JP3525763B2 - 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器

Info

Publication number
JP3525763B2
JP3525763B2 JP27373398A JP27373398A JP3525763B2 JP 3525763 B2 JP3525763 B2 JP 3525763B2 JP 27373398 A JP27373398 A JP 27373398A JP 27373398 A JP27373398 A JP 27373398A JP 3525763 B2 JP3525763 B2 JP 3525763B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sampling
switching element
column
row
lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP27373398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000098982A (ja
Inventor
千春 鏑木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP27373398A priority Critical patent/JP3525763B2/ja
Publication of JP2000098982A publication Critical patent/JP2000098982A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3525763B2 publication Critical patent/JP3525763B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等の電気光学
物質を有する電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置
並びに電気光学装置の駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
体を用いた液晶表示装置のブロック図を図12に示す。
図12に示されるように、マトリクス状に配置された液
晶画素LC(LC11〜LCmn)と、個々の液晶画素
を駆動するための画素制御用薄膜トランジスタT(T1
1〜Tmn)と、行状のゲート線Y(Y1〜Ym)と、
列状のソース線X(X1〜Xn)と、行制御回路1と、
列制御回路2とサンプリング用薄膜トランジスタTS
(TS1〜TSn)と予備書き込み用薄膜トランジスタ
TP(TP1〜TPn)から構成されている。
【0003】以下、図13は図12の構成の各種信号の
タイミングチャートである。図13を用いて具体的な動
作を説明する。行制御回路1は、外部制御回路から供給
されるスタート信号DXと、基準クロックCLYに基づ
いて、各ゲート線Xを線順次走査し一水平期間(1H)
毎に一行分の液晶画素を選択する。列制御回路2は、外
部制御回路から供給されるスタート信号DXと、基準ク
ロックCLXに基づいて、サンプリング用薄膜トランジ
スタTSにサンプリング信号Sを出力し、画像信号VS
IGを各ソース線Xに順次サンプリングし、選択された
一行分の液晶画素に点順次で画像信号の書き込みを行
う。この際、ソース線X及び液晶画素LCへの画像信号
書き込みを補うため、1H期間の始めに画像信号の書き
込みに先立って、予備書き込み用薄膜トランジスタTP
によって、全ソース線X及び選択されている一行分の液
晶画素LCに対して予備書き込み制御信号PCの出力に
応じて所定のの電圧VPを書き込む予備書き込み動作を
行ってもよい。液晶画素LCに書き込まれた所定のレベ
ルの画像信号は対向電極電位VCとの間で一定期間保持
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】サンプリング用薄膜ト
ランジスタTSは、短時間で画像信号VSIGをソース
線Xにサンプリングする必要があるため、トランジスタ
サイズを大きくしてオン抵抗を低く抑えている。そのた
め、トランジスタのゲート−ソース間容量、ゲート−ド
レイン間容量が大きく、サンプリング用薄膜トランジス
タTSがオフする際、サンプリング信号Sのレベル変化
がゲート−ソース間容量、もしくはゲート−ドレイン間
容量を通じてソース線Xの電位を低下させる、いわゆる
プッシュダウンが顕著に起こる。
【0005】プッシュダウン電圧は、液晶画素LCが対
向電極電位VCに対して正極性に書き込まれる時も、負
極性に書き込まれる時も、常に一方向のオフセット電圧
として作用し、その程度も画像信号VSIGの電圧レベ
ルやサンプリング信号Sの波形歪み等によっても変化す
るため、単に、対向電極電位VCを調整しただけでは除
去することができない。
【0006】これにより、液晶画素LCに書き込まれる
電位に偏りが生じ、フリッカや焼付きといった画質課題
を生じる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
駆動回路は、画像信号が供給される複数の列ラインと、
走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列ライ
ン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイッチ
ング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路において、
前記行ラインを選択する行制御回路と、前記各列ライン
に対して並列接続された複数のサンプリング用スイッチ
ング素子と、同一の前記列ラインに接続した複数の前記
サンプリング用スイッチング素子を互いに異なるタイミ
ングで開閉動作させると共に、複数の前記サンプリング
用スイッチング素子の各々の開閉動作タイミングの相対
的な時間間隔を前記列ライン毎に独立に設定する機能を
有し、前記行ラインが選択される一水平走査期間毎に、
前記サンプリング用スイッチング素子を介して画像信号
を出力し、選択された前記行ラインに接続される前記画
素制御用スイッチング素子に前記画像信号を供給する列
制御回路とを備えたことを特徴とする。
【0008】上記構成によれば、画像信号をサンプリン
グする際、まず同一の列ラインに並列接続された第1及
び第2サンプリング用スイッチング素子を所定の順序で
閉状態とすることでサンプル開始時に急激に列ラインを
チャージすることによるノイズの発生、基準電位の変動
を抑制すると共に、サンプルを終了する際には、各列ラ
イン毎に設定したタイミングでサンプリング用スイッチ
ング素子を開状態とすることでサンプリング用スイッチ
ング素子の寄生容量に起因する列ラインの電位変動を制
御し、画素制御用スイッチング素子の寄生容量に起因す
る行ライン切替時に生じる画素電位変動と相殺させ、ム
ラやフリッカを抑制するという効果を有する。
【0009】また、本発明の電気光学装置の駆動方法
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動方法において、複数の前
記行ラインを順次選択し、同一の前記列ラインに接続し
た複数のサンプリング用スイッチング素子を互いに異な
るタイミングで開閉動作させると共に、複数の前記サン
プリング用スイッチング素子の各々の開閉動作タイミン
グの相対的な時間間隔を前記列ライン毎に独立に設定
し、前記行ラインが選択される一水平走査期間毎に、前
記サンプリング用スイッチング素子を介して画像信号を
出力して選択された前記行ラインに接続される前記画素
制御用スイッチング素子に前記画像信号を供給し、前記
一水平走査期間内において、前記画像信号が出力される
前に、前記列ラインに予備信号を出力することを特徴と
する。
【0010】上記構成によれば、画像信号をサンプリン
グする際、まず同一の列ラインに並列接続された第1及
び第2サンプリング用スイッチング素子を所定の順序で
閉状態とすることでサンプル開始時に急激に列ラインを
チャージすることによるノイズの発生、基準電位の変動
を抑制すると共に、サンプルを終了する際には、各列ラ
イン毎に設定したタイミングでサンプリング用スイッチ
ング素子を開状態とすることでサンプリング用スイッチ
ング素子の寄生容量に起因する列ラインの電位変動を制
御し、画素制御用スイッチング素子の寄生容量に起因す
る行ライン切替時に生じる画素電位変動と相殺させ、ム
ラやフリッカを抑制するという効果を有する。
【0011】また、本発明の電気光学装置の駆動回路
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動回路において、前記行ラ
インを選択する行制御回路と、前記列ラインの各々に対
して少なくとも2つずつ設けたサンプリング用スイッチ
ング素子と、同一の前記列ラインに接続した複数の前記
サンプリング用スイッチング素子を互いに異なるタイミ
ングで開閉動作させると共に、複数の前記サンプリング
用スイッチング素子の各々が閉状態となる時間幅を前記
列ライン毎に独立に設定する機能を有し、前記行ライン
が選択される一水平走査期間毎に、前記サンプリング用
スイッチング素子を介して画像信号を出力し、選択され
た前記行ラインに接続される前記画素制御用スイッチン
グ素子に前記画像信号を供給する列制御回路とを備えた
ことを特徴とする。
【0012】上記構成によれば、画像信号をサンプリン
グする際、まず同一の列ラインに並列接続された第1及
び第2サンプリング用スイッチング素子を所定の順序で
閉状態とすることでサンプル開始時に急激に列ラインを
チャージすることによるノイズの発生、基準電位の変動
を抑制すると共に、サンプルを終了する際には、各列ラ
イン毎に設定したタイミングでサンプリング用スイッチ
ング素子を開状態とすることでサンプリング用スイッチ
ング素子の寄生容量に起因する列ラインの電位変動を制
御し、画素制御用スイッチング素子の寄生容量に起因す
る行ライン切替時に生じる画素電位変動と相殺させ、ム
ラやフリッカを抑制するという効果を有する。
【0013】また、本発明の電気光学装置の駆動方法
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記行ラ
インを順次選択し、同一の前記列ラインに並列接続した
第1及び第2のサンプリング用スイッチング素子を互い
に異なるタイミングで開閉動作させると共に、複数の前
記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子の各々
が閉状態となる時間幅を前記列ライン毎に独立に設定
し、前記行ラインが選択される一水平走査期間毎に、前
記サンプリング用スイッチング素子介して画像信号を出
力して前記選択された行ラインに接続される前記画素制
御用スイッチング素子に前記画像信号を供給することを
特徴とする。
【0014】上記構成によれば、画像信号をサンプリン
グする際、まず同一の列ラインに並列接続された第1及
び第2サンプリング用スイッチング素子を所定の順序で
開閉状態とすることでサンプル開始時に急激に列ライン
をチャージすることによるノイズの発生、基準電位の変
動を抑制すると共に、サンプルを終了する際には、各列
ライン毎に設定したタイミングでサンプリング用スイッ
チング素子を開状態とすることでサンプリング用スイッ
チング素子の寄生容量に起因する列ラインの電位変動を
制御し、画素制御用スイッチング素子の寄生容量に起因
する行ライン切替時に生じる画素電位変動と相殺させ、
ムラやフリッカを抑制するという効果を有する。
【0015】また、本発明の電気光学装置の駆動回路
は、 画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信
号が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び
前記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素
子とを備えた電気光学装置の駆動回路において、前記行
ラインを選択する行制御回路と、前記列ラインの各々に
対して少なくとも2つずつ設けられた前記第1及び第2
サンプリング用スイッチング素子と、 前記第1サンプ
リング用スイッチング素子をオン状態にして前記第2サ
ンプリング用スイッチング素子をオフ状態にし、前記第
1及び第2サンプリング用スイッチング素子をともにオ
ン状態にし、前記第1サンプリング用スイッチング素子
をオン状態にして前記第2サンプリング用スイッチング
素子をオフ状態にする前記第1及び第2サンプリング用
スイッチング素子に制御信号を供給するための列制御回
路と、を備えたことを特徴とする。
【0016】上記の構成によれば、まず第1サンプリン
グ用スイチンング素子のみがオン状態になるため、オン
抵抗が高くサンプリング開始時に急激に列ラインをチャ
ージすることがなく、ノイズの発生、基準電位の変動を
抑制できる。また、次には第1及び第2サンプリング用
スイッチング素子が共にオン状態になるため、オン抵抗
は十分に低く短時間で列ラインを画像信号の電位レベル
までチャージする事ができる。最後に、第2サンプリン
グ用スイッチング素子のプッシュダウン電圧を回復さ
せ、本来の画像信号の電位レベルに戻すことができる。
このように第1及び第2サンプリング用スイッチング素
子が同時のオン状態になる前と後に第1サンプリング用
スイッチング素子だけがオン状態になるので、オン抵抗
が高く、急激に列ラインをチャージすることがなく、ノ
イズの発生、基準電圧の変動を抑えることができる。
【0017】また、前記第1及び第2サンプリング用ス
イッチング素子はトランジスタからなり、前記第1サン
プリング用スイッチング素子のトランジスタは前記第2
サンプリング用スイッチング素子のトランジスタよりも
サイズが小さいと良い。
【0018】上記の構成によれば、第1サンプリング用
スイッチング素子のトランジスタサイズは第2サンプリ
ング用スイッチング素子のトランジスタサイズよりも小
さいため、第1及び第2サンプリング用スイッチング素
子を所定の順に開閉を行えば、オン抵抗を制御すること
ができ、プッシュダウンレベル抑えることができる。す
なわち、サイズの小さいサンプリング用スイッチング素
子は、サイズの大きいサンプリング用スイッチング素子
に比べてゲート−ソース間容量、ゲート−ドレイン間容
量が小さいため、サンプリング用スイッチング素子のゲ
ート電極に入力される制御信号による、電位変動のレベ
ル、つまりプッシュダウンのレベルも小さい。したがっ
て、例えばサンプリング用スイッチング素子の制御信号
の開始時と終了時にサイズの小さいサンプリング用スイ
ッチング素子のみを駆動させて開始時と終了時の間の期
間にサイズの高いサンプリング用スイッチング素子を駆
動させれば、サンプリング開始時に急激に列ラインをチ
ャージすることによるノイズの発生、基準電位の変動を
抑制すると共に、サンプリング用スイッチング素子の寄
生容量に起因するサンプリング終了時に生じる列ライン
の電位変動を抑制することができる。その結果、表示画
面内の輝度むらを軽減することができる。
【0019】また、本発明の電気光学装置の駆動方法
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
と、前記画像信号をサンプリングして前記列ラインに供
給するために前記列ラインに並列接続された第1及び第
2サンプリング手段と、前記第1及び第2サンプリング
手段に制御信号を供給するための列制御回路とを有する
電気光学装置の駆動方法であって、前記行ラインを順次
選択し、前記列制御回路からの出力に応じて、前記第1
サンプリング用スイッチング素子をオン状態にして前記
