JP3477834B2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光の照射によっ
て、情報信号の再生又は記録が行われる光ディスクに関
する。 【０００２】 【従来の技術】例えば、ディジタルオーディオディス
ク、いわゆるコンパクトディスクや、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、こ
のアルミニウム反射膜上に保護膜を形成することで構成
されている。 【０００３】また、最近では、空間的に再生専用エリア
と記録可能エリアに分離された光ディスクが提案されて
いる。この光ディスクは、透明基板の上記再生専用エリ
アに対応する面のみに上記位相ピットが形成されて構成
されている。 【０００４】上述のような光ディスクにおいては、位相
ピットに対する信号再生の分解能がほとんど再生光学系
の光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡによって決ま
り、透明基板上に形成された位相ピットの周期が回折限
界（λ／２ＮＡ）以上の場合に良好な再生信号が得られ
る。 【０００５】このため、上記のような光ディスクにおい
て、位相ピットの高密度記録（形成）を図る場合、例え
ば再生光学系の光源である例えば半導体レーザの波長λ
を短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることで
達成できる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな空間的に再生専用エリアと記録可能エリアに分離さ
れた光ディスクにおいては、該再生専用エリアと該記録
可能エリアの分離の仕方によって、両者間のアクセス時
間を最大限に短縮することができない場合がある。例え
ば、ディスクの内周側と外周側で記録可能エリアと再生
専用エリアを分割する場合やセクタ単位で分割する場合
は、再生専用エリアにある既存の情報に関与した情報を
記録可能エリアに記録する際、両者が離れてしまってい
るのでアクセスに時間がかかる。 【０００７】また、空間的に再生専用エリアと記録可能
エリアに分離された光ディスクにおいては、各々の記録
容量は、せいぜい半分ずつである。このような光ディス
クにおいて、例えばモニタに表示される背景画像に関す
る映像信号を、再生専用エリアに位相ピットとして記録
しようとすると、記録容量が足りない場合が生じる。 【０００８】そこで、再生専用エリアの記録容量を大き
く設定することが考えられるが、この場合、記録可能エ
リアの記録容量が少なくなってしまい、扱える記録デー
タの量が大幅に制限されるという問題が生じる。 【０００９】また、他の方法としては、例えば再生専用
エリアの位相ピットの形成ピッチを縮めることにより、
この再生専用エリアの記録容量を高密度にし、短波長レ
ーザで読み出す方法が考えられる。 【００１０】しかし、この場合、短波長レーザとして、
グリーン、ブルー等の短波長レーザを使用することが考
えられるが、これらの短波長レーザは、信号記録を達成
出来るほどの出力がなく、現在のところ高速変調を実現
できていないのが現状である。従って、再生専用エリア
に対する信号再生用のレーザ光線（短波長レーザ）と記
録可能エリアに対する信号記録再生用の光源（通常しよ
うされているレーザ）が必要になり、光学系の構造が複
雑になるという問題がある。 【００１１】さらに、再生専用エリアと記録可能エリア
を、ディスクとして構造を異ならせて製造する場合、例
えば、記録膜を全面に設けた後、再生専用エリアの部分
の記録膜をエッチングするように、ディスクの製造工程
に２種類以上の作成プロセスが含まれてしまい手間がか
かることになる。 【００１２】このように、従来、空間的に再生専用エリ
アと記録可能エリアに分離された光ディスクにおいて
は、再生専用エリアと記録可能エリアの分割の仕方によ
っては、両者間のアクセス時間を最大限に短縮すること
ができなかったり、また、記録可能エリアの記録容量を
減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加させ
ることができず、再生専用エリアに映像信号等の大容量
のデータを位相ピットとして記録（形成）することがで
きなかったり、さらに製造工程に手間がかかっていた。 【００１３】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、再生専用エリアと記録可能エリアのアクセス時
間を最大限に短縮すると共に、記録可能エリアの記録容
量を減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加
させることができ、さらに、製造工程を簡単にし、か
つ、光学系の構造を複雑にする必要がなく、従来の光学
系をそのまま使用することができる光ディスクの提供を
目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、透明基板上に、ＧｅｘＳｂｙＴｅｚを用い、その組
成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦０．２
５、０．２０≦ｙ≦０．３０である相変化材料膜で形成
された再生専用トラックと記録可能トラックとが、ラン
ド／グルーブの連続構造で、１トラック単位で交互に隣
接して形成され、上記ランド／グルーブのうち一方が上
記再生専用トラックとされ、上記再生専用トラックは、
位相ピットが予め設けられ、情報信号の読み出し時に、
上記相変化材料膜が、溶融後固相化したときに結晶化状
態に戻る出力範囲の読み出し光の走査スポット内で部分
的に液相化して、光反射率が変化し、読み出し後に、結
晶状態に戻る構成とされている。 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【作用】本発明に係る光ディスクは、再生専用トラック
と記録可能トラックが１トラック単位で交互に隣接して
なるので、アクセス時間を最大限に短縮することができ
る。 【００２２】 また、本発明に係る光ディスクにおいて
は、１トラック単位で交互に隣接して設けられた上記再
生専用トラックと上記記録可能トラックに、相変化材料
膜を形成していることから、記録可能トラックの記録容
量を減らすことなく、再生専用トラックの記録容量を増
加させることができる。また、読み出し光及び書き込み
光の発生源である光源を従来と同じに１つの光源で構成
することができるため、光学系の構造を複雑にする必要
がなく、従来の光学系をそのまま使用できる。以下、相
変化材料膜の性質を説明すると共に、本発明において、
どのように該相変化材料膜の性質を利用しているかを説
明する。 【００２３】一般に、相変化材料膜は、照射される光の
出力及びパルス幅によって、以下のような状態変化を行
う。即ち、光を照射しても、相変化材料膜は、溶融せず
初期状態を保持したまま結晶化状態である場合（以下、
非溶融状態という。）、光を照射している間は、溶融し
て液相化状態になっているが、光が通過した後、その冷
却によって固相化したときに再び結晶化状態に戻る場合
（以下、溶融結晶化状態という。）、及び光が通過した
後、その冷却によって固相に変化したときに、非晶質、
即ちアモルファス状態に変化する場合（以下、溶融非晶
質化状態という。）がある。 【００２４】ここで、上記３種類の状態変化に対応する
照射光の出力の範囲（領域）を以下のように定義する。
まず、相変化材料膜が非溶融状態となる照射光の出力の
範囲を非溶融領域、相変化材料膜が溶融結晶化状態とな
る照射光の出力の範囲を溶融結晶化領域、及び相変化材
料膜が溶融非晶質化状態となる照射光の出力の範囲を溶
融非晶化領域と定義する。 【００２５】本発明に係る光ディスクでは、トラック単
位で交互に隣接して設けられた上記再生専用トラックと
上記記録可能トラックに、溶融後、結晶化し得る相変化
材料膜を形成していることから、例えば再生専用トラッ
クに対する情報信号の読み出しは、以下のように行われ
る。ここで、この再生専用トラックには従来より高密度
の位相ピットが記録されているものとする。 【００２６】まず、この再生専用トラックにおける従来
より高密度の位相ピットによる記録の再生に当たって
は、再生時の照射光である読み出し光の光ディスクとの
相対的移動による光ディスクにおける走査スポット内で
の温度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領
域で部分的に相変化材料膜に液相状態を発生させて反射
率を著しく増加させ、この液相状態部分内にある位相ピ
ットについては、例えば回折による読み出しを可能とし
ている。つまり、走査スポット内において液相状態部分
の位相ピットと他の状態の部分の位相ピットとを区別し
て読み出し、等価的に走査スポット内の有効領域の面積
を小さくしている。このため、λ／２ＮＡに制約されな
い超解像再生を可能とする。また、位相ピットによる記
録が解像限界以内である場合には、後述する記録可能ト
ラックでの再生同様、結晶化温度に達しないような低パ
ワー出力のレーザ光の照射により再生することができ
る。 【００２７】一方、記録可能トラックに対する情報信号
の書き込みは、以下のように行われる。相変化材料膜に
高パワーで照射光である書き込み光を照射し、一旦液相
状態とした後、急冷することにより溶融非晶質化状態で
あるアモルファス状態とする。このアモルファス状態と
されたときに相変化材料膜上に形成されるマークが記録
マークとなる。即ち、相変化材料膜は、書き込み光の出
力とパルス幅によって、非溶融状態、溶融結晶化状態及
び溶融非晶質化状態に変化するが、この書き込み動作に
おいては、書き込み光の出力及びパルス幅を、上記の例
でいえば、溶融非晶質化領域の範囲に設定して、書き込
みを行う。このとき、上記溶融非晶質化領域の範囲に設
定された書き込み光が照射された部分が非晶質化し、光
学的にピット情報が新たに書き込まれた形となる。 【００２８】また、消去は相変化材料膜に低パワーで光
を照射し、結晶化温度以上、融点以下の温度状態とし結
晶状態とする。したがって、情報の書換えは、既存の情
報を一旦初期化することなく、いわゆるオーバーライト
である重ね書きによって可能となる。 【００２９】また、情報の再生は相変化材料膜が結晶化
温度に達しないような低パワーのレーザ光照射により行
う。即ち、記録可能トラックに対して情報の読み出しを
行う場合は、上記読み出し光の出力を、上記の例でいえ
ば、非溶融領域の範囲に設定して、読み出しを行う。こ
の読み出し動作においては、記録可能トラック上の相変
化材料膜の結晶化部分における光反射と非晶質化部分
（ピット情報）における光反射の違いによって、記録さ
れているピット情報を光学的に読み出す。この場合、読
み出し光の出力が、上記非溶融領域の範囲に設定されて
いることから、読み出し時に非晶質化部分を除去、すな
わち、結晶化することがない。 【００３０】 したがって、本発明に係る光ディスク
は、再生専用トラックと記録可能トラックとを１トラッ
ク単位で交互に隣接するように該各トラックを相変化材
料膜上に形成しているので、再生専用エリアと記録可能
エリアのアクセス時間を最大限に短縮すると共に、記録
可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生専用エリ
アの記録容量を増加させることができ、さらに、製造工
程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑にする必要が
なく、従来の光学系をそのまま使用することができる。 【００３１】また、本発明に係る光ディスクの信号再生
方法は、上述した理由により、再生専用エリアと記録可
能エリアのアクセス時間を最大限に短縮した光ディスク
を、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
せず、従来の光学系をそのまま使用して、該光ディスク
に記録された情報信号を再生することができる。 【００３２】 【実施例】以下、本発明に係る光ディスク及び光ディス
クの信号再生方法を適用した光ディスクを説明する。 【００３３】この光ディスクは、図１にその概略構成を
示すように、最内周側にＴＯＣエリアＺtが割り当てら
れ、その外周側に位相ピットが形成される再生専用トラ
ックと記録可能トラックがトラック単位で交互に隣接し
てなる再生記録エリアＺRWが割り当てられている光ディ
スクＤである。 【００３４】以下に、再生記録エリアＺRWの具体的な構
成を図１〜図７を参照しながら説明する。 【００３５】先ず、図１に示す再生記録エリアＺRW の
任意の領域ｚNの拡大図と、図２に示す基本的な概略断
面図を参照しながら本実施例の光ディスクを説明する。 【００３６】この図１及び図２に示した構成を持つ再生
記録エリアＺRWは、位相ピットＰが部分的に形成された
円盤状のガラス基板、例えばフォトポリマー法により形
成されたガラス２Ｐ（フォト・ポリマー）基板である透
明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相変化材料膜２を
直接的に形成し、再生専用トラックＴRと記録可能トラ
ックＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形成して
いる。 【００３７】すなわち、上記再生専用トラックＴRと上
記記録可能トラックＴWとを１トラックおきに交互に隣
接させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリ
アＺtに連続的に、相変化材料膜２を形成している。再
生専用トラックＴRには、位相ピットＰが予め記録され
ており、記録可能トラックＴWの相変化材料膜２には、
後述するように記録マークＭが形成される。 【００３８】図３は、透明基板１上に、溶融後、結晶化
し得る相変化材料膜２を含んだ積層膜３を形成し、再生
専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを１トラック
ずつ交互に隣接させて形成した再生記録エリアＺRW の
任意の領域ｚNの概略断面図である。この場合の任意の
領域ｚNの拡大図は、上記図１と同様である。 【００３９】すなわち、この図３に示す任意の領域ｚN
を持つ光ディスクは、上記再生専用トラックＴRと上記
記録可能トラックＴWとを１トラックおきに交互に隣接
させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリア
Ｚtに連続的に、相変化材料膜２を含む積層膜３を形成
している。このため、再生専用トラックＴRに既に記録
された情報に関与した情報を記録可能トラックＴWに記
録するような場合には、トラックが隣接しているので、
アクセス時間を短縮することができる。 【００４０】この相変化材料膜２を含む積層膜３は、透
明基板１側から順に第１の誘電体膜４、相変化材料膜
２、第２の誘電体膜５、反射膜６及び第３の誘電体膜７
が順次積層されて構成されている。ここで、透明基板１
と第１の誘電体膜４との間には、図示しない半透明金属
膜を形成してもよい。この場合、半透明金属膜、第１及
び第２の誘電体膜４及び５、反射膜６によって、この光
ディスクＤの光学的特性、例えば非晶質部と結晶部の光
反射率等の設定が行われる構成となっている。また、第
３の誘電体膜７によって積層膜３の機械的強度が向上
し、繰り返し読み出し耐久性が向上する。さらに、第３
の誘電体膜７の上には、図示しないＵＶによる保護膜を
形成してもよい。なお、上記半透明金属としては、例え
ばＡｕのように屈折率ｎが１．０以下、消衰係数が２．
５以上、膜厚が５〜１５ｎｍであるものが用いられる。 【００４１】以下、この図３に示す概略断面図を持つ光
ディスクについての実施例を実施例１として示す。 【００４２】実施例１ この実施例１では、図１に示す再生専用トラックＴRと
記録可能トラックＴWとのトラックピッチを１．５μｍ
としている。各トラックＴR、ＴWは、１トラックおきに
形成されているので、再生専用トラックＴR同士及び記
録可能トラックＴW同士のピッチは、それぞれ３．０μ
ｍとなる。また、再生専用トラックＴRに予め記録され
ている位相ピットＰは、深さが１２０ｎｍ、ピット長が
０．３μｍ、繰り返し周期が０．６μｍである。なお、
この実施例１は、透明基板上に形成される各膜の構造を
異ならせることにより具体例１と具体例２とに分けられ
るので、以下ではこれら具体例１、具体例２について説
明する。 【００４３】先ず、具体例１では、上記位相ピットＰが
形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板１の上に、Ｚ
ｎＳ／ＳｉＯ2からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎ
ｍで被着形成する。また、この第１の誘電体膜４の上に
は、Ｇｅ0.22Ｓｂ0.22Ｔｅ0.56からなる相変化材料膜２
を厚さ２０ｎｍで被着形成する。また、この相変化材料
膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２の誘電体
膜５を厚さ３０ｎｍで被着形成する。また、この第２の
誘電体膜５の上には、Ａｌｔｉからなる反射膜６を厚さ
１５０ｎｍで被着形成する。また、この反射膜６の上に
は、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３の誘電体膜７を厚さ
４００ｎｍで被着形成する。 【００４４】このように形成された具体例１の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWに信号を記録し、再生する
場合を以下に説明する。なお、以下で用いるレーザ光は
波長が７８０ｎｍであり、対物レンズのＮＡは０．５５
である。 【００４５】先ず、光ディスクの初期化を行う。すなわ
ち、製造されたばかりの光ディスクは非晶質状態（アモ
ルファス状態）となっており、これを結晶状態にするた
めの初期化を行う。具体的には、線速７ｍ／ｓｅｃとな
るように回転している光ディスクＤにパワー６ｍＷのＤ
Ｃレーザ光を照射して初期化（結晶化）を行う。 【００４６】信号の記録は、線速１２ｍ／ｓｅｃとなる
ように回転している光ディスクＤの記録可能トラックＴ
wに、パルス状（断続的）にパワー１８ｍＷのレーザ光
を照射し、マーク長１μｍのアモルファスによる信号を
形成して行う。 【００４７】そして、このアモルファスによる信号の再
生は、線速７ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光デ
ィスクＤの記録可能トラックＴw上の該信号にパワー１
ｍＷのレーザ光を照射して行う。なお、このときのＣ／
Ｎは４５ｄＢとなった。 【００４８】次に、この具体例１の光ディスクの再生専
用トラックＴRに記録されている位相ピットＰよりなる
信号を再生する場合を以下に説明する。なお、この再生
専用トラックＴRにおける信号の再生の詳細については
後述するが、再生時の照射光である読み出し光の光ディ
スクとの相対的移動による光ディスクにおける走査スポ
ット内での温度分布を利用して、そのスポット内に生じ
る高温領域で部分的に相変化材料膜に液相状態を発生さ
せて反射率を著しく減少させ、この液相状態部分外にあ
る位相ピットについては、例えば回折による読み出しを
可能としている。つまり、走査スポット内において液相
状態部分の位相ピットと他の状態の部分の位相ピットと
を区別して読み出し、等価的に走査スポット内の有効領
域の面積を小さくしている。このため、λ／２ＮＡに制
約されない超解像再生を可能とする。また、位相ピット
による記録が解像限界以内である場合には、結晶化温度
に達しないような低パワー出力のレーザ光の照射により
再生することができる。 【００４９】この位相ピットＰよりなる信号の再生は、
線速５ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光ディスク
Ｄの再生専用トラックＴRにパワー１２ｍＷのレーザ光
をＤＣ照射して行う。このとき、ピット長０．３μｍの
位相ピットＰよりなる信号は、Ｃ／Ｎが４０ｄＢで再生
できた。 【００５０】次に、具体例２では、上記位相ピットＰが
形成された透明基板１の上に、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からな
る第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成する。ま
た、この第１の誘電体膜４の上には、Ｇｅ0.21Ｓｂ0.26
Ｔｅ0.53からなる相変化材料膜２を厚さ２０ｎｍで被着
形成する。また、この相変化材料膜２の上には、ＺｎＳ
／ＳｉＯ2からなる第２の誘電体膜５を厚さ６０ｎｍで
被着形成する。また、この第２の誘電体膜５の上には、
Ｄｙからなる反射膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成す
る。また、この反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2か
らなる第３の誘電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成す
る。 【００５１】このように形成された具体例２に関しても
上述した具体例１と同様に、光ディスクＤの記録可能ト
ラックＴWに信号を記録し、再生する場合について以下
に説明する。なお、以下で用いるレーザ光の波長と対物
レンズのＮＡは、上述した具体例１に用いたのと同様７
８０ｎｍと０．５５である。 【００５２】光ディスクの初期化（結晶化）は、線速７
ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光ディスクＤにパ
ワー６ｍＷのＤＣレーザ光を照射して行う。 【００５３】信号の記録は、線速１２ｍ／ｓｅｃとなる
ように回転している光ディスクＤの記録可能トラックＴ
wに、パルス状（断続的）にパワー１７ｍＷのレーザ光
を照射し、マーク長１μｍのアモルファスによる信号を
形成して行う。 【００５４】そして、このアモルファスによる信号の再
生は、線速７ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光デ
ィスクＤの記録可能トラックＴw上の該信号にパワー１
ｍＷのレーザ光を照射して行う。なお、このときのＣ／
Ｎは５０ｄＢとなった。 【００５５】また、この具体例２の光ディスクの再生専
用トラックＴRに記録されている位相ピットＰよりなる
信号を再生する原理も、上述した具体例１の場合と同様
である。位相ピットＰよりなる信号の再生は、線速６ｍ
／ｓｅｃとなるように回転している光ディスクＤの再生
専用トラックＴRにパワー１０ｍＷのレーザ光をＤＣ照
射して行う。このとき、ピット長０．３μｍの位相ピッ
トＰよりなる信号は、Ｃ／Ｎが４０ｄＢで再生できた。 【００５６】以上より、上記具体例１及び具体例２に分
けられる実施例１は、相変化材料膜２の組成範囲を、線
速或はレーザパワー制御により、溶融後にアモルファス
と結晶の両者の状態を取り得る範囲としている。すなわ
ち、相変化材料膜２には、ＧｅxＳｂyＴｅz を用い、そ
の組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦
０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としている。 【００５７】もし、相変化材料膜２を上記組成範囲（条
件）を満たさないＧｅxＳｂyＴｅzにより形成した場合
に、光ディスクＤはどの位のＣ／Ｎとなるかを以下に示
しておく。ここでは、上記具体例１と比較する例を比較
例１、上記具体例２と比較する例を比較例２として説明
をする。 【００５８】先ず、相変化材料膜２を構成するＧｅxＳ
ｂyＴｅz において、例えばｘ＝０．２８、ｙ＝０．１
６である場合、すなわち、Ｇｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56で
ある相変化材料膜２を有する比較例１について説明す
る。 【００５９】この比較例１は、上記具体例１の比較対象
である。よって、相変化材料膜２の組成式を除く他の構
成は上記具体例１と同様である。すなわち、位相ピット
Ｐが形成された透明基板１の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成し
ている。また、この第１の誘電体膜４の上には、上述し
たようなＧｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56からなる相変化材料
膜２を厚さ２０ｎｍで被着形成している。また、この相
変化材料膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２
の誘電体膜５を厚さ３０ｎｍで被着形成している。ま
た、この第２の誘電体膜５の上には、ＡｌＴｉからなる
反射膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成している。また、
この反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３
の誘電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成している。 【００６０】このように形成された比較例１の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWにおける信号の記録は、線
速８ｍ／ｓｅｃ〜１５ｍ／ｓｅｃとなるように光ディス
クＤを回転させ、パワー９ｍＷ〜２０ｍＷでレーザ光を
パルス状に照射し、マーク長１μｍのアモルファスによ
る信号を形成しても、再生時のＣ／Ｎは３０ｄＢ以下に
しかならず、記録可能領域へのアモルファス記録は劣化
していると判断される。ここで、再生時の線速及びレー
ザ光パワーは具体例１の再生時と同様とした。 【００６１】すなわち、例えばｘ＝０．２８、ｙ＝０．
１６であり、Ｇｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56からなる相変化
材料膜２を用いた比較例１では、記録可能トラックＴW
への信号の書き込みが上記具体例１に比較して著しく劣
化してしまい、記録可能領域でのアモルファス記録が困
難となる。 【００６２】次に、相変化材料膜２を構成するＧｅxＳ
ｂyＴｅz において、例えばｘ＝０．１６、ｙ＝０．３
３である場合、すなわち、Ｇｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51で
ある相変化材料膜２を有する比較例２について説明す
る。 【００６３】この比較例２は、上記具体例２の比較対象
である。よって、相変化材料膜２の組成式を除く他の構
成は上記具体例２と同様である。すなわち、位相ピット
Ｐが形成された透明基板１の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成し
ている。また、この第１の誘電体膜４の上には、上述し
たようなＧｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51からなる相変化材料
膜２を厚さ２０ｎｍで被着形成している。また、この相
変化材料膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２
の誘電体膜５を厚さ６０ｎｍで被着形成している。ま
た、この第２の誘電体膜５の上には、Ｄｙからなる反射
膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成している。また、この
反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３の誘
電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成している。 【００６４】このように形成された比較例２の光ディス
クＤの再生専用トラックＴRにおける信号の再生は、線
速１ｍ／ｓｅｃ〜１２ｍ／ｓｅｃとなるように光ディス
クＤを回転させ、パワー５ｍＷ〜２０ｍＷでレーザ光を
照射し、ピット０．３μｍの位相ピットＰによる信号を
再生しても、再生時のＣ／Ｎは３０ｄＢ以下にしかなら
なかった。 【００６５】すなわち、例えばｘ＝０．１６、ｙ＝０．
３３であり、Ｇｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51からなる相変化
材料膜２を用いた比較例２では、再生専用トラックＴR
での信号の再生が上記具体例２に比較して劣化してしま
う。 【００６６】以上、図１乃至図３を参照しながら説明し
た光ディスクＤは、位相ピットＰが部分的に形成され
た、例えばフォトポリマー法により形成されたガラス２
Ｐ基板である透明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相
変化材料膜２を形成し、再生専用トラックＴRと記録可
能トラックＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形
成しているので、再生専用トラックＴRに既に記録され
た情報に関与した情報を記録可能トラックＴWに記録す
るような場合には、アクセス時間を短縮することができ
る。また、相変化材料膜２の組成範囲が、線速或はレー
ザパワー制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両
者の状態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅxＳｂyＴｅ
z を用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．
２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としてい
るので、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、
再生専用エリアの記録容量を増加させることができ、さ
らに、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑
にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使用するこ
とができる。 【００６７】次に、図４乃至図６を参照しながら、透明
基板１上の再生専用トラックＴRと記録可能トラックＴW
がランドＬ／グルーブＧからなる連続溝構造に形成さ
れ、グルーブＧを再生専用トラックＴRとして、該再生
専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを隣接するよ
うに交互に形成した光ディスクＤについて説明する。 【００６８】この光ディスクＤも図１にその基本的な概
略構成を示すように、最内周側にＴＯＣエリアＺtが割
り当てられ、その外周側に位相ピットが形成される再生
専用トラックと記録可能トラックがトラック単位で交互
に隣接してなる再生記録エリアＺRWが割り当てられてい
る光ディスクＤである。 【００６９】先ず、図４及び図５は再生記録エリアＺRW
の任意の領域ｚNの拡大図及び基本的な概略断面図であ
る。 【００７０】この図４及び図５に示した構成を持つ再生
記録エリアＺRWは、位相ピットＰが部分的に形成された
円盤状のガラス基板、例えばフォトポリマー法により形
成されたガラス２Ｐ基板である透明基板１上に、溶融
後、結晶化し得る相変化材料膜２を直接的に形成し、再
生専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを１トラッ
クずつ交互に隣接させて形成している。 【００７１】ここで、再生専用トラックＴRはグルーブ
Ｇ上に、記録可能トラックＴWはランドＬ上に形成され
ている。したがって、この光ディスクＤは、グルーブＧ
上に形成した再生専用トラックＴRと、ランドＬ上に形
成した記録可能トラックＴWを１トラックおきに交互に
隣接させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエ
リアＺtに連続的に、相変化材料膜２を形成している。
再生専用トラックＴRには、位相ピットＰが予め記録さ
れており、記録可能トラックＴWの相変化材料膜２に
は、後述するように記録マークＭが形成される。 【００７２】図６は、透明基板１上に、溶融後、結晶化
し得る相変化材料膜２を含んだ積層膜３を形成し、グル
ーブＧ上に形成した再生専用トラックＴRとランドＬ上
に形成した記録可能トラックＴWとを１トラックずつ交
互に隣接させて形成した再生記録エリアＺRW の任意の
領域ｚNの概略断面図である。この場合の拡大図は、上
記図４と同様である。 【００７３】すなわち、この図６に示す任意の領域ｚN
を持つ光ディスクは、グルーブＧ上に形成した再生専用
トラックＴRとランドＬ上に形成した上記記録可能トラ
ックＴWとを１トラックおきに交互に隣接させて形成し
た再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリアＺtに連続的
に、相変化材料膜２を含む積層膜３を形成している。こ
のため、再生専用トラックＴRに既に記録された情報に
関与した情報を記録可能トラックＴWに記録するような
場合には、トラックが隣接しているので、アクセス時間
を短縮することができる。 【００７４】この相変化材料膜２を含む積層膜３は、図
３に示したと同様に、透明基板１側から順に第１の誘電
体膜４、相変化材料膜２、第２の誘電体膜５、反射膜６
及び第３の誘電体膜７が順次積層されて構成されている
のでここでは説明を省略する。 【００７５】以下、この図６に示す概略第面図を持つ光
ディスクについての実施例を実施例２として示す。 【００７６】実施例２ この実施例２では、図４に示すグルーブＧ上に形成され
た再生専用トラックＴ RとランドＬ上に形成された記録
可能トラックＴWとのトラックピッチを１．５μｍとし
ている。他の構造は、上記実施例１と同様であるのでこ
こでは説明を省略する。 【００７７】このように形成された実施例２の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWに信号を記録し、再生する
場合についても上記実施例１の場合と同様となった。ま
た、上記比較例１及び比較例２についても、この実施例
２に当てはまる。 【００７８】以上、図４乃至図６を参照しながら説明し
た光ディスクＤは、位相ピットＰが部分的に形成され
た、例えばフォトポリマー法により形成されたガラス２
Ｐ基板である透明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相
変化材料膜２を形成し、グルーブＧ上に形成した再生専
用トラックＴRとランドＬ上に形成した記録可能トラッ
クＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形成してい
るので、再生専用トラックＴRに既に記録された情報に
関与した情報を記録可能トラックＴWに記録するような
場合には、アクセス時間を短縮することができる。ま
た、相変化材料膜２の組成範囲が、線速或はレーザパワ
ー制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両者の状
態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅxＳｂyＴｅz を用
い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦
ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としているの
で、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
する必要がなく、従来の光学系をそのまま使用すること
ができる。 【００７９】また、図４乃至図６を参照しながら説明し
たこの光ディスクＤは、グルーブＧ上に再生専用トラッ
クＴRを設け、ランドＬ上に記録可能トラックＴWを設け
ているので、超解像再生時の溶融部分や、記録マークの
必要以上の広がりを抑制できる。もちろん、グルーブＧ
上に記録可能トラックＴWを、ランドＬ上に再生専用ト
ラックＴRを形成してもよい。 【００８０】 【００８１】また、上述した光ディスクＤにおいては、
透明基板１、相変化材料膜２、第１及び第２の誘電体膜
４及び５、反射膜６を以下の他の材料によって形成して
もよい。 【００８２】先ず、透明基板１は、アクリル系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂、ガラス等を用いることができる。 【００８３】相変化材料膜２は、カルコゲナイトすなわ
ちカルコゲン化合物あるいは単体のカルコゲンによって
構成することができる。例えば、Ｓｅ、Ｔｅの各単体、
さらにこれらのカルコゲナイトのＳｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔ
ｅ3，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｉ2Ｔｅ3，ＢｉＳｅ，Ｉｎ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−ＳｂＳｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｔｌ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ等のカルコゲナイ
ト系材料を用いることができる。ただし、この相変化材
料膜２は線速あるいはレーザパワーの制御により、溶融
後にアモルファスと結晶の両者の状態をとれる組成範囲
を有することが必要とされる。 【００８４】第１、第２の誘電体膜４及び５は、Ａｌ、
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物で
ある、例えばＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＳ，ＭｇＦ2 を用いることができる。ただし、半導
体レーザ波長領域において吸収の無いものであることが
条件となる。 【００８５】反射膜６は、熱伝導率が０．０００４Ｊ／
（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）の値
を有する金属元素、半金属元素、半導体元素及びそれら
の化合物あるいは混合物が用いられる。 【００８６】また、上記半透明金属としては、例えばＣ
ｕの他に、Ａｕ、Ａｇ当を用いることができる。 【００８７】次に、この光ディスクＤに対して情報信号
の記録再生を行うディスク記録再生装置の概略構成を図
７〜図１０に基づいて説明する。ここで、用いる光ディ
スクＤは、上記図３に示した概略断面を持つ光ディスク
とする。 【００８８】この記録再生装置は、図７に示すように、
光ディスクＤを回転駆動するスピンドルモータ１１と、
光ディスクＤに対して情報信号の記録再生を光学的に行
う光ヘッド１２とを有する。 【００８９】スピンドルモータ１１は、その回転軸１１
ａの先端に、光ディスクＤの中央部が装着されるターン
テーブル１３が設けられている。光ヘッド１２は、スピ
ンドルモータ１１の設置位置からターンテーブル１３に
装着される光ディスクＤを隔てた反対の位置に設置され
ており、例えばリニアモータ及びガイド軸を主体とする
図示しない既知のスライド機構によって、光ディスクＤ
の径方向に移動自在とされている。また、このスライド
機構には、光ヘッド１２の位置を電気的に検出するスラ
イドエンコーダ１４が設けられている。 【００９０】この光ヘッド１２には、レーザ光源１５か
らの光ビームＯを光ディスクＤ上に集光する対物レンズ
１６が配設されている。この対物レンズ１６は、二次元
アクチュエータ１７によって、光ディスクＤの接離方向
及び光ディスクＤの径方向にそれぞれ僅かに移動する。
この二次元アクチュエータ１７は、図示しないが例えば
フォーカス・コイル、トラッキング・コイル及びマグネ
ットからなる磁気回路を有する。 【００９１】また、このディスク記録再生装置の回路系
は、少なくとも、モータ駆動制御回路２１、信号選別回
路２２、復調回路２３、レーザ駆動制御回路２４、フォ
ーカスサーボ回路２５、トラッキングサーボ回路２６及
びこれら各種回路を制御するシステムコントローラ２７
を有して構成されている。 【００９２】モータ駆動制御回路２１は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｍに基づいてスピン
ドルモータ１１を駆動して、光ディスクＤをＣＬＶ（線
速度一定）方式又はＣＡＶ（角速度一定）方式で回転駆
動させる回路である。 【００９３】信号選別回路２２は、光ヘッド１２の光検
出手段２８からの検出信号Ｓから、アドレス情報を含む
再生情報信号Ｓｒ、フォーカシングエラー信号Ｓｆ及び
トラッキングエラー信号Ｓｔを選別する回路である。こ
の信号選別回路２２にて選別された信号中、再生情報信
号Ｓｒは復調回路２３に供給され、フォーカシングエラ
ー信号Ｓｆはフォーカスサーボ回路２５に供給され、ト
ラッキングエラー信号Ｓｔはトラッキングサーボ回路２
６にそれぞれ供給される。 【００９４】復調回路２３は、信号選別回路２２からの
再生情報信号Ｓｒをディジタルデータに変換し、更にこ
の変換したディジタルデータに付加されているエラー訂
正等の符号化処理を復号化処理して再生情報データＤｒ
として出力する回路である。この復調回路２３からの再
生情報データＤｒは、システムコントローラ２７に供給
されると共に、インターフェイス回路４１及びインター
フェイスバス（例えばＳＣＳＩバス）４２を介してこの
記録再生装置に接続されているコンピュータ（図示せ
ず）に供給される。 【００９５】レーザ駆動制御回路２４は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃに基づいて光ヘッ
ド１２内に設置されているレーザ光源１５を駆動し、か
つ上記駆動制御信号Ｓｃの信号レベル等に基づいて、こ
のレーザ光源１５から出射される光ビームＯの出力（パ
ワー）及びパルス幅を制御する回路である。 【００９６】フォーカスサーボ回路２５は、信号選別回
路２２からのフォーカシングエラー信号Ｓｆに基づいて
光ヘッド１２の上記二次元アクチュエータ１７を駆動・
制御することにより、対物レンズ１６を光ディスクＤの
接離方向に移動させてその焦点調整を行う回路である。
トラッキングサーボ回路２６は、信号選別回路２２から
のトラッキングエラー信号Ｓｔに基づいて光ヘッド１２
の二次元アクチュエータ１７を駆動・制御することによ
り、対物レンズ１６を光ディスクＤの径方向に移動させ
てそのトラッキング調整を行う回路である。 【００９７】システムコントローラ２７は、その内部に
メモリが組み込まれており、このメモリには、ＴＯＣエ
リアＺｔに記録されている再生専用トラックＴRと記録
可能トラックＴWの位置を示す情報（以下、単にトラッ
ク位置情報と記す）が格納される配列変数領域が論理的
に割り付けられている。 【００９８】即ち、システムコントローラ２７は、再生
されたＴＯＣエリアＺｔからの再生データのうち、上記
トラック位置情報を上記配列変数領域に格納し、光ヘッ
ド１２による再生専用トラックＴR又は記録可能トラッ
クＴWへのアクセス時に、スライドエンコーダ１４から
の光ヘッド１２の位置検出データＤｐを上記トラック位
置情報と比較して、現在どのトラックに光ヘッド１２が
いるかを判別する。 【００９９】光ヘッド１２は、図８の拡大図に示すよう
に、光ビームＯの光源である半導体レーザからなる上記
レーザ光源１５、光ビームＯを光ディスクＤ上に集光さ
せる上記対物レンズ１６及び光ディスクＤ上で反射した
戻り光ビームＯｒを検出して、その光量に応じた電流レ
ベル又は電圧レベルの電気信号（検出信号Ｓ）に変換す
る光検出手段２８等を含む光学系の全体が、１個のユニ
ットとして構成され、既知の移動手段（例えばリニアモ
ータ等）によって光ディスクＤの径方向に沿って移動す
るようになっている。 【０１００】この光学系には、上記光学部品のほかに、
レーザ光源１５から出射された光ビームＯを平行光にす
るコリメータレンズ３１と、光ビームＯを少なくとも３
本の光束成分に分離する位相回折格子３２と、レーザ光
源１５からの光ビームＯと光ディスクＤからの戻り光ビ
ームＯｒとを分離する偏光ビームスプリッタ３３と１／
４波長板３４からなる光アイソレータ３５とが配設さ
れ、また、戻り光ビームＯｒの光路中において、偏光ビ
ームスプリッタ３３と光検出手段２８との間に、戻り光
ビームＯｒの焦点距離の調整と非点収差を発生させるた
めのシリンドリカル・レンズ及び凹レンズで構成される
マルチレンズ３６と、戻り光ビームＯｒを光検出手段２
８上に収束する結像レンズ３７とが配設されている。 【０１０１】次に、上記光ヘッド１２の動作について説
明する。まず、レーザ光源１５から出射された光ビーム
Ｏは、コリメータレンズ３１により平行光とされ、位相
回折格子３２に入射される。この位相回折格子３２によ
って、少なくとも３本の光束成分（０次光、＋１次光及
び−１次光）に分離された光ビームＯは、偏光ビームス
プリッタ３３によりＰ成分のみの直線偏光、即ちＰ偏光
のみが通過する。 【０１０２】この偏光ビームスプリッタ３３を通過した
Ｐ偏光は、１／４波長板３４を通過することによって、
位相差がπ／２となり、例えば右回りの円偏光となる。
対物レンズ１６にて光ディスクＤに集光された右回りの
円偏光は、光ディスクＤ面で反射され、回転方向が逆の
左回りの円偏光となる。 【０１０３】このとき、３本の光ビームＯ（円偏光）の
うち、中央の１本（０次光）は光ディスクＤ上の記録ト
ラックの中央を照射し、残りの２本の光ビームＯ（±１
次光）は、記録可能エリアＺｗにおいては、案内溝を照
射する。従って、記録トラックの中央を照射する光ビー
ムＯは、その照射した位置が再生専用トラックＴRであ
る場合、記録トラックに沿って形成されている位相ピッ
トＰに対応した変調を受ける。また、上記光ビームＯの
照射位置が記録可能トラックＴWである場合、案内溝に
照射されている光ビームＯは、案内溝のエッジに対応す
る変調を受ける。 【０１０４】上記変調を受けた左回りの円偏光は、再び
対物レンズ１６を通過して１／４波長板３４を通過す
る。この１／４波長板３４では、更に位相差がπ／２と
なることから入射した左回りの円偏光は、Ｓ成分のみの
直線偏光、即ちＳ偏光になる。このＳ偏光は、偏光ビー
ムスプリッタ３３の境界面３３ａにて反射される。 【０１０５】この偏光ビームスプリッタ３３の境界面３
３ａにて反射された３本の戻り光ビームＯｒは、マルチ
レンズ３６及び結像レンズ３７を介して光検出手段２８
上に入射される。この光検出手段２８においては、入射
された３本の戻り光ビームＯｒを光電変換して、それぞ
れ検出信号Ｓに変換し、図７で示す信号選別回路２２に
供給する。 【０１０６】ところで、相変化材料膜２は、一般に、照
射される光ビームＯの出力とそのパルス幅によって、以
下に示すような状態変化を行う（図９参照）。即ち、光
ビームＯを照射しても、相変化材料膜２は、溶融せず初
期状態を保持したまま結晶化状態である場合（以下、非
溶融状態と記す）、光ビームＯを照射している間は、溶
融して液相化状態になっているが、光ビームＯが通過し
た後、その冷却によって固相化したときに再び結晶化状
態に戻る場合（以下、溶融結晶化状態と記す）、及び光
ビームＯが通過した後、その冷却によって固相に変化し
たときに、非晶質、即ちアモルファス状態に変化する場
合（以下、溶融非晶質化状態と記す）がある。 【０１０７】ここで、説明の便宜上、上記３種類の状態
変化に対応する光ビームＯの出力とパルス幅の範囲（領
域）を以下のように定義する。まず、相変化材料膜２が
非溶融状態となる光ビームＯの出力とパルス幅の範囲を
非溶融領域Ａ、相変化材料膜２が溶融結晶化状態となる
光ビームＯの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶化領域
Ｂ、及び相変化材料膜２が溶融非晶質化状態となる光ビ
ームＯの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶化領域Ｃとす
る。 【０１０８】通常、記録媒体に対するデータアクセスに
おいては、データの読み出しとデータの書き込みの２挙
動があり、この光ディスクＤに関しては、ＴＯＣエリア
Ｚｔ、再生専用トラックＴR及び記録可能トラックＴWに
対してデータの読み出しが行われ、データの書き込み
は、記録可能トラクＴWに対してのみ行われる。 【０１０９】具体的に、上記ディスク記録再生装置に
て、光ディスクＤに対してデータの記録再生を行う場合
について説明する。 【０１１０】まず、光ディスクＤのターンテーブル１３
への装着完了に基づいて、システムコントローラ２７
は、モータ駆動制御回路２１に駆動制御信号Ｓｍを出力
する。このモータ駆動制御回路２１は、システムコント
ローラ２７からの駆動制御信号Ｓｍに基づいて、スピン
ドルモータ１１をＣＡＶ方式又はＣＬＶ方式で回転駆動
させる。ここでは、ＣＬＶ方式で光ディスクＤを回転
し、その線速度は７ｍ／ｓｅｃに設定してある。 【０１１１】次に、システムコントローラ２７は、光ヘ
ッド１２用の図示しない既知のスライド機構に駆動信号
を供給する。このスライド機構は、上記システムコント
ローラ２７からの駆動信号に基づいて、光ヘッド１２を
光ディスクＤの径方向に移動させる。そして、光ヘッド
１２を光ディスクＤの最内周側、即ちＴＯＣエリアＺｔ
に位置させ、このＴＯＣエリアＺｔから上記トラック位
置情報を含むＴＯＣデータを読み出す。この読み出した
トラック位置情報を含むＴＯＣデータは、システムコン
トローラ２７内に組み込まれているメモリの所定の配列
変数領域に格納される。 【０１１２】このＴＯＣデータの具体的読み出しは、以
下で示す再生専用トラックＴRに対するデータの読み出
しの説明において一括して説明する。 【０１１３】即ち、光ディスクＤのＴＯＣエリアＺｔ及
び再生専用トラックＴRに対するデータの読み出しにつ
いては、光ビームＯの出力が溶融結晶化領域Ｂの範囲に
設定され、かつ光ディスクＤに対して連続照射されるこ
とによってＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用トラックＴR
上のピット情報を読み出す。この光ビームＯの出力は、
システムコントローラ２７からレーザ駆動制御回路２４
に供給される駆動制御信号Ｓｃに基づいて設定される。 【０１１４】即ち、システムコントローラ２７におい
て、スライドエンコーダ１４から供給される位置検出デ
ータＤｐとメモリ内に格納されているトラック位置情報
とに基づいて、現在、光ビームＯの照射位置が再生専用
トラックＴRであることが判別されると、システムコン
トローラ２７は、レーザ駆動制御回路２４に対して、溶
融結晶化領域Ｂの範囲を示す信号レベルの駆動制御信号
Ｓｃを出力する。レーザ駆動制御回路２４は、システム
コントローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃの信号レベル
に応じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場合、
光ビームＯの出力は、溶融結晶化領域Ｂの範囲（例え
ば、出力＝１０ｍＷ）に設定されることになる。なお、
この読み出し動作においては、光ビームＯが連続照射さ
れるため、上記溶融結晶化領域Ｂの範囲を決定するパル
ス幅は、光ビームＯのスポット径／線速度にて換算する
ことよって求めることができる。 【０１１５】このとき、光ビームＯの走査スポットＳＰ
内での光強度は、図１０の破線Ａに示すように、ほぼガ
ウス分布に準じた強度分布になる。また、上記光ビーム
Ｏの照射による相変化材料膜２の温度分布は、実線Ｂに
示すように、走査スポットＳＰの中心から、光ビームＯ
の走査速度に対応した距離分、走査方向に対して遅れた
位置にピークを有する分布となる。 【０１１６】いま、走査スポットＳＰ内に例えば２つの
位相ピットＰが含まれる程度に位相ピットＰ間のピッチ
が狭いとする。また、走査されるスポットＳＰに最初に
進入する位相ピットを先頭ピットＰａ、次に進入する位
相ピットを次段ピットＰｂとして定義する。そして、走
査スポットＳＰが先頭ピットＰａ上を動くとき、その先
頭ピットＰａ上の相変化材料膜２は、次第に温度が上昇
するが、その相変化材料膜が液相化する温度に到達する
前にその先頭ピットＰａが光学的に読み出される。 【０１１７】その後、走査スポットＳＰがその走査によ
って次段ピットＰｂにかかると、その次段ピットＰｂ上
の相変化材料膜２の温度が上昇する。しかし、その温度
上昇は、次段ピットＰｂ上の相変化材料膜２が液相化す
るまでには至らない。一方、同一走査スポットＳＰ内に
ある先頭ピットＰａは、その上の相変化材料膜２が走査
スポットＳＰによる光照射が続いていることから、その
温度が溶融温度ＭＴより更に上昇し、その相変化材料膜
２が液相化することになる。 【０１１８】従って、この場合、先頭ピットＰａ上の相
変化材料膜２は、その液相化によって例えば光反射率が
著しく増加し、走査スポットＳＰによる先頭ピットＰａ
の光学的な読み出しが可能となる。 【０１１９】即ち、このＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用
トラックＴRに対するデータの読み出しにあたっては、
その光ビームＯの光ディスクＤとの相対移動による光デ
ィスクＤにおける走査スポットＳＰ内での温度分布を利
用して、その走査スポットＳＰ内に生じる高温領域Ｐｘ
で部分的に相変化材料膜２に液相状態を発生させ、これ
により、例えばその部分の光反射率を著しく増加させ、
この液相状態部分Ｐｘ内にある位相ピットＰａに対して
の光学的読み出しを可能としている。 【０１２０】つまり、走査スポットＳＰ内において、液
相状態部分Ｐｘの位相ピットＰと他の状態の部分の位相
ピットを区別して読み出し、等価的に走査スポットＳＰ
の有効領域Ｐｚの面積を小さくする。その結果、位相ピ
ットＰの配列ピッチを走査スポットＳＰの径よりも小さ
くすることが可能となり、位相ピットＰを高密度形成し
ても、レンズ系の開口数ＮＡ、光ビームの波長λに制限
されることなく、高解像度をもってその読み出しを行う
ことができ、実質的に、再生専用トラックＴRの記録容
量を大幅に増大させることができる。なお、この走査ス
ポットＳＰが通過した後、先頭ピットＰａ及び次段ピッ
トＰｂ上の相変化材料膜２は、その通過後の冷却によっ
て結晶化状態に戻ることになる。 【０１２１】このＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用トラッ
クＴRに対するデータの読み出しにおいては、上記のよ
うに、光ビームＯの出力を１０ｍＷ、線速度を７ｍ／ｓ
ｅｃとした場合において、位相ピット（ピット長＝０．
３μｍ）を再生したときのＣ／Ｎは５０ｄＢであり、高
Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）で位相ピットを光学的に読み出すこと
ができる。 【０１２２】次に、記録可能トラックＴWに対してデー
タの書き込みを行う場合について説明する。この書込み
動作は、インターフェイスバス６４に接続されている例
えばコンピュータ等から送られて来る記録データがシス
テムコントローラ２７に供給されることによって行われ
る。 【０１２３】上述したように、相変化材料膜２は、光ビ
ームＯの出力とパルス幅によって、非溶融状態、溶融結
晶化状態及び溶融非晶質化状態に変化する。従って、こ
の書込み動作においては、光ビームＯの出力及びパルス
幅を、溶融非晶質化領域Ｃの範囲に設定して、データ
（ピット）の書き込みを行う。この光ビームＯの出力設
定及びパルス幅設定は、以下のようにして行われる。 【０１２４】即ち、システムコントローラ２７は、レー
ザ駆動制御回路２４に対して、溶融非晶質化領域Ｃの範
囲を示す信号レベルで、かつ記録データに応じてオンオ
フ制御された駆動制御信号Ｓｃを出力する。レーザ駆動
制御回路Ｓｃは、システムコントローラ２７からの駆動
制御信号Ｓｃの信号レベル及びそのオンオフ・タイミン
グに応じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場
合、光ビームＯは、その出力が、溶融非晶質化領域Ｃの
範囲（この実施例においては、出力＝１０ｍＷ、パルス
幅＝１１８ｎｓ（デューティー５０％））に設定され、
レーザ駆動制御回路によるオンオフ制御によって、部分
的に照射が行われるパルスレーザ（パルス幅＝１１８ｎ
ｓ）として出力される。 【０１２５】そして、上記のように、上記溶融非晶質化
領域Ｃの範囲に設定された光ビームＯが部分的に照射さ
れることによって、その照射された部分が非晶質化し、
光学的にピット情報が新たに書き込まれたかたちとな
る。このときの記録ピットのピット長は０．８３μｍと
なる。 【０１２６】次に、記録可能トラックＴWに対してデー
タの読み出しを行う場合は、上記光ビームＯの出力を、
非溶融領域Ａの範囲に設定して、読み出しを行う。即
ち、システムコントローラ２７において、スライドエン
コーダ１４から供給される位置検出データＤｐとシステ
ムコントローラ２７のメモリ内に格納されているトラッ
ク位置情報とに基づいて、現在、光ビームＯの照射位置
が記録可能トラックＴWであることが判別されると、シ
ステムコントローラ２７は、レーザ駆動制御回路２４に
対して、非溶融領域Ａの範囲を示す信号レベルの駆動制
御信号Ｓｃを出力する。 【０１２７】レーザ駆動制御回路２４は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃの信号レベルに応
じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場合、光ビ
ームＯの出力は、非溶融領域Ａの範囲（この実施例にお
いては、出力＝１ｍＷ）に設定されることになる。な
お、この記録可能トラックＴWに対する読み出し動作に
おいても、光ビームＯが連続照射されるため、上記非溶
融領域Ａの範囲を決定するパルス幅は、光ビームＯのス
ポット径／線速度にて換算することよって求めることが
できる。 【０１２８】そして、記録可能トラックＴW上の相変化
材料膜２の結晶化部分における光反射と非晶質化部分
（ピット情報）における光反射の違いによって、記録さ
れているピット情報を光学的に読み出す。この場合、光
ビームＯの出力が、上記非溶融領域Ａの範囲に設定され
ていることから、読み出し時に非晶質化部分（ピット情
報）を消去、即ち結晶化することがない。 【０１２９】この記録可能トラックＴWに対するデータ
の読み出しにおいては、上記のように、光ビームＯの出
力を１ｍＷ、線速度を７ｍ／Ｓとした場合において、記
録ピット（ピット長＝０．８３μｍ）を再生したときの
Ｃ／Ｎは４５ｄＢであり、高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）で記録ピ
ットを光学的に読み出すことができる。 【０１３０】このように以上に説明したディスク記録再
生装置は、上記光ディスクＤに対して情報信号の記録再
生を行うことができる。特に、上記光ディスクＤは、再
生専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを交互に隣
接して設けており、さらに、相変化材料膜２の組成範囲
が、線速或はレーザパワー制御により、溶融後にアモル
ファスと結晶の両者の状態を取り得る範囲であり、特
に、ＧｅxＳｂyＴｅz を用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ
≦０．３０としている。このため、上記ディスク記録再
生装置は、光ディスクＤの記録可能エリアの記録容量を
減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加させ
るように再生することができる。さらに、光学系の構造
を複雑にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使用
することができる。 【０１３１】 【発明の効果】本発明に係る光ディスク装置は、位相ピ
ットＰが部分的に形成された、例えばフォトポリマー法
により形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板上に、
溶融後、結晶化し得る相変化材料膜を形成し、再生専用
トラックと記録可能トラックとを１トラック単位で交互
に隣接させて形成しているので、再生専用トラックに既
に記録された情報に関与した情報を記録可能トラックに
記録するような場合には、アクセス時間を短縮すること
ができる。また、相変化材料膜の組成範囲が、線速或は
レーザパワー制御により、溶融後にアモルファスと結晶
の両者の状態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅｘＳｂ
ｙＴｅｚを用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、か
つ、０．２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０
としているので、記録可能エリアの記録容量を減らすこ
となく、再生専用エリアの記録容量を増加させることが
でき、さらに、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構
造を複雑にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使
用することができる。 【０１３２】 また、本発明に係る光ディスクは、位相
ピットが部分的に形成された、例えばフォトポリマー法
により形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板上に、
溶融後、結晶化し得る相変化材料膜を形成し、グルーブ
上に形成した再生専用トラックとランド上に形成した記
録可能トラックとを１トラック単位で交互に隣接させて
形成しているので、再生専用トラックに既に記録された
情報に関与した情報を記録可能トラックに記録するよう
な場合には、アクセス時間を短縮することができる。ま
た、相変化材料膜の組成範囲が、線速或はレーザパワー
制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両者の状態
を取り得る範囲であり、特に、ＧｅｘＳｂｙＴｅｚを用
い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦
ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としているの
で、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
する必要がなく、従来の光学系をそのまま使用すること
ができる。さらにまた、この光ディスクは、ランド／グ
ルーブの一方を再生専用トラックとし、他方を記録可能
トラックとしているので、超解像再生時の溶融部分や、
記録マークの必要以上の広がりを抑制できる。 【０１３３】
て、情報信号の再生又は記録が行われる光ディスクに関
する。 【０００２】 【従来の技術】例えば、ディジタルオーディオディス
ク、いわゆるコンパクトディスクや、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じて位相ピットが形
成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜し、こ
のアルミニウム反射膜上に保護膜を形成することで構成
されている。 【０００３】また、最近では、空間的に再生専用エリア
と記録可能エリアに分離された光ディスクが提案されて
いる。この光ディスクは、透明基板の上記再生専用エリ
アに対応する面のみに上記位相ピットが形成されて構成
されている。 【０００４】上述のような光ディスクにおいては、位相
ピットに対する信号再生の分解能がほとんど再生光学系
の光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡによって決ま
り、透明基板上に形成された位相ピットの周期が回折限
界（λ／２ＮＡ）以上の場合に良好な再生信号が得られ
る。 【０００５】このため、上記のような光ディスクにおい
て、位相ピットの高密度記録（形成）を図る場合、例え
ば再生光学系の光源である例えば半導体レーザの波長λ
を短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることで
達成できる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな空間的に再生専用エリアと記録可能エリアに分離さ
れた光ディスクにおいては、該再生専用エリアと該記録
可能エリアの分離の仕方によって、両者間のアクセス時
間を最大限に短縮することができない場合がある。例え
ば、ディスクの内周側と外周側で記録可能エリアと再生
専用エリアを分割する場合やセクタ単位で分割する場合
は、再生専用エリアにある既存の情報に関与した情報を
記録可能エリアに記録する際、両者が離れてしまってい
るのでアクセスに時間がかかる。 【０００７】また、空間的に再生専用エリアと記録可能
エリアに分離された光ディスクにおいては、各々の記録
容量は、せいぜい半分ずつである。このような光ディス
クにおいて、例えばモニタに表示される背景画像に関す
る映像信号を、再生専用エリアに位相ピットとして記録
しようとすると、記録容量が足りない場合が生じる。 【０００８】そこで、再生専用エリアの記録容量を大き
く設定することが考えられるが、この場合、記録可能エ
リアの記録容量が少なくなってしまい、扱える記録デー
タの量が大幅に制限されるという問題が生じる。 【０００９】また、他の方法としては、例えば再生専用
エリアの位相ピットの形成ピッチを縮めることにより、
この再生専用エリアの記録容量を高密度にし、短波長レ
ーザで読み出す方法が考えられる。 【００１０】しかし、この場合、短波長レーザとして、
グリーン、ブルー等の短波長レーザを使用することが考
