JP3527284B2 - モータ駆動式記憶装置 - Google Patents
モータ駆動式記憶装置Info
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- JP3527284B2 JP3527284B2 JP12429494A JP12429494A JP3527284B2 JP 3527284 B2 JP3527284 B2 JP 3527284B2 JP 12429494 A JP12429494 A JP 12429494A JP 12429494 A JP12429494 A JP 12429494A JP 3527284 B2 JP3527284 B2 JP 3527284B2
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- pole
- head
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B9/00—Safety arrangements
- G05B9/02—Safety arrangements electric
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/02—Driving or moving of heads
- G11B21/12—Raising and lowering; Back-spacing or forward-spacing along track; Returning to starting position otherwise than during transducing operation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Linear Motors (AREA)
- Control Of Multiple Motors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モータ駆動式記憶装置
のためのヘッド退避回路に関し、特にモータ駆動式記憶
装置のモータにより発生した誘導性フライバック電圧ス
パイク及び逆起電力により駆動されるヘッド退避回路に
関する。
のためのヘッド退避回路に関し、特にモータ駆動式記憶
装置のモータにより発生した誘導性フライバック電圧ス
パイク及び逆起電力により駆動されるヘッド退避回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブ装置や光ディス
クドライブ装置などのモータ駆動式記憶装置は、通常バ
ッテリー駆動式のポータブルコンピュータに組み込まれ
非揮発性の記憶装置として用いられる。ディスクドライ
ブ装置は、ひとつまたは複数の記憶用のディスクを回転
させるためのスピンドルモータと、情報を記憶したディ
スクの所望のセクタにひとつまたは複数のリード／ライ
トヘッドを移動させるためのボイスコイルモータとを有
する。スピンドルモータが停止すると、リード／ライト
ヘッドが、ディスク上の安全セクタ上に載置される。こ
の安全セクタとは、データを記憶していない部分からな
る。安全セクタは通常ディスクの内周または外周に設け
られる。リード／ライトヘッドは、ディスクの回転によ
り発生する空気の流れによりデータを記憶した表面上を
飛行するように空気力学的に設計されている。
クドライブ装置などのモータ駆動式記憶装置は、通常バ
ッテリー駆動式のポータブルコンピュータに組み込まれ
非揮発性の記憶装置として用いられる。ディスクドライ
ブ装置は、ひとつまたは複数の記憶用のディスクを回転
させるためのスピンドルモータと、情報を記憶したディ
スクの所望のセクタにひとつまたは複数のリード／ライ
トヘッドを移動させるためのボイスコイルモータとを有
する。スピンドルモータが停止すると、リード／ライト
ヘッドが、ディスク上の安全セクタ上に載置される。こ
の安全セクタとは、データを記憶していない部分からな
る。安全セクタは通常ディスクの内周または外周に設け
られる。リード／ライトヘッドは、ディスクの回転によ
り発生する空気の流れによりデータを記憶した表面上を
飛行するように空気力学的に設計されている。
【０００３】電池が意に反して取外されたり故障したよ
うな場合には、記憶が失われたり、場合によってはモー
タ駆動式の記憶装置に損傷を与える場合がある。通常の
パワーダウン手順に於ては、リード／ライトヘッドが、
ディスクの表面に接触する前に安全セクタに退避する。
しかしながら、バッテリーの電力が意に反して失われ、
リード／ライトヘッドを支持する空気流が失われると、
リード／ライトヘッドは、データを記憶したディスクの
セクタ上に墜落し、記憶された情報が失われたり、場合
によってはディスクに損傷を与える場合がある。
うな場合には、記憶が失われたり、場合によってはモー
タ駆動式の記憶装置に損傷を与える場合がある。通常の
パワーダウン手順に於ては、リード／ライトヘッドが、
ディスクの表面に接触する前に安全セクタに退避する。
しかしながら、バッテリーの電力が意に反して失われ、
リード／ライトヘッドを支持する空気流が失われると、
リード／ライトヘッドは、データを記憶したディスクの
セクタ上に墜落し、記憶された情報が失われたり、場合
によってはディスクに損傷を与える場合がある。
【０００４】このようなヘッドの損傷や記憶された情報
が失われる事態を回避するために、バッテリーの機能が
突然失われた場合に、回転するモータにより発生する逆
起電力によりこのようなヘッド退避回路が駆動される。
緊急のヘッド退避手順の間、発電機として機能するモー
タは、リード／ライトヘッドがディスクに接触する前
に、ディスクの安全セクタに移動するようにボイスコイ
ルモータに対して電力を供給する。
が失われる事態を回避するために、バッテリーの機能が
突然失われた場合に、回転するモータにより発生する逆
起電力によりこのようなヘッド退避回路が駆動される。
緊急のヘッド退避手順の間、発電機として機能するモー
タは、リード／ライトヘッドがディスクに接触する前
に、ディスクの安全セクタに移動するようにボイスコイ
ルモータに対して電力を供給する。
【０００５】図１は、図示されないリード／ライトヘッ
ドを自動的に退避させるための回路を備えた従来技術に
基づくヘッドアクチュエータ８１０を備えたモータ駆動
式記憶装置８００の単純化された回路図である。記憶装
置８００は、スピンドルモータ８３０を駆動するための
スピンドルドライバ８２０と、ボイスコイルモータ８４
０に接続されたヘッドアクチュエータ８１０と、ショッ
トキーダイオード８５０とを有する。通常、記憶装置８
００の外側に配置された電池８０５が、ショットキーダ
イオード８５０のアノードに接続され、作動用の電圧を
提供する。この従来技術の説明に於いては、電池８０５
により提供される電圧がＶｂａｔｔｅｒｙとされ、ショ
ットキーダイオード８５０による電圧降下の後、スピン
ドルドライバ８２０及びヘッドアクチュエータ８１０に
加えられる作動電圧がＶｃｃとされている。スピンドル
ドライバ８２０は、Ｖｃｃとグラウンドとの間に接続さ
れ、スピンドルモータ８３０に伝達されるべき駆動信号
を発生する。スピンドルドライバ８２０は、制御信号を
発生するためのサーボコントローラ８２１と、それぞれ
ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ８２６を備えた３つのプッシュプルハーフブリッジ
回路８２２、８２３及び８２４を有する。
ドを自動的に退避させるための回路を備えた従来技術に
基づくヘッドアクチュエータ８１０を備えたモータ駆動
式記憶装置８００の単純化された回路図である。記憶装
置８００は、スピンドルモータ８３０を駆動するための
スピンドルドライバ８２０と、ボイスコイルモータ８４
０に接続されたヘッドアクチュエータ８１０と、ショッ
トキーダイオード８５０とを有する。通常、記憶装置８
００の外側に配置された電池８０５が、ショットキーダ
イオード８５０のアノードに接続され、作動用の電圧を
提供する。この従来技術の説明に於いては、電池８０５
により提供される電圧がＶｂａｔｔｅｒｙとされ、ショ
ットキーダイオード８５０による電圧降下の後、スピン
ドルドライバ８２０及びヘッドアクチュエータ８１０に
加えられる作動電圧がＶｃｃとされている。スピンドル
ドライバ８２０は、Ｖｃｃとグラウンドとの間に接続さ
れ、スピンドルモータ８３０に伝達されるべき駆動信号
を発生する。スピンドルドライバ８２０は、制御信号を
発生するためのサーボコントローラ８２１と、それぞれ
ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ８２６を備えた３つのプッシュプルハーフブリッジ
回路８２２、８２３及び８２４を有する。
【０００６】ＭＯＳＦＥＴ８２５及び８２６のソース及
びボディは互いに短絡されている。このように、各ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ８２５は、ＭＯＳＦＥＴ８２５を流
れる順方向の電流により逆バイアスされたドレインとソ
ースとの間に形成された真性逆並列ダイオードＡ１を備
えている。同様に各ローサイドＭＯＳＦＥＴ８２６は、
ＭＯＳＦＥＴ８２６を流れる順方向の電流により逆バイ
アスされたドレインとソースとの間に形成された真性逆
並列ダイオードＡ２を備えている。ハーフブリッジ８２
２、８２３及び８２４は、モータ８３０の対応する各入
力端子に供給されるべき出力信号ＶｏｕｔＡ、Ｖｏｕｔ
Ｂ及びＶｏｕｔＣを発生する。
びボディは互いに短絡されている。このように、各ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ８２５は、ＭＯＳＦＥＴ８２５を流
れる順方向の電流により逆バイアスされたドレインとソ
ースとの間に形成された真性逆並列ダイオードＡ１を備
えている。同様に各ローサイドＭＯＳＦＥＴ８２６は、
ＭＯＳＦＥＴ８２６を流れる順方向の電流により逆バイ
アスされたドレインとソースとの間に形成された真性逆
並列ダイオードＡ２を備えている。ハーフブリッジ８２
２、８２３及び８２４は、モータ８３０の対応する各入
力端子に供給されるべき出力信号ＶｏｕｔＡ、Ｖｏｕｔ
Ｂ及びＶｏｕｔＣを発生する。
【０００７】ヘッドアクチュエータ８１０は、Ｖｃｃと
グラウンドとの間に接続され、ボイスコイルモータ８４
０に伝達されるべきヘッド駆動信号を発生する。ヘッド
アクチュエータ８１０は、ヘッド制御回路８１１と、ヘ
ッド退避回路８１２と、２つのプッシュプルハーフブリ
ッジ回路８１３及び８１４を有し、各ハーフブリッジ回
路は、トーテムポール式にソースとドレインとが互いに
接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１５とローサイド
ＭＯＳＦＥＴ８１６とを有する。ＭＯＳＦＥＴ８１５及
び８１６のそれぞれのソース及びボディは互いに短絡さ
れている。ヘッド制御回路８１１は、図示されないホス
トコンピュータからセクタ識別信号を受け、リード／ラ
イトヘッドからフィードバック信号を受け、ハイサイド
ＭＯＳＦＥＴ８１５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６
のゲートに加えられるべき制御信号を発生する。ヘッド
退避回路８１２は、電源の遮断を検出し、ハイサイドＭ
ＯＳＦＥＴ８１５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６の
ゲートに対してヘッド退避制御信号を加える。ハーフブ
リッジ８１３及び８１４は、対応するボイスコイルモー
タ８４０の端子に供給されるべき出力信号ＶｏｕｔＤ及
びＶｏｕｔＥを発生する。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１
５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６は、それぞれソー
スとドレインとの間に接続された、符号の付されていな
い真性逆並列ダイオードを備えている。ＭＯＳＦＥＴ８
１５及び８１６のそれぞれのゲートは、リード／ライト
ヘッドをディスクの安全セクタに向けて駆動し得るよう
にボイスコイルモータ８４０を駆動するべきヘッド駆動
信号ＶｏｕｔＤ及びＶｏｕｔＥをハーフブリッジが発生
するように、ヘッドコントローラ８１１により発生する
制御信号を受ける。
グラウンドとの間に接続され、ボイスコイルモータ８４
０に伝達されるべきヘッド駆動信号を発生する。ヘッド
アクチュエータ８１０は、ヘッド制御回路８１１と、ヘ
ッド退避回路８１２と、２つのプッシュプルハーフブリ
ッジ回路８１３及び８１４を有し、各ハーフブリッジ回
路は、トーテムポール式にソースとドレインとが互いに
接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１５とローサイド
ＭＯＳＦＥＴ８１６とを有する。ＭＯＳＦＥＴ８１５及
び８１６のそれぞれのソース及びボディは互いに短絡さ
れている。ヘッド制御回路８１１は、図示されないホス
トコンピュータからセクタ識別信号を受け、リード／ラ
イトヘッドからフィードバック信号を受け、ハイサイド
ＭＯＳＦＥＴ８１５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６
のゲートに加えられるべき制御信号を発生する。ヘッド
退避回路８１２は、電源の遮断を検出し、ハイサイドＭ
ＯＳＦＥＴ８１５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６の
ゲートに対してヘッド退避制御信号を加える。ハーフブ
リッジ８１３及び８１４は、対応するボイスコイルモー
タ８４０の端子に供給されるべき出力信号ＶｏｕｔＤ及
びＶｏｕｔＥを発生する。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１
５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６は、それぞれソー
スとドレインとの間に接続された、符号の付されていな
い真性逆並列ダイオードを備えている。ＭＯＳＦＥＴ８
１５及び８１６のそれぞれのゲートは、リード／ライト
ヘッドをディスクの安全セクタに向けて駆動し得るよう
にボイスコイルモータ８４０を駆動するべきヘッド駆動
信号ＶｏｕｔＤ及びＶｏｕｔＥをハーフブリッジが発生
するように、ヘッドコントローラ８１１により発生する
制御信号を受ける。
【０００８】作動中に於ては、ショットキーダイオード
８５０のアノードに対してＶｂａｔｔｅｒｙが加えら
れ、したがってＶｂａｔｔｅｒｙよりも約０．５ボルト
低いＶｃｃが発生する。Ｖｃｃは、スピンドルドライバ
８２０及びヘッドアクチュエータ８１０に加えられる。
８５０のアノードに対してＶｂａｔｔｅｒｙが加えら
れ、したがってＶｂａｔｔｅｒｙよりも約０．５ボルト
低いＶｃｃが発生する。Ｖｃｃは、スピンドルドライバ
８２０及びヘッドアクチュエータ８１０に加えられる。
【０００９】スピンドルドライバ８２０に於ては、公知
の要領を以て、サーボコントローラ８２１が制御信号を
発生し、該制御信号がハーフブリッジ８２２、８２３及
び８２４のハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ８２６に加えられる。例えば、ＭＯＳＦ
ＥＴ８２５のゲートに加えられたハイ制御信号は、ＭＯ
ＳＦＥＴを導通させ、Ｖｃｃをスピンドルモータ８３０
のひとつの極に加える。同時に、ロー制御信号がＭＯＳ
ＦＥＴ８２６のゲートに加えられ、モータ８３０の別の
極をグラウンドに接続し、スピンドルモータ８３０に駆
動電圧を発生する。サーボコントローラ８２１は、ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ
８２６に対して交互するように制御信号を加え、スピン
ドルモータ８３０が所望の速度で回転するような３相駆
動信号を発生する。
の要領を以て、サーボコントローラ８２１が制御信号を
発生し、該制御信号がハーフブリッジ８２２、８２３及
び８２４のハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ８２６に加えられる。例えば、ＭＯＳＦ
ＥＴ８２５のゲートに加えられたハイ制御信号は、ＭＯ
ＳＦＥＴを導通させ、Ｖｃｃをスピンドルモータ８３０
のひとつの極に加える。同時に、ロー制御信号がＭＯＳ
ＦＥＴ８２６のゲートに加えられ、モータ８３０の別の
極をグラウンドに接続し、スピンドルモータ８３０に駆
動電圧を発生する。サーボコントローラ８２１は、ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びローサイドＭＯＳＦＥＴ
８２６に対して交互するように制御信号を加え、スピン
ドルモータ８３０が所望の速度で回転するような３相駆
動信号を発生する。
【００１０】ヘッドアクチュエータ８１０に於ては、ヘ
ッド制御回路８１１が、ホストコンピュータからセクタ
識別信号を、リード／ライトヘッドからフィードバック
信号をそれぞれ受け、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１５及
びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６のゲートに対してに加
えられるべき制御信号を発生する。制御信号の振幅は、
セクタ識別信号及びフィードバック信号によって定めら
れる。通常の作動時に於ては、ヘッド退避回路８１２は
機能しない。
ッド制御回路８１１が、ホストコンピュータからセクタ
識別信号を、リード／ライトヘッドからフィードバック
信号をそれぞれ受け、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８１５及
びローサイドＭＯＳＦＥＴ８１６のゲートに対してに加
えられるべき制御信号を発生する。制御信号の振幅は、
セクタ識別信号及びフィードバック信号によって定めら
れる。通常の作動時に於ては、ヘッド退避回路８１２は
機能しない。
【００１１】電池の故障が発生すると、Ｖｂａｔｔｅｒ
ｙがグラウンドレベルまたは低い電位に降下し、ショッ
トキーダイオード８５０を逆バイアスし、ＶｃｃをＶｂ
ａｔｔｅｒｙから分離する。さらに、スピンドルドライ
バ８２０及びヘッドアクチュエータ８１０が次のように
作動する。
ｙがグラウンドレベルまたは低い電位に降下し、ショッ
トキーダイオード８５０を逆バイアスし、ＶｃｃをＶｂ
ａｔｔｅｒｙから分離する。さらに、スピンドルドライ
バ８２０及びヘッドアクチュエータ８１０が次のように
作動する。
【００１２】スピンドルドライバ８２０に於ては、スピ
ンドルモータ８３０に貯えられた運動エネルギが、その
入力に逆起電力を発生する。各ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
８２５の真性逆並列ダイオードＡ１は、逆起電力により
順バイアスされ、またショットキーダイオード８５０が
逆バイアスされることにより、モータ８３０により発生
した電力はヘッドアクチュエータ８１０に供給される。
理想的には、モータ８３０により発生した逆起電力は、
ヘッドアクチュエータ８１０によりヘッドをディスク上
の安全セクタに移動させるのに十分長い時間継続する。
ンドルモータ８３０に貯えられた運動エネルギが、その
入力に逆起電力を発生する。各ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
８２５の真性逆並列ダイオードＡ１は、逆起電力により
順バイアスされ、またショットキーダイオード８５０が
逆バイアスされることにより、モータ８３０により発生
した電力はヘッドアクチュエータ８１０に供給される。
理想的には、モータ８３０により発生した逆起電力は、
ヘッドアクチュエータ８１０によりヘッドをディスク上
の安全セクタに移動させるのに十分長い時間継続する。
【００１３】ヘッドアクチュエータ８１０に於ては、Ｖ
ｂａｔｔｅｒｙが失われたことがヘッド制御回路８１１
及びヘッド退避回路８１２により検知される。ヘッド退
避回路８１２は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びロ
ーサイドＭＯＳＦＥＴ８２６のゲートに対して退避制御
信号を加え、それによりボイスコイルモータ８４０が、
リード／ライトヘッドを、情報が記憶されたディスクの
安全セクタに移動させる。
ｂａｔｔｅｒｙが失われたことがヘッド制御回路８１１
及びヘッド退避回路８１２により検知される。ヘッド退
避回路８１２は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ８２５及びロ
ーサイドＭＯＳＦＥＴ８２６のゲートに対して退避制御
信号を加え、それによりボイスコイルモータ８４０が、
リード／ライトヘッドを、情報が記憶されたディスクの
安全セクタに移動させる。
【００１４】従来技術に基づくヘッド退避装置に於ける
問題のひとつは、ヘッドアクチュエータ８１０のＭＯＳ
ＦＥＴを駆動するために１．４ボルト以上の電圧が必要
なことである。これは、ＭＯＳＦＥＴ８１５及び８１６
を導通させるために必要なゲート−ソース間電圧（Ｖｇ
ｓ）である。多くのＭＯＳＦＥＴは、ディスクリートで
あるか集積回路であるかを問わず、Ｖｇｓが１．４ボル
ト以下である場合には電流駆動能力が小さく、この条件
を満たすためにはかなり大型化しなければならない。通
常の作動中に於ては、Ｖｃｃは通常４．５ボルトであ
る。ヘッドアクチュエータに於けるＭＯＳＦＥＴは、通
常かなりの電流を消費するため、電池の故障の際にＶｂ
ａｔｔｅｒｙが失われることにより、Ｖｃｃは４．５ボ
ルトから１．４ボルトへと急激に減少する。
問題のひとつは、ヘッドアクチュエータ８１０のＭＯＳ
ＦＥＴを駆動するために１．４ボルト以上の電圧が必要
なことである。これは、ＭＯＳＦＥＴ８１５及び８１６
を導通させるために必要なゲート−ソース間電圧（Ｖｇ
ｓ）である。多くのＭＯＳＦＥＴは、ディスクリートで
あるか集積回路であるかを問わず、Ｖｇｓが１．４ボル
ト以下である場合には電流駆動能力が小さく、この条件
を満たすためにはかなり大型化しなければならない。通
常の作動中に於ては、Ｖｃｃは通常４．５ボルトであ
る。ヘッドアクチュエータに於けるＭＯＳＦＥＴは、通
常かなりの電流を消費するため、電池の故障の際にＶｂ
ａｔｔｅｒｙが失われることにより、Ｖｃｃは４．５ボ
ルトから１．４ボルトへと急激に減少する。
【００１５】従来技術に基づく記憶装置に於けるもうひ
とつの問題は、ショットキーダイオード８５０に於ける
０．５ボルトという電圧降下がスピンドルモータ８３０
に加えられる駆動電圧を不必要に低下させ、駆動電圧が
失われたときにスピンドルモータ８３０により発生する
逆起電力を減少させることにある。モータ８３０により
発生する逆起電力はＶｃｃよりも高くなることはできな
い。場合によっては、この減少により、緊急のヘッド退
避手順が完了する前にＶｃｃが過度に減少してしまう場
合がある。しかも、スピンドルモータ８３０及びボイス
コイルモータ８４０を駆動するために数アンペア以上の
電流が必要であることから、通常の作動時に於てショッ
トキーダイオード８５０に於て１ワットもの電力が失わ
れる。例えば、通常のポータブルコンピュータは５ボル
トの電池により駆動されることから、ショットキーダイ
オード８５０による０．５ボルトの電圧降下は、モータ
を駆動するために利用可能な電圧を１０％減少させてし
まう。しかも、近年ポータブルコンピュータを３ボルト
の電池で駆動しようとする傾向があることから、この場
合には利用可能な駆動電圧の失われる割合が１７％にも
増大する。
とつの問題は、ショットキーダイオード８５０に於ける
０．５ボルトという電圧降下がスピンドルモータ８３０
に加えられる駆動電圧を不必要に低下させ、駆動電圧が
失われたときにスピンドルモータ８３０により発生する
逆起電力を減少させることにある。モータ８３０により
発生する逆起電力はＶｃｃよりも高くなることはできな
い。場合によっては、この減少により、緊急のヘッド退
避手順が完了する前にＶｃｃが過度に減少してしまう場
合がある。しかも、スピンドルモータ８３０及びボイス
コイルモータ８４０を駆動するために数アンペア以上の
電流が必要であることから、通常の作動時に於てショッ
トキーダイオード８５０に於て１ワットもの電力が失わ
れる。例えば、通常のポータブルコンピュータは５ボル
トの電池により駆動されることから、ショットキーダイ
オード８５０による０．５ボルトの電圧降下は、モータ
を駆動するために利用可能な電圧を１０％減少させてし
まう。しかも、近年ポータブルコンピュータを３ボルト
の電池で駆動しようとする傾向があることから、この場
合には利用可能な駆動電圧の失われる割合が１７％にも
増大する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明によれば、スピ
ンドルモータにより通常の作動時に発生する誘導性フラ
イバック電圧スパイクによる補助電源を備えたモータ駆
動式記憶装置が提供される。通常、スピンドルモータド
ライバに於けるハイサイドＭＯＳＦＥＴに見られるソー
ス−ボディ間シャントが解消され、ＭＯＳＦＥＴを流れ
ようとする逆電流に対抗するように配置された真性ダイ
オード（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｄｉｏｄｅ）をソース−
ボディ接合部に形成する。これにより、電池ラインに従
来設けられていたショットキーダイオードを省略し、電
池の電圧の全てをスピンドルモータに供給することがで
きるようになる。
ンドルモータにより通常の作動時に発生する誘導性フラ
イバック電圧スパイクによる補助電源を備えたモータ駆
動式記憶装置が提供される。通常、スピンドルモータド
ライバに於けるハイサイドＭＯＳＦＥＴに見られるソー
ス−ボディ間シャントが解消され、ＭＯＳＦＥＴを流れ
ようとする逆電流に対抗するように配置された真性ダイ
オード（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｄｉｏｄｅ）をソース−
ボディ接合部に形成する。これにより、電池ラインに従
来設けられていたショットキーダイオードを省略し、電
池の電圧の全てをスピンドルモータに供給することがで
きるようになる。
【００１７】スピンドルモータドライバの出力は、整流
用ダイオードを介して充電用コンデンサに接続され、し
たがってスピンドルモータにより発生した誘導性フライ
バック電圧スパイクを、コンデンサを充電するために利
用することができる。充電用コンデンサに於ける電圧
は、ヘッドアクチュエータに電力を供給するべき補助電
源（Ｖａｕｘ）を構成する。Ｖａｕｘは通常電池の電圧
よりも高い。ショットキーダイオードなどを、（スピン
ドルモータと電池との間ではなく）Ｖａｕｘと電池との
間に設け、コンデンサから電池へと電流が流れるのを防
止することができる。電池は通常ショットキーダイオー
ドを介してヘッドアクチュエータに向けて電流を供給す
る。充電用コンデンサに並列にツェナーダイオードが接
続され、ＭＯＳＦＥＴ内のダイオードが雪崩減少を起こ
すレベルにコンデンサの電圧が到達するのを防止する。
用ダイオードを介して充電用コンデンサに接続され、し
たがってスピンドルモータにより発生した誘導性フライ
バック電圧スパイクを、コンデンサを充電するために利
用することができる。充電用コンデンサに於ける電圧
は、ヘッドアクチュエータに電力を供給するべき補助電
源（Ｖａｕｘ）を構成する。Ｖａｕｘは通常電池の電圧
よりも高い。ショットキーダイオードなどを、（スピン
ドルモータと電池との間ではなく）Ｖａｕｘと電池との
間に設け、コンデンサから電池へと電流が流れるのを防
止することができる。電池は通常ショットキーダイオー
ドを介してヘッドアクチュエータに向けて電流を供給す
る。充電用コンデンサに並列にツェナーダイオードが接
続され、ＭＯＳＦＥＴ内のダイオードが雪崩減少を起こ
すレベルにコンデンサの電圧が到達するのを防止する。
【００１８】第２の実施例に於ては、ショットキーダイ
オードの代わりに、ボイスコイルモータに対する電圧降
下を減少させるために、スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）とダ
イオードとを並列接続してなるものが用いられる。通常
の作動時に於ては、スイッチは閉じられている。始動時
に於ては、Ｖａｕｘが電池の電圧よりも低い限り、また
スイッチが十分に機能を発揮するまでの間ダイオードが
導通状態にある。電池が故障した場合、ＭＯＳＦＥＴ
が、電圧信号の低下により遮断され、ヘッドアクチュエ
ータが電池から分離される。スピンドルモータにより発
生した逆起電力は、ヘッドが退避するまでの間ヘッドア
クチュエータに対して電力を供給する。
オードの代わりに、ボイスコイルモータに対する電圧降
下を減少させるために、スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）とダ
イオードとを並列接続してなるものが用いられる。通常
の作動時に於ては、スイッチは閉じられている。始動時
に於ては、Ｖａｕｘが電池の電圧よりも低い限り、また
スイッチが十分に機能を発揮するまでの間ダイオードが
導通状態にある。電池が故障した場合、ＭＯＳＦＥＴ
が、電圧信号の低下により遮断され、ヘッドアクチュエ
ータが電池から分離される。スピンドルモータにより発
生した逆起電力は、ヘッドが退避するまでの間ヘッドア
クチュエータに対して電力を供給する。
【００１９】本発明に基づく別の実施例に於ては、ボイ
スコイルモータドライバに於けるハイサイドＭＯＳＦＥ
Ｔのソース−ボディ間ショートが省略され、それらのボ
ディがグラウンドに接続されている。Ｖａｕｘとボイス
コイルモータの入力の一方との間及びボイスコイルモー
タの他方の入力とグラウンドとの間にそれぞれバイポー
ラトランジスタが接続される。これらのバイポーラトラ
ンジスタは、バッテリーの故障の際にＭＯＳＦＥＴに代
わって作動する。通常の動作時に於ては、ヘッドアクチ
ュエータに於けるＭＯＳＦＥＴは電池から直接電力の供
給を受ける。ボイスコイルモータの入力は、整流用ダイ
オードを介してＶａｕｘに接続され、したがって通常の
作動時には、充電用のコンデンサに対して誘導的フライ
バックスパイクの第２の電源を提供する。ヘッドアクチ
ュエータは、何ら分離用のダイオードを介することなく
電池に接続されている。したがって、この実施例に於て
は、スピンドルモータ及びボイスコイルモータがそれぞ
れ電池の電圧の全てを利用して駆動される。しかも、電
池が故障したり或いは切り離された場合には、ボイスコ
イルモータドライバは、補助電源に対して比較的負担を
掛けない。
スコイルモータドライバに於けるハイサイドＭＯＳＦＥ
Ｔのソース−ボディ間ショートが省略され、それらのボ
ディがグラウンドに接続されている。Ｖａｕｘとボイス
コイルモータの入力の一方との間及びボイスコイルモー
タの他方の入力とグラウンドとの間にそれぞれバイポー
ラトランジスタが接続される。これらのバイポーラトラ
ンジスタは、バッテリーの故障の際にＭＯＳＦＥＴに代
わって作動する。通常の動作時に於ては、ヘッドアクチ
ュエータに於けるＭＯＳＦＥＴは電池から直接電力の供
給を受ける。ボイスコイルモータの入力は、整流用ダイ
オードを介してＶａｕｘに接続され、したがって通常の
作動時には、充電用のコンデンサに対して誘導的フライ
バックスパイクの第２の電源を提供する。ヘッドアクチ
ュエータは、何ら分離用のダイオードを介することなく
電池に接続されている。したがって、この実施例に於て
は、スピンドルモータ及びボイスコイルモータがそれぞ
れ電池の電圧の全てを利用して駆動される。しかも、電
池が故障したり或いは切り離された場合には、ボイスコ
イルモータドライバは、補助電源に対して比較的負担を
掛けない。
【００２０】これらの特徴を組み合わせることにより、
電池が故障した際に、スピンドルモータの逆起電力がま
ず蓄積されたＶａｕｘの助けにより高いレベルにあっ
て、ヘッドアクチュエータは、ＭＯＳＦＥＴにか代えて
バイポーラトランジスタが作動していることから、低い
電圧に於て機能をし続ける。
電池が故障した際に、スピンドルモータの逆起電力がま
ず蓄積されたＶａｕｘの助けにより高いレベルにあっ
て、ヘッドアクチュエータは、ＭＯＳＦＥＴにか代えて
バイポーラトランジスタが作動していることから、低い
電圧に於て機能をし続ける。
【００２１】第４の実施例は第３の実施例と類似する
が、スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）及びダイオードが電池と
Ｖａｕｘとの間に、第２の実施例の場合と同様に接続さ
れている。ダイオード及びスイッチの働きは、電池の電
圧及びＶａｕｘを正常化し、スピンドルモータのコンミ
テータのノイズに起因するＶａｕｘに於けるリップルを
減少させる。
が、スイッチ（ＭＯＳＦＥＴ）及びダイオードが電池と
Ｖａｕｘとの間に、第２の実施例の場合と同様に接続さ
れている。ダイオード及びスイッチの働きは、電池の電
圧及びＶａｕｘを正常化し、スピンドルモータのコンミ
テータのノイズに起因するＶａｕｘに於けるリップルを
減少させる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【００２３】第１の実施例
図２は本発明の第１の実施例に基づくモータ駆動式記憶
装置１００を示す。記憶装置１００は、スピンドルモー
タ１１０と、ボイスコイルモータ１２０と、スピンドル
ドライバ１３０と、充電用コンデンサ１５０と、ヘッド
アクチュエータ１７０とを有する。記憶装置１００は、
電池１０５から電力の供給を受けるように接続されてい
るが、別の形式の電源により駆動されるシステムに於て
用いられるものであってよい。第１の実施例の説明に於
て、Ｖｂａｔｔｅｒｙなる用語は、電池１０５の電圧を
表すために用いられ、Ｖａｕｘは、コンデンサ１５０の
両端の電圧を表す。
装置１００を示す。記憶装置１００は、スピンドルモー
タ１１０と、ボイスコイルモータ１２０と、スピンドル
ドライバ１３０と、充電用コンデンサ１５０と、ヘッド
アクチュエータ１７０とを有する。記憶装置１００は、
電池１０５から電力の供給を受けるように接続されてい
るが、別の形式の電源により駆動されるシステムに於て
用いられるものであってよい。第１の実施例の説明に於
て、Ｖｂａｔｔｅｒｙなる用語は、電池１０５の電圧を
表すために用いられ、Ｖａｕｘは、コンデンサ１５０の
両端の電圧を表す。
【００２４】スピンドルモータ１１０は第１の極１１
１、第１の極１１２及び第１の極１１３を有する３相モ
ータからなる。スピンドルモータ１１０は、スピンドル
ドライバ１３０から３相スピンドルモータ駆動信号を受
け、それによって、所定の速度を以て１枚もしくは複数
枚の情報を記憶したディスクを回転させる。
１、第１の極１１２及び第１の極１１３を有する３相モ
ータからなる。スピンドルモータ１１０は、スピンドル
ドライバ１３０から３相スピンドルモータ駆動信号を受
け、それによって、所定の速度を以て１枚もしくは複数
枚の情報を記憶したディスクを回転させる。
【００２５】ボイスコイルモータ１２０は、第１の極１
２１及び第２の極１２２を有する２相モータからなる。
ボイスコイルモータ１２０は、ヘッドアクチュエータ１
７０からヘッド駆動信号を受け、それによって１つまた
は複数のリード／ライトヘッドを、情報を記憶した回転
ディスクの選択されたセクタに向けて移動させる。
２１及び第２の極１２２を有する２相モータからなる。
ボイスコイルモータ１２０は、ヘッドアクチュエータ１
７０からヘッド駆動信号を受け、それによって１つまた
は複数のリード／ライトヘッドを、情報を記憶した回転
ディスクの選択されたセクタに向けて移動させる。
【００２６】スピンドルドライバ１３０は、スピンドル
モータ１１０に加えられるべき３相スピンドルモータ駆
動信号を発生する。スピンドルドライバ１３０は、サー
ボコントローラ１３１と、第１のプッシュプルハーフブ
リッジ１３５と、第２のプッシュプルハーフブリッジ１
４０と、第３のプッシュプルハーフブリッジ１４５とを
有する。サーボコントローラ１３１はＶｂａｔｔｅｒｙ
に接続され、後記するようにハーフブリッジ１３５、１
４０及び１４５に加えられるべき制御信号を発生する。
モータ１１０に加えられるべき３相スピンドルモータ駆
動信号を発生する。スピンドルドライバ１３０は、サー
ボコントローラ１３１と、第１のプッシュプルハーフブ
リッジ１３５と、第２のプッシュプルハーフブリッジ１
４０と、第３のプッシュプルハーフブリッジ１４５とを
有する。サーボコントローラ１３１はＶｂａｔｔｅｒｙ
に接続され、後記するようにハーフブリッジ１３５、１
４０及び１４５に加えられるべき制御信号を発生する。
【００２７】図示されているように、ハーフブリッジ１
３５はハイサイドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３６と、ロ
ーサイドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３７とを有する。ハ
イサイドＭＯＳＦＥＴ１３６は、サーボコントローラ１
３１からの制御信号を受けるべく接続されたゲートを有
する。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６はソースボディ間
ショートを備えていない。その代わり、ＭＯＳＦＥＴ１
３６のボディ（グラウンド）とドレイン及びソースとの
間にそれぞれ真性ダイオードＰ１及びＰ２が形成され
る。真性ダイオードＰ１及びＰ２が常に逆バイアスされ
ている点に留意されたい。ローサイドＭＯＳＦＥＴ１３
７も、サーボコントローラ１３１から制御信号を受ける
べく接続されたゲートを有する。上記したような従来技
術に基づくＭＯＳＦＥＴの構造の場合と同様に、ローサ
イドＭＯＳＦＥＴ１３７は、ソースボディとドレインと
の間に真性逆並列ダイオードＡ２を有しており、該ダイ
オードは、ドレインに対して正の電位が加えられたとき
に逆バイアスされる。
３５はハイサイドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３６と、ロ
ーサイドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１３７とを有する。ハ
イサイドＭＯＳＦＥＴ１３６は、サーボコントローラ１
３１からの制御信号を受けるべく接続されたゲートを有
する。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６はソースボディ間
ショートを備えていない。その代わり、ＭＯＳＦＥＴ１
３６のボディ（グラウンド）とドレイン及びソースとの
間にそれぞれ真性ダイオードＰ１及びＰ２が形成され
る。真性ダイオードＰ１及びＰ２が常に逆バイアスされ
ている点に留意されたい。ローサイドＭＯＳＦＥＴ１３
７も、サーボコントローラ１３１から制御信号を受ける
べく接続されたゲートを有する。上記したような従来技
術に基づくＭＯＳＦＥＴの構造の場合と同様に、ローサ
イドＭＯＳＦＥＴ１３７は、ソースボディとドレインと
の間に真性逆並列ダイオードＡ２を有しており、該ダイ
オードは、ドレインに対して正の電位が加えられたとき
に逆バイアスされる。
【００２８】ハーフブリッジ１４０は、Ｖｂａｔｔｅｒ
ｙに接続されたドレインと、スピンドルモータ１１０の
第２の極１１２に接続されたソースと、接地されたボデ
ィとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４１を有する。
さらに、ハーフブリッジ１４０は更に、第２の極１１２
に接続されたドレインと、グラウンドに接続されたソー
スとを有するローサイドＭＯＳＦＥＴ１４２を有する。
図２に示されるように、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４１
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１４２は、ハーフブリッジ
１３５の、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ１３７と同様の構造を有する。
ｙに接続されたドレインと、スピンドルモータ１１０の
第２の極１１２に接続されたソースと、接地されたボデ
ィとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４１を有する。
さらに、ハーフブリッジ１４０は更に、第２の極１１２
に接続されたドレインと、グラウンドに接続されたソー
スとを有するローサイドＭＯＳＦＥＴ１４２を有する。
図２に示されるように、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４１
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１４２は、ハーフブリッジ
１３５の、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ１３７と同様の構造を有する。
【００２９】同様に、ハーフブリッジ１４５は、Ｖｂａ
ｔｔｅｒｙに接続されたドレインと、スピンドルモータ
１１０の第３の極１１３に接続されたソースと、接地さ
れたボディとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４６を
有する。さらに、ハーフブリッジ１４４は更に、第３の
極１１３に接続されたドレインと、グラウンドに接続さ
れたソースとを有するローサイドＭＯＳＦＥＴ１４７を
有する。上記と同様に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４６
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１４７は、ハーフブリッジ
１３５の、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ１３７と同様の構造を有する。
ｔｔｅｒｙに接続されたドレインと、スピンドルモータ
１１０の第３の極１１３に接続されたソースと、接地さ
れたボディとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４６を
有する。さらに、ハーフブリッジ１４４は更に、第３の
極１１３に接続されたドレインと、グラウンドに接続さ
れたソースとを有するローサイドＭＯＳＦＥＴ１４７を
有する。上記と同様に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１４６
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１４７は、ハーフブリッジ
１３５の、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６及びローサイ
ドＭＯＳＦＥＴ１３７と同様の構造を有する。
【００３０】図１に示されるように、充電用コンデンサ
１５０は、整流用ダイオード１６１、１６２及び１６３
を介して極１１１、１１２及び１１３に接続されてい
る。コンデンサ１５０の他方の端子はグラウンドに接続
されている。ツェナーダイオード１５２がコンデンサ１
５０に並列に接続されている。ダイオード１６１〜１６
３は、コンデンサ１５０がスピンドルドライバ１３０に
向けて放電されるのを防止する。
１５０は、整流用ダイオード１６１、１６２及び１６３
を介して極１１１、１１２及び１１３に接続されてい
る。コンデンサ１５０の他方の端子はグラウンドに接続
されている。ツェナーダイオード１５２がコンデンサ１
５０に並列に接続されている。ダイオード１６１〜１６
３は、コンデンサ１５０がスピンドルドライバ１３０に
向けて放電されるのを防止する。
【００３１】ショットキーダイオード１６５が、電池１
０５とダイオード１６１〜１６３のカソードとの間に接
続されている。通常の作動時に於ては、電池１０５がシ
ョットキーダイオード１６５を介してヘッドアクチュエ
ータ１７０及びボイスコイルモータ１２０を駆動するた
めに用いられる。しかしながら、電池１０５が取外され
ると、ショットキーダイオード１６５が逆バイアスさ
れ、コンデンサ１５０は、後記するようにスピンドルモ
ータ１１０により発生した逆起電力により充電される。
０５とダイオード１６１〜１６３のカソードとの間に接
続されている。通常の作動時に於ては、電池１０５がシ
ョットキーダイオード１６５を介してヘッドアクチュエ
ータ１７０及びボイスコイルモータ１２０を駆動するた
めに用いられる。しかしながら、電池１０５が取外され
ると、ショットキーダイオード１６５が逆バイアスさ
れ、コンデンサ１５０は、後記するようにスピンドルモ
ータ１１０により発生した逆起電力により充電される。
【００３２】ヘッドアクチュエータ１７０は、ヘッド制
御回路１７１と、ヘッド退避回路１７５と、第１のハー
フブリッジ１８０と、第２のハーフブリッジ１８５とを
有する。ヘッド制御回路１７１は、Ｖａｕｘに接続さ
れ、第１及び第２のハーフブリッジ１８０及び１８５に
対して制御信号を供給し、リード／ライトヘッドがディ
スクの選択されたセクタに移動するように、ボイスコイ
ルモータ１２０の両端に所望の電圧を形成する。制御信
号は、ヘッド制御回路１７１が、ホストコンピュータか
ら受けるセクタ識別信号及びヘッドから受けるフィード
バック信号に基づき決定される。
御回路１７１と、ヘッド退避回路１７５と、第１のハー
フブリッジ１８０と、第２のハーフブリッジ１８５とを
有する。ヘッド制御回路１７１は、Ｖａｕｘに接続さ
れ、第１及び第２のハーフブリッジ１８０及び１８５に
対して制御信号を供給し、リード／ライトヘッドがディ
スクの選択されたセクタに移動するように、ボイスコイ
ルモータ１２０の両端に所望の電圧を形成する。制御信
号は、ヘッド制御回路１７１が、ホストコンピュータか
ら受けるセクタ識別信号及びヘッドから受けるフィード
バック信号に基づき決定される。
【００３３】退避回路１７５がＶａｕｘに接続され、後
記するように電池が取外されたり故障した場合に、ボイ
スコイルモータ１２０の極に対してヘッド退避信号を供
給する。第１及び第２のハーフブリッジ１８０及び１８
５は、互いに共働して、ヘッド退避回路１７１により発
生したヘッド制御信号に応答して、ボイスコイルモータ
１２０の極に加えられるべき駆動信号を発生する。第１
のハーフブリッジ１８０は、Ｖａｕｘに接続されたドレ
インと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１に接続さ
れたソースと、ソースに短絡されたボディと、ヘッド制
御回路１７１からのヘッド制御信号を受けるべく接続さ
れたゲートとを有するハイサイドｎチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ１８１を有する。第１のハーフブリッジ１８０は更
に、ボイスコイルモータ１２０の極１２２に接続された
ドレインと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１に接
続されたソースと、ソースに短絡されたボディと、ヘッ
ド制御回路１７１に接続されたゲートとを有するローサ
イドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１８１を有する。ハーフブ
リッジ１８５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８６とロー
サイドＭＯＳＦＥＴ１８７とを有し、これらのＭＯＳＦ
ＥＴは、ハーフブリッジ１８５と同様に接続されている
が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８６及びローサイドＭＯ
ＳＦＥＴ１８７はボイスコイルモータ１２０の第２の極
１２２に接続されている。第１のハーフブリッジ１８０
及び第２のハーフブリッジ１８５の構造は図１に示され
た構造と同様である。
記するように電池が取外されたり故障した場合に、ボイ
スコイルモータ１２０の極に対してヘッド退避信号を供
給する。第１及び第２のハーフブリッジ１８０及び１８
５は、互いに共働して、ヘッド退避回路１７１により発
生したヘッド制御信号に応答して、ボイスコイルモータ
１２０の極に加えられるべき駆動信号を発生する。第１
のハーフブリッジ１８０は、Ｖａｕｘに接続されたドレ
インと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１に接続さ
れたソースと、ソースに短絡されたボディと、ヘッド制
御回路１７１からのヘッド制御信号を受けるべく接続さ
れたゲートとを有するハイサイドｎチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔ１８１を有する。第１のハーフブリッジ１８０は更
に、ボイスコイルモータ１２０の極１２２に接続された
ドレインと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１に接
続されたソースと、ソースに短絡されたボディと、ヘッ
ド制御回路１７１に接続されたゲートとを有するローサ
イドｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１８１を有する。ハーフブ
リッジ１８５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８６とロー
サイドＭＯＳＦＥＴ１８７とを有し、これらのＭＯＳＦ
ＥＴは、ハーフブリッジ１８５と同様に接続されている
が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８６及びローサイドＭＯ
ＳＦＥＴ１８７はボイスコイルモータ１２０の第２の極
１２２に接続されている。第１のハーフブリッジ１８０
及び第２のハーフブリッジ１８５の構造は図１に示され
た構造と同様である。
【００３４】次に本発明の第１の実施例に基づくモータ
駆動式記憶装置１００の作動を説明する。
駆動式記憶装置１００の作動を説明する。
【００３５】まず、電池１０５が記憶装置１００に接続
されている場合、Ｖｂａｔｔｅｒｙがスピンドルドライ
バ１３０及びショットキーダイオード１６５のアノード
に供給される。ショットキーダイオードがＶｂａｔｔｅ
ｒｙとスピンドルドライバ１３０との間に位置していな
いことから、スピンドルドライバ１３０は、上記したよ
うに同一の電池１０５から従来技術に基づく装置１００
が受け取るよりも高い電圧をスピンドルドライバ１３０
が受け取ることができる。
されている場合、Ｖｂａｔｔｅｒｙがスピンドルドライ
バ１３０及びショットキーダイオード１６５のアノード
に供給される。ショットキーダイオードがＶｂａｔｔｅ
ｒｙとスピンドルドライバ１３０との間に位置していな
いことから、スピンドルドライバ１３０は、上記したよ
うに同一の電池１０５から従来技術に基づく装置１００
が受け取るよりも高い電圧をスピンドルドライバ１３０
が受け取ることができる。
【００３６】Ｖｂａｔｔｅｒｙがスピンドルドライバ１
３０に接続された後、サーボコントローラ１３１により
発生した制御信号が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６、
１４１及び１４６とローサイドＭＯＳＦＥＴ１３７、１
４２及び１４７のゲートに加えられ、ハイサイドＭＯＳ
ＦＥＴ１３６、１４１及び１４６を選択的にオンオフ
し、スピンドルモータ１１０の極１１１、１１２及び１
１３をＶｂａｔｔｅｒｙに接続し、ローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ１３７、１４２及び１４７を選択的にオンオフし、
スピンドルモータ１１０の極１１１、１１２及び１１３
をグラウンドに接続する。
３０に接続された後、サーボコントローラ１３１により
発生した制御信号が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６、
１４１及び１４６とローサイドＭＯＳＦＥＴ１３７、１
４２及び１４７のゲートに加えられ、ハイサイドＭＯＳ
ＦＥＴ１３６、１４１及び１４６を選択的にオンオフ
し、スピンドルモータ１１０の極１１１、１１２及び１
１３をＶｂａｔｔｅｒｙに接続し、ローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ１３７、１４２及び１４７を選択的にオンオフし、
スピンドルモータ１１０の極１１１、１１２及び１１３
をグラウンドに接続する。
【００３７】よく知られている要領を以て、各ハーフブ
リッジ１３５、１４０及び１４５に加えられた制御信号
が、サーボコントローラ１３１により制御され、３相駆
動信号がスピンドルモータ１１０に加えられ、ディスク
が回転する。さらに、ハーフブリッジ１３５、１４０及
び１４５に於ける正の方向の電圧の変化により極１１
１、１１２及び１１３に於て誘導性フライバック電圧ス
パイクが発生し、これらの電圧スパイクによりダイオー
ド１６１、１６２及び１６３に電流が流れ、コンデンサ
１５０を、Ｖｂａｔｔｅｒｙよりもやや高いＶａｕｘに
充電する。
リッジ１３５、１４０及び１４５に加えられた制御信号
が、サーボコントローラ１３１により制御され、３相駆
動信号がスピンドルモータ１１０に加えられ、ディスク
が回転する。さらに、ハーフブリッジ１３５、１４０及
び１４５に於ける正の方向の電圧の変化により極１１
１、１１２及び１１３に於て誘導性フライバック電圧ス
パイクが発生し、これらの電圧スパイクによりダイオー
ド１６１、１６２及び１６３に電流が流れ、コンデンサ
１５０を、Ｖｂａｔｔｅｒｙよりもやや高いＶａｕｘに
充電する。
【００３８】スピンドルドライバ１３０からの充電電流
に加えて、ショットキーダイオード１６５を介してヘッ
ドアクチュエータ１７０に向けて電流が流れる。通常の
作動に際して、ショットキーダイオード１６５は順バイ
アスされた状態に維持され、したがってヘッドアクチュ
エータ１７０を駆動するのに十分な電流が提供される。
に加えて、ショットキーダイオード１６５を介してヘッ
ドアクチュエータ１７０に向けて電流が流れる。通常の
作動に際して、ショットキーダイオード１６５は順バイ
アスされた状態に維持され、したがってヘッドアクチュ
エータ１７０を駆動するのに十分な電流が提供される。
【００３９】このようなエネルギの伝達により、ヘッド
アクチュエータ１７０は、リード／ライトヘッドをディ
スクの選択されたセクタに移動させることができる。ヘ
ッド制御回路１７１は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８１
及び１８６並びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１８２及び１
８７のゲートに加えられる制御信号を発生する。制御信
号は、ホストコンピュータからヘッド制御回路１７１に
送られるセクタ識別信号及びリード／ライトヘッドから
のフィードバック信号に応じて決定される。制御信号に
応答して、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８１及び１８６並
びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１８２及び１８７が選択的
にオンオフされ、ヘッドを選択されたセクタに移動させ
るような電圧がボイスコイルモータ１２０に加えられ
る。
アクチュエータ１７０は、リード／ライトヘッドをディ
スクの選択されたセクタに移動させることができる。ヘ
ッド制御回路１７１は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８１
及び１８６並びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１８２及び１
８７のゲートに加えられる制御信号を発生する。制御信
号は、ホストコンピュータからヘッド制御回路１７１に
送られるセクタ識別信号及びリード／ライトヘッドから
のフィードバック信号に応じて決定される。制御信号に
応答して、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１８１及び１８６並
びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１８２及び１８７が選択的
にオンオフされ、ヘッドを選択されたセクタに移動させ
るような電圧がボイスコイルモータ１２０に加えられ
る。
【００４０】電池１０５が取外されたり故障した場合
に、次のような作動が行われる。先ず、図示されるよう
に、Ｖｂａｔｔｅｒｙがグラウンド電圧に降下し、ショ
ットキーダイオード１６５を逆バイアスし、Ｖａｕｘを
Ｖｂａｔｔｅｒｙから分離する。さらに、Ｖｂａｔｔｅ
ｒｙが失われることにより、サーボコントローラ１３１
が制御信号を発生するのを防止し、ハイサイドＭＯＳＦ
ＥＴ１８１及び１８６並びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１
８２及び１８７が遮断される。スピンドルモータ１１０
に於けるロータの運動量により、スピンドルモータ１１
０の極１１１、１１２及び１１３に加えられるＡＣ信号
の形を取る逆起電力が発生する。ハイサイドＭＯＳＦＥ
Ｔ１３６、１４１及び１４６がソースボディ間ショート
を伴うことなく製造されたものであることから、ダイオ
ードＰ２が逆バイアスされ、逆起電力の正の方向の変化
が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６、１４１及び１４６
を流れるのが回避される。そのかわりに、正の向きの変
化がダイオード１６１、１６２及び１６３のアノードに
加えられ、該ダイオードにより電流がヘッドアクチュエ
ータ１７０に向けて流れることができる。ダイオード１
６１、１６２及び１６３は、スパイクのレベルが、これ
らのダイオード１６１、１６２及び１６３の閾値を下回
る程度にスピンドルモータ１２０が減速するまでこれら
の正の方向の変化により順バイアスされる。
に、次のような作動が行われる。先ず、図示されるよう
に、Ｖｂａｔｔｅｒｙがグラウンド電圧に降下し、ショ
ットキーダイオード１６５を逆バイアスし、Ｖａｕｘを
Ｖｂａｔｔｅｒｙから分離する。さらに、Ｖｂａｔｔｅ
ｒｙが失われることにより、サーボコントローラ１３１
が制御信号を発生するのを防止し、ハイサイドＭＯＳＦ
ＥＴ１８１及び１８６並びにローサイドＭＯＳＦＥＴ１
８２及び１８７が遮断される。スピンドルモータ１１０
に於けるロータの運動量により、スピンドルモータ１１
０の極１１１、１１２及び１１３に加えられるＡＣ信号
の形を取る逆起電力が発生する。ハイサイドＭＯＳＦＥ
Ｔ１３６、１４１及び１４６がソースボディ間ショート
を伴うことなく製造されたものであることから、ダイオ
ードＰ２が逆バイアスされ、逆起電力の正の方向の変化
が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１３６、１４１及び１４６
を流れるのが回避される。そのかわりに、正の向きの変
化がダイオード１６１、１６２及び１６３のアノードに
加えられ、該ダイオードにより電流がヘッドアクチュエ
ータ１７０に向けて流れることができる。ダイオード１
６１、１６２及び１６３は、スパイクのレベルが、これ
らのダイオード１６１、１６２及び１６３の閾値を下回
る程度にスピンドルモータ１２０が減速するまでこれら
の正の方向の変化により順バイアスされる。
【００４１】同時に、ヘッドアクチュエータ１７０のヘ
ッド退避回路１７１によりＶｂａｔｔｅｒｙが失われた
ことが検知されると、該ヘッドアクチュエータ１７０
は、ボイスコイル１２０の対応する極にハイ及びロー信
号を供給し、ボイスコイルモータ１２０を回転させ、リ
ード／ライトヘッドを安全セクタに退避させる。
ッド退避回路１７１によりＶｂａｔｔｅｒｙが失われた
ことが検知されると、該ヘッドアクチュエータ１７０
は、ボイスコイル１２０の対応する極にハイ及びロー信
号を供給し、ボイスコイルモータ１２０を回転させ、リ
ード／ライトヘッドを安全セクタに退避させる。
【００４２】本発明の第１の実施例に基づく記憶装置１
００は、従来技術に於て必要とされた電池１０５とスピ
ンドルドライバ１３０との間のショットキーダイオード
を不要とすることにより従来技術の問題を回避すること
ができる。これは、スピンドルドライバ１３０のハイサ
イドＭＯＳＦＥＴ１３６、１４１及び１４６に於けるソ
ースボディ間ショートを除去することにより達成され
る。ダイオードＰ２は、ショットキーダイオード１６５
に代わる働きをする。これにより、スピンドルモータ１
１０を駆動するためのより高い電圧が利用可能となり、
これはまた、電池の機能が失われたときにそれだけ高い
逆起電圧を発生し得ることを意味する。逆起電力は一定
の割合で減衰することから、このことは、緊急ヘッド退
避手順を完了するためにそれだけ長い時間が与えられる
ことを意味する。
００は、従来技術に於て必要とされた電池１０５とスピ
ンドルドライバ１３０との間のショットキーダイオード
を不要とすることにより従来技術の問題を回避すること
ができる。これは、スピンドルドライバ１３０のハイサ
イドＭＯＳＦＥＴ１３６、１４１及び１４６に於けるソ
ースボディ間ショートを除去することにより達成され
る。ダイオードＰ２は、ショットキーダイオード１６５
に代わる働きをする。これにより、スピンドルモータ１
１０を駆動するためのより高い電圧が利用可能となり、
これはまた、電池の機能が失われたときにそれだけ高い
逆起電圧を発生し得ることを意味する。逆起電力は一定
の割合で減衰することから、このことは、緊急ヘッド退
避手順を完了するためにそれだけ長い時間が与えられる
ことを意味する。
【００４３】さらに、ヘッドアクチュエータ１７０及び
ボイスコイルモータ１２０が、スピンドルドライバ１３
０及びスピンドルモータ１１０よりも少ない電流を消費
することから、従来技術の装置に比べてショットキーダ
イオード１６５により失われる電力が小さくなり、電池
１０５の寿命が延長される。
ボイスコイルモータ１２０が、スピンドルドライバ１３
０及びスピンドルモータ１１０よりも少ない電流を消費
することから、従来技術の装置に比べてショットキーダ
イオード１６５により失われる電力が小さくなり、電池
１０５の寿命が延長される。
【００４４】第２の実施例
図３は本発明の第３の実施例に基づくモータ駆動式記憶
装置３００の回路図である。記憶装置３００は、第１の
実施例と同様に、スピンドルモータ１１０と、ボイスコ
イルモータ１２０と、スピンドルドライバ１３０と、充
電用コンデンサ１５０と、ヘッドアクチュエータ１７０
と、第１の実施例と同様の整流用ダイオード１６１、１
６２及び１６３とを有する。記憶装置３００は、ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ３６６がダイオード３６５に並列接続
され、この並列接続によってショットキーダイオード１
６５に代わる働きを得ている点に於いて異なっている。
ＭＯＳＦＥＴ３６６はソースボディ間ショートを有して
おらず、そのボディが接地されている。
装置３００の回路図である。記憶装置３００は、第１の
実施例と同様に、スピンドルモータ１１０と、ボイスコ
イルモータ１２０と、スピンドルドライバ１３０と、充
電用コンデンサ１５０と、ヘッドアクチュエータ１７０
と、第１の実施例と同様の整流用ダイオード１６１、１
６２及び１６３とを有する。記憶装置３００は、ｎチャ
ネルＭＯＳＦＥＴ３６６がダイオード３６５に並列接続
され、この並列接続によってショットキーダイオード１
６５に代わる働きを得ている点に於いて異なっている。
ＭＯＳＦＥＴ３６６はソースボディ間ショートを有して
おらず、そのボディが接地されている。
【００４５】始動時には、ＭＯＳＦＥＴ３６６が遮断さ
れ、比較的わずかな電流がダイオード３６５を介してヘ
ッドアクチュエータ１７０に流れる。ＭＯＳＦＥＴ３６
６が導通すると、電池１０５からヘッドアクチュエータ
１７０に至る電源ラインに於て極めてわずかな電圧降下
（０．２ボルト以下）を引き起こすのみである。しか
も、Ｖａｕｘ及びＶｂａｔｔｅｒｙが正常化され、スピ
ンドルモータ１１０のコンミテータノイズによるＶａｕ
ｘに於けるリップルが減少している。電池が故障する
と、ＭＯＳＦＥＴ３６６が導通し、ダイオード３６０が
逆バイアスされ、その結果ヘッドアクチュエータ１７０
が電池１０５から分離される。ＭＯＳＦＥＴ３６６が真
性逆並列ダイオードを有していないことから、Ｖａｕｘ
はＭＯＳＦＥＴ３６６を介してＶｂａｔｔｅｒｙに向け
て放電されることはない。
れ、比較的わずかな電流がダイオード３６５を介してヘ
ッドアクチュエータ１７０に流れる。ＭＯＳＦＥＴ３６
６が導通すると、電池１０５からヘッドアクチュエータ
１７０に至る電源ラインに於て極めてわずかな電圧降下
（０．２ボルト以下）を引き起こすのみである。しか
も、Ｖａｕｘ及びＶｂａｔｔｅｒｙが正常化され、スピ
ンドルモータ１１０のコンミテータノイズによるＶａｕ
ｘに於けるリップルが減少している。電池が故障する
と、ＭＯＳＦＥＴ３６６が導通し、ダイオード３６０が
逆バイアスされ、その結果ヘッドアクチュエータ１７０
が電池１０５から分離される。ＭＯＳＦＥＴ３６６が真
性逆並列ダイオードを有していないことから、Ｖａｕｘ
はＭＯＳＦＥＴ３６６を介してＶｂａｔｔｅｒｙに向け
て放電されることはない。
【００４６】ＭＯＳＦＥＴ３６６がｎチャネルＭＯＳＦ
ＥＴとして構成されている場合には、ダイオード３６５
が別個の部品からなることに留意されたい。しかしなが
ら、ＭＯＳＦＥＴ３６６がＰ型デバイスである場合に、
ダイオード３６５は真性ダイオードからなる。ＭＯＳＦ
ＥＴ３６６のゲートはＶｂａｔｔｅｒｙまたはＶａｕｘ
のレベルに応じてハイまたはローとなる信号により駆動
される。このような信号は、例えばコンパレーターなど
のいくつもの公知装置により提供することができる。
ＥＴとして構成されている場合には、ダイオード３６５
が別個の部品からなることに留意されたい。しかしなが
ら、ＭＯＳＦＥＴ３６６がＰ型デバイスである場合に、
ダイオード３６５は真性ダイオードからなる。ＭＯＳＦ
ＥＴ３６６のゲートはＶｂａｔｔｅｒｙまたはＶａｕｘ
のレベルに応じてハイまたはローとなる信号により駆動
される。このような信号は、例えばコンパレーターなど
のいくつもの公知装置により提供することができる。
【００４７】第３の実施例
図４は本発明の第３の実施例に基づくモータ駆動式記憶
装置４００を単純化して示す回路図である。
装置４００を単純化して示す回路図である。
【００４８】第３の実施例によれば、記憶装置４００
は、第１の実施例と同様に、電池１０５と、スピンドル
モータ１１０と、ボイスコイルモータ１２０と、スピン
ドルドライバ１３０と、充電用コンデンサ１５０と、ヘ
ッドアクチュエータ１７０と、第１の実施例と同様の整
流用ダイオード１６１、１６２及び１６３とを有する。
記憶装置４００は、第１の実施例に於て電池１０５とコ
ンデンサ１５０との間に接続されていたショットキーダ
イオード１６５が用いられいない点に於て第１の実施例
に於ける記憶装置１００と異なる。記憶装置４００は、
ヘッド制御回路４７１と、（本実施例に於けるＶｂａｔ
ｔｅｒｙと等価である）Ｖｃｃに接続されたハーフブリ
ッジ４８０及び４８５と、Ｖａｕｘに接続されたヘッド
退避回路４７２とを有するヘッドアクチュエータ４７０
を備えている。ＰＮＰバイポーラトランジスタ４７３が
Ｖａｕｘと極１２２との間に接続され、ＮＰＮバイポー
ラトランジスタ４７４が極１２１とグラウンドとの間に
接続されている。ダイオード４６７及び４６８は、それ
ぞれ極１２１及び１２２をＶａｕｘに接続する。これら
のダイオードは、ボイスコイルモータ１２２より発生し
たフライバックスパイク電圧をＶａｕｘに伝達し、極１
２１及び１２２に発生する最大電圧を制限する。
は、第１の実施例と同様に、電池１０５と、スピンドル
モータ１１０と、ボイスコイルモータ１２０と、スピン
ドルドライバ１３０と、充電用コンデンサ１５０と、ヘ
ッドアクチュエータ１７０と、第１の実施例と同様の整
流用ダイオード１６１、１６２及び１６３とを有する。
記憶装置４００は、第１の実施例に於て電池１０５とコ
ンデンサ１５０との間に接続されていたショットキーダ
イオード１６５が用いられいない点に於て第１の実施例
に於ける記憶装置１００と異なる。記憶装置４００は、
ヘッド制御回路４７１と、（本実施例に於けるＶｂａｔ
ｔｅｒｙと等価である）Ｖｃｃに接続されたハーフブリ
ッジ４８０及び４８５と、Ｖａｕｘに接続されたヘッド
退避回路４７２とを有するヘッドアクチュエータ４７０
を備えている。ＰＮＰバイポーラトランジスタ４７３が
Ｖａｕｘと極１２２との間に接続され、ＮＰＮバイポー
ラトランジスタ４７４が極１２１とグラウンドとの間に
接続されている。ダイオード４６７及び４６８は、それ
ぞれ極１２１及び１２２をＶａｕｘに接続する。これら
のダイオードは、ボイスコイルモータ１２２より発生し
たフライバックスパイク電圧をＶａｕｘに伝達し、極１
２１及び１２２に発生する最大電圧を制限する。
【００４９】ハーフブリッジ４８０は、Ｖｃｃに接続さ
れたドレインと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１
に接続されたソースと、接地されたボディと、ヘッド制
御回路４７１からの制御信号を受けるべく接続されたゲ
ートとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８１を備えて
いる。ハーフブリッジ４８０は更に、ボイスコイルモー
タ１２０の極１２１に接続されたドレインと、グラウン
ドに接続されたソース及びボディと、ヘッド制御回路４
７１からの制御信号を受けるべく接続されたゲートとを
有するローサイドＭＯＳＦＥＴ４８２を備えている。ハ
ーフブリッジ４８５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８１
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ４８２と同様のハイサイド
ＭＯＳＦＥＴ４８６及びローサイドＭＯＳＦＥＴ４８７
を備えているが、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８６及びロ
ーサイドＭＯＳＦＥＴ４８７は、ボイスコイルモータ１
２０の極１２２に接続されている。ハーフブリッジ４８
０及び４８５は、スピンドルドライバ１３０について用
いられたハーフブリッジ構造と同様であることに留意さ
れたい（図２参照）。ヘッドアクチュエータ４７０のハ
ーフブリッジ４８０及び４８５がヘッド退避手順のため
に用いられていないことから、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
４８１及び４８６は、スピンドルドライバ１３０の場合
のようにスピンドルボディ間ショートを伴うことなく形
成することができる。したがって、ＭＯＳＦＥＴ４８１
及び４８６には逆並列ダイオードがないことから、ボイ
スコイルモータ１２０の極１２１及び１２２に於けるフ
ライバックスパイクをコンデンサ１５０を充電するため
に用いることができる。
れたドレインと、ボイスコイルモータ１２０の極１２１
に接続されたソースと、接地されたボディと、ヘッド制
御回路４７１からの制御信号を受けるべく接続されたゲ
ートとを有するハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８１を備えて
いる。ハーフブリッジ４８０は更に、ボイスコイルモー
タ１２０の極１２１に接続されたドレインと、グラウン
ドに接続されたソース及びボディと、ヘッド制御回路４
７１からの制御信号を受けるべく接続されたゲートとを
有するローサイドＭＯＳＦＥＴ４８２を備えている。ハ
ーフブリッジ４８５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８１
及びローサイドＭＯＳＦＥＴ４８２と同様のハイサイド
ＭＯＳＦＥＴ４８６及びローサイドＭＯＳＦＥＴ４８７
を備えているが、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ４８６及びロ
ーサイドＭＯＳＦＥＴ４８７は、ボイスコイルモータ１
２０の極１２２に接続されている。ハーフブリッジ４８
０及び４８５は、スピンドルドライバ１３０について用
いられたハーフブリッジ構造と同様であることに留意さ
れたい（図２参照）。ヘッドアクチュエータ４７０のハ
ーフブリッジ４８０及び４８５がヘッド退避手順のため
に用いられていないことから、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ
４８１及び４８６は、スピンドルドライバ１３０の場合
のようにスピンドルボディ間ショートを伴うことなく形
成することができる。したがって、ＭＯＳＦＥＴ４８１
及び４８６には逆並列ダイオードがないことから、ボイ
スコイルモータ１２０の極１２１及び１２２に於けるフ
ライバックスパイクをコンデンサ１５０を充電するため
に用いることができる。
【００５０】本発明の第３の実施例によれば、ヘッド退
避回路４７２がＶａｕｘに接続され、Ｖｂａｔｔｅｒｙ
が失われたときに、バイポーラトランジスタ４７３及び
４７４のベースに加えられる制御信号を発生する。バイ
ポーラトランジスタ４７３は、Ｖａｕｘに接続されたエ
ミッタと、ボイスコイルモータ１２０の極１２２に接続
されたコレクタとを有する。或いは、バイポーラトラン
ジスタ４７３が、Ｖａｕｘに接続されたコレクタと、極
１２２に接続されたエミッタとを有するＮＰＮフォロワ
からなるものであってもよい。バイポーラトランジスタ
４７４は、グラウンドに接続されたエミッタと、第１の
極１２１に接続されたコレクタとを有する。
避回路４７２がＶａｕｘに接続され、Ｖｂａｔｔｅｒｙ
が失われたときに、バイポーラトランジスタ４７３及び
４７４のベースに加えられる制御信号を発生する。バイ
ポーラトランジスタ４７３は、Ｖａｕｘに接続されたエ
ミッタと、ボイスコイルモータ１２０の極１２２に接続
されたコレクタとを有する。或いは、バイポーラトラン
ジスタ４７３が、Ｖａｕｘに接続されたコレクタと、極
１２２に接続されたエミッタとを有するＮＰＮフォロワ
からなるものであってもよい。バイポーラトランジスタ
４７４は、グラウンドに接続されたエミッタと、第１の
極１２１に接続されたコレクタとを有する。
【００５１】通常の作動時に於ては、スピンドルモータ
１１０からのフライバックスパイクはコンデンサ１５０
を充電し、Ｖａｕｘを形成する。ボイスコイルモータ１
２０及びスピンドルモータ１１０は電池の電圧により直
接駆動され、介在するダイオードなどによる損失を伴う
ことがない。電池が故障した場合には、ハーフブリッジ
４８０及び４８５が、各ＭＯＳＦＥＴのゲートを対応す
るソースにショートするヘッド制御回路４７１により遮
断される。ＭＯＳＦＥＴ４８２はオン状態に保持されて
もよいが、減衰するＶｃｃがヘッド退避動作に対して悪
影響を及ぼすことのないようにＭＯＳＦＥＴ４８６を遮
断しなければならない。バイポーラトランジスタ４７３
及び４７４は、Ｖａｕｘにより供給されるエネルギを以
てヘッド退避回路４７２により制御され、Ｖａｕｘはス
ピンドルモータ１１０及びボイスコイルモータ１２０の
逆起電力からエネルギを受ける。バイポーラトランジス
タ４７３及び４７４は、０．７５ボルトもの低いベース
電圧により大きなコレクタ電流を発生するようにバイア
スすることができることから、ＭＯＳＦＥＴ４８１、４
８２、４８６及び４８７の場合よりも低いＶａｕｘに対
して導通し続けることができる。ヘッドが完全に退避で
きるように、利用可能な蓄積エネルギは可及的に節約し
なければならない。
１１０からのフライバックスパイクはコンデンサ１５０
を充電し、Ｖａｕｘを形成する。ボイスコイルモータ１
２０及びスピンドルモータ１１０は電池の電圧により直
接駆動され、介在するダイオードなどによる損失を伴う
ことがない。電池が故障した場合には、ハーフブリッジ
４８０及び４８５が、各ＭＯＳＦＥＴのゲートを対応す
るソースにショートするヘッド制御回路４７１により遮
断される。ＭＯＳＦＥＴ４８２はオン状態に保持されて
もよいが、減衰するＶｃｃがヘッド退避動作に対して悪
影響を及ぼすことのないようにＭＯＳＦＥＴ４８６を遮
断しなければならない。バイポーラトランジスタ４７３
及び４７４は、Ｖａｕｘにより供給されるエネルギを以
てヘッド退避回路４７２により制御され、Ｖａｕｘはス
ピンドルモータ１１０及びボイスコイルモータ１２０の
逆起電力からエネルギを受ける。バイポーラトランジス
タ４７３及び４７４は、０．７５ボルトもの低いベース
電圧により大きなコレクタ電流を発生するようにバイア
スすることができることから、ＭＯＳＦＥＴ４８１、４
８２、４８６及び４８７の場合よりも低いＶａｕｘに対
して導通し続けることができる。ヘッドが完全に退避で
きるように、利用可能な蓄積エネルギは可及的に節約し
なければならない。
【００５２】図５は、記憶装置４００のヘッドアクチュ
エータ４７０の通常の動作を示す等価回路である。図５
に示されるように、通常の作動中に於て、ハイサイドＭ
ＯＳＦＥＴ４８１及び４８６並びにローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ４８２及び４８７の導通状態が、図４に示されるヘ
ッド制御回路４７１からの制御信号により決定され、標
準的なＣＭＯＳインバータにより駆動される。さらに、
Ｖａｕｘがバイポーラトランジスタ４７３のエミッタ及
び（退避回路４７２を介して）ベースに加えられ、バイ
ポーラトランジスタ４７４のエミッタ及び（ヘッド退避
回路４７２を介して）ベースがグラウンドに接続されて
いる。
エータ４７０の通常の動作を示す等価回路である。図５
に示されるように、通常の作動中に於て、ハイサイドＭ
ＯＳＦＥＴ４８１及び４８６並びにローサイドＭＯＳＦ
ＥＴ４８２及び４８７の導通状態が、図４に示されるヘ
ッド制御回路４７１からの制御信号により決定され、標
準的なＣＭＯＳインバータにより駆動される。さらに、
Ｖａｕｘがバイポーラトランジスタ４７３のエミッタ及
び（退避回路４７２を介して）ベースに加えられ、バイ
ポーラトランジスタ４７４のエミッタ及び（ヘッド退避
回路４７２を介して）ベースがグラウンドに接続されて
いる。
【００５３】図６はヘッド退避手順の際の同一の回路を
示している。
示している。
【００５４】図７は、退避動作中に、ヘッド退避回路４
７２からの信号に応答して開閉するスイッチ７００及び
７０１によりトランジスタ４７３及び４７４のベースが
駆動される様子を示している。通常の作動時には、スイ
ッチ７００及び７０１は通常状態に保持され、トランジ
スタ４７３及び４７４のベースを接地している。
７２からの信号に応答して開閉するスイッチ７００及び
７０１によりトランジスタ４７３及び４７４のベースが
駆動される様子を示している。通常の作動時には、スイ
ッチ７００及び７０１は通常状態に保持され、トランジ
スタ４７３及び４７４のベースを接地している。
【００５５】バイポーラトランジスタ４７３及び４７４
を装置４００に組み込むことにより、ヘッド退避動作の
際に、ボイスコイルモータ１２０を駆動するために相対
的に低い補助電源電圧を用いることができる。上記した
ように、少なくとも２．５ボルトのＶｇｓ電圧が、ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ４８１及び４８６並びにローサイド
ＭＯＳＦＥＴ４８２及び４８７を駆動するために必要で
ある。これらのＭＯＳＦＥＴをバイパスするためにバイ
ポーラトランジスタ４７３及び４７４を用いることによ
り、ヘッド退避動作を約１．４ボルトもの低い電圧を以
て行うようにＶａｕｘを利用し得ることから、ヘッド退
避動作をかなり改善することができる。
を装置４００に組み込むことにより、ヘッド退避動作の
際に、ボイスコイルモータ１２０を駆動するために相対
的に低い補助電源電圧を用いることができる。上記した
ように、少なくとも２．５ボルトのＶｇｓ電圧が、ハイ
サイドＭＯＳＦＥＴ４８１及び４８６並びにローサイド
ＭＯＳＦＥＴ４８２及び４８７を駆動するために必要で
ある。これらのＭＯＳＦＥＴをバイパスするためにバイ
ポーラトランジスタ４７３及び４７４を用いることによ
り、ヘッド退避動作を約１．４ボルトもの低い電圧を以
て行うようにＶａｕｘを利用し得ることから、ヘッド退
避動作をかなり改善することができる。
【００５６】第４の実施例
図８は、本発明の第４の実施例に基づくモータ駆動式記
憶装置を示す回路図である。記憶装置９００は、図４に
示された第３の実施例の装置４００の部品の全てを備
え、さらに図３に示された第２の実施例に示されている
ＭＯＳＦＥＴ３６６とダイオード３６５とを並列接続し
た回路を備えている。ダイオード３６５及びＭＯＳＦＥ
Ｔ３６６を用いることにより、第４の実施例の記憶装置
９００は、上記したようにスピンドルモータ１２０によ
るコンミテータノイズを低減することができる。
憶装置を示す回路図である。記憶装置９００は、図４に
示された第３の実施例の装置４００の部品の全てを備
え、さらに図３に示された第２の実施例に示されている
ＭＯＳＦＥＴ３６６とダイオード３６５とを並列接続し
た回路を備えている。ダイオード３６５及びＭＯＳＦＥ
Ｔ３６６を用いることにより、第４の実施例の記憶装置
９００は、上記したようにスピンドルモータ１２０によ
るコンミテータノイズを低減することができる。
【００５７】以上、本発明を特定の実施例について説明
したが、本発明の概念から逸脱することなく種々の変形
実施例が可能である。例えば、同一出願人により同日に
出願された特願平 − 号に記載されてい
るように、スピンドルドライバ１３０のために用いられ
ているＮＭＯＳトーテムポール構造をＣＭＯＳ構造によ
り置き換えることができる。また、第２のバイポーラト
ランジスタ４７４はＮＰＮ或いはＰＮＰの何れであって
もよく、スピンドルドライバ及びヘッドアクチュエータ
のハイサイドＭＯＳＦＥＴもＰチャネル或いはＮチャネ
ルの何れであってもよい。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴが用
いられた場合、それらのボディをＶａｕｘに直接接続
し、整流用ダイオードを省略することができる。
したが、本発明の概念から逸脱することなく種々の変形
実施例が可能である。例えば、同一出願人により同日に
出願された特願平 − 号に記載されてい
るように、スピンドルドライバ１３０のために用いられ
ているＮＭＯＳトーテムポール構造をＣＭＯＳ構造によ
り置き換えることができる。また、第２のバイポーラト
ランジスタ４７４はＮＰＮ或いはＰＮＰの何れであって
もよく、スピンドルドライバ及びヘッドアクチュエータ
のハイサイドＭＯＳＦＥＴもＰチャネル或いはＮチャネ
ルの何れであってもよい。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴが用
いられた場合、それらのボディをＶａｕｘに直接接続
し、整流用ダイオードを省略することができる。
【図１】従来技術に基づくモータ駆動式記憶装置に於け
るスピンドルモータドライバ及びボイスコイルモータド
ライバを示す回路図。
るスピンドルモータドライバ及びボイスコイルモータド
ライバを示す回路図。
【図２】本発明の第１の実施例に基づくモータ駆動式記
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
【図３】本発明の第２の実施例に基づくモータ駆動式記
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
【図４】本発明の第３の実施例に基づくモータ駆動式記
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
【図５】通常の動作時に於ける図４のヘッドアクチュエ
ータの部分的等価回路図。
ータの部分的等価回路図。
【図６】ヘッド退避動作中の図４のヘッドアクチュエー
タの部分的等価回路図。
タの部分的等価回路図。
【図７】本発明の第３の実施例に於けるバイポーラトラ
ンジスタの制御の要領を示す回路図。
ンジスタの制御の要領を示す回路図。
【図８】本発明の第４の実施例に基づくモータ駆動式記
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
憶装置に於けるスピンドルモータドライバ及びボイスコ
イルモータドライバを示す回路図。
１００ 記憶装置
１０５ 電池
１１０ スピンドルモータ
１１１〜１１３、１２１、１２２ 極
１２０ ボイスコイルモータ
１３０ スピンドルドライバ
１３５、１４０、１４５、１８０、１８５ ハーフブリ
ッジ １３６、１３７、１４０、１４１、１４６、１４７ Ｍ
ＯＳＦＥＴ １８１、１８２、１８６、１８７ ＭＯＳＦＥＴ １５０ コンデンサ １５２ ツェナーダイオード １６１〜１６３、４６７、４６８ 整流用ダイオード １６５ ショットキーダイオード １７０ ヘッドアクチュエータ １７１ ヘッド制御回路 １７５ 退避回路 ３６５ ダイオード ３６６ ＭＯＳＦＥＴ ４７０ ヘッドアクチュエータ ４７１ ヘッド制御回路 ４７２ 退避回路 ４７３、４７４ バイポーラトランジスタ ４８１、４８２、４８６、４８７ ＭＯＳＦＥＴ ４８０、４８５ ハーフブリッジ ７００、７０１ スイッチ
ッジ １３６、１３７、１４０、１４１、１４６、１４７ Ｍ
ＯＳＦＥＴ １８１、１８２、１８６、１８７ ＭＯＳＦＥＴ １５０ コンデンサ １５２ ツェナーダイオード １６１〜１６３、４６７、４６８ 整流用ダイオード １６５ ショットキーダイオード １７０ ヘッドアクチュエータ １７１ ヘッド制御回路 １７５ 退避回路 ３６５ ダイオード ３６６ ＭＯＳＦＥＴ ４７０ ヘッドアクチュエータ ４７１ ヘッド制御回路 ４７２ 退避回路 ４７３、４７４ バイポーラトランジスタ ４８１、４８２、４８６、４８７ ＭＯＳＦＥＴ ４８０、４８５ ハーフブリッジ ７００、７０１ スイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 アレン・エイ・チャング
アメリカ合衆国カリフォルニア州
95035・ジャックリンサークル・ミルピ
タス 49
(72)発明者 バリー・ジェイ・コンクリン
アメリカ合衆国カリフォルニア州
95131・サンノゼ・ウォータートンレイ
ン 1119
(56)参考文献 特開 平１−119959（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−49291（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 21/12
Claims (19)
- 【請求項１】 モータ駆動式記憶装置であって、 第１の極を有するスピンドルモータと、 スピンドルモータ駆動信号を発生させるためのスピンド
ルドライバと、 ボイスコイルモータと、前記ボイスコイルモータを駆動するためのヘッドアクチ
ュエータとを有し、 前記スピンドルドライバが、 電源に接続された第１のド
レインと、前記スピンドルモータの前記第１の極に接続
された第１のソースと、グラウンドに接続された第１の
ボディとを有し且つ前記第１のソースと前記第１のボデ
ィとが短絡していないような第１のＭＯＳＦＥＴを含
み、 前記スピンドルモータの前記第１の極が、ダイオードを
介して前記ヘッドアクチュエータに接続されていること
を特徴とする装置。 - 【請求項２】 前記ダイオードのカソードに接続され
た第１の端子を有するコンデンサをさらに有することを
特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記コンデンサに並列に接続されたツ
ェナーダイオードをさらに有することを特徴とする請求
項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記第１のＭＯＳＦＥＴがｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴからなることを特徴とする請求項１に記載
の装置。 - 【請求項５】 前記電源と前記ヘッドアクチュエータ
との間に接続されたショットキーダイオードをさらに有
することを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】 前記ヘッドアクチュエータが、前記電
源によって供給される電圧の低下を感知するためのヘッ
ド退避回路を有することを特徴とする請求項１に記載の
装置。 - 【請求項７】 前記スピンドルドライバが第１、第
２、第３のＭＯＳＦＥＴを有し、前記スピンドルモータ
が第１、第２、第３の極を有し、前記各極がおのおの第
１、第２、第３のダイオードを介して前記ヘッドアクチ
ュエータに接続されているような請求項１に記載の装
置。 - 【請求項８】 前記ヘッドアクチュエータが、前記ボイスコイルモータの第１の極と前記ダイオードと
の間に接続された第１のバイポーラトランジスタと、 前記ボイスコイルモータの第２の極とグラウンドとの間
に接続された第２のバイポーラトランジスタと、 前記第１のバイポーラトランジスタのベース及び第２の
バイポーラトランジスタのベース に接続されたヘッド退
避回路とを有することを特徴とする請求項１に記載の装
置。 - 【請求項９】 前記ダイオードのカソードに接続され
た第１の端子を有するコンデンサと、 前記コンデンサに並列に接続された接地ツェナーダイオ
ードとをさらに有することを特徴とする請求項８に記載
の装置。 - 【請求項１０】 前記ヘッドアクチュエータが、 ヘッド制御回路と、 前記電源に接続された第２のドレインと、前記ボイスコ
イルモータの前記第１の極に接続された第２のソース
と、グラウンドに接続された第２のボディと、前記ヘッ
ド制御回路に接続された第２のゲートとを有し、前記第
２のボディが前記第２のソースに短絡されていないよう
な第２のＭＯＳＦＥＴと、 前記電源に接続された第３のドレインと、前記ボイスコ
イルモータの前記第２の極に接続された第３のソース
と、グラウンドに接続された第３のボディと、前記ヘッ
ド制御回路に接続された第３のゲートとを有し、前記第
３のボディが前記第３のソースに短絡されていないよう
な第３のＭＯＳＦＥＴとをさらに有することを特徴とす
る請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 第４のＭＯＳＦＥＴとダイオードと
の並列結合をさらに有し、該並列結合が前記電源と前記
ヘッドアクチュエータとの間に接続されていることを特
徴とする請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１２】 電源に接続されたモータ駆動式記憶
装置であって、スピンドルモータ と、第１の極及び第２の極 を有するボイスコイルモータと、前記スピンドルモータに接続されたスピンドルドライバ
と、 ヘッドアクチュエータとを有し、 該ヘッドアクチュエータが、 ヘッド制御回路と、 前記電源 に接続された第１のドレインと、前記ボイスコ
イルモータの前記第１の極に接続された第１のソース
と、グラウンドに接続された第１のボディと、前記ヘッ
ド制御回路に接続された第１のゲートとを有し、前記第
１のソースが前記第１のボディに短絡されていないよう
な第１のＭＯＳＦＥＴと、 前記電源に接続された第２のドレインと、前記ボイスコ
イルモータの前記第２の極に接続された第２のソース
と、グラウンドに接続された第２のボディと、前記ヘッ
ド制御回路に接続された第２のゲートとを有し、前記第
２のソースが前記第２のボディに短絡されていないよう
な第２のＭＯＳＦＥＴと、補助電力ラインとを含み、 前記第１の極が第１のダイオードを介して前記補助電力
ラインに接続され、前記第２の極が第２のダイオードを
介して前記補助電力ラインに接続されている ことを特徴
とする装置。 - 【請求項１３】 ヘッド退避回路と、 プッシュプルハーフブリッジ回路とを有し、該 プッシュプルハーフブリッジ回路が、前記補助電力ラインと前記ボイスコイルモータの前記第
１の極との間に接続されており、前記ヘッド退避回路に
接続された第１のベース を有するような第１のバイポー
ラトランジスタと、 前記ボイスコイルモータの前記第２の極とグラウンドと
の間に接続されており、前記ヘッド退避回路に接続され
た第２のベースを有するような第２のバイポーラトラン
ジスタとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の装
置。 - 【請求項１４】 前記補助電力ラインに接続された第
１の端子と、グラウンドに接続された第２の端子とを有
するコンデンサをさらに含むことを特徴とする請求項１
３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記スピンドルモータが第３の極を
有し、 前記スピンドルドライバが第３のＭＯＳＦＥＴを有し、 該第３のＭＯＳＦＥＴが、前記電源に接続されたドレイ
ンと、前記第３の極に 接続されたソースと、グラウンド
に接続された第３のボディとを有し、前記第３のソース
が前記第３のボディに短絡されておらず、前記第３の極
が第３のダイオードを介して前記補助電力ラインに接続
されている ことを特徴とする請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記コンデンサに並列に接続された
ツェナーダイオードをさらに有することを特徴とする請
求項１４に記載の装置。 - 【請求項１７】 前記第２のバイポーラトランジスタ
がＮＰＮバイポーラトランジスタからなり、前記第１の
バイポーラトランジスタがＰＮＰバイポーラトランジス
タからなることを特徴とする請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１８】 第３のＭＯＳＦＥＴと第３のダイオ
ードとの並列結合をさらに有し、該並列結合が前記電源
と前記補助電力ラインとの間に接続されていることを特
徴とする請求項１２に記載の装置。 - 【請求項１９】 前記第３のＭＯＳＦＥＴのボディ
が、前記第３のＭＯＳＦＥＴのソースに短絡していない
ことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
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Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0863920A (ja) * | 1993-08-24 | 1996-03-08 | Sony Corp | ロード・アンロード装置及びその駆動制御回路 |
| JPH0923688A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-21 | Sgs Thomson Microelectron Inc | ブラシレスｄｃモータ用パワーダウン制動ラッチ |
| US5838515A (en) * | 1996-04-30 | 1998-11-17 | Quantum Corporation | PWM/linear driver for disk drive voice coil actuator |
| US5889629A (en) * | 1996-06-27 | 1999-03-30 | Western Digital Corporation | Method and apparatus for controlling disk drive head parking during power interruption |
| US6025968A (en) * | 1997-06-23 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Load/unload disk drive with multistage retract circuit for parking the head carriers on power down |
| JP3473007B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2003-12-02 | 関西日本電気株式会社 | モータ駆動装置 |
| US6188540B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-02-13 | Seagate Technology Llc | System, method, and device for a regenerative constant velocity park for voice coil motor |
| US6204629B1 (en) * | 1997-11-21 | 2001-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for accurately measuring a back-emf voltage on an actuator coil |
| US6614614B1 (en) * | 1998-04-10 | 2003-09-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for writing servo pattern |
| JP3567078B2 (ja) * | 1998-04-13 | 2004-09-15 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | リトラクト方法及び磁気ディスク装置 |
| WO2000021177A1 (fr) * | 1998-10-06 | 2000-04-13 | Fujitsu Limited | Circuit d'alimentation dote d'une fonction de prevention du bruit d'inversion du flux |
| US6094020A (en) * | 1998-11-18 | 2000-07-25 | Western Digital Corporation | Disk drive utilizing Bemf of spindle motor to increase VCM voltage during seeks |
| US6566832B2 (en) | 1999-06-02 | 2003-05-20 | Maxtor Corporation | Method and apparatus for parking a read/write head during power interruptions by dynamic sequencing |
| US6188192B1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Spindle motor back-EMF synchronous rectifier |
| US6316898B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Pulse modulated capacitive retract device for a voice coil actuator |
| JP3664224B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2005-06-22 | ローム株式会社 | パワードライブ回路 |
| US7633702B1 (en) * | 2000-03-31 | 2009-12-15 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for powering voice coil motor retract circuit while braking spindle |
| US6373299B1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-04-16 | Motorola, Inc. | Electric driver circuit and method |
| US6819072B2 (en) * | 2000-12-18 | 2004-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Disk drive servo arm retract and spindle brake circuit |
| JP2002237158A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-23 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録再生装置 |
| US20080172026A1 (en) | 2006-10-17 | 2008-07-17 | Blomquist Michael L | Insulin pump having a suspension bolus |
| JP3692086B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2005-09-07 | 株式会社東芝 | ディスク記憶装置におけるスピンドルモータの駆動方法 |
| US6972918B2 (en) | 2002-06-06 | 2005-12-06 | Renesas Technology Corp. | Magnetic disk memory system |
| US6865049B1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-03-08 | Western Digital Technologies, Inc. | Methods, systems and devices for converting the kinetic energy of a rotating disk drive spindle motor into electrical energy to charge a rechargeable battery |
| JP2004110942A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置 |
| JP4180357B2 (ja) * | 2002-11-25 | 2008-11-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 磁気ディスク記憶システム |
| JP4266690B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2009-05-20 | 三菱電機株式会社 | 電動パワーステアリング装置 |
| US7068455B2 (en) * | 2003-07-21 | 2006-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and system for reducing power consumption in a rotatable media data storage device |
| US7035032B2 (en) * | 2003-07-21 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and system for reducing power consumption in a rotatable media data storage device |
| KR100690287B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브, 하드디스크 드라이브의 자기 헤드파킹 방법 및 그 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램을기록한 기록매체 |
| JP5205624B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2013-06-05 | 日産自動車株式会社 | 駆動回路 |
| US20070210735A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-13 | Research In Motion Limited | System for energy regeneration in a mobile device |
| JP5549119B2 (ja) * | 2009-05-31 | 2014-07-16 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ディスク駆動装置 |
| JP2014138532A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電力変換装置 |
| TWI538318B (zh) * | 2013-02-04 | 2016-06-11 | 金士頓數位股份有限公司 | 連接裝置及電子裝置總成 |
| JP5811222B2 (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-11 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ハードディスクドライブ |
| JP2019009970A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | モータ駆動装置およびモータシステム |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4271438A (en) * | 1977-09-28 | 1981-06-02 | Cornell William D | Recovery and demodulation of a pulse width modulation encoded signal recorded on magnetic tape |
| US4237501A (en) * | 1978-07-25 | 1980-12-02 | Pertec Computer Corporation | Emergency head unload system for magnetic disk drive |
| US4409527A (en) * | 1979-07-03 | 1983-10-11 | Sommeria Marcel R | Transistor motor control |
| US4679102A (en) * | 1985-11-20 | 1987-07-07 | Seagate Technology | Method and means for parking read/write heads in a disc drive using the back-EMF of the spindle motor to operate a stepper motor |
| US4710686A (en) * | 1986-08-04 | 1987-12-01 | Guzik Technical Enterprises | Method and apparatus for control of current in a motor winding |
| GB8706275D0 (en) * | 1987-03-17 | 1987-04-23 | Rca Corp | Gate circuit |
| US4812961A (en) * | 1987-05-15 | 1989-03-14 | Linear Technology, Inc. | Charge pump circuitry having low saturation voltage and current-limited switch |
| US4760324A (en) * | 1987-10-07 | 1988-07-26 | Raytheon Company | Non-dissipative snubber circuit for high-efficiency switching power supplies |
| US4901216A (en) * | 1987-12-10 | 1990-02-13 | Boschert Incorporated | Power supply regulated by modulating the inductance in a resonant LC circuit |
| US4945467A (en) * | 1988-02-26 | 1990-07-31 | Black & Decker Inc. | Multiple-mode voltage converter |
| US4999728A (en) * | 1989-02-27 | 1991-03-12 | Atlas Technology, Inc. | Power surge protection circuit |
| US5073837A (en) * | 1989-08-10 | 1991-12-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low voltage protection circuit |
| US4926354A (en) * | 1989-09-26 | 1990-05-15 | Allied-Signal Inc. | Power controller with low standby current drain |
| US5010293A (en) * | 1989-11-20 | 1991-04-23 | Raynet Corporation | Inrush current limiting circuit |
| US5019719A (en) * | 1990-01-12 | 1991-05-28 | International Rectifier Corporation | Transformer coupled gate drive circuit for power MOSFETS |
| US5119000A (en) * | 1991-02-25 | 1992-06-02 | Motorola, Inc. | Low noise motor drive circuit |
| US5262704A (en) * | 1991-03-05 | 1993-11-16 | Tecumseh Products Company | Protection circuit in inverter for refrigerators |
| JPH0549291A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Nippon Motoroola Kk | リトラクト機能付きボイスコイルモータ駆動回路 |
| US5157592A (en) * | 1991-10-15 | 1992-10-20 | International Business Machines Corporation | DC-DC converter with adaptive zero-voltage switching |
| US5303101A (en) * | 1992-03-10 | 1994-04-12 | Nec Corporation | Active magnetic latch for disk drive and method |
-
1993
- 1993-05-14 US US08/062,968 patent/US5455496A/en not_active Expired - Lifetime
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