第2サンプリング用スイッチング素子をオフ状態にし、
前記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子を
ともにオン状態にし、前記第1サンプリング用スイッチ
ング素子をオン状態にして前記第2サンプリング用スイ
ッチング素子をオフ状態にすることを特徴とする。
【0020】上記の構成によれば、まず第1サンプリン
グ用スイチンング素子のみがオン状態になるため、オン
抵抗が高くサンプリング開始時に急激に列ラインをチャ
ージすることがなく、ノイズの発生、基準電位の変動を
抑制できる。また、次には第1及び第2サンプリング用
スイッチング素子が共にオン状態になるため、オン抵抗
は十分に低く短時間で列ラインを画像信号の電位レベル
までチャージする事ができる。最後に、第2サンプリン
グ用スイッチング素子のプッシュダウン電圧を回復さ
せ、本来の画像信号の電位レベルに戻すことができる。
このように第1及び第2サンプリング用スイッチング素
子が同時のオン状態になる前と後に第1サンプリング用
スイッチング素子だけがオン状態になるので、オン抵抗
が高く、急激に列ラインをチャージすることがなく、ノ
イズの発生、基準電圧の変動を抑えることができる。
【0021】また、本発明の電気光学装置の駆動回路
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動回路において、前記行ラ
インを選択する行制御回路と、前記列ラインの各々に対
して少なくとも2つずつ設けられた第1及び第2サンプ
リング用スイッチング素子と、前記第1サンプリング用
スイッチング素子をオン状態にする第1期間と、前記第
1期間後に前記第2サンプリング用スイッチング素子を
オン状態にする第2期間と、前記第2期間後に前記第1
サンプリング用スイッチング素子をオン状態にする第3
期間を規定するように、前記第1及び第2サンプリング
用スイッチング素子に制御信号を供給するための列制御
回路と、を備えたことを特徴とする。
【0022】
【0023】また、本発明の電気光学装置の駆動回路
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動回路において、前記行ラ
インを選択する行制御回路と、前記列ラインの各々に対
して少なくとも2つずつ設けられた第1及び第2サンプ
リング用スイッチング素子と、前記第1サンプリング用
スイッチング素子をオン状態にする第1期間と、前記第
2サンプリング用スイッチング素子をオン状態にする第
2期間とを有し、前記列ラインに対して設けられた前記
第1及び第2サンプリング用スイッチング素子間で、前
記第2サンプリング用スイッチング素子の前記第2期間
を規定するタイミングが、前記第1サンプリング用スイ
ッチング素子の前記第1期間内で可変制御されるよう
に、前記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子
に制御信号を供給するための列制御回路とを備え、前記
列制御回路は、前記列ラインに対して設けられた前記第
1及び第2サンプリング用スイッチング素子間で、前記
第1サンプリング用スイッチング素子のオン状態から前
記第2サンプリング用スイッチング素子をオン状態にす
るまでのタイミングを可変にすることを特徴とする。
【0024】また、本発明の電気光学装置の駆動方法
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記行ラ
インを順次選択し、前記列ラインの各々に対して少なく
とも2つずつ設けられた第1及び第2サンプリング用ス
イッチング素子に対して、前記第1サンプリング用スイ
ッチング素子をオン状態にする第1期間と、前記第1期
間後に前記第2サンプリング用スイッチング素子をオン
状態にする第2期間と、前記第2期間後に前記第1サン
プリング用スイッチング素子をオン状態にする第3期間
を規定するように、制御信号を供給することを特徴とす
る。
【0025】
【0026】また、本発明の電気光学装置の駆動方法
は、画像信号が供給される複数の列ラインと、走査信号
が供給される複数の行ラインと、前記各列ライン及び前
記各行ラインに接続された画素制御用スイッチング素子
とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記行ラ
インを順次選択し、前記列ラインの各々に対して少なく
とも2つずつ設けられた第1及び第2サンプリング用ス
イッチング素子に対して、前記第1サンプリング用スイ
ッチング素子をオン状態にする第1期間と、前記第2サ
ンプリング用スイッチング素子をオン状態にする第2期
間とを有し、前記列ラインに対して設けられた前記第1
及び第2サンプリング用スイッチング素子間で、前記第
1サンプリング用スイッチング素子のオン状態から前記
第2サンプリング用スイッチング素子をオン状態にする
までのタイミングを可変にするように、制御信号を供給
することを特徴とする。
【0027】また、本発明は、前述した電気光学装置の
駆動回路を備えた電気光学装置であっても良い。さら
に、前記電気光学装置を備えた電子機器であっても良
い。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
【0029】(実施例1)図1は、発明にかかるアクテ
ィブマトリクス表示装置の第1の実施例のブロック図を
示す。本アクティブマトリクス表示装置は行状のゲート
線(行ライン)Y1、Y2、…、Ymと列状のソース線
(列ライン)X1、X2、…、Xnと両者の各交差部に
配された行列状の液晶画素LC11、LC12、…、L
Cmnを備えている。本実施例では電気光学物質として
液晶を利用した画素を備えているが、本発明はこれに限
られるものではなく他の電気光学物質を用いても良い。
個々の液晶画素LCに対応して画素制御用薄膜トランジ
スタT11、T12、…、Tmnが設けられている。画
素制御用薄膜トランジスタTのゲート電極は対応するゲ
ート線Yに接続され、ソース線は対応するソース線Xに
接続され、ドレイン電極は対応する液晶画素LCに接続
されている。
【0030】行制御回路1が設けられており、各ゲート
線Yを線順次走査し一水平期間毎に一行分の液晶画素L
Cを選択する。具体的には、行制御回路1は、シフトレ
ジスタの機能を有し、行クロック信号CLYに同期して
行スタート信号DYを順次転送し、選択パルスを各ゲー
ト線Yに出力する。これにより、画素制御用薄膜トラン
ジスタTが開閉制御される。
【0031】また、列制御回路2を備えており、サンプ
リング用薄膜トランジスタTSを開閉制御することで一
水平期間内で画像信号VSIGを各ソース線Xに順次サ
ンプリングし、選択された一行分の液晶画素LCに点順
次で画像信号VSIGの書込みを行う。具体的にはソー
ス線X1、X2、…、Xnの一端にはサンプリング用薄
膜トランジスタがTS1aとTS1b、TS2aとTS
2b、…、TSnaとTSnbというように2つずつ設
けてあり、画像信号VSIGの供給を受ける。尚、サン
プリング用薄膜トランジスタTS1a、TS2a、…、
TSnaはゲート−ソース間容量、ゲート−ドレイン間
容量を小さくするためにトランジスタサイズを小さく
し、TS1b、TS2b、…、TSnbはオン抵抗を低
く抑えるためにトランジスタサイズを大きくしてある。
シフトレジスタ3は列クロック信号CLXに同期して
列スタート信号DXを順次転送し、その出力を遅延回路
4に出力する。遅延回路4は、シフトレジスタから受け
た信号を所定時間遅延させ、遅延タイミング信号D1
a、D1b、D2a、D2b、…、Dna、Dnbをパ
ルス発生回路5に出力する。パルス発生回路5は、サン
プリング信号S1a、S1b、S2a、S2b、…、S
na、Snbを後述のタイミングで出力する。これらの
サンプリング信号は対応するサンプリング用薄膜トラン
ジスタTS1a、TS1b、TS2a、TS1b、…、
TSna、TSnbを開閉制御し、個々のソース線Xに
画像信号VSIGをサンプリングする。
【0032】更に、各ソース線Xに対する画像信号VS
IGの順次サンプリングに先行して、予備書き込み電圧
VPを各ソース線X及び選択された液晶画素LCに同時
に供給する予備書き込み動作を行い、画像信号VSIG
のサンプリング時に生じる各ソース線Xへの充放電電流
を抑制する。具体的には、個々のソース線Xの端部に接
続した予備書き込み用薄膜トランジスタTP1、TP
2,…、TPnを予備書き込み制御信号PCによって開
閉制御している。
【0033】次に、図2、3を参照して図1に示したア
クティブマトリクス表示装置の駆動方法を詳細に説明す
る。図2は図1に示すブロック図の各種信号のタイミン
グチャートであり、図3は薄膜トランジスタの動作例を
示す。
【0034】行制御回路1は、行スタート信号DYが入
力されると、行クロック信号CLYに同期して、パルス
幅が1Hの行選択信号を順次出力する。尚、図2では、
任意の行であるYi-1、Yi 、Yi+1が順次出力された状
態を示している。
【0035】行選択信号が出力され、行方向の各画素制
御用薄膜トランジスタTがオン状態になると、まず、予
備書き込み制御信号PCが出力されて予備書き込み用薄
膜トランジスタTP1、TP2、…、TPnがオンし、
予備書き込み電圧VPが各ソース線Xおよび選択された
液晶画素LCに書き込まれる。
【0036】列制御回路2は、列スタート信号DXが入
力されると、列クロック信号CLXに同期したサンプリ
ング基準信号R1、R2、…,Rnを生成した後、所定
時間遅延させた遅延タイミング信号D1a、D1b、D
2a、D2b、…、Dna、Dnb 、更にこれを基準
にしたサンプリング信号S1a、S1b、S2a、S2
b、…、Sna、Snbを出力する。
【0037】例えばサンプリング基準信号R1が出力さ
れた場合、サンプリング信号S1a,S1bは図3に示
すように出力され、サンプリング用薄膜トランジスタT
S1aがオン、TS1bがオフの第1期間、続いてTS
1a、TS1bが共にオンの第2期間、 最後にTS1
aがオン、TS1bがオフの第3期間を生成し、この間
に画像信号VSIGをソース線X1へサンプルする。同
期間が終了すると、ソース線X1はサンプルした電位を
ホールドし、一水平期間が終了するまでの残りの期間で
選択されている液晶画素LCへホールドした電位を書き
込む。
【0038】第1期間では、サイズの小さいサンプリン
グ用薄膜トランジスタTS1aのみがオン状態になるた
め、オン抵抗が高くサンプリング開始時に急激にソース
線Xをチャージすることがなく、ノイズの発生、基準電
位の変動を抑制できる。また、第2期間では、サンプリ
ング用薄膜トランジスタTS1a、TS1b共にオン状
態になるため、オン抵抗は十分に低く短時間でソース線
XをVSIGの電位レベルまでチャージする事ができ
る。最後の第3期間では、第2期間から第3期間への移
行する際のサンプリング用薄膜トランジスタTS1bの
プッシュダウン電圧Vaを回復させ、本来のVSIGの
電位レベルに戻すことができる。第3期間が終了する
際、サンプリング用薄膜トランジスタTS1aがオフす
ると、Vb分のプッシュダウン電圧を生じるが、トラン
ジスタサイズが小さく、ゲート−ソース間容量、ゲート
−ドレイン間容量が小さいため、プッシュダウンレベル
を低く抑える事ができる。
【0039】本実施例では、サンプリング用薄膜トラン
ジスタTS1aがサンプリング用薄膜トランジスタTS
1bよりもサイズを小さくして、ゲート−ソース間容
量、ゲート−ドレイン間容量を小さくしたが、例えばサ
ンプリング用薄膜トランジスタTS1aとTS1bを構
成するそれぞれのトランジスタのチャネル長が同じ場
合、サンプリング用薄膜トランジスタTS1aのチャネ
ル幅を短く、サンプリング用薄膜トランジスタTS12
のチャネル幅を長くしても良い。その場合、サンプリン
グ用薄膜トランジスタTS1aはサンプリング用薄膜ト
ランジスタTS1bよりも駆動能力が小さいことになる
が、サンプリング用薄膜トランジスタTS1aのほうが
ゲート−ソース間容量、ゲート−ドレイン間容量が小さ
いため、サンプリング用薄膜トランジスタTS1aのゲ
ート電極に入力される制御信号による、電位変動のレベ
ル、つまりプッシュダウンのレベルが小さくなる。従っ
て、上述のようにサンプリング開始時と終了時にサンプ
リング用薄膜トランジスタTS1aのみを駆動させて開
始時と終了時の間の期間にサンプリング用薄膜トランジ
スタTS1bを駆動させれば、サンプリング開始時に急
激に列ラインをチャージすることによるノイズの発生、
基準電位の変動を抑制すると共に、サンプリング用スイ
ッチング素子の寄生容量に起因するサンプリング終了時
に生じる列ラインの電位変動を抑制することができる。
その結果、表示画面内の輝度むらを軽減することができ
る。
【0040】尚、本実施例ではサンプリング用の薄膜ト
ランジスタTSを、1本のソース線に対して2つ設けた
が、3つ以上であっても構わない。また、サンプリング
開始時のノイズ等が問題にならない場合は、図4に示す
ように第1期間を省略しても構わない。また、図5、6
に示すようにサンプリング用薄膜トランジスタTS1
a、TS1bをそれぞれ排他的にオン状態としても構わ
ない。更に、サンプリング用薄膜トランジスタTSは、
Nチャンネルタイプ、Pチャンネルタイプのどちらでも
構わず、両者を組み合わせて使用しても構わない。
【0041】(実施例2)図7は、発明にかかるアクテ
ィブマトリクス表示装置の第2の実施例のブロック図を
示す。尚、行制御回路1、行列状の液晶画素LC11、
LC12、…、LCmn、画素制御用薄膜トランジスタ
T11、T12、…、Tm、及び予備書込み用薄膜トラ
ンジスタTP1、TP2,…、TPnの構成、動作は実
施例1で説明した通りであるので、説明を省略する。実
施例1と異なる点を説明する。
【0042】列制御回路2は、シフトレジスタ3、可変
遅延回路6、パルス発生回路5から構成されている。
【0043】シフトレジスタ3は、列スタート信号DX
が入力されると、列クロック信号CLXに同期したサン
プリング基準信号R1、R2、…,Rnを生成し、可変
遅延回路6に入力する。可変遅延回路6では、遅延補正
信号DCに従って各サンプリング基準信号を遅延させ、
遅延タイミング信号D1a、D1b、D2a、D2b、
…、Dna、Dnbを生成する。パルス発生回路5は、
遅延タイミング信号Dを基準にサンプリング信号S1
a、S1b、S2a、S2b、…、Sna、Snbを出
力し、対応するサンプリング用薄膜トランジスタTS1
a、TS1b、TS2a、TS2b、…、TSna、T
Snbを開閉制御し、個々のソース線Xに画像信号VS
IGをサンプリングする。
【0044】次に、図8、9を参照して、具体的な動作
を説明する。図8は、実施例2のブロック図であり、図
9は図8の各種信号のタイミングチャートである。
【0045】遅延タイミング信号D1b、D2b、…、
Dnbは、それぞれサンプリング基準信号R1、R2、
…,Rnより遅延補正信号DCの値に従って遅延し、出
力される。 遅延タイミング信号D1a、D2a、…、
Dnaは、それぞれサンプリング基準信号R1、R2、
…,Rnと同じタイミングもしくは一定量の遅延を伴っ
て出力される。図8中では、遅延補正信号DCが徐々に
増加するように与えたあるため、第3期間はそれに伴っ
て短くなり、第2期間から第3期間に移行する際に生じ
るプッシュダウン電圧の改善効果が減少する。
【0046】一般に、ゲート線Yには抵抗成分、容量成
分が配線全体にわたって分布しているため、行制御回路
1から遠ざかるにつれてゲート波形がなまり、液晶画素
LCを制御する画素制御用薄膜トランジスタTにおける
プッシュダウン電圧が図9に示すように減少する。尚、
図9では、ゲート線Y1に接続される画素制御用薄膜ト
ランジスタT11、T12、…、T1nを例にした。こ
のように、遅延補正信号DCを適宜入力することで、サ
