JP3449013B2 - 横波トランスデューサ - Google Patents
横波トランスデューサInfo
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- JP3449013B2 JP3449013B2 JP03265495A JP3265495A JP3449013B2 JP 3449013 B2 JP3449013 B2 JP 3449013B2 JP 03265495 A JP03265495 A JP 03265495A JP 3265495 A JP3265495 A JP 3265495A JP 3449013 B2 JP3449013 B2 JP 3449013B2
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- electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、横波トランスデューサ
に関し、例えば、水とガラスのような異なる部材の外側
から横波を射出し、該横波の反射波により境界面の位置
やガラス等の部材の厚みを測定するための横波トランス
デューサに関する。
に関し、例えば、水とガラスのような異なる部材の外側
から横波を射出し、該横波の反射波により境界面の位置
やガラス等の部材の厚みを測定するための横波トランス
デューサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上述したような用途において、３
００μｍ程度の波長の横波を照射するための横波トラン
スデューサが用いられている。この種の横波トランスデ
ューサの一例を、図１に示す。
００μｍ程度の波長の横波を照射するための横波トラン
スデューサが用いられている。この種の横波トランスデ
ューサの一例を、図１に示す。
【０００３】図１に示す横波トランスデューサ１は、横
波が伝搬するロッド２を有する。ロッド２の一方端面
に、電極３が形成されており、該電極３上に接着剤層４
を介してＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 または水晶などか
らなる単結晶層５が接着されている。単結晶層５上には
電極６が形成されている。また多結晶層５の裏側（接着
剤層４側）にも電極が形成されていることもある。
波が伝搬するロッド２を有する。ロッド２の一方端面
に、電極３が形成されており、該電極３上に接着剤層４
を介してＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 または水晶などか
らなる単結晶層５が接着されている。単結晶層５上には
電極６が形成されている。また多結晶層５の裏側（接着
剤層４側）にも電極が形成されていることもある。
【０００４】電極３，６間に交流電圧が印加され、単結
晶層５が励振され、それによって横波が発生する。発生
した横波は、ロッド２内をロッド２の長さ方向に沿って
伝搬し、ロッド２の他方端側から検出部位に与えられ
る。
晶層５が励振され、それによって横波が発生する。発生
した横波は、ロッド２内をロッド２の長さ方向に沿って
伝搬し、ロッド２の他方端側から検出部位に与えられ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の横波トランスデ
ューサ１では、単結晶層５を、接着剤層４を介して電極
３上に接着していた。従って、この接着剤層４が設けら
れている分だけ、横波に変換する効率が低下するという
欠点があった。
ューサ１では、単結晶層５を、接着剤層４を介して電極
３上に接着していた。従って、この接着剤層４が設けら
れている分だけ、横波に変換する効率が低下するという
欠点があった。
【０００６】本発明の目的は、より高い効率で横波を発
生し得る横波トランスデューサを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、支持体上において横波を発
生するためのＺｎＯ層を成膜することにより効率を高め
た横波トランスデューサを提供することにある。
生し得る横波トランスデューサを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、支持体上において横波を発
生するためのＺｎＯ層を成膜することにより効率を高め
た横波トランスデューサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】横波トランスデューサに
おいて横波への変換効率を高めるには、従来の横波トラ
ンスデューサ１における接着剤層４を省略し、横波を発
生させる圧電体層を直接電極上に形成すればよいと考え
られる。このような電極上にあるいは支持体上に直接成
膜し得る圧電材料として、ＺｎＯ膜の利用が考えられ
る。すなわち、ＺｎＯ膜は、スパッタリングなどの薄膜
形成法により形成面に直接成膜することができる。
おいて横波への変換効率を高めるには、従来の横波トラ
ンスデューサ１における接着剤層４を省略し、横波を発
生させる圧電体層を直接電極上に形成すればよいと考え
られる。このような電極上にあるいは支持体上に直接成
膜し得る圧電材料として、ＺｎＯ膜の利用が考えられ
る。すなわち、ＺｎＯ膜は、スパッタリングなどの薄膜
形成法により形成面に直接成膜することができる。
【０００８】しかしながら、横波トランスデューサを構
成するには、ＺｎＯ膜のｃ軸を形成面と平行とする必要
がある。すなわち、（１１０）配向もしくは（１００）
配向のＺｎＯ膜を形成しなければならない。
成するには、ＺｎＯ膜のｃ軸を形成面と平行とする必要
がある。すなわち、（１１０）配向もしくは（１００）
配向のＺｎＯ膜を形成しなければならない。
【０００９】ところが、例えばＲ面サファイアからなる
支持体上に、Ａｕなどからなる電極を形成した後に、該
電極上にＺｎＯ層を薄膜形成法により形成した場合、Ｚ
ｎＯ層のｃ軸は形成面と平行とはならない。すなわち、
ｃ軸が形成面と直交する方向に向いてしまう。従って、
単に、接着剤層４を省略し、電極３上にＺｎＯ膜を成膜
したとしても、横波トランスデューサを得ることはでき
ない。
支持体上に、Ａｕなどからなる電極を形成した後に、該
電極上にＺｎＯ層を薄膜形成法により形成した場合、Ｚ
ｎＯ層のｃ軸は形成面と平行とはならない。すなわち、
ｃ軸が形成面と直交する方向に向いてしまう。従って、
単に、接着剤層４を省略し、電極３上にＺｎＯ膜を成膜
したとしても、横波トランスデューサを得ることはでき
ない。
【００１０】本願発明は、上記のような問題に鑑み成さ
れたものである。すなわち、本発明の横波トランスデュ
ーサは、Ｒ面サファイアをロッドとし、横波の伝搬する
支持体と、前記支持体上にｃ軸が形成面と平行となるよ
うに形成されており、かつ電極として機能する低抵抗の
第１のＺｎＯ層と、前記第１のＺｎＯ層上において、ｃ
軸が形成面と平行となるように形成された高抵抗の第２
のＺｎＯ層とを備える、横波トランスデューサである。
れたものである。すなわち、本発明の横波トランスデュ
ーサは、Ｒ面サファイアをロッドとし、横波の伝搬する
支持体と、前記支持体上にｃ軸が形成面と平行となるよ
うに形成されており、かつ電極として機能する低抵抗の
第１のＺｎＯ層と、前記第１のＺｎＯ層上において、ｃ
軸が形成面と平行となるように形成された高抵抗の第２
のＺｎＯ層とを備える、横波トランスデューサである。
【００１１】本発明の横波トランスデューサでは、電極
として機能する低抵抗の第１のＺｎＯ層が（１１０）あ
るいは（１００）に配向したエピタキシャル膜であるた
め、第２のＺｎＯ層は、その上にｃ軸が形成面と平行と
なるように薄膜形成法により容易に形成され得る。すな
わち、第２のＺｎＯ層は、（１１０）配向もしくは（１
００）配向したエピタキシャル膜として形成される。
として機能する低抵抗の第１のＺｎＯ層が（１１０）あ
るいは（１００）に配向したエピタキシャル膜であるた
め、第２のＺｎＯ層は、その上にｃ軸が形成面と平行と
なるように薄膜形成法により容易に形成され得る。すな
わち、第２のＺｎＯ層は、（１１０）配向もしくは（１
００）配向したエピタキシャル膜として形成される。
【００１２】また、本発明の横波トランスデューサで
は、好ましくは、上記第１のＺｎＯ層上に電極が形成さ
れ、該電極と、電極として機能する低抵抗の第１のＺｎ
Ｏ層との間で交流電圧が印加されて、第２のＺｎＯ層が
励振され得る。
は、好ましくは、上記第１のＺｎＯ層上に電極が形成さ
れ、該電極と、電極として機能する低抵抗の第１のＺｎ
Ｏ層との間で交流電圧が印加されて、第２のＺｎＯ層が
励振され得る。
【００１３】もっとも、第２のＺｎＯ層上に形成される
電極は必ずしも必要ではなく、第２のＺｎＯ層上に電圧
を印加し得る適宜の手段を、使用に際して接触させても
よい。
電極は必ずしも必要ではなく、第２のＺｎＯ層上に電圧
を印加し得る適宜の手段を、使用に際して接触させても
よい。
【００１４】また、好ましくは、第２のＺｎＯ層上に形
成される電極は、第２のＺｎＯ層上において周囲にギャ
ップ領域を形成するように、第２のＺｎＯ層よりも小さ
な面積に形成される。それによって、第２のＺｎＯ層上
に形成された電極と、下方の第１のＺｎＯ層との短絡を
確実に防止することができる。
成される電極は、第２のＺｎＯ層上において周囲にギャ
ップ領域を形成するように、第２のＺｎＯ層よりも小さ
な面積に形成される。それによって、第２のＺｎＯ層上
に形成された電極と、下方の第１のＺｎＯ層との短絡を
確実に防止することができる。
【００１５】好ましくは、第２のＺｎＯ層は、第１のＺ
ｎＯ層上において、周囲に所定のギャップ領域を形成し
得るように、第１のＺｎＯ層よりもその面積が小さく形
成される。この構造では、上記ギャップ領域上にＡｕ、
Ａｌなどからなる電極を形成することができ、ギャップ
領域に形成された電極を外部と接続することにより、ギ
ャップ領域に形成された電極を介して第１のＺｎＯ層、
ひいては第２のＺｎＯ層に一方電位を与えることができ
る。
ｎＯ層上において、周囲に所定のギャップ領域を形成し
得るように、第１のＺｎＯ層よりもその面積が小さく形
成される。この構造では、上記ギャップ領域上にＡｕ、
Ａｌなどからなる電極を形成することができ、ギャップ
領域に形成された電極を外部と接続することにより、ギ
ャップ領域に形成された電極を介して第１のＺｎＯ層、
ひいては第２のＺｎＯ層に一方電位を与えることができ
る。
【００１６】なお、上記低抵抗の第１のＺｎＯ層の形成
は、例えば、Ｚｎメタルターゲットを用いたスパッタリ
ングに際し雰囲気ガスとして、例えばＡｒガスとＯ2 と
を含む混合ガスにおいてＡｒガスの割合を増加させて形
成することができる。また、別法として、ＺｎＯ成形体
にