JP3486296B2 - ビスアゾ化合物 - Google Patents
ビスアゾ化合物Info
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- JP3486296B2 JP3486296B2 JP14437096A JP14437096A JP3486296B2 JP 3486296 B2 JP3486296 B2 JP 3486296B2 JP 14437096 A JP14437096 A JP 14437096A JP 14437096 A JP14437096 A JP 14437096A JP 3486296 B2 JP3486296 B2 JP 3486296B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスアゾ化合物に関す
る。更に詳しくは有機光導体として有用なビスアゾ化合
物に関する。
る。更に詳しくは有機光導体として有用なビスアゾ化合
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ある種のアゾ化合物が電子写
真感光体の一つの形態である積層型感光体の電荷発生層
に用いられる電荷発生顔料として、有効であることが知
られている。ここでいう積層型感光体とは導電性支持体
上に、光によって電荷担体を生成する能力を有する電荷
発生顔料を適切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液の塗
布、あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散
液の塗布などにより薄層として電荷発生層を形成し、そ
の上に電荷発生層で生成した電荷担体が効率良く注入さ
れ、しかもその移動を行うところの電荷輸送層（通常こ
の電荷輸送層は電荷輸送物質と結着樹脂からなる）を形
成せしめた感光体である。従来、この種の感光体に使用
されるアゾ化合物として、例えば特開昭４７−３７５４
３号公報、及び特開昭５２−５５６４３号公報などに記
載されているベンジジン系ビスアゾ化合物。あるいは特
開昭５２−８８３２号公報に記載されているスチルベン
系ビスアゾ化合物などが知られている。しかしながら従
来のアゾ化合物を用いた積層型の感光体は一般に感度が
低いため高速複写機用の感光体としては不十分である。
真感光体の一つの形態である積層型感光体の電荷発生層
に用いられる電荷発生顔料として、有効であることが知
られている。ここでいう積層型感光体とは導電性支持体
上に、光によって電荷担体を生成する能力を有する電荷
発生顔料を適切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液の塗
布、あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散
液の塗布などにより薄層として電荷発生層を形成し、そ
の上に電荷発生層で生成した電荷担体が効率良く注入さ
れ、しかもその移動を行うところの電荷輸送層（通常こ
の電荷輸送層は電荷輸送物質と結着樹脂からなる）を形
成せしめた感光体である。従来、この種の感光体に使用
されるアゾ化合物として、例えば特開昭４７−３７５４
３号公報、及び特開昭５２−５５６４３号公報などに記
載されているベンジジン系ビスアゾ化合物。あるいは特
開昭５２−８８３２号公報に記載されているスチルベン
系ビスアゾ化合物などが知られている。しかしながら従
来のアゾ化合物を用いた積層型の感光体は一般に感度が
低いため高速複写機用の感光体としては不十分である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は電子写
真感光体において有効な、特に先に述べた積層型感光体
において有用なビスアゾ化合物を提供することにある。
真感光体において有効な、特に先に述べた積層型感光体
において有用なビスアゾ化合物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、新規な２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモ
イルナフタレン化合物を合成し、これを中間体として新
規なビスアゾ化合物を合成し、このものによって上記課
題が達成されることを見出し、本発明に至った。即ち、
本発明によれば下記一般式Ｉ〜Ｘで表されるビスアゾ化
合物が提供される。 （１）下記一般式Ｉで表わされるビスアゾ化合物。
た結果、新規な２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモ
イルナフタレン化合物を合成し、これを中間体として新
規なビスアゾ化合物を合成し、このものによって上記課
題が達成されることを見出し、本発明に至った。即ち、
本発明によれば下記一般式Ｉ〜Ｘで表されるビスアゾ化
合物が提供される。 （１）下記一般式Ｉで表わされるビスアゾ化合物。
【０００５】
【化１１】
【０００６】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはア
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎ
はＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが
複数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （２）下記一般式IIで表されるビスアゾ化合物。
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎ
はＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが
複数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （２）下記一般式IIで表されるビスアゾ化合物。
【０００７】
【化１２】
【０００８】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはア
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎ
はＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが
複数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （３）下記一般式IIIで表されるビスアゾ化合物。
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎ
はＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが
複数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （３）下記一般式IIIで表されるビスアゾ化合物。
【０００９】
【化１３】
【００１０】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはア
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表し、ｎは
Ｒ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが複
数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （４）下記一般式IVで表されるビスアゾ化合物。
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は
各々水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を表し、ｎは
Ｒ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが複
数の場合Ｒ1はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。） （４）下記一般式IVで表されるビスアゾ化合物。
【００１１】
【化１４】
【００１２】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはア
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基もしくはジアルキルアミノ基を表す。） （５）下記一般式Ｖで表されるビスアゾ化合物。
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基もしくはジアルキルアミノ基を表す。） （５）下記一般式Ｖで表されるビスアゾ化合物。
【００１３】
【化１５】
【００１４】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはア
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基もしくはジアルキルアミノ基を表し、各々同一でも
異なっていてもよい。） （６）下記一般式VIで表されるビスアゾ化合物。
ルキル基あるいはアルコキシ基で置換されたアリール基
を表し、各々同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結
合、エチレン基もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニト
ロ基もしくはジアルキルアミノ基を表し、各々同一でも
異なっていてもよい。） （６）下記一般式VIで表されるビスアゾ化合物。
【００１５】
【化１６】
【００１６】（式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （７）下記一般式VIIで表されるビスアゾ化合物。
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （７）下記一般式VIIで表されるビスアゾ化合物。
【００１７】
【化１７】
【００１８】（式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （８）下記一般式VIIIで表されるビスアゾ化合物。
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （８）下記一般式VIIIで表されるビスアゾ化合物。
【００１９】
【化１８】
【００２０】（式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （９）下記一般式IXで表されるビスアゾ化合物。
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキ
ルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜
３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異
なっていてもよい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしく
はアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていてもよ
い。） （９）下記一般式IXで表されるビスアゾ化合物。
【００２１】
【化１９】
【００２２】（式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基もし
くはアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていても
よい。） （１０）下記一般式Ｘで表されるビスアゾ化合物。
くはアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていても
よい。） （１０）下記一般式Ｘで表されるビスアゾ化合物。
【００２３】
【化２０】
【００２４】（式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基もし
くはアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていても
よい。） 本発明の前記一般式Ｉ〜Ｘで表されるビスアゾ化合物は
前述のように、積層型の電子写真感光体の電荷発生物質
として有用であるが、更に樹脂中に電荷発生物質と電荷
輸送物質とを分散させた単層型の感光層を有する電子写
真感光体における電荷発生物質として、又、樹脂中に光
導電性物質を分散させた感光層を有する電子写真用感光
体における光導電性物質としても有用である。
くはアルコキシ基を表し、各々同一でも異なっていても
よい。） 本発明の前記一般式Ｉ〜Ｘで表されるビスアゾ化合物は
前述のように、積層型の電子写真感光体の電荷発生物質
として有用であるが、更に樹脂中に電荷発生物質と電荷
輸送物質とを分散させた単層型の感光層を有する電子写
真感光体における電荷発生物質として、又、樹脂中に光
導電性物質を分散させた感光層を有する電子写真用感光
体における光導電性物質としても有用である。
【００２５】本発明の一般式Ｉ〜Ｘで表されるビスアゾ
化合物は、下記一般式XIで表されるビス（ジアゾニウム
塩）化合物と、下記一般式XII〜XVで表される２−ヒド
ロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物か
ら選ばれる２種類の化合物を２段階に順次反応させるこ
とによって得ることができる。又、一般式Ｖ及びＸで表
されるビスアゾ化合物は下記XIで表されるビス（ジアゾ
ニウム塩）化合物と、下記一般式XIIIで表わされる２−
ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合
物とを反応させることによって得られる。
化合物は、下記一般式XIで表されるビス（ジアゾニウム
塩）化合物と、下記一般式XII〜XVで表される２−ヒド
ロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物か
ら選ばれる２種類の化合物を２段階に順次反応させるこ
とによって得ることができる。又、一般式Ｖ及びＸで表
されるビスアゾ化合物は下記XIで表されるビス（ジアゾ
ニウム塩）化合物と、下記一般式XIIIで表わされる２−
ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合
物とを反応させることによって得られる。
【００２６】
【化２１】
【００２７】（式中、Ｘはアニオン官能基を表す。）
【００２８】
【化２２】
【００２９】（式中、Ｒ1は前記と同じ。）
【００３０】
【化２３】
【００３１】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2，Ｘ，Ｒ2は前記と
同じ。）
同じ。）
【００３２】
【化２４】
【００３３】（式中、Ｒ1，Ｒ2は前記と同じ。）
【００３４】
【化２５】
【００３５】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2，Ｘは前記と同
じ。） 実際には、前記一般式Ｉ〜IV及びVI〜IXで表されるビス
アゾ化合物はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
やジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの有機溶媒
に、第１段階のカップリング反応に用いる前記一般式XI
I〜XVで表される２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバ
モイルナフタレン化合物の中から選ばれる１種類の化合
物を溶解しておき、これに一般式XIで表されるビス（ジ
アゾニウム塩）化合物を添加し、必要によって酢酸ナト
リウム水溶液や有機アミンのような塩基性物質を添加す
ることにより、第１段階のカップリング反応は終了す
る。この時の反応温度としては約−２０℃から約４０℃
が好ましい。第２段階のカップリング反応は、上記で得
られた反応混合物に、更に第１段階のカップリング反応
で用いたものとは異なる前記一般式XII〜XVから選ばれ
る２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレ
ン化合物を更に添加し、第１段階のカップリング反応と
同様に必要によって、酢酸ナトリウム水溶液や有機アミ
ンのような塩基性物質を添加することにより完了させ
る。あるいは第１段階のカップリング反応混合物を必要
によって水やあるいは希塩酸などの酸性水溶液を添加
（この際には十分な冷却を行い、反応によって生成して
いるジアゾニウム塩化合物を分解させないようにする必
要がある。好ましくは１０℃以下で処理）し、ジアゾニ
ウム塩化合物を濾別して単離し、更にこのジアゾニウム
塩化合物と、第１段階のカップリング反応で用いたもの
とは異なる一般式XII〜XVから選ばれる２−ヒドロキシ
−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物とを、第
１段階のカップリング反応と同様に反応させることによ
って完了する。
じ。） 実際には、前記一般式Ｉ〜IV及びVI〜IXで表されるビス
アゾ化合物はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
やジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの有機溶媒
に、第１段階のカップリング反応に用いる前記一般式XI
I〜XVで表される２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバ
モイルナフタレン化合物の中から選ばれる１種類の化合
物を溶解しておき、これに一般式XIで表されるビス（ジ
アゾニウム塩）化合物を添加し、必要によって酢酸ナト
リウム水溶液や有機アミンのような塩基性物質を添加す
ることにより、第１段階のカップリング反応は終了す
る。この時の反応温度としては約−２０℃から約４０℃
が好ましい。第２段階のカップリング反応は、上記で得
られた反応混合物に、更に第１段階のカップリング反応
で用いたものとは異なる前記一般式XII〜XVから選ばれ
る２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルナフタレ
ン化合物を更に添加し、第１段階のカップリング反応と
同様に必要によって、酢酸ナトリウム水溶液や有機アミ
ンのような塩基性物質を添加することにより完了させ
る。あるいは第１段階のカップリング反応混合物を必要
によって水やあるいは希塩酸などの酸性水溶液を添加
（この際には十分な冷却を行い、反応によって生成して
いるジアゾニウム塩化合物を分解させないようにする必
要がある。好ましくは１０℃以下で処理）し、ジアゾニ
ウム塩化合物を濾別して単離し、更にこのジアゾニウム
塩化合物と、第１段階のカップリング反応で用いたもの
とは異なる一般式XII〜XVから選ばれる２−ヒドロキシ
−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物とを、第
１段階のカップリング反応と同様に反応させることによ
って完了する。
【００３６】また、上記一般式Ｖ及びＸで表されるビス
アゾ化合物の製造は、同様にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）やジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）な
どの有機溶媒に、前記一般式XIIIで表される２−ヒドロ
キシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物を溶
解しておき、これに前記一般式XIで表されるビス（ジア
ゾニウム塩）化合物を添加し、必要により酢酸ナトリウ
ム水溶液や有機アミンのような塩基性物質を添加するこ
とによりカップリング反応を終了させる。この時の反応
温度としては約−２０℃から約４０℃が好ましい。いず
れの方法によって行った反応混合物においても、反応終
了後析出している結晶を濾取し、適切な方法により精製
（例えば水及び／あるいは有機溶剤による洗浄、再結晶
法など）することにより前記一般式Ｉ〜Ｘのビスアゾ化
合物の製造は完了する。
アゾ化合物の製造は、同様にＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）やジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）な
どの有機溶媒に、前記一般式XIIIで表される２−ヒドロ
キシ−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物を溶
解しておき、これに前記一般式XIで表されるビス（ジア
ゾニウム塩）化合物を添加し、必要により酢酸ナトリウ
ム水溶液や有機アミンのような塩基性物質を添加するこ
とによりカップリング反応を終了させる。この時の反応
温度としては約−２０℃から約４０℃が好ましい。いず
れの方法によって行った反応混合物においても、反応終
了後析出している結晶を濾取し、適切な方法により精製
（例えば水及び／あるいは有機溶剤による洗浄、再結晶
法など）することにより前記一般式Ｉ〜Ｘのビスアゾ化
合物の製造は完了する。
【００３７】前記一般式Ｉ〜Ｘ及びXII〜XVにおける
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3あるいはＡｒ1，Ａｒ2の置換基の具体例
としては、アルキル基としてメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などが、アルコキシ基としてメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが、ハ
ロゲン原子としてフッ素、塩素、臭素、ヨウ素がアリー
ル基としてフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、
アントリル基、ピレニル基などを挙げることができる。
また、前記一般式XIにおける
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3あるいはＡｒ1，Ａｒ2の置換基の具体例
としては、アルキル基としてメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などが、アルコキシ基としてメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが、ハ
ロゲン原子としてフッ素、塩素、臭素、ヨウ素がアリー
ル基としてフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、
アントリル基、ピレニル基などを挙げることができる。
また、前記一般式XIにおける
【００３８】
【数１】
【００３９】はアニオン官能基を表すが、例えばテトラ
フルオロボレート、パークロレート、ヨーデイド、クロ
ライド、ブロマイド、サルフェート、ヘキサフルオロホ
スフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、パーヨー
デイド、ｐ−トルエンスルホネート等が好ましい。
フルオロボレート、パークロレート、ヨーデイド、クロ
ライド、ブロマイド、サルフェート、ヘキサフルオロホ
スフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、パーヨー
デイド、ｐ−トルエンスルホネート等が好ましい。
【００４０】説明の順序が逆になるが、本発明の中間体
となる一般式XII〜XVで表される２−ヒドロキシ−３−
フェニルカルバモイルナフタレン化合物は、下記一般式
XVI又はXVIIで表されるアニリン化合物と、下記式XVIII
又はXIXで表される２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸及
びその誘導体とを反応させることによって得ることがで
きる。
となる一般式XII〜XVで表される２−ヒドロキシ−３−
フェニルカルバモイルナフタレン化合物は、下記一般式
XVI又はXVIIで表されるアニリン化合物と、下記式XVIII
又はXIXで表される２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸及
びその誘導体とを反応させることによって得ることがで
きる。
【００４１】
【化２６】
【００４２】（式中、Ｒ1，ｎは前記と同じ。）
【００４３】
【化２７】
【００４４】（式中、Ａｒ1，Ａｒ2，Ｘは前記と同
じ。）
じ。）
【００４５】
【化２８】
【００４６】（式中、Ｒ2は前記と同じ。）
実際には前記一般式XII〜XVで表される２−ヒドロキシ
−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物の製造
は、ベンゼン、トルエン、ジオキサンなどの有機溶媒
に、前記式XVIII又はXIXで表される２−ヒドロキシ−３
−ナフトエ酸を溶解もしくは分散しておき、これに五塩
化リン、三塩化リン、塩化チオニルなどのハロゲン化剤
を添加することにより酸ハロゲン化物とし、これを単離
するか、もしくはそのまま前記一般式XVI又はXVIIで表
されるアニリン化合物と反応させることにより得ること
ができる。
−３−フェニルカルバモイルナフタレン化合物の製造
は、ベンゼン、トルエン、ジオキサンなどの有機溶媒
に、前記式XVIII又はXIXで表される２−ヒドロキシ−３
−ナフトエ酸を溶解もしくは分散しておき、これに五塩
化リン、三塩化リン、塩化チオニルなどのハロゲン化剤
を添加することにより酸ハロゲン化物とし、これを単離
するか、もしくはそのまま前記一般式XVI又はXVIIで表
されるアニリン化合物と反応させることにより得ること
ができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】本発明の２−ヒドロキシ−３−フ
ェニルカルバモイルナフタレン化合物を中間体として製
造されるビスアゾ化合物は、上記の説明に従って容易に
製造することができる。また本発明のビスアゾ化合物が
電子写真用感光体において有効な材料であることを明ら
かにするために以下に実施例及び応用例を示すが、本発
明はもとよりこれに限定されるものではない。
ェニルカルバモイルナフタレン化合物を中間体として製
造されるビスアゾ化合物は、上記の説明に従って容易に
製造することができる。また本発明のビスアゾ化合物が
電子写真用感光体において有効な材料であることを明ら
かにするために以下に実施例及び応用例を示すが、本発
明はもとよりこれに限定されるものではない。
【００４８】実施例１
２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイ
ル）ナフタレン０．８９ｇ（３ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１２
０ｍｌに溶解し、室温にて９−フルオレノン−２，７−
ビスジアゾニウムビステトラフルオロボレート１．２２
ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えた。室温にて１０分間撹拌した
後、２−ヒドロキシ−３−〔４−（４−ジフェニルアミ
ノフェネチル）フェニルカルバモイル〕−１１Ｈ−ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール１．８７ｇ（３ｍｍｏｌ）とＤＭ
Ｆ１２０ｍｌからなる溶液を加えた。次いで酢酸ナトリ
ウム三水和物１．６３ｇ（１２ｍｍｏｌ）と水９ｍｌか
らなる溶液を２０分間かけ滴下し、２時間室温にて撹拌
した。生成している沈殿を濾別し、８０℃に加熱したＤ
ＭＦ２４０ｍｌで３回洗浄し、次に水２４０ｍｌで２回
洗浄した。１２０℃で減圧下に乾燥して、下記式ＸＸで
表わされるビスアゾ化合物２．４２ｇ（収率６９．９
％）を得た。ＴＧ−ＤＴＡから、この化合物の分解点は
３１５℃であった。このビスアゾ化合物の赤外吸収スペ
クトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１に示す。
ル）ナフタレン０．８９ｇ（３ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１２
０ｍｌに溶解し、室温にて９−フルオレノン−２，７−
ビスジアゾニウムビステトラフルオロボレート１．２２
ｇ（３ｍｍｏｌ）を加えた。室温にて１０分間撹拌した
後、２−ヒドロキシ−３−〔４−（４−ジフェニルアミ
ノフェネチル）フェニルカルバモイル〕−１１Ｈ−ベン
ゾ〔ａ〕カルバゾール１．８７ｇ（３ｍｍｏｌ）とＤＭ
Ｆ１２０ｍｌからなる溶液を加えた。次いで酢酸ナトリ
ウム三水和物１．６３ｇ（１２ｍｍｏｌ）と水９ｍｌか
らなる溶液を２０分間かけ滴下し、２時間室温にて撹拌
した。生成している沈殿を濾別し、８０℃に加熱したＤ
ＭＦ２４０ｍｌで３回洗浄し、次に水２４０ｍｌで２回
洗浄した。１２０℃で減圧下に乾燥して、下記式ＸＸで
表わされるビスアゾ化合物２．４２ｇ（収率６９．９
％）を得た。ＴＧ−ＤＴＡから、この化合物の分解点は
３１５℃であった。このビスアゾ化合物の赤外吸収スペ
クトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１に示す。
【００４９】
【化２９】
【００５０】応用例１
実施例１で得られた前式ＸＸのビスアゾ化合物７．５重
量部及びポリエステル樹脂（東洋紡績社製バイロン２０
０）のテトラヒドロフラン溶液（固形分濃度０．５重量
％）５００重量部をボールミル中で粉砕混合し、得られ
た分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベース
（導電性支持体）のアルミニウム面上にドクターブレー
ドを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約１μｍの電荷
発生層を形成した。
量部及びポリエステル樹脂（東洋紡績社製バイロン２０
０）のテトラヒドロフラン溶液（固形分濃度０．５重量
％）５００重量部をボールミル中で粉砕混合し、得られ
た分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベース
（導電性支持体）のアルミニウム面上にドクターブレー
ドを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約１μｍの電荷
発生層を形成した。
【００５１】この電荷発生層上に電荷輸送物質として
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニ
ルスチルベン１重量部、ポリカーボネート樹脂（帝人社
製パンライトＫ−１３００）１重量部及びテトラヒドロ
フラン８重量部を混合溶解した溶液をドクターブレード
を用いて塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃で５
分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して積
層型の感光体を作成した。
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニ
ルスチルベン１重量部、ポリカーボネート樹脂（帝人社
製パンライトＫ−１３００）１重量部及びテトラヒドロ
フラン８重量部を混合溶解した溶液をドクターブレード
を用いて塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃で５
分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して積
層型の感光体を作成した。
【００５２】上記のようにして作製した積層型の感光体
について、静電複写紙試験装置〔（株）川口電気製作所
製ＳＰ４２８型）を用いて、−６ＫＶのロナ放電を２０
秒間行って負に帯電せしめた後、２０秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Ｖpo（Ｖ）を測定し、次いでタン
グステンランプによってその表面が照度４．５ｌｕｘに
なるように光を照射し、光減衰によってＶpoが１／２に
なるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感光体の感度として
半減露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。Ｖpo
は−７３６（Ｖ）、Ｅ1/2は０．５９（ｌｕｘ・ｓｅ
ｃ）であり、高感度な感光体であることがわかる。
について、静電複写紙試験装置〔（株）川口電気製作所
製ＳＰ４２８型）を用いて、−６ＫＶのロナ放電を２０
秒間行って負に帯電せしめた後、２０秒間暗所に放置
し、その時の表面電位Ｖpo（Ｖ）を測定し、次いでタン
グステンランプによってその表面が照度４．５ｌｕｘに
なるように光を照射し、光減衰によってＶpoが１／２に
なるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、感光体の感度として
半減露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を算出した。Ｖpo
は−７３６（Ｖ）、Ｅ1/2は０．５９（ｌｕｘ・ｓｅ
ｃ）であり、高感度な感光体であることがわかる。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明からわかるように、本発明の
ビスアゾ化合物は容易に製造できる。又、応用例からも
明らかなように本発明のビスアゾ化合物は高速度複写機
などに実用的な高感度電子写真感光体における電荷発生
物質として極めて有用である。
ビスアゾ化合物は容易に製造できる。又、応用例からも
明らかなように本発明のビスアゾ化合物は高速度複写機
などに実用的な高感度電子写真感光体における電荷発生
物質として極めて有用である。
【図１】実施例１で得られた本発明のビスアゾ化合物の
赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）である。
赤外吸収スペクトル図（ＫＢｒ錠剤法）である。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−209007（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−261418（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−261469（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09B 35/039
G03G 5/06
ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (10)
- 【請求項１】 下記一般式Ｉで表されるビスアゾ化合
物。 【化１】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはアルキル基ある
いはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、各々
同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結合、エチレン基
もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は各々水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基も
しくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎはＲ1が水素原
子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1
はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項２】 下記一般式IIで表されるビスアゾ化合
物。 【化２】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはアルキル基ある
いはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、各々
同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結合、エチレン基
もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は各々水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基も
しくはジアルキルアミノ基を表わし、ｎはＲ1が水素原
子以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1
はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項３】 下記一般式IIIで表されるビスアゾ化合
物。 【化３】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはアルキル基ある
いはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、各々
同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結合、エチレン基
もしくはビニレン基を表し、Ｒ1，Ｒ2は各々水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基も
しくはジアルキルアミノ基を表し、ｎはＲ1が水素原子
以外の時に１〜３の整数を表し、ｎが複数の場合Ｒ1は
それぞれ同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項４】 下記一般式IVで表されるビスアゾ化合
物。 【化４】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはアルキル基ある
いはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、各々
同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結合、エチレン基
もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジ
アルキルアミノ基を表す。） - 【請求項５】 下記一般式Ｖで表されるビスアゾ化合
物。 【化５】 （式中、Ａｒ1，Ａｒ2は無置換もしくはアルキル基ある
いはアルコキシ基で置換されたアリール基を表し、各々
同一でも異なっていてもよく、Ｘは単結合、エチレン基
もしくはビニレン基を表し、Ｒ2は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジ
アルキルアミノ基を表し、各々同一でも異なっていても
よい。） - 【請求項６】 下記一般式VIで表されるビスアゾ化合
物。 【化６】 （式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を
表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表
し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異なっていても
よい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ
基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項７】 下記一般式VIIで表されるビスアゾ化合
物。 【化７】 （式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を
表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表
し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異なっていても
よい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ
基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項８】 下記一般式VIIIで表されるビスアゾ化合
物。 【化８】 （式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ニトロ基もしくはジアルキルアミノ基を
表し、ｎはＲ1が水素原子以外の時に１〜３の整数を表
し、ｎが複数の場合Ｒ1は各々同一でも異なっていても
よい。Ｒ3は水素原子、アルキル基もしくはアルコキシ
基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項９】 下記一般式IXで表されるビスアゾ化合
物。 【化９】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基もしくはアルコキ
シ基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。） - 【請求項１０】 下記一般式Ｘで表されるビスアゾ化合
物。 【化１０】 （式中、Ｒ3は水素原子、アルキル基もしくはアルコキ
シ基を表し、各々同一でも異なっていてもよい。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437096A JP3486296B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ビスアゾ化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14437096A JP3486296B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ビスアゾ化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324129A JPH09324129A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3486296B2 true JP3486296B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=15360545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14437096A Expired - Fee Related JP3486296B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | ビスアゾ化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3486296B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3874328B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2007-01-31 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体と、それを用いた画像形成方法及び装置 |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP14437096A patent/JP3486296B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09324129A (ja) | 1997-12-16 |
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