JP3505502B2 - オンスクリーン表示形成装置と方法 - Google Patents
オンスクリーン表示形成装置と方法Info
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- JP3505502B2 JP3505502B2 JP2000324322A JP2000324322A JP3505502B2 JP 3505502 B2 JP3505502 B2 JP 3505502B2 JP 2000324322 A JP2000324322 A JP 2000324322A JP 2000324322 A JP2000324322 A JP 2000324322A JP 3505502 B2 JP3505502 B2 JP 3505502B2
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Description
【０００１】本発明の分野
本発明は、オンスクリーン表示形成装置と方法、特に、
オンスクリーン表示フォントを生成する装置と方法に関
する。尚、オンスクリーン表示フォントはフォントフラ
ッシュ読み出し専用メモリに格納されている。
オンスクリーン表示フォントを生成する装置と方法に関
する。尚、オンスクリーン表示フォントはフォントフラ
ッシュ読み出し専用メモリに格納されている。
【０００２】本発明の背景
アナログモニタが、モニタマーケットで人気の製品とな
っているデジタルモニタに徐々に置き換わってきてお
り、これらのデジタルモニタに組み込まれるオンスクリ
ーン表示（ＯＳＤ）デバイスが幾つかのパラメータを調
整する際に重要な役割を果たしている。例えば、コント
ラスト、明るさ、垂直／水平方向の大きさ、幾何学的形
状等のパラメータを介して最高の表示品質を得るため
に、ＯＳＤデバイスはユーザに対話的な情報を提供す
る。
っているデジタルモニタに徐々に置き換わってきてお
り、これらのデジタルモニタに組み込まれるオンスクリ
ーン表示（ＯＳＤ）デバイスが幾つかのパラメータを調
整する際に重要な役割を果たしている。例えば、コント
ラスト、明るさ、垂直／水平方向の大きさ、幾何学的形
状等のパラメータを介して最高の表示品質を得るため
に、ＯＳＤデバイスはユーザに対話的な情報を提供す
る。
【０００３】従来は、マスクＲＯＭに格納されるＯＳＤ
フォントを作成するには長い時間がかかるだけでなく、
プロトタイプ作成期間にＯＳＤフォントのエラーが時々
起こった場合でも新たなフォントマスクＲＯＭのために
それを再度作る不便さがあった。このことによって製品
の発送が遅れて、事業利益を損なうことになる。さら
に、ＯＳＤフォントを完全に変える必要があり、また、
ＯＳＤデバイスが様々なモニタモデル、即ち、モニタ製
品で使われるので、それに関連するＯＳＤ要素の問題が
大きく増大する。
フォントを作成するには長い時間がかかるだけでなく、
プロトタイプ作成期間にＯＳＤフォントのエラーが時々
起こった場合でも新たなフォントマスクＲＯＭのために
それを再度作る不便さがあった。このことによって製品
の発送が遅れて、事業利益を損なうことになる。さら
に、ＯＳＤフォントを完全に変える必要があり、また、
ＯＳＤデバイスが様々なモニタモデル、即ち、モニタ製
品で使われるので、それに関連するＯＳＤ要素の問題が
大きく増大する。
【０００４】さらに、フォントフラッシュＲＯＭ内のＯ
ＳＤフォントのアクセス時間がマスクＲＯＭ内のＯＳＤ
フォントよりも長いので、ＯＳＤフォント記憶媒体とし
てフォントフラッシュＲＯＭを使うにために適切なのは
テレビだけである。その主な理由は、ＴＶの水平周波数
は一般的に、デジタルモニタの水平周波数に対応して１
５．６２５ｋＨｚと低いからである。表示デバイスに１
０００ドットの解像度で表示する例では、ＯＳＤフォン
トの出力レートは約１５ＭＨｚにすぎない。フォントフ
ラッシュＲＯＭの通常使用状態でのアクセス時間が４０
ｎｓ（ナノ秒）である場合は、ＯＳＤデバイスによって
ＯＳＤフォント表示を正常に実行することができる。
ＳＤフォントのアクセス時間がマスクＲＯＭ内のＯＳＤ
フォントよりも長いので、ＯＳＤフォント記憶媒体とし
てフォントフラッシュＲＯＭを使うにために適切なのは
テレビだけである。その主な理由は、ＴＶの水平周波数
は一般的に、デジタルモニタの水平周波数に対応して１
５．６２５ｋＨｚと低いからである。表示デバイスに１
０００ドットの解像度で表示する例では、ＯＳＤフォン
トの出力レートは約１５ＭＨｚにすぎない。フォントフ
ラッシュＲＯＭの通常使用状態でのアクセス時間が４０
ｎｓ（ナノ秒）である場合は、ＯＳＤデバイスによって
ＯＳＤフォント表示を正常に実行することができる。
【０００５】しかしながら、マーケットで最新のモニタ
モデルに対するモニタ水平周波数は１５０ｋＨｚまでで
あるので、ＯＳＤフォントの出力レートも１５０ＭＨｚ
までである。フォントフラッシュＲＯＭのアクセス時間
が長いので、ＯＳＤフォントを格納するためにフォント
フラッシュＲＯＭを使うと不利益になる。出力クロック
数が１２の例では、もしＯＳＤのドットマトリクスの大
きさが１２ｘ１８であり、フォントフラッシュＲＯＭに
格納されたＯＳＤフォントが各行毎に出力されるなら
ば、各出力期間と周波数はそれぞれ以下のように計算さ
れる。
モデルに対するモニタ水平周波数は１５０ｋＨｚまでで
あるので、ＯＳＤフォントの出力レートも１５０ＭＨｚ
までである。フォントフラッシュＲＯＭのアクセス時間
が長いので、ＯＳＤフォントを格納するためにフォント
フラッシュＲＯＭを使うと不利益になる。出力クロック
数が１２の例では、もしＯＳＤのドットマトリクスの大
きさが１２ｘ１８であり、フォントフラッシュＲＯＭに
格納されたＯＳＤフォントが各行毎に出力されるなら
ば、各出力期間と周波数はそれぞれ以下のように計算さ
れる。
【０００６】期間：約３．３３３ｎｓ（４０／１２）、
周波数：約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） 一般的に、上述の１５０ＭＨｚと比較すると、その周波
数はＯＳＤフォントの出力周波数より高いので、フォン
トフラッシュＲＯＭに対するアクセス時間が長くなると
いう欠点はない。残念ながら、図２Ｃと図２Ｄで示され
るように、境界と黒部分をもつＯＳＤフォント全体を表
示するために、１２ｘ１８ドットマトリクスの大きさで
境界と黒部分をそれぞれもつＯＳＤフォントを、ＯＳＤ
フォントの特定のドットの回りの４ドット単位で同時に
読み込む必要がある。境界球と黒部分をもつＯＳＤフォ
ントは広範囲にわたってＯＳＤに適用される。特に、Ｃ
ＰＵで計算することによって境界と黒部分をもつＯＳＤ
フォントを形成するために、ＯＳＤフォントの各行に対
応する前行と次行を同時に読み出す必要もある。言いか
えれば、１２クロック区間でＣＰＵは３行、即ち、合計
３６ビットを読み出す。従って、４クロックが各出力に
対して共有される。各出力期間と周波数はそれぞれ以下
のように計算される。
周波数：約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） 一般的に、上述の１５０ＭＨｚと比較すると、その周波
数はＯＳＤフォントの出力周波数より高いので、フォン
トフラッシュＲＯＭに対するアクセス時間が長くなると
いう欠点はない。残念ながら、図２Ｃと図２Ｄで示され
るように、境界と黒部分をもつＯＳＤフォント全体を表
示するために、１２ｘ１８ドットマトリクスの大きさで
境界と黒部分をそれぞれもつＯＳＤフォントを、ＯＳＤ
フォントの特定のドットの回りの４ドット単位で同時に
読み込む必要がある。境界球と黒部分をもつＯＳＤフォ
ントは広範囲にわたってＯＳＤに適用される。特に、Ｃ
ＰＵで計算することによって境界と黒部分をもつＯＳＤ
フォントを形成するために、ＯＳＤフォントの各行に対
応する前行と次行を同時に読み出す必要もある。言いか
えれば、１２クロック区間でＣＰＵは３行、即ち、合計
３６ビットを読み出す。従って、４クロックが各出力に
対して共有される。各出力期間と周波数はそれぞれ以下
のように計算される。
【０００７】期間：約１０ｎｓ（４０／４）、周波数：
約１００ＭＨｚ（１／１０） １００ＭＨｚのクロックはＯＳＤフォントの一般の出力
レート、即ち、上述の１５０ＭＨｚに一致しない。従っ
て、特に、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントをＯＳＤ
デバイスによって読み出すときに、フォントフラッシュ
ＲＯＭのＯＳＤフォントをアクセスする最新の方法を使
うことは不利となるので、一般的なフォントフラッシュ
ＲＯＭのアクセス時間は将来のニーズに適合しない。
約１００ＭＨｚ（１／１０） １００ＭＨｚのクロックはＯＳＤフォントの一般の出力
レート、即ち、上述の１５０ＭＨｚに一致しない。従っ
て、特に、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントをＯＳＤ
デバイスによって読み出すときに、フォントフラッシュ
ＲＯＭのＯＳＤフォントをアクセスする最新の方法を使
うことは不利となるので、一般的なフォントフラッシュ
ＲＯＭのアクセス時間は将来のニーズに適合しない。
【０００８】さらに、ＯＳＤフォントにはマスクＲＯＭ
に格納された固有のフォントとスタティックアクセスメ
モリ（ＳＲＡＭ）に格納されたカスタムフォントがある
ので、マスクＲＯＭ上にＯＳＤフォントを作るためのマ
スクに対して長時間細心の注意を払う必要がある。他
方、ＯＳＤフォントを格納するために使われるＳＲＡＭ
がチップ内の大部分を占めることがある。
に格納された固有のフォントとスタティックアクセスメ
モリ（ＳＲＡＭ）に格納されたカスタムフォントがある
ので、マスクＲＯＭ上にＯＳＤフォントを作るためのマ
スクに対して長時間細心の注意を払う必要がある。他
方、ＯＳＤフォントを格納するために使われるＳＲＡＭ
がチップ内の大部分を占めることがある。
【０００９】本発明の概要
上述の従来のＯＳＤデバイスを鑑みると、それは常に困
難な問題に直面している。
難な問題に直面している。
【００１０】そのため、本発明の主な目的は、フォント
フラッシュＲＯＭを記憶媒体として使ってＯＳＤフォン
トを形成する装置と方法を提供することである。
フラッシュＲＯＭを記憶媒体として使ってＯＳＤフォン
トを形成する装置と方法を提供することである。
【００１１】本発明の目的の１つは、各ＯＳＤフォント
の複数の記憶装置とフォントフラッシュＲＯＭの出力ビ
ットを増やす装置と方法を提供することである。
の複数の記憶装置とフォントフラッシュＲＯＭの出力ビ
ットを増やす装置と方法を提供することである。
【００１２】本発明の別の目的は、フォントフラッシュ
ＲＯＭを使って、システム内プログラミング（ＩＳＰ）
ホストによって書き込み／読み出しを実行する装置と方
法を提供することである。
ＲＯＭを使って、システム内プログラミング（ＩＳＰ）
ホストによって書き込み／読み出しを実行する装置と方
法を提供することである。
【００１３】上の目的によれば、本発明はＯＳＤフォン
トを形成する装置と方法を提供する。ＯＳＤフォントを
形成する一態様では、ＯＳＤデバイスと表示デバイスが
含まれる。ここで、ＯＳＤデバイスは中央処理装置（Ｃ
ＰＵ）、記憶媒体、フォントフラッシュＲＯＭ、レジス
タ、出力回路を備える。
トを形成する装置と方法を提供する。ＯＳＤフォントを
形成する一態様では、ＯＳＤデバイスと表示デバイスが
含まれる。ここで、ＯＳＤデバイスは中央処理装置（Ｃ
ＰＵ）、記憶媒体、フォントフラッシュＲＯＭ、レジス
タ、出力回路を備える。
【００１４】ＣＰＵが複数のＯＳＤフォントアドレスを
読み込みを開始するように命令するためのＯＳＤ表示要
求がＣＰＵに入力される。ＯＳＤフォントアドレスに対
応する複数のＯＳＤフォントが生成され、フォントフラ
ッシュＲＯＭに格納される。各ＯＳＤフォントを構成す
る複数の記憶装置の各々の対応する行の全体を使って、
各ＯＳＤフォントに対応する複数の記憶装置が読み出し
クロック区間で読み出される。さらに、パラレルフォー
マットからシリアルフォーマットに変換されたＯＳＤフ
ォントを格納し、ＯＳＤフォントを正しく送る。複数の
記憶装置は各ＯＳＤフォントを備え、フォントフラッシ
ュＲＯＭの複数の出力ビットを使ってＯＳＤメッセージ
を形成する。ここで、その複数の出力ビットは、出力ク
ロック区間での複数の記憶装置の行の全体である。次
に、ＯＳＤメッセージが表示デバイスに表示される。
読み込みを開始するように命令するためのＯＳＤ表示要
求がＣＰＵに入力される。ＯＳＤフォントアドレスに対
応する複数のＯＳＤフォントが生成され、フォントフラ
ッシュＲＯＭに格納される。各ＯＳＤフォントを構成す
る複数の記憶装置の各々の対応する行の全体を使って、
各ＯＳＤフォントに対応する複数の記憶装置が読み出し
クロック区間で読み出される。さらに、パラレルフォー
マットからシリアルフォーマットに変換されたＯＳＤフ
ォントを格納し、ＯＳＤフォントを正しく送る。複数の
記憶装置は各ＯＳＤフォントを備え、フォントフラッシ
ュＲＯＭの複数の出力ビットを使ってＯＳＤメッセージ
を形成する。ここで、その複数の出力ビットは、出力ク
ロック区間での複数の記憶装置の行の全体である。次
に、ＯＳＤメッセージが表示デバイスに表示される。
【００１５】ＯＳＤフォントをアクセスする別の態様は
ＣＰＵ、ＩＳＰホスト、フォントフラッシュＲＯＭを備
える。ここで、ＣＰＵは制御センターとして使われ、Ｉ
ＳＰホストはＯＳＤフォントや制御信号をＣＰＵにシリ
アルポートを介して送ることができる。また、フォント
フラッシュＲＯＭを使って、ＯＳＤフォントを格納す
る。書き込み区間では、ＩＳＰは、複数の記憶装置の各
々の１行を書き込み単位として、ＯＳＤフォントをフォ
ントフラッシュＲＯＭの第１の領域と第２の領域にシリ
アルポートを介して同期的に書き込む。
ＣＰＵ、ＩＳＰホスト、フォントフラッシュＲＯＭを備
える。ここで、ＣＰＵは制御センターとして使われ、Ｉ
ＳＰホストはＯＳＤフォントや制御信号をＣＰＵにシリ
アルポートを介して送ることができる。また、フォント
フラッシュＲＯＭを使って、ＯＳＤフォントを格納す
る。書き込み区間では、ＩＳＰは、複数の記憶装置の各
々の１行を書き込み単位として、ＯＳＤフォントをフォ
ントフラッシュＲＯＭの第１の領域と第２の領域にシリ
アルポートを介して同期的に書き込む。
【００１６】その結果として、ＯＳＤフォントをフォン
トフラッシュＲＯＭに格納し、それをＩＳＰホストによ
ってフォントフラッシュＲＯＭに素早くロードして、オ
ンスクリーン表示を形成する装置と方法を説明する。Ｏ
ＳＤデバイスプロトタイプを作るスピードを明らかに上
げることができる。また、大量の受注が可能な高い競争
力のあるモニタ製品を都合良く提供できる。その結果、
これは、フォントフラッシュＲＯＭをＯＳＤフォント用
記憶媒体として使うための好適な解決法となる。
トフラッシュＲＯＭに格納し、それをＩＳＰホストによ
ってフォントフラッシュＲＯＭに素早くロードして、オ
ンスクリーン表示を形成する装置と方法を説明する。Ｏ
ＳＤデバイスプロトタイプを作るスピードを明らかに上
げることができる。また、大量の受注が可能な高い競争
力のあるモニタ製品を都合良く提供できる。その結果、
これは、フォントフラッシュＲＯＭをＯＳＤフォント用
記憶媒体として使うための好適な解決法となる。
【００１７】さらに、複数の記憶装置と各ＯＳＤフォン
トに対する出力ビットを増やすことによって、長いアク
セス時間の一般的なフォントフラッシュＲＯＭの欠点を
効果的に克服することができ、また、従来のマスクＲＯ
Ｍを完全に置きかえることができる。
トに対する出力ビットを増やすことによって、長いアク
セス時間の一般的なフォントフラッシュＲＯＭの欠点を
効果的に克服することができ、また、従来のマスクＲＯ
Ｍを完全に置きかえることができる。
【００１８】さらに、フォントフラッシュＲＯＭを使っ
て、ＩＳＰホストは書き込み／読み出し処理を繰り返し
実行することができるので、高レベルの機能を提供し、
また、従来のマスクＲＯＭの再複製コストを下げること
ができる。
て、ＩＳＰホストは書き込み／読み出し処理を繰り返し
実行することができるので、高レベルの機能を提供し、
また、従来のマスクＲＯＭの再複製コストを下げること
ができる。
【００１９】添付の図面と共に以下の詳細な説明を読む
ことによって、本発明の上述の態様と付随する利点の多
くを容易に理解することができる。
ことによって、本発明の上述の態様と付随する利点の多
くを容易に理解することができる。
【００２０】好適な実施形態の詳細な説明
本発明は、フォントフラッシュＲＯＭをＯＳＤフォント
のための記憶媒体として利用したＯＳＤを形成して、上
述の欠点を改善する装置と方法を提供する。
のための記憶媒体として利用したＯＳＤを形成して、上
述の欠点を改善する装置と方法を提供する。
【００２１】ここで、図１を参照すると、この図はＯＳ
ＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭに格納するシス
テムのブロック図を示す。ＯＳＤシステム１００はＯＳ
Ｄデバイス１０２と表示デバイス１１４を備える。ここ
で、ＯＳＤデバイス１０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）
１０４、記憶媒体１０６、フォントフラッシュＲＯＭ１
０８、レジスタ１１０、出力回路１１２を備える。
ＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭに格納するシス
テムのブロック図を示す。ＯＳＤシステム１００はＯＳ
Ｄデバイス１０２と表示デバイス１１４を備える。ここ
で、ＯＳＤデバイス１０２は、中央処理装置（ＣＰＵ）
１０４、記憶媒体１０６、フォントフラッシュＲＯＭ１
０８、レジスタ１１０、出力回路１１２を備える。
【００２２】マイクロ制御ユニット（ＭＣＵ）やデジタ
ル信号プロセッサ（ＤＳＰ）等のＣＰＵ１０４は、完全
なＯＳＤメッセージを形成するために、幾つかの信号と
ＯＳＤフォントを制御バス、アドレスバス、データバス
等の様々なバスを介してＯＳＤデバイスの様々な要素に
転送するＯＳＤデバイス１０２の制御コアである。ＳＲ
ＡＭ等の記憶媒体１０６は、フォントフラッシュＲＯＭ
１０８内のＯＳＤフォントに対応するＯＳＤアドレスを
格納するＣＰＵ１０４に接続される。
ル信号プロセッサ（ＤＳＰ）等のＣＰＵ１０４は、完全
なＯＳＤメッセージを形成するために、幾つかの信号と
ＯＳＤフォントを制御バス、アドレスバス、データバス
等の様々なバスを介してＯＳＤデバイスの様々な要素に
転送するＯＳＤデバイス１０２の制御コアである。ＳＲ
ＡＭ等の記憶媒体１０６は、フォントフラッシュＲＯＭ
１０８内のＯＳＤフォントに対応するＯＳＤアドレスを
格納するＣＰＵ１０４に接続される。
【００２３】図２Ａから図２Ｄを参照すると、図２Ａは
ＯＳＤフォントのドットマトリクスを示し、図２Ｂは、
ＯＳＤフォントがドットマトリクスで設定されることを
実践的に示し、図２Ｃは境界をもつＯＳＤフォントを示
し、図２Ｄは黒部分をもつＯＳＤフォントを示す。
ＯＳＤフォントのドットマトリクスを示し、図２Ｂは、
ＯＳＤフォントがドットマトリクスで設定されることを
実践的に示し、図２Ｃは境界をもつＯＳＤフォントを示
し、図２Ｄは黒部分をもつＯＳＤフォントを示す。
【００２４】ＣＰＵ１０４と記憶媒体１０６に接続され
たフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使って、ＯＳＤフ
ォントを格納する。ここで、ＯＳＤフォントの各々はフ
ォントフラッシュＲＯＭ１０８の複数の記憶装置（不図
示）に格納される。読み出しクロック区間では、ＯＳＤ
フォントのそれぞれの各記憶装置の対応する行の全体が
同期的に読み出される。出力クロック区間では、複数の
記憶装置からその複数の記憶装置の行の全体が同期的に
出力される。
たフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使って、ＯＳＤフ
ォントを格納する。ここで、ＯＳＤフォントの各々はフ
ォントフラッシュＲＯＭ１０８の複数の記憶装置（不図
示）に格納される。読み出しクロック区間では、ＯＳＤ
フォントのそれぞれの各記憶装置の対応する行の全体が
同期的に読み出される。出力クロック区間では、複数の
記憶装置からその複数の記憶装置の行の全体が同期的に
出力される。
【００２５】図２Ａで示されているように、この図は、
メモリデバイス、好適にはフォントフラッシュＲＯＭ１
０８に格納されたＯＳＤフォントのドットマトリクスを
示す。各ＯＳＤフォントには、特定のアドレスに対応す
る複数の記憶装置に格納されたドットマトリクス２００
で構成される複数のドット２０２が含まれる。同時に、
ＯＳＤフォント、例えば、表意文字“Ｐ”のドットマト
リクス２００の大きさがｍｘｎで定義される。ここで、
ｍとｎは両方ともに正の整数、例えば、ｍ＝１２、ｎ＝
１８であることが好ましく、表意文字“Ｐ”は合計で２
１６ドットとなる。さらに、ドットマトリクスの左側は
最上位ビット（ＭＳＢ）２０４と見なされ、ドットマト
リクスの左側は最下位ビット（ＬＳＢ）２０６と見なさ
れる。
メモリデバイス、好適にはフォントフラッシュＲＯＭ１
０８に格納されたＯＳＤフォントのドットマトリクスを
示す。各ＯＳＤフォントには、特定のアドレスに対応す
る複数の記憶装置に格納されたドットマトリクス２００
で構成される複数のドット２０２が含まれる。同時に、
ＯＳＤフォント、例えば、表意文字“Ｐ”のドットマト
リクス２００の大きさがｍｘｎで定義される。ここで、
ｍとｎは両方ともに正の整数、例えば、ｍ＝１２、ｎ＝
１８であることが好ましく、表意文字“Ｐ”は合計で２
１６ドットとなる。さらに、ドットマトリクスの左側は
最上位ビット（ＭＳＢ）２０４と見なされ、ドットマト
リクスの左側は最下位ビット（ＬＳＢ）２０６と見なさ
れる。
【００２６】図３を参照すると、この図はＯＳＤフォン
トのドットマトリクスの大きさを拡張して、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットを増大させることを
示す。本発明の第１の実施形態では、フォントフラッシ
ュＲＯＭ１０８の出力ビット数が増やされる。特に、そ
の出力ビット数は一行から複数行まで、好適には、行数
“ｍ”の整数倍まで増やされる。例えば、出力ビット数
を１２ビットから２４ビットまで増やして、ＯＳＤフォ
ントのドットマトリクスの大きさを１２ｘ１８から、Ｌ
a0（Ｌ0、Ｌ1）、Ｌa1（Ｌ2、Ｌ3）、．．．、Ｌa8（Ｌ
16、Ｌ17）としてそれぞれ示される２４ｘ９に変える。
ここで、Ｌa0（Ｌ0、Ｌ1）は、行Ｌa0が２つの行Ｌ0、
Ｌ1の全データを含み、図３のその他の行も同様に得る
ことができることを表す。従って、図３の２つの行が連
続的に読み出される限り、図２Ｂの３つの行が同時にか
つ選択的に出力される。図２Ｂの前行Ｌ4と次行Ｌ6に付
随する行Ｌ5の例では、同時に読み出して境界と黒部分
をもつＯＳＤフォントを形成する必要がある。図３で比
較すると、Ｌa2とＬa3が順に読み出される限り、Ｌ４か
らＬ７を出力することができ、Ｌ4、Ｌ5、Ｌ6をＬa2と
Ｌa3から選択して、境界と黒部分をもつＯＳＤフォント
を生成する。そのため、もし２つの行（Ｌa2とＬa3）だ
けの合計４８ビットが読み出され、４８ビット中の特定
の３６ビットがフォントフラッシュＲＯＭから出力され
ると、出力区間が１２クロックの場合に利用でき、各出
力に与えられるクロックは６（１２／２）クロックとな
る。例えば、１２クロックの対するフォントフラッシュ
ＲＯＭのアクセス時間が４０ｎｓである場合は、図３の
ＯＳＤフォントに対する各出力に関する区間と周波数が
それぞれ以下のように計算される。
トのドットマトリクスの大きさを拡張して、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットを増大させることを
示す。本発明の第１の実施形態では、フォントフラッシ
ュＲＯＭ１０８の出力ビット数が増やされる。特に、そ
の出力ビット数は一行から複数行まで、好適には、行数
“ｍ”の整数倍まで増やされる。例えば、出力ビット数
を１２ビットから２４ビットまで増やして、ＯＳＤフォ
ントのドットマトリクスの大きさを１２ｘ１８から、Ｌ
a0（Ｌ0、Ｌ1）、Ｌa1（Ｌ2、Ｌ3）、．．．、Ｌa8（Ｌ
16、Ｌ17）としてそれぞれ示される２４ｘ９に変える。
ここで、Ｌa0（Ｌ0、Ｌ1）は、行Ｌa0が２つの行Ｌ0、
Ｌ1の全データを含み、図３のその他の行も同様に得る
ことができることを表す。従って、図３の２つの行が連
続的に読み出される限り、図２Ｂの３つの行が同時にか
つ選択的に出力される。図２Ｂの前行Ｌ4と次行Ｌ6に付
随する行Ｌ5の例では、同時に読み出して境界と黒部分
をもつＯＳＤフォントを形成する必要がある。図３で比
較すると、Ｌa2とＬa3が順に読み出される限り、Ｌ４か
らＬ７を出力することができ、Ｌ4、Ｌ5、Ｌ6をＬa2と
Ｌa3から選択して、境界と黒部分をもつＯＳＤフォント
を生成する。そのため、もし２つの行（Ｌa2とＬa3）だ
けの合計４８ビットが読み出され、４８ビット中の特定
の３６ビットがフォントフラッシュＲＯＭから出力され
ると、出力区間が１２クロックの場合に利用でき、各出
力に与えられるクロックは６（１２／２）クロックとな
る。例えば、１２クロックの対するフォントフラッシュ
ＲＯＭのアクセス時間が４０ｎｓである場合は、図３の
ＯＳＤフォントに対する各出力に関する区間と周波数が
それぞれ以下のように計算される。
【００２７】区間： 約６．６６６ｎｓ（４０／６）、
周波数： 約１５０ＭＨｚ（１／６．６６６） その結果、第１の実施形態のアクセススピードは、上述
の１００ＭＨｚと比較して５０％増加する。
周波数： 約１５０ＭＨｚ（１／６．６６６） その結果、第１の実施形態のアクセススピードは、上述
の１００ＭＨｚと比較して５０％増加する。
【００２８】図４Ａから図４Ｃを参照すると、これらの
図は、ＯＳＤフォントがフォントフラッシュＲＯＭ１０
８内に位置する３つの記憶装置で構成されることが好ま
しいことを示す。本発明の第２の実施形態では、ＯＳＤ
フォントの複数の記憶装置の数が増やされ、特に、記憶
装置が少なくとも１つから複数に、好適には行数“ｍ”
の整数倍に増やされる。例えば、図２ＢのＯＳＤフォン
トのドットマトリクスが３つの異なる記憶装置（４０
０、４０２、４０４）に格納される。ここで、各記憶装
置の行は１２ビットである。特に、第１の記憶装置４０
０はＬ0、Ｌ3、．．．、Ｌ12、Ｌ15を含み、第２の記憶
装置４０２はＬ1、Ｌ4、．．．、Ｌ13、Ｌ 16を含み、第
３の記憶装置４０４はＬ2、Ｌ5、．．．、Ｌ14、Ｌ17を
含む。従って、異なる複数の記憶装置から１行が同時に
読み出される限り、図２Ｂの所望の行を同時に、かつ、
選択的に出力することができる。図２Ｂの行Ｌ５の例で
は、第２の記憶装置４０２から読み出された行Ｌ４と、
第３の記憶装置４０４から読み出された行Ｌ5と、第１
の記憶装置４００から読み出された行Ｌ６がまとめられ
て、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントが形成される。
この結果、もし３つの行だけ、即ち、合計３６ビットが
同時に３つの異なる記憶装置（４００、４０２、４０
４）のそれぞれから読み出されると、出力区間が１２ク
ロックの場合に利用できる各出力に与えられるクロック
は１２クロックとなる。例えば、１２クロックに対して
フォントフラッシュＲＯＭ１０８のアクセス時間が４０
ｎｓであれば、ＯＳＤフォントの各出力に関する区間と
周波数はそれぞれ以下の様に計算される。
図は、ＯＳＤフォントがフォントフラッシュＲＯＭ１０
８内に位置する３つの記憶装置で構成されることが好ま
しいことを示す。本発明の第２の実施形態では、ＯＳＤ
フォントの複数の記憶装置の数が増やされ、特に、記憶
装置が少なくとも１つから複数に、好適には行数“ｍ”
の整数倍に増やされる。例えば、図２ＢのＯＳＤフォン
トのドットマトリクスが３つの異なる記憶装置（４０
０、４０２、４０４）に格納される。ここで、各記憶装
置の行は１２ビットである。特に、第１の記憶装置４０
０はＬ0、Ｌ3、．．．、Ｌ12、Ｌ15を含み、第２の記憶
装置４０２はＬ1、Ｌ4、．．．、Ｌ13、Ｌ 16を含み、第
３の記憶装置４０４はＬ2、Ｌ5、．．．、Ｌ14、Ｌ17を
含む。従って、異なる複数の記憶装置から１行が同時に
読み出される限り、図２Ｂの所望の行を同時に、かつ、
選択的に出力することができる。図２Ｂの行Ｌ５の例で
は、第２の記憶装置４０２から読み出された行Ｌ４と、
第３の記憶装置４０４から読み出された行Ｌ5と、第１
の記憶装置４００から読み出された行Ｌ６がまとめられ
て、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントが形成される。
この結果、もし３つの行だけ、即ち、合計３６ビットが
同時に３つの異なる記憶装置（４００、４０２、４０
４）のそれぞれから読み出されると、出力区間が１２ク
ロックの場合に利用できる各出力に与えられるクロック
は１２クロックとなる。例えば、１２クロックに対して
フォントフラッシュＲＯＭ１０８のアクセス時間が４０
ｎｓであれば、ＯＳＤフォントの各出力に関する区間と
周波数はそれぞれ以下の様に計算される。
【００２９】区間： 約３．３３３ｎｓ（４０／１
２）、周波数： 約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） この結果、第２の実施形態のアクセススピードは、上述
の１００ＭＨｚと比較して２００％効率的に増大する。
２）、周波数： 約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） この結果、第２の実施形態のアクセススピードは、上述
の１００ＭＨｚと比較して２００％効率的に増大する。
【００３０】図５Ａから図５Ｄを参照すると、これらの
図は、ＯＳＤフォントが複数の記憶装置を含み、フォン
トフラッシュＲＯＭ１０８の出力ビット数が増やされる
ことを示す。本発明の第３の実施形態では、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットと、フォントフラッ
シュＲＯＭ１０８に格納されたＯＳＤフォントの記憶装
置が同時に増やされる。即ち、出力ビットの１行が出力
ビットの複数の行に、好適には、行数“ｍ”の整数倍ま
で増やされる。１つの記憶装置は、１つのＯＳＤフォン
トに対する複数の記憶装置に増やされる。ここで、各記
憶装置の行ビット数は図２ＡのＯＳＤフォントの行数
“ｍ”に等しい。ＯＳＤフォントのドットマトリクスの
大きさｍｘｎは、複数の記憶装置のドットマトリクスの
大きさの合計である。さらに、ＯＳＤフォントに対する
各記憶装置内の対応する複数行の全体はフォントフラッ
シュＲＯＭ１０８の出力ビット数に等しい。例えば、各
ＯＳＤフォントに対する記憶装置の数が１から２に増や
され、出力クロック区間で行全体を同時に出力できるよ
うに、ＯＳＤフォントのドットマトリクス１２ｘ１８が
２つの異なる記憶装置（５００、５０２）に格納され
る。各記憶装置に対する行が２４ビットなので、ＯＳＤ
フォントのドットマトリクス１２ｘ１８が２４ｘ９に変
換される。ここで、各記憶装置の行が１２ビットから２
４ビットまで拡張される。第１の記憶装置５００には行
Ｌ0、Ｌ1、Ｌ4、Ｌ5、Ｌ8、Ｌ9、Ｌ12、Ｌ 13、Ｌ16、Ｌ
17が含まれ、第２の記憶装置５０２には行Ｌ2、Ｌ3、Ｌ
6、Ｌ7、Ｌ 10、Ｌ11、Ｌ14、Ｌ15が含まれる。特に、第
１の記憶装置５００にはＬca0（Ｌ0、Ｌ1）、Ｌca1（Ｌ
4、Ｌ5）、Ｌca2（Ｌ8、Ｌ9）で示されるドットマトリ
クス２４ｘ５が含まれる。ここで、Ｌca0（Ｌ0、Ｌ1）
は、行Ｌca0に格納される２つの行Ｌ0、Ｌ1を表し、そ
の他の行も同様である。第２の記憶装置５０２には、Ｌ
cb0（Ｌ2、Ｌ3）、Ｌcb1（Ｌ6、Ｌ7）、Ｌcb2（Ｌ10、
Ｌ11）と示されるドットマトリクス２４ｘ４が含まれ
る。ここで、Ｌcb0（Ｌ2、Ｌ3）には、行Ｌcb0に格納さ
れる２つの行Ｌ2、Ｌ3が含まれ、その他の行も同様であ
る。図２Ｂの行Ｌ5の例では、第１の記憶装置から読ま
れた行Ｌca1と第２の記憶装置から読まれた行Ｌcb1を結
合して、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントを形成す
る。この結果、もし２つの行だけ、即ち、合計２４ビッ
トを２つの異なる記憶装置（５００、５０２）からそれ
ぞれ同時に読み出すならば、１２クロックの出力区間を
利用できる場合の各出力に与えられるクロックは１２ク
ロックである。例えば、もしフォントフラッシュＲＯＭ
のアクセス時間が４０ｎｓであれば、ＯＳＤフォントの
各出力に関する区間と周波数はそれぞれ以下のように計
算される。
図は、ＯＳＤフォントが複数の記憶装置を含み、フォン
トフラッシュＲＯＭ１０８の出力ビット数が増やされる
ことを示す。本発明の第３の実施形態では、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットと、フォントフラッ
シュＲＯＭ１０８に格納されたＯＳＤフォントの記憶装
置が同時に増やされる。即ち、出力ビットの１行が出力
ビットの複数の行に、好適には、行数“ｍ”の整数倍ま
で増やされる。１つの記憶装置は、１つのＯＳＤフォン
トに対する複数の記憶装置に増やされる。ここで、各記
憶装置の行ビット数は図２ＡのＯＳＤフォントの行数
“ｍ”に等しい。ＯＳＤフォントのドットマトリクスの
大きさｍｘｎは、複数の記憶装置のドットマトリクスの
大きさの合計である。さらに、ＯＳＤフォントに対する
各記憶装置内の対応する複数行の全体はフォントフラッ
シュＲＯＭ１０８の出力ビット数に等しい。例えば、各
ＯＳＤフォントに対する記憶装置の数が１から２に増や
され、出力クロック区間で行全体を同時に出力できるよ
うに、ＯＳＤフォントのドットマトリクス１２ｘ１８が
２つの異なる記憶装置（５００、５０２）に格納され
る。各記憶装置に対する行が２４ビットなので、ＯＳＤ
フォントのドットマトリクス１２ｘ１８が２４ｘ９に変
換される。ここで、各記憶装置の行が１２ビットから２
４ビットまで拡張される。第１の記憶装置５００には行
Ｌ0、Ｌ1、Ｌ4、Ｌ5、Ｌ8、Ｌ9、Ｌ12、Ｌ 13、Ｌ16、Ｌ
17が含まれ、第２の記憶装置５０２には行Ｌ2、Ｌ3、Ｌ
6、Ｌ7、Ｌ 10、Ｌ11、Ｌ14、Ｌ15が含まれる。特に、第
１の記憶装置５００にはＬca0（Ｌ0、Ｌ1）、Ｌca1（Ｌ
4、Ｌ5）、Ｌca2（Ｌ8、Ｌ9）で示されるドットマトリ
クス２４ｘ５が含まれる。ここで、Ｌca0（Ｌ0、Ｌ1）
は、行Ｌca0に格納される２つの行Ｌ0、Ｌ1を表し、そ
の他の行も同様である。第２の記憶装置５０２には、Ｌ
cb0（Ｌ2、Ｌ3）、Ｌcb1（Ｌ6、Ｌ7）、Ｌcb2（Ｌ10、
Ｌ11）と示されるドットマトリクス２４ｘ４が含まれ
る。ここで、Ｌcb0（Ｌ2、Ｌ3）には、行Ｌcb0に格納さ
れる２つの行Ｌ2、Ｌ3が含まれ、その他の行も同様であ
る。図２Ｂの行Ｌ5の例では、第１の記憶装置から読ま
れた行Ｌca1と第２の記憶装置から読まれた行Ｌcb1を結
合して、境界と黒部分をもつＯＳＤフォントを形成す
る。この結果、もし２つの行だけ、即ち、合計２４ビッ
トを２つの異なる記憶装置（５００、５０２）からそれ
ぞれ同時に読み出すならば、１２クロックの出力区間を
利用できる場合の各出力に与えられるクロックは１２ク
ロックである。例えば、もしフォントフラッシュＲＯＭ
のアクセス時間が４０ｎｓであれば、ＯＳＤフォントの
各出力に関する区間と周波数はそれぞれ以下のように計
算される。
【００３１】区間： 約３．３３３ｎｓ（４０／１
２）、周波数： 約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） この結果、第３の実施形態のアクセススピードは上述の
１００ＭＨｚと比較して２００％に大きく、かつ、都合
良く増大する。
２）、周波数： 約３００ＭＨｚ（１／３．３３３） この結果、第３の実施形態のアクセススピードは上述の
１００ＭＨｚと比較して２００％に大きく、かつ、都合
良く増大する。
【００３２】さらに、フォントフラッシュＲＯＭ１０８
の出力ビットとＯＳＤフォントの複数の記憶装置が増や
されると、行Ｌ0、Ｌ2、．．．、Ｌ14、Ｌ16等を含む１
ａ記憶装置５０４として第１の記憶装置に格納すること
ができ、また、行Ｌ1、Ｌ3、．．．、Ｌ15、Ｌ17等を含
む２ａ記憶装置５０６として第２の記憶装置に格納でき
る。
の出力ビットとＯＳＤフォントの複数の記憶装置が増や
されると、行Ｌ0、Ｌ2、．．．、Ｌ14、Ｌ16等を含む１
ａ記憶装置５０４として第１の記憶装置に格納すること
ができ、また、行Ｌ1、Ｌ3、．．．、Ｌ15、Ｌ17等を含
む２ａ記憶装置５０６として第２の記憶装置に格納でき
る。
【００３３】図１に示されるように、レジスタ１１０
は、例えば、フォントフラッシュＲＯＭ１０８とＣＰＵ
１０４のそれぞれに接続されたシフトレジスタを使って
ＯＳＤフォントに対するパラレルフォーマットをシリア
ルフォーマットに変換して、連続的に出力回路１１２に
転送することができる。赤、青、緑等のＯＳＤフォント
の属性を混在させることに加えて、レジスタ１１０に接
続された出力回路１１２は、ＯＳＤフォントを転送し
て、表示デバイス１１４上にＯＳＤメッセージを表示す
ることができる。言いかえれば、ＯＳＤフォントのデジ
タル信号がアナログ信号に変換され、ＯＳＤフォントの
属性と混在させて、様々な表示装置に装備された様々な
規格のインターフェイスカードに送ることができる。さ
らに、出力回路１１２に接続された表示デバイス１１４
はＯＳＤメッセージを表示するためのブラウン管（ＣＲ
Ｔ）ディスプレイ、テレビ（ＴＶ）、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）を備える。
は、例えば、フォントフラッシュＲＯＭ１０８とＣＰＵ
１０４のそれぞれに接続されたシフトレジスタを使って
ＯＳＤフォントに対するパラレルフォーマットをシリア
ルフォーマットに変換して、連続的に出力回路１１２に
転送することができる。赤、青、緑等のＯＳＤフォント
の属性を混在させることに加えて、レジスタ１１０に接
続された出力回路１１２は、ＯＳＤフォントを転送し
て、表示デバイス１１４上にＯＳＤメッセージを表示す
ることができる。言いかえれば、ＯＳＤフォントのデジ
タル信号がアナログ信号に変換され、ＯＳＤフォントの
属性と混在させて、様々な表示装置に装備された様々な
規格のインターフェイスカードに送ることができる。さ
らに、出力回路１１２に接続された表示デバイス１１４
はＯＳＤメッセージを表示するためのブラウン管（ＣＲ
Ｔ）ディスプレイ、テレビ（ＴＶ）、液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）を備える。
【００３４】図６を参照すると、この図はＯＳＤフォン
トを表示するフローチャート６００を示す。ＯＳＤ表示
コマンドを入力する工程６０２では、ＣＰＵ１０４、例
えば、ＭＣＵやＤＳＰがＯＳＤ表示コマンドを受信し
て、制御信号をＯＳＤデバイス１０２の各要素に転送す
ることによって、ＯＳＤフォントアドレスの読み込みを
開始する。
トを表示するフローチャート６００を示す。ＯＳＤ表示
コマンドを入力する工程６０２では、ＣＰＵ１０４、例
えば、ＭＣＵやＤＳＰがＯＳＤ表示コマンドを受信し
て、制御信号をＯＳＤデバイス１０２の各要素に転送す
ることによって、ＯＳＤフォントアドレスの読み込みを
開始する。
【００３５】ＯＳＤフォントを読み出す工程６０４で
は、ＣＰＵ１０４によってＳＲＡＭに連続的に格納され
たＯＳＤフォントアドレスに基づいてＯＳＤフォントを
生成する。さらに、ＯＳＤメッセージの表示開始時間は
同期信号、即ち、表示デバイスの水平、もしくは、垂直
同期信号に一致しているため、ＯＳＤメッセージは映像
表示と同期する。ＯＳＤメッセージを形成するＯＳＤフ
ォントはＯＳＤフォントアドレスによって決定され、Ｏ
ＳＤフォントがフォントフラッシュＲＯＭ１０８から正
しく選択される。ここで、ＯＳＤフォントの表示方法は
以下の処理を備える。
は、ＣＰＵ１０４によってＳＲＡＭに連続的に格納され
たＯＳＤフォントアドレスに基づいてＯＳＤフォントを
生成する。さらに、ＯＳＤメッセージの表示開始時間は
同期信号、即ち、表示デバイスの水平、もしくは、垂直
同期信号に一致しているため、ＯＳＤメッセージは映像
表示と同期する。ＯＳＤメッセージを形成するＯＳＤフ
ォントはＯＳＤフォントアドレスによって決定され、Ｏ
ＳＤフォントがフォントフラッシュＲＯＭ１０８から正
しく選択される。ここで、ＯＳＤフォントの表示方法は
以下の処理を備える。
【００３６】（１）フォントフラッシュＲＯＭ１０８の
出力ビットを増やす。特に、出力ビットを１行から複数
の行に、好適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。出力
クロックの区間では、各ＯＳＤフォントの複数の記憶装
置から複数の出力ビットを介して同時に出力される。こ
こで、出力単位は、ＯＳＤフォントに対する各記憶装置
内の対応する複数の行全体である。例えば、ＯＳＤフォ
ントの出力ビットが１２ビットから２４ビットまで増や
される。言いかえれば、出力ビットが１行から２行に増
やされるので、ＯＳＤフォントのドットマトリクスの大
きさを１２ｘ１８から２４ｘ９に変えることができる。
従って、行が１２ビットから２４ビットまで増やされ、
列が１８ビットから９ビットに減らされる。
出力ビットを増やす。特に、出力ビットを１行から複数
の行に、好適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。出力
クロックの区間では、各ＯＳＤフォントの複数の記憶装
置から複数の出力ビットを介して同時に出力される。こ
こで、出力単位は、ＯＳＤフォントに対する各記憶装置
内の対応する複数の行全体である。例えば、ＯＳＤフォ
ントの出力ビットが１２ビットから２４ビットまで増や
される。言いかえれば、出力ビットが１行から２行に増
やされるので、ＯＳＤフォントのドットマトリクスの大
きさを１２ｘ１８から２４ｘ９に変えることができる。
従って、行が１２ビットから２４ビットまで増やされ、
列が１８ビットから９ビットに減らされる。
【００３７】（２）ＯＳＤフォントの記憶装置を減ら
す。特に、記憶装置を少なくとも、１つから複数に、好
適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。読み出しクロッ
クの区間では、１つのＯＳＤフォントに対する各記憶装
置内の対応する複数の行全体の単位で、各ＯＳＤフォン
トの複数の記憶装置が同時に読まれる。例えば、記憶装
置が１から３つの記憶装置に増やされるので、ＯＳＤフ
ォントのドットマトリクスの大きさを、１つの記憶装置
１２ｘ１８から３つの異なる記憶装置１２ｘ６に変える
ことができる。
す。特に、記憶装置を少なくとも、１つから複数に、好
適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。読み出しクロッ
クの区間では、１つのＯＳＤフォントに対する各記憶装
置内の対応する複数の行全体の単位で、各ＯＳＤフォン
トの複数の記憶装置が同時に読まれる。例えば、記憶装
置が１から３つの記憶装置に増やされるので、ＯＳＤフ
ォントのドットマトリクスの大きさを、１つの記憶装置
１２ｘ１８から３つの異なる記憶装置１２ｘ６に変える
ことができる。
【００３８】（３）フォントフラッシュＲＯＭ１０８の
出力ビットとＯＳＤフォントの記憶装置を同時に増や
す。即ち、１行の出力ビットを複数の行の出力ビット
に、好適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。１つのＯ
ＳＤフォントに対して１つの記憶装置を、複数の記憶装
置に増やす。ここで、行のビット数は各記憶装置に対す
る行数“ｍ”に等しい。読み出しクロックの区間では、
１つのＯＳＤフォントに対する各記憶装置内の対応する
複数の行全体の単位で、各ＯＳＤフォントの複数の記憶
装置を同時に読む。出力クロックの区間では、各ＯＳＤ
フォントの複数の記憶装置を複数の出力ビットを介して
同時に出力する。例えば、記憶装置を１から３に増や
し、フォントフラッシュＲＯＭの出力ビットを１２ビッ
トから２４ビットに増やす。言いかえれば、出力ビット
を１行から２行に増やし、記憶装置を１から２に増や
す。この結果、ＯＳＤフォントのドットマトリクスの大
きさが１つの記憶装置１２ｘ１８から２つの異なる記憶
装置２４ｘ５に変る。ここで、行が１２ビットから２４
ビットに増え、列が１８ビットから５ビットに減る。
出力ビットとＯＳＤフォントの記憶装置を同時に増や
す。即ち、１行の出力ビットを複数の行の出力ビット
に、好適には、行数“ｍ”の整数倍に増やす。１つのＯ
ＳＤフォントに対して１つの記憶装置を、複数の記憶装
置に増やす。ここで、行のビット数は各記憶装置に対す
る行数“ｍ”に等しい。読み出しクロックの区間では、
１つのＯＳＤフォントに対する各記憶装置内の対応する
複数の行全体の単位で、各ＯＳＤフォントの複数の記憶
装置を同時に読む。出力クロックの区間では、各ＯＳＤ
フォントの複数の記憶装置を複数の出力ビットを介して
同時に出力する。例えば、記憶装置を１から３に増や
し、フォントフラッシュＲＯＭの出力ビットを１２ビッ
トから２４ビットに増やす。言いかえれば、出力ビット
を１行から２行に増やし、記憶装置を１から２に増や
す。この結果、ＯＳＤフォントのドットマトリクスの大
きさが１つの記憶装置１２ｘ１８から２つの異なる記憶
装置２４ｘ５に変る。ここで、行が１２ビットから２４
ビットに増え、列が１８ビットから５ビットに減る。
【００３９】従って、本ＯＳＤフォント格納方法では、
フォントフラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットとＯＳＤ
フォントの記憶装置を増やすことによって、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力周波数を上げ、ＯＳＤフォ
ントのアクセススピードを上げる。
フォントフラッシュＲＯＭ１０８の出力ビットとＯＳＤ
フォントの記憶装置を増やすことによって、フォントフ
ラッシュＲＯＭ１０８の出力周波数を上げ、ＯＳＤフォ
ントのアクセススピードを上げる。
【００４０】表示フォント格納工程６０６では、ＯＳＤ
表示に必要な表示フォントをパラレルフォーマットから
シリアルフォーマットに変換して、ＯＳＤフォントを正
確に送る。
表示に必要な表示フォントをパラレルフォーマットから
シリアルフォーマットに変換して、ＯＳＤフォントを正
確に送る。
【００４１】表示フォント出力工程６０８では、赤、
青、緑等のＯＳＤフォントの属性に加えて、出力回路は
信号変換を行って、ＯＳＤフォントを表示デバイスに転
送することができる。言いかえれば、ＯＳＤフォントの
デジタル信号をアナログ信号に変換し、ＯＳＤフォント
の属性と混在させ、様々な表示装置１１４に装備された
様々な規格のインターフェイスカードに送る。
青、緑等のＯＳＤフォントの属性に加えて、出力回路は
信号変換を行って、ＯＳＤフォントを表示デバイスに転
送することができる。言いかえれば、ＯＳＤフォントの
デジタル信号をアナログ信号に変換し、ＯＳＤフォント
の属性と混在させ、様々な表示装置１１４に装備された
様々な規格のインターフェイスカードに送る。
【００４２】ＯＳＤメッセージ表示工程６１０では、表
示デバイス１１４が色等の属性を受信して、映像表示と
同期して表示されるＯＳＤメッセージを形成する。
示デバイス１１４が色等の属性を受信して、映像表示と
同期して表示されるＯＳＤメッセージを形成する。
【００４３】図７を参照すると、この図は、システム内
プログラミング（ＩＳＰ）ホスト７０２によってフォン
トフラッシュＲＯＭに格納されたＯＳＤフォントをアク
セスするシステム７００のブロック図を示す。ＯＳＤフ
ォントをアクセスする本システムには、ＣＰＵ１０４、
ＩＳＰホスト７０２、フォントフラッシュＲＯＭ１０８
が含まれる。ここで、ＣＰＵ１０４は例えばＭＣＵやＤ
ＳＰであり、制御センターとして使われる。
プログラミング（ＩＳＰ）ホスト７０２によってフォン
トフラッシュＲＯＭに格納されたＯＳＤフォントをアク
セスするシステム７００のブロック図を示す。ＯＳＤフ
ォントをアクセスする本システムには、ＣＰＵ１０４、
ＩＳＰホスト７０２、フォントフラッシュＲＯＭ１０８
が含まれる。ここで、ＣＰＵ１０４は例えばＭＣＵやＤ
ＳＰであり、制御センターとして使われる。
【００４４】ＣＰＵ１０４に接続されたＩＳＰホスト７
０２は、制御信号をＣＰＵ１０４にシリアルポートを介
して転送することによって、書き込み許可、もしくは、
読み出し許可を得ることができる。この書き込み許可に
よって、ＩＳＰホスト７０２はＯＳＤフォントをＣＰＵ
１０４のメモリにシリアルポート７０４を介して連続的
に送ることができる。
０２は、制御信号をＣＰＵ１０４にシリアルポートを介
して転送することによって、書き込み許可、もしくは、
読み出し許可を得ることができる。この書き込み許可に
よって、ＩＳＰホスト７０２はＯＳＤフォントをＣＰＵ
１０４のメモリにシリアルポート７０４を介して連続的
に送ることができる。
【００４５】ＣＰＵ１０４とＩＳＰホスト７０２のそれ
ぞれに接続されたフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使
って、ＯＳＤフォントを格納し、ＣＰＵ１０４から制御
信号を受信する。ここで、各ＯＳＤフォントは複数の記
憶装置に格納される。書き込み区間では、ＩＳＰホスト
７０２は、各記憶装置の１行を書き込み単位として、Ｏ
ＳＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭ１０８の第１
の領域（不図示）と第２の領域（不図示）にシリアルポ
ート７０４を介して同期的に書き込む。本発明の好適な
実施形態では、固有のフォントとカスタムフォントを含
むＯＳＤフォントを、フォントフラッシュＲＯＭ１０８
の第１の領域と第２の領域のそれぞれに格納する。さら
に、フォントフラッシュＲＯＭ１０８には複数の出力ビ
ットが含まれ、各ＯＳＤフォントには複数の記憶装置が
含まれる。ここで、この複数の出力ビットは、ＯＳＤフ
ォントに関する各記憶装置の行全体に等しい。
ぞれに接続されたフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使
って、ＯＳＤフォントを格納し、ＣＰＵ１０４から制御
信号を受信する。ここで、各ＯＳＤフォントは複数の記
憶装置に格納される。書き込み区間では、ＩＳＰホスト
７０２は、各記憶装置の１行を書き込み単位として、Ｏ
ＳＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭ１０８の第１
の領域（不図示）と第２の領域（不図示）にシリアルポ
ート７０４を介して同期的に書き込む。本発明の好適な
実施形態では、固有のフォントとカスタムフォントを含
むＯＳＤフォントを、フォントフラッシュＲＯＭ１０８
の第１の領域と第２の領域のそれぞれに格納する。さら
に、フォントフラッシュＲＯＭ１０８には複数の出力ビ
ットが含まれ、各ＯＳＤフォントには複数の記憶装置が
含まれる。ここで、この複数の出力ビットは、ＯＳＤフ
ォントに関する各記憶装置の行全体に等しい。
【００４６】ＯＳＤフォント書き込み処理では、ＩＳＰ
ホスト７０２はシリアルポート７０４、例えば、集積回
路バス（Ｉ2Ｃ）、もしくは、シリアル周辺インターフ
ェイス（ＳＰＩ）を使ってＣＰＵ１０４に接続してお
り、また、ＩＳＰの機能を利用する。次に、ＩＳＰホス
ト７０２はフォントフラッシュＲＯＭ１０８から書き込
み許可を得て、ＯＳＤフォントをフォントフラッシュＲ
ＯＭ１０８にデータバス７０６を介して書き込む。
ホスト７０２はシリアルポート７０４、例えば、集積回
路バス（Ｉ2Ｃ）、もしくは、シリアル周辺インターフ
ェイス（ＳＰＩ）を使ってＣＰＵ１０４に接続してお
り、また、ＩＳＰの機能を利用する。次に、ＩＳＰホス
ト７０２はフォントフラッシュＲＯＭ１０８から書き込
み許可を得て、ＯＳＤフォントをフォントフラッシュＲ
ＯＭ１０８にデータバス７０６を介して書き込む。
【００４７】ＯＳＤフォント読み出し処理では、ＩＳＰ
ホスト７０２は、１行を読み出し単位として、各ＯＳＤ
フォントをデータバス７０６を介して同期的に読み出
し、ＯＳＤフォントの検査に進む。これは、例えば、チ
ェックサムや巡回冗長検査（ＣＲＣ）等による。さら
に、ＩＳＰホスト７０２はデータバス７０６を介して検
査するために、フォントフラッシュＲＯＭ１０８を直接
読み出することができる。
ホスト７０２は、１行を読み出し単位として、各ＯＳＤ
フォントをデータバス７０６を介して同期的に読み出
し、ＯＳＤフォントの検査に進む。これは、例えば、チ
ェックサムや巡回冗長検査（ＣＲＣ）等による。さら
に、ＩＳＰホスト７０２はデータバス７０６を介して検
査するために、フォントフラッシュＲＯＭ１０８を直接
読み出することができる。
【００４８】要約すると、本発明はフォントフラッシュ
ＲＯＭ１０８をＯＳＤフォント用記憶媒体として使い、
ＩＳＰホスト７０２を利用して、ＯＳＤフォントをフォ
ントフラッシュＲＯＭ１０８に素早くロードすることが
できる。ＯＳＤデバイスプロトタイプを作るスピードを
明らかに上げることができるので、大量受注可能な高い
競争率のモニタ製品を都合良く供給することができる。
その結果、これは、フォントフラッシュＲＯＭをＯＳＤ
フォント用記憶媒体として供給する好適な解決法とな
る。
ＲＯＭ１０８をＯＳＤフォント用記憶媒体として使い、
ＩＳＰホスト７０２を利用して、ＯＳＤフォントをフォ
ントフラッシュＲＯＭ１０８に素早くロードすることが
できる。ＯＳＤデバイスプロトタイプを作るスピードを
明らかに上げることができるので、大量受注可能な高い
競争率のモニタ製品を都合良く供給することができる。
その結果、これは、フォントフラッシュＲＯＭをＯＳＤ
フォント用記憶媒体として供給する好適な解決法とな
る。
【００４９】本発明の一態様によれば、各ＯＳＤフォン
トの記憶装置と、フォントフラッシュＲＯＭ１０８の出
力ビットを増やすことによって、長いアクセス時間をも
つ一般的なフォントフラッシュＲＯＭ１０８の欠点を克
服することができ、また、従来のマスクＲＯＭを完全に
置きかえることができる。
トの記憶装置と、フォントフラッシュＲＯＭ１０８の出
力ビットを増やすことによって、長いアクセス時間をも
つ一般的なフォントフラッシュＲＯＭ１０８の欠点を克
服することができ、また、従来のマスクＲＯＭを完全に
置きかえることができる。
【００５０】本発明の別の態様では、ＩＳＰホスト７０
２がフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使って書き込み
／読み出し処理を繰り返し行うことができるので、高レ
ベルの機能を提供し、また、従来のマスクＲＯＭの再複
製コストを下げることができる。
２がフォントフラッシュＲＯＭ１０８を使って書き込み
／読み出し処理を繰り返し行うことができるので、高レ
ベルの機能を提供し、また、従来のマスクＲＯＭの再複
製コストを下げることができる。
【図１】図１は、本発明のＯＳＤフォントをフォントフ
ラッシュＲＯＭに格納するシステムのブロック図であ
る。
ラッシュＲＯＭに格納するシステムのブロック図であ
る。
【図２】図２Ａから図２Ｄは、本発明のＯＳＤフォント
のドットマトリクスを示す図である。
のドットマトリクスを示す図である。
【図３】図３は本発明のフォントフラッシュＲＯＭの出
力ビット数を増やすためにＯＳＤフォントのドットマト
リクスを大きくすることを示す。
力ビット数を増やすためにＯＳＤフォントのドットマト
リクスを大きくすることを示す。
【図４】図４Ａから図４Ｃは、本発明のフォントフラッ
シュＲＯＭ内に位置する３つのメモリユニットからＯＳ
Ｄフォントが構成されることが好ましいことを示す。
シュＲＯＭ内に位置する３つのメモリユニットからＯＳ
Ｄフォントが構成されることが好ましいことを示す。
【図５】図５Ａから図５Ｄは、本発明のＯＳＤフォント
が複数の記憶装置を含み、フォントフラッシュＲＯＭの
出力ビット数を増やすことを示す。
が複数の記憶装置を含み、フォントフラッシュＲＯＭの
出力ビット数を増やすことを示す。
【図６】図６は、本発明のＯＳＤフォントを表示するフ
ローチャートを示す。
ローチャートを示す。
【図７】図７は、システムプログラミング（ＩＳＰ）を
用いて本発明のフォントフラッシュＲＯＭに格納された
ＯＳＤフォントをアクセスするシステムのブロック図を
示す。
用いて本発明のフォントフラッシュＲＯＭに格納された
ＯＳＤフォントをアクセスするシステムのブロック図を
示す。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−264093（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−285395（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−236087（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−251534（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−327530（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G09G 5/22 - 5/42
G06F 3/14 - 3/153
Claims (20)
- 【請求項１】 制御センターとして機能する中央処理装
置（ＣＰＵ）と、 前記ＣＰＵに接続され、複数のＯＳＤフォントに対応す
る複数のＯＳＤアドレスを格納する記憶媒体と、 前記ＣＰＵと前記記憶媒体にそれぞれ接続され、前記Ｏ
ＳＤフォントの各々に対応するデータを格納するフォン
トフラッシュ読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）であって、
前記ＯＳＤフォントの各々のデータは読み出しクロック
の区間に複数の記憶装置に格納され、前記ＯＳＤフォン
トの各々に対する前記記憶装置の各々の対応する行の全
体の単位で、前記複数の記憶装置から、前記ＯＳＤフォ
ントの各々に対応するデータを出力クロック区間で同時
に読み出し、前記フォントフラッシュＲＯＭの複数の出
力ビットを介して、前記複数の記憶装置から、前記複数
の記憶装置の前記行全体に同期してデータを出力する、
当該フォントフラッシュ読み出し専用メモリと、 前記フォントフラッシュＲＯＭと前記ＣＰＵのそれぞれ
に接続され、前記ＯＳＤフォントに対するパラレルフォ
ーマットをシリアルフォーマットに変換するレジスタ
と、 前記レジスタに接続され、前記ＯＳＤフォントの属性と
混在させ、前記ＯＳＤフォントを転送してＯＳＤメッセ
ージを形成する出力回路と、 前記出力回路に接続され、前記ＯＳＤメッセージを表示
する表示デバイスとを備えるオンスクリーン表示（ＯＳ
Ｄ）形成装置。 - 【請求項２】 前記ＯＳＤフォントの各々はｍｘｎの大
きさのドットマトリクスを備え、ｍとｎは共に正の整数
である、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記複数の記憶装置の前記行の合計はｍ
の整数倍である、請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 前記フォントフラッシュＲＯＭの前記出
力ビットはｍの整数倍である、請求項２記載の装置。 - 【請求項５】 前記ＯＳＤフォントの各々に対する前記
ドットマトリクスの大きさｍｘｎは、前記記憶装置に対
応する複数のドットマトリクスの大きさの合計値に等し
い、請求項２記載の装置。 - 【請求項６】 前記記憶装置に対応する複数のドットマ
トリクスの大きさの合計値は、前記フォントフラッシュ
ＲＯＭの前記出力ビット数に等しい、請求項１記載の装
置。 - 【請求項７】 前記表示デバイスはブラウン管（ＣＲ
Ｔ）を含む装置を備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項８】 前記表示デバイスは液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）を含む装置を備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項９】 制御信号を転送することによって複数の
ＯＳＤフォントアドレスの読み込みを開始させるように
ＣＰＵを命令するためのＯＳＤ表示要求を前記ＣＰＵに
入力する工程と、 前記複数のＯＳＤフォントアドレスに対応する複数のＯ
ＳＤフォントを生成する工程と、 前記複数のＯＳＤフォントの各々を構成する複数の記憶
装置の各々の対応する行の全体を使って、読み出しクロ
ック区間で、前記複数のＯＳＤフォントの各々に対応す
るデータを前記複数の記憶装置から読み出す工程と、パ
ラレルフォーマットからシリアルフォーマットに変換さ
れた前記複数のＯＳＤフォントを格納し、前記複数のＯ
ＳＤフォントを正しく送る工程と、 前記フォントフラッシュＲＯＭの前記出力ビットを使っ
て、前記複数の記憶装置から、前記複数のＯＳＤフォン
トの各々を含む各データを出力して、ＯＳＤメッセージ
を形成する工程であって、前記出力ビットは出力クロッ
ク区間での前記複数の記憶装置の前記行の全体である、
当該工程と、 表示デバイス上に前記ＯＳＤメッセージを表示する工程
とを備えるオンスクリーン表示（ＯＳＤ）形成方法。 - 【請求項１０】 前記フォントフラッシュＲＯＭに格納
された前記複数のＯＳＤフォントの各々に対応する前記
複数の記憶装置の各々を読み出しクロック区間で同時に
読み出すことをさらに備える請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 前記フォントフラッシュＲＯＭに格納
された前記複数のＯＳＤフォントの各々に対応する前記
複数の記憶装置の各々を出力クロック区間で同時に出力
することをさらに備える請求項９記載の方法。 - 【請求項１２】 制御センターとして機能する中央処理
装置（ＣＰＵ）と、 前記ＣＰＵに接続され、制御信号を前記ＣＰＵにシリア
ルポートを介して転送することによって、書き込み、も
しくは、読み出し許可を得るシステム内プログラミング
（ＩＳＰ）ホストであって、前記ＩＳＰホストは、前記
書き込み許可に基づいて、複数のＯＳＤフォントを前記
ＣＰＵのメモリに前記シリアルポートを介して転送す
る、当該ＩＳＰホストと、 前記ＣＰＵと前記ＩＳＰホストに接続され、前記ＯＳＤ
フォントを格納し、前記ＣＰＵから前記制御信号を受信
するフォントフラッシュＲＯＭであって、前記複数のＯ
ＳＤフォントの各々は書き込みクロック区間で複数の記
憶装置に格納され、前記ＩＳＰホストは、前記複数の記
憶装置の各々の行を書き込み単位として前記複数のＯＳ
Ｄフォントを前記フラッシュＲＯＭの第１の領域と第２
の領域に前記シリアルポートを介して同期的に書き込
む、当該フォントフラッシュＲＯＭとを備える、ＯＳＤ
フォントアクセス装置。 - 【請求項１３】 前記ＩＳＰホストは、前記フォントフ
ラッシュＲＯＭの前記複数のＯＳＤフォントの各々にあ
る複数の記憶装置の各々をデータバスを介して読み出し
クロック区間で同期的に読み出し、前記ＯＳＤフォント
に関する検査を行うことをさらに備える請求項１２記載
の装置。 - 【請求項１４】 前記フォントフラッシュＲＯＭは複数
の出力ビットを備える請求項１２記載の装置。 - 【請求項１５】 前記フォントフラッシュＲＯＭの前記
複数の出力ビットは複数の記憶装置の各々に対する行全
体に等しい請求項１３記載の装置。 - 【請求項１６】 前記フォントフラッシュＲＯＭの前記
第１の領域は複数のカスタムＯＳＤフォントを備える請
求項１２記載の装置。 - 【請求項１７】 前記フォントフラッシュＲＯＭの前記
第２の領域は複数の固有のＯＳＤフォントを備える請求
項１２記載の装置。 - 【請求項１８】 前記ＯＳＤフォントの前記検査を実行
する前記ＩＳＰホストは、前記シリアルポートを介して
チェックサムや巡回冗長検査（ＣＲＣ）を使うことを備
える請求項１２記載の装置。 - 【請求項１９】 前記シリアルポートは、内部の集積回
路バス（Ｉ2Ｃ）とシリアル周辺インターフェイス（Ｓ
ＰＩ）からなるグループから選ばれた１つである請求項
１２記載の装置。 - 【請求項２０】 前記ＩＳＰホストは前記フォントフラ
ッシュＲＯＭから直接読み出すことをさらに備える請求
項１２記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000324322A JP3505502B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | オンスクリーン表示形成装置と方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000324322A JP3505502B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | オンスクリーン表示形成装置と方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002140061A JP2002140061A (ja) | 2002-05-17 |
| JP3505502B2 true JP3505502B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=18801872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000324322A Expired - Fee Related JP3505502B2 (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | オンスクリーン表示形成装置と方法 |
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| JP (1) | JP3505502B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20020062261A (ko) * | 2002-06-29 | 2002-07-25 | 심건 | 저해상도 비디오 이미지용 OSD(On Screen Display) 방법 |
| JP4079147B2 (ja) | 2005-01-14 | 2008-04-23 | 船井電機株式会社 | 液晶テレビ |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000324322A patent/JP3505502B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2002140061A (ja) | 2002-05-17 |
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