JP3499332B2 - 半導体デバイスのパッシベーション層の製造方法 - Google Patents
半導体デバイスのパッシベーション層の製造方法Info
- Publication number
- JP3499332B2 JP3499332B2 JP22472095A JP22472095A JP3499332B2 JP 3499332 B2 JP3499332 B2 JP 3499332B2 JP 22472095 A JP22472095 A JP 22472095A JP 22472095 A JP22472095 A JP 22472095A JP 3499332 B2 JP3499332 B2 JP 3499332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- passivation layer
- layer
- containing compound
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体の表面寄り
にある少なくとも１つのｐｎ接合と、非晶質水素含有炭
素（ａ−Ｃ：Ｈ）からなりｐｎ接合の少なくとも表面寄
りの部分を覆うパッシベーション層を施された半導体基
体を有する半導体デバイスに関する。
にある少なくとも１つのｐｎ接合と、非晶質水素含有炭
素（ａ−Ｃ：Ｈ）からなりｐｎ接合の少なくとも表面寄
りの部分を覆うパッシベーション層を施された半導体基
体を有する半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体デバイスは例えばドイツ
連邦共和国特許出願公開第４０１３４３５号明細書に記
載されている。その明細書にはパッシベーション層とし
てホウ層をドープされた非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：
Ｈ）を使用できることが記載されている。
連邦共和国特許出願公開第４０１３４３５号明細書に記
載されている。その明細書にはパッシベーション層とし
てホウ層をドープされた非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：
Ｈ）を使用できることが記載されている。
【０００３】ホウ層をドープされた非晶質水素含有炭素
から成るこのような層はパッシベーション層に対する所
与の条件を全般に良好に満すものである。例えばその抵
抗率は１０8 Ωｃｍ以上、状態密度は数１０19ｃｍ-3ｅ
Ｖ-1、スピン密度は１０19〜１０22ｃｍ-3、熱負荷能力
は２９０℃までの温度に耐えるものである。更にこのパ
ッシベーション層は水の浸透率が低い。この層はまた縁
形状の複雑な半導体基体の不活性化にも好適なものであ
る。
から成るこのような層はパッシベーション層に対する所
与の条件を全般に良好に満すものである。例えばその抵
抗率は１０8 Ωｃｍ以上、状態密度は数１０19ｃｍ-3ｅ
Ｖ-1、スピン密度は１０19〜１０22ｃｍ-3、熱負荷能力
は２９０℃までの温度に耐えるものである。更にこのパ
ッシベーション層は水の浸透率が低い。この層はまた縁
形状の複雑な半導体基体の不活性化にも好適なものであ
る。
【０００４】しかしホウ素のドーピングは処理上の問題
を招来する。ジボランのようなボラン類は毒性があり、
可燃性であるため取扱が困難である。更にジボランは水
素又はアルゴンに希釈しなければ使用できないものであ
り、従って公知のａ−Ｃ：Ｈの析出プロセスでは析出処
理を損ないかねない担体ガスであるため使用するのは極
めて困難である。デカボラン（Ｂ10Ｈ14）又はカルボラ
ンのような可燃焼性の低い無毒性のホウ素化合物は処理
するのに比較的大きな処理労力及び加熱可能の導管を必
要とする。ホウ酸エステル化合物の場合固体のホウ酸及
び揮発性アルコールに加水分解し易いという問題が生じ
る。またよく使用されるホウ酸トリメチルは吸湿性であ
る。
を招来する。ジボランのようなボラン類は毒性があり、
可燃性であるため取扱が困難である。更にジボランは水
素又はアルゴンに希釈しなければ使用できないものであ
り、従って公知のａ−Ｃ：Ｈの析出プロセスでは析出処
理を損ないかねない担体ガスであるため使用するのは極
めて困難である。デカボラン（Ｂ10Ｈ14）又はカルボラ
ンのような可燃焼性の低い無毒性のホウ素化合物は処理
するのに比較的大きな処理労力及び加熱可能の導管を必
要とする。ホウ酸エステル化合物の場合固体のホウ酸及
び揮発性アルコールに加水分解し易いという問題が生じ
る。またよく使用されるホウ酸トリメチルは吸湿性であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に記載した半導体デバイスのパッシベーション層を、上
述の要件を満たし、その形成に問題を生じることの少な
い方法で提供することにある。更にこの種のパッシベー
ション層の製造方法を提供することにある。
に記載した半導体デバイスのパッシベーション層を、上
述の要件を満たし、その形成に問題を生じることの少な
い方法で提供することにある。更にこの種のパッシベー
ション層の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は、この非晶質
水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）が酸素をドープされ、その
酸素含有量が０．０１〜２０重量％であることにより解
決される。
水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）が酸素をドープされ、その
酸素含有量が０．０１〜２０重量％であることにより解
決される。
【０００７】パッシベーション層が１０18ｃｍ-3ｅＶ-1
以上の状態密度、１０8 Ωｃｍ以上の抵抗率、０．７〜
１．１ｅＶのエネルギーギャプを有していると有利であ
る。パッシベーション層の厚さは０．０２〜３μｍであ
ると有利である。
以上の状態密度、１０8 Ωｃｍ以上の抵抗率、０．７〜
１．１ｅＶのエネルギーギャプを有していると有利であ
る。パッシベーション層の厚さは０．０２〜３μｍであ
ると有利である。
【０００８】本発明によるパッシベーション層は気体の
炭化水素から成る混合物中に酸素又は酸素含有炭化水素
を添加しながらか或は単に酸素含有炭化水素から形成さ
れる例えば高周波低圧プラズマから析出することができ
る。
炭化水素から成る混合物中に酸素又は酸素含有炭化水素
を添加しながらか或は単に酸素含有炭化水素から形成さ
れる例えば高周波低圧プラズマから析出することができ
る。
【０００９】気体の炭素及び水素を含有する有機性化合
物としては例えばメタン、エタン、アセチレン、プロパ
ン、ブタン、ベンゾール、テトラリンその他のようなア
ルカン、アルケン、アルキン又はアレン類を使用するこ
とができる。気体の酸素化合物としては純粋な酸素か或
は処理条件によってはアルコール、エステル、エーテ
ル、ケトンのような酸素含有脂肪族又は芳香族炭化水素
を使用する。これら化合物の具体的名称を挙げれば、メ
タノール、エタノール、アセト酢酸エステル、ジエチル
エーテル、アセトン等である。
物としては例えばメタン、エタン、アセチレン、プロパ
ン、ブタン、ベンゾール、テトラリンその他のようなア
ルカン、アルケン、アルキン又はアレン類を使用するこ
とができる。気体の酸素化合物としては純粋な酸素か或
は処理条件によってはアルコール、エステル、エーテ
ル、ケトンのような酸素含有脂肪族又は芳香族炭化水素
を使用する。これら化合物の具体的名称を挙げれば、メ
タノール、エタノール、アセト酢酸エステル、ジエチル
エーテル、アセトン等である。
【００１０】パッシベーション層を高周波低圧プラズマ
中で析出するには圧力を０．０５〜１ｍバールに調整
し、比出力密度を例えば０．５〜１０Ｗ／ｃｍ2 に調整
する。重畳された直流電圧として析出反応炉を相応する
形状（陽極と陰極の面積比が２：１以上）にした場合約
−８００〜−９００Ｖのセルフバイアスが形成される。
プラズマはマイクロ波によっても励起可能である。
中で析出するには圧力を０．０５〜１ｍバールに調整
し、比出力密度を例えば０．５〜１０Ｗ／ｃｍ2 に調整
する。重畳された直流電圧として析出反応炉を相応する
形状（陽極と陰極の面積比が２：１以上）にした場合約
−８００〜−９００Ｖのセルフバイアスが形成される。
プラズマはマイクロ波によっても励起可能である。
【００１１】酸素をドープされた非晶質水素含有炭素化
合物を析出するための上述の方法は酸素含有化合物の供
給を特定の層厚に析出した後に中止するように変更して
もよい。その後に酸素不含層を析出する。その際酸素含
有層と酸素不含層の層厚比は０．５：９９．５〜９９．
５：０．５に調整可能である。
合物を析出するための上述の方法は酸素含有化合物の供
給を特定の層厚に析出した後に中止するように変更して
もよい。その後に酸素不含層を析出する。その際酸素含
有層と酸素不含層の層厚比は０．５：９９．５〜９９．
５：０．５に調整可能である。
【００１２】パッシベーション層を析出後２００〜３５
０℃の温度で熱処理すると有利である。析出中半導体基
体自体は３００℃以下の温度に保持すると有利である。
０℃の温度で熱処理すると有利である。析出中半導体基
体自体は３００℃以下の温度に保持すると有利である。
【００１３】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
【００１４】プラズマを作る装置は面積の異なる２つの
電極を有する。大きい方の電極は接地されており、小さ
い方は整合回路網を介して高周波発生器と接続されてい
る。反応炉内に０．２ｍバールの圧力下にメタンとメタ
ノールの混合物を導入する。流量比は２０：１である。
小さい方の電極、即ち陰極上には公知のポジ／ネガに面
取りされたエッジを有する１個又は複数個のサイリスタ
の形の被覆すべき基板がある。サイリスタの阻止及び導
通特性は被覆前は許容値内である。プラズマは点火によ
り作られ、その際出力はセルフバイアス（陽極と陰極と
の間に測定される電圧）が−８００Ｖに設定されるよう
に選択される。これに必要な比出力は２．８Ｗ／ｃｍ2
である。２．５分の析出後メタノールの流量は零に調整
され、更に２．５分後に純粋なａ−Ｃ：Ｈが析出され
る。このとき層厚は０．６μｍとなり、合成された層の
光学的エネルギーギャップは約０．８〜０．９ｅＶであ
る。第１層の酸素含有量は約１０重量％である。引続き
サイリスタを３時間２７０℃で熱処理する。それらのサ
イリスタは引続き導通方向に安定な特性曲線を示す。
電極を有する。大きい方の電極は接地されており、小さ
い方は整合回路網を介して高周波発生器と接続されてい
る。反応炉内に０．２ｍバールの圧力下にメタンとメタ
ノールの混合物を導入する。流量比は２０：１である。
小さい方の電極、即ち陰極上には公知のポジ／ネガに面
取りされたエッジを有する１個又は複数個のサイリスタ
の形の被覆すべき基板がある。サイリスタの阻止及び導
通特性は被覆前は許容値内である。プラズマは点火によ
り作られ、その際出力はセルフバイアス（陽極と陰極と
の間に測定される電圧）が−８００Ｖに設定されるよう
に選択される。これに必要な比出力は２．８Ｗ／ｃｍ2
である。２．５分の析出後メタノールの流量は零に調整
され、更に２．５分後に純粋なａ−Ｃ：Ｈが析出され
る。このとき層厚は０．６μｍとなり、合成された層の
光学的エネルギーギャップは約０．８〜０．９ｅＶであ
る。第１層の酸素含有量は約１０重量％である。引続き
サイリスタを３時間２７０℃で熱処理する。それらのサ
イリスタは引続き導通方向に安定な特性曲線を示す。
【００１５】上記の酸素含有化合物の物理的特性及びそ
の化学反応によって冒頭に詳述した欠点は全面的に排除
することができる。更に上記酸素含有化合物の一部は半
導体技術分野で常用されている純度で得られる。ホウ素
はパッシベーション層には含まれていない。
の化学反応によって冒頭に詳述した欠点は全面的に排除
することができる。更に上記酸素含有化合物の一部は半
導体技術分野で常用されている純度で得られる。ホウ素
はパッシベーション層には含まれていない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(73)特許権者 390039413
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Ｓｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅ
ｌｌｓｃｈａｆｔ
ドイツ連邦共和国 Ｄ−80333 ミュン
ヘン ヴィッテルスバッハープラッツ
２
(72)発明者 アルベルト ハンマーシユミツト
ドイツ連邦共和国 91056 エルランゲ
ン コブルガーシユトラーセ 47アー
(72)発明者 ゲルハルト シユミツト
ドイツ連邦共和国 91301 フオルヒハ
イム ポイガーシユトラーセ ３アー
(72)発明者 ライナー バルテルメス
ドイツ連邦共和国 97483 エルトマン
シユロツスタイゲ ２
審査官 和瀬田 芳正
(56)参考文献 特開 昭62−214174（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−239623（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−310430（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−33593（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/314
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基体の表面寄りにある少なくとも
１つのｐｎ接合を備え、かつ非晶質水素含有炭素（ａ−
Ｃ：Ｈ）からなり少なくとも前記ｐｎ接合の表面寄りの
部分を覆い、しかもホウ素を含まないパッシベーション
層を施された半導体基体を有する半導体デバイスの前記
パッシベーション層を製造する方法において、パッシベ
ーション層を気体の炭化水素から成る混合物中に気体の
酸素含有化合物を添加しながらか或は単に酸素含有炭化
水素から形成される高周波低圧プラズマから析出させ、
もって非晶質水素含有炭素（ａ−Ｃ：Ｈ）に酸素をドー
プし、その酸素含有量を０．０１〜２０重量％とするこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】 パッシベーション層が１０18ｃｍ-3ｅＶ
-1以上の状態密度、１０8Ωｃｍ以上の抵抗率及び０．
７〜１．１ｅＶのエネルギーギャプを有することを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 パッシベーション層が０．０２〜３μｍ
の厚さを有することを特徴とする請求項１又は２記載の
方法。 - 【請求項４】 パッシベーション層を、析出後２００〜
３５０℃の温度で熱処理することを特徴とする請求項１
ないし３の１つに記載の方法。 - 【請求項５】 所望の層厚のパッシベーション層が析出
する前に気体の酸素含有化合物の添加を中止し、続いて
前記酸素含有化合物を添加しない状態でパッシベーショ
ン層の析出を続行し、もって析出をまず酸素含有化合物
を添加しながら、次いで酸素含有化合物を添加しない状
態で行い、酸素含有層と酸素不含層との層厚比を０．
５：９９．５〜９９．５：０．５に調整することを特徴
とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 気体の炭素及び水素を含む有機性化合物
としてアルカン、アルケン、アルキン又はアレン類を使
用することを特徴とする請求項４又は５記載の方法。 - 【請求項７】 気体の酸素含有化合物として酸素ガスを
又は処理条件によってはアルコール、エステル、エーテ
ル、アルデヒド又はケトンのような酸素含有脂肪族又は
芳香族炭化水素を使用することを特徴とする請求項４な
いし６の１つに記載の方法。 - 【請求項８】 プラズマを高周波により励起することを
特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の方法。 - 【請求項９】 パッシベーション層を半導体基体上に、
温度を３００℃以下に保持して析出することを特徴とす
る請求項１ないし８の１つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4428524A DE4428524A1 (de) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht |
| DE4428524.8 | 1994-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869997A JPH0869997A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3499332B2 true JP3499332B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=6525494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22472095A Expired - Lifetime JP3499332B2 (ja) | 1994-08-11 | 1995-08-09 | 半導体デバイスのパッシベーション層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3499332B2 (ja) |
| CH (1) | CH694002A5 (ja) |
| DE (1) | DE4428524A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10022384B4 (de) * | 1998-11-09 | 2004-07-22 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zur Passivierung einer schnellen Leistungsdiode |
| DE19851461C2 (de) * | 1998-11-09 | 2003-07-31 | Semikron Elektronik Gmbh | Schnelle Leistungsdiode und Verfahren zu ihrer Passivierung |
| US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| DE10359371A1 (de) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Passivierte Endoberflächen |
| US9514932B2 (en) * | 2012-08-08 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Flowable carbon for semiconductor processing |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2840776A1 (de) * | 1978-09-19 | 1980-03-27 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit passivierender schutzschicht |
| JPS59119733A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| DE59006267D1 (de) * | 1989-02-01 | 1994-08-04 | Siemens Ag | Schutzschicht für elektroaktive Passivierschichten. |
| ES2072321T3 (es) * | 1989-02-01 | 1995-07-16 | Siemens Ag | Capa de pasivado electroactiva. |
| DE3902969A1 (de) * | 1989-02-01 | 1990-08-02 | Siemens Ag | Schutzschicht fuer elektroaktive passivierschichten |
| DE58908152D1 (de) * | 1989-05-31 | 1994-09-08 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht. |
| EP0624901A1 (de) * | 1993-05-13 | 1994-11-17 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht |
-
1994
- 1994-08-11 DE DE4428524A patent/DE4428524A1/de not_active Ceased
-
1995
- 1995-06-22 CH CH01849/95A patent/CH694002A5/de not_active IP Right Cessation
- 1995-08-09 JP JP22472095A patent/JP3499332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0869997A (ja) | 1996-03-12 |
| DE4428524A1 (de) | 1997-12-04 |
| CH694002A5 (de) | 2004-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sugino et al. | Electron emission from boron nitride coated Si field emitters | |
| JP3428984B2 (ja) | 安定化層及びその製法 | |
| JPH049757B2 (ja) | ||
| JP4441607B2 (ja) | 半導体基板を不動態化する方法 | |
| US4362766A (en) | Method for preparing a protective amorphous silicon passivating film on a semiconductor device | |
| EP0714997B1 (en) | Process for manufacturing layers of diamond doped with boron | |
| EP0693575B1 (en) | Method for forming diamond film | |
| JP3499332B2 (ja) | 半導体デバイスのパッシベーション層の製造方法 | |
| EP0730043B1 (en) | Multilayer system comprising a diamond layer, an interphase and a metallic substrate | |
| JP3509856B2 (ja) | 安定化層のための保護層及びその製法 | |
| US6558742B1 (en) | Method of hot-filament chemical vapor deposition of diamond | |
| JP3540360B2 (ja) | パッシベーション層を有する半導体デバイスの製造方法 | |
| Hong et al. | Effects of annealing temperature on characteristics of amorphous nickel carbon thin film alloys deposited on n-type silicon substrates by reactive sputtering | |
| CN110965039A (zh) | 用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料及其制备方法 | |
| JP2016166102A (ja) | アモルファスカーボンナノ粒子の製造方法及びアモルファスカーボンナノ粒子 | |
| TW594853B (en) | The manufacturing method of diamond film and diamond film | |
| JPH0421638B2 (ja) | ||
| JPH0725636B2 (ja) | 半導体ダイヤモンドの製造方法 | |
| JPH0448757B2 (ja) | ||
| JPS62180073A (ja) | 非晶質炭素膜およびその製造方法 | |
| JPH0757472B2 (ja) | 炭素膜がコートされた研磨用具およびその作製方法 | |
| CN113697812B (zh) | 基于高频电磁场激发的碳化硅纳米管制备方法 | |
| Sugino et al. | Electron emission characteristics of boron nitride films synthesized by plasma-assisted chemical vapor deposition | |
| Varhue et al. | Electrical and chemical characterization of a‐C: H prepared by rf glow discharge | |
| JP2636856B2 (ja) | ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031106 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081205 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091205 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101205 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |