JP3493150B2 - 熱処理装置および基板温度計測方法 - Google Patents
熱処理装置および基板温度計測方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、フ
ォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光デ
ィスク用基板等の精密パターン形成用の基板（以下、単
に「基板」という。）に加熱を伴う処理を施す熱処理装
置および加熱を伴う処理が施される基板の温度を計測す
る基板温度計測方法に関するものである。
ォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光デ
ィスク用基板等の精密パターン形成用の基板（以下、単
に「基板」という。）に加熱を伴う処理を施す熱処理装
置および加熱を伴う処理が施される基板の温度を計測す
る基板温度計測方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に酸化膜や窒化膜を形成した
り、ＣＶＤ処理を行う急速熱処理装置では、基板の品質
を維持するために加熱途上の基板の温度を計測しつつラ
ンプ等の加熱源の制御が行われる。
り、ＣＶＤ処理を行う急速熱処理装置では、基板の品質
を維持するために加熱途上の基板の温度を計測しつつラ
ンプ等の加熱源の制御が行われる。
【０００３】基板の温度を計測する方法の１つとして、
従来より、基板に対向する位置に反射板を設け、基板と
反射板との間で基板からの熱放射である放射光を多重反
射させてから放射光の強度を放射温度計ロッドで計測す
るという手法が用いられている。また、放射光の強度の
計測とともに放射温度計ロッドに対する反射板の実質的
な反射率である実効反射率を変化させ、基板の温度およ
び放射率を変数とする連立方程式を解いて基板の温度を
求めている。
従来より、基板に対向する位置に反射板を設け、基板と
反射板との間で基板からの熱放射である放射光を多重反
射させてから放射光の強度を放射温度計ロッドで計測す
るという手法が用いられている。また、放射光の強度の
計測とともに放射温度計ロッドに対する反射板の実質的
な反射率である実効反射率を変化させ、基板の温度およ
び放射率を変数とする連立方程式を解いて基板の温度を
求めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板の複数
の領域の温度を計測するために複数の放射温度計ロッド
を設け、各放射温度計ロッドにおいて反射板の実効反射
率を変化させるためには、実効反射率を変化させる機構
を放射温度計ロッドの数だけ設ける必要がある。したが
って、基板の多数の領域の温度を計測するためには実効
反射率を変化させる機構の小型化を図る必要があるが、
このような対策では熱処理装置のコストが増大してしま
う。また、実効反射率を変化させる機構の小型化にも限
界があり、基板の温度計測の領域の数を一定数まで減ら
さなければならないという課題があった。
の領域の温度を計測するために複数の放射温度計ロッド
を設け、各放射温度計ロッドにおいて反射板の実効反射
率を変化させるためには、実効反射率を変化させる機構
を放射温度計ロッドの数だけ設ける必要がある。したが
って、基板の多数の領域の温度を計測するためには実効
反射率を変化させる機構の小型化を図る必要があるが、
このような対策では熱処理装置のコストが増大してしま
う。また、実効反射率を変化させる機構の小型化にも限
界があり、基板の温度計測の領域の数を一定数まで減ら
さなければならないという課題があった。
【０００５】この発明は、上記課題に鑑みなされたもの
であり、コスト増大を防止しつつ基板の多数の領域の温
度を計測することができる基板温度計測方法およびこの
基板温度計測方法を実現する熱処理装置を提供すること
を目的としている。
であり、コスト増大を防止しつつ基板の多数の領域の温
度を計測することができる基板温度計測方法およびこの
基板温度計測方法を実現する熱処理装置を提供すること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に加熱を伴う処理を施す熱処理装置であって、基板を保
持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を加
熱する加熱手段と、前記保持手段に保持された基板に対
向して配置され、基板からの放射光を反射する反射部材
と、前記反射部材に設けられ、前記反射部材の第１実効
反射率に対応する放射光の第１強度および前記反射部材
の第２実効反射率に対応する放射光の第２強度を計測す
る第１計測手段と、前記反射部材の実効反射率を第１実
効反射率と第２実効反射率とに切り替える切替手段と、
前記第１計測手段により計測された放射光の第１強度お
よび放射光の第２強度に基づいて、基板の放射率を求め
る第１演算部と、前記反射部材に設けられ、前記反射部
材の第３実効反射率に対応する放射光の第３強度を計測
する第２計測手段と、前記第１演算部により求められた
基板の放射率、前記第２計測手段により計測される放射
光の第３強度に対応する前記反射部材の第３実効反射
率、および前記第２計測手段により計測される放射光の
第３強度に基づいて、基板の温度を求める第２演算部
と、を備える。
に加熱を伴う処理を施す熱処理装置であって、基板を保
持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を加
熱する加熱手段と、前記保持手段に保持された基板に対
向して配置され、基板からの放射光を反射する反射部材
と、前記反射部材に設けられ、前記反射部材の第１実効
反射率に対応する放射光の第１強度および前記反射部材
の第２実効反射率に対応する放射光の第２強度を計測す
る第１計測手段と、前記反射部材の実効反射率を第１実
効反射率と第２実効反射率とに切り替える切替手段と、
前記第１計測手段により計測された放射光の第１強度お
よび放射光の第２強度に基づいて、基板の放射率を求め
る第１演算部と、前記反射部材に設けられ、前記反射部
材の第３実効反射率に対応する放射光の第３強度を計測
する第２計測手段と、前記第１演算部により求められた
基板の放射率、前記第２計測手段により計測される放射
光の第３強度に対応する前記反射部材の第３実効反射
率、および前記第２計測手段により計測される放射光の
第３強度に基づいて、基板の温度を求める第２演算部
と、を備える。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１に記載の熱処
理装置であって、前記第１計測手段が基板のほぼ中央に
対向して配置され、前記第２計測手段が前記第１計測手
段の周囲に複数配置されている。
理装置であって、前記第１計測手段が基板のほぼ中央に
対向して配置され、前記第２計測手段が前記第１計測手
段の周囲に複数配置されている。
【０００８】請求項３の発明は、請求項１または２に記
載の熱処理装置であって、前記加熱手段が基板の複数の
領域の加熱状態を制御することができ、前記第１計測手
段および複数の前記第２計測手段が前記複数の領域に対
応する位置に配置されている。
載の熱処理装置であって、前記加熱手段が基板の複数の
領域の加熱状態を制御することができ、前記第１計測手
段および複数の前記第２計測手段が前記複数の領域に対
応する位置に配置されている。
【０００９】請求項４の発明は、請求項１ないし３のい
ずれかに記載の熱処理装置であって、前記反射部材の反
射面に前記第１計測手段が配置される穴が設けられ、前
記切替手段が、前記穴と前記第１計測手段との間におい
て基板とほぼ平行に配置された板部材と、前記板部材を
基板とほぼ平行な状態で運動させることにより、前記穴
における前記板部材の存在領域を変化させる駆動源とを
有する。
ずれかに記載の熱処理装置であって、前記反射部材の反
射面に前記第１計測手段が配置される穴が設けられ、前
記切替手段が、前記穴と前記第１計測手段との間におい
て基板とほぼ平行に配置された板部材と、前記板部材を
基板とほぼ平行な状態で運動させることにより、前記穴
における前記板部材の存在領域を変化させる駆動源とを
有する。
【００１０】請求項５の発明は、加熱を伴う処理が施さ
れる基板の温度を計測する基板温度計測方法であって、
基板に対向して配置されて基板からの放射光を反射する
反射部材に設けられた第１計測手段が、前記反射部材の
第１実効反射率に対応する放射光の第１強度を得る工程
と、前記反射部材の第１実効反射率を前記反射部材の第
２実効反射率に切り替える工程と、前記第１計測手段
が、前記反射部材の第２実効反射率に対応する放射光の
第２強度を得る工程と、前記第１計測手段により計測さ
れた第１強度および第２強度に基づいて、基板の放射率
を求める工程と、前記反射部材に設けられた第２計測手
段が、前記反射部材の第３実効反射率に対応する放射光
の第３強度を得る工程と、基板の放射率、第３実効反射
率、および第３強度に基づいて、基板の温度を求める工
程と、を有する。
れる基板の温度を計測する基板温度計測方法であって、
基板に対向して配置されて基板からの放射光を反射する
反射部材に設けられた第１計測手段が、前記反射部材の
第１実効反射率に対応する放射光の第１強度を得る工程
と、前記反射部材の第１実効反射率を前記反射部材の第
２実効反射率に切り替える工程と、前記第１計測手段
が、前記反射部材の第２実効反射率に対応する放射光の
第２強度を得る工程と、前記第１計測手段により計測さ
れた第１強度および第２強度に基づいて、基板の放射率
を求める工程と、前記反射部材に設けられた第２計測手
段が、前記反射部材の第３実効反射率に対応する放射光
の第３強度を得る工程と、基板の放射率、第３実効反射
率、および第３強度に基づいて、基板の温度を求める工
程と、を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施の形態の１
つである熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。熱
処理装置１は半導体基板である基板９に酸化膜や窒化膜
等を形成したりアニール処理を行うための急速熱処理装
置である。熱処理装置１は装置外殻を形成する蓋部１１
および本体部１２を有しており、蓋部１１および本体部
１２には冷却用の水路１３が多数形成されている。
つである熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。熱
処理装置１は半導体基板である基板９に酸化膜や窒化膜
等を形成したりアニール処理を行うための急速熱処理装
置である。熱処理装置１は装置外殻を形成する蓋部１１
および本体部１２を有しており、蓋部１１および本体部
１２には冷却用の水路１３が多数形成されている。
【００１２】蓋部１１には複数のランプ２１が設けられ
ており、ランプ２１からの光を基板９に照射することで
基板９に加熱を伴う処理が行われる。また、ランプ２１
は数個ずつグループ化されており、ランプドライバ２２
がグループを単位としてランプ２１への電力供給を制御
する。これにより、複数のグループに対応する基板９上
の複数の照射領域における加熱状態が制御される。
ており、ランプ２１からの光を基板９に照射することで
基板９に加熱を伴う処理が行われる。また、ランプ２１
は数個ずつグループ化されており、ランプドライバ２２
がグループを単位としてランプ２１への電力供給を制御
する。これにより、複数のグループに対応する基板９上
の複数の照射領域における加熱状態が制御される。
【００１３】蓋部１１と本体部１２との間には内部の空
間を仕切る石英窓３０が配置されており、本体部１２お
よび石英窓３０により基板９が処理される処理空間１２
１が形成される。
間を仕切る石英窓３０が配置されており、本体部１２お
よび石英窓３０により基板９が処理される処理空間１２
１が形成される。
【００１４】本体部１２下部には処理される基板９を保
持する保持機構４０が配置され、開閉機構（図示省略）
を有する搬出入口１２２から処理空間１２１に搬入され
た基板９が保持機構４０により保持される。保持機構４
０は基板９を保持して基板９の周囲を囲う保持リング４
１、保持リング４１を支持する支持部材４２、支持部材
４２の下方に取り付けられた伝達機構４３、伝達機構４
３に接続されたモータ４４、およびモータ４４の駆動を
制御するモータドライバ４５を有している。このような
構成により保持リング４１に保持された基板９はモータ
４４からの作用を受けて主面に垂直な軸を中心に回転す
る。
持する保持機構４０が配置され、開閉機構（図示省略）
を有する搬出入口１２２から処理空間１２１に搬入され
た基板９が保持機構４０により保持される。保持機構４
０は基板９を保持して基板９の周囲を囲う保持リング４
１、保持リング４１を支持する支持部材４２、支持部材
４２の下方に取り付けられた伝達機構４３、伝達機構４
３に接続されたモータ４４、およびモータ４４の駆動を
制御するモータドライバ４５を有している。このような
構成により保持リング４１に保持された基板９はモータ
４４からの作用を受けて主面に垂直な軸を中心に回転す
る。
【００１５】本体部１２の内部下方には反射板１２３が
配置され、加熱される基板９からの放射光が反射板１２
３と基板９との間で反射を繰り返す。そして、多重反射
した放射光の強度が反射板１２３に取り付けられた温度
計測機構５０の第１放射温度計ロッド５５により計測さ
れる。なお、温度計測機構５０は基板９のほぼ中央に対
向するように配置される。
配置され、加熱される基板９からの放射光が反射板１２
３と基板９との間で反射を繰り返す。そして、多重反射
した放射光の強度が反射板１２３に取り付けられた温度
計測機構５０の第１放射温度計ロッド５５により計測さ
れる。なお、温度計測機構５０は基板９のほぼ中央に対
向するように配置される。
【００１６】反射板１２３にはさらに温度計測機構５０
の周囲に第２放射温度計ロッド６０が複数取り付けられ
る。第２放射温度計ロッド６０も基板９と反射板１２３
との間で多重反射した放射光の強度を取得するものであ
る。図２は反射板１２３を上方からみたときの様子を示
す図である。図２ではランプ２１の制御グループごとの
照射領域に対応する位置に温度計測機構５０および複数
の第２放射温度計ロッド６０を配置した場合を例示して
いる。
の周囲に第２放射温度計ロッド６０が複数取り付けられ
る。第２放射温度計ロッド６０も基板９と反射板１２３
との間で多重反射した放射光の強度を取得するものであ
る。図２は反射板１２３を上方からみたときの様子を示
す図である。図２ではランプ２１の制御グループごとの
照射領域に対応する位置に温度計測機構５０および複数
の第２放射温度計ロッド６０を配置した場合を例示して
いる。
【００１７】温度計測機構５０および第２放射温度計ロ
ッド６０は取得した放射光の強度に基づく出力を演算部
７０へと送る。温度計測機構５０は後述するように２つ
の出力を演算部７０に与える機構となっており、演算部
７０は温度計測機構５０からの出力に基づいて基板９の
中央の領域の温度を求めるとともに基板９の放射率を求
める。さらに演算部７０は求めた基板９の放射率と第２
放射温度計ロッド６０からの出力とに基づいて各第２放
射温度計ロッド６０に対向する基板の領域の温度を求め
る。
ッド６０は取得した放射光の強度に基づく出力を演算部
７０へと送る。温度計測機構５０は後述するように２つ
の出力を演算部７０に与える機構となっており、演算部
７０は温度計測機構５０からの出力に基づいて基板９の
中央の領域の温度を求めるとともに基板９の放射率を求
める。さらに演算部７０は求めた基板９の放射率と第２
放射温度計ロッド６０からの出力とに基づいて各第２放
射温度計ロッド６０に対向する基板の領域の温度を求め
る。
【００１８】演算部７０にて求められた温度は制御部８
０へと伝えられ、制御部８０がランプドライバ２２を介
してランプ２１からの光の強度を制御したり、モータド
ライバ４５を介してモータ４４を制御して基板９に対す
る処理を制御する。
０へと伝えられ、制御部８０がランプドライバ２２を介
してランプ２１からの光の強度を制御したり、モータド
ライバ４５を介してモータ４４を制御して基板９に対す
る処理を制御する。
【００１９】次に、温度計測機構５０の構成について説
明する。
明する。
【００２０】図３は図１に示す温度計測機構５０近傍の
様子を拡大して示す縦断面図である。なお、細部につい
ては平行斜線の表示を省略している。温度計測機構５０
は反射板１２３に取り付けられるフランジ５１、フラン
ジ５１に取り付けられる固定部材５２、フランジ５１と
固定部材５２との間で基板９に対してほぼ平行な状態で
回転する回転板５３、回転板５３を回転させるモータ５
４、および固定部材５２に取り付けられてキャビティ５
１１（後述）に入射する放射光の強度を計測するための
第１放射温度計ロッド５５を有している。また、モータ
５４は動作を制御するモータドライバ５６に接続されて
おり、第１放射温度計ロッド５５およびモータドライバ
５６は演算部７０に接続されている。
様子を拡大して示す縦断面図である。なお、細部につい
ては平行斜線の表示を省略している。温度計測機構５０
は反射板１２３に取り付けられるフランジ５１、フラン
ジ５１に取り付けられる固定部材５２、フランジ５１と
固定部材５２との間で基板９に対してほぼ平行な状態で
回転する回転板５３、回転板５３を回転させるモータ５
４、および固定部材５２に取り付けられてキャビティ５
１１（後述）に入射する放射光の強度を計測するための
第１放射温度計ロッド５５を有している。また、モータ
５４は動作を制御するモータドライバ５６に接続されて
おり、第１放射温度計ロッド５５およびモータドライバ
５６は演算部７０に接続されている。
【００２１】フランジ５１には第１放射温度計ロッド５
５の上方に相当する位置に第１放射温度計ロッド５５に
向かって伸びる円筒形の穴であるキャビティ５１１が形
成されており、フランジ５１が反射板１２３に取り付け
られることで反射板１２３にキャビティ５１１が設けら
れるとともにキャビティ５１１内に第１放射温度計ロッ
ド５５が配置された状態となる。キャビティ５１１の内
面は放射光を反射するように鏡面に加工されている。ま
た、キャビティ５１１の下部には処理空間１２１と装置
外部とを仕切るための窓部材５１２が固定されている。
５の上方に相当する位置に第１放射温度計ロッド５５に
向かって伸びる円筒形の穴であるキャビティ５１１が形
成されており、フランジ５１が反射板１２３に取り付け
られることで反射板１２３にキャビティ５１１が設けら
れるとともにキャビティ５１１内に第１放射温度計ロッ
ド５５が配置された状態となる。キャビティ５１１の内
面は放射光を反射するように鏡面に加工されている。ま
た、キャビティ５１１の下部には処理空間１２１と装置
外部とを仕切るための窓部材５１２が固定されている。
【００２２】固定部材５２は回転板５３の回転軸５３３
を回転可能に支持し、さらに第１放射温度計ロッド５５
を回転軸５３３の近傍に固定する。なお、フランジ５１
および固定部材５２の内部には冷却用の水路５１３、５
２１が形成されている。
を回転可能に支持し、さらに第１放射温度計ロッド５５
を回転軸５３３の近傍に固定する。なお、フランジ５１
および固定部材５２の内部には冷却用の水路５１３、５
２１が形成されている。
【００２３】図４は図３中の矢印Ａ−Ａから回転板５３
を見たときの様子を示す図である。図４では第１放射温
度計ロッド５５の位置を示すために回転板５３の一部を
破断線にて削除して示している。回転板５３は回転中心
５３Ｃを中心とする略扇状の板が存在する板部５３１と
回転中心５３Ｃを中心とする略扇状の切欠部５３２とを
有する。また、板部５３１には回転中心５３Ｃを中心と
する円弧状のスリット５３１ａが形成されており、第１
放射温度計ロッド５５が板部５３１の下方に位置する場
合にスリット５３１ａが第１放射温度計ロッド５５の上
方に位置する。
を見たときの様子を示す図である。図４では第１放射温
度計ロッド５５の位置を示すために回転板５３の一部を
破断線にて削除して示している。回転板５３は回転中心
５３Ｃを中心とする略扇状の板が存在する板部５３１と
回転中心５３Ｃを中心とする略扇状の切欠部５３２とを
有する。また、板部５３１には回転中心５３Ｃを中心と
する円弧状のスリット５３１ａが形成されており、第１
放射温度計ロッド５５が板部５３１の下方に位置する場
合にスリット５３１ａが第１放射温度計ロッド５５の上
方に位置する。
【００２４】図５は図３中の矢印Ｂ−Ｂからキャビティ
５１１を見たとき様子を示す図である。第１放射温度計
ロッド５５はキャビティ５１１内の下方に配置され、回
転板５３が回転中心５３Ｃを中心に回転すると、キャビ
ティ５１１には板部５３１が存在する状態と、切欠部５
３２が存在する状態（すなわち、キャビティ５１１と第
１放射温度計ロッド５５の間に遮光する物体が存在しな
い状態）とが交互に生じるようになっている。
５１１を見たとき様子を示す図である。第１放射温度計
ロッド５５はキャビティ５１１内の下方に配置され、回
転板５３が回転中心５３Ｃを中心に回転すると、キャビ
ティ５１１には板部５３１が存在する状態と、切欠部５
３２が存在する状態（すなわち、キャビティ５１１と第
１放射温度計ロッド５５の間に遮光する物体が存在しな
い状態）とが交互に生じるようになっている。
【００２５】なお、回転板５３には光を反射も透過もし
ない黒化処理が施されており、固定部材５２上の回転板
５３に対向する面５２２（図３参照）には鏡面処理が施
されている。これにより、回転板５３が回転するとキャ
ビティ５１１に入射する放射光が反射される状態と反射
されない状態とが交互に生じ、反射板１２３の実効反射
率の切り替えが実現される。
ない黒化処理が施されており、固定部材５２上の回転板
５３に対向する面５２２（図３参照）には鏡面処理が施
されている。これにより、回転板５３が回転するとキャ
ビティ５１１に入射する放射光が反射される状態と反射
されない状態とが交互に生じ、反射板１２３の実効反射
率の切り替えが実現される。
【００２６】第１放射温度計ロッド５５に接続される演
算部７０（図３）は第１放射温度計ロッド５５に入射す
る放射光の強度に基づいてキャビティ５１１に対向する
基板９の中央近傍の領域の温度を求める。また、温度の
算出のために第１放射温度計ロッド５５上に板部５３１
が存在するか否かの信号がモータドライバ５６から演算
部７０に入力される。
算部７０（図３）は第１放射温度計ロッド５５に入射す
る放射光の強度に基づいてキャビティ５１１に対向する
基板９の中央近傍の領域の温度を求める。また、温度の
算出のために第１放射温度計ロッド５５上に板部５３１
が存在するか否かの信号がモータドライバ５６から演算
部７０に入力される。
【００２７】以上、温度計測機構５０の構成について説
明したが、次に温度計測機構５０による基板９中心近傍
の温度計測の原理、および演算部７０による温度計測機
構５０からの出力の演算処理の内容について説明する。
明したが、次に温度計測機構５０による基板９中心近傍
の温度計測の原理、および演算部７０による温度計測機
構５０からの出力の演算処理の内容について説明する。
【００２８】図６は基板９と反射板１２３との間で反射
を繰り返す放射光の様子を示す図である。
を繰り返す放射光の様子を示す図である。
【００２９】温度計測機構５０では基板９と反射板１２
３との間で多重反射した放射光が第１放射温度計ロッド
５５に入射する。ここで、基板９の温度をＴ、温度Ｔの
黒体からの放射光の強度（単位面積当たりのエネルギ
ー）をＬb(Ｔ)、基板９の放射率をεwとすると、温度Ｔ
の基板９から放射される放射光の強度は、
３との間で多重反射した放射光が第１放射温度計ロッド
５５に入射する。ここで、基板９の温度をＴ、温度Ｔの
黒体からの放射光の強度（単位面積当たりのエネルギ
ー）をＬb(Ｔ)、基板９の放射率をεwとすると、温度Ｔ
の基板９から放射される放射光の強度は、
【００３０】
【数１】
【００３１】と表される。
【００３２】また、基板９からの放射光が反射板１２３
にて１回反射されると、反射板１２３の反射率をρrと
して、放射光の強度は、
にて１回反射されると、反射板１２３の反射率をρrと
して、放射光の強度は、
【００３３】
【数２】
【００３４】となる。
【００３５】さらに、反射板１２３からの放射光が基板
９にて反射されると、基板９の反射率をρwとして、基
板９からの放射光の強度は、
９にて反射されると、基板９の反射率をρwとして、基
板９からの放射光の強度は、
【００３６】
【数３】
【００３７】となる。
【００３８】反射板１２３側から光の強度を計測する場
合、計測される放射光の強度は、基板９から直接放射さ
れる放射光のみならず、基板９と反射板１２３およびキ
ャビティ５１１との間で多重反射した後の放射光も重な
って計測されることから、計測される放射光の強度は、
合、計測される放射光の強度は、基板９から直接放射さ
れる放射光のみならず、基板９と反射板１２３およびキ
ャビティ５１１との間で多重反射した後の放射光も重な
って計測されることから、計測される放射光の強度は、
【００３９】
【数４】
【００４０】となる。
【００４１】ここで、数４は等比級数であり、かつ、
【００４２】
【数５】
【００４３】であることから、数４は、
【００４４】
【数６】
【００４５】と変形される。
【００４６】さらに、基板９が光を透過しないものとす
ると基板９の放射率εwと反射率ρwとの間には、
ると基板９の放射率εwと反射率ρwとの間には、
【００４７】
【数７】
【００４８】という関係が成り立ち、数６は、
【００４９】
【数８】
【００５０】とさらに変形される。
【００５１】ここで、反射板１２３の反射率ρrは反射
板１２３の材質のみでなく反射板１２３の表面状態や形
状にも依存する値であり、このような実質的な反射板１
２３の反射率が以下の説明において実効反射率として用
いられる。
板１２３の材質のみでなく反射板１２３の表面状態や形
状にも依存する値であり、このような実質的な反射板１
２３の反射率が以下の説明において実効反射率として用
いられる。
【００５２】温度計測機構５０は数８にて示すように、
第１放射温度計ロッド５５にて計測される放射光の強度
が基板９の放射率εw、反射板１２３の実効反射率ρr、
および基板９の温度Ｔにて表されるという関係を利用し
ている。以下に温度計測機構５０による温度計測方法に
ついて図７を参照しながら説明する。なお、温度計測機
構５０からの出力は演算部７０の第１演算部７１にて処
理される。
第１放射温度計ロッド５５にて計測される放射光の強度
が基板９の放射率εw、反射板１２３の実効反射率ρr、
および基板９の温度Ｔにて表されるという関係を利用し
ている。以下に温度計測機構５０による温度計測方法に
ついて図７を参照しながら説明する。なお、温度計測機
構５０からの出力は演算部７０の第１演算部７１にて処
理される。
【００５３】温度計測機構５０は第１放射温度計ロッド
５５に入射する放射光の強度に影響を与える反射板１２
３の実効反射率ρrを２つの状態に変化させることによ
り基板９の温度を求める。２つの実効反射率の間での実
効反射率ρrの切り替えは図４に示した回転板５３をキ
ャビティ５１１と第１放射温度計ロッド５５との間で回
転させ、基板９側からキャビティ５１１内部を見た際の
キャビティ５１１内の回転板５３の存在領域を変更する
ことで実現している。なお、板部５３１がキャビティ５
１１の下方に存在する場合にはスリット５３１ａを介し
てキャビティ５１１に入射した放射光が第１放射温度計
ロッド５５に入射する。
５５に入射する放射光の強度に影響を与える反射板１２
３の実効反射率ρrを２つの状態に変化させることによ
り基板９の温度を求める。２つの実効反射率の間での実
効反射率ρrの切り替えは図４に示した回転板５３をキ
ャビティ５１１と第１放射温度計ロッド５５との間で回
転させ、基板９側からキャビティ５１１内部を見た際の
キャビティ５１１内の回転板５３の存在領域を変更する
ことで実現している。なお、板部５３１がキャビティ５
１１の下方に存在する場合にはスリット５３１ａを介し
てキャビティ５１１に入射した放射光が第１放射温度計
ロッド５５に入射する。
【００５４】温度計測機構５０による温度計測の準備と
して、まず、温度計測機構５０の第１放射温度計ロッド
５５における反射板１２３の２つの実効反射率ρr1、ρ
r2（ρr1は第１実効反射率、ρr2は第２実効反射率）が
求められる。これらの実効反射率の算出は、例えば、放
射率εwおよび反射率ρwが既知であり、かつ温度計が取
り付けられた校正用基板を熱処理装置１に投入し、校正
用基板を加熱して第１放射温度計ロッド５５に入射する
放射光の強度Ｉおよび基板９の温度Ｔを取得する。そし
て、
して、まず、温度計測機構５０の第１放射温度計ロッド
５５における反射板１２３の２つの実効反射率ρr1、ρ
r2（ρr1は第１実効反射率、ρr2は第２実効反射率）が
求められる。これらの実効反射率の算出は、例えば、放
射率εwおよび反射率ρwが既知であり、かつ温度計が取
り付けられた校正用基板を熱処理装置１に投入し、校正
用基板を加熱して第１放射温度計ロッド５５に入射する
放射光の強度Ｉおよび基板９の温度Ｔを取得する。そし
て、
【００５５】
【数９】
【００５６】を用いて実効反射率ρrを得る。なお、数
９は数６を変形したものである。
９は数６を変形したものである。
【００５７】このような実効反射率ρrの算出を回転板
５３を回転させながら行うことにより、キャビティ５１
１に板部５３１が存在するときの第１実効反射率ρr1お
よび板部５３１が存在しないときの第２実効反射率ρr2
が求められる。
５３を回転させながら行うことにより、キャビティ５１
１に板部５３１が存在するときの第１実効反射率ρr1お
よび板部５３１が存在しないときの第２実効反射率ρr2
が求められる。
【００５８】第１放射温度計ロッド５５における２つの
実効反射率ρr1、ρr2が求められると、次に、計測対象
である基板９が熱処理装置１に投入されて保持機構４０
に保持される。そして、回転板５３を回転させながらキ
ャビティ５１１に入射する放射光の強度を第１放射温度
計ロッド５５を用いて計測する。計測される放射光の強
度は回転板５３の回転に伴う実効反射率ρrの変化に従
って２つの状態に交互に変化するので、第１演算部７１
は２つの強度Ｉ1、Ｉ2（Ｉ1は第１強度、Ｉ2は第２強
度）を取得することができる。
実効反射率ρr1、ρr2が求められると、次に、計測対象
である基板９が熱処理装置１に投入されて保持機構４０
に保持される。そして、回転板５３を回転させながらキ
ャビティ５１１に入射する放射光の強度を第１放射温度
計ロッド５５を用いて計測する。計測される放射光の強
度は回転板５３の回転に伴う実効反射率ρrの変化に従
って２つの状態に交互に変化するので、第１演算部７１
は２つの強度Ｉ1、Ｉ2（Ｉ1は第１強度、Ｉ2は第２強
度）を取得することができる。
【００５９】すなわち、キャビティ５１１に板部５３１
が存在する状態で第１実効反射率ρr1に対応する第１強
度Ｉ1が取得され（ステップＳ１１）、回転板５３が回
転してキャビティ５１１に板部５３１が存在しない第１
実効反射率ρr2の状態に切り替えられた後（ステップＳ
１２）、第２実効反射率ρr2に対応する第２強度Ｉ2が
取得される（ステップＳ１３）。なお、第１放射温度計
ロッド５５に入射する光の強度は電気的信号に変換され
るとともに第１演算部７１にて数値として算出される。
が存在する状態で第１実効反射率ρr1に対応する第１強
度Ｉ1が取得され（ステップＳ１１）、回転板５３が回
転してキャビティ５１１に板部５３１が存在しない第１
実効反射率ρr2の状態に切り替えられた後（ステップＳ
１２）、第２実効反射率ρr2に対応する第２強度Ｉ2が
取得される（ステップＳ１３）。なお、第１放射温度計
ロッド５５に入射する光の強度は電気的信号に変換され
るとともに第１演算部７１にて数値として算出される。
【００６０】得られた放射光の２つの強度Ｉ1、Ｉ2につ
いて、数８より、
いて、数８より、
【００６１】
【数１０】
【００６２】
【数１１】
【００６３】という関係が成り立つ。ただし、Ｔcは基
板９の中心近傍の温度を示す。ここで、
板９の中心近傍の温度を示す。ここで、
【００６４】
【数１２】
【００６５】とＧを定義すると、
【００６６】
【数１３】
【００６７】により基板９の放射率εwが求められる
（ステップＳ１４）。
（ステップＳ１４）。
【００６８】求められた放射率εwを数１０または数１
１に代入することにより強度Ｌb(Ｔc)が求められる。強
度Ｌb(Ｔ)と温度Ｔとの関係は予め校正式あるいはテー
ブルとして第１演算部７１に記憶されており、校正式ま
たはテーブルを参照して強度Ｌb(Ｔc)から基板９の中心
近傍の温度Ｔcが求められる（ステップＳ１４）。
１に代入することにより強度Ｌb(Ｔc)が求められる。強
度Ｌb(Ｔ)と温度Ｔとの関係は予め校正式あるいはテー
ブルとして第１演算部７１に記憶されており、校正式ま
たはテーブルを参照して強度Ｌb(Ｔc)から基板９の中心
近傍の温度Ｔcが求められる（ステップＳ１４）。
【００６９】以上のように、温度計測機構５０では回転
板５３を回転させて実効反射率を切り替え、切り替え前
後で計測される放射光の強度から第１演算部７１が基板
９の中心近傍の温度Ｔcを求める。
板５３を回転させて実効反射率を切り替え、切り替え前
後で計測される放射光の強度から第１演算部７１が基板
９の中心近傍の温度Ｔcを求める。
【００７０】次に、各第２放射温度計ロッド６０に対向
する基板９の領域の温度計測について説明する。
する基板９の領域の温度計測について説明する。
【００７１】第２放射温度計ロッド６０は第１放射温度
計ロッド５５とほぼ同様の構成となっているが、温度計
測機構５０のような実効反射率を変更する構成は周囲に
配置されていない。したがって、第２放射温度計ロッド
６０に関する構成は単純なものとなっている。基板９と
反射板１２３との間で多重反射した放射光が第２放射温
度計ロッド６０に入射すると、入射した放射光の強度が
出力されて演算部７０の第２演算部７２へと入力される
（ステップＳ１５）。
計ロッド５５とほぼ同様の構成となっているが、温度計
測機構５０のような実効反射率を変更する構成は周囲に
配置されていない。したがって、第２放射温度計ロッド