えられるが、これらの短波長レーザは、信号記録を達成
出来るほどの出力がなく、現在のところ高速変調を実現
できていないのが現状である。従って、再生専用エリア
に対する信号再生用のレーザ光線（短波長レーザ）と記
録可能エリアに対する信号記録再生用の光源（通常しよ
うされているレーザ）が必要になり、光学系の構造が複
雑になるという問題がある。 【００１１】さらに、再生専用エリアと記録可能エリア
を、ディスクとして構造を異ならせて製造する場合、例
えば、記録膜を全面に設けた後、再生専用エリアの部分
の記録膜をエッチングするように、ディスクの製造工程
に２種類以上の作成プロセスが含まれてしまい手間がか
かることになる。 【００１２】このように、従来、空間的に再生専用エリ
アと記録可能エリアに分離された光ディスクにおいて
は、再生専用エリアと記録可能エリアの分割の仕方によ
っては、両者間のアクセス時間を最大限に短縮すること
ができなかったり、また、記録可能エリアの記録容量を
減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加させ
ることができず、再生専用エリアに映像信号等の大容量
のデータを位相ピットとして記録（形成）することがで
きなかったり、さらに製造工程に手間がかかっていた。 【００１３】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、再生専用エリアと記録可能エリアのアクセス時
間を最大限に短縮すると共に、記録可能エリアの記録容
量を減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加
させることができ、さらに、製造工程を簡単にし、か
つ、光学系の構造を複雑にする必要がなく、従来の光学
系をそのまま使用することができる光ディスクの提供を
目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
は、透明基板上に、ＧｅｘＳｂｙＴｅｚを用い、その組
成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦０．２
５、０．２０≦ｙ≦０．３０である相変化材料膜で形成
された再生専用トラックと記録可能トラックとが、ラン
ド／グルーブの連続構造で、１トラック単位で交互に隣
接して形成され、上記ランド／グルーブのうち一方が上
記再生専用トラックとされ、上記再生専用トラックは、
位相ピットが予め設けられ、情報信号の読み出し時に、
上記相変化材料膜が、溶融後固相化したときに結晶化状
態に戻る出力範囲の読み出し光の走査スポット内で部分
的に液相化して、光反射率が変化し、読み出し後に、結
晶状態に戻る構成とされている。 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【作用】本発明に係る光ディスクは、再生専用トラック
と記録可能トラックが１トラック単位で交互に隣接して
なるので、アクセス時間を最大限に短縮することができ
る。 【００２２】 また、本発明に係る光ディスクにおいて
は、１トラック単位で交互に隣接して設けられた上記再
生専用トラックと上記記録可能トラックに、相変化材料
膜を形成していることから、記録可能トラックの記録容
量を減らすことなく、再生専用トラックの記録容量を増
加させることができる。また、読み出し光及び書き込み
光の発生源である光源を従来と同じに１つの光源で構成
することができるため、光学系の構造を複雑にする必要
がなく、従来の光学系をそのまま使用できる。以下、相
変化材料膜の性質を説明すると共に、本発明において、
どのように該相変化材料膜の性質を利用しているかを説
明する。 【００２３】一般に、相変化材料膜は、照射される光の
出力及びパルス幅によって、以下のような状態変化を行
う。即ち、光を照射しても、相変化材料膜は、溶融せず
初期状態を保持したまま結晶化状態である場合（以下、
非溶融状態という。）、光を照射している間は、溶融し
て液相化状態になっているが、光が通過した後、その冷
却によって固相化したときに再び結晶化状態に戻る場合
（以下、溶融結晶化状態という。）、及び光が通過した
後、その冷却によって固相に変化したときに、非晶質、
即ちアモルファス状態に変化する場合（以下、溶融非晶
質化状態という。）がある。 【００２４】ここで、上記３種類の状態変化に対応する
照射光の出力の範囲（領域）を以下のように定義する。
まず、相変化材料膜が非溶融状態となる照射光の出力の
範囲を非溶融領域、相変化材料膜が溶融結晶化状態とな
る照射光の出力の範囲を溶融結晶化領域、及び相変化材
料膜が溶融非晶質化状態となる照射光の出力の範囲を溶
融非晶化領域と定義する。 【００２５】本発明に係る光ディスクでは、トラック単
位で交互に隣接して設けられた上記再生専用トラックと
上記記録可能トラックに、溶融後、結晶化し得る相変化
材料膜を形成していることから、例えば再生専用トラッ
クに対する情報信号の読み出しは、以下のように行われ
る。ここで、この再生専用トラックには従来より高密度
の位相ピットが記録されているものとする。 【００２６】まず、この再生専用トラックにおける従来
より高密度の位相ピットによる記録の再生に当たって
は、再生時の照射光である読み出し光の光ディスクとの
相対的移動による光ディスクにおける走査スポット内で
の温度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領
域で部分的に相変化材料膜に液相状態を発生させて反射
率を著しく増加させ、この液相状態部分内にある位相ピ
ットについては、例えば回折による読み出しを可能とし
ている。つまり、走査スポット内において液相状態部分
の位相ピットと他の状態の部分の位相ピットとを区別し
て読み出し、等価的に走査スポット内の有効領域の面積
を小さくしている。このため、λ／２ＮＡに制約されな
い超解像再生を可能とする。また、位相ピットによる記
録が解像限界以内である場合には、後述する記録可能ト
ラックでの再生同様、結晶化温度に達しないような低パ
ワー出力のレーザ光の照射により再生することができ
る。 【００２７】一方、記録可能トラックに対する情報信号
の書き込みは、以下のように行われる。相変化材料膜に
高パワーで照射光である書き込み光を照射し、一旦液相
状態とした後、急冷することにより溶融非晶質化状態で
あるアモルファス状態とする。このアモルファス状態と
されたときに相変化材料膜上に形成されるマークが記録
マークとなる。即ち、相変化材料膜は、書き込み光の出
力とパルス幅によって、非溶融状態、溶融結晶化状態及
び溶融非晶質化状態に変化するが、この書き込み動作に
おいては、書き込み光の出力及びパルス幅を、上記の例
でいえば、溶融非晶質化領域の範囲に設定して、書き込
みを行う。このとき、上記溶融非晶質化領域の範囲に設
定された書き込み光が照射された部分が非晶質化し、光
学的にピット情報が新たに書き込まれた形となる。 【００２８】また、消去は相変化材料膜に低パワーで光
を照射し、結晶化温度以上、融点以下の温度状態とし結
晶状態とする。したがって、情報の書換えは、既存の情
報を一旦初期化することなく、いわゆるオーバーライト
である重ね書きによって可能となる。 【００２９】また、情報の再生は相変化材料膜が結晶化
温度に達しないような低パワーのレーザ光照射により行
う。即ち、記録可能トラックに対して情報の読み出しを
行う場合は、上記読み出し光の出力を、上記の例でいえ
ば、非溶融領域の範囲に設定して、読み出しを行う。こ
の読み出し動作においては、記録可能トラック上の相変
化材料膜の結晶化部分における光反射と非晶質化部分
（ピット情報）における光反射の違いによって、記録さ
れているピット情報を光学的に読み出す。この場合、読
み出し光の出力が、上記非溶融領域の範囲に設定されて
いることから、読み出し時に非晶質化部分を除去、すな
わち、結晶化することがない。 【００３０】 したがって、本発明に係る光ディスク
は、再生専用トラックと記録可能トラックとを１トラッ
ク単位で交互に隣接するように該各トラックを相変化材
料膜上に形成しているので、再生専用エリアと記録可能
エリアのアクセス時間を最大限に短縮すると共に、記録
可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生専用エリ
アの記録容量を増加させることができ、さらに、製造工
程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑にする必要が
なく、従来の光学系をそのまま使用することができる。 【００３１】また、本発明に係る光ディスクの信号再生
方法は、上述した理由により、再生専用エリアと記録可
能エリアのアクセス時間を最大限に短縮した光ディスク
を、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
せず、従来の光学系をそのまま使用して、該光ディスク
に記録された情報信号を再生することができる。 【００３２】 【実施例】以下、本発明に係る光ディスク及び光ディス
クの信号再生方法を適用した光ディスクを説明する。 【００３３】この光ディスクは、図１にその概略構成を
示すように、最内周側にＴＯＣエリアＺtが割り当てら
れ、その外周側に位相ピットが形成される再生専用トラ
ックと記録可能トラックがトラック単位で交互に隣接し
てなる再生記録エリアＺRWが割り当てられている光ディ
スクＤである。 【００３４】以下に、再生記録エリアＺRWの具体的な構
成を図１〜図７を参照しながら説明する。 【００３５】先ず、図１に示す再生記録エリアＺRW の
任意の領域ｚNの拡大図と、図２に示す基本的な概略断
面図を参照しながら本実施例の光ディスクを説明する。 【００３６】この図１及び図２に示した構成を持つ再生
記録エリアＺRWは、位相ピットＰが部分的に形成された
円盤状のガラス基板、例えばフォトポリマー法により形
成されたガラス２Ｐ（フォト・ポリマー）基板である透
明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相変化材料膜２を
直接的に形成し、再生専用トラックＴRと記録可能トラ
ックＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形成して
いる。 【００３７】すなわち、上記再生専用トラックＴRと上
記記録可能トラックＴWとを１トラックおきに交互に隣
接させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリ
アＺtに連続的に、相変化材料膜２を形成している。再
生専用トラックＴRには、位相ピットＰが予め記録され
ており、記録可能トラックＴWの相変化材料膜２には、
後述するように記録マークＭが形成される。 【００３８】図３は、透明基板１上に、溶融後、結晶化
し得る相変化材料膜２を含んだ積層膜３を形成し、再生
専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを１トラック
ずつ交互に隣接させて形成した再生記録エリアＺRW の
任意の領域ｚNの概略断面図である。この場合の任意の
領域ｚNの拡大図は、上記図１と同様である。 【００３９】すなわち、この図３に示す任意の領域ｚN
を持つ光ディスクは、上記再生専用トラックＴRと上記
記録可能トラックＴWとを１トラックおきに交互に隣接
させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリア
Ｚtに連続的に、相変化材料膜２を含む積層膜３を形成
している。このため、再生専用トラックＴRに既に記録
された情報に関与した情報を記録可能トラックＴWに記
録するような場合には、トラックが隣接しているので、
アクセス時間を短縮することができる。 【００４０】この相変化材料膜２を含む積層膜３は、透
明基板１側から順に第１の誘電体膜４、相変化材料膜
２、第２の誘電体膜５、反射膜６及び第３の誘電体膜７
が順次積層されて構成されている。ここで、透明基板１
と第１の誘電体膜４との間には、図示しない半透明金属
膜を形成してもよい。この場合、半透明金属膜、第１及
び第２の誘電体膜４及び５、反射膜６によって、この光
ディスクＤの光学的特性、例えば非晶質部と結晶部の光
反射率等の設定が行われる構成となっている。また、第
３の誘電体膜７によって積層膜３の機械的強度が向上
し、繰り返し読み出し耐久性が向上する。さらに、第３
の誘電体膜７の上には、図示しないＵＶによる保護膜を
形成してもよい。なお、上記半透明金属としては、例え
ばＡｕのように屈折率ｎが１．０以下、消衰係数が２．
５以上、膜厚が５〜１５ｎｍであるものが用いられる。 【００４１】以下、この図３に示す概略断面図を持つ光
ディスクについての実施例を実施例１として示す。 【００４２】実施例１ この実施例１では、図１に示す再生専用トラックＴRと
記録可能トラックＴWとのトラックピッチを１．５μｍ
としている。各トラックＴR、ＴWは、１トラックおきに
形成されているので、再生専用トラックＴR同士及び記
録可能トラックＴW同士のピッチは、それぞれ３．０μ
ｍとなる。また、再生専用トラックＴRに予め記録され
ている位相ピットＰは、深さが１２０ｎｍ、ピット長が
０．３μｍ、繰り返し周期が０．６μｍである。なお、
この実施例１は、透明基板上に形成される各膜の構造を
異ならせることにより具体例１と具体例２とに分けられ
るので、以下ではこれら具体例１、具体例２について説
明する。 【００４３】先ず、具体例１では、上記位相ピットＰが
形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板１の上に、Ｚ
ｎＳ／ＳｉＯ2からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎ
ｍで被着形成する。また、この第１の誘電体膜４の上に
は、Ｇｅ0.22Ｓｂ0.22Ｔｅ0.56からなる相変化材料膜２
を厚さ２０ｎｍで被着形成する。また、この相変化材料
膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２の誘電体
膜５を厚さ３０ｎｍで被着形成する。また、この第２の
誘電体膜５の上には、Ａｌｔｉからなる反射膜６を厚さ
１５０ｎｍで被着形成する。また、この反射膜６の上に
は、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３の誘電体膜７を厚さ
４００ｎｍで被着形成する。 【００４４】このように形成された具体例１の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWに信号を記録し、再生する
場合を以下に説明する。なお、以下で用いるレーザ光は
波長が７８０ｎｍであり、対物レンズのＮＡは０．５５
である。 【００４５】先ず、光ディスクの初期化を行う。すなわ
ち、製造されたばかりの光ディスクは非晶質状態（アモ
ルファス状態）となっており、これを結晶状態にするた
めの初期化を行う。具体的には、線速７ｍ／ｓｅｃとな
るように回転している光ディスクＤにパワー６ｍＷのＤ
Ｃレーザ光を照射して初期化（結晶化）を行う。 【００４６】信号の記録は、線速１２ｍ／ｓｅｃとなる
ように回転している光ディスクＤの記録可能トラックＴ
wに、パルス状（断続的）にパワー１８ｍＷのレーザ光
を照射し、マーク長１μｍのアモルファスによる信号を
形成して行う。 【００４７】そして、このアモルファスによる信号の再
生は、線速７ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光デ
ィスクＤの記録可能トラックＴw上の該信号にパワー１
ｍＷのレーザ光を照射して行う。なお、このときのＣ／
Ｎは４５ｄＢとなった。 【００４８】次に、この具体例１の光ディスクの再生専
用トラックＴRに記録されている位相ピットＰよりなる
信号を再生する場合を以下に説明する。なお、この再生
専用トラックＴRにおける信号の再生の詳細については
後述するが、再生時の照射光である読み出し光の光ディ
スクとの相対的移動による光ディスクにおける走査スポ
ット内での温度分布を利用して、そのスポット内に生じ
る高温領域で部分的に相変化材料膜に液相状態を発生さ
せて反射率を著しく減少させ、この液相状態部分外にあ
る位相ピットについては、例えば回折による読み出しを
可能としている。つまり、走査スポット内において液相
状態部分の位相ピットと他の状態の部分の位相ピットと
を区別して読み出し、等価的に走査スポット内の有効領
域の面積を小さくしている。このため、λ／２ＮＡに制
約されない超解像再生を可能とする。また、位相ピット
による記録が解像限界以内である場合には、結晶化温度
に達しないような低パワー出力のレーザ光の照射により
再生することができる。 【００４９】この位相ピットＰよりなる信号の再生は、
線速５ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光ディスク
Ｄの再生専用トラックＴRにパワー１２ｍＷのレーザ光
をＤＣ照射して行う。このとき、ピット長０．３μｍの
位相ピットＰよりなる信号は、Ｃ／Ｎが４０ｄＢで再生
できた。 【００５０】次に、具体例２では、上記位相ピットＰが
形成された透明基板１の上に、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からな
る第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成する。ま
た、この第１の誘電体膜４の上には、Ｇｅ0.21Ｓｂ0.26
Ｔｅ0.53からなる相変化材料膜２を厚さ２０ｎｍで被着
形成する。また、この相変化材料膜２の上には、ＺｎＳ
／ＳｉＯ2からなる第２の誘電体膜５を厚さ６０ｎｍで
被着形成する。また、この第２の誘電体膜５の上には、
Ｄｙからなる反射膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成す
る。また、この反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2か
らなる第３の誘電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成す
る。 【００５１】このように形成された具体例２に関しても
上述した具体例１と同様に、光ディスクＤの記録可能ト
ラックＴWに信号を記録し、再生する場合について以下
に説明する。なお、以下で用いるレーザ光の波長と対物
レンズのＮＡは、上述した具体例１に用いたのと同様７
８０ｎｍと０．５５である。 【００５２】光ディスクの初期化（結晶化）は、線速７
ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光ディスクＤにパ
ワー６ｍＷのＤＣレーザ光を照射して行う。 【００５３】信号の記録は、線速１２ｍ／ｓｅｃとなる
ように回転している光ディスクＤの記録可能トラックＴ
wに、パルス状（断続的）にパワー１７ｍＷのレーザ光
を照射し、マーク長１μｍのアモルファスによる信号を
形成して行う。 【００５４】そして、このアモルファスによる信号の再
生は、線速７ｍ／ｓｅｃとなるように回転している光デ
ィスクＤの記録可能トラックＴw上の該信号にパワー１
ｍＷのレーザ光を照射して行う。なお、このときのＣ／
Ｎは５０ｄＢとなった。 【００５５】また、この具体例２の光ディスクの再生専
用トラックＴRに記録されている位相ピットＰよりなる
信号を再生する原理も、上述した具体例１の場合と同様
である。位相ピットＰよりなる信号の再生は、線速６ｍ
／ｓｅｃとなるように回転している光ディスクＤの再生
専用トラックＴRにパワー１０ｍＷのレーザ光をＤＣ照
射して行う。このとき、ピット長０．３μｍの位相ピッ
トＰよりなる信号は、Ｃ／Ｎが４０ｄＢで再生できた。 【００５６】以上より、上記具体例１及び具体例２に分
けられる実施例１は、相変化材料膜２の組成範囲を、線
速或はレーザパワー制御により、溶融後にアモルファス
と結晶の両者の状態を取り得る範囲としている。すなわ
ち、相変化材料膜２には、ＧｅxＳｂyＴｅz を用い、そ
の組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦
０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としている。 【００５７】もし、相変化材料膜２を上記組成範囲（条
件）を満たさないＧｅxＳｂyＴｅzにより形成した場合
に、光ディスクＤはどの位のＣ／Ｎとなるかを以下に示
しておく。ここでは、上記具体例１と比較する例を比較
例１、上記具体例２と比較する例を比較例２として説明
をする。 【００５８】先ず、相変化材料膜２を構成するＧｅxＳ
ｂyＴｅz において、例えばｘ＝０．２８、ｙ＝０．１
６である場合、すなわち、Ｇｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56で
ある相変化材料膜２を有する比較例１について説明す
る。 【００５９】この比較例１は、上記具体例１の比較対象
である。よって、相変化材料膜２の組成式を除く他の構
成は上記具体例１と同様である。すなわち、位相ピット
Ｐが形成された透明基板１の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成し
ている。また、この第１の誘電体膜４の上には、上述し
たようなＧｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56からなる相変化材料
膜２を厚さ２０ｎｍで被着形成している。また、この相
変化材料膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２
の誘電体膜５を厚さ３０ｎｍで被着形成している。ま
た、この第２の誘電体膜５の上には、ＡｌＴｉからなる
反射膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成している。また、
この反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３
の誘電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成している。 【００６０】このように形成された比較例１の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWにおける信号の記録は、線
速８ｍ／ｓｅｃ〜１５ｍ／ｓｅｃとなるように光ディス
クＤを回転させ、パワー９ｍＷ〜２０ｍＷでレーザ光を
パルス状に照射し、マーク長１μｍのアモルファスによ
る信号を形成しても、再生時のＣ／Ｎは３０ｄＢ以下に
しかならず、記録可能領域へのアモルファス記録は劣化
していると判断される。ここで、再生時の線速及びレー
ザ光パワーは具体例１の再生時と同様とした。 【００６１】すなわち、例えばｘ＝０．２８、ｙ＝０．
１６であり、Ｇｅ0.28Ｓｂ0.16Ｔｅ0.56からなる相変化
材料膜２を用いた比較例１では、記録可能トラックＴW
への信号の書き込みが上記具体例１に比較して著しく劣
化してしまい、記録可能領域でのアモルファス記録が困
難となる。 【００６２】次に、相変化材料膜２を構成するＧｅxＳ
ｂyＴｅz において、例えばｘ＝０．１６、ｙ＝０．３
３である場合、すなわち、Ｇｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51で
ある相変化材料膜２を有する比較例２について説明す
る。 【００６３】この比較例２は、上記具体例２の比較対象
である。よって、相変化材料膜２の組成式を除く他の構
成は上記具体例２と同様である。すなわち、位相ピット
Ｐが形成された透明基板１の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2
からなる第１の誘電体膜４を膜厚９０ｎｍで被着形成し
ている。また、この第１の誘電体膜４の上には、上述し
たようなＧｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51からなる相変化材料
膜２を厚さ２０ｎｍで被着形成している。また、この相
変化材料膜２の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第２
の誘電体膜５を厚さ６０ｎｍで被着形成している。ま
た、この第２の誘電体膜５の上には、Ｄｙからなる反射
膜６を厚さ１５０ｎｍで被着形成している。また、この
反射膜６の上には、ＺｎＳ／ＳｉＯ2からなる第３の誘
電体膜７を厚さ４００ｎｍで被着形成している。 【００６４】このように形成された比較例２の光ディス
クＤの再生専用トラックＴRにおける信号の再生は、線
速１ｍ／ｓｅｃ〜１２ｍ／ｓｅｃとなるように光ディス
クＤを回転させ、パワー５ｍＷ〜２０ｍＷでレーザ光を
照射し、ピット０．３μｍの位相ピットＰによる信号を
再生しても、再生時のＣ／Ｎは３０ｄＢ以下にしかなら
なかった。 【００６５】すなわち、例えばｘ＝０．１６、ｙ＝０．
３３であり、Ｇｅ0.16Ｓｂ0.33Ｔｅ0.51からなる相変化
材料膜２を用いた比較例２では、再生専用トラックＴR
での信号の再生が上記具体例２に比較して劣化してしま
う。 【００６６】以上、図１乃至図３を参照しながら説明し
た光ディスクＤは、位相ピットＰが部分的に形成され
た、例えばフォトポリマー法により形成されたガラス２
Ｐ基板である透明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相
変化材料膜２を形成し、再生専用トラックＴRと記録可
能トラックＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形
成しているので、再生専用トラックＴRに既に記録され
た情報に関与した情報を記録可能トラックＴWに記録す
るような場合には、アクセス時間を短縮することができ
る。また、相変化材料膜２の組成範囲が、線速或はレー
ザパワー制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両
者の状態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅxＳｂyＴｅ
z を用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．
２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としてい
るので、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、
再生専用エリアの記録容量を増加させることができ、さ
らに、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑
にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使用するこ
とができる。 【００６７】次に、図４乃至図６を参照しながら、透明
基板１上の再生専用トラックＴRと記録可能トラックＴW
がランドＬ／グルーブＧからなる連続溝構造に形成さ
れ、グルーブＧを再生専用トラックＴRとして、該再生
専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを隣接するよ
うに交互に形成した光ディスクＤについて説明する。 【００６８】この光ディスクＤも図１にその基本的な概
略構成を示すように、最内周側にＴＯＣエリアＺtが割
り当てられ、その外周側に位相ピットが形成される再生
専用トラックと記録可能トラックがトラック単位で交互
に隣接してなる再生記録エリアＺRWが割り当てられてい
る光ディスクＤである。 【００６９】先ず、図４及び図５は再生記録エリアＺRW
の任意の領域ｚNの拡大図及び基本的な概略断面図であ
る。 【００７０】この図４及び図５に示した構成を持つ再生
記録エリアＺRWは、位相ピットＰが部分的に形成された
円盤状のガラス基板、例えばフォトポリマー法により形
成されたガラス２Ｐ基板である透明基板１上に、溶融
後、結晶化し得る相変化材料膜２を直接的に形成し、再
生専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを１トラッ
クずつ交互に隣接させて形成している。 【００７１】ここで、再生専用トラックＴRはグルーブ
Ｇ上に、記録可能トラックＴWはランドＬ上に形成され
ている。したがって、この光ディスクＤは、グルーブＧ
上に形成した再生専用トラックＴRと、ランドＬ上に形
成した記録可能トラックＴWを１トラックおきに交互に
隣接させて形成した再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエ
リアＺtに連続的に、相変化材料膜２を形成している。
再生専用トラックＴRには、位相ピットＰが予め記録さ
れており、記録可能トラックＴWの相変化材料膜２に
は、後述するように記録マークＭが形成される。 【００７２】図６は、透明基板１上に、溶融後、結晶化
し得る相変化材料膜２を含んだ積層膜３を形成し、グル
ーブＧ上に形成した再生専用トラックＴRとランドＬ上
に形成した記録可能トラックＴWとを１トラックずつ交
互に隣接させて形成した再生記録エリアＺRW の任意の
領域ｚNの概略断面図である。この場合の拡大図は、上
記図４と同様である。 【００７３】すなわち、この図６に示す任意の領域ｚN
を持つ光ディスクは、グルーブＧ上に形成した再生専用
トラックＴRとランドＬ上に形成した上記記録可能トラ
ックＴWとを１トラックおきに交互に隣接させて形成し
た再生記録エリアＺRW 及びＴＯＣエリアＺtに連続的
に、相変化材料膜２を含む積層膜３を形成している。こ
のため、再生専用トラックＴRに既に記録された情報に
関与した情報を記録可能トラックＴWに記録するような
場合には、トラックが隣接しているので、アクセス時間
を短縮することができる。 【００７４】この相変化材料膜２を含む積層膜３は、図
３に示したと同様に、透明基板１側から順に第１の誘電
体膜４、相変化材料膜２、第２の誘電体膜５、反射膜６
及び第３の誘電体膜７が順次積層されて構成されている
のでここでは説明を省略する。 【００７５】以下、この図６に示す概略第面図を持つ光
ディスクについての実施例を実施例２として示す。 【００７６】実施例２ この実施例２では、図４に示すグルーブＧ上に形成され
た再生専用トラックＴ RとランドＬ上に形成された記録
可能トラックＴWとのトラックピッチを１．５μｍとし
ている。他の構造は、上記実施例１と同様であるのでこ
こでは説明を省略する。 【００７７】このように形成された実施例２の光ディス
クＤの記録可能トラックＴWに信号を記録し、再生する
場合についても上記実施例１の場合と同様となった。ま
た、上記比較例１及び比較例２についても、この実施例
２に当てはまる。 【００７８】以上、図４乃至図６を参照しながら説明し
た光ディスクＤは、位相ピットＰが部分的に形成され
た、例えばフォトポリマー法により形成されたガラス２
Ｐ基板である透明基板１上に、溶融後、結晶化し得る相
変化材料膜２を形成し、グルーブＧ上に形成した再生専
用トラックＴRとランドＬ上に形成した記録可能トラッ
クＴWとを１トラックずつ交互に隣接させて形成してい
るので、再生専用トラックＴRに既に記録された情報に
関与した情報を記録可能トラックＴWに記録するような
場合には、アクセス時間を短縮することができる。ま
た、相変化材料膜２の組成範囲が、線速或はレーザパワ
ー制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両者の状
態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅxＳｂyＴｅz を用
い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦
ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としているの
で、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
する必要がなく、従来の光学系をそのまま使用すること
ができる。 【００７９】また、図４乃至図６を参照しながら説明し
たこの光ディスクＤは、グルーブＧ上に再生専用トラッ
クＴRを設け、ランドＬ上に記録可能トラックＴWを設け
ているので、超解像再生時の溶融部分や、記録マークの
必要以上の広がりを抑制できる。もちろん、グルーブＧ
上に記録可能トラックＴWを、ランドＬ上に再生専用ト
ラックＴRを形成してもよい。 【００８０】 【００８１】また、上述した光ディスクＤにおいては、
透明基板１、相変化材料膜２、第１及び第２の誘電体膜
４及び５、反射膜６を以下の他の材料によって形成して
もよい。 【００８２】先ず、透明基板１は、アクリル系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂、ガラス等を用いることができる。 【００８３】相変化材料膜２は、カルコゲナイトすなわ
ちカルコゲン化合物あるいは単体のカルコゲンによって
構成することができる。例えば、Ｓｅ、Ｔｅの各単体、
さらにこれらのカルコゲナイトのＳｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔ
ｅ3，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｉ2Ｔｅ3，ＢｉＳｅ，Ｉｎ−Ｓ
ｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−ＳｂＳｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−
Ｔｌ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ等のカルコゲナイ
ト系材料を用いることができる。ただし、この相変化材
料膜２は線速あるいはレーザパワーの制御により、溶融
後にアモルファスと結晶の両者の状態をとれる組成範囲
を有することが必要とされる。 【００８４】第１、第２の誘電体膜４及び５は、Ａｌ、
Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物で
ある、例えばＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＳ，ＭｇＦ2 を用いることができる。ただし、半導
体レーザ波長領域において吸収の無いものであることが
条件となる。 【００８５】反射膜６は、熱伝導率が０．０００４Ｊ／
（ｃｍ・Ｋ・ｓ）から２．２Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）の値
を有する金属元素、半金属元素、半導体元素及びそれら
の化合物あるいは混合物が用いられる。 【００８６】また、上記半透明金属としては、例えばＣ
ｕの他に、Ａｕ、Ａｇ当を用いることができる。 【００８７】次に、この光ディスクＤに対して情報信号
の記録再生を行うディスク記録再生装置の概略構成を図
７〜図１０に基づいて説明する。ここで、用いる光ディ
スクＤは、上記図３に示した概略断面を持つ光ディスク
とする。 【００８８】この記録再生装置は、図７に示すように、
光ディスクＤを回転駆動するスピンドルモータ１１と、
光ディスクＤに対して情報信号の記録再生を光学的に行
う光ヘッド１２とを有する。 【００８９】スピンドルモータ１１は、その回転軸１１
ａの先端に、光ディスクＤの中央部が装着されるターン
テーブル１３が設けられている。光ヘッド１２は、スピ
ンドルモータ１１の設置位置からターンテーブル１３に
装着される光ディスクＤを隔てた反対の位置に設置され
ており、例えばリニアモータ及びガイド軸を主体とする
図示しない既知のスライド機構によって、光ディスクＤ
の径方向に移動自在とされている。また、このスライド
機構には、光ヘッド１２の位置を電気的に検出するスラ
イドエンコーダ１４が設けられている。 【００９０】この光ヘッド１２には、レーザ光源１５か
らの光ビームＯを光ディスクＤ上に集光する対物レンズ
１６が配設されている。この対物レンズ１６は、二次元
アクチュエータ１７によって、光ディスクＤの接離方向
及び光ディスクＤの径方向にそれぞれ僅かに移動する。
この二次元アクチュエータ１７は、図示しないが例えば
フォーカス・コイル、トラッキング・コイル及びマグネ
ットからなる磁気回路を有する。 【００９１】また、このディスク記録再生装置の回路系
は、少なくとも、モータ駆動制御回路２１、信号選別回
路２２、復調回路２３、レーザ駆動制御回路２４、フォ
ーカスサーボ回路２５、トラッキングサーボ回路２６及
びこれら各種回路を制御するシステムコントローラ２７
を有して構成されている。 【００９２】モータ駆動制御回路２１は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｍに基づいてスピン
ドルモータ１１を駆動して、光ディスクＤをＣＬＶ（線
速度一定）方式又はＣＡＶ（角速度一定）方式で回転駆
動させる回路である。 【００９３】信号選別回路２２は、光ヘッド１２の光検
出手段２８からの検出信号Ｓから、アドレス情報を含む
再生情報信号Ｓｒ、フォーカシングエラー信号Ｓｆ及び
トラッキングエラー信号Ｓｔを選別する回路である。こ
の信号選別回路２２にて選別された信号中、再生情報信
号Ｓｒは復調回路２３に供給され、フォーカシングエラ
ー信号Ｓｆはフォーカスサーボ回路２５に供給され、ト
ラッキングエラー信号Ｓｔはトラッキングサーボ回路２
６にそれぞれ供給される。 【００９４】復調回路２３は、信号選別回路２２からの
再生情報信号Ｓｒをディジタルデータに変換し、更にこ
の変換したディジタルデータに付加されているエラー訂
正等の符号化処理を復号化処理して再生情報データＤｒ
として出力する回路である。この復調回路２３からの再
生情報データＤｒは、システムコントローラ２７に供給
されると共に、インターフェイス回路４１及びインター
フェイスバス（例えばＳＣＳＩバス）４２を介してこの
記録再生装置に接続されているコンピュータ（図示せ
ず）に供給される。 【００９５】レーザ駆動制御回路２４は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃに基づいて光ヘッ
ド１２内に設置されているレーザ光源１５を駆動し、か
つ上記駆動制御信号Ｓｃの信号レベル等に基づいて、こ
のレーザ光源１５から出射される光ビームＯの出力（パ
ワー）及びパルス幅を制御する回路である。 【００９６】フォーカスサーボ回路２５は、信号選別回
路２２からのフォーカシングエラー信号Ｓｆに基づいて
光ヘッド１２の上記二次元アクチュエータ１７を駆動・
制御することにより、対物レンズ１６を光ディスクＤの
接離方向に移動させてその焦点調整を行う回路である。
トラッキングサーボ回路２６は、信号選別回路２２から
のトラッキングエラー信号Ｓｔに基づいて光ヘッド１２
の二次元アクチュエータ１７を駆動・制御することによ
り、対物レンズ１６を光ディスクＤの径方向に移動させ
てそのトラッキング調整を行う回路である。 【００９７】システムコントローラ２７は、その内部に
メモリが組み込まれており、このメモリには、ＴＯＣエ
リアＺｔに記録されている再生専用トラックＴRと記録
可能トラックＴWの位置を示す情報（以下、単にトラッ
ク位置情報と記す）が格納される配列変数領域が論理的
に割り付けられている。 【００９８】即ち、システムコントローラ２７は、再生
されたＴＯＣエリアＺｔからの再生データのうち、上記
トラック位置情報を上記配列変数領域に格納し、光ヘッ
ド１２による再生専用トラックＴR又は記録可能トラッ
クＴWへのアクセス時に、スライドエンコーダ１４から
の光ヘッド１２の位置検出データＤｐを上記トラック位
置情報と比較して、現在どのトラックに光ヘッド１２が
いるかを判別する。 【００９９】光ヘッド１２は、図８の拡大図に示すよう
に、光ビームＯの光源である半導体レーザからなる上記
レーザ光源１５、光ビームＯを光ディスクＤ上に集光さ
せる上記対物レンズ１６及び光ディスクＤ上で反射した
戻り光ビームＯｒを検出して、その光量に応じた電流レ
ベル又は電圧レベルの電気信号（検出信号Ｓ）に変換す
る光検出手段２８等を含む光学系の全体が、１個のユニ
ットとして構成され、既知の移動手段（例えばリニアモ
ータ等）によって光ディスクＤの径方向に沿って移動す
るようになっている。 【０１００】この光学系には、上記光学部品のほかに、
レーザ光源１５から出射された光ビームＯを平行光にす
るコリメータレンズ３１と、光ビームＯを少なくとも３
本の光束成分に分離する位相回折格子３２と、レーザ光
源１５からの光ビームＯと光ディスクＤからの戻り光ビ
ームＯｒとを分離する偏光ビームスプリッタ３３と１／
４波長板３４からなる光アイソレータ３５とが配設さ
れ、また、戻り光ビームＯｒの光路中において、偏光ビ
ームスプリッタ３３と光検出手段２８との間に、戻り光
ビームＯｒの焦点距離の調整と非点収差を発生させるた
めのシリンドリカル・レンズ及び凹レンズで構成される
マルチレンズ３６と、戻り光ビームＯｒを光検出手段２
８上に収束する結像レンズ３７とが配設されている。 【０１０１】次に、上記光ヘッド１２の動作について説
明する。まず、レーザ光源１５から出射された光ビーム
Ｏは、コリメータレンズ３１により平行光とされ、位相
回折格子３２に入射される。この位相回折格子３２によ
って、少なくとも３本の光束成分（０次光、＋１次光及
び−１次光）に分離された光ビームＯは、偏光ビームス
プリッタ３３によりＰ成分のみの直線偏光、即ちＰ偏光
のみが通過する。 【０１０２】この偏光ビームスプリッタ３３を通過した
Ｐ偏光は、１／４波長板３４を通過することによって、
位相差がπ／２となり、例えば右回りの円偏光となる。
対物レンズ１６にて光ディスクＤに集光された右回りの
円偏光は、光ディスクＤ面で反射され、回転方向が逆の
左回りの円偏光となる。 【０１０３】このとき、３本の光ビームＯ（円偏光）の
うち、中央の１本（０次光）は光ディスクＤ上の記録ト
ラックの中央を照射し、残りの２本の光ビームＯ（±１
次光）は、記録可能エリアＺｗにおいては、案内溝を照
射する。従って、記録トラックの中央を照射する光ビー
ムＯは、その照射した位置が再生専用トラックＴRであ
る場合、記録トラックに沿って形成されている位相ピッ
トＰに対応した変調を受ける。また、上記光ビームＯの
照射位置が記録可能トラックＴWである場合、案内溝に
照射されている光ビームＯは、案内溝のエッジに対応す
る変調を受ける。 【０１０４】上記変調を受けた左回りの円偏光は、再び
対物レンズ１６を通過して１／４波長板３４を通過す
る。この１／４波長板３４では、更に位相差がπ／２と
なることから入射した左回りの円偏光は、Ｓ成分のみの
直線偏光、即ちＳ偏光になる。このＳ偏光は、偏光ビー
ムスプリッタ３３の境界面３３ａにて反射される。 【０１０５】この偏光ビームスプリッタ３３の境界面３
３ａにて反射された３本の戻り光ビームＯｒは、マルチ
レンズ３６及び結像レンズ３７を介して光検出手段２８
上に入射される。この光検出手段２８においては、入射
された３本の戻り光ビームＯｒを光電変換して、それぞ
れ検出信号Ｓに変換し、図７で示す信号選別回路２２に
供給する。 【０１０６】ところで、相変化材料膜２は、一般に、照
射される光ビームＯの出力とそのパルス幅によって、以
下に示すような状態変化を行う（図９参照）。即ち、光
ビームＯを照射しても、相変化材料膜２は、溶融せず初
期状態を保持したまま結晶化状態である場合（以下、非
溶融状態と記す）、光ビームＯを照射している間は、溶
融して液相化状態になっているが、光ビームＯが通過し
た後、その冷却によって固相化したときに再び結晶化状
態に戻る場合（以下、溶融結晶化状態と記す）、及び光
ビームＯが通過した後、その冷却によって固相に変化し
たときに、非晶質、即ちアモルファス状態に変化する場
合（以下、溶融非晶質化状態と記す）がある。 【０１０７】ここで、説明の便宜上、上記３種類の状態
変化に対応する光ビームＯの出力とパルス幅の範囲（領
域）を以下のように定義する。まず、相変化材料膜２が
非溶融状態となる光ビームＯの出力とパルス幅の範囲を
非溶融領域Ａ、相変化材料膜２が溶融結晶化状態となる
光ビームＯの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶化領域
Ｂ、及び相変化材料膜２が溶融非晶質化状態となる光ビ
ームＯの出力とパルス幅の範囲を溶融結晶化領域Ｃとす
る。 【０１０８】通常、記録媒体に対するデータアクセスに
おいては、データの読み出しとデータの書き込みの２挙
動があり、この光ディスクＤに関しては、ＴＯＣエリア
Ｚｔ、再生専用トラックＴR及び記録可能トラックＴWに
対してデータの読み出しが行われ、データの書き込み
は、記録可能トラクＴWに対してのみ行われる。 【０１０９】具体的に、上記ディスク記録再生装置に
て、光ディスクＤに対してデータの記録再生を行う場合
について説明する。 【０１１０】まず、光ディスクＤのターンテーブル１３
への装着完了に基づいて、システムコントローラ２７
は、モータ駆動制御回路２１に駆動制御信号Ｓｍを出力
する。このモータ駆動制御回路２１は、システムコント
ローラ２７からの駆動制御信号Ｓｍに基づいて、スピン
ドルモータ１１をＣＡＶ方式又はＣＬＶ方式で回転駆動
させる。ここでは、ＣＬＶ方式で光ディスクＤを回転
し、その線速度は７ｍ／ｓｅｃに設定してある。 【０１１１】次に、システムコントローラ２７は、光ヘ
ッド１２用の図示しない既知のスライド機構に駆動信号
を供給する。このスライド機構は、上記システムコント
ローラ２７からの駆動信号に基づいて、光ヘッド１２を
光ディスクＤの径方向に移動させる。そして、光ヘッド
１２を光ディスクＤの最内周側、即ちＴＯＣエリアＺｔ
に位置させ、このＴＯＣエリアＺｔから上記トラック位
置情報を含むＴＯＣデータを読み出す。この読み出した
トラック位置情報を含むＴＯＣデータは、システムコン
トローラ２７内に組み込まれているメモリの所定の配列
変数領域に格納される。 【０１１２】このＴＯＣデータの具体的読み出しは、以
下で示す再生専用トラックＴRに対するデータの読み出
しの説明において一括して説明する。 【０１１３】即ち、光ディスクＤのＴＯＣエリアＺｔ及
び再生専用トラックＴRに対するデータの読み出しにつ
いては、光ビームＯの出力が溶融結晶化領域Ｂの範囲に
設定され、かつ光ディスクＤに対して連続照射されるこ
とによってＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用トラックＴR
上のピット情報を読み出す。この光ビームＯの出力は、
システムコントローラ２７からレーザ駆動制御回路２４
に供給される駆動制御信号Ｓｃに基づいて設定される。 【０１１４】即ち、システムコントローラ２７におい
て、スライドエンコーダ１４から供給される位置検出デ
ータＤｐとメモリ内に格納されているトラック位置情報
とに基づいて、現在、光ビームＯの照射位置が再生専用
トラックＴRであることが判別されると、システムコン
トローラ２７は、レーザ駆動制御回路２４に対して、溶
融結晶化領域Ｂの範囲を示す信号レベルの駆動制御信号
Ｓｃを出力する。レーザ駆動制御回路２４は、システム
コントローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃの信号レベル
に応じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場合、
光ビームＯの出力は、溶融結晶化領域Ｂの範囲（例え
ば、出力＝１０ｍＷ）に設定されることになる。なお、
この読み出し動作においては、光ビームＯが連続照射さ
れるため、上記溶融結晶化領域Ｂの範囲を決定するパル
ス幅は、光ビームＯのスポット径／線速度にて換算する
ことよって求めることができる。 【０１１５】このとき、光ビームＯの走査スポットＳＰ
内での光強度は、図１０の破線Ａに示すように、ほぼガ
ウス分布に準じた強度分布になる。また、上記光ビーム
Ｏの照射による相変化材料膜２の温度分布は、実線Ｂに
示すように、走査スポットＳＰの中心から、光ビームＯ
の走査速度に対応した距離分、走査方向に対して遅れた
位置にピークを有する分布となる。 【０１１６】いま、走査スポットＳＰ内に例えば２つの
位相ピットＰが含まれる程度に位相ピットＰ間のピッチ
が狭いとする。また、走査されるスポットＳＰに最初に
進入する位相ピットを先頭ピットＰａ、次に進入する位
相ピットを次段ピットＰｂとして定義する。そして、走
査スポットＳＰが先頭ピットＰａ上を動くとき、その先
頭ピットＰａ上の相変化材料膜２は、次第に温度が上昇
するが、その相変化材料膜が液相化する温度に到達する
前にその先頭ピットＰａが光学的に読み出される。 【０１１７】その後、走査スポットＳＰがその走査によ
って次段ピットＰｂにかかると、その次段ピットＰｂ上
の相変化材料膜２の温度が上昇する。しかし、その温度
上昇は、次段ピットＰｂ上の相変化材料膜２が液相化す
るまでには至らない。一方、同一走査スポットＳＰ内に
ある先頭ピットＰａは、その上の相変化材料膜２が走査
スポットＳＰによる光照射が続いていることから、その
温度が溶融温度ＭＴより更に上昇し、その相変化材料膜
２が液相化することになる。 【０１１８】従って、この場合、先頭ピットＰａ上の相
変化材料膜２は、その液相化によって例えば光反射率が
著しく増加し、走査スポットＳＰによる先頭ピットＰａ
の光学的な読み出しが可能となる。 【０１１９】即ち、このＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用
トラックＴRに対するデータの読み出しにあたっては、
その光ビームＯの光ディスクＤとの相対移動による光デ
ィスクＤにおける走査スポットＳＰ内での温度分布を利
用して、その走査スポットＳＰ内に生じる高温領域Ｐｘ
で部分的に相変化材料膜２に液相状態を発生させ、これ
により、例えばその部分の光反射率を著しく増加させ、
この液相状態部分Ｐｘ内にある位相ピットＰａに対して
の光学的読み出しを可能としている。 【０１２０】つまり、走査スポットＳＰ内において、液
相状態部分Ｐｘの位相ピットＰと他の状態の部分の位相
ピットを区別して読み出し、等価的に走査スポットＳＰ
の有効領域Ｐｚの面積を小さくする。その結果、位相ピ
ットＰの配列ピッチを走査スポットＳＰの径よりも小さ
くすることが可能となり、位相ピットＰを高密度形成し
ても、レンズ系の開口数ＮＡ、光ビームの波長λに制限
されることなく、高解像度をもってその読み出しを行う
ことができ、実質的に、再生専用トラックＴRの記録容
量を大幅に増大させることができる。なお、この走査ス
ポットＳＰが通過した後、先頭ピットＰａ及び次段ピッ
トＰｂ上の相変化材料膜２は、その通過後の冷却によっ
て結晶化状態に戻ることになる。 【０１２１】このＴＯＣエリアＺｔ及び再生専用トラッ
クＴRに対するデータの読み出しにおいては、上記のよ
うに、光ビームＯの出力を１０ｍＷ、線速度を７ｍ／ｓ
ｅｃとした場合において、位相ピット（ピット長＝０．
３μｍ）を再生したときのＣ／Ｎは５０ｄＢであり、高
Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）で位相ピットを光学的に読み出すこと
ができる。 【０１２２】次に、記録可能トラックＴWに対してデー
タの書き込みを行う場合について説明する。この書込み
動作は、インターフェイスバス６４に接続されている例
えばコンピュータ等から送られて来る記録データがシス
テムコントローラ２７に供給されることによって行われ
る。 【０１２３】上述したように、相変化材料膜２は、光ビ
ームＯの出力とパルス幅によって、非溶融状態、溶融結
晶化状態及び溶融非晶質化状態に変化する。従って、こ
の書込み動作においては、光ビームＯの出力及びパルス
幅を、溶融非晶質化領域Ｃの範囲に設定して、データ
（ピット）の書き込みを行う。この光ビームＯの出力設
定及びパルス幅設定は、以下のようにして行われる。 【０１２４】即ち、システムコントローラ２７は、レー
ザ駆動制御回路２４に対して、溶融非晶質化領域Ｃの範
囲を示す信号レベルで、かつ記録データに応じてオンオ
フ制御された駆動制御信号Ｓｃを出力する。レーザ駆動
制御回路Ｓｃは、システムコントローラ２７からの駆動
制御信号Ｓｃの信号レベル及びそのオンオフ・タイミン
グに応じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場
合、光ビームＯは、その出力が、溶融非晶質化領域Ｃの
範囲（この実施例においては、出力＝１０ｍＷ、パルス
幅＝１１８ｎｓ（デューティー５０％））に設定され、
レーザ駆動制御回路によるオンオフ制御によって、部分
的に照射が行われるパルスレーザ（パルス幅＝１１８ｎ
ｓ）として出力される。 【０１２５】そして、上記のように、上記溶融非晶質化
領域Ｃの範囲に設定された光ビームＯが部分的に照射さ
れることによって、その照射された部分が非晶質化し、
光学的にピット情報が新たに書き込まれたかたちとな
る。このときの記録ピットのピット長は０．８３μｍと
なる。 【０１２６】次に、記録可能トラックＴWに対してデー
タの読み出しを行う場合は、上記光ビームＯの出力を、
非溶融領域Ａの範囲に設定して、読み出しを行う。即
ち、システムコントローラ２７において、スライドエン
コーダ１４から供給される位置検出データＤｐとシステ
ムコントローラ２７のメモリ内に格納されているトラッ
ク位置情報とに基づいて、現在、光ビームＯの照射位置
が記録可能トラックＴWであることが判別されると、シ
ステムコントローラ２７は、レーザ駆動制御回路２４に
対して、非溶融領域Ａの範囲を示す信号レベルの駆動制
御信号Ｓｃを出力する。 【０１２７】レーザ駆動制御回路２４は、システムコン
トローラ２７からの駆動制御信号Ｓｃの信号レベルに応
じてレーザ光源１５を駆動・制御する。この場合、光ビ
ームＯの出力は、非溶融領域Ａの範囲（この実施例にお
いては、出力＝１ｍＷ）に設定されることになる。な
お、この記録可能トラックＴWに対する読み出し動作に
おいても、光ビームＯが連続照射されるため、上記非溶
融領域Ａの範囲を決定するパルス幅は、光ビームＯのス
ポット径／線速度にて換算することよって求めることが
できる。 【０１２８】そして、記録可能トラックＴW上の相変化
材料膜２の結晶化部分における光反射と非晶質化部分
（ピット情報）における光反射の違いによって、記録さ
れているピット情報を光学的に読み出す。この場合、光
ビームＯの出力が、上記非溶融領域Ａの範囲に設定され
ていることから、読み出し時に非晶質化部分（ピット情
報）を消去、即ち結晶化することがない。 【０１２９】この記録可能トラックＴWに対するデータ
の読み出しにおいては、上記のように、光ビームＯの出
力を１ｍＷ、線速度を７ｍ／Ｓとした場合において、記
録ピット（ピット長＝０．８３μｍ）を再生したときの
Ｃ／Ｎは４５ｄＢであり、高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）で記録ピ
ットを光学的に読み出すことができる。 【０１３０】このように以上に説明したディスク記録再
生装置は、上記光ディスクＤに対して情報信号の記録再
生を行うことができる。特に、上記光ディスクＤは、再
生専用トラックＴRと記録可能トラックＴWとを交互に隣
接して設けており、さらに、相変化材料膜２の組成範囲
が、線速或はレーザパワー制御により、溶融後にアモル
ファスと結晶の両者の状態を取り得る範囲であり、特
に、ＧｅxＳｂyＴｅz を用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、かつ、０．２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ
≦０．３０としている。このため、上記ディスク記録再
生装置は、光ディスクＤの記録可能エリアの記録容量を
減らすことなく、再生専用エリアの記録容量を増加させ
るように再生することができる。さらに、光学系の構造
を複雑にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使用
することができる。 【０１３１】 【発明の効果】本発明に係る光ディスク装置は、位相ピ
ットＰが部分的に形成された、例えばフォトポリマー法
により形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板上に、
溶融後、結晶化し得る相変化材料膜を形成し、再生専用
トラックと記録可能トラックとを１トラック単位で交互
に隣接させて形成しているので、再生専用トラックに既
に記録された情報に関与した情報を記録可能トラックに
記録するような場合には、アクセス時間を短縮すること
ができる。また、相変化材料膜の組成範囲が、線速或は
レーザパワー制御により、溶融後にアモルファスと結晶
の両者の状態を取り得る範囲であり、特に、ＧｅｘＳｂ
ｙＴｅｚを用い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、か
つ、０．２０≦ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０
としているので、記録可能エリアの記録容量を減らすこ
となく、再生専用エリアの記録容量を増加させることが
でき、さらに、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構
造を複雑にする必要がなく、従来の光学系をそのまま使
用することができる。 【０１３２】 また、本発明に係る光ディスクは、位相
ピットが部分的に形成された、例えばフォトポリマー法
により形成されたガラス２Ｐ基板である透明基板上に、
溶融後、結晶化し得る相変化材料膜を形成し、グルーブ
上に形成した再生専用トラックとランド上に形成した記
録可能トラックとを１トラック単位で交互に隣接させて
形成しているので、再生専用トラックに既に記録された
情報に関与した情報を記録可能トラックに記録するよう
な場合には、アクセス時間を短縮することができる。ま
た、相変化材料膜の組成範囲が、線速或はレーザパワー
制御により、溶融後にアモルファスと結晶の両者の状態
を取り得る範囲であり、特に、ＧｅｘＳｂｙＴｅｚを用
い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦
ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０としているの
で、記録可能エリアの記録容量を減らすことなく、再生
専用エリアの記録容量を増加させることができ、さら
に、製造工程を簡単にし、かつ、光学系の構造を複雑に
する必要がなく、従来の光学系をそのまま使用すること
ができる。さらにまた、この光ディスクは、ランド／グ
ルーブの一方を再生専用トラックとし、他方を記録可能
トラックとしているので、超解像再生時の溶融部分や、
記録マークの必要以上の広がりを抑制できる。 【０１３３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光ディスクの基本的な概略構成と
再生記録エリアを示す図である。 【図２】図１に示した光ディスクの再生記録エリアの任
意の領域の基本的な概略断面図である。 【図３】図１に示した光ディスクの再生記録エリアの任
意の領域の概略断面図である。 【図４】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の拡大図である。 【図５】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の基本的な概略断面図で
ある。 【図６】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の概略断面図である。 【図７】本発明に係る光ディスクに対して情報信号の記
録再生を行うディスク記録再生装置の概略構成を示すブ
ロック図である。 【図８】本実施例に係る光ディスクに対して情報信号の
記録再生を行う光ヘッドの光学系を示す構成図である。 【図９】相変化材料膜の、光ビームの出力及びパルス幅
に対応した状態変化（相変化状態）を示す特性図であ
る。 【図１０】光ビームの走査スポットの光強度と温度分布
を示す特性図である。 【符号の説明】 Ｄ 光ディスク ＺRW 記録再生エリア ＴR 再生専用トラック ＴW 記録可能トラック Ｐ 位相ピット Ｍ 記録マーク Ｌ ランド Ｇ グルーブ １ 透明基板 ２ 相変化材料膜 ３ 積層膜 ４ 第１の誘電体膜 ５ 第２の誘電体膜 ６ 光反射膜 ７ 第３の誘電体膜
再生記録エリアを示す図である。 【図２】図１に示した光ディスクの再生記録エリアの任
意の領域の基本的な概略断面図である。 【図３】図１に示した光ディスクの再生記録エリアの任
意の領域の概略断面図である。 【図４】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の拡大図である。 【図５】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の基本的な概略断面図で
ある。 【図６】再生専用トラックと記録可能トラックがランド
／グルーブからなる連続溝構造に形成された光ディスク
の再生記録エリアの任意の領域の概略断面図である。 【図７】本発明に係る光ディスクに対して情報信号の記
録再生を行うディスク記録再生装置の概略構成を示すブ
ロック図である。 【図８】本実施例に係る光ディスクに対して情報信号の
記録再生を行う光ヘッドの光学系を示す構成図である。 【図９】相変化材料膜の、光ビームの出力及びパルス幅
に対応した状態変化（相変化状態）を示す特性図であ
る。 【図１０】光ビームの走査スポットの光強度と温度分布
を示す特性図である。 【符号の説明】 Ｄ 光ディスク ＺRW 記録再生エリア ＴR 再生専用トラック ＴW 記録可能トラック Ｐ 位相ピット Ｍ 記録マーク Ｌ ランド Ｇ グルーブ １ 透明基板 ２ 相変化材料膜 ３ 積層膜 ４ 第１の誘電体膜 ５ 第２の誘電体膜 ６ 光反射膜 ７ 第３の誘電体膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小野 真澄
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ
ニー株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−258345（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−131701（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−271627（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−164626（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/24
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 透明基板上に、ＧｅｘＳｂｙＴｅｚを用
い、その組成範囲をｘ＋ｙ＋ｚ＝１、かつ、０．２０≦
ｘ≦０．２５、０．２０≦ｙ≦０．３０である相変化材
料膜で形成された再生専用トラックと記録可能トラック
とが、ランド／グルーブの連続構造で、１トラック単位
で交互に隣接して形成され、上記ランド／グルーブのう
ち一方が上記再生専用トラックとされ、上記再生専用ト
ラックは、位相ピットが予め設けられ、情報信号の読み
出し時に、上記相変化材料膜が、溶融後固相化したとき
に結晶化状態に戻る出力範囲の読み出し光の走査スポッ
ト内で部分的に液相化して、光反射率が変化し、読み出
し後に、結晶状態に戻る構成とされていることを特徴と
する光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20211494A JP3477834B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-08-26 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-62600 | 1994-03-31 | ||
| JP6260094 | 1994-03-31 | ||
| JP20211494A JP3477834B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-08-26 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320296A JPH07320296A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3477834B2 true JP3477834B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=26403644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20211494A Expired - Fee Related JP3477834B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-08-26 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3477834B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3076230B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 光ディスク |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20211494A patent/JP3477834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07320296A (ja) | 1995-12-08 |
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