ンプリング用薄膜トランジスタTSで生じるプッシュダ
ウン電圧と、画素制御用薄膜トランジスタTで生じるプ
ッシュダウン電圧を加算した値を行制御回路1からの距
離とは無関係に均一にすることができ、表示画面内の輝
度むらを軽減することができる。
【0047】尚、図中では遅延補正信号DCをアナログ
値で示したが、デジタル値で入力するように可変遅延回
路6を構成してもよい。更に、可変遅延回路6にメモリ
機能を持たせ、遅延補正信号DCを用いて遅延情報を格
納してもよい。
【0048】(実施例3)図10は、本発明にかかるア
クティブマトリクス表示装置の第3の実施例のブロック
図を示す。尚、行制御回路1、行列状の液晶画素LC1
1、LC12、…、LCmn、画素制御用薄膜トランジ
スタT11、T12、…、Tm、及び予備書込み用薄膜
トランジスタTP1、TP2,…、TPnの構成、動作
は実施例1で説明した通りであるので、説明を省略す
る。実施例1と異なる点を説明する。
【0049】列制御回路2は、シフトレジスタ3、遅延
回路4、可変パルス発生回路7から構成されている。
【0050】シフトレジスタ3は、列スタート信号DX
が入力されると、列クロック信号CLXに同期したサン
プリング基準信号R1、R2、…,Rnを生成し、遅延
回路4に入力する。遅延回路4では、各サンプルホール
基準信号を所定時間遅延させ、遅延タイミング信号D1
a、D1b、D2a、D2b、…、Dna、Dnbを生
成する.可変パルス発生回路7は、遅延タイミング信号
Dを基準にパルス幅補正信号PWCに従ってパルス幅を
制御したサンプリング信号S1a、S1b、S2a、S
2b、…、Sna、Snbを出力し、対応するサンプリ
ング用薄膜トランジスタTS1a、TS1b、TS2
a、TS2b、…、TSna、TSnbを開閉制御し、
個々のソース線Xに画像信号VSIGをサンプリングす
る。
【0051】次に、図10、図11を参照して、具体的
な動作を説明する。図10は実施例3のブロック図であ
り、図11は図10のタイミングチャートである。
【0052】遅延タイミング信号D1a、D1b、D2
a、D2b、…、Dna、Dnbは、それぞれサンプリ
ング基準信号R1、R2、…,Rnと同じタイミングも
しくは一定量の遅延を伴って出力される。図11中で
は、パルス幅補正信号PWCが徐々に増加するように与
えているため、サンプリング信号S1b、 S2b、
…、 Snbのパルス幅は徐々に広くなると共に第3期
間は短くなり、第2期間から第3期間に移行する際に生
じるプッシュダウン電圧の改善効果が減少する。
【0053】一般に、行制御回路1から遠ざかるにつれ
ゲート線Yの抵抗成分、容量成分によってゲート波形が
なまり、液晶画素LCを制御する画素制御用薄膜トラン
ジスタTにおけるプッシュダウン電圧が図9に示すよう
に減少する。尚、図9では、ゲート線Y1に接続される
薄膜トランジスタを例にした。従って、パルス幅補正信
号PWCを適宜入力することで、サンプリング用薄膜ト
ランジスタTSで生じるプッシュダウン電圧と、画素制
御用薄膜トランジスタTで生じるプッシュダウン電圧を
加えた値を行制御回路1からの距離とは無関係に均一に
することができ、表示画面内の輝度むらを軽減すること
ができる。
【0054】尚、図中ではパルス幅補正信号PWCをア
ナログ値で示したが、デジタル値で入力するように可変
パルス発生回路7を構成してもよい。更に、可変パルス
発生回路7にメモリ機能を持たせ、パルス幅補正信号P
WCを用いて遅延情報を格納してもよい。
【0055】(アクティブマトリクス表示装置の全体構
成)以上のように構成されたアクティブマトリクス表示
装置の各実施形態の全体構成を図14及び図15を参照
して説明する。尚、図14は、TFTアレイ基板10を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側
から見た平面図であり、図15は、対向基板20を含め
て示す図14のH−H’断面図である。
【0056】図14において、TFTアレイ基板10の
上には、シール材52がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、周辺見切りとしての遮光膜5
3が設けられている。シール材52の外側の領域には、
列制御回路2及び実装端子102がTFTアレイ基板1
0の一辺に沿って設けられており、行制御回路1が、こ
の一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。ゲート
線Yに供給される走査信号遅延が問題にならないのなら
ば、行制御回路2は片側だけでも良いことは言うまでも
ない。また、列制御回路2を画像表示領域の辺に沿って
両側に配列してもよい。例えば奇数列のソース線は画像
表示領域の一方の辺に沿って配設された列制御回路から
画像信号を供給し、偶数列のソース線は前記画像表示領
域の反対側の辺に沿って配設された列制御回路から画像
信号を供給するようにしてもよい。この様にソース線X
を櫛歯状に駆動するようにすれば、列制御回路2の占有
面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成す
ることが可能となる。更にTFTアレイ基板10の残る
一辺には、画像表示領域の両側に設けられた行制御回路
1間をつなぐための複数の配線105が設けられてい
る。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇
所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20と
の間で電気的導通をとるための上下導通材106が設け
られている。そして、図15に示すように、図14に示
したシール材52とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板20が
当該シール材52によりTFTアレイ基板10に固着さ
れており、TFTアレイ基板10と対向基板20により
電気光学物質層50が封入されたアクティブマトリクス
表示装置が構成されている。また、対向基板20の電気
光学物質層50に面する側には、各画素の開口領域を規
定し、コントラスト比の向上や隣接画素間における混色
の防止のための一般にブラックマスク又はブラックマト
リクスと称される遮光膜22が設けられている。
【0057】(電子機器)次に、以上詳細に説明したア
クティブマトリクス表示装置100を備えた電子機器の
実施の形態について図16から図19を参照して説明す
る。
【0058】先ず図16に、このようにアクティブマト
リクス表示装置100を備えた電子機器の概略構成を示
す。
【0059】図16において、電子機器は、表示情報出
力源1000、表示情報処理回路1002、駆動回路1
004、アクティブマトリクス表示装置100、クロッ
ク発生回路1008並びに電源回路1010を備えて構
成されている。表示情報出力源1000は、ROM(Re
ad Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、
光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力
する同調回路等を含み、クロック発生回路1008から
のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信
号などの表示情報を表示情報処理回路1002に出力す
る。表示情報処理回路1002は、増幅・極性反転回
路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理
回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて
入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、ク
ロック信号CLKと共に駆動回路1004に出力する。駆
動回路1004は、アクティブマトリクス表示装置10
0を駆動する。電源回路1010は、上述の各回路に所
定電源を供給する。尚、アクティブマトリクス表示装置
100を構成するTFTアレイ基板の上に、駆動回路1
004を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回
路1002を搭載してもよい。
【0060】次に図17から図18に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。
【0061】図17において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ1100は、上述した駆動回路1004が
TFTアレイ基板上に搭載されたアクティブマトリクス
表示装置100を含む液晶表示モジュールを3個用意
し、各々RGB用のライトバルブ100R、100G及
び100Bとして用いたプロジェクタとして構成されて
いる。液晶プロジェクタ1100では、メタルハライド
ランプ等の白色光源のランプユニット1102から投射
光が発せられると、3枚のミラー1106及び2枚のダ
イクロイックミラー1108によって、RGBの3原色
に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応す
るライトバルブ100R、100G及び100Bに各々
導かれる。この際特にB光は、長い光路による光損失を
防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ112
3及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系11
21を介して導かれる。そして、ライトバルブ100
R、100G及び100Bにより各々変調された3原色
に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112
により再度合成された後、投射レンズ1114を介して
スクリーン1120にカラー画像として投射される。
【0062】図18において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ(PC)1200は、上述したアクティブマトリ
クス表示装置100がトップカバーケース内に設けられ
ており、更にCPU、メモリ、モデム等を収容すると共
にキーボード1202が組み込まれた本体1204を備
えている。
【0063】以上図17から図18を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション(EWS)、携帯電
話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図12に示した電子機器の例として挙げられ
る。
【0064】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能なアクティ
ブマトリクス表示装置を備えた各種の電子機器を実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1に示した本発明のブロック図。
【図2】図1に示した構成の各種信号のタイミングチャ
ート。
【図3】図1に示した薄膜トランジスタTSの動作例を
示す図。
【図4】図1に示した薄膜トランジスタTSの動作例を
示す図。
【図5】図1に示した薄膜トランジスタTSの動作例を
示す図。
【図6】図1に示した薄膜トランジスタTSの動作例を
示す図。
【図7】実施例2に示した本発明のブロック図。
【図8】図7に示した構成の各種信号のタイミングチャ
ート。
【図9】プッシュダウン電圧分布を示す図。
【図10】実施例3に示した本発明のブロック図。
【図11】図7に示した構成の各種信号のタイミングチ
ャート。
【図12】従来例のブロック図。
【図13】従来例の構成のタイミングチャート。
【図14】アクティブマトリクス表示装置の各実施形態
におけるTFTアレイ基板をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図15】図11のH−H’断面図である。
【図16】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。
【図17】電子機器の一例として液晶プロジェクタを示
す断面図である。
【図18】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピ
ュータを示す正面図である。
【符号の説明】
1 行制御回路 2 列制御回路 3 シフトレジスタ 4 遅延回路 5 パルス発生回路 6 可変遅延回路 7 可変パルス発生回路

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路におい
    て、 前記行ラインを選択する行制御回路と、 前記各列ラインに対して並列接続された複数のサンプリ
    ング用スイッチング素子と、 同一の前記列ラインに接続した複数の前記サンプリング
    用スイッチング素子を互いに異なるタイミングで開閉動
    作させると共に、複数の前記サンプリング用スイッチン
    グ素子の各々の開閉動作タイミングの相対的な時間間隔
    を前記列ライン毎に独立に設定する機能を有し、前記行
    ラインが選択される一水平走査期間毎に、前記サンプリ
    ング用スイッチング素子を介して画像信号を出力し、選
    択された前記行ラインに接続される前記画素制御用スイ
    ッチング素子に前記画像信号を供給する列制御回路とを
    備えたことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
  2. 【請求項2】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動方法におい
    て、 複数の前記行ラインを順次選択し、 同一の前記列ラインに接続した複数のサンプリング用ス
    イッチング素子を互いに異なるタイミングで開閉動作さ
    せると共に、複数の前記サンプリング用スイッチング素
    子の各々の開閉動作タイミングの相対的な時間間隔を前
    記列ライン毎に独立に設定し、 前記行ラインが選択される一水平走査期間毎に、前記サ
    ンプリング用スイッチング素子を介して画像信号を出力
    して選択された前記行ラインに接続される前記画素制御
    用スイッチング素子に前記画像信号を供給し、 前記一水平走査期間内において、前記画像信号が出力さ
    れる前に、前記列ラインに予備信号を出力することを特
    徴とする電気光学装置の駆動方法。
  3. 【請求項3】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路におい
    て、 前記行ラインを選択する行制御回路と、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けた
    サンプリング用スイッチング素子と、 同一の前記列ラインに接続した複数の前記サンプリング
    用スイッチング素子を互いに異なるタイミングで開閉動
    作させると共に、複数の前記サンプリング用スイッチン
    グ素子の各々が閉状態となる時間幅を前記列ライン毎に
    独立に設定する機能を有し、前記行ラインが選択される
    一水平走査期間毎に、前記サンプリング用スイッチング
    素子を介して画像信号を出力し、選択された前記行ライ
    ンに接続される前記画素制御用スイッチング素子に前記
    画像信号を供給する列制御回路とを備えたことを特徴と
    する電気光学装置の駆動回路。
  4. 【請求項4】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動方法におい