６０に関する構成は単純なものとなっている。基板９と
反射板１２３との間で多重反射した放射光が第２放射温
度計ロッド６０に入射すると、入射した放射光の強度が
出力されて演算部７０の第２演算部７２へと入力される
（ステップＳ１５）。
【００７２】ここで、複数ある第２放射温度計ロッド６
０のうち、ｉ番目のロッドからの出力から求められる放
射光の強度をＩrodi（第３強度）とし、基板９の放射率
をεw、ｉ番目のロッドに対向する基板９の領域の温度
をＴrodi、ｉ番目のロッドの位置における反射板１２３
の実効反射率をＲrodi（第３実効反射率）とすると、数
８を利用して、
０のうち、ｉ番目のロッドからの出力から求められる放
射光の強度をＩrodi（第３強度）とし、基板９の放射率
をεw、ｉ番目のロッドに対向する基板９の領域の温度
をＴrodi、ｉ番目のロッドの位置における反射板１２３
の実効反射率をＲrodi（第３実効反射率）とすると、数
８を利用して、
【００７３】
【数１４】
【００７４】という関係が成り立つ。そして、数１４を
変形して、
変形して、
【００７５】
【数１５】
【００７６】とし、数１５を利用して第２演算部７２は
放射強度Ｌb(Ｔrodi)を求める。ただし、厳密には基板
９の放射率εwはｉ番目のロッドに対向する基板９の領
域における放射率を示すが、第２演算部７２では第１演
算部７１にて求められた放射率εwをそのまま用いる。
すなわち、この熱処理装置１では基板９の表面状態がほ
ぼ均一であると仮定し、基板９の中央付近の放射率εw
を基準にして第２放射温度計ロッド６０に対向する基板
９の領域の温度を求めている。なお、第３実効反射率Ｒ
rodiは第１放射温度計ロッド５５における実効反射率ρ
r1、ρr2と同様にして予め求められて第２演算部７２に
記憶されている。
放射強度Ｌb(Ｔrodi)を求める。ただし、厳密には基板
９の放射率εwはｉ番目のロッドに対向する基板９の領
域における放射率を示すが、第２演算部７２では第１演
算部７１にて求められた放射率εwをそのまま用いる。
すなわち、この熱処理装置１では基板９の表面状態がほ
ぼ均一であると仮定し、基板９の中央付近の放射率εw
を基準にして第２放射温度計ロッド６０に対向する基板
９の領域の温度を求めている。なお、第３実効反射率Ｒ
rodiは第１放射温度計ロッド５５における実効反射率ρ
r1、ρr2と同様にして予め求められて第２演算部７２に
記憶されている。
【００７７】さらに、第２演算部７２は予め準備されて
いる校正式またはテーブルを用いて強度Ｌb(Ｔrodi)か
ら第２放射温度計ロッド６０に対向する基板９の領域の
温度Ｔrodiを求める（ステップＳ１６）。
いる校正式またはテーブルを用いて強度Ｌb(Ｔrodi)か
ら第２放射温度計ロッド６０に対向する基板９の領域の
温度Ｔrodiを求める（ステップＳ１６）。
【００７８】以上説明してきたように、熱処理装置１で
は温度計測機構５０および第１演算部７１を用いて基板
９の中央近傍の温度Ｔcおよび基板９の放射率εwを求
め、第１演算部７１にて求められた放射率εwを第２演
算部７２にて利用することで基板９の多数の領域の温度
を複数の第２放射温度計ロッド６０を用いて計測する。
したがって、従来のように基板９の温度計測の各領域に
対応して放射温度計ロッド、並びに回転板やモータ等の
実効反射率を切り替える機構を設ける必要はない。
は温度計測機構５０および第１演算部７１を用いて基板
９の中央近傍の温度Ｔcおよび基板９の放射率εwを求
め、第１演算部７１にて求められた放射率εwを第２演
算部７２にて利用することで基板９の多数の領域の温度
を複数の第２放射温度計ロッド６０を用いて計測する。
したがって、従来のように基板９の温度計測の各領域に
対応して放射温度計ロッド、並びに回転板やモータ等の
実効反射率を切り替える機構を設ける必要はない。
【００７９】その結果、反射板１２３に取り付けられる
温度計測の構成は１つの温度計測機構５０と複数の第２
放射温度計ロッド６０のみとなり、反射板１２３のスペ
ースを有効利用して基板９の多数の領域の温度を計測す
ることができる。また、熱処理装置１の製造に必要な部
品点数を削減することもでき、熱処理装置１の製造に要
するコストも低減される。
温度計測の構成は１つの温度計測機構５０と複数の第２
放射温度計ロッド６０のみとなり、反射板１２３のスペ
ースを有効利用して基板９の多数の領域の温度を計測す
ることができる。また、熱処理装置１の製造に必要な部
品点数を削減することもでき、熱処理装置１の製造に要
するコストも低減される。
【００８０】また、多数の第２放射温度計ロッド６０を
配置できることから、ランプ２１のグループを細かく分
割してもランプ２１のグループの点灯制御を適正に行う
ことができる。
配置できることから、ランプ２１のグループを細かく分
割してもランプ２１のグループの点灯制御を適正に行う
ことができる。
【００８１】さらに、この熱処理装置１により取得され
る多数の領域の温度計測結果を保存することで、各基板
の生産管理を安価に、かつ的確に行うことができる。
る多数の領域の温度計測結果を保存することで、各基板
の生産管理を安価に、かつ的確に行うことができる。
【００８２】以上、この発明に係る熱処理装置１の構成
および動作について説明してきたが、この発明は上記実
施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能で
ある。
および動作について説明してきたが、この発明は上記実
施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能で
ある。
【００８３】例えば、回転板５３の形状は図４に示した
ものに限定されるものではなく、板部５３１や切欠部５
３２の形状は実効反射率を変化させることができるので
あるならばどのような形状であってもよい。図８に示す
ように板部５３１および切欠部５３２とが共に半円状で
あってもよい。
ものに限定されるものではなく、板部５３１や切欠部５
３２の形状は実効反射率を変化させることができるので
あるならばどのような形状であってもよい。図８に示す
ように板部５３１および切欠部５３２とが共に半円状で
あってもよい。
【００８４】また、回転板５３の形状は図９に示すよう
に、切欠部を設けずに板部５３１を円形にし、この円形
を複数に分割した複数の略扇状の領域に黒化処理された
黒色部５３４と鏡面処理された鏡面部５３５とを形成す
るようにしてもよい。このとき、黒色部５３４は黒体塗
料の塗布やカーボンの蒸着によって黒化処理を施し、鏡
面部５３５は金メッキなどの処理を行って反射率を高め
るようにしておけばよい。
に、切欠部を設けずに板部５３１を円形にし、この円形
を複数に分割した複数の略扇状の領域に黒化処理された
黒色部５３４と鏡面処理された鏡面部５３５とを形成す
るようにしてもよい。このとき、黒色部５３４は黒体塗
料の塗布やカーボンの蒸着によって黒化処理を施し、鏡
面部５３５は金メッキなどの処理を行って反射率を高め
るようにしておけばよい。
【００８５】また、上記実施の形態では、回転板５３を
基板９とほぼ平行な状態で回転させることにより実効反
射率を切り替えているが、回転運動に限定されるもので
はなく、例えば、スライド運動であってもよい。
基板９とほぼ平行な状態で回転させることにより実効反
射率を切り替えているが、回転運動に限定されるもので
はなく、例えば、スライド運動であってもよい。
【００８６】また、上記実施の形態では、回転板５３に
対向する固定部材５２の上面５２２は鏡面加工されてお
り、回転板５３は黒化処理が施されていると説明した
が、面５２２が黒化処理されており、回転板５３が鏡面
に加工されていてもよい。
対向する固定部材５２の上面５２２は鏡面加工されてお
り、回転板５３は黒化処理が施されていると説明した
が、面５２２が黒化処理されており、回転板５３が鏡面
に加工されていてもよい。
【００８７】また、上記実施の形態では、反射板１２３
を用いて基板９からの放射光を反射するようにしている
が、反射板１２３にはキャビティ５１１以外の部分に適
宜凹凸が設けられていてもよい。
を用いて基板９からの放射光を反射するようにしている
が、反射板１２３にはキャビティ５１１以外の部分に適
宜凹凸が設けられていてもよい。
【００８８】また、上記実施の形態では、温度計測機構
５０を基板９のほぼ中心の温度を計測するように配置し
ているが、基板９の中心に限定されるものではなく、基
板９の周縁部の温度を計測するように配置されていても
よい。
５０を基板９のほぼ中心の温度を計測するように配置し
ているが、基板９の中心に限定されるものではなく、基
板９の周縁部の温度を計測するように配置されていても
よい。
【００８９】また、上記実施の形態では、温度計測機構
５０が１つのみ設けられているが、２つ以上配置されて
もよい。この場合、各第２放射温度計ロッド６０が最も
近くに配置された温度計測機構５０により得られる基板
９の放射率εwを利用することが好ましい。
５０が１つのみ設けられているが、２つ以上配置されて
もよい。この場合、各第２放射温度計ロッド６０が最も
近くに配置された温度計測機構５０により得られる基板
９の放射率εwを利用することが好ましい。
【００９０】また、上記実施の形態では図２に示すよう
に１つの温度計測機構５０および８つの第２放射温度計
ロッド６０を配置して基板９の９つの領域の温度を計測
するようにしているが、温度計測の領域が２つで十分な
場合には、１つの温度計測機構５０と１つの第２放射温
度計ロッド６０とを反射板１２３に設けてもよい。
に１つの温度計測機構５０および８つの第２放射温度計
ロッド６０を配置して基板９の９つの領域の温度を計測
するようにしているが、温度計測の領域が２つで十分な
場合には、１つの温度計測機構５０と１つの第２放射温
度計ロッド６０とを反射板１２３に設けてもよい。
【００９１】また、上記実施の形態では各放射温度計ロ
ッドに対応して得られる温度を用いてランプ２１を制御
すると説明したが、ランプ２１のフィードバック制御を
行わずに温度計測を行うようになっていてもよい。この
場合、取得される温度は生産管理情報として利用され
る。
ッドに対応して得られる温度を用いてランプ２１を制御
すると説明したが、ランプ２１のフィードバック制御を
行わずに温度計測を行うようになっていてもよい。この
場合、取得される温度は生産管理情報として利用され
る。
【００９２】さらに、上記実施の形態では半導体基板製
造用の熱処理装置を例に説明したが、この発明は半導体
基板用の熱処理装置に限定されるものではなく、ガラス
基板等の他の種類の基板を製造するための熱処理装置に
おいても利用可能である。
造用の熱処理装置を例に説明したが、この発明は半導体
基板用の熱処理装置に限定されるものではなく、ガラス
基板等の他の種類の基板を製造するための熱処理装置に
おいても利用可能である。
【００９３】
【発明の効果】請求項１ないし５に記載の発明では、簡
単な構成で基板の複数の領域の温度を求めることができ
る。これにより、基板の多数の領域の温度を計測するこ
とができるとともに熱処理装置の部品点数の削減による
コストの低減を図ることができる。
単な構成で基板の複数の領域の温度を求めることができ
る。これにより、基板の多数の領域の温度を計測するこ
とができるとともに熱処理装置の部品点数の削減による
コストの低減を図ることができる。
【００９４】また、請求項２に記載の発明では、基板の
ほぼ中央の領域の放射率を基準に第２計測手段に対向す
る基板の領域の温度を求めることができる。
ほぼ中央の領域の放射率を基準に第２計測手段に対向す
る基板の領域の温度を求めることができる。
【００９５】また、請求項３に記載の発明では、加熱状
態が制御される基板の複数の領域の温度を得ることがで
きるので、基板の適正な加熱を行うことができる。
態が制御される基板の複数の領域の温度を得ることがで
きるので、基板の適正な加熱を行うことができる。
【００９６】また、請求項４に記載の発明では、板部材
の運動を利用して第１計測手段における反射部材の実効
反射率を切り替えることができる。
の運動を利用して第１計測手段における反射部材の実効
反射率を切り替えることができる。
【図１】この発明の一実施の形態である熱処理装置の構
成を示す縦断面図である。
成を示す縦断面図である。
【図２】温度計測機構および第２放射温度計ロッドの配
置を示す図である。
置を示す図である。
【図３】図１に示す熱処理装置における温度計測機構近
傍の構成を示す縦断面図である。
傍の構成を示す縦断面図である。
【図４】回転板の形状および第１放射温度計ロッドの位
置を示す図である。
置を示す図である。
【図５】キャビティと第１放射温度計ロッドとの位置関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図６】多重反射の様子を示す概念図である。
【図７】演算部における処理の流れを示す流れ図であ
る。
る。
【図８】回転板の形状の他の例を示す図である。
【図９】回転板の形状のさらに他の例を示す図である。
９ 基板
１ 熱処理装置
４０ 保持機構
２１ ランプ
２２ ランプドライバ
１２３ 反射板
５５ 第１放射温度計ロッド
６０ 第２放射温度計ロッド
５３ 回転板
５４ モータ
５６ モータドライバ
７１ 第１演算部
７２ 第２演算部
５１１ キャビティ
Ｓ１１〜Ｓ１６ ステップ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−163182（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−204143（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−260426（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−20938（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−14131（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
G01J 5/00
H01L 21/26
H01L 21/31
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に加熱を伴う処理を施す熱処理装置
であって、 基板を保持する保持手段と、 前記保持手段に保持された基板を加熱する加熱手段と、 前記保持手段に保持された基板に対向して配置され、基
板からの放射光を反射する反射部材と、 前記反射部材に設けられ、前記反射部材の第１実効反射
率に対応する放射光の第１強度および前記反射部材の第
２実効反射率に対応する放射光の第２強度を計測する第
１計測手段と、 前記反射部材の実効反射率を第１実効反射率と第２実効
反射率とに切り替える切替手段と、 前記第１計測手段により計測された放射光の第１強度お
よび放射光の第２強度に基づいて、基板の放射率を求め
る第１演算部と、 前記反射部材に設けられ、前記反射部材の第３実効反射
率に対応する放射光の第３強度を計測する第２計測手段
と、 前記第１演算部により求められた基板の放射率、前記第
２計測手段により計測される放射光の第３強度に対応す
る前記反射部材の第３実効反射率、および前記第２計測
手段により計測される放射光の第３強度に基づいて、基
板の温度を求める第２演算部と、を備えることを特徴と
する熱処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の熱処理装置であって、 前記第１計測手段が基板のほぼ中央に対向して配置さ
れ、 前記第２計測手段が前記第１計測手段の周囲に複数配置
されていることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の熱処理装置で
あって、 前記加熱手段が基板の複数の領域の加熱状態を制御する
ことができ、 前記第１計測手段および複数の前記第２計測手段が前記
複数の領域に対応する位置に配置されていることを特徴
とする熱処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の熱
処理装置であって、 前記反射部材の反射面に前記第１計測手段が配置される
穴が設けられ、 前記切替手段が、 前記穴と前記第１計測手段との間において基板とほぼ平
行に配置された板部材と、 前記板部材を基板とほぼ平行な状態で運動させることに
より、前記穴における前記板部材の存在領域を変化させ
る駆動源と、を有することを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】 加熱を伴う処理が施される基板の温度を
計測する基板温度計測方法であって、 基板に対向して配置されて基板からの放射光を反射する
反射部材に設けられた第１計測手段が、前記反射部材の
第１実効反射率に対応する放射光の第１強度を得る工程
と、 前記反射部材の第１実効反射率を前記反射部材の第２実
効反射率に切り替える工程と、 前記第１計測手段が、前記反射部材の第２実効反射率に
対応する放射光の第２強度を得る工程と、 前記第１計測手段により計測された第１強度および第２
強度に基づいて、基板の放射率を求める工程と、 前記反射部材に設けられた第２計測手段が、前記反射部
材の第３実効反射率に対応する放射光の第３強度を得る
工程と、 基板の放射率、第３実効反射率、および第３強度に基づ
いて、基板の温度を求める工程と、を有することを特徴
とする基板温度計測方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30566198A JP3493150B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 熱処理装置および基板温度計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30566198A JP3493150B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 熱処理装置および基板温度計測方法 |
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| JP2000133600A JP2000133600A (ja) | 2000-05-12 |
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ID=17947833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30566198A Expired - Lifetime JP3493150B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 熱処理装置および基板温度計測方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4549484B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式熱処理装置 |
| WO2005069359A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US8372203B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
| KR101983326B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-05-29 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR102628897B1 (ko) * | 2018-04-10 | 2024-01-25 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리방법 및 기판 처리장치 |
-
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- 1998-10-27 JP JP30566198A patent/JP3493150B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2000133600A (ja) | 2000-05-12 |
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