JP3592966B2 - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、「基板」と称する)に対し熱処理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、種々の熱処理が行われている。基板に対して熱処理を行う熱処理装置としては、例えば、光照射によって基板の加熱を行う光照射型の熱処理装置(いわゆるランプアニール)が用いられている。
【0003】
このような光照射型の熱処理装置において基板の温度を測定する際には、基板と反射板との間の多重反射効果により増幅した光を放射温度計で計測し、その光量から温度を決定する方法が主流となっている。そのときに問題となるのが測定対象、すなわち熱処理中の基板の放射率である。基板の放射率は、その材質や処理内容に依存するものであるため、温度測定の都度求めることが望ましい。
【0004】
このため、本発明者は、反射板側の反射率を異ならすことで2つの状態を作り出し、その2つの状態から基板の放射率と温度とを未知数とした連立方程式を作成し、これを解くことにより基板の温度を算出する技術を提案している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
かかる技術においては、反射板側の反射率を異なる2種類とすることによって2つの状態を作り出す必要があり、反射板側の2種類の反射率を実効反射率という装置定数として予め定義している。従って、実効反射率を正確に校正しておくことが基板の温度を高い精度にて測定するための条件となる。
【0006】
しかしながら、従来においては、実効反射率を低コストかつ簡単に校正することが困難であった。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、実効反射率を正確にしかも低コストかつ簡単に校正することができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に熱処理を施す熱処理装置において、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を加熱する熱源と、前記保持手段に保持された基板に対向して配置されるとともに、穴を備え、かつ基板からの熱放射を反射する反射板と、前記反射板に対して基板と反対側または前記穴の内部に設けられているとともに、基板と前記反射板との間の熱放射を受けて放射強度を計測する放射強度計測手段と、前記保持手段に保持された基板に対向する前記穴の開口部と前記放射強度計測手段との間に設けられるとともに、前記穴の実効反射率を複数の実効反射率の間で切り替える実効反射率切り替え手段と、前記保持手段によって保持された校正用基板の反射率を異なる複数種類にするとともに、前記校正用基板を前記熱源によって所定温度に加熱したときに、前記放射強度計測手段によって前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率につき計測された複数の放射強度に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれの校正を行う校正手段と、前記校正後の複数の実効反射率のそれぞれについて前記放射強度計測手段によって計測された複数の放射強度に基づいて基板の温度を算出する温度算出手段と、を備えている。
【0009】
また、請求項2の発明は、請求項1の発明にかかる熱処理装置において、前記校正手段に、前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに、前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を算出する強度比算出手段と、前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに算出された前記強度比に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を得る実効反射率算出手段と、を備えさせている。
【0010】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明にかかる熱処理装置において、前記実効反射率切り替え手段に、前記反射板の実効反射率を2種類の実効反射率の間で切り替えさせるとともに、前記校正用基板の反射率を、異なる2種類にしている。
【0011】
また、請求項4の発明は、請求項3の発明にかかる熱処理装置において、前記校正用基板に、その表面にシリコンが露出した基板と、シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された基板と、を含ませている。
【0012】
また、請求項5の発明は、請求項3の発明にかかる熱処理装置において、前記校正用基板に、その表面にシリコンが露出した領域およびシリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された領域を有する基板を含ませている。