    て、 前記行ラインを順次選択し、 同一の前記列ラインに並列接続した第1及び第2のサン
    プリング用スイッチング素子を互いに異なるタイミング
    で開閉動作させると共に、複数の前記第1及び第2サン
    プリング用スイッチング素子の各々が閉状態となる時間
    幅を前記列ライン毎に独立に設定し、前記行ラインが選
    択される一水平走査期間毎に、前記サンプリング用スイ
    ッチング素子介して画像信号を出力して前記選択された
    行ラインに接続される前記画素制御用スイッチング素子
    に前記画像信号を供給することを特徴とする電気光学装
    置の駆動方法。
  5. 【請求項5】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路におい
    て、 前記行ラインを選択する行制御回路と、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けら
    れた第1及び第2サンプリング用スイッチング素子と、 前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン状態に
    して前記第2サンプリング用スイッチング素子をオフ状
    態にし、 前記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子をと
    もにオン状態にし、 前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン状態に
    して前記第2サンプリング用スイッチング素子をオフ状
    態にする前記第1及び第2サンプリング用スイッチング
    素子に制御信号を供給するための列制御回路と、を備え
    たことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
  6. 【請求項6】 前記第1及び第2サンプリング用スイッ
    チング素子はトランジスタからなり、前記第1サンプリ
    ング用スイッチング素子のトランジスタは前記第2サン
    プリング用スイッチング素子のトランジスタよりもサイ
    ズが小さいことを特徴とする請求項5に記載の電気光学
    装置の駆動回路。
  7. 【請求項7】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子と、前記画像信号をサンプリングして前記
    列ラインに供給するために前記列ラインに並列接続され
    た第1及び第2サンプリング手段と、前記第1及び第2
    サンプリング手段に制御信号を供給するための列制御回
    路とを有する電気光学装置の駆動方法であって、 前記行ラインを順次選択し、 前記列制御回路からの出力に応じて、前記第1サンプリ
    ング用スイッチング素子をオン状態にして前記第2サン
    プリング用スイッチング素子をオフ状態にし、 前記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子をと
    もにオン状態にし、 前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン状態に
    して前記第2サンプリング用スイッチング素子をオフ状
    態にすることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
  8. 【請求項8】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路におい
    て、 前記行ラインを選択する行制御回路と、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けら
    れた第1及び第2サンプリング用スイッチング素子と、 前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン状態に
    する第1期間と、前記第1期間後に前記第2サンプリン
    グ用スイッチング素子をオン状態にする第2期間と、前
    記第2期間後に前記第1サンプリング用スイッチング素
    子をオン状態にする第3期間を規定するように、前記第
    1及び第2サンプリング用スイッチング素子に制御信号
    を供給するための列制御回路と、を備えたことを特徴と
    する電気光学装置の駆動回路。
  9. 【請求項9】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動回路におい
    て、 前記行ラインを選択する行制御回路と、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けら
    れた第1及び第2サンプリング用スイッチング素子と、 前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン状態に
    する第1期間と、前記第2サンプリング用スイッチング
    素子をオン状態にする第2期間とを有し、前記列ライン
    に対して設けられた前記第1及び第2サンプリング用ス
    イッチング素子間で、前記第2サンプリング用スイッチ
    ング素子の前記第2期間を規定するタイミングが、前記
    第1サンプリング用スイッチング素子の前記第1期間内
    で可変制御されるように、前記第1及び第2サンプリン
    グ用スイッチング素子に制御信号を供給するための列制
    御回路とを備え、 前記列制御回路は、前記列ラインに対して設けられた前
    記第1及び第2サンプリング用スイッチング素子間で、
    前記第2サンプリング用スイッチング素子の前記第2期
    間を規定 するタイミングは、前記第1サンプリング用ス
    イッチング素子のオン状態から前記第2サンプリング用
    スイッチング素子をオン状態にするまでのタイミングを
    可変にする ことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
  10. 【請求項10】 前記第1サンプリング用スイッチング
    素子は、前記第2サンプリング用スイッチング素子に対
    してオン抵抗が高いことを特徴とする請求項8または9
    の電気光学装置の駆動回路。
  11. 【請求項11】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動方法におい
    て、 前記行ラインを順次選択し、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けら
    れた第1及び第2サンプリング用スイッチング素子に対
    して、前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン
    状態にする第1期間と、前記第1期間後に前記第2サン
    プリング用スイッチング素子をオン状態にする第2期間
    と、前記第2期間後に前記第1サンプリング用スイッチ
    ング素子をオン状態にする第3期間を規定するように、
    制御信号を供給することを特徴とする電気光学装置の駆
    動方法。
  12. 【請求項12】 画像信号が供給される複数の列ライン
    と、走査信号が供給される複数の行ラインと、前記各列
    ライン及び前記各行ラインに接続された画素制御用スイ
    ッチング素子とを備えた電気光学装置の駆動方法におい
    て、 前記行ラインを順次選択し、 前記列ラインの各々に対して少なくとも2つずつ設けら
    れた第1及び第2サンプリング用スイッチング素子に対
    して、前記第1サンプリング用スイッチング素子をオン
    状態にする第1期間と、前記第2サンプリング用スイッ
    チング素子をオン状態にする第2期間とを有し、前記列
    ラインに対して設けられた前記第1及び第2サンプリン
    グ用スイッチング素子間で、前記第2サンプリング用ス
    イッチング素子の前記第2期間を規定するタイミング
    が、前記第1サンプリング用スイッチング素子のオン状
    態から前記第2サンプリング用スイッチング素子をオン
    状態にするまでのタイミングを可変にするように、制御
    信号を供給することを特徴とする電気光学装置の駆動方
    法。
  13. 【請求項13】 前記請求項1、請求項3、請求項5、
    請求項6、請求項8乃至10のいずれか一項に記載の電
    気光学装置の駆動回路を備えたことを特徴とする電気光
    学装置。
  14. 【請求項14】 前記請求項13に記載の前記電気光学
    装置を備えたことを特徴とする電子機器。
JP27373398A 1998-09-28 1998-09-28 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器 Expired - Fee Related JP3525763B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27373398A JP3525763B2 (ja) 1998-09-28 1998-09-28 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27373398A JP3525763B2 (ja) 1998-09-28 1998-09-28 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000098982A JP2000098982A (ja) 2000-04-07
JP3525763B2 true JP3525763B2 (ja) 2004-05-10

Family

ID=17531815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27373398A Expired - Fee Related JP3525763B2 (ja) 1998-09-28 1998-09-28 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3525763B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196701A (ja) * 2000-12-22 2002-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の駆動回路及び表示装置の駆動方法
KR100750918B1 (ko) * 2001-01-04 2007-08-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 구동 장치
JP4518717B2 (ja) * 2001-09-28 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3707472B2 (ja) 2002-03-22 2005-10-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US7151538B2 (en) * 2003-02-28 2006-12-19 Sony Corporation Display device and projection type display device
JP4105132B2 (ja) 2003-08-22 2008-06-25 シャープ株式会社 表示装置の駆動回路、表示装置および表示装置の駆動方法
WO2007058018A1 (ja) * 2005-11-16 2007-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置およびその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000098982A (ja) 2000-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3832125B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP3704716B2 (ja) 液晶装置及びその駆動方法、並びにそれを用いた投写型表示装置及び電子機器
JP3661193B2 (ja) 液晶装置及びその駆動方法、並びにそれを用いた投写型表示装置及び電子機器
US7224341B2 (en) Driving circuit system for use in electro-optical device and electro-optical device
KR100264506B1 (ko) 화상 표시 장치와 화상 표시 방법과 표시 구동 장치와 이를 이용한 전자기기
US7580018B2 (en) Liquid crystal display apparatus and method of driving LCD panel
JP2008191561A (ja) 電気光学装置、駆動方法および電子機器
US6781565B2 (en) Electro-optical device, driving circuit and driving method of electro-optical device, and electronic apparatus
KR100317823B1 (ko) 평면표시장치와, 어레이기판 및 평면표시장치의 구동방법
JP3525763B2 (ja) 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器
JP3661324B2 (ja) 画像表示装置、画像表示方法及び表示駆動装置並びにそれを用いた電子機器
JPH1165536A (ja) 画像表示装置、画像表示方法及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置
JP4645494B2 (ja) 電気光学装置、その駆動回路および電子機器
JP5023740B2 (ja) 電気光学装置、データ信号の供給回路、供給方法および電子機器
JP4258501B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器並びに電気光学装置の駆動方法
JP3341530B2 (ja) アクティブマトリクス表示装置
JP3893819B2 (ja) 電気光学装置の駆動回路、データ線駆動回路、走査線駆動回路、電気光学装置、および電子機器
JP4645493B2 (ja) 電気光学装置、その駆動回路および電子機器
JP3726589B2 (ja) 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電気光学装置の駆動方法
JP4678345B2 (ja) 電気光学装置、表示データの処理回路、処理方法および電子機器
JP4353203B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器並びに電気光学装置の駆動方法
JP2004233808A (ja) 液晶装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP2003202847A (ja) 液晶装置及びその駆動方法、並びにそれを用いた投写型表示装置及び電子機器
JP4492444B2 (ja) 電気光学装置の駆動回路及び駆動方法、電気光学装置並びに電子機器
JP2002229500A (ja) シフトレジスタ、電気光学装置、駆動回路、パルス信号の転送方法および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees