JP3510507B2 - ラッチ回路 - Google Patents

ラッチ回路

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    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
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    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors
    • H03K3/356113Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
    • H03K3/35613Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration
    • H03K3/356139Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit the input circuit having a differential configuration with synchronous operation

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ラッチ回路に関
し、特に、クロック信号の変化エッジでデータをラッチ
するラッチ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のラッチ回路は、クロック信号な
どの制御信号の変化エッジで入力データをラッチするた
め、集積回路または装置の内部の論理回路として広く用
いられている。たとえば、図3は、この従来のラッチ回
路の構成を示すブロック図である。
【0003】この従来のラッチ回路は、クロック信号C
LKを反転し反転クロック信号iCLKを出力するイン
バータ51と、入出力間に縦続接続されクロック信号C
LK,反転クロック信号iCLKに対応して入出力間信
号伝達をそれぞれ制御するマスタ部52,スレーブ部5
3とを備える。また、これらマスタ部52,スレーブ部
53は、反転クロック信号iCLK,クロック信号CL
Kを制御信号とし入力信号を伝達する入力トランスファ
ゲート521,531と、伝達された入力信号を増幅す
る2段インバータ522〜523,532〜533と、
クロック信号CLK,反転クロック信号iCLKを制御
信号とし2段インバータ522〜523,532〜53
3の出力を入力に帰還する帰還トランスファゲート52
4,534とを備えている。
【0004】この従来のラッチ回路の動作を簡単に説明
すると、たとえば、クロック信号CLKのロウレベルに
対応して、まず、マスタ部52が入力信号DINを伝達
して取り込み、スレーブ部53が保持している信号をラ
ッチ出力信号Qとして出力する。次に、クロック信号C
LKがハイレベルに変化し、変化したハイレベルに対応
して、マスタ部52が取り込んだ入力信号を保持し、同
時に、この保持された信号をスレーブ部53が伝達して
取り込みラッチ出力信号Qとして出力する。従って、ラ
ッチ回路は、クロック信号CLKのロウレベルからハイ
レベルへの変化に同期して、入力信号DINをラッチし
出力信号Qとして出力する。
【0005】このラッチ回路の動作を保証するため、ク
ロック信号CLKの変化タイミングを基準して入力信号
DINの変化タイミングを規定するスペック値として、
セットアップ時間またはホールド時間が設定されてい
る。セットアップ時間は、クロック信号CLK変化の前
に変化した入力信号DINがラッチされるために必要な
最小時間であり、ホールド時間は、クロック信号CLK
変化の後に入力信号DINがラッチされるために必要な
最小時間である。
【0006】これらセットアップ時間,ホールド時間
は、1つのラッチ回路に対しては、回路定数が固定され
ているため、一般的に、定義により正負が異なる同等の
値となる。複数のラッチ回路に対しては、各ラッチ回路
のクロック信号,入力信号の変化タイミングが外部条件
により異なるため、1節点におけるクロック信号を基準
としたセットアップ時間,ホールド時間はそれぞればら
つき、全体としてのセットアップ時間,ホールド時間
は、それぞれの最悪値になり、各ラッチ回路へのクロッ
ク信号,入力信号の遅延が回路設計の対象になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この従来のラッチ回路
が使用されるSDRAMまたはDDR−SDRAMは、
高速動作のため、従来のDRAMに比べてセットアップ
タイムまたはホールドタイムが厳しいものになってい
る。この高速動作に対応して従来のラッチ回路に要求さ
れるセットアップ時間またはホールド時間を満足するこ
とが困難になってきている。
【0008】その理由は、クロック信号CLK変化の前
に変化した入力信号DINがラッチされる最小時間がセ
ットアップ時間であり、入力信号CLK変化後、変化し
た入力信号DINがマスタ部52の帰還トランスファゲ
ート524まで信号伝搬し、クロック信号CLK変化に
対応した帰還トランスファゲート524のオンにより保
持データとして確定する最小伝搬時間に相当し、ラッチ
回路の種類によりラッチ回路内部の遅延時間がばらつ
き、設計が難しいためである。また、ホールド時間につ
いても、同様である。
【0009】したがって、本発明の目的は、クロック信
号を基準としたセットアップ時間,ホールド時間の絶対
値そのものを最小化し集積回路のタイミング設計を容易
化することにある。
【0010】そのため、本発明のラッチ回路は、クロッ
ク信号を反転遅延時間を持ち反転クロック信号を出力
するインバータと、前記クロック信号の一レベルで2節
点をプリチャージし他レベルで活性化され前記2節点間
の電位差を差動増幅し且つ前記クロック信号および前記
反転クロック信号が共に他レベルであるとき同相および
逆相の差動入力信号対の各電位に対応して前記2節点の
プリチャージ電荷をそれぞれ引き抜き前記2節点間に
位差を発生させる差動増幅部と、前記2節点の信号に対
応してセットまたはリセットされるフリップフロップと
を備えている。
【0011】前記差動増幅部が、前記同相または逆相の
差動入力信号,前記クロック信号,前記反転クロック信
号をそれぞれゲート入力する3トランジスタを前記2節
点と接地端子との間にそれぞれ直列接続している。
【0012】また、前記差動増幅部が、前記クロック信
号をそれぞれゲート入力するトランジスタを前記2節点
と電源端子との間にそれぞれ備えている。
【0013】また、前記差動増幅部が、前記クロック信
号をゲート入力するトランジスタを前記2節点の間に備
えている。
【0014】また、前記差動増幅部が、前記2節点の信
号をそれぞれ反転しセット信号,リセット信号を前記フ
リップフロップにそれぞれ出力する出力バッファを備え
ている。
【0015】さらに、入力信号を入力し前記差動入力信
号対をそれぞれ出力する入力バッファを備えている。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
し説明する。図1は、本発明のラッチ回路の実施形態を
示すブロック図である。
【0017】図1を参照すると、本実施形態のラッチ回
路は、インバータ1と、入力バッファ21,22と、差
動増幅部3と、フリップフロップ4とを備えている。
【0018】インバータ1は、クロック信号CLKを反
転出力する遅延時間を持ち反転クロック信号iCLKを
出力し、入力バッファ21,22は、入力信号DINを
入力し同相および逆相の差動入力信号対DI,iDIを
それぞれ出力する。
【0019】差動増幅部3は、クロック信号CLKをゲ
ート入力するN型トランジスタ301を介して活性化時
に接地電位が供給される2インバータ310,320を
備え、これらインバータ310,320の入出力を互い
に縦続接続した2節点A,Bが不活性化時にプリチャー
ジされ、活性化時に、このプリチャージ電荷をインバー
タ1の遅延時間に差動入力信号対DI,iDIの各電位
に対応して引き抜き、2節点A,B間に発生した電位差
を差動増幅する。
【0020】フリップフロップ4は、2節点A,Bの信
号に対応してセットまたはリセットされ、本実施形態で
は、2つの2入力NORゲートから構成されている。
【0021】さらに、差動増幅部3は、N型トランジス
タ351〜353,361〜363と、P型トランジス
タ302〜304と、出力バッファ331,332とを
備えている。
【0022】N型トランジスタ351〜353は、差動
入力信号DI,クロック信号CLK,反転クロック信号
iCLKをそれぞれゲート入力し、節点Aと接地端子と
の間に直列接続されている。また、N型トランジスタ3
61〜363は、差動入力信号iDI,クロック信号C
LK,反転クロック信号iCLKをそれぞれゲート入力
し、節点Bと接地端子との間に直列接続されている。
【0023】P型トランジスタ302,303は、クロ
ック信号CLKをそれぞれゲート入力し、2節点A,B
と電源端子との間にそれぞれ接続され、2節点A,Bを
不活性化時にプリチャージする。また、P型トランジス
タ304は、クロック信号CLKをゲート入力し、2節
点A,Bの間に接続され、2節点A,Bの電位を不活性
化時に等電位にする。
【0024】出力バッファ331,332は、2節点
A,Bの信号をそれぞれ反転しセット信号S,リセット
信号Rをフリップフロップ4にそれぞれ出力する。
【0025】図2は、本実施形態のラッチ回路の動作例
を示す波形図である。図1,2を参照し、本実施形態の
ラッチ回路の動作について説明する。
【0026】まず、クロック信号CLKがロウレベルの
とき、P型トランジスタ302,303,304はオン
し、2節点A,Bはプリチャージされ、イコライズされ
る。このとき、入力信号DINがロウレベルからハイレ
ベルに変化し、同相および逆相の差動入力信号対DI,
iDIがそれぞれ反転し、N型トランジスタ251がオ
フからオンに反転しても、N型トランジスタ301,3
52,362は共にオフし、2節点A,Bにプリチャー
ジされる電荷が引き抜かれることは無い。2節点A,B
がVDDレベルにプリチャージされている時は、セット
信号S,リセット信号Rはロウレベルであるため、フリ
ップフロップ4はトリガされず、ラッチ出力信号Qは変
化しない。
【0027】次に、クロック信号CLKがハイレベルに
遷移すると、P型トランジスタ302,303,304
はオフし、2節点A,Bのプリチャージおよびイコライ
ズは終了する。代わって、反転クロック信号iCLKが
インバータ1の遅延時間の間ハイレベルであり、N型ト
ランジスタ301,352,353,362,363は
共にオンし、N型トランジスタ351,361がそれぞ
れオン,オフしているので、節点Aにプリチャジされ電
荷は引き抜かれ、節点Bにプリチャジされ電荷は引き抜
かれず、2節点A,Bに電位差が発生する。
【0028】同時に、インバータ310,320はN型
トランジスタ301により接地電圧が供給されているの
で、2節点A,Bに発生した電位差はさらに差動増幅さ
れ、また、反転クロック信号iCLKが、インバータ1
の遅延時間の後、ハイレベルからロウレベルに変化し、
N型トランジスタ353,363がオフしても、インバ
ータ310,320はN型トランジスタ301により接
地電圧が供給されているので、2節点A,Bに発生した
電位差の差動増幅が続行される。
【0029】この差動増幅の結果、2節点A,Bに対応
したセット信号S,リセット信号の中、セット信号S
のみが、ロウレベルからハイレベルに変化し、フリップ
フロップ4がセットされ、ラッチ出力信号Qはハイレベ
ルを出力する。
【0030】次に、クロック信号CLKがハイレベルか
らロウレベルに変化すると、P型トランジスタ302,
303,304はオンし、2節点A,Bはプリチャージ
され、イコライズされる。このとき、入力信号DINが
ハイレベルからロウレベルに変化し、同相および逆相の
差動入力信号対DI,iDIがそれぞれ反転し、N型ト
ランジスタ361がオフからオンに反転しても、N型ト
ランジスタ301,352,362は共にオフし、2節
点A,Bにプリチャージされる電荷が引き抜かれること
は無い。2節点A,BがVDDレベルにプリチャージさ
れている時は、セット信号S,リセット信号Rはロウレ
ベルであるため、フリップフロップ4はトリガされず、
ラッチ出力信号Qは変化しない。
【0031】次に、クロック信号CLKがハイレベルに
遷移すると、P型トランジスタ302,303,304
はオフし、2節点A,Bのプリチャージおよびイコライ
ズは終了する。代わって、反転クロック信号iCLKが
インバータ1の遅延時間の間ハイレベルであり、N型ト
ランジスタ301,352,353,362,363は
共にオンし、N型トランジスタ351,361がそれぞ
れオフ,オンしているので、節点Aにプリチャジされ電
荷は引き抜かれず、節点Bにプリチャジされ電荷は引き
抜かれ、2節点A,Bに電位差が発生する。
【0032】同時に、インバータ310,320はN型
トランジスタ301により接地電圧が供給されているの
で、2節点A,Bに発生した電位差はさらに差動増幅さ
れ、また、反転クロック信号iCLKが、インバータ1
の遅延時間の後、ハイレベルからロウレベルに変化し、
N型トランジスタ353,363がオフしても、インバ
ータ310,320はN型トランジスタ301により接
地電圧が供給されているので、2節点A,Bに発生した
電位差の差動増幅が続行される。
【0033】この差動増幅の結果、2節点A,Bに対応
したセット信号S,リセット信号の中、リセット信号
Rのみが、ロウレベルからハイレベルに変化し、フリッ
プフロップ4がリセットされ、ラッチ出力信号Qはロウ
レベルを出力する。
【0034】上述したように、本実施形態のラッチ回路
のラッチ出力信号Qは、クロック信号CLKの立ち上が
りエッジから次の立ち上がりエッジまで入力信号DIN
をラッチした動作波形となる。
【0035】本実施形態のラッチ回路において、これら
各クロック信号CLKの立ち上がり時の2節点A,B間
の微少な電位差の発生が、同相および逆相の差動入力信
号対DI,iDIの電位差すなわち入力信号DINのレ
ベルに対応した保持データの確定になるので、クロック
信号CLKの立ち上がりエッジに対する入力信号DIN
のセットアップ時間またはホールド時間が、従来のラッ
チ回路に比較して著しく小さくなり、ゼロ値に近づき、
集積回路のタイミング設計が容易になる。
【0036】また、高速動作が要求されるSDRAMま
たはDDR−SDRAMの場合、センス回路が多数用い
られている。これら多数のセンス回路は、本実施形態の
ラッチ回路の差動増幅部と同様に差動増幅を行い、同等
のタイミング特性を電源電圧または温度に対して持つ。
このため、SDRAMまたはDDR−SDRAMに本実
施形態のラッチ回路が用いられた場合、多数のセンス回
路およびラッチ回路に対し、同じタイミング設計を適用
でき、SDRAMまたはDDR−SDRAMのタイミン
グ設計が容易になる。
【0037】なお、本実施形態として、クロック信号の
立ち上がりエッジにおいて、入力信号をラッチする回路
について説明したが、本実施形態の変形例として、SD
RAMなどの回路使用に基づいて、クロック信号の立ち
下がりエッジで入力信号をラッチする回路を構成でき、
さらには、これら2つの回路を並列接続することによ
り、立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの双方で
入力信号をラッチする回路を構成できることは明らかで
ある。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるラッ
チ回路は、セットアップ時間またはホールド時間が従来
のラッチ回路に比較して著しく小さくなり、ゼロ値に近
づき、集積回路のタイミング設計が容易になる。
【0039】また、SDRAMまたはDDR−SDRA
Mに用いられた場合、多数のセンス回路およびラッチ回
路が、同等のタイミング特性を電源電圧または温度に対
して持ち、同じタイミング設計を適用でき、SDRAM
またはDDR−SDRAMのタイミング設計が容易にな
るなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のラッチ回路の実施形態を示すブロック
図である。
【図2】図1のラッチ回路の動作例を示す波形図であ
る。
【図3】従来のラッチ回路の構成を示すブロック図であ
る。
【符号の説明】
1,21,22,51,522,523,532,53
3 インバータ 21,22 入力バッファ 3 差動増幅部 301,351〜353,361〜363 N型トラ
ンジスタ 302〜304 P型トランジスタ 310,320 インバータ 331,332 出力バッファ 4 フリップフロップ 521,531 入力トランスファゲート 524,534 帰還トランスファゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 3/0233 H03K 3/3562

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力されるクロック信号を反転し所定の
    遅延時間を持つ反転クロック信号を出力するインバータ
    と、 同相および逆相の差動入力信号対を受ける第1及び第2
    の2節点を備える差動増幅部であって、前記クロック信
    号の一レベルで前記第1及び第2の2節点を前記電源端
    子に接続することによりプリチャージする第1のトラン
    ジスタと、前記クロック信号の他レベルで活性化される
    と共に前記第1及び第2の2節点間の電位差を差動増幅
    し且つ前記クロック信号および前記反転クロック信号が
    共に他レベルであるとき前記同相および逆相の差動入力
    信号対の各電位に対応して前記第1及び第2の2節点の
    プリチャージ電荷を接地端子に接続することによりそれ
    ぞれ引き抜き前記第1及び第2の2節点間に電位差を発
    生させるために、前記第1の節点と前記接地端子との間
    に直列に設けられ前記同相の差動入力信号、前記クロッ
    ク信号、前記反転クロック信号をそれぞれゲート入力と
    する第2、第3、第4のトランジスタと、前記第2の節
    点と前記接地端子との間に直列に設けられ前記逆層の差
    動入力信号、前記クロック信号、前記反転クロック信号
    をそれぞれゲート入力とする第5、第6、第7のトラン
    ジスタと備える差動増幅部と、前記前記第1及び第2の
    2節点の信号に対応してセットまたはリセットされるフ
    リップフロップとを備えるラッチ回路。
  2. 【請求項2】 前記差動増幅部が、前記2節点の信号を
    それぞれ反転しセット信号,リセット信号を前記フリッ
    プフロップにそれぞれ出力する出力バッファを備える、
    請求項1記載のラッチ回路。
  3. 【請求項3】 入力信号を受け、前記差動入力信号対を
    それぞれ出力する入力バッファを備える、請求項1また
    は2記載のラッチ回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10461750B2 (en) 2017-06-28 2019-10-29 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897697B2 (en) * 1999-06-28 2005-05-24 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process
US6424194B1 (en) 1999-06-28 2002-07-23 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS logic family
US6340899B1 (en) 2000-02-24 2002-01-22 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS circuits with inductive broadbanding
CA2313948A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-07 Mosaid Technologies Incorporated Low delay, conditional differential data sense and capture scheme for a high speed dram
JP2002111451A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Sony Corp ラッチ、およびd型フリップフロップ
US6396309B1 (en) * 2001-04-02 2002-05-28 Intel Corporation Clocked sense amplifier flip flop with keepers to prevent floating nodes
KR100394573B1 (ko) * 2001-05-31 2003-08-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 센스앰프회로
US6507222B1 (en) * 2001-07-23 2003-01-14 Cirrus Logic, Inc. High speed single ended sense amplifier
US7212534B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Broadcom Corporation Flow based congestion control
JP4680448B2 (ja) * 2001-09-04 2011-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高速サンプリングレシーバー
US6472920B1 (en) * 2001-09-17 2002-10-29 Agere Systems Inc. High speed latch circuit
US7295555B2 (en) 2002-03-08 2007-11-13 Broadcom Corporation System and method for identifying upper layer protocol message boundaries
KR100468749B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-29 삼성전자주식회사 고속 동작을 위한 플립플롭
US7411959B2 (en) 2002-08-30 2008-08-12 Broadcom Corporation System and method for handling out-of-order frames
US7934021B2 (en) 2002-08-29 2011-04-26 Broadcom Corporation System and method for network interfacing
US7346701B2 (en) 2002-08-30 2008-03-18 Broadcom Corporation System and method for TCP offload
US8180928B2 (en) 2002-08-30 2012-05-15 Broadcom Corporation Method and system for supporting read operations with CRC for iSCSI and iSCSI chimney
US7313623B2 (en) 2002-08-30 2007-12-25 Broadcom Corporation System and method for TCP/IP offload independent of bandwidth delay product
JP3542351B2 (ja) * 2002-11-18 2004-07-14 沖電気工業株式会社 クロック切り替え回路
JP3874733B2 (ja) * 2003-02-28 2007-01-31 富士通株式会社 高速入力信号の受信回路
KR100532507B1 (ko) * 2004-03-05 2005-11-30 삼성전자주식회사 안정된 출력 스윙 폭과 안정된 지연 시간을 가지는 증폭회로
JP4524453B2 (ja) * 2004-03-05 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 フリップフロップ回路
US7057421B2 (en) * 2004-04-22 2006-06-06 Winbond Electronics Corp. Flipflop
JP2006295322A (ja) * 2005-04-06 2006-10-26 Nec Electronics Corp レベルシフタ回路
KR20060114055A (ko) * 2005-04-27 2006-11-06 삼성전자주식회사 감지 증폭기를 기반으로 한 플립-플롭 회로
JP2008131320A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sony Corp フリップフロップ回路および表示装置
US8615205B2 (en) * 2007-12-18 2013-12-24 Qualcomm Incorporated I-Q mismatch calibration and method
US8970272B2 (en) 2008-05-15 2015-03-03 Qualcomm Incorporated High-speed low-power latches
US8712357B2 (en) * 2008-11-13 2014-04-29 Qualcomm Incorporated LO generation with deskewed input oscillator signal
US8718574B2 (en) 2008-11-25 2014-05-06 Qualcomm Incorporated Duty cycle adjustment for a local oscillator signal
US8847638B2 (en) 2009-07-02 2014-09-30 Qualcomm Incorporated High speed divide-by-two circuit
US8791740B2 (en) 2009-07-16 2014-07-29 Qualcomm Incorporated Systems and methods for reducing average current consumption in a local oscillator path
KR20120115318A (ko) 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2012109971A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 高速量子化器
US8742796B2 (en) * 2011-01-18 2014-06-03 Nvidia Corporation Low energy flip-flops
US8854098B2 (en) 2011-01-21 2014-10-07 Qualcomm Incorporated System for I-Q phase mismatch detection and correction
US9911470B2 (en) 2011-12-15 2018-03-06 Nvidia Corporation Fast-bypass memory circuit
US9154077B2 (en) 2012-04-12 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Compact high frequency divider
US8885386B2 (en) * 2012-10-24 2014-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Write driver in sense amplifier for resistive type memory
US9435861B2 (en) 2012-10-29 2016-09-06 Nvidia Corporation Efficient scan latch systems and methods
US8988123B2 (en) 2012-12-14 2015-03-24 Nvidia Corporation Small area low power data retention flop
US9842631B2 (en) 2012-12-14 2017-12-12 Nvidia Corporation Mitigating external influences on long signal lines
US10141930B2 (en) 2013-06-04 2018-11-27 Nvidia Corporation Three state latch
KR20160005535A (ko) * 2014-07-07 2016-01-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 리시버 회로
US9966935B2 (en) * 2015-02-25 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Latch circuit and method of operating the latch circuit
US9525401B2 (en) 2015-03-11 2016-12-20 Nvidia Corporation Low clocking power flip-flop
US9559674B2 (en) * 2015-05-14 2017-01-31 Mediatek Inc. Low-ripple latch circuit for reducing short-circuit current effect
US9722611B2 (en) 2015-09-01 2017-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor circuits
US10033386B2 (en) 2015-09-01 2018-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor circuits
US10038429B1 (en) * 2017-08-22 2018-07-31 Qualcomm Incorporated High-speed soft-edge sense-amplifier-based flip-flop
US10447290B2 (en) * 2017-12-11 2019-10-15 Texas Instruments Incorporated Reduced noise dynamic comparator for a successive approximation register analog-to-digital converter
US10861507B2 (en) * 2019-03-28 2020-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. Sense amplifier with increased headroom
US11177796B2 (en) * 2020-04-06 2021-11-16 Cisco Technology, Inc. Sense amplifier flip-flop

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1238022B (it) * 1989-12-22 1993-06-23 Cselt Centro Studi Lab Telecom Discriminatore differenziale di tensione in tecnologia c-mos.
KR0131163B1 (ko) * 1994-07-28 1998-10-01 김주용 주/종속 플립-플롭
US5748020A (en) * 1996-02-02 1998-05-05 Lsi Logic Corporation High speed capture latch
US5977798A (en) * 1997-02-28 1999-11-02 Rambus Incorporated Low-latency small-swing clocked receiver
US6107853A (en) * 1998-11-09 2000-08-22 Texas Instruments Incorporated Sense amplifier based flip-flop

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10461750B2 (en) 2017-06-28 2019-10-29 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US10784866B2 (en) 2017-06-28 2020-09-22 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US11121710B2 (en) 2017-06-28 2021-09-14 Kioxia Corporation Semiconductor device
US11621712B2 (en) 2017-06-28 2023-04-04 Kioxia Corporation Semiconductor device

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KR100342454B1 (ko) 2002-06-28
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KR20000035732A (ko) 2000-06-26

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