、 ５ チップ管、 10 排気マニホールド、 20，20-1，20-2，20-3，20-4，20-5 真空計、 30 真空ポンプ、 45 ガスボンベ、 50，50Ａ 制御部 60 封止・排気・熱処理炉、 70 温度センサ、 PDP1，PDP2，PDP3，PDP4，PDP5 プラズマディスプレイ
パネル、 Ｖ１ ポンプバルブ、 VV1 ，VV2 ，VV3 ，VV4 ，VV5 真空バルブ、 VG1 ，VG2 ，VG3 ，VG4 ，VG5 ガスバルブ、 Δ 放電空間、
説明するための図 【図２】 本発明によるＰＤＰ製造装置の封止・排気工
程を説明するための図 【図３】 本発明の第一実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート（その１） 【図４】 本発明の第一実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート（その２） 【図５】 本発明によるＰＤＰ製造装置の第二実施例を
説明するための図 【図６】 本発明の第二実施例に開示したＰＤＰ製造装
置のフローチャート 【図７】 ＰＤＰの基本構造を示す模式的要部側断面図 【図８】 従来の封止・排気工程を説明するための図 【符号の説明】 １，２ ガラス基板、 ３ 封止材、 ４ ガラスペースト、 ５ チップ管、 10 排気マニホールド、 20，20-1，20-2，20-3，20-4，20-5 真空計、 30 真空ポンプ、 45 ガスボンベ、 50，50Ａ 制御部 60 封止・排気・熱処理炉、 70 温度センサ、 PDP1，PDP2，PDP3，PDP4，PDP5 プラズマディスプレイ
パネル、 Ｖ１ ポンプバルブ、 VV1 ，VV2 ，VV3 ，VV4 ，VV5 真空バルブ、 VG1 ，VG2 ，VG3 ，VG4 ，VG5 ガスバルブ、 Δ 放電空間、
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/02
H01J 9/38
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】放電空間を封止処理する封止機能と、放電
空間のリークの有無をチェックするリークチェック機能
と、放電空間を排気処理する排気機能と、を具備してな
るプラズマディスプレイパネル製造装置であって、前記封止及び排気の一連の処理に応じて温度が連続的に
制御される加熱炉を有するとともに、加熱炉内に温度セ
ンサを設け、さらに制御部を備え、該制御部の制御によ
り当該加熱炉内において 前記封止処理を終了したプラズ
マディスプレイパネルが排気可能温度に到達したことを
前記温度センサが検出した時点で、前記放電空間のリー
クチェック処理と排気処理が実行されるように構成した
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11754596A JP3533821B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11754596A JP3533821B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306346A JPH09306346A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3533821B2 true JP3533821B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=14714460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11754596A Expired - Fee Related JP3533821B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3533821B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI681133B (zh) | 2014-09-25 | 2020-01-01 | 法商熱德公司 | 改良式有眼的扣環 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990043617A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 플라즈마 표시소자의 제조방법 |
| JP5005133B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2012-08-22 | 中外炉工業株式会社 | 排気カート式連続排気処理における不良品パネルの検知方法 |
| CN103730306A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-16 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 一种用于pdp的潘宁气体低损耗封排充气真空系统 |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP11754596A patent/JP3533821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI681133B (zh) | 2014-09-25 | 2020-01-01 | 法商熱德公司 | 改良式有眼的扣環 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09306346A (ja) | 1997-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3465634B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3946319B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの処理方法 | |
| JP3554432B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3533821B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル製造装置 | |
| KR20080105658A (ko) | 평판 디스플레이 패널의 합착방법 및 그 장치 | |
| JP5005133B2 (ja) | 排気カート式連続排気処理における不良品パネルの検知方法 | |
| JP2002229468A (ja) | 平板ディスプレーパネル用ガス排気装置及びその方法 | |
| JP3422175B2 (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
| JP3615335B2 (ja) | プラズマ・ディスプレイ・パネル用排気・封着炉 | |
| KR100313109B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 | |
| KR100603272B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 배기 방법 및, 장치 | |
| JPH1031957A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| KR100228782B1 (ko) | 평판표시소자의 배기밀봉방법 및 그 시스템 | |
| JP2000243284A (ja) | フラットディスプレイパネルの製造方法 | |
| KR100603271B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 플라즈마 방전가스 주입방법 | |
| JP2002173331A (ja) | ガラスパネルのカート式処理設備 | |
| KR0142822B1 (ko) | 평판표시소자의 밀봉방법 및 배기장치 | |
| KR100575131B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
| JP4402827B2 (ja) | チップ管の排気ヘッドへの接続方法 | |
| JP2002134020A (ja) | プラズマディスプレイパネルのガス導入・排気装置とそれを用いたガス封入方法 | |
| JP3385907B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3722284B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの排気装置 | |
| KR100363261B1 (ko) | 진공 중의 프릿 프레임 사전 열처리를 통한 평판 표시패널의 진공 패키징 방법 | |
| JP2002042657A (ja) | ガス放電型表示装置 | |
| KR100694494B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040301 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313131 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 10 |
|
| S131 | Request for trust registration of transfer of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313135 |
|
| SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |