JP3501455B2 - 液晶化合物 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、式Ｉ
［式中、
ＲはＨ、または未置換の、CNまたはCF3でモノ置換さ
れるまたはハロゲンで少なくともモノ置換される１〜15
個の炭素原子を有するアルキルまたはアルケニル基であ
り、これらの基における１つ以上のCH2基は、それぞれ
互いに独立して、酸素原子が互いに直接結合しないよう
に−Ｏ−、−Ｓ−、 −CO−、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−または−Ｏ−CO−Ｏ−
によって置き換えることも可能であり、 Z1およびＺは、それぞれ互いに独立して、−CH2CH
2−、−CH＝CH−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり、あ
るいはまたZ1およびＺの１つは−（CH2）４−または−C
H＝CH−CH2CH2−であり、 ＡおよびA1は、それぞれ互いに独立して、１つまたは
隣接しない２つのCH2基を−Ｏ−で置き換えてもよいト
ランス−1,4−シクロヘキシレン基、あるいは未置換
の、またはフッ素および／またはCl原子でモノ置換また
はジ置換される、１つまたは２つのCH基をＮで置き換え
てもよい1,4−フェニレン基であり、 ｍは０、１、２または３であり、 ｏおよびｓは０、１または２（但し、（ｓ＋ｏ）は≧
２である）であり、 Ｗは−Ｏ−、−COO−または単結合であり、 Ｑは−Ｏ−、−CH＝CH−または単結合であり、 ｒは１〜７であり、 ｔは０〜７であり、そして ＹはＦ、Cl、CF3、OCF3、CHF2、OCHF2またはOCH2Fで
ある］の液晶化合物に関する。
れるまたはハロゲンで少なくともモノ置換される１〜15
個の炭素原子を有するアルキルまたはアルケニル基であ
り、これらの基における１つ以上のCH2基は、それぞれ
互いに独立して、酸素原子が互いに直接結合しないよう
に−Ｏ−、−Ｓ−、 −CO−、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−または−Ｏ−CO−Ｏ−
によって置き換えることも可能であり、 Z1およびＺは、それぞれ互いに独立して、−CH2CH
2−、−CH＝CH−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり、あ
るいはまたZ1およびＺの１つは−（CH2）４−または−C
H＝CH−CH2CH2−であり、 ＡおよびA1は、それぞれ互いに独立して、１つまたは
隣接しない２つのCH2基を−Ｏ−で置き換えてもよいト
ランス−1,4−シクロヘキシレン基、あるいは未置換
の、またはフッ素および／またはCl原子でモノ置換また
はジ置換される、１つまたは２つのCH基をＮで置き換え
てもよい1,4−フェニレン基であり、 ｍは０、１、２または３であり、 ｏおよびｓは０、１または２（但し、（ｓ＋ｏ）は≧
２である）であり、 Ｗは−Ｏ−、−COO−または単結合であり、 Ｑは−Ｏ−、−CH＝CH−または単結合であり、 ｒは１〜７であり、 ｔは０〜７であり、そして ＹはＦ、Cl、CF3、OCF3、CHF2、OCHF2またはOCH2Fで
ある］の液晶化合物に関する。
本発明は、更にこれらの化合物を液晶媒体の成分とし
て使用すること、および本発明の液晶媒体を含んでいる
液晶および電気光学ディスプレイ要素に関する。
て使用すること、および本発明の液晶媒体を含んでいる
液晶および電気光学ディスプレイ要素に関する。
式Ｉの化合物は、特にねじれセルの原理、ゲスト／ホ
スト効果、整列相の変形効果または動的散乱効果に基づ
くディスプレイ用の液晶媒体成分として使用することが
できる。
スト効果、整列相の変形効果または動的散乱効果に基づ
くディスプレイ用の液晶媒体成分として使用することが
できる。
この目的のためにこれまで使用された物質はある種の
不都合、例えば過度に高い融点、過度に低い透明点、
熱、光または電場の作用に対する不十分な安定性、不十
分な電気抵抗、しきい電圧の過度に高い温度依存性、ま
たは不適切な弾性および／または誘電特性を有してい
る。
不都合、例えば過度に高い融点、過度に低い透明点、
熱、光または電場の作用に対する不十分な安定性、不十
分な電気抵抗、しきい電圧の過度に高い温度依存性、ま
たは不適切な弾性および／または誘電特性を有してい
る。
特に220℃よりかなり大きいねじれ角を有する超ねじ
れ型（STN）のディスプレイまたはアクティブマトリッ
クスを有するディスプレイにおいて、これまで使用され
た物質は不利がある。
れ型（STN）のディスプレイまたはアクティブマトリッ
クスを有するディスプレイにおいて、これまで使用され
た物質は不利がある。
本発明は、液晶媒体の成分として適した、また同時
に、特に比較的低い粘度および比較的高い誘電異方性お
よび高いネマチック性を有する新規の安定した液晶化合
物またはメソゲニック化合物を見出すことを目的とす
る。
に、特に比較的低い粘度および比較的高い誘電異方性お
よび高いネマチック性を有する新規の安定した液晶化合
物またはメソゲニック化合物を見出すことを目的とす
る。
式Ｉの化合物が液晶媒体の成分として著しく適してい
ることを見出した。特に、これらの化合物は比較的低い
粘度および高いネマチック性を有している。これらの化
合物は広いメソ相範囲、および光学および誘電異方性に
関する有利な値を有する安定な液晶媒体を得るために使
用することができる。更に、これらの媒体は非常に良好
な低温挙動、即ち通常のLC材料に対する優れた溶解性を
有し、同時にスメクチック相の発生が効果的に抑えられ
る。
ることを見出した。特に、これらの化合物は比較的低い
粘度および高いネマチック性を有している。これらの化
合物は広いメソ相範囲、および光学および誘電異方性に
関する有利な値を有する安定な液晶媒体を得るために使
用することができる。更に、これらの媒体は非常に良好
な低温挙動、即ち通常のLC材料に対する優れた溶解性を
有し、同時にスメクチック相の発生が効果的に抑えられ
る。
式
の液晶はWO 8902425においてすでに開示されている。JP
59/155485−A2は式 の化合物を述べている。最後に、EP 278665は式 の化合物を記載している。DE 31 36 624、DE 32 09 178
およびDE 34 734は次式の化合物類を開示している： JP 59/01,684は式 の３−フルオロ−４−置換４−ビシクロヘキシルベンゼ
ンを開示している。
59/155485−A2は式 の化合物を述べている。最後に、EP 278665は式 の化合物を記載している。DE 31 36 624、DE 32 09 178
およびDE 34 734は次式の化合物類を開示している： JP 59/01,684は式 の３−フルオロ−４−置換４−ビシクロヘキシルベンゼ
ンを開示している。
WO 88/05 803 Aは一般式
のエステルに関するものである。
EP 0 360 521 Aは一般式
の化合物を記載している。
WO 89/02 884は式
のトリフルオロメチルエーテルを開示している。
最後に、DE−A 39 09 802は式
の化合物を記載している。
EP−A 0 168 683は次式の液晶を開示している：
Ｙ＝CF3である式Ｉの化合物は非常に鋭い電気光学特
性傾斜を有するSTNディスプレイおよびアクティブマト
リックスおよび優れた長時間安定性を有するディスプレ
イの両方の製造を容易にする。フッ素化していない化合
物と比べて、本発明の化合物はより高いΔεおよびより
高いε⊥の両方を有している。それらの特に好ましい弾
性特性のために、本発明の化合物はTFT混合物用の成分
として特に適している。ｒおよびｓを適切に選択するこ
とによって両タイプのディスプレイにおけるしきい電圧
を著しく低くすることができる。
性傾斜を有するSTNディスプレイおよびアクティブマト
リックスおよび優れた長時間安定性を有するディスプレ
イの両方の製造を容易にする。フッ素化していない化合
物と比べて、本発明の化合物はより高いΔεおよびより
高いε⊥の両方を有している。それらの特に好ましい弾
性特性のために、本発明の化合物はTFT混合物用の成分
として特に適している。ｒおよびｓを適切に選択するこ
とによって両タイプのディスプレイにおけるしきい電圧
を著しく低くすることができる。
しかしながら、このような化合物の非常に種々様々な
用途範囲に鑑みて、特定の用途に正確に適用される特性
を有する有効な更に別の化合物を入手することが望まし
いことであった。
用途範囲に鑑みて、特定の用途に正確に適用される特性
を有する有効な更に別の化合物を入手することが望まし
いことであった。
更に、式Ｉの化合物を供与することによって、種々の
用途の観点から液晶混合物を製造するために適している
液晶物質の範囲が非常に一般的にかなり広げられる。
用途の観点から液晶混合物を製造するために適している
液晶物質の範囲が非常に一般的にかなり広げられる。
式Ｉの化合物は広い用途範囲を有している。置換基を
選択することによって、これらの化合物は、液晶媒体を
主として構成する基材として使用することができるけれ
ど、例えば、この種の誘電体の誘電および／または光学
異方性に影響を及ぼすために、および／またはそのしき
い電圧および／またはその粘度を最適にするために式Ｉ
の化合物を他の群の化合物から成る液晶基材に加えるこ
とも可能である。
選択することによって、これらの化合物は、液晶媒体を
主として構成する基材として使用することができるけれ
ど、例えば、この種の誘電体の誘電および／または光学
異方性に影響を及ぼすために、および／またはそのしき
い電圧および／またはその粘度を最適にするために式Ｉ
の化合物を他の群の化合物から成る液晶基材に加えるこ
とも可能である。
純粋な状態で、式Ｉの化合物は無色であり、電気光学
的に使用するために都合よく配設される温度範囲におい
て液晶メソ相を形成する。これらの化合物は化学的、熱
的および光に非常に安定である。
的に使用するために都合よく配設される温度範囲におい
て液晶メソ相を形成する。これらの化合物は化学的、熱
的および光に非常に安定である。
したがって、本発明は式Ｉの化合物および液晶媒体成
分としてこれらの化合物を使用することに関する。更
に、本発明は、式Ｉの少なくとも１種の化合物を含有す
る液晶媒体およびこの種の媒体を含有する液晶ディスプ
レイ要素、特に電気光学的ディスプレイ要素に関する。
分としてこれらの化合物を使用することに関する。更
に、本発明は、式Ｉの少なくとも１種の化合物を含有す
る液晶媒体およびこの種の媒体を含有する液晶ディスプ
レイ要素、特に電気光学的ディスプレイ要素に関する。
以上および以下において、Ｒ、A1、Ａ、Z1、Ｚ、Ｗ、
Ｑ、Ｙ、ｍ、ｏ、ｒおよびｔは、別に特別に述べないか
ぎり上に定義した通りである。A1およびＡが置換1,4−
フェニレン環である場合、このフェニレン環はフッ素に
よって２−、2,3−または2,6−部位で置換されているの
が好ましい。
Ｑ、Ｙ、ｍ、ｏ、ｒおよびｔは、別に特別に述べないか
ぎり上に定義した通りである。A1およびＡが置換1,4−
フェニレン環である場合、このフェニレン環はフッ素に
よって２−、2,3−または2,6−部位で置換されているの
が好ましい。
Z1およびＺは単結合または−CH2CH2−であるのが好ま
しい。
しい。
基Z1およびＺの一方が−（CH2）２−、−（CH2）４−
または−CH＝CH−CH2CH2−である場合、他方の基Z1また
はＺは単結合であるのが好ましい。
または−CH＝CH−CH2CH2−である場合、他方の基Z1また
はＺは単結合であるのが好ましい。
この種の好ましい化合物は下位式Ｉ′
（式中、Ｚは−（CH2）４−または−CH＝CH−CH2CH2−
であり、そしてＲ、ｒ、ｔ、Ｌ、Ｗ、ＱおよびＹは式Ｉ
で定義した通りである）に従う。
であり、そしてＲ、ｒ、ｔ、Ｌ、Ｗ、ＱおよびＹは式Ｉ
で定義した通りである）に従う。
下位式Ｉ″
（式中、ＬはＨまたはＦであり、そしてＲ、Z1、Ｗ、
Ｑ、Ｙ、ｒおよびｔは請求項１で定義した通りである）
の化合物が同様に好ましい。ｔ＝０の場合、Ｑは単結合
であるのが好ましい。
Ｑ、Ｙ、ｒおよびｔは請求項１で定義した通りである）
の化合物が同様に好ましい。ｔ＝０の場合、Ｑは単結合
であるのが好ましい。
ＷがＯまたは単結合を表わす場合、ＹはＨであっても
よい。
よい。
以下において、簡略のために、Ａ″は1,4−シクロヘ
キシレン基であり、Ｂは式 （但し、ＬはＦであるのが好ましい）の基である。Ｙは
Ｆ、ClまたはCF3であるのが好ましく、またｒおよびｓ
は１、２、３または４であるのが好ましい。Ｑは単結合
であるのが好ましい。
キシレン基であり、Ｂは式 （但し、ＬはＦであるのが好ましい）の基である。Ｙは
Ｆ、ClまたはCF3であるのが好ましく、またｒおよびｓ
は１、２、３または４であるのが好ましい。Ｑは単結合
であるのが好ましい。
従って、式Ｉの化合物は下位式
Ｒ−Ａ″−Ａ″−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ａ
Ｒ−Ａ″−Ａ″−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−Ｏ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｂ
Ｒ−Ａ″−Z1−Ａ″−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｃ
Ｒ−Ａ″−Z1−Ａ″−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−Ｏ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｄ
Ｒ−Ａ″−Ａ″−Z2−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｅ
Ｒ−Ａ″−Ａ″−Z2−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−Ｏ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｆ
Ｒ−Ａ″−Z1−Ａ″−Z2−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｇ
Ｒ−Ａ″−Z1−Ａ″−Z2−Ｂ−Ｗ−（CH2）ｒ−Ｏ−（CH2）ｔ−Ｙ Ｉ″ｈ
の化合物を包含する。
これらのうち、下位式Ｉ″ａ、Ｉ″ｂ、Ｉ″ｅおよび
Ｉ″ｆのものが特に好ましい。下位式Ｉ″ｃ〜Ｉ″ｈの
化合物において、Z1およびＺは−CH2CH2−、−CH＝CH−
または−Ｃ≡Ｃ−、好ましくは−CH2CH2−である。
Ｉ″ｆのものが特に好ましい。下位式Ｉ″ｃ〜Ｉ″ｈの
化合物において、Z1およびＺは−CH2CH2−、−CH＝CH−
または−Ｃ≡Ｃ−、好ましくは−CH2CH2−である。
式1A
（式中、ｎは０〜７であり、Ｄは−Ｏ−、−CH＝CH−ま
たは単結合であり、ａは１〜５であり、ｂは０または１
であり、そしてＺ、Ａ、ｏおよびｒは請求項１に定義し
た通りである）の化合物も特に好ましい。
たは単結合であり、ａは１〜５であり、ｂは０または１
であり、そしてＺ、Ａ、ｏおよびｒは請求項１に定義し
た通りである）の化合物も特に好ましい。
特に好ましい下位式1Aの化合物は
− 式I a
（式中、ａは１〜５であり、ｂは０または１であり、ｓ
は１または２であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物； − 式I b （式中、ｎは１〜７であり、ｓは１または２であり、ｂ
は０または１であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物； − 式I c （式中、L1はＨ、ＦまたはClであり、L2はＦまたはClで
あり、そしてＲ、A1、Z1、Ｚ、ｍおよびｓは請求項１に
定義した通りである）の化合物である。
は１または２であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物； − 式I b （式中、ｎは１〜７であり、ｓは１または２であり、ｂ
は０または１であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物； − 式I c （式中、L1はＨ、ＦまたはClであり、L2はＦまたはClで
あり、そしてＲ、A1、Z1、Ｚ、ｍおよびｓは請求項１に
定義した通りである）の化合物である。
式ＩにおけるＲがアルキル基および／またはアルコキ
シ基である場合、これは直鎖または枝分れ鎖でありう
る。この基は直鎖であり、２、３、４、５、６または７
個の炭素原子を有しているのが好ましく、したがってエ
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシまたはヘプトキシであるのが好ましく、更にメ
チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキ
シ、オクトキシ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、
ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシであ
る。
シ基である場合、これは直鎖または枝分れ鎖でありう
る。この基は直鎖であり、２、３、４、５、６または７
個の炭素原子を有しているのが好ましく、したがってエ
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシまたはヘプトキシであるのが好ましく、更にメ
チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキ
シ、オクトキシ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、
ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシであ
る。
オキサアルキルは直鎖２−オキサプロピル（＝メトキ
シメチル）、２−オキサブチル（＝エトキシメチル）ま
たは３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２
−、３−または４−オキサペンチル、２−、３−、４−
または５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−ま
たは６−オキサヘプチルで、２−、３−、４−、５−、
６−または７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５
−、６−、７−または８−オキサノニル、または２−、
３−、４−、５−、６−、７−、８−または９−オキサ
デシルであるのが好ましい。
シメチル）、２−オキサブチル（＝エトキシメチル）ま
たは３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２
−、３−または４−オキサペンチル、２−、３−、４−
または５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−ま
たは６−オキサヘプチルで、２−、３−、４−、５−、
６−または７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５
−、６−、７−または８−オキサノニル、または２−、
３−、４−、５−、６−、７−、８−または９−オキサ
デシルであるのが好ましい。
Ｒがアルケニル基である場合、この基は直鎖または枝
分かれ鎖でありうる。この基は直鎖であり、２〜10個の
炭素原子を有しているのが好ましい。したがって、この
基は特にビニル、１−または２−プロペニル、１−、２
−または３−ブテニル、１−、２−、３−または４−ペ
ンテニル、１−、２−、３−、４−または５−ヘキセニ
ル、１−、２−、３−、４−、５−または６−ヘプテニ
ル、１−、２−、３−、４−、５−、６−または７−オ
クテニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−
または８−ノネニル、または１−、２−、３−、４−、
５−、６−、７−、８−または９−デセニルである。
分かれ鎖でありうる。この基は直鎖であり、２〜10個の
炭素原子を有しているのが好ましい。したがって、この
基は特にビニル、１−または２−プロペニル、１−、２
−または３−ブテニル、１−、２−、３−または４−ペ
ンテニル、１−、２−、３−、４−または５−ヘキセニ
ル、１−、２−、３−、４−、５−または６−ヘプテニ
ル、１−、２−、３−、４−、５−、６−または７−オ
クテニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−
または８−ノネニル、または１−、２−、３−、４−、
５−、６−、７−、８−または９−デセニルである。
Ｒが１つのCH2基を−Ｏ−で、また１つを−CO−で置
換したアルキル基である場合、これらは隣接しているの
が好ましい。したがって、これらの基はアシロキシ基−
CO−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−CO−を含んで
いる。この基は直鎖であり、２〜６個の炭素原子を有し
ているのが好ましい。
換したアルキル基である場合、これらは隣接しているの
が好ましい。したがって、これらの基はアシロキシ基−
CO−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−CO−を含んで
いる。この基は直鎖であり、２〜６個の炭素原子を有し
ているのが好ましい。
したがって、これらは特にアセチルオキシ、プロピオ
ニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘ
キサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイル
オキシメチル、２−アセチルオキシエチル、２−プロピ
オニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−
アセチルオキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロ
ピル、４−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカル
ボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシ
カルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、２−
（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボ
ニル）エチル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、
３−（メトキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシ
カルボニル）プロピルまたは４−（メトキシカルボニ
ル）ブチルである。
ニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘ
キサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイル
オキシメチル、２−アセチルオキシエチル、２−プロピ
オニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−
アセチルオキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロ
ピル、４−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカル
ボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシ
カルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、２−
（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボ
ニル）エチル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、
３−（メトキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシ
カルボニル）プロピルまたは４−（メトキシカルボニ
ル）ブチルである。
Ｒがビニル基に隣接する１つのCH2基をCOまたはCO−
ＯまたはＯ−CO−で置換したアルケニル基である場合、
この基は直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖
であり、４〜13個の炭素原子を有しているのが好まし
い。したがって、この基は特にアクリロイルオキシメチ
ル、２−アクリロイルオキシエチル、３−アクリロイル
オキシプロピル、４−アクリロイルオキシブチル、５−
アクリロイルオキシペンチル、６−アクリロイルオキシ
ヘキシル、７−アクリオイルオキシヘプチル、８−アク
リロイルオキシオクチル、９−アクリロイルオキシノニ
ル、10−アクリロイルオキシデシル、メタクリロイルオ
キシメチル、２−メタクリロイルオキシエチル、３−メ
タクリロイルオキシプロピル、４−メタクリロイルオキ
シブチル、５−メタクリロイルオキシペンチル、６−メ
タクリロイルオキシヘキシル、７−メタクリロイルオキ
シヘプチル、８−メタクルロイルオキシオクチルまたは
９−メタクリロイルオキシノニルである。
ＯまたはＯ−CO−で置換したアルケニル基である場合、
この基は直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖
であり、４〜13個の炭素原子を有しているのが好まし
い。したがって、この基は特にアクリロイルオキシメチ
ル、２−アクリロイルオキシエチル、３−アクリロイル
オキシプロピル、４−アクリロイルオキシブチル、５−
アクリロイルオキシペンチル、６−アクリロイルオキシ
ヘキシル、７−アクリオイルオキシヘプチル、８−アク
リロイルオキシオクチル、９−アクリロイルオキシノニ
ル、10−アクリロイルオキシデシル、メタクリロイルオ
キシメチル、２−メタクリロイルオキシエチル、３−メ
タクリロイルオキシプロピル、４−メタクリロイルオキ
シブチル、５−メタクリロイルオキシペンチル、６−メ
タクリロイルオキシヘキシル、７−メタクリロイルオキ
シヘプチル、８−メタクルロイルオキシオクチルまたは
９−メタクリロイルオキシノニルである。
ＲがCNまたはCF3でモノ置換されるアルキルまたはア
ルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが好まし
く、またCNまたはCF3による置換はω−部位においてで
ある。
ルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが好まし
く、またCNまたはCF3による置換はω−部位においてで
ある。
Ｒがハロゲンで少なくともモノ置換されるアルキルま
たはアルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが
好ましい、またハロゲンはＦまたはClであるのが好まし
い。多置換の場合、ハロゲンはＦであるのが好ましい。
その結果、これらの基は過フッ素化基も包含するもので
ある。モノ置換の場合、フッ素または塩素置換基は所望
の位置でありうるが、ω−部位にあるのが好ましい。
たはアルケニル基である場合、この基は直鎖であるのが
好ましい、またハロゲンはＦまたはClであるのが好まし
い。多置換の場合、ハロゲンはＦであるのが好ましい。
その結果、これらの基は過フッ素化基も包含するもので
ある。モノ置換の場合、フッ素または塩素置換基は所望
の位置でありうるが、ω−部位にあるのが好ましい。
重合反応に適する末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は液
晶重合体を製造するのに適している。
晶重合体を製造するのに適している。
枝分れ末端基Ｒを有する式Ｉの化合物は、通常の液晶
基材に対する溶解度が良好なので時には重要であるが、
それらが光学的に活性であるならば、キラルドーピング
剤として特に重要である。この種のスメクチック化合物
は強誘電性材料の成分として適している。SA相を有する
式Ｉの化合物は、例えば熱によってアドレスされるディ
スプレイに適している。
基材に対する溶解度が良好なので時には重要であるが、
それらが光学的に活性であるならば、キラルドーピング
剤として特に重要である。この種のスメクチック化合物
は強誘電性材料の成分として適している。SA相を有する
式Ｉの化合物は、例えば熱によってアドレスされるディ
スプレイに適している。
この種の枝分れ基は一般に１つ以下の鎖枝を有してい
る。好ましい枝分れ基Ｒはイソプロピル、２−ブチル
（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−メチル
プロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３−
メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルペン
チル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、イ
ソプロポキシ、２−メチルプロポキチ、２−メチルブト
キシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３
−メチルペントキシ、２−エチルヘキソキシ、１−メチ
ルヘキソキシおよび１−メチルペプトキシである。
る。好ましい枝分れ基Ｒはイソプロピル、２−ブチル
（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−メチル
プロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３−
メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルペン
チル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、イ
ソプロポキシ、２−メチルプロポキチ、２−メチルブト
キシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３
−メチルペントキシ、２−エチルヘキソキシ、１−メチ
ルヘキソキシおよび１−メチルペプトキシである。
Ｒが、２つ以上のCH2基が−Ｏ−および／または−CO
−Ｏ−によって置き換えられたアルキル基である場合、
これは直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は枝分れ
鎖であり、３〜12個の炭素原子を有しているのが好まし
い。したがって、この基は特にビスカルボキシメチル、
2,2−ビスカルボキシエチル、3,3−ビスカルボキシプロ
ピル、4,4−ビスカルボキシブチル、5,5−ビスカルボキ
シペンチル、6,6−ビスカルボキシヘキシル、7,7−ビス
カルボキシヘプチル、8,8−ビスカルボキシオクチル、
9,9−ビスカルボキシノニル、10,10−ビスカルボキシデ
シル、ビス（メトキシカルボニル）メチル、2,2−ビス
（メトキシカルボニル）エチル、3,3−ビス（メトキシ
カルボニル）プロピル、4,4−ビス（メトキシカルボニ
ル）ブチル、5,5−ビス（メトキシカルボニル）ペンチ
ル、6,6−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、7,7−
ビス（メトキシカルボニル）ヘプチル、8,8−ビス（メ
トキシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニ
ル）メチル、2,2−ビス（エトキシカルボニル）エチ
ル、3,3−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、4,4−
ビス（エトキシカルボニル）ブチルまたは5,5−ビス
（エトキシカルボニル）ヘキシルである。
−Ｏ−によって置き換えられたアルキル基である場合、
これは直鎖または枝分れ鎖でありうる。この基は枝分れ
鎖であり、３〜12個の炭素原子を有しているのが好まし
い。したがって、この基は特にビスカルボキシメチル、
2,2−ビスカルボキシエチル、3,3−ビスカルボキシプロ
ピル、4,4−ビスカルボキシブチル、5,5−ビスカルボキ
シペンチル、6,6−ビスカルボキシヘキシル、7,7−ビス
カルボキシヘプチル、8,8−ビスカルボキシオクチル、
9,9−ビスカルボキシノニル、10,10−ビスカルボキシデ
シル、ビス（メトキシカルボニル）メチル、2,2−ビス
（メトキシカルボニル）エチル、3,3−ビス（メトキシ
カルボニル）プロピル、4,4−ビス（メトキシカルボニ
ル）ブチル、5,5−ビス（メトキシカルボニル）ペンチ
ル、6,6−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、7,7−
ビス（メトキシカルボニル）ヘプチル、8,8−ビス（メ
トキシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニ
ル）メチル、2,2−ビス（エトキシカルボニル）エチ
ル、3,3−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、4,4−
ビス（エトキシカルボニル）ブチルまたは5,5−ビス
（エトキシカルボニル）ヘキシルである。
式Ｉおよび下位式のこれらの化合物のうち、そこに存
在する基の少なくとも１つが表示した好ましい意味の１
つであるものが好ましい。
在する基の少なくとも１つが表示した好ましい意味の１
つであるものが好ましい。
ある種の特に非常に好ましい小群の化合物は下位式I1
〜I50（式中、ＬはＨまたはＦであり、ｎ＝１〜14であ
り、そしてｒおよびｔはそれぞれ１〜７である）： のものである。
〜I50（式中、ＬはＨまたはＦであり、ｎ＝１〜14であ
り、そしてｒおよびｔはそれぞれ１〜７である）： のものである。
式Ｉの化合物は文献［例えば、シュトットガルトのゲ
オルグ−スィーメ（Georg−Thieme）出版社発行のホー
ベン−ワイル（Houben−Weyl）、「有機化学の方法（Me
thoden der Organischen Chemie）」、IX巻、867頁以降
のような定本］に記載されているようなそれ自体公知の
方法によって、すなわち、公知の前記反応に適した反応
条件下に製造される。また、それ自体公知であるが、こ
こではさらに詳細には説明しない異法もここで使用する
ことができる。
オルグ−スィーメ（Georg−Thieme）出版社発行のホー
ベン−ワイル（Houben−Weyl）、「有機化学の方法（Me
thoden der Organischen Chemie）」、IX巻、867頁以降
のような定本］に記載されているようなそれ自体公知の
方法によって、すなわち、公知の前記反応に適した反応
条件下に製造される。また、それ自体公知であるが、こ
こではさらに詳細には説明しない異法もここで使用する
ことができる。
Ｗ＝−Ｏ−および
である本発明の式Ｉの化合物は、例えば式II
（式中、ＬはＨまたはＦであり、そしてＲ、Z1およびＺ
は上に定義した通りである）の化合物を以下の反応図式
に従ってメタル化し、その後生成物を適切な求電子試薬
と反応させることによって製造することができる。
は上に定義した通りである）の化合物を以下の反応図式
に従ってメタル化し、その後生成物を適切な求電子試薬
と反応させることによって製造することができる。
Ｌ＝Ｆである式IIの化合物は新規のものであるので、
これらも本発明の主題である。更に、Ｌ＝Ｆである式II
Iの化合物は本発明の主題である。
これらも本発明の主題である。更に、Ｌ＝Ｆである式II
Iの化合物は本発明の主題である。
更に、本発明は、式IIの少なくとも１種の化合物を含
有する液晶媒体に関する。
有する液晶媒体に関する。
式Ｉの化合物（Ｗ＝−Ｏ−および
を公知のエーテル化方法、例えば必要に応じて触媒量の
KIの存在下にアセトン/K2CO3中でHal−（CH2）ｒ−Ｑ−
（CH2）ｔ−Ｙ（Hal＝Ｉ、BrまたはCl）の反応させるこ
とによって式IIIの生成フェノールから得ることができ
る。
KIの存在下にアセトン/K2CO3中でHal−（CH2）ｒ−Ｑ−
（CH2）ｔ−Ｙ（Hal＝Ｉ、BrまたはCl）の反応させるこ
とによって式IIIの生成フェノールから得ることができ
る。
本発明の化合物は臭素誘導体IV
から得ることもできる。
本発明のフェニルエーテルの更に別の合成方法は当業
者に明らかである。例えば、５−置換1,3−ジフルオロ
ベンゼン化合物またはモノフッ素化類似体（Ｌ＝Ｈ）を
上記図式に従って２−Ｏ−（CH2）ｒ−Ｑ−（CH2）ｔ−
Ｙ−1,3−ジフルオロ化合物またはモノフッ素化類似体
（Ｌ＝Ｈ）に適宜転化することができ、ついで基 を液晶化学においては通例の反応［例えば、E.ポエチ
（Poetsch）、コンタクテ（Kontakte）（ダルムシュタ
ット）、1988（２）、15頁に記載されているような、例
えば、エーテル化またはカップリング］によって導入す
ることができる。
者に明らかである。例えば、５−置換1,3−ジフルオロ
ベンゼン化合物またはモノフッ素化類似体（Ｌ＝Ｈ）を
上記図式に従って２−Ｏ−（CH2）ｒ−Ｑ−（CH2）ｔ−
Ｙ−1,3−ジフルオロ化合物またはモノフッ素化類似体
（Ｌ＝Ｈ）に適宜転化することができ、ついで基 を液晶化学においては通例の反応［例えば、E.ポエチ
（Poetsch）、コンタクテ（Kontakte）（ダルムシュタ
ット）、1988（２）、15頁に記載されているような、例
えば、エーテル化またはカップリング］によって導入す
ることができる。
式IIの化合物は、例えば以下の合成によって製造する
ことがとができる： いくつかの特に好ましい化合物の合成を以下により詳
細に示す： 式Ｉのフェニルエーテルは対応するヒドロキシル化合
物類、好ましくは対応するフェノール類をエーテル化す
ることによって得ることができる。便宜上、まずヒドロ
キシル化合物を対応する金属誘導体、例えば、NaH、NaN
H2、NaOH、KOH、Na2CO3またはK2CO3で処理することによ
って対応するアルカリ金属アルコキシドまたはアルカリ
金属フェノキシドに転化する。次に、これを約20〜100
℃の温度で、例えばアセトン、1,2−ジメトキシエタ
ン、DMFまたはジメチルスルホキシド等の不活性溶媒中
で都合よく適切なハロゲン化アルキル、硫酸アルキルま
たは硫酸ジアルキルと、あるいはまた過剰のNaOHまたは
KOH水溶液または含水アルコール溶液と反応させる。
ことがとができる： いくつかの特に好ましい化合物の合成を以下により詳
細に示す： 式Ｉのフェニルエーテルは対応するヒドロキシル化合
物類、好ましくは対応するフェノール類をエーテル化す
ることによって得ることができる。便宜上、まずヒドロ
キシル化合物を対応する金属誘導体、例えば、NaH、NaN
H2、NaOH、KOH、Na2CO3またはK2CO3で処理することによ
って対応するアルカリ金属アルコキシドまたはアルカリ
金属フェノキシドに転化する。次に、これを約20〜100
℃の温度で、例えばアセトン、1,2−ジメトキシエタ
ン、DMFまたはジメチルスルホキシド等の不活性溶媒中
で都合よく適切なハロゲン化アルキル、硫酸アルキルま
たは硫酸ジアルキルと、あるいはまた過剰のNaOHまたは
KOH水溶液または含水アルコール溶液と反応させる。
更に、アルキルエーテルはミツノブ（Mitsunobu）の
方法によってトリフェニルホスフィンおよびアゾジカル
ボン酸ジエチルの存在下に対応するフェノールまたはヒ
ドロキシル化合物からも製造することができる［S.ビッ
トナー（Bittner）、Y.アサフ（Assaf）、Chemistry an
d Industry、281（1975）;M.S.マンハンズ（Manhas）、
W.H.ホフマン（Hoffman）、B.ラル（Lal）、A.K.ボース
（Bose）、J.Chem.Soc.Perkin I、461（1975）］。
方法によってトリフェニルホスフィンおよびアゾジカル
ボン酸ジエチルの存在下に対応するフェノールまたはヒ
ドロキシル化合物からも製造することができる［S.ビッ
トナー（Bittner）、Y.アサフ（Assaf）、Chemistry an
d Industry、281（1975）;M.S.マンハンズ（Manhas）、
W.H.ホフマン（Hoffman）、B.ラル（Lal）、A.K.ボース
（Bose）、J.Chem.Soc.Perkin I、461（1975）］。
製造方法の出発物質は公知であるかまたは公知の化合
物に準じて製造することができるかのいずれかである。
物に準じて製造することができるかのいずれかである。
Ｚ＝−（CH2）４−である式Ｉ″′の化合物は以下の
図式に従って製造することができる（ｎ＝１〜８）。
図式に従って製造することができる（ｎ＝１〜８）。
Pd（II）を触媒とするカップリング反応において、目
的化合物Ｉ″′を直接生成するか、または式Ｉの化合物
に関する上述の方法にまったく準じて基−Ｏ−（CH2）
−Ｑ−（CH2）ｔ−Ｙを導入する先駆物質を生成するか
のいずれかである。
的化合物Ｉ″′を直接生成するか、または式Ｉの化合物
に関する上述の方法にまったく準じて基−Ｏ−（CH2）
−Ｑ−（CH2）ｔ−Ｙを導入する先駆物質を生成するか
のいずれかである。
本発明に従う式Ｉのフェニルエステル（Ｑ＝−COO
−）は以下の反応図式に従って式IIの化合物から得られ
る。
−）は以下の反応図式に従って式IIの化合物から得られ
る。
Ｑが単結合である本発明に従う式Ｉのベンゼン誘導体
は以下の図式に従って得られる。
は以下の図式に従って得られる。
のトリフルオロアルキルおよびアルケニルエーテルは公
知のエーテル化方法、例えば４−置換フェノールを必要
に応じて触媒量のヨウ化カリウムの存在下にアセトンお
よび炭酸カリウム中でHal−（CH2）ｒ−（CH＝CH）0.1
−CF3（但し、HalはＩ、BrまたはClである）と反応させ
ることによって得ることができる。
知のエーテル化方法、例えば４−置換フェノールを必要
に応じて触媒量のヨウ化カリウムの存在下にアセトンお
よび炭酸カリウム中でHal−（CH2）ｒ−（CH＝CH）0.1
−CF3（但し、HalはＩ、BrまたはClである）と反応させ
ることによって得ることができる。
エーテル化は不活性溶媒の存在下に行うのが好都合で
ある。非常に適切な溶媒は、特にジエチルエーテル、ジ
−ｎ−ブチルエーテル、THF、ジオキサンまたはアニソ
ール等のエーテル、アセトン、ブタノンまたはシクロヘ
キサノン等のケトン、ベンゼン、トルエンまたはキシレ
ン等の炭化水素、テトラクロロメタン、ジクロロメタン
またはテトラクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素で
ある。
ある。非常に適切な溶媒は、特にジエチルエーテル、ジ
−ｎ−ブチルエーテル、THF、ジオキサンまたはアニソ
ール等のエーテル、アセトン、ブタノンまたはシクロヘ
キサノン等のケトン、ベンゼン、トルエンまたはキシレ
ン等の炭化水素、テトラクロロメタン、ジクロロメタン
またはテトラクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素で
ある。
本発明のトリフルオロアルキルおよびアルケニル化合
物の合成法を以下の図式で示す。
物の合成法を以下の図式で示す。
の化合物は図式14に示すように1,3−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノン（DMEU）の存在下の４−ブロモ−２−フ
ルオロフェノキシドとメチルスルホン酸2,2,2−トリフ
ルオロエチルとの反応による４−ブロモ−２−フロオロ
フェノール−（2,2,2−トリフルオロエチル）エーテルI
B から得ることができる。
ミダゾリジノン（DMEU）の存在下の４−ブロモ−２−フ
ルオロフェノキシドとメチルスルホン酸2,2,2−トリフ
ルオロエチルとの反応による４−ブロモ−２−フロオロ
フェノール−（2,2,2−トリフルオロエチル）エーテルI
B から得ることができる。
本発明の液晶媒体は、１種以上の本発明の化合物のほ
かにもさらに別の成分として２〜40種、特に４〜30種の
成分を含んでいるのが好ましい。これらの媒体は１種以
上の本発明の化合物以外に７〜25種の成分を含んでいる
のが特に好ましい。これらのさらに追加の成分は、ネマ
チックまたはネマチック形成（単変性又は等方性）物
質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリデンアニリン
類、ビフェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル
類または安息香酸シクロヘキシル類、シクロヘキサンカ
ルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、
シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシ
ルエステル類、シクロヘキシルシクロヘキサンカルボン
酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安息香
酸、シクロヘキサンカルボン酸およびシクロヘキシルシ
クロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェニルエス
テル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン
類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、シクロヘキシル
シクロヘキシルシクロヘキセン類、1,4−ビス−シクロ
ヘキシルベンゼン類、4,4′−ビス−シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルピリミジン類またはシクロヘキシ
ルピリミジン類、フェニルピリジン類またはシクロヘキ
シルピリジン類、フェニルジオキサン類またはシクロヘ
キシルジオキサン類、フェニル−1,3−ジチアン類また
はシクロヘキシル−1,3−ジチアン類、1,2−ジフェニル
エタン類、1,2−ジシクロヘキシルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルエタン類、１−シクロヘキシ
ル−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン類、１
−シクロヘキシル−２−ビフェニルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルフェニルエタン類、必要に応
じてハロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニル
エーテル類、トラン類および置換ケイ皮酸の群から成る
物質から選択するのが好ましい。これらの化合物の1,4
−フェニレン基は弗素化されていてもよい。
かにもさらに別の成分として２〜40種、特に４〜30種の
成分を含んでいるのが好ましい。これらの媒体は１種以
上の本発明の化合物以外に７〜25種の成分を含んでいる
のが特に好ましい。これらのさらに追加の成分は、ネマ
チックまたはネマチック形成（単変性又は等方性）物
質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリデンアニリン
類、ビフェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル
類または安息香酸シクロヘキシル類、シクロヘキサンカ
ルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、
シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシ
ルエステル類、シクロヘキシルシクロヘキサンカルボン
酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安息香
酸、シクロヘキサンカルボン酸およびシクロヘキシルシ
クロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェニルエス
テル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン
類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、シクロヘキシル
シクロヘキシルシクロヘキセン類、1,4−ビス−シクロ
ヘキシルベンゼン類、4,4′−ビス−シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルピリミジン類またはシクロヘキシ
ルピリミジン類、フェニルピリジン類またはシクロヘキ
シルピリジン類、フェニルジオキサン類またはシクロヘ
キシルジオキサン類、フェニル−1,3−ジチアン類また
はシクロヘキシル−1,3−ジチアン類、1,2−ジフェニル
エタン類、1,2−ジシクロヘキシルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルエタン類、１−シクロヘキシ
ル−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン類、１
−シクロヘキシル−２−ビフェニルエタン類、１−フェ
ニル−２−シクロヘキシルフェニルエタン類、必要に応
じてハロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニル
エーテル類、トラン類および置換ケイ皮酸の群から成る
物質から選択するのが好ましい。これらの化合物の1,4
−フェニレン基は弗素化されていてもよい。
本発明の媒体のさらに追加の成分として適した最も重
要な化合物の特徴は次式１、２、３、４及び５によって
示すことができる。
要な化合物の特徴は次式１、２、３、４及び５によって
示すことができる。
Ｒ′−Ｌ−Ｅ−Ｒ″ １
Ｒ′−Ｌ−COO−Ｅ−Ｒ″ ２
Ｒ′−Ｌ−OOC−Ｅ−Ｒ″ ３
Ｒ′−Ｌ−CH2CH2−Ｅ−Ｒ″ ４
Ｒ′−Ｌ−Ｃ≡Ｃ−Ｅ−Ｒ″ ５
式１、２、３、４および５において、同一でも異なっ
てもよいＬおよびＥは、それぞれの場合に互いに独立し
て、−Phe−、−Cyc−、−Phe−Phe−、−Phe−Cyc−、
−Cyc−Cyc−、−Pyr−、−Dio−、−Ｇ−Phe−および
−Ｇ−Cyc−並びにそれらの鏡像基［ただし、Pheは未置
換またはフッ素置換1,4−フェニレンであり、Cycはトラ
ンス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−シクロヘキセ
ニレンであり、Pyrはピリミジン−2,5−ジイルまたはピ
リジン−2,5−ジイルであり、Dioは1,3−ジオキサン−
2,5−ジイルであり、そしてＧは２−（トランス−1,4−
シクロヘキシル）エチル、ピリミジン−2,5−ジイル、
ピリジン−2,5−ジイルまたは1,3−ジオキサン−2,5−
ジイルである］から成る群からの２価の基である。
てもよいＬおよびＥは、それぞれの場合に互いに独立し
て、−Phe−、−Cyc−、−Phe−Phe−、−Phe−Cyc−、
−Cyc−Cyc−、−Pyr−、−Dio−、−Ｇ−Phe−および
−Ｇ−Cyc−並びにそれらの鏡像基［ただし、Pheは未置
換またはフッ素置換1,4−フェニレンであり、Cycはトラ
ンス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−シクロヘキセ
ニレンであり、Pyrはピリミジン−2,5−ジイルまたはピ
リジン−2,5−ジイルであり、Dioは1,3−ジオキサン−
2,5−ジイルであり、そしてＧは２−（トランス−1,4−
シクロヘキシル）エチル、ピリミジン−2,5−ジイル、
ピリジン−2,5−ジイルまたは1,3−ジオキサン−2,5−
ジイルである］から成る群からの２価の基である。
基ＬおよびＥの１つは、Cyc、PheまたはPyrであるの
が好ましい。ＥはCyc、PheまたはPhe−Cycであるのが好
ましい。本発明の媒体は、ＬおよびＥがCyc、Pheおよび
Pyrから成る群から選択される式１、２、３、４および
５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、同時
に基ＬおよびＥの一方が、Cyc、PheおよびPyrから成る
群から選択され、他方の基が−Phe−Phe−、−Phe−Cyc
−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ−Phe−および−Ｇ−Cyc−から
成る群から選択される式１、２、３、４および５の化合
物から選択される１種以上の成分を含み、また必要に応
じて基ＬおよびＥが−Phe−Cyc−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ
−Phe−および−Ｇ−Cyc−から成る群から選択される式
１、２、３、４および５の化合物から選択される１種以
上の成分を含むのが好ましい。
が好ましい。ＥはCyc、PheまたはPhe−Cycであるのが好
ましい。本発明の媒体は、ＬおよびＥがCyc、Pheおよび
Pyrから成る群から選択される式１、２、３、４および
５の化合物から選択される１種以上の成分を含み、同時
に基ＬおよびＥの一方が、Cyc、PheおよびPyrから成る
群から選択され、他方の基が−Phe−Phe−、−Phe−Cyc
−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ−Phe−および−Ｇ−Cyc−から
成る群から選択される式１、２、３、４および５の化合
物から選択される１種以上の成分を含み、また必要に応
じて基ＬおよびＥが−Phe−Cyc−、−Cyc−Cyc−、−Ｇ
−Phe−および−Ｇ−Cyc−から成る群から選択される式
１、２、３、４および５の化合物から選択される１種以
上の成分を含むのが好ましい。
式１、２、３、４および５の化合物の下位小群におい
て、Ｒ′およびＲ″は、それぞれの場合に互いに独立し
て８個までの炭素原子を有するアルキル、アルケニル、
アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシま
たはアルカノイルオキシである。この下位小群を以下Ａ
群と言い、化合物を下位式1a、2a、3a、4aおよび5aで表
示する。これらの化合物の大部分は、Ｒ′とＲ″が互い
に異なり、これらの基の１つは通常アルキル、アルケニ
ル、アルコキシまたはアルコキシアルキルである。
て、Ｒ′およびＲ″は、それぞれの場合に互いに独立し
て８個までの炭素原子を有するアルキル、アルケニル、
アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシま
たはアルカノイルオキシである。この下位小群を以下Ａ
群と言い、化合物を下位式1a、2a、3a、4aおよび5aで表
示する。これらの化合物の大部分は、Ｒ′とＲ″が互い
に異なり、これらの基の１つは通常アルキル、アルケニ
ル、アルコキシまたはアルコキシアルキルである。
Ｂ群と識別する式１、２、３、４および５の化合物の
他の下位小群において、Ｒ″は−Ｆ、−Cl、−NCSまた
は−（Ｏ）iCH3-(k+1)FkCl1（但し、ｉは０または１で
あり、ｋ＋１は１、２または３である）である。Ｒ″が
この意味である化合物を下位式1b、2b、3b、4bおよび5b
で表示する。Ｒ″が−Ｆ、−Cl、−NCS、−CF3、−OCHF
2または−OCF3である下位式1b、2b、3b、4bおよび5bの
化合物が特に好ましい。
他の下位小群において、Ｒ″は−Ｆ、−Cl、−NCSまた
は−（Ｏ）iCH3-(k+1)FkCl1（但し、ｉは０または１で
あり、ｋ＋１は１、２または３である）である。Ｒ″が
この意味である化合物を下位式1b、2b、3b、4bおよび5b
で表示する。Ｒ″が−Ｆ、−Cl、−NCS、−CF3、−OCHF
2または−OCF3である下位式1b、2b、3b、4bおよび5bの
化合物が特に好ましい。
下位式1b、2b、3b、4bおよび5bの化合物において、
Ｒ′は下位式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであ
り、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキ
シアルキルであるのが好ましい。
Ｒ′は下位式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであ
り、アルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキ
シアルキルであるのが好ましい。
式１、２、３、４および５の化合物のさらに他の下位
小群において、Ｒ″は−CNである。この下位群を以下Ｃ
群と識別し、そしてこの下位群の化合物を下位式1c、2
c、3c、4cおよび5cによって同様に記載する。下位式1
c、2c、3c、4cおよび5cの化合物において、Ｒ′は下位
式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであり、アルキ
ル、アルコキシまたはアルケニルであるのが好ましい。
小群において、Ｒ″は−CNである。この下位群を以下Ｃ
群と識別し、そしてこの下位群の化合物を下位式1c、2
c、3c、4cおよび5cによって同様に記載する。下位式1
c、2c、3c、4cおよび5cの化合物において、Ｒ′は下位
式1a〜5aの化合物に関して定義した通りであり、アルキ
ル、アルコキシまたはアルケニルであるのが好ましい。
Ａ、ＢおよびＣ群の好ましい化合物以外に、提案した
他の種類の置換基を有する式１、２、３、４および５の
他の化合物も通例のものである。これらの物質は全て文
献で知られている方法またはそれに準じる方法によって
得ることができる。
他の種類の置換基を有する式１、２、３、４および５の
他の化合物も通例のものである。これらの物質は全て文
献で知られている方法またはそれに準じる方法によって
得ることができる。
本発明の式Ｉの化合物以外に、本発明の媒体はＡ群お
よび／またはＢ群および／またはＣ群から選択される１
種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。本発明の媒
体におけるこれらの群からの化合物の重量割合は Ａ群:0〜90％、好ましくは20〜90％、特に30〜90％ Ｂ群:0〜80％、好ましくは10〜80％、特に10〜65％ Ｃ群:0〜80％、好ましくは５〜80％、特に５〜50％ であるのが好ましい。本発明の特定の媒体中に存在する
Ａ群および／またはＢ群および／またはＣ群の化合物の
重量割合の合計は５％〜90％、特に10％〜90％であるの
が好ましい。
よび／またはＢ群および／またはＣ群から選択される１
種以上の化合物を含んでいるのが好ましい。本発明の媒
体におけるこれらの群からの化合物の重量割合は Ａ群:0〜90％、好ましくは20〜90％、特に30〜90％ Ｂ群:0〜80％、好ましくは10〜80％、特に10〜65％ Ｃ群:0〜80％、好ましくは５〜80％、特に５〜50％ であるのが好ましい。本発明の特定の媒体中に存在する
Ａ群および／またはＢ群および／またはＣ群の化合物の
重量割合の合計は５％〜90％、特に10％〜90％であるの
が好ましい。
本発明の媒体は１〜40％、特に好ましくは５〜30％の
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。40％より多
い、特に45〜90％の本発明の化合物を含んでいる媒体が
さらに好ましい媒体である。媒体は３、４または５種の
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。40％より多
い、特に45〜90％の本発明の化合物を含んでいる媒体が
さらに好ましい媒体である。媒体は３、４または５種の
本発明の化合物を含んでいるのが好ましい。
本発明の媒体はそれ自体通常の方法で製造される。一
般に、これらの成分は高温で都合よく互いに溶解する。
適切な添加剤によって、液晶相は、これまでに開示され
た全ての種類の液晶ディスプレイ要素に使用することが
できるように本発明に従って改質することができる。こ
の種の添加剤は当業者に知られており、また文献［H.ケ
ルカー（Kelker）/R.ハッツ（Hatz）、「液晶ハンドブ
ック（Handbook of Liquid Crystals）」、化学出版
社、ワインハイム、1980］に詳細に記載されている。例
えば、多色性染料を添加して着色ゲスト−ホスト系を製
造し、またある種の物質を添加して、ネマチック相の誘
電異方性、粘度および／または配向を調節することがで
きる。
般に、これらの成分は高温で都合よく互いに溶解する。
適切な添加剤によって、液晶相は、これまでに開示され
た全ての種類の液晶ディスプレイ要素に使用することが
できるように本発明に従って改質することができる。こ
の種の添加剤は当業者に知られており、また文献［H.ケ
ルカー（Kelker）/R.ハッツ（Hatz）、「液晶ハンドブ
ック（Handbook of Liquid Crystals）」、化学出版
社、ワインハイム、1980］に詳細に記載されている。例
えば、多色性染料を添加して着色ゲスト−ホスト系を製
造し、またある種の物質を添加して、ネマチック相の誘
電異方性、粘度および／または配向を調節することがで
きる。
以下の実施例は本発明を説明するものであって、本発
明を限定するものではない。「通常の操作」とは、水を
加え、混合物を塩化メチレンで抽出し、有機相を分離、
乾燥および蒸発させ、そして生成物を結晶化および／ま
たはクロマトグラフィーによって精製することを意味す
る。以上および以下において、パーセントデータは重量
％である。温度は全て℃表示でる。m.p.は融点、および
c.p.は透明点である。さらに、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマ
チック相、Ｓ＝スメクチック相およびＩ＝等方性相であ
る。これらの記号間のデータは転移温度を示す。Δｎは
光学異方性（589nm、20℃）である。粘度（mm2/秒）は2
0℃で測定した。
明を限定するものではない。「通常の操作」とは、水を
加え、混合物を塩化メチレンで抽出し、有機相を分離、
乾燥および蒸発させ、そして生成物を結晶化および／ま
たはクロマトグラフィーによって精製することを意味す
る。以上および以下において、パーセントデータは重量
％である。温度は全て℃表示でる。m.p.は融点、および
c.p.は透明点である。さらに、Ｃ＝結晶状態、Ｎ＝ネマ
チック相、Ｓ＝スメクチック相およびＩ＝等方性相であ
る。これらの記号間のデータは転移温度を示す。Δｎは
光学異方性（589nm、20℃）である。粘度（mm2/秒）は2
0℃で測定した。
以下の略語を使用する：
BuLi ブチルリチウム
DAST 三弗化ジエチルアミノ硫黄
DCC ジシクロヘキシルカルボジイミド
DIBALH 水素化ジイソブチルアルミニウム
DMAP ２−ジメチルアミノピリジン
DDQ ジクロロジシアノベンゾキノン
POT カリウムtert−ブトキシド
NH4Cl 塩化アンモニウム
THF テトラヒドロフラン
TMEDA テトラメチルエチレンジアミン
pTSOH ｐ−トルエンスルホン酸
実施例１
26ミリモルのｎ−BuLiを−100℃で26ミリモルの１−
トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘ
キシル）−シクロヘキシル−３−フルオロベンゼン（図
式１に記載されている通りに製造）、4.1gのカリウムte
rt−ブトキシドおよび60mlのTHFから成る混合物に滴下
する。混合物を−100℃で１時間攪拌した後、36ミリモ
ルのホウ酸トリメチルを−85〜−90℃で滴下する。混合
物を更に0.5時間攪拌してから、42ミリモルの酢酸を−2
0℃で滴下する。その後、混合物を30℃に暖め、そして
4.2mlのH2O2をこの温度で滴下し、混合物を50〜60℃で
２時間攪拌する。混合物を室温まで冷却させ、ナトリウ
ムジチオン（sodium dithione）の５％溶液を添加す
る。相分離および通常の操作を行って目的のフェノール
を得る。
トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘ
キシル）−シクロヘキシル−３−フルオロベンゼン（図
式１に記載されている通りに製造）、4.1gのカリウムte
rt−ブトキシドおよび60mlのTHFから成る混合物に滴下
する。混合物を−100℃で１時間攪拌した後、36ミリモ
ルのホウ酸トリメチルを−85〜−90℃で滴下する。混合
物を更に0.5時間攪拌してから、42ミリモルの酢酸を−2
0℃で滴下する。その後、混合物を30℃に暖め、そして
4.2mlのH2O2をこの温度で滴下し、混合物を50〜60℃で
２時間攪拌する。混合物を室温まで冷却させ、ナトリウ
ムジチオン（sodium dithione）の５％溶液を添加す
る。相分離および通常の操作を行って目的のフェノール
を得る。
得られたフェノールを炭酸カリウムの存在下に還流し
ながらアセトン中でヨウ化メチルと反応させそのメチル
エーテルを得る。通常の操作およびヘキサンを用いるシ
リカゲルでのクロマトグラフィーを行って純粋な形で目
的のエーテルを得る。
ながらアセトン中でヨウ化メチルと反応させそのメチル
エーテルを得る。通常の操作およびヘキサンを用いるシ
リカゲルでのクロマトグラフィーを行って純粋な形で目
的のエーテルを得る。
式
の以下のエーテル類を同様に製造する。
実施例２
実施例1a）で製造したフルオロフェノールを炭酸カリ
ウムおよび触媒量のヨウ化カリウムの存在下に沸騰アセ
トン中で１−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させ
て、目的のフェノールエーテルを得る。通常の操作およ
びヘキサンを用いるシリカゲルでのクロマトグラフィー
を行って純粋な形でエーテルを得る。
ウムおよび触媒量のヨウ化カリウムの存在下に沸騰アセ
トン中で１−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させ
て、目的のフェノールエーテルを得る。通常の操作およ
びヘキサンを用いるシリカゲルでのクロマトグラフィー
を行って純粋な形でエーテルを得る。
実施例1a）で製造したフルオロフェノールを実施例2
a）に準じて１−クロロ−３−ヨードプロパンを用いて
目的のフェノールエーテルに転化する。
a）に準じて１−クロロ−３−ヨードプロパンを用いて
目的のフェノールエーテルに転化する。
本発明の式
の以下の化合物類を対応する前駆物質から同様に得る。
実施例３
臭素２滴を70mlのエーテルに溶かした6.0gのマグネシ
ウム切削くず溶液に添加する。引き続き、60mlのエーテ
ルに溶かした48.2gの3,5−ジフルオロブロモベンゼン溶
液を滴下する。混合物を更に0.5時間攪拌したのち、50m
lのエーテルに溶かした44.5gの４−トランス−（４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン溶液を20〜25
℃で得られたグリニャール試薬に滴下する。混合物を更
に２時間攪拌し、500mlの水に注入し、30mlの濃塩酸に
よって酸性化し、そしてエーテルと共に振盪することに
よって抽出する。有機相を蒸発させて得た残留物を次に
1000mlのトルエンと120mlの20％硫酸と共に１時間還流
する。
ウム切削くず溶液に添加する。引き続き、60mlのエーテ
ルに溶かした48.2gの3,5−ジフルオロブロモベンゼン溶
液を滴下する。混合物を更に0.5時間攪拌したのち、50m
lのエーテルに溶かした44.5gの４−トランス−（４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン溶液を20〜25
℃で得られたグリニャール試薬に滴下する。混合物を更
に２時間攪拌し、500mlの水に注入し、30mlの濃塩酸に
よって酸性化し、そしてエーテルと共に振盪することに
よって抽出する。有機相を蒸発させて得た残留物を次に
1000mlのトルエンと120mlの20％硫酸と共に１時間還流
する。
相分離および飽和重炭酸ナトリウム溶液による中和を
行った後、生成物を１バールおよび60℃で10gのPd/C
（５％）を用いて水素化する。その後、混合物をろ過お
よび蒸発させる。フラッシュクロマトグラフィーを行う
ことによって純粋な生成物を得る。Ｃ 60゜ Ｎ 87.6
゜Ｉ、Δε＝3.3 31mlのｎ−BuLi（15％ヘキサン溶液）を−65℃〜−70
℃で47ミリモルの４−トランス−（４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5
−ジフルオロベンゼン）、50ミリモルのTMEDAおよび150
mlのTHFから成る混合物に滴下し、混合物を−70℃で更
に１時間攪拌する。次に、57ミリモルのホウ酸トリメチ
ルを−85〜−90℃で滴下し、引き続き65ミリモルの酢酸
を−20℃で滴下する。
行った後、生成物を１バールおよび60℃で10gのPd/C
（５％）を用いて水素化する。その後、混合物をろ過お
よび蒸発させる。フラッシュクロマトグラフィーを行う
ことによって純粋な生成物を得る。Ｃ 60゜ Ｎ 87.6
゜Ｉ、Δε＝3.3 31mlのｎ−BuLi（15％ヘキサン溶液）を−65℃〜−70
℃で47ミリモルの４−トランス−（４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5
−ジフルオロベンゼン）、50ミリモルのTMEDAおよび150
mlのTHFから成る混合物に滴下し、混合物を−70℃で更
に１時間攪拌する。次に、57ミリモルのホウ酸トリメチ
ルを−85〜−90℃で滴下し、引き続き65ミリモルの酢酸
を−20℃で滴下する。
ジフルオロフェノールを実施例2a）に準じて１−クロ
ロ−３−フルオロプロパンと反応させて、目的のフェノ
ールエーテルを得る。
ロ−３−フルオロプロパンと反応させて、目的のフェノ
ールエーテルを得る。
実施例4b）で製造したジフルオロフェノールを実施例
2b）に準じて１−クロロ−３−ヨードプロパンと反応さ
せる。Ｃ 50 Ｎ 157.2I、Δε＝5.7。
2b）に準じて１−クロロ−３−ヨードプロパンと反応さ
せる。Ｃ 50 Ｎ 157.2I、Δε＝5.7。
実施例４
１ミリモルのアゾジカルボン酸ジエチルを０〜10℃で
１ミリモルの４−トランス−（４−ｎ−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5−ジ
フルオロフェノール）、１ミリモルのトリフェニルホス
フィン、１ミリモルの２−フルオロエタノールおよび25
mlのTHFから成る溶液に滴下する。その後、混合物を室
温で更に１時間攪拌し、次に通常の操作にかける。Ｃ
82 Ｎ 165.5I、Δε＝2.07。
１ミリモルの４−トランス−（４−ｎ−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5−ジ
フルオロフェノール）、１ミリモルのトリフェニルホス
フィン、１ミリモルの２−フルオロエタノールおよび25
mlのTHFから成る溶液に滴下する。その後、混合物を室
温で更に１時間攪拌し、次に通常の操作にかける。Ｃ
82 Ｎ 165.5I、Δε＝2.07。
１ミリモルの４−トランス−（４−ｎ−プロピルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5−
ジフルオロフェノール）を実施例4a）に準じてメタノー
ルと反応させる。Ｃ 41 Ｎ 151.8I、Δε＝0.088。
ロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス−（3,5−
ジフルオロフェノール）を実施例4a）に準じてメタノー
ルと反応させる。Ｃ 41 Ｎ 151.8I、Δε＝0.088。
本発明の式
の以下の化合物類を対応する前駆物質から同様に得る。
実施例５
80mlのTHFに溶かした78ミリモルのカリウムtert−ブ
トキシドを−５℃で50mlのTHFに溶かした78ミリモルの
ヨウ化１−（４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル）メチレントリフェニルホスホニウムお
よび78ミリモルの3,5−ジフルオロベンズアルデヒドに
滴下する。次に、混合物を同温度で15分間および室温で
更に1.5時間攪拌する。反応混合物を加水分解し、塩酸
によって中和し、引き続き通常の操作にかける。
トキシドを−５℃で50mlのTHFに溶かした78ミリモルの
ヨウ化１−（４−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル）メチレントリフェニルホスホニウムお
よび78ミリモルの3,5−ジフルオロベンズアルデヒドに
滴下する。次に、混合物を同温度で15分間および室温で
更に1.5時間攪拌する。反応混合物を加水分解し、塩酸
によって中和し、引き続き通常の操作にかける。
実施例5a）で製造した生成物を実施例3c）に準じて１
−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させて目的のフ
ェノールエーテルを得る。
−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させて目的のフ
ェノールエーテルを得る。
実施例5a）で製造した生成物を実施例3d）に準じて１
−クロロ−３−ヨードプロパンと反応させて目的のフェ
ノールエーテルを得る。
−クロロ−３−ヨードプロパンと反応させて目的のフェ
ノールエーテルを得る。
本発明の式
の以下の化合物類を式II（Ｌ＝Ｆ）の対応する前駆物質
から同様に得る。
から同様に得る。
実施例６
９ミリモルの実施例5a）からの生成物を30mlのTHFに
溶解させ、0.3gの４％Pd−Ｃを添加し、そして混合物水
素化する。その後、触媒をろ過分離し、ろ液を減圧蒸発
させて、残留物を得る。これをペンタンを用いるシリカ
ゲルカラムでのクロマトグラフィーにかける。
溶解させ、0.3gの４％Pd−Ｃを添加し、そして混合物水
素化する。その後、触媒をろ過分離し、ろ液を減圧蒸発
させて、残留物を得る。これをペンタンを用いるシリカ
ゲルカラムでのクロマトグラフィーにかける。
同様の反応によって
を得る。
実施例6a）で得た生成物を実施例3c）に準じて１−ク
ロロ−３−フルオロプロパンと反応させる。
ロロ−３−フルオロプロパンと反応させる。
実施例6a）で製造した生成物を実施例3d）に準じて１
−クロロ−３−ヨードプロパンと反応させて目的のフェ
ノールエーテルを得る。
−クロロ−３−ヨードプロパンと反応させて目的のフェ
ノールエーテルを得る。
式
の以下の化合物類を式II（Ｌ＝Ｆ）の対応する前駆物質
から同様に得る。
から同様に得る。
実施例７
11.5gの無水臭化亜鉛、次に1.4gのリチウム顆粒をTHF
/トルエン（1:4）から成る150mlの溶媒混合物中の0.1モ
ルの臭化４−（４−（ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシルブチルに添加する。混合物をアルゴン下に
攪拌しながら０℃〜10℃で４時間超音波処理する。生成
した有機亜鉛化合物を0.1モルの3,5−ジフルオロ−１−
ジブロモベンゼンおよび２モル％の1,1′−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロ
リドで処理し、超音波浴を取りはずし、かつ冷却を止
め、混合物を室温で24時間攪拌する。100mlの飽和NH4Cl
溶液を攪拌しながら添加し、有機相を分離し、そして水
相をトルエンで抽出する。一緒にした有機抽出液を乾
燥、蒸発させ、そしてシリカゲルでのクロマトグラフィ
ーにかける。
/トルエン（1:4）から成る150mlの溶媒混合物中の0.1モ
ルの臭化４−（４−（ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシルブチルに添加する。混合物をアルゴン下に
攪拌しながら０℃〜10℃で４時間超音波処理する。生成
した有機亜鉛化合物を0.1モルの3,5−ジフルオロ−１−
ジブロモベンゼンおよび２モル％の1,1′−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロ
リドで処理し、超音波浴を取りはずし、かつ冷却を止
め、混合物を室温で24時間攪拌する。100mlの飽和NH4Cl
溶液を攪拌しながら添加し、有機相を分離し、そして水
相をトルエンで抽出する。一緒にした有機抽出液を乾
燥、蒸発させ、そしてシリカゲルでのクロマトグラフィ
ーにかける。
目的のジフルオロフェノールを得るジフルオロベンゼ
ンとBuLiおよびホウ酸トリメチルとの反応を実施例１に
準じて行う。
ンとBuLiおよびホウ酸トリメチルとの反応を実施例１に
準じて行う。
実施例7b）からのジフルオロフェノルを実施例3c）に
準じて１−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させて
目的のフェノールエーテルを得る。
準じて１−クロロ−３−フルオロプロパンと反応させて
目的のフェノールエーテルを得る。
実施例7b）からの生成物を実施例3d）に準じて１−ク
ロロ−３−ヨードプロパンと反応させる。
ロロ−３−ヨードプロパンと反応させる。
本発明の式
の以下の化合物類を式II（Ｌ＝ＨまたはＦ）の対応する
前駆物質から同様に得る。
前駆物質から同様に得る。
実施例８
26mlの２−フルオロエタノールおよび0.1gのDMAPを16
0mlのジクロロメタン中の26ミリモルの４−トランス−
（４ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−１−ト
ランス−3,5−ジフルオロ安息香酸（図式７に記載した
通りに製造）懸濁液に添加する。次に、40mlのジクロロ
メタンに溶かした6.6gのDCC溶液を攪拌しながら滴下す
る。混合物を室温で一晩攪拌する。シュウ酸を添加し、
混合物を更に１時間攪拌し、ヘキサンを用いるクロマト
グラフィーにかけ、そして再結晶化する。
0mlのジクロロメタン中の26ミリモルの４−トランス−
（４ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−１−ト
ランス−3,5−ジフルオロ安息香酸（図式７に記載した
通りに製造）懸濁液に添加する。次に、40mlのジクロロ
メタンに溶かした6.6gのDCC溶液を攪拌しながら滴下す
る。混合物を室温で一晩攪拌する。シュウ酸を添加し、
混合物を更に１時間攪拌し、ヘキサンを用いるクロマト
グラフィーにかけ、そして再結晶化する。
Ｃ 63N 148.8I。
式
の以下の化合物類を同様に得る。
実施例９
150mlのTHF中の50ミリモルの４−トランス−（４−ペ
ンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス
3,5−（ジフルオロ安息香酸）懸濁液を50mlのTHF中の50
ミリモルの水素化リチウムアルミニウム懸濁液に滴下す
る。その後、混合物を攪拌しながら更に１時間還流させ
た。混合物を氷浴中で冷却し、6mlの10％NaHCO3溶液を
添加することによって加水分解する。12mlの20％水酸化
ナトリウム溶液を添加し、そして有機相を分離、乾燥お
よび蒸発させる。
ンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル−１−トランス
3,5−（ジフルオロ安息香酸）懸濁液を50mlのTHF中の50
ミリモルの水素化リチウムアルミニウム懸濁液に滴下す
る。その後、混合物を攪拌しながら更に１時間還流させ
た。混合物を氷浴中で冷却し、6mlの10％NaHCO3溶液を
添加することによって加水分解する。12mlの20％水酸化
ナトリウム溶液を添加し、そして有機相を分離、乾燥お
よび蒸発させる。
90mlのTHFの溶かした28ミリモルの生成ジフルオロベ
ンジルアルコール（Ａ）溶液を30mlのDMSOに溶かした30
ミリモルの水酸化ナトリウム溶液に添加する。次に、31
ミリモルの３−クロロ−１−ヨードプロパンを添加し、
混合物を50℃で一晩攪拌する。加水分解および通常の操
作を行って、目的のエーテル（Ｂ）を得る。
ンジルアルコール（Ａ）溶液を30mlのDMSOに溶かした30
ミリモルの水酸化ナトリウム溶液に添加する。次に、31
ミリモルの３−クロロ−１−ヨードプロパンを添加し、
混合物を50℃で一晩攪拌する。加水分解および通常の操
作を行って、目的のエーテル（Ｂ）を得る。
式
の以下の化合物類を同様に得る。
実施例10
14.5g（0.065モル）の４−（４−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキサノールを15mlのTHFに溶解させ、12.
5g（0.065モル）の臭化トリフルオロブチル、1.2gの臭
化セチルトリメチルアンモニウム、5.2g（0.13モル）の
水酸化ナトリウムおよび0.3mlの水を連続的に添加す
る。混合物を70℃で一晩攪拌する。その後、混合物を室
温まで冷却させてから、ジエチルエーテルに吸収させ
る。通常の抽出操作を行い、シリカゲルでのクロマトグ
ラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝9:1）によって精製
され目的のエーテルを得る。
シル）シクロヘキサノールを15mlのTHFに溶解させ、12.
5g（0.065モル）の臭化トリフルオロブチル、1.2gの臭
化セチルトリメチルアンモニウム、5.2g（0.13モル）の
水酸化ナトリウムおよび0.3mlの水を連続的に添加す
る。混合物を70℃で一晩攪拌する。その後、混合物を室
温まで冷却させてから、ジエチルエーテルに吸収させ
る。通常の抽出操作を行い、シリカゲルでのクロマトグ
ラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝9:1）によって精製
され目的のエーテルを得る。
Ｃ 10 SB 47I。
式
の以下のトリフルオロアルキルエーテル類を同様に製造
する。
する。
実施例11
11.5gのカリウムtert−ブトキシドを０〜10℃で200ml
のTHF中の0.1モルのウィッティヒ塩懸濁液に分けて添加
する。その後、トリフルオロアセトアルデヒドガスを同
温度でオレンジ色のイリド懸濁液が無色になるまで通
す。その後、混合物を室温で24時間攪拌し、水に注入
し、中和し、そしてトルエンで何回も抽出する。そし
て、トルエン抽出液を乾燥、蒸発させ、そしてヘキサン
を用いてシリカゲルでろ過する。
のTHF中の0.1モルのウィッティヒ塩懸濁液に分けて添加
する。その後、トリフルオロアセトアルデヒドガスを同
温度でオレンジ色のイリド懸濁液が無色になるまで通
す。その後、混合物を室温で24時間攪拌し、水に注入
し、中和し、そしてトルエンで何回も抽出する。そし
て、トルエン抽出液を乾燥、蒸発させ、そしてヘキサン
を用いてシリカゲルでろ過する。
0.065モルの４−（４−プロピルシクロヘキシル）シ
クロヘキサノール、15mlのTHF、0.065モルの1,1,1−ト
リフルオロ−４−ブロモブテン−２、1.2gの臭化セチル
トリメチルアンモニウム、0.13モルの水酸化ナトリウム
および0.3mlの水を実施例１に準じて反応させる。
クロヘキサノール、15mlのTHF、0.065モルの1,1,1−ト
リフルオロ−４−ブロモブテン−２、1.2gの臭化セチル
トリメチルアンモニウム、0.13モルの水酸化ナトリウム
および0.3mlの水を実施例１に準じて反応させる。
式
の以下のトリフルオロアルケニルエーテル類を同様に製
造する。
造する。
実施例12
0.102モルのアゾジカルボン酸ジエチルを室温で冷却
しながら250mlのテトラヒドロフラン中の0.1モルの４−
（４−ペンチルシクロヘキシル）フェノール、0.102モ
ルのトリフェニルホスフィンおよび0.1モルのトリフル
オロブタノール−４に滴下する。その後、混合物を一晩
攪拌する。混合物を蒸発させ、残留物をトルエンを用い
てシリカゲルでろ過する。
しながら250mlのテトラヒドロフラン中の0.1モルの４−
（４−ペンチルシクロヘキシル）フェノール、0.102モ
ルのトリフェニルホスフィンおよび0.1モルのトリフル
オロブタノール−４に滴下する。その後、混合物を一晩
攪拌する。混合物を蒸発させ、残留物をトルエンを用い
てシリカゲルでろ過する。
式
の以下のトリフルオロアルキルエーテル類を同様に製造
する。
する。
実施例13
0.1モルの４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ノールおよび0.1モルの1,1,1−トリフルオロ−４−ブロ
モブテン−２を実施例３に準じて反応させる。
ノールおよび0.1モルの1,1,1−トリフルオロ−４−ブロ
モブテン−２を実施例３に準じて反応させる。
式
の以下のトリフルオロアルケニルエーテル類を同様に製
造する。
造する。
実施例14
0.085モルの４−ブロモ−２−フルオロフェノールを1
00mlの1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノンに溶解さ
せ、その溶液を140℃に加熱し、そして0.09mlのメチル
スルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルを滴下する。溶
液を140℃で24時間攪拌する。その後、500mlの氷水を添
加し、生成物を通常の操作にかける。
00mlの1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノンに溶解さ
せ、その溶液を140℃に加熱し、そして0.09mlのメチル
スルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルを滴下する。溶
液を140℃で24時間攪拌する。その後、500mlの氷水を添
加し、生成物を通常の操作にかける。
0.05mlのトランス−ｎ−プロピルシクロヘキシルフェ
ニルホウ酸、20mlのトルエン、10mlのエタノール、0.03
0モルの炭酸ナトリウムおよび0.86ミリモルのテトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｏ）を0.01
5モルの４−ブロモ−２−フルオロフェノール2,2,2−ト
リフルオロエチルエーテルに添加し、混合物を２時間還
流させる。100mlの石油エーテル（40〜80゜）を添加
し、生成物を通常の操作にかける。
ニルホウ酸、20mlのトルエン、10mlのエタノール、0.03
0モルの炭酸ナトリウムおよび0.86ミリモルのテトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｏ）を0.01
5モルの４−ブロモ−２−フルオロフェノール2,2,2−ト
リフルオロエチルエーテルに添加し、混合物を２時間還
流させる。100mlの石油エーテル（40〜80゜）を添加
し、生成物を通常の操作にかける。
Ｃ 81 SB101 SA133 N 139.6I、Δｎ＝0.152。
式
の以下の化合物類を同様に製造する。
実施例15
メチルスルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルを実施
例14a）に準じて140℃で0.085モルの４−ブロモ−2,6−
ジフルオロフェノールに滴下する。
例14a）に準じて140℃で0.085モルの４−ブロモ−2,6−
ジフルオロフェノールに滴下する。
1.2gの塩化亜鉛および0.14gのリチウム顆粒をTHFおよ
びトルエン（1:4）から成る15mlの溶媒混合物中の0.01
モルの臭化トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
に添加する。混合物を保護ガスの存在下に攪拌しながら
０〜10℃で４時間超音波処理する。得られた有機亜鉛化
合物を0.01モルの４−ブロモ−2,6−ジフルオロフェノ
ール2,2,2−トリフルオロエチルエーテルおよび２モル
％の1,1′−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン
パラジウム（II）ジクロリドで処理する。超音波浴を取
りはずし、かつ冷却を止めてから、混合物を室温で24時
間攪拌する。10mlの飽和塩化アンモニウム溶液を添加
し、有機相を分離し、通常の操作にかける。Ｃ ５
Ｉ、Δｎ＝0.038。
びトルエン（1:4）から成る15mlの溶媒混合物中の0.01
モルの臭化トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
に添加する。混合物を保護ガスの存在下に攪拌しながら
０〜10℃で４時間超音波処理する。得られた有機亜鉛化
合物を0.01モルの４−ブロモ−2,6−ジフルオロフェノ
ール2,2,2−トリフルオロエチルエーテルおよび２モル
％の1,1′−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン
パラジウム（II）ジクロリドで処理する。超音波浴を取
りはずし、かつ冷却を止めてから、混合物を室温で24時
間攪拌する。10mlの飽和塩化アンモニウム溶液を添加
し、有機相を分離し、通常の操作にかける。Ｃ ５
Ｉ、Δｎ＝0.038。
式
の以下の化合物類を同様に製造する。
実施例16
0.035モルの3,5−ジフルオロベンズアルデヒド、0.35
モルのプロパンジオールおよび3.5gのｐ−トルエンスル
ホン酸を500mlのトルエンに溶解させ、水分離器上で沸
騰させる。
モルのプロパンジオールおよび3.5gのｐ−トルエンスル
ホン酸を500mlのトルエンに溶解させ、水分離器上で沸
騰させる。
0.044モルの実施例16a）からのジオキサン誘導体を13
0mlの無水THFに溶解させ、その溶液を−70℃に冷却す
る。その後、51ミリモルのｎ−BuLiを滴下する。混合物
を−70℃で0.5時間攪拌してから、51ミリモルのホウ酸
トリメチルを反応混合物に滴下する。次に、混合物を−
20℃まで暖め、51mlの酢酸を分けて添加する。最後に、
132ミリモルのH2O2を30〜35℃の温度で反応混合物に滴
下する。その後、混合物を通常の操作にかける。
0mlの無水THFに溶解させ、その溶液を−70℃に冷却す
る。その後、51ミリモルのｎ−BuLiを滴下する。混合物
を−70℃で0.5時間攪拌してから、51ミリモルのホウ酸
トリメチルを反応混合物に滴下する。次に、混合物を−
20℃まで暖め、51mlの酢酸を分けて添加する。最後に、
132ミリモルのH2O2を30〜35℃の温度で反応混合物に滴
下する。その後、混合物を通常の操作にかける。
23ミリモルの水素化ナトリウムを10mlのDMEU中に懸濁
させた後、20mlのDMEU中の23ミリモルの実施例16b）か
らのフェノール誘導体を滴下する。その後、混合物を45
℃で１時間攪拌する。5mlのDMEU中の25ミリモルのメチ
ルスルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルを140℃で反応
混合物に滴下し、混合物を140℃で５時間攪拌する。加
水分解後、反応混合物を酸性化し、そして通常の操作に
かける。Ｃ 27 I;Δε＝15.76;Δｎ＝＋0.038。
させた後、20mlのDMEU中の23ミリモルの実施例16b）か
らのフェノール誘導体を滴下する。その後、混合物を45
℃で１時間攪拌する。5mlのDMEU中の25ミリモルのメチ
ルスルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルを140℃で反応
混合物に滴下し、混合物を140℃で５時間攪拌する。加
水分解後、反応混合物を酸性化し、そして通常の操作に
かける。Ｃ 27 I;Δε＝15.76;Δｎ＝＋0.038。
式
の以下の化合物類を同様に製造する。
実施例17
13ミリモルの２−［2,6−ジフルオロ−４−ヒドロキ
シフェニル］−５−ペンチルピリミジンを実施例16c）
に準じて300mlのDMEU中の13ミリモルの水素化ナトリウ
ムおよび25ミリモルのメチルスルホン酸2,2,2−トリフ
ルオロエチルと反応させる。Ｃ 66 I;Δε＝18.49;Δ
ｎ＝0.106。
シフェニル］−５−ペンチルピリミジンを実施例16c）
に準じて300mlのDMEU中の13ミリモルの水素化ナトリウ
ムおよび25ミリモルのメチルスルホン酸2,2,2−トリフ
ルオロエチルと反応させる。Ｃ 66 I;Δε＝18.49;Δ
ｎ＝0.106。
式
の以下の化合物類を同様に得る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ０７Ｄ 319/06 Ｃ０７Ｄ 319/06
Ｃ０９Ｋ 19/30 Ｃ０９Ｋ 19/30
19/34 19/34
Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００
(72)発明者 ライフェンラート、フォルケン
ドイツ連邦共和国 デー−6101 ロスド
ルフ ヤンシュトラーセ 18
(72)発明者 プラハ、ヘルベルト
ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルム
シュタット ウィンゲルツベルクシュト
ラーセ ５
(72)発明者 パウルート、デトレフ
ドイツ連邦共和国 デー−6105 オーバ
ー−ラムシュタット ケーニヒスベルガ
ー シュトラーセ 17
(72)発明者 ヒチヒ、ラインハルト
ドイツ連邦共和国 デー−6101 モダウ
タール １ アム キルヒベルク 11
(72)発明者 ペーチュ、アイケ
ドイツ連邦共和国 デー−6109 ミュー
ルタール ６ アム ブーフヴァルト
４
(72)発明者 ゲールハール、トーマス
ドイツ連邦共和国 デー−6500 マイン
ツ クプファーベルクテラセ 25
(72)発明者 ヴェーバー、ゲオルグ
ドイツ連邦共和国 デー−6106 エルツ
ハウゼン ヴィルヘルム−ロイシュネー
−シュトラーセ 38
(72)発明者 バルトマン、エケハルト
ドイツ連邦共和国 デー−6106 エルツ
ハウゼン ディーブルガー ヴェーク
12アー
(56)参考文献 特開 昭63−27451（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−175454（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−184642（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−131144（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−130253（ＪＰ，Ａ)
国際公開90／001021（ＷＯ，Ａ１)
国際公開90／013610（ＷＯ，Ａ１)
国際公開90／001056（ＷＯ，Ａ１)
国際公開91／003450（ＷＯ，Ａ１)
欧州特許出願公開90183（ＥＰ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (19)
- 【請求項１】式Ｉ 【化１】 ［式中、 ＲはＨ、または未置換の、CNまたはCF3でモノ置換され
るまたはハロゲンで少なくともモノ置換される１〜15個
の炭素原子を有するアルキルまたはアルケニル基であ
り、これらの基における１つ以上のCH2基は、それぞれ
互いに独立して、酸素原子が互いに直接結合しないよう
に−Ｏ−、−Ｓ−、 【化２】 −CO−、−CO−Ｏ−、−Ｏ−CO−または−Ｏ−CO−Ｏ−
によって置き換えることも可能であり、 Z1およびＺは、それぞれ互いに独立して、−CH2CH2−、
−CH＝CH−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり、あるいは
またZ1およびＺの１つは−（CH2）４−または−CH＝CH
−CH2CH2−であり、 ＡおよびA1は、それぞれ互いに独立して、１つまたは隣
接しない２つのCH2基を−Ｏ−で置き換えてもよいトラ
ンス−1,4−シクロヘキシレン基、あるいは未置換の、
またはフッ素および／またはCl原子でモノ置換またはジ
置換される、１つまたは２つのCH基をＮで置き換えても
よい1,4−フェニレン基であり、 但し、ＡおよびA1の少なくとも何れか一方は、１つ又は
２つのフッ素により置換された1,4−フェニレン基であ
り、 ｍは０、１、２または３であり、 ｏおよびｓは０、１または２（但し、（ｓ＋ｏ）≧２で
ある）であり、 ｍ及びｏの少なくとも何れか一方は１以上であり、 Ｗは−Ｏ−又は−COO−であり、 Ｑは−Ｏ−、−CH＝CH−または単結合であり、 ｒは１〜７であり、 ｔは０〜７であり、そして ＹはＦ、Cl、CF3又はCHF2であり、 但し、ｔ＝０でＱ＝−Ｏ−の場合、ＹはCF3又はCHF2で
ある］の液晶化合物。 - 【請求項２】Ｗ−（CH2）ｒ−Ｑ−（CH2）ｔ−Ｙに隣接
する環が 【化３】 である式Ｉの化合物。 - 【請求項３】式Ｉ″ 【化４】 （式中、ＬはＨまたはＦであり、そしてＲ、Z1、Ｚ、
Ｗ、Ｙ、ｒおよびｔは請求項１で定義した通りである）
の化合物。 - 【請求項４】式I A 【化５】 （式中、ｎは０〜７であり、Ｄは−Ｏ−、−CH＝CH−ま
たは単結合であり、ａは１〜５であり、ｂは０または１
であり、そしてＺ、Ａ、ｏ、ｒおよびｓは請求項１に定
義した通りである）の化合物。 - 【請求項５】式I a 【化６】 （式中、ａは１〜５であり、ｂは０または１であり、ｓ
は１または２であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物。 - 【請求項６】式I b 【化７】 （式中、ｎは１〜７であり、ｓは１または２であり、ｂ
は０または１であり、そしてＡ、Ｚ、ｏおよびｒは請求
項１に定義した通りである）の化合物。 - 【請求項７】式I c 【化８】 （式中、L1はＨ、ＦまたはClであり、L2はＦまたはClで
あり、そしてＲ、A1、Z1、Ｚ、ｍおよびｓは請求項１に
定義した通りである）の化合物。 - 【請求項８】ｓ＝２およびＺが単結合であることを特徴
とする請求項６記載の式I bの化合物。 - 【請求項９】ｓ＝１およびＡ＝1,4−フェニレンである
ことを特徴とする請求項６記載の式I bの化合物。 - 【請求項１０】Ｚが単結合であることを特徴とする請求
項８記載の式I bの化合物。 - 【請求項１１】Ｚが−（CH2）２−であることを特徴と
する請求項８記載の式I bの化合物。 - 【請求項１２】Ｚが−（CH2）４−であることを特徴と
する請求項８記載の式I bの化合物。 - 【請求項１３】式IV 【化９】 （式中、ＬはＨまたはＦであり、Ｗ、Ｑ、Ｙ、ｒおよび
ｔは請求項１に定義した通りである）の化合物。 - 【請求項１４】式I B 【化１０】 （式中、ＬはＨまたはＦである）の化合物。
- 【請求項１５】４−ブロモ−２−フルオロフェノキシド
または４−ブロモ−2,6−ジフルオロフェノキシドを1,3
−ジメチル−２−イミダゾリジノンの存在下にメチルス
ルホン酸2,2,2−トリフルオロエチルと反応させること
を特徴とする化合物I B 【化１１】 （式中、ＬはＨまたはＦである）の製造方法。 - 【請求項１６】液晶媒体の成分として式Ｉの化合物が使
用された液晶媒体。 - 【請求項１７】少なくとも１種の式Ｉの化合物を含んで
いることを特徴とする少なくとも２種の液晶成分を有す
る液晶媒体。 - 【請求項１８】請求項17記載の液晶媒体を含んでいるこ
とを特徴とする液晶ディスプレイ素子。 - 【請求項１９】誘電体として請求項17記載の液晶媒体を
含んでいることを特徴とする電気光学ディスプレイ素
子。
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