JP3458707B2 - 実装ユニット - Google Patents
実装ユニットInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ−液晶ディスプ
レイ−）と実装基板との接続剤などとして用いられる異
方導電性フィルムによる実装ユニットに関するものであ
る。
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ−液晶ディスプ
レイ−）と実装基板との接続剤などとして用いられる異
方導電性フィルムによる実装ユニットに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】導電接続剤として用いられている異方導
電性フィルム−Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ−（以下、「ＡＣＦ」という。）
は、金属コートプラスチック粒子や金属粒子などの導電
粒子を熱硬化性樹脂等の樹脂に分散した導電フィルムで
ある。そして、ボールバンプあるいはめっきバンプの形
成された半導体チップとＡＣＦの貼られた実装基板とに
熱と荷重を印加（約２００℃、２０ｓｅｃ、数十ｇ／バ
ンプ）すると、バンプと基板電極との間にＡＣＦ中の導
電粒子が挟み込まれ、これにより両者が電気的に接続さ
れる。このようなＡＣＦは、電子部品と実装基板との電
気的接続に広く利用されている。
電性フィルム−Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ−（以下、「ＡＣＦ」という。）
は、金属コートプラスチック粒子や金属粒子などの導電
粒子を熱硬化性樹脂等の樹脂に分散した導電フィルムで
ある。そして、ボールバンプあるいはめっきバンプの形
成された半導体チップとＡＣＦの貼られた実装基板とに
熱と荷重を印加（約２００℃、２０ｓｅｃ、数十ｇ／バ
ンプ）すると、バンプと基板電極との間にＡＣＦ中の導
電粒子が挟み込まれ、これにより両者が電気的に接続さ
れる。このようなＡＣＦは、電子部品と実装基板との電
気的接続に広く利用されている。
【０００３】以下に、従来のＡＣＦについて説明する。
ここで、図５は従来のＡＣＦ実装における実装前の状態
を示す断面図、図６はＡＣＦ実装において実装荷重が足
りないときの接合状態を示す断面図、図７はＡＣＦ実装
において電気的導通が図られる程度の実装荷重が印加さ
れた接合状態を示す断面図、図８は過大な実行荷重によ
り潰れた導電粒子を示す説明図である。
ここで、図５は従来のＡＣＦ実装における実装前の状態
を示す断面図、図６はＡＣＦ実装において実装荷重が足
りないときの接合状態を示す断面図、図７はＡＣＦ実装
において電気的導通が図られる程度の実装荷重が印加さ
れた接合状態を示す断面図、図８は過大な実行荷重によ
り潰れた導電粒子を示す説明図である。
【０００４】図５において、ＡＣＦ３は接着性を有する
樹脂３ａに導電粒子４が分散されたものからなる。ま
た、一方の接合対象である半導体チップ１にはボールバ
ンプ２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。そして、ＡＣＦ３
によってボールバンプ２と基板電極５とが電気的に接続
されるとともに半導体チップ１とプリント基板６とが接
合されるようになっている。なお、導電粒子４は、核と
なる樹脂部４ａと、この樹脂部４ａの表面に施された金
属めっきからなるメッキ部４ｂとから構成されている。
樹脂３ａに導電粒子４が分散されたものからなる。ま
た、一方の接合対象である半導体チップ１にはボールバ
ンプ２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。そして、ＡＣＦ３
によってボールバンプ２と基板電極５とが電気的に接続
されるとともに半導体チップ１とプリント基板６とが接
合されるようになっている。なお、導電粒子４は、核と
なる樹脂部４ａと、この樹脂部４ａの表面に施された金
属めっきからなるメッキ部４ｂとから構成されている。
【０００５】そして、半導体チップ１とプリント基板６
とを接合する際には、これらの間にＡＣＦ３を挟み、矢
印で示すように、半導体チップ１をプリント基板６方向
に押圧して実装荷重を印加する。
とを接合する際には、これらの間にＡＣＦ３を挟み、矢
印で示すように、半導体チップ１をプリント基板６方向
に押圧して実装荷重を印加する。
【０００６】ここで、図５に示すように、ＡＣＦ３によ
る実装前にあっては、基板電極５の高さのばらつきが大
きい（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバン
プ２と基板電極５を一対として示すＪ１部、Ｋ１部、Ｌ
１部において、Ｊ１部、Ｌ１部、Ｋ１部の順でボールバ
ンプ２と基板電極５との間隔が大きくなっている。
る実装前にあっては、基板電極５の高さのばらつきが大
きい（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバン
プ２と基板電極５を一対として示すＪ１部、Ｋ１部、Ｌ
１部において、Ｊ１部、Ｌ１部、Ｋ１部の順でボールバ
ンプ２と基板電極５との間隔が大きくなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようにボールバン
プ２と基板電極５との間隔にばらつきがあると、実装荷
重が弱い場合には、図５のＪ１部に対応する図６のＪ２
部に示すように、導電粒子４が良好な潰れ量（実験結果
からすると、初期状態比約６０％）になっている。これ
に対して、その他の箇所ではばらつきを吸収できるだけ
の荷重が印加されないため、図５のＫ１部に対応する図
６のＫ２部に示すように、導電粒子４が全くボールバン
プ２と基板電極５とに潰されていない状態、あるいは図
５のＬ１部に対応する図６のＬ２部に示すように、導電
粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰され
ているか、潰されず点で接触している状態になってい
る。この様な状態では、Ｊ２部では導電粒子４が良好な
潰れ量になっているため接触抵抗値が安定しているが、
Ｋ２部やＬ２部では導電粒子４とボールバンプ２、導電
粒子４と基板電極５との電気的接触が不安定になって接
触抵抗値が不安定となり、またそのばらつきも大きくな
る。さらに、この状態で熱ストレス等をかけると、電気
的接触が不安定なＫ２部やＬ２部では導通不良等の問題
を引き起こす。
プ２と基板電極５との間隔にばらつきがあると、実装荷
重が弱い場合には、図５のＪ１部に対応する図６のＪ２
部に示すように、導電粒子４が良好な潰れ量（実験結果
からすると、初期状態比約６０％）になっている。これ
に対して、その他の箇所ではばらつきを吸収できるだけ
の荷重が印加されないため、図５のＫ１部に対応する図
６のＫ２部に示すように、導電粒子４が全くボールバン
プ２と基板電極５とに潰されていない状態、あるいは図
５のＬ１部に対応する図６のＬ２部に示すように、導電
粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰され
ているか、潰されず点で接触している状態になってい
る。この様な状態では、Ｊ２部では導電粒子４が良好な
潰れ量になっているため接触抵抗値が安定しているが、
Ｋ２部やＬ２部では導電粒子４とボールバンプ２、導電
粒子４と基板電極５との電気的接触が不安定になって接
触抵抗値が不安定となり、またそのばらつきも大きくな
る。さらに、この状態で熱ストレス等をかけると、電気
的接触が不安定なＫ２部やＬ２部では導通不良等の問題
を引き起こす。
【０００８】これに対して、図７に示すように、過大な
荷重を印加すると、図５のＫ１部に対応する図７のＫ３
部、あるいは図５のＬ１部に対応する図７のＬ３部に示
すように、Ｋ３部やＬ３部では導電粒子４が良好な潰れ
量になるが、図６において良好な潰れ量となっていた図
５のＪ１部に対応する図７のＪ３部はさらに潰されるた
め、図８に示すように、めっき部４ｂにクラック１２が
入り、電気的導通を取ることができなくなるといった問
題を引き起こす。
荷重を印加すると、図５のＫ１部に対応する図７のＫ３
部、あるいは図５のＬ１部に対応する図７のＬ３部に示
すように、Ｋ３部やＬ３部では導電粒子４が良好な潰れ
量になるが、図６において良好な潰れ量となっていた図
５のＪ１部に対応する図７のＪ３部はさらに潰されるた
め、図８に示すように、めっき部４ｂにクラック１２が
入り、電気的導通を取ることができなくなるといった問
題を引き起こす。
【０００９】そこで、本発明は、安定した電気的接触を
図ることのできる実装ユニットを提供することを目的と
する。
図ることのできる実装ユニットを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の実装ユニットは、バンプの形成された半導
体チップと、絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互
に連携して荷重の印加方向に対してのみ電気的導通を発
生させる多数の導電粒子が分散された異方導電性フィル
ムと、基板電極が形成され、異方導電性フィルムを介し
てバンプと基板電極とが電気的に接続された状態で半導
体チップが実装される実装基板とからなり、導電粒子の
弾性率と実装基板の弾性率は、印加された荷重が、導電
粒子を所定の潰れ量にする荷重と、導電粒子をその所定
の潰れ量以上にしないように実装基板を変形させる荷重
とに分散されるように設定され、また前記導電粒子は、
核となる樹脂部、この樹脂部の表面を覆う樹脂膜および
前記樹脂膜の表面に施された金属めっきからなるめっき
部とから構成された球体からなり、前記樹脂部の弾性
率、前記実装基板の弾性率、前記樹脂膜の弾性率の順に
弾性率が低く設定されている構成としたものである。
に、本発明の実装ユニットは、バンプの形成された半導
体チップと、絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互
に連携して荷重の印加方向に対してのみ電気的導通を発
生させる多数の導電粒子が分散された異方導電性フィル
ムと、基板電極が形成され、異方導電性フィルムを介し
てバンプと基板電極とが電気的に接続された状態で半導
体チップが実装される実装基板とからなり、導電粒子の
弾性率と実装基板の弾性率は、印加された荷重が、導電
粒子を所定の潰れ量にする荷重と、導電粒子をその所定
の潰れ量以上にしないように実装基板を変形させる荷重
とに分散されるように設定され、また前記導電粒子は、
核となる樹脂部、この樹脂部の表面を覆う樹脂膜および
前記樹脂膜の表面に施された金属めっきからなるめっき
部とから構成された球体からなり、前記樹脂部の弾性
率、前記実装基板の弾性率、前記樹脂膜の弾性率の順に
弾性率が低く設定されている構成としたものである。
【００１１】これにより、導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、バンプの形成された半導体チップと、絶縁性および
接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向
に対してのみ電気的導通を発生させる多数の導電粒子が
分散された異方導電性フィルムと、基板電極が形成さ
れ、異方導電性フィルムを介してバンプと基板電極とが
電気的に接続された状態で半導体チップが実装される実
装基板とからなり、導電粒子の弾性率と実装基板の弾性
率は、印加された荷重が、導電粒子を所定の潰れ量にす
る荷重と、導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないよ
うに実装基板を変形させる荷重とに分散されるように設
定され、また前記導電粒子は、核となる樹脂部、この樹
脂部の表面を覆う樹脂膜および前記樹脂膜の表面に施さ
れた金属めっきからなるめっき部とから構成された球体
からなり、前記樹脂部の弾性率、前記実装基板の弾性
率、前記樹脂膜の弾性率の順に弾性率が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。また導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。
は、バンプの形成された半導体チップと、絶縁性および
接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向
に対してのみ電気的導通を発生させる多数の導電粒子が
分散された異方導電性フィルムと、基板電極が形成さ
れ、異方導電性フィルムを介してバンプと基板電極とが
電気的に接続された状態で半導体チップが実装される実
装基板とからなり、導電粒子の弾性率と実装基板の弾性
率は、印加された荷重が、導電粒子を所定の潰れ量にす
る荷重と、導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないよ
うに実装基板を変形させる荷重とに分散されるように設
定され、また前記導電粒子は、核となる樹脂部、この樹
脂部の表面を覆う樹脂膜および前記樹脂膜の表面に施さ
れた金属めっきからなるめっき部とから構成された球体
からなり、前記樹脂部の弾性率、前記実装基板の弾性
率、前記樹脂膜の弾性率の順に弾性率が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。また導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。
【００１３】
【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、異方導電性フィルムの樹脂中に
は、導電粒子および実装基板よりも高い弾性率を有し、
導電粒子の設定された潰れ量後の径と同じ径とされた非
導電性の潰れ量制御粒子が分散されていることを特徴と
する実装ユニットであり、導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。
１記載の発明において、異方導電性フィルムの樹脂中に
は、導電粒子および実装基板よりも高い弾性率を有し、
導電粒子の設定された潰れ量後の径と同じ径とされた非
導電性の潰れ量制御粒子が分散されていることを特徴と
する実装ユニットであり、導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。
【００１５】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２記載の発明において、導電粒子が潰れ量制御粒子と同
等以上となる配合比率とされていることを特徴とする実
装ユニットであり、潰れ量制御粒子のみがバンプと基板
電極との間に存在して電気的な導通がとれなくなるとい
った事態が未然に防止されるという作用を有する。
２記載の発明において、導電粒子が潰れ量制御粒子と同
等以上となる配合比率とされていることを特徴とする実
装ユニットであり、潰れ量制御粒子のみがバンプと基板
電極との間に存在して電気的な導通がとれなくなるとい
った事態が未然に防止されるという作用を有する。
【００１６】本発明の請求項４に記載の発明は、バンプ
の形成された半導体チップと、絶縁性および接着性を有
する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向に対しての
み電気的導通を発生させる多数の導電粒子が分散された
異方導電性フィルムと、基板電極が形成され、前記異方
導電性フィルムを介して前記バンプと前記基板電極とが
電気的に接続された状態で前記半導体チップが実装され
る実装基板とからなり、前記導電粒子の弾性率と実装基
板の弾性率は、印加された荷重が、前記導電粒子を所定
の潰れ量にする荷重と、前記導電粒子をその所定の潰れ
量以上にしないように実装基板を変形させる荷重とに分
散されるように設定され、且つ導電粒子は、核となる樹
脂部とこの樹脂部の表面に施された金属めっきからなる
めっき部とから構成された楕円球状体からなり、樹脂部
の弾性率よりも実装基板の弾性率の方が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。
の形成された半導体チップと、絶縁性および接着性を有
する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向に対しての
み電気的導通を発生させる多数の導電粒子が分散された
異方導電性フィルムと、基板電極が形成され、前記異方
導電性フィルムを介して前記バンプと前記基板電極とが
電気的に接続された状態で前記半導体チップが実装され
る実装基板とからなり、前記導電粒子の弾性率と実装基
板の弾性率は、印加された荷重が、前記導電粒子を所定
の潰れ量にする荷重と、前記導電粒子をその所定の潰れ
量以上にしないように実装基板を変形させる荷重とに分
散されるように設定され、且つ導電粒子は、核となる樹
脂部とこの樹脂部の表面に施された金属めっきからなる
めっき部とから構成された楕円球状体からなり、樹脂部
の弾性率よりも実装基板の弾性率の方が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。
【００１７】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図４を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。
から図４を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。
【００１８】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図１（ａ）は実装前の状態を、図１（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図１（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
形態におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図１（ａ）は実装前の状態を、図１（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図１（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
【００１９】図１において、ＡＣＦ３は、半導体チップ
１とプリント基板（実装基板）６という２つの接続対象
部材間を電気的および機械的に接続するもので、絶縁性
および接着性を有するたとえばエポキシ系の樹脂３ａ中
に球体の多数の導電粒子４が分散されたものからなる。
１とプリント基板（実装基板）６という２つの接続対象
部材間を電気的および機械的に接続するもので、絶縁性
および接着性を有するたとえばエポキシ系の樹脂３ａ中
に球体の多数の導電粒子４が分散されたものからなる。
【００２０】導電粒子４は、核をなす樹脂部４ａと、こ
の樹脂部４ａの表面に施された金属めっきからなるメッ
キ部４ｂとから構成されている。ここで、めっき部４ｂ
のめっき金属としては金やＮｉ等が望ましい。さらに、
めっき部４ｂの表面には、他の導電粒子４とのショート
を避けるために絶縁膜を施すのが望ましい。なお、樹脂
３ａはエポキシ系のものに限定されるものではなく、さ
らに熱硬化性、熱可塑性の樹脂でもよい。また、一方の
接合対象である半導体チップ１にはボールバンプ（バン
プ）２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。
の樹脂部４ａの表面に施された金属めっきからなるメッ
キ部４ｂとから構成されている。ここで、めっき部４ｂ
のめっき金属としては金やＮｉ等が望ましい。さらに、
めっき部４ｂの表面には、他の導電粒子４とのショート
を避けるために絶縁膜を施すのが望ましい。なお、樹脂
３ａはエポキシ系のものに限定されるものではなく、さ
らに熱硬化性、熱可塑性の樹脂でもよい。また、一方の
接合対象である半導体チップ１にはボールバンプ（バン
プ）２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。
【００２１】ここで、ボールバンプ２の材質としては金
やアルミ等を用いることができるが、ＡＣＦ接合では特
に金が好ましい。なお、半導体チップ１には、ボールバ
ンプ２ではなく、めっきによるバンプが形成されていて
もよい。また、プリント基板６の基材は感光性のエポキ
シ樹脂やガラス繊維の含浸されたエポキシ樹脂等を用い
ることができる。そして、基板電極５は、たとえば金め
っきによる表面処理が施された銅により形成されている
のが好ましい。
やアルミ等を用いることができるが、ＡＣＦ接合では特
に金が好ましい。なお、半導体チップ１には、ボールバ
ンプ２ではなく、めっきによるバンプが形成されていて
もよい。また、プリント基板６の基材は感光性のエポキ
シ樹脂やガラス繊維の含浸されたエポキシ樹脂等を用い
ることができる。そして、基板電極５は、たとえば金め
っきによる表面処理が施された銅により形成されている
のが好ましい。
【００２２】そして、半導体チップ１とプリント基板６
との間にＡＣＦ３を挟み、矢印で示すように、半導体チ
ップ１をプリント基板６方向に押圧して実装荷重を印加
すると、ＡＣＦ３によってボールバンプ２と基板電極５
とが電気的に接続されるとともに半導体チップ１とプリ
ント基板６とが接合される。
との間にＡＣＦ３を挟み、矢印で示すように、半導体チ
ップ１をプリント基板６方向に押圧して実装荷重を印加
すると、ＡＣＦ３によってボールバンプ２と基板電極５
とが電気的に接続されるとともに半導体チップ１とプリ
ント基板６とが接合される。
【００２３】ここで、図示するように、ＡＣＦ３による
実装前にあっては、基板電極５の高さばらつきが大きい
（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバンプ２
と基板電極５を一対として示すＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部
において、Ａ１部、Ｃ１部、Ｂ１部の順でボールバンプ
２と基板電極５との間隔が大きくなっている。そして、
何らの手当もなければ、前述のような問題が発生する。
実装前にあっては、基板電極５の高さばらつきが大きい
（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバンプ２
と基板電極５を一対として示すＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部
において、Ａ１部、Ｃ１部、Ｂ１部の順でボールバンプ
２と基板電極５との間隔が大きくなっている。そして、
何らの手当もなければ、前述のような問題が発生する。
【００２４】なお、図１（ａ）において、Ａ１部、Ｂ１
部、Ｃ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図１（ｂ）のＡ２部、Ｂ２
部、Ｃ２部は図１（ａ）のＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部に、
図１（ｃ）のＡ３部、Ｂ３部、Ｃ３部は図１（ｂ）のＡ
２部、Ｂ２部、Ｃ２部に対応している。
部、Ｃ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図１（ｂ）のＡ２部、Ｂ２
部、Ｃ２部は図１（ａ）のＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部に、
図１（ｃ）のＡ３部、Ｂ３部、Ｃ３部は図１（ｂ）のＡ
２部、Ｂ２部、Ｃ２部に対応している。
【００２５】本実施の形態において、導電粒子４の弾性
率とプリント基板６の弾性率は、ＡＣＦ実装時に印加さ
れた荷重が、導電粒子４を良好な潰れ量（実験結果から
すると、初期状態比約６０％）にする荷重と、導電粒子
４を前述した潰れ量以上にしないようにプリント基板６
を変形させる荷重とに分散するように設定されている。
なお、導電粒子の良好な潰れ量は必ずしも前述した数値
である必要はなく、導電粒子の構成材料などによって適
宜規定することができる。
率とプリント基板６の弾性率は、ＡＣＦ実装時に印加さ
れた荷重が、導電粒子４を良好な潰れ量（実験結果から
すると、初期状態比約６０％）にする荷重と、導電粒子
４を前述した潰れ量以上にしないようにプリント基板６
を変形させる荷重とに分散するように設定されている。
なお、導電粒子の良好な潰れ量は必ずしも前述した数値
である必要はなく、導電粒子の構成材料などによって適
宜規定することができる。
【００２６】ここで、弾性率には温度依存性があるた
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に導電粒子４が良好な潰れ量になる荷重と、プリ
ント基板６を変形させる荷重とに分散するように、導電
粒子４の弾性率とプリント基板６の弾性率とが配されて
いる。但し、実装温度は自由に設定できるものであるか
ら、特定の実装温度に対してだけではなく、様々な実装
温度に対しても同様の荷重分散となるように、導電粒子
４およびプリント基板６の弾性率の温度依存性を設定、
調整することが望ましい。
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に導電粒子４が良好な潰れ量になる荷重と、プリ
ント基板６を変形させる荷重とに分散するように、導電
粒子４の弾性率とプリント基板６の弾性率とが配されて
いる。但し、実装温度は自由に設定できるものであるか
ら、特定の実装温度に対してだけではなく、様々な実装
温度に対しても同様の荷重分散となるように、導電粒子
４およびプリント基板６の弾性率の温度依存性を設定、
調整することが望ましい。
【００２７】このように導電粒子４の弾性率とプリント
基板６の弾性率とを設定することにより、荷重印加途中
では図１（ｂ）のＡ２部に示すように、図１（ａ）のＡ
１部に位置する導電粒子４がまず最初に良好な潰れ量に
なり、その他の箇所では、Ｂ２部に示すように導電粒子
４が全くボールバンプ２と基板電極５とに潰されていな
い状態になったり、あるいはＣ２部に示すように導電粒
子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰されて
いるか、潰されず点で接触している状態になっている。
基板６の弾性率とを設定することにより、荷重印加途中
では図１（ｂ）のＡ２部に示すように、図１（ａ）のＡ
１部に位置する導電粒子４がまず最初に良好な潰れ量に
なり、その他の箇所では、Ｂ２部に示すように導電粒子
４が全くボールバンプ２と基板電極５とに潰されていな
い状態になったり、あるいはＣ２部に示すように導電粒
子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰されて
いるか、潰されず点で接触している状態になっている。
【００２８】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図１（ｃ）に示すように、Ａ３部においては図
１（ｂ）のＡ２部の導電粒子４の潰れは良好な状態を保
ったままプリント基板６側が変形する。また、図１
（ａ）のＣ１部および図１（ａ）のＢ１部の順に図１
（ｂ）のＣ２部の状態からＣ３部の状態に、図１（ｂ）
のＢ２部の状態からＢ３部の状態にそれぞれ導電粒子４
が良好な潰れ量になる。
すると、図１（ｃ）に示すように、Ａ３部においては図
１（ｂ）のＡ２部の導電粒子４の潰れは良好な状態を保
ったままプリント基板６側が変形する。また、図１
（ａ）のＣ１部および図１（ａ）のＢ１部の順に図１
（ｂ）のＣ２部の状態からＣ３部の状態に、図１（ｂ）
のＢ２部の状態からＢ３部の状態にそれぞれ導電粒子４
が良好な潰れ量になる。
【００２９】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。
【００３０】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２におけるＡＣＦ中に分散された導電粒子を示す断面
図であり、図２（ａ）は荷重により潰れる前の導電粒子
を、図２（ｂ）は荷重により潰れた導電粒子をそれぞれ
示す。
態２におけるＡＣＦ中に分散された導電粒子を示す断面
図であり、図２（ａ）は荷重により潰れる前の導電粒子
を、図２（ｂ）は荷重により潰れた導電粒子をそれぞれ
示す。
【００３１】図示するように、本実施の形態の導電粒子
は、核をなす樹脂部７ａと、この樹脂部７ａの表面を覆
う樹脂膜７ｂと、樹脂膜７ｂの表面に施された金属めっ
きからなるめっき部７ｃとから構成されている。なお、
めっき部７ｃのめっき金属には種々のものを適用するこ
とができるが、金やＮｉなどが望ましい。さらに、めっ
き部７ｃの表面には、他の導電粒子７とのショートを避
けるための絶縁膜を成膜しておくのが非常に望ましい。
は、核をなす樹脂部７ａと、この樹脂部７ａの表面を覆
う樹脂膜７ｂと、樹脂膜７ｂの表面に施された金属めっ
きからなるめっき部７ｃとから構成されている。なお、
めっき部７ｃのめっき金属には種々のものを適用するこ
とができるが、金やＮｉなどが望ましい。さらに、めっ
き部７ｃの表面には、他の導電粒子７とのショートを避
けるための絶縁膜を成膜しておくのが非常に望ましい。
【００３２】ここで、本実施の形態においては、樹脂部
７ａの弾性率、プリント基板６の弾性率、樹脂膜７ｂの
弾性率の順に低くなっている。なお、弾性率には温度依
存性があるため、本実施の形態では、実装時の温度（た
とえば約１８０℃）で弾性率を基準にする。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、特定の実装温
度に対してだけではなく、様々な実装温度に対しても同
様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を設
定、調整することができる。
７ａの弾性率、プリント基板６の弾性率、樹脂膜７ｂの
弾性率の順に低くなっている。なお、弾性率には温度依
存性があるため、本実施の形態では、実装時の温度（た
とえば約１８０℃）で弾性率を基準にする。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、特定の実装温
度に対してだけではなく、様々な実装温度に対しても同
様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を設
定、調整することができる。
【００３３】ここで、一例として、潰れる前の導電粒子
７の径が５μｍ径場合、荷重印加後の潰れた部分の径が
３μｍになるようにする。これにより、導電粒子７に荷
重がかかった場合、弾性率の関係が、「樹脂部７ａ≫プ
リント基板６≫樹脂膜７ｂ」となっているため、樹脂部
７ａを覆う樹脂膜７ｂがまず最初に潰れる。次に、導電
粒子７の潰れ量を保持したまま、弾性率の高いプリント
基板６が変形する。そして、核をなす樹脂部７ａが潰れ
に対するストッパとなって導電粒子７の潰れすぎが防止
される。
７の径が５μｍ径場合、荷重印加後の潰れた部分の径が
３μｍになるようにする。これにより、導電粒子７に荷
重がかかった場合、弾性率の関係が、「樹脂部７ａ≫プ
リント基板６≫樹脂膜７ｂ」となっているため、樹脂部
７ａを覆う樹脂膜７ｂがまず最初に潰れる。次に、導電
粒子７の潰れ量を保持したまま、弾性率の高いプリント
基板６が変形する。そして、核をなす樹脂部７ａが潰れ
に対するストッパとなって導電粒子７の潰れすぎが防止
される。
【００３４】これにより、ボールバンプ２と基板電極５
との間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的
に接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ
量となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と
導電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電
粒子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他
の箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になっ
たり、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通
不良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつ
きが低減され、安定した電気的接触を図ることが可能に
なる。
との間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的
に接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ
量となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と
導電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電
粒子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他
の箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になっ
たり、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通
不良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつ
きが低減され、安定した電気的接触を図ることが可能に
なる。
【００３５】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図３（ａ）は実装前の状態を、図３（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図３（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
態３におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図３（ａ）は実装前の状態を、図３（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図３（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
【００３６】図３に示すように、本実施の形態のＡＣＦ
８においては、樹脂８ａ中に、導電粒子４の潰れ量を制
御する非導電性の潰れ量制御粒子９が分散されている。
この潰れ量制御粒子９は、導電粒子４やプリント基板６
の弾性率よりも高い弾性率を有している。
８においては、樹脂８ａ中に、導電粒子４の潰れ量を制
御する非導電性の潰れ量制御粒子９が分散されている。
この潰れ量制御粒子９は、導電粒子４やプリント基板６
の弾性率よりも高い弾性率を有している。
【００３７】なお、図３（ａ）において、Ｄ１部、Ｅ１
部、Ｆ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図３（ｂ）のＤ２部、Ｅ２
部、Ｆ２部は図３（ａ）のＤ１部、Ｅ１部、Ｆ１部に、
図３（ｃ）のＤ３部、Ｅ３部、Ｆ３部は図３（ｂ）のＤ
２部、Ｅ２部、Ｆ２部に対応している。
部、Ｆ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図３（ｂ）のＤ２部、Ｅ２
部、Ｆ２部は図３（ａ）のＤ１部、Ｅ１部、Ｆ１部に、
図３（ｃ）のＤ３部、Ｅ３部、Ｆ３部は図３（ｂ）のＤ
２部、Ｅ２部、Ｆ２部に対応している。
【００３８】ここで、弾性率には温度依存性があるた
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に非常に高い弾性率を示す材料が非導電性の潰れ
量制御粒子９の材料として用いられている。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、潰れ量制御粒
子９は、特定の実装温度に対してだけでなく、設定され
た実装温度に対して高い弾性率を示すように温度依存性
が設定、調整されているのがよい。
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に非常に高い弾性率を示す材料が非導電性の潰れ
量制御粒子９の材料として用いられている。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、潰れ量制御粒
子９は、特定の実装温度に対してだけでなく、設定され
た実装温度に対して高い弾性率を示すように温度依存性
が設定、調整されているのがよい。
【００３９】潰れ量制御粒子９の寸法は、導電粒子４が
所定の良好な潰れ量となる寸法に設定されている。たと
えば、前述のように潰れ量を初期状態比約６０％に設定
すると、一例として５μｍ径の導電粒子４を用いた場
合、非導電性の潰れ量制御粒子９の寸法は、導電粒子４
の潰れ量後の径と同じ約３μｍに設定される。また、潰
れ量制御粒子９のみがボールバンプ２と基板電極５との
間に存在して電気的な導通がとれなくなるといった問題
が起こらないように、導電粒子４が潰れ量制御粒子９と
同等以上となる配合比率とする。
所定の良好な潰れ量となる寸法に設定されている。たと
えば、前述のように潰れ量を初期状態比約６０％に設定
すると、一例として５μｍ径の導電粒子４を用いた場
合、非導電性の潰れ量制御粒子９の寸法は、導電粒子４
の潰れ量後の径と同じ約３μｍに設定される。また、潰
れ量制御粒子９のみがボールバンプ２と基板電極５との
間に存在して電気的な導通がとれなくなるといった問題
が起こらないように、導電粒子４が潰れ量制御粒子９と
同等以上となる配合比率とする。
【００４０】このようにＡＣＦ８の樹脂８ａ中に潰れ量
制御粒子９を分散した場合での実装フローを図３を参照
しながら説明する。
制御粒子９を分散した場合での実装フローを図３を参照
しながら説明する。
【００４１】図３（ａ）に示すように、実装前にあって
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｄ１部、Ｅ１部、Ｆ１部において、Ｄ１部、Ｆ１
部、Ｅ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このような間隔のばらつ
きにより、前述のような問題が発生する。
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｄ１部、Ｅ１部、Ｆ１部において、Ｄ１部、Ｆ１
部、Ｅ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このような間隔のばらつ
きにより、前述のような問題が発生する。
【００４２】ここで、本実施の形態においては、荷重を
印加する途中では、図３（ｂ）のＤ２部に示すように、
図３（ａ）のＤ１部に位置する導電粒子４がまず最初に
潰れていく。このとき、ＡＣＦ８の樹脂８ａ中に非導電
性の潰れ量制御粒子９が分散されているので、この潰れ
量制御粒子９がスペーサ代わりとなって導電粒子４は良
好な潰れ量になる。その他の箇所では、Ｅ２部に示すよ
うに導電粒子４が全くボールバンプ２と基板電極５とに
潰されていない状態になったり、あるいはＦ２部に示す
ように導電粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に
若干潰されているか、潰されず点で接触している状態に
なっている。
印加する途中では、図３（ｂ）のＤ２部に示すように、
図３（ａ）のＤ１部に位置する導電粒子４がまず最初に
潰れていく。このとき、ＡＣＦ８の樹脂８ａ中に非導電
性の潰れ量制御粒子９が分散されているので、この潰れ
量制御粒子９がスペーサ代わりとなって導電粒子４は良
好な潰れ量になる。その他の箇所では、Ｅ２部に示すよ
うに導電粒子４が全くボールバンプ２と基板電極５とに
潰されていない状態になったり、あるいはＦ２部に示す
ように導電粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に
若干潰されているか、潰されず点で接触している状態に
なっている。
【００４３】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図３（ｃ）に示すように、Ｄ３部においては図
３（ｂ）のＤ２部の導電粒子４の潰れは、潰れ量制御粒
子９がスペーサ代わりとなって良好な状態を保ったまま
プリント基板６側が変形する。また、図３（ａ）のＦ１
部および図３（ａ）のＥ１部の順に図３（ｂ）のＦ２部
の状態からＦ３部の状態に、図３（ｂ）のＥ２部の状態
からＥ３部の状態にそれぞれ導電粒子４が良好な潰れ量
になる。
すると、図３（ｃ）に示すように、Ｄ３部においては図
３（ｂ）のＤ２部の導電粒子４の潰れは、潰れ量制御粒
子９がスペーサ代わりとなって良好な状態を保ったまま
プリント基板６側が変形する。また、図３（ａ）のＦ１
部および図３（ａ）のＥ１部の順に図３（ｂ）のＦ２部
の状態からＦ３部の状態に、図３（ｂ）のＥ２部の状態
からＥ３部の状態にそれぞれ導電粒子４が良好な潰れ量
になる。
【００４４】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。
【００４５】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図４（ａ）は実装前の状態を、図４（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図４（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
態４におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図４（ａ）は実装前の状態を、図４（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図４（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。
【００４６】図４に示すように、本実施の形態のＡＣＦ
１０における導電粒子１１は、長軸に沿った断面形状が
楕円、短軸に沿った断面形状が円となる楕円球状体とな
っており、核をなす樹脂部１１ａと、この樹脂部１１ａ
の表面に施された金属めっきからなるめっき部１１ｂと
から構成されている。そして、この導電粒子１１の短軸
の寸法は、導電粒子１１が荷重により過大に潰れること
なく良好な接合状態が得られるよう予め設定された良好
な潰れ量となる寸法に設定されている。たとえば、一例
として５μｍ径の真円の導電粒子を潰した場合の良好な
潰れ量が初期状態比約６０％である場合に、その潰れ形
状は、長軸が約８．３μｍ、短軸が約３μｍとなるの
で、導電粒子１１の寸法は、このような潰れ後を想定し
た形状に前もって形成されている。
１０における導電粒子１１は、長軸に沿った断面形状が
楕円、短軸に沿った断面形状が円となる楕円球状体とな
っており、核をなす樹脂部１１ａと、この樹脂部１１ａ
の表面に施された金属めっきからなるめっき部１１ｂと
から構成されている。そして、この導電粒子１１の短軸
の寸法は、導電粒子１１が荷重により過大に潰れること
なく良好な接合状態が得られるよう予め設定された良好
な潰れ量となる寸法に設定されている。たとえば、一例
として５μｍ径の真円の導電粒子を潰した場合の良好な
潰れ量が初期状態比約６０％である場合に、その潰れ形
状は、長軸が約８．３μｍ、短軸が約３μｍとなるの
で、導電粒子１１の寸法は、このような潰れ後を想定し
た形状に前もって形成されている。
【００４７】また、導電粒子１１の弾性率よりもプリン
ト基板６の弾性率の方が非常に低く設定されている。な
お、弾性率には温度依存性があるため、本実施の形態で
は、実装温度（たとえば約１８０℃）時に導電粒子１１
が非常に高い弾性率を有するようになっている。但し、
実装温度は自由に設定できるものであるから、特定の実
装温度に対してだけではなく、様々な実装温度に対して
も同様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を
設定、調整することができる。
ト基板６の弾性率の方が非常に低く設定されている。な
お、弾性率には温度依存性があるため、本実施の形態で
は、実装温度（たとえば約１８０℃）時に導電粒子１１
が非常に高い弾性率を有するようになっている。但し、
実装温度は自由に設定できるものであるから、特定の実
装温度に対してだけではなく、様々な実装温度に対して
も同様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を
設定、調整することができる。
【００４８】めっき金属には種々のものを用いることが
できるが、金やＮｉ等が望ましい。さらに、めっき部１
１ｂの表面には、導電粒子４とのショートを避けるため
に絶縁膜を施すのが望ましい。
できるが、金やＮｉ等が望ましい。さらに、めっき部１
１ｂの表面には、導電粒子４とのショートを避けるため
に絶縁膜を施すのが望ましい。
【００４９】なお、図４（ａ）において、Ｇ１部、Ｈ１
部、Ｊ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図４（ｂ）のＧ２部、Ｈ２
部、Ｊ２部は図４（ａ）のＧ１部、Ｈ１部、Ｊ１部に、
図４（ｃ）のＧ３部、Ｈ３部、Ｊ３部は図４（ｂ）のＧ
２部、Ｈ２部、Ｊ２部に対応している。
部、Ｊ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図４（ｂ）のＧ２部、Ｈ２
部、Ｊ２部は図４（ａ）のＧ１部、Ｈ１部、Ｊ１部に、
図４（ｃ）のＧ３部、Ｈ３部、Ｊ３部は図４（ｂ）のＧ
２部、Ｈ２部、Ｊ２部に対応している。
【００５０】ＡＣＦ１０の樹脂１０ａ中に前述のような
導電粒子１１が分散された場合における実装フローを図
４を参照しながら説明する。
導電粒子１１が分散された場合における実装フローを図
４を参照しながら説明する。
【００５１】図４（ａ）に示すように、実装前にあって
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｇ１部、Ｈ１部、Ｊ１部において、Ｇ１部、Ｊ１
部、Ｈ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このようなばらつきによ
り、既に述べたような問題が発生する。
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｇ１部、Ｈ１部、Ｊ１部において、Ｇ１部、Ｊ１
部、Ｈ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このようなばらつきによ
り、既に述べたような問題が発生する。
【００５２】そこで、本実施の形態においては、前述の
ような導電粒子１１が用いられているので、荷重を印加
する途中では、図４（ｂ）のＧ２部に示すように、図４
（ａ）のＧ１部に位置する導電粒子１１がまず最初にボ
ールバンプ２と基板電極５との間に捕獲される。その他
の箇所では、Ｈ２部およびＪ２部に示すように、導電粒
子１１がボールバンプ２と基板電極５の間に僅かに接触
しているか、ほとんど接触していないかの状態になって
いる。
ような導電粒子１１が用いられているので、荷重を印加
する途中では、図４（ｂ）のＧ２部に示すように、図４
（ａ）のＧ１部に位置する導電粒子１１がまず最初にボ
ールバンプ２と基板電極５との間に捕獲される。その他
の箇所では、Ｈ２部およびＪ２部に示すように、導電粒
子１１がボールバンプ２と基板電極５の間に僅かに接触
しているか、ほとんど接触していないかの状態になって
いる。
【００５３】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図４（ｃ）に示すように、Ｇ３部においては図
４（ｂ）のＧ２部の接合状態を保ったままプリント基板
６側が変形する。また、図４（ａ）のＨ１部および図４
（ａ）のＨ１部の順に図４（ｂ）のＪ２部の状態からＪ
３部の状態に、図４（ｂ）のＨ２部の状態からＨ３部の
それぞれ導電粒子１１が捕獲される。
すると、図４（ｃ）に示すように、Ｇ３部においては図
４（ｂ）のＧ２部の接合状態を保ったままプリント基板
６側が変形する。また、図４（ａ）のＨ１部および図４
（ａ）のＨ１部の順に図４（ｂ）のＪ２部の状態からＪ
３部の状態に、図４（ｂ）のＨ２部の状態からＨ３部の
それぞれ導電粒子１１が捕獲される。
【００５４】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子１１が全ての箇所において捕獲され、
ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導電粒子４
の接触面積が安定化する。したがって、ボールバンプ２
と基板電極５と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子１１が全ての箇所において捕獲され、
ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導電粒子４
の接触面積が安定化する。したがって、ボールバンプ２
と基板電極５と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。
【００５５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、バンプ
と基板電極との間隔にばらつきがあっても、これらを相
互に電気的に接続する導電粒子によりバンプと導電粒
子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化するという
有効な効果が得られる。
と基板電極との間隔にばらつきがあっても、これらを相
互に電気的に接続する導電粒子によりバンプと導電粒
子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化するという
有効な効果が得られる。
【００５６】これにより、バンプと基板電極と接触抵抗
のばらつきが低減され、安定した電気的接触を図ること
が可能になるという有効な効果が得られる。
のばらつきが低減され、安定した電気的接触を図ること
が可能になるという有効な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図
装工程を連続して示す断面図
【図２】本発明の実施の形態２におけるＡＣＦ中に分散
された導電粒子を示す断面図
された導電粒子を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態３におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図
装工程を連続して示す断面図
【図４】本発明の実施の形態４におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図
装工程を連続して示す断面図
【図５】従来のＡＣＦ実装における実装前の状態を示す
断面図
断面図
【図６】ＡＣＦ実装において実装荷重が足りないときの
接合状態を示す断面図
接合状態を示す断面図
【図７】ＡＣＦ実装において電気的導通が図られる程度
の実装荷重が印加された接合状態を示す断面図
の実装荷重が印加された接合状態を示す断面図
【図８】過大な実行荷重により潰れた導電粒子を示す説
明図
明図
１ 半導体チップ
２ ボールバンプ（バンプ）
３ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ）
３ａ 樹脂
４ 導電粒子
４ａ 樹脂部
４ｂ めっき部
５ 基板電極
６ プリント基板（実装基板）
７ 導電粒子
７ａ 樹脂部
７ｂ 樹脂膜
７ｃ めっき部
８ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ）
８ａ 樹脂
９ 潰れ量制御粒子
１０ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ）
１０ａ 樹脂
１１ 導電粒子
１１ａ 樹脂部
１１ｂ めっき部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/92
H05K 1/18
Claims (4)
- 【請求項１】バンプの形成された半導体チップと、 絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷
重の印加方向に対してのみ電気的導通を発生させる多数
の導電粒子が分散された異方導電性フィルムと、 基板電極が形成され、前記異方導電性フィルムを介して
前記バンプと前記基板電極とが電気的に接続された状態
で前記半導体チップが実装される実装基板とからなり、 前記導電粒子の弾性率と実装基板の弾性率は、印加され
た荷重が、前記導電粒子を所定の潰れ量にする荷重と、
前記導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないように実
装基板を変形させる荷重とに分散されるように設定さ
れ、 また 前記導電粒子は、核となる樹脂部、この樹脂部の表
面を覆う樹脂膜および前記樹脂膜の表面に施された金属
めっきからなるめっき部とから構成された球体からな
り、 前記樹脂部の弾性率、前記実装基板の弾性率、前記樹脂
膜の弾性率の順に弾性率が低く設定されていることを特
徴とする実装ユニット。 - 【請求項２】前記異方導電性フィルムの樹脂中には、前
記導電粒子および前記実装基板よりも高い弾性率を有
し、前記導電粒子の設定された潰れ量後の径と同じ径と
された非導電性の潰れ量制御粒子が分散されていること
を特徴とする請求項１記載の実装ユニット。 - 【請求項３】前記導電粒子が潰れ量制御粒子と同等以上
となる配合比率とされていることを特徴とする請求項２
記載の実装ユニット。 - 【請求項４】バンプの形成された半導体チップと、 絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷
重の印加方向に対してのみ電気的導通を発生させる多数
の導電粒子が分散された異方導電性フィルムと、 基板電極が形成され、前記異方導電性フィルムを介して
前記バンプと前記基板電極とが電気的に接続された状態
で前記半導体チップが実装される実装基板とからなり、 前記導電粒子の弾性率と実装基板の弾性率は、印加され
た荷重が、前記導電粒子を所定の潰れ量にする荷重と、
前記導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないように実
装基板を変形させる荷重とに分散されるように設定さ
れ、 また 前記導電粒子は、核となる樹脂部とこの樹脂部の表
面に施された金属めっきからなるめっき部とから構成さ
れた楕円球状体からなり、 前記樹脂部の弾性率よりも前記実装基板の弾性率の方が
低く設定されていることを特徴とする実装ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12318798A JP3458707B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 実装ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12318798A JP3458707B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 実装ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317426A JPH11317426A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3458707B2 true JP3458707B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=14854352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12318798A Expired - Fee Related JP3458707B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 実装ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3458707B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11864437B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including anisotropic conductive film and method of manufacturing display device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075064A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Tdk Corp | 異方導電性フィルム及びその製造方法並びに異方導電性フィルムを用いた表示装置 |
| TW531868B (en) * | 2001-08-21 | 2003-05-11 | Au Optronics Corp | Soldering type anisotropic conductive film |
| FI20031201A (fi) * | 2003-08-26 | 2005-02-27 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli |
| WO2012056995A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | シャープ株式会社 | 回路モジュール、回路基板、回路デバイス、回路モジュールの製造方法 |
-
1998
- 1998-05-06 JP JP12318798A patent/JP3458707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11864437B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including anisotropic conductive film and method of manufacturing display device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11317426A (ja) | 1999-11-16 |
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