JP3501789B2 - ランドマークを利用した平面光導波路素子 - Google Patents
ランドマークを利用した平面光導波路素子Info
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Description
関するもので、特にランドマーク(landmark)を利用した
平面光導波路素子及びその製作方法に関する。
グ、信号多重化などの光信号処理を目的として、平面基
板上に光導波路を製作する光素子の集積化技術に対して
多くの研究がなされている。このような光導波路素子を
製作するためには導波路の設計、製作及びパッケージな
どの多様な技術が必要である。
み、長さ方向に損失が少ないように伝播させる伝送路と
して、屈折率が大きなコアと、コアを囲む屈折率が低い
クラッディングと、からなる。
波路のパッケージングに対して説明すると、次のようで
ある。図1及び図2に示されたように、従来の平面光導
波路素子10(PLC:Planar Light waveguide circui
t)のパッケージング(packaging)は、光導波路素子10
に/から光を入力し、出力するために光ファイバブロッ
ク11及び12(optical fiber block)との整列及び結
合を基にしている。平面光導波路素子10はシリコン(s
ilicon)や石英基板(quartz substrate)に多層のシリカ
(silica)、またはポリマー(polymer)薄膜を蒸着し、コ
ア(core)部とこれを囲むクラッディング(cladding)部の
屈折率差を利用して光の強さを分割するか、波長を分割
するか、光の経路を変更させるか、光の強さを調節する
などの役割ができるように設計され使用された。光ファ
イバブロック11、12は光ファイバ13、14を支持
するためのブロックであり、普通、シリコン基板にV型
溝(V-groove)を形成して光ファイバ13、またはリボン
型光ファイバ14を配列し、接着剤17を利用して固定
して製作される。この時、基板は石英に使用され得る。
平面光導波路素子10と光ファイバブロック11、12
との整列は、素子10とその両端の光ファイバブロック
11、12がそれぞれ精密位置制御装置を通じて整列さ
れ、整列後、両端に接着剤17を塗布して接着するよう
になる。
硬化型接着剤を使用する場合が一般的であるが、溶接を
通じる場合もある。整列接着された素子10はメタル、
またはプラスチックハウジング15に入れて最終製品に
製作され、場合によって気密封止(hermetic sealing)を
維持するために密封する場合もある。
合、ハウジング15の外部に電源連結部を形成して電流
を供給する場合もある。図2において、参照符号16は
電源リードを意味する。
は、光導波路素子及び光ファイバブロックの断面加工が
必要であり、この時、加工方法としてブレイド(blade)
を利用した切断と、研磨剤を利用したポリシング方法(p
olishing)が挙げられる。光導波路素子の加工精密度は
光ファイバブロックとの整列接着時、結合損失と密接な
関係を有しており、特に加工面の傾斜した角度は挿入損
失の均一度を低下させる要因になっており、加工後、加
工精度を測定する工程が必須的である。前記断面加工が
不正確であると再加工すべきであり、過大に切断される
と素子を捨てる問題点があった。
は光導波路素子を製作し、整列する過程で、より正確に
加工される角度を測定し、これを容易に修正できるよう
にして素子の整列及び結合時に発生する結合損失を最小
化することができる平面光導波路素子を提供することに
ある。
ファイバブロックを整列するために使用されるランドマ
ークを設けた平面光導波路素子を提供することにある。
ために本発明は平面光導波路素子において、平面光導波
路素子と光ファイバブロック間の整列及び接着時に発生
する結合損失と損失均一度を向上させるために、前記平
面光導波路素子の加工断面から許容公差内の所定位置に
一定の間隔(t)にランドマークを備える。
導波路素子の側面を切断する時、許容公差を評価するた
めに、前記平面光導波路素子内に位置する。望ましく
は、切断加工中に、前記ランドマークの区別のために、
数字や記号をランドマークに表示する。
を添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の発明にお
いて、本発明の要旨のみを明瞭にする目的で、関連した
公知機能又は構成に関する具体的な説明は省略する。
ク32が適用された平面光導波路素子30を示す。図3
に示されたように、本発明による前記平面光導波路素子
30は加工断面30aが光導波路31と垂直になるよう
に設置されるべきである場合、AB線分と光導波路31
が垂直になるようにランドマーク32を構成する。
間隔“t”は下記式(1)により計算される。
ができ、光導波路31と加工断面30aが垂直ではな
く、任意の角度に加工することもできる。前記ランドマ
ーク32は加工断面30aからtの間隔に十分に位置す
るようになり、前記ランドマーク32の区別のために、
端に数字や記号を表示するのが望ましい。
ドマーク32の挿入方法は、シリコン、または石英基板
上に薄膜を蒸着し、エッチングする工程でフォトマスク
に設計された形態にマークをエッチングして構成する。
従って、前記ランドマーク32と光導波路31との角度
精密度は、電子ビームの加工精密度を有するようにな
る。
隔(t)に対して説明すると、次のようである。Φ=90
°である場合、AとBを繋いだ線が加工断面30aを基
準に90°であり、AとB’、またはAとB’’を繋ぐ
線まで加工される場合、許容公差を△Φとすると、前記
ランドマーク32の間隔(t)は前記式(1)に決定され
ることができる。
スクを利用し、一定大きさ及び間隔(t)にマークを挿入
した光導波路素子を製作し、光導波路素子の断面を加工
する。加工過程の中、マークの除去された程度を検査す
る。加工過程中、顕微鏡を通じてランドマークの除去さ
れた程度を観察し、加工された程度がAとBを繋ぐ線を
基準に点B’、またはB’’から外れた場合、角度を修
正してさらに加工し、点B’とB’’間にある場合、加
工を終了する。
施形態による平面光導波路素子が光ファイバブロックと
整列された状態及び接着された状態をそれぞれ示す平面
図である。
平面光導波路素子40の両加工断面40a、40bは、
一つの光ファイバ43、または複数個の光ファイバ44
が配列されているそれぞれの光ファイバブロック41、
42を有している。前記平面光導波路素子40と光ファ
イバブロック41、42は紫外線、または熱硬化型接着
剤45を利用して結合されている。前記光ファイバブロ
ック41、42はシリコン、または石英基板を使用する
ことができ、接着方法も溶接やその他の方法もできる。
平面光導波路素子50の加工断面50aは一つの光ファ
イバ53、または複数個の光ファイバ54が配列されて
いるそれぞれの光ファイバブロック51、52を有して
いる。前記平面光導波路素子50と光ファイバブロック
51、52は紫外線、または熱硬化型接着剤55を利用
して結合されている。前記光ファイバブロック51、5
2はシリコン、または石英基板を使用することができ、
接着方法も溶接やその他の方法もできる。
れた配列、即ち、前記平面光導波路素子40を中心に両
方向に光ファイバブロック41、42が整列され接着さ
れることができ、図5A及び図5Bに示された配列、即
ち、前記平面光導波路素子50を中心に一方向に光ファ
イバブロック51、52が並んでいる状態に整列され接
着されることができる。図4A及び図5Aは光導波路素
子を中心に光ファイバブロックが整列された状態を示
し、図4B及び図5Bは光導波路素子を中心に光ファイ
バブロックが接着剤を利用して結合された状態を示す。
された平面光導波路素子を図4A、図4B、図5A及び
図5Bに示された状態に整列及び接着する場合、前記光
導波路素子に関する加工データを別に管理しなくても、
整列する時に顕微鏡により加工状態を確認できるので、
光ファイバブロックと加工断面の対を合わせることが可
能である。即ち、正の誤差は正の誤差どうし、負の誤差
は負の誤差どうし対を合わせて整列接着する場合、接着
損失の均一度を最大限向上させることができる。
0a、60bがそれぞれ光ファイバブロック61、62
と直角である場合を示し、図7は平面光導波路素子70
の加工断面70a、70bが光ファイバブロック71,
72に対して8°、または12°程度の角度に傾斜して
いる場合を示す。図6を参照すると、平面光導波路素子
60の加工断面60a、60bを中心にそれぞれの光フ
ァイバブロック61、62の加工断面61a、62aが
対面して整列されている。図7を参照すると、平面光導
波路素子70の加工断面70a、70bを中心にそれぞ
れの光ファイバブロック71、72の加工断面71a、
72aが対面して整列されている。
導波路素子において、ランドマークを利用することによ
って、検査と修正を工程中に遂行して精密度を高めるだ
けではなく、製品の歩留まりを向上させるようになっ
た。さらに、本発明は光ファイバブロックを整列接着す
る場合、加工断面の対を合わせることができるようにな
って結合損失の均一度を最大限向上させることができる
効果を有する。
パワー分割器、波長分割器、スイッチ、減衰器、ADM
(Add Drop Multiplexing)、OADM(Optical Add Drop
Multiplexing)、TADMのような光素子にも適用する
ことができることに注意すべきである。
して説明したが、本発明はこの特定の実施形態に限るも
のでなく、各種の変形及び修正が本発明の範囲を逸脱し
ない限り、該当分野における通常の知識を持つ者により
可能なのは明らかである。
光ファイバブロックが整列された状態を示す斜視図であ
る。
波路素子がハウジング内にパッケージングされた状態を
示す斜視図である。
ークが適用された平面光導波路素子を示す平面図であ
る。
マークが適用された平面光導波路素子の両方向に光ファ
イバブロックが整列された状態を示す平面図である。
マークが適用された平面光導波路素子の両方向に光ファ
イバブロックが接着された状態を示す平面図である。
マークが適用された平面光導波路素子の一方向に光ファ
イバブロックが整列された状態を示す平面図である。
マークが適用された平面光導波路素子の一方向に光ファ
イバブロックが接着された状態を示す平面図である。
波路素子の両加工断面が光ファイバブロックと垂直をな
す状態を示す図である。
波路素子の両加工断面が光ファイバブロックに対して8
°、または12°の角度に傾斜している状態を示した図
である。
0a、70b 加工断面 31 光導波路 32 ランドマーク 43、44、53、54 光ファイバ 41、42、51、52、61、62、71、72 光
ファイバブロック 45、55 熱硬化型接着剤
Claims (11)
- 【請求項1】 光導波路素子において、 コア及びクラディングを含む平面光導波路と、 前記平面光導波路内の対向端に配列され、前記平面光導
波路の一端から所定間隔に離隔され位置する複数のラン
ドマークと、を備え、 前記複数のランドマークは、許容公差内で前記平面光導
波路の一側面を選択的に切断するために機能することを
特徴とする素子。 - 【請求項2】 前記ランドマーク間の所定の間隔(t)
は、下記式により決定されることを特徴とする請求項1
に記載の平面光導波路素子。 【数1】 ここで、ΔΦは許容公差を、ABは前記平面光導波路素
子の加工断面を意味する。 - 【請求項3】 前記ランドマークは、許容公差を評価す
るために、前記平面光導波路素子内に位置して配列され
ることを特徴とする請求項1に記載の平面光導波路素
子。 - 【請求項4】 前記平面光導波路素子は、光パワー分割
器、波長分割器、スイッチ、減衰器、ADM、OAD
M、TADMを含むことを特徴とする請求項1に記載の
平面光導波路素子。 - 【請求項5】 前記ランドマークの区別のために、数字
や記号を表示することを特徴とする請求項1に記載の平
面光導波路素子。 - 【請求項6】 複数の導波路を有する平面光導波路素子
を光ファイバブロックに整列する方法において、 前記複数の導波路に直角である加工断面を提供するため
に前記平面光導波路素子を切断する過程を有し、 前記平面光導波路素子を切断する過程は、設置されるべ
き前記加工断面から 所定間隔で、前記導波路を挟んで対
向するランドマークの列を、該対向するランドマークを
結ぶ線分が前記導波路と垂直になるように提供する段階
と、 前記平面光導波路素子の一側面を選択的に切断して、前
記対向するランドマークの除去された程度を検査するこ
とによって前記切断された一側面の前記導波路に対する
垂直性を判断し、加工された程度に応じて角度を修正し
てさらに加工するか、あるいは加工を終了する段階と、
を備えることを特徴とする平面光導波路素子の整列方
法。 - 【請求項7】 前記光ファイバブロックと相応する受容
断面を提供するために、前記許容公差を評価する段階を
さらに備えることを特徴とする請求項6に記載の平面光
導波路素子の整列方法。 - 【請求項8】 前記ランドマーク間の所定の間隔(t)
は、下記式により決定されることを特徴とする請求項6
に記載の平面光導波路素子の整列方法。 【数2】 ここで、ΔΦは許容公差を、ABは前記平面光導波路素
子の加工断面を意味する。 - 【請求項9】 前記ランドマークは、許容公差を評価す
るために、前記光導波路素子内に位置して配列されるこ
とを特徴とする請求項6に記載の平面光導波路素子の整
列方法。 - 【請求項10】 前記平面光導波路素子は、光パワー分
割器、波長分割器、スイッチ、減衰器、ADM、OAD
M、TADMを含むことを特徴とする請求項6に記載の
平面光導波路素子の整列方法。 - 【請求項11】 前記予め設定された基準は、前記ラン
ドマークの区別のために、数字や記号を含むことを特徴
とする請求項6に記載の平面光導波路素子の整列方法。
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