【0013】
また、請求項6の発明は、保持手段に保持されて熱源により加熱される基板に対向し、かつ穴を備えた反射板と、前記穴に対して基板と反対側または前記穴の内部に設けられた放射強度計測手段と、基板に対向する前記穴の開口部と前記放射強度計測手段との間に設けられるとともに、前記反射板の実効反射率を複数の実効反射率の間で切り替える実効反射率切り替え手段とを備える熱処理装置を用いた熱処理方法において、第1反射率を有する第1校正用基板を所定温度に加熱する第1加熱工程と、前記第1校正用基板を加熱したときに、前記放射強度計測手段により前記複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第1反射率についての複数の放射強度を取得する第1計測工程と、前記第1反射率とは異なる第2反射率を有する第2校正用基板を所定温度に加熱する第2加熱工程と、前記第2校正用基板を加熱したときに、前記放射強度計測手段により前記複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第2反射率についての複数の放射強度を取得する第2計測工程と、前記第1反射率についての複数の放射強度および前記第2反射率についての複数の放射強度に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれの校正を行う校正工程と、基板を加熱し、前記校正後の複数の実効反射率のそれぞれについて前記放射強度計測手段によって放射強度を計測し、計測された当該複数の放射強度に基づいて基板の温度を算出する工程と、を備えている。
【0014】
また、請求項7の発明は、請求項6の発明にかかる熱処理方法において、前記校正工程に、前記第1反射率につき前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第1強度比として算出する工程と、前記第1強度比を記憶する工程と、前記第2反射率につき前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第2強度比として算出する工程と、前記第2強度比を記憶する工程と、前記第1強度比および前記第2強度比に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を取得する工程と、を備えさせている。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0016】
<1.熱処理装置の全体構成>
図1は本発明にかかる熱処理装置の一例を示す縦断面図である。熱処理装置1は主に炉体10、ランプ20、石英ガラス30、基板保持回転部40、温度計測部50、制御部60、ランプドライバ80、モータドライバ90を備えている。
【0017】
炉体10は上部をリフレクタ110、下部をハウジング120とする円筒形状の炉体であり、それらの内部等には冷媒を通して冷却する多数の冷却管130が設けられている。また、炉体10の側面には基板搬出入口EWが設けられており、加熱処理の際には図示しない外部搬送装置により基板Wまたは校正用基板SWの搬出入が行われる。
【0018】
ランプ20は「熱源」に相当し、リフレクタ110の下面に多数設けられ(図1には一部にのみ参照番号を記載)、点灯時にはその熱放射により基板Wまたは後述する校正用基板SWを加熱する。
【0019】
石英ガラス30はランプ20の下方に設けられ、その熱放射による放射光を透過する。
【0020】
基板保持回転部40は、基板Wまたは校正用基板SWの周縁部分を全周に渡って保持する保持リング410が、その直径より大きな内径の円筒の支持脚420により支持されるとともに、それら支持脚420の下端には、その外周に沿ってベアリング430が設けられている。そして、ベアリング430の外周に設けられたギアに基板回転モータ440の回転軸のギア441がかみ合っており、その駆動により保持リング410が鉛直方向を軸として回転可能となっている。なお、本実施形態では、基板保持回転部40が保持手段に相当する。
【0021】
温度計測部50は、基板Wまたは校正用基板SWからの熱放射の多重反射を考慮した放射強度(放射エネルギー)を計測し、それを基に基板温度等を求め、それらの信号を制御部60に送る。なお、温度計測部50による基板温度測定の具体的な内容については後に詳述する。
【0022】
制御部60は内部にCPUおよびメモリを備え、ランプドライバ80にランプ20の温度制御信号を送ったり、モータドライバ90に所定のタイミングで駆動信号を送ったりする。
【0023】
ランプドライバ80は制御部60からの温度制御信号を受けて、それに応じた電力をランプ20に供給する。
【0024】
モータドライバ90は制御部60からの駆動信号を受けて、それに応じた電力を基板回転モータ440に供給する。
【0025】
次に、温度計測部50の構成についてさらに詳細に説明する。図1に示すように、温度計測部50は主に、反射板510、計測ユニット520、モータドライバ530、演算部550を備えている。
【0026】
図2は温度計測部50における計測ユニット520付近の断面模式図である。温度計測部50においてハウジング120上面には、基板保持回転部40に保持された基板W(または校正用基板SW)に対向して反射板510が配置されており、その反射板510には、それを貫通する円筒形状の穴510aが設けられている。さらに、その穴510aの下方のハウジング120内には計測ユニット520のケーシング521が取り付けられ、そのケーシング521の上部が穴510a内面に密着するとともに、ケーシング521の上部には円筒状の空洞部CPが設けられている。
【0027】
また、ケーシング521内面は全面にアルミニウム等の金属を蒸着することにより反射率が高められているとともに、ケーシング521の内部にはハウジング120内部に設けられているものと同様の冷却管130が設けられており、これらによりケーシング521内部の温度上昇を抑えて、基板温度の測定精度を高めている。
【0028】
また、空洞部CPの上端部には石英ガラス板522が設けられ、その石英ガラス板522の下面にフィルタ523が密着して設けられている。フィルタ523は石英ガラス板522の下面全体にTiO2等の金属酸化物を蒸着したものである。フィルタ523は、測定波長の近傍の波長域の放射光のみ透過し、他の波長域の放射光はほぼ完全に反射する性質を有している。これにより、熱放射による放射光のケーシング521内への進入を必要最小限とすることができるので、ケーシング521内部やプローブ526が熱せられにくく、高い測定精度を実現することができる。
【0029】
なお、前述のように、基板保持回転部40の支持脚420は円筒状であるので、保持リング410により基板Wまたは校正用基板SWを保持する際には、それらと反射板510との間に閉空間を形成する。そのため、ランプ20からの熱放射が直接またはハウジング120の内面等により反射し、基板W等を経ないで穴510aに進入してプローブ526に至るのを防いでいる。これにより、プローブ526による放射強度の計測を正確なものにしている。
【0030】
また、図2に示すように、ケーシング521内の空洞部CPの下端近傍には回転式セクタ524がその板面をほぼ水平にして、図示しない支持部材によりケーシング521内に支持されたモータ525に取り付けられている。そして、回転式セクタ524は反射板510の穴510aの開口部とプローブ526との間に設けられている。なお、回転式セクタ524とモータ525とを併せたものが「実効反射率切り替え手段」に相当する。
【0031】
図3は回転式セクタ524の一例を示す平面図である。本実施形態における回転式セクタ524は円盤形状であり、その主面が直交する2本の直径によって4つの領域に等分に分割されている。4つの領域のうち隣り合わない2つの扇形部分である反射部RPには鏡面処理が施されるとともに、弧状のスリットSLが設けられている。一方、他の2つの扇形部分である吸収部NPには黒化処理が施されるとともに、上記と同様の弧状のスリットSLが設けられている。そして、回転式セクタ524の中心がモータ525の回転軸525aに取り付けられている(図2参照)。そのため、モータ525の回転により回転式セクタ524は、その板面に平行な平面内で回転自在となっている。モータ525はモータドライバ530に電気的に接続され、モータドライバ530は制御部60に電気的に接続されている。モータドライバ530は制御部60からの駆動信号を受けて、それに応じた電力をモータ525に供給する。
【0032】
モータドライバ530からの指示に従ったモータ525の駆動により回転式セクタ524が回転すると、空洞部CPの下方に反射部RPが位置する状態と、吸収部NPが位置する状態とが交互に生じる。そして反射部RPまたは吸収部NPのいずれが空洞部CPの下方に位置するかによって、穴510aに進入した放射光の上方への反射の状況が異なるため、反射部のRPのスリットSLを通る光量と吸収部NPのスリットSLを通る光量に差ができる、すなわち後述する実効反射率が異なるものとなる。
【0033】
図3に示すように、本実施形態における回転式セクタ524は回転対称の形状であるため回転の安定性が高い。そして、回転式セクタ524が回転することによって熱放射による放射光の透過および反射の状況が交互に入れ替わる。なお、回転式セクタ524は図3に示した形態に限定されるものではなく、熱放射による放射光の透過および反射の状況を異ならせることが可能な形態であれば良い。例えば、黒化処理のなされたベース面上に切り欠き部を有する回転可能なセクタを配置するようにしても良い。
【0034】
図2に戻り、プローブ526は、いわゆる放射温度計ロッドであり、入射した放射光を電圧、すなわち放射強度を表す電気信号に変換し、演算部550に送る(図1参照)。演算部550はCPUおよびメモリ551を備えており、プローブ526が検出した基板Wについての放射強度をもとに基板温度を算出する。また、後述するように、演算部550は校正用基板SWについてプローブ526が検出した放射強度をもとに実効反射率の校正を行う。なお、本実施形態においては、プローブ526が放射強度計測手段に相当する。また、処理用プログラムによって実現される演算部550の処理内容が校正手段および温度算出手段に相当する。
【0035】
<2.熱処理装置における温度計測方法>
次に、上記構成を有する熱処理装置1における基板Wの温度計測方法について説明する。この温度計測方法は、本発明にかかる技術の前提技術となるものである。
【0036】
一般に、温度Tの灰色体の放射強度L(T)と黒体エネルギーすなわち黒体の放射強度Lb(T)との関係は次式で表される。
【0037】
【数1】
【0038】
ここで、εは灰色体の放射率であり、一般にε<1である。従って、基板Wの放射率をεWとすると、温度Tの基板Wの放射強度L(T)は次式のようになる。
【0039】
【数2】
【0040】
基板Wからの熱放射による放射光は、図4に示すように、基板Wと反射板510との間で反射を繰り返し、いわゆる多重反射が生じる。このとき、計測ユニット520の側から、多重反射による放射強度を計測する場合について考えると、下向きの光(基板Wから反射板510へと向かう光)の光量を合計した値に相当する強度が計測されることとなる。すなわち、反射板510の反射率をR、基板Wの反射率をρWとすると、図4からも明らかなように、計測される放射強度Iは次式のような等比級数として表される。
【0041】
【数3】
【0042】
従って、放射強度Iは次式で表される。
【0043】
【数4】
【0044】
数4において、反射板510の反射率Rおよび基板Wの反射率ρWはともに0より大きく1よりも小さいため、0<RρW<1となる。よって、n→∞にすると次式が得られる。
【0045】
【数5】
【0046】
また、基板Wが熱放射による放射光を透過しないと考えると次式が成立する。
【0047】
【数6】
【0048】
従って、結局、計測される強度Iは次式のように表される。
【0049】
【数7】
【0050】
ここで、上述のように、Rは反射板510の反射率であるが、この値は反射板510の形状や表面状態に大きく依存する。このような形状や表面状態等による影響をも総合的に考慮した反射率を実効反射率と称する。実際に計測される放射強度Iは、この実効反射率と、基板Wの放射率および基板Wの温度によって規定されることとなる。特に、反射板510の穴510aの下方に設けられたプローブ526によって計測される放射強度Iを支配する実効反射率を反射板(厳密には穴)の実効反射率と呼び、本明細書において単に実効反射率と言うときには反射板の実効反射率を示すものとする。
【0051】
熱処理装置1において基板Wの温度を計測するときには、実効反射率を異なる2つの値R1,R2とすることにより以下に示される2つの強度I1,I2をプローブ526によってそれぞれ計測する。
【0052】
【数8】
【0053】
【数9】
【0054】
数8および数9において2つの実効反射率R1,R2は装置定数として定められた値である。また、黒体の温度とその黒体エネルギーとの関係を示す関数Lb(T)についても予め正確に校正されている。従って、プローブ526によって2つの出力I1,I2を計測すれば、数8および数9は基板Wの温度Tと放射率εWについての2元連立方程式となり、これを解くことによって基板Wの温度Tが求められる。
【0055】
ところで、熱処理装置1において、実効反射率を異なる2つの値R1,R2とするのは、回転式セクタ524およびモータ525によって実現すれば良い。すなわち、既述したように、モータ525によって回転式セクタ524が回転すると、熱放射による放射光の透過および反射の状況が交互に入れ替わり、実効反射率が異なる2つの値R1,R2の間で切り替わる。
【0056】
数8および数9から明らかなように、上述の基板温度計測方法を用いて基板Wの温度を正確に計測するためには、実効反射率R1,R2の値を正確に求めておくことが重要である。そこで、本発明にかかる熱処理装置1においては、基板Wの温度測定を行うのに先立って、以下に示すようにして実効反射率R1,R2の値を校正しているのである。
【0057】
<3.実効反射率の校正方法>
図5は、実効反射率の校正手順を示すフローチャートである。まず、第1校正用基板SW1を熱処理装置1に挿入する(ステップS1)。第1校正用基板SW1の挿入は外部搬送装置により炉体10の側面の基板搬出入口EWを介して行われ、第1校正用基板SW1は保持リング410上に載置される。
【0058】
次に、ランプ20から光の照射が行われて、第1校正用基板SW1が加熱される(ステップS2)。ここで、校正用基板SW(第1校正用基板SW1と後述する第2校正用基板SW2とを総称して校正用基板SWとする)について説明しておく。図6および図7は、校正用基板SWの一例を示す図である。
【0059】
本実施形態においては、図6に示すようなその表面にシリコンのベース2が露出した基板(いわゆるシリコンのベアウェハ)を第1校正用基板SW1としている。また、図7に示すようなシリコンのベース2上に酸化膜(SiO2)または窒化膜(Si3N4)の薄膜3が形成された基板を第2校正用基板SW2としている。
【0060】
図9は、シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜3が形成された基板における膜厚と反射率および放射率との相関を示す図である。なお、図9は、波長0.95μmの放射光についての反射率および放射率を示している。また、同図において、実線は基板の放射率を示しており、点線は反射率を示している。
【0061】
図9に示すように、基板の反射率(または放射率)はシリコン上に形成された酸化膜または窒化膜の干渉効果によってその膜厚とともに周期的に変化する。第1校正用基板SW1の反射率ρ1は図9における膜厚が0オングストロームのときの値である。また、第2校正用基板SW2の反射率ρ2は酸化膜または窒化膜の膜厚を適宜設定することによって第1校正用基板SW1の反射率ρ1と異なる値にすることができる。これらのことは、数8および数9において基板の反射率(または放射率)を既知の固定された値に設定することを意味している。
【0062】
なお、校正用基板SWの反射率(または放射率)には温度依存性はほとんど存在しない。また、実効反射率の校正時において校正用基板SWの加熱を行うときには、通常の基板Wを加熱するときのような処理ガスによる表面処理等は行わない。すなわち、校正用基板SWの加熱を行うときには、その反射率(または放射率)は常に一定であり、予め設定しておいた既知の値と等しい。
【0063】
図5に戻り、第1校正用基板SW1を加熱しつつ、実効反射率の値をR1,R2の間で切り替え、プローブ526による放射強度の測定を行う。そして、プローブ526による測定値が一定になったところで、実効反射率の値がR1のときの強度I1とR2のときの強度I2との比を第1強度比として算出し、記憶する(ステップS3)。この強度比の算出は演算部550において行われ、算出された強度比はメモリ551に記憶される。
【0064】
反射率ρ1の第1校正用基板SW1を温度T1に加熱したとする。実効反射率R1,R2のそれぞれについて計測される強度I1,ρ1およびI2,ρ1は数6、数8および数9より以下のように表される。なお、本実施形態では、温度T1および後述する温度T2は任意の値で良く、特にそれを計測する必要もない。
【0065】
【数10】
【0066】
【数11】
【0067】
従って、第1強度比(反射率ρ1についての強度比)G1は次式にて表される。
【0068】
【数12】
【0069】
第1強度比G1が得られた後、ステップS4に進み、第1校正用基板SW1に替えて第2校正用基板SW2を挿入する。この校正用基板交換作業も基板搬出入口EWを介して外部搬送装置により行われる。
【0070】
その後、上記と同様に、第2校正用基板SW2の加熱を行い(ステップS5)、実効反射率の値をR1,R2の間で切り替えつつ、プローブ526による放射強度の測定を行う。そして、プローブ526による測定値が一定になったところで、実効反射率の値がR1のときの強度I1とR2のときの強度I2との比を第2強度比として算出し、記憶する(ステップS6)。この強度比の算出も、上記と同様に、演算部550において行われ、算出された強度比はメモリ551に記憶される。
【0071】
反射率ρ2の第2校正用基板SW2を温度T2に加熱したとする(温度T2は温度T1と同じであっても良い)。実効反射率R1,R2のそれぞれについて計測される強度I1,ρ2およびI2,ρ2は数6、数8および数9より以下のように表される。
【0072】
【数13】
【0073】
【数14】
【0074】
従って、第2強度比(反射率ρ2についての強度比)G2は次式にて表される。
【0075】
【数15】
【0076】
以上のようにして第1強度比G1および第2強度比G2が得られた後、ステップS7に進み、第1強度比G1および第2強度比G2に基づいて実効反射率R1,R2のそれぞれを算出する。実効反射率R1,R2の算出は演算部550において行われ、算出された実効反射率はメモリ551に記憶される。
【0077】
実効反射率R1,R2の算出は、具体的には、以下のようにして行われる。すなわち、数12と数15とを連立させ、R1,R2のそれぞれについて解くことにより、次の2つの式が得られる。
【0078】
【数16】
【0079】
【数17】
【0080】
演算部550は、既知である第1校正用基板SW1の反射率ρ1および第2校正用基板SW2の反射率ρ2並びにメモリ551に記憶されている第1強度比G1および第2強度比G2を用いて数16,数17から2つの実効反射率R1,R2を算出する。そして、演算部550は、算出された実効反射率R1,R2を校正後の実効反射率としてメモリ551に記憶させるのである。このことは、基板の温度を直接計測することなく、また特別な校正器等を用いることなく、実効反射率R1,R2を正確に校正できたことを示している。
【0081】
以上のようにして、実効反射率の校正が行われた後、処理対象としている基板Wの温度計測を行う。この温度計測は上述した基板Wの温度計測方法に従って行われる。
【0082】
具体的には、まず処理対象としている基板Wを熱処理装置1に挿入する(ステップS8)。そして、基板Wを加熱し、校正後の実効反射率R1,R2のそれぞれについてプローブ526によって放射強度I1,I2を計測し、計測された放射強度I1,I2に基づいて数8および数9より基板Wの温度を算出する(ステップS9)。
【0083】
以上のようにすれば、特別な校正器等を用いることなく、実効反射率R1,R2を正確にしかも低コストかつ簡単に校正することができる。また、実効反射率R1,R2の校正に際して、熱処理装置1を停止することなく、通常と同様の加熱処理により行うことができる。その結果、低コストかつ簡単に処理対象としている基板Wの温度を正確に計測することができるのである。
【0084】
<4.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、校正用基板SWとしてシリコンが露出した基板とシリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜3が形成された基板を使用していたが、これに限定されるものではなく、その反射率を異なる複数種類にすることができるような形態であれば良い。図8は、校正用基板SWの他の例を示す図である。図8(a)は校正用基板SWの平面図であり、(b)は側面図である。同図の校正用基板SWは、その表面にシリコンのベース2が露出した領域AR1およびシリコンのベース2上に酸化膜または窒化膜の薄膜3が形成された領域AR2を有している。酸化膜または窒化膜の薄膜3が形成された領域AR2がシリコンの露出した領域AR1と異なる反射率を有することは上述した通りである(図9参照)。
【0085】
このような校正用基板SWを加熱しつつ、基板保持回転部40によって回転させると、温度計測部50の上を領域AR1と領域AR2とが交互に通過する。従って、上記実施形態における第1校正用基板SW1および第2校正用基板SW2を用いたのと同様に、2種類の反射率の状態を作り出すことができる。このようにすれば、第1校正用基板SW1と第2校正用基板SW2とを入れ替える作業を省略することができる。但し、領域AR1および領域AR2のそれぞれには、多重反射領域を十分にカバーできるだけの面積を付与する必要がある。逆に言えば、多重反射領域を十分にカバーできるだけの面積を持たせることができるならば、図8のように基板主面を2等分に分割する必要は必ずしもなく、4等分または6等分であっても良い。
【0086】
また、校正用基板SWは、図10に示すような形態であっても良い。図10に示す校正用基板SWは、シリコンのベース2上に酸化膜の薄膜3を形成し、さらにその上にポリシリコン(poly−Si)層4を形成している。図11は、シリコン上に多層膜が形成された基板における膜厚と反射率との相関を示す図である。なお、図11は、波長0.95μmの放射光についての反射率を示している。また、ポリシリコン層4の厚さは0.35μmに固定されており、酸化膜の薄膜3の厚さを変化させている。
【0087】
シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜3のみを形成した場合は、シリコンが露出した状態よりも小さな反射率しか得ることができない(図9参照)。これに対して、酸化膜の上にさらにポリシリコン層4を形成して多層膜とすることにより、図11に示すように多層膜の干渉効果によってシリコンが露出した状態よりも大きな反射率(すなわち小さな放射率)を得ることができる。従って、図10のような多層膜の校正用基板SWを使用することにより、任意の反射率を得ることができる。
【0088】
また、上記実施形態においては、シリコン上に酸化膜または窒化膜を形成するようにしていたが、これらに限定されるものではなく、その他の膜種や塗料等を塗布することにより反射率を変化させるようにしても良い。
【0089】
また、上記実施形態においては、穴510aに対して基板Wと反対側に放射強度計測手段たるプローブ526を設けていたが、プローブ526は穴510aの内部に設けるようにしても良い。
【0090】
また、上記実施形態においては、校正用基板の反射率を異なる2種類にするとともに、実効反射率を異なる2つの値R1,R2の間で切り替えるようにしていたが、校正用基板の反射率を異なる3種類以上としても良いし、また実効反射率を異なる3つの以上の値の間で切り替えるようにしても良い。もっとも、これらの種類は連立方程式の未知数の個数に応じて決定されるべきものであり、上記実施形態にて示したように、2種類とすれば本発明による効果を十分に得ることができる。
【0091】
また、上記実施形態における熱処理装置1は光照射型の熱処理装置であったが、これに限らず、他の方式の熱処理装置であって、多重反射による放射光を測定して基板の温度を計測する装置であれば、本発明にかかる技術を適用することができる。
【0092】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1の発明によれば、保持手段によって保持された校正用基板の反射率を異なる複数種類にするとともに、校正用基板を熱源によって所定温度に加熱したときに、放射強度計測手段によって校正用基板の異なる複数種類の各反射率につき計測された複数の放射強度に基づいて複数の実効反射率のそれぞれの校正を行っているため、特別な校正器等を用いることなく、実効反射率を正確にしかも低コストかつ簡単に校正することができる。
【0093】
また、請求項2の発明によれば、校正手段が、校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに、複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を算出する強度比算出手段と、校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに算出された強度比に基づいて複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を得る実効反射率算出手段と、を備えているため、請求項1の発明と同様の効果を得ることができる。
【0094】
また、請求項3の発明によれば、実効反射率切り替え手段が反射板の実効反射率を2種類の実効反射率の間で切り替えるとともに、校正用基板の反射率が異なる2種類にされているため、請求項1の発明と同様の効果を効率良く得ることができる。
【0095】
また、請求項4の発明によれば、校正用基板がその表面にシリコンが露出した基板と、シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された基板と、を含むため、校正用基板の反射率を一定にすることができ、請求項1の発明の効果を確実に得ることができる。
【0096】
また、請求項5の発明によれば、校正用基板がその表面にシリコンが露出した領域およびシリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された領域を有する基板を含むため、校正用基板の反射率を一定にすることができ、請求項1の発明の効果を確実に得ることができる。
【0097】
また、請求項6の発明によれば、第1反射率を有する第1校正用基板を所定温度に加熱したときに、放射強度計測手段により複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第1反射率についての複数の放射強度を取得するとともに、第1反射率とは異なる第2反射率を有する第2校正用基板を所定温度に加熱したときに、放射強度計測手段により複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第2反射率についての複数の放射強度を取得し、第1反射率についての複数の放射強度および第2反射率についての複数の放射強度に基づいて複数の実効反射率のそれぞれの校正を行っているため、特別な校正器等を用いることなく、実効反射率を正確にしかも低コストかつ簡単に校正することができる。
【0098】
また、請求項7の発明によれば、校正工程が、第1反射率につき複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第1強度比として算出する工程と、第1強度比を記憶する工程と、第2反射率につき複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第2強度比として算出する工程と、第2強度比を記憶する工程と、第1強度比および第2強度比に基づいて複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を取得する工程と、を備えているため、請求項6の発明と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる熱処理装置の一例を示す縦断面図である。
【図2】図1の温度計測部における計測ユニット付近の断面模式図である。
【図3】図2の回転式セクタの一例を示す平面図である。
【図4】基板と反射板との間の多重反射を示す図である。
【図5】実効反射率の校正手順を示すフローチャートである。
【図6】校正用基板の一例を示す図である。
【図7】校正用基板の一例を示す図である。
【図8】校正用基板の他の例を示す図である。
【図9】シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された基板における膜厚と反射率および放射率との相関を示す図である。
【図10】校正用基板の他の例を示す図である。
【図11】シリコン上に多層膜が形成された基板における膜厚と反射率との相関を示す図である。
【符号の説明】
1 熱処理装置
20 熱源
40 基板保持回転部
50 温度計測部
510 反射板
510a 穴
524 回転式セクタ
525 モータ
526 プローブ
550 演算部
551 メモリ
SW 校正用基板
W 基板
Claims (7)
- 基板に熱処理を施す熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板を加熱する熱源と、
前記保持手段に保持された基板に対向して配置されるとともに、穴を備え、かつ基板からの熱放射を反射する反射板と、
前記穴に対して基板と反対側または前記穴の内部に設けられているとともに、基板と前記反射板との間の熱放射を受けて放射強度を計測する放射強度計測手段と、
前記保持手段に保持された基板に対向する前記穴の開口部と前記放射強度計測手段との間に設けられるとともに、前記反射板の実効反射率を複数の実効反射率の間で切り替える実効反射率切り替え手段と、
前記保持手段によって保持された校正用基板の反射率を異なる複数種類にするとともに、前記校正用基板を前記熱源によって所定温度に加熱したときに、前記放射強度計測手段によって前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率につき計測された複数の放射強度に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれの校正を行う校正手段と、
前記校正後の複数の実効反射率のそれぞれについて前記放射強度計測手段によって計測された複数の放射強度に基づいて基板の温度を算出する温度算出手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記校正手段は、
前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに、前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を算出する強度比算出手段と、
前記校正用基板の異なる複数種類の各反射率ごとに算出された前記強度比に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を得る実効反射率算出手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、
前記実効反射率切り替え手段は、前記反射板の実効反射率を2種類の実効反射率の間で切り替えるとともに、
前記校正用基板の反射率は、異なる2種類にされていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記校正用基板は、
その表面にシリコンが露出した基板と、
シリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された基板と、
を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記校正用基板は、その表面にシリコンが露出した領域およびシリコン上に酸化膜または窒化膜の薄膜が形成された領域を有する基板を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 保持手段に保持されて熱源により加熱される基板に対向し、かつ穴を備えた反射板と、前記穴に対して基板と反対側または前記穴の内部に設けられた放射強度計測手段と、基板に対向する前記穴の開口部と前記放射強度計測手段との間に設けられるとともに、前記反射板の実効反射率を複数の実効反射率の間で切り替える実効反射率切り替え手段とを備える熱処理装置を用いた熱処理方法であって、
第1反射率を有する第1校正用基板を所定温度に加熱する第1加熱工程と、
前記第1校正用基板を加熱したときに、前記放射強度計測手段により前記複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第1反射率についての複数の放射強度を取得する第1計測工程と、
前記第1反射率とは異なる第2反射率を有する第2校正用基板を所定温度に加熱する第2加熱工程と、
前記第2校正用基板を加熱したときに、前記放射強度計測手段により前記複数の実効反射率のそれぞれについて放射強度を計測し、第2反射率についての複数の放射強度を取得する第2計測工程と、
前記第1反射率についての複数の放射強度および前記第2反射率についての複数の放射強度に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれの校正を行う校正工程と、
基板を加熱し、前記校正後の複数の実効反射率のそれぞれについて前記放射強度計測手段によって放射強度を計測し、計測された当該複数の放射強度に基づいて基板の温度を算出する工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項6記載の熱処理方法において、
前記校正工程は、
前記第1反射率につき前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第1強度比として算出する工程と、
前記第1強度比を記憶する工程と、
前記第2反射率につき前記複数の実効反射率のそれぞれについて計測された複数の放射強度の強度比を第2強度比として算出する工程と、
前記第2強度比を記憶する工程と、
前記第1強度比および前記第2強度比に基づいて前記複数の実効反射率のそれぞれを算出することにより校正後の複数の実効反射率を取得する工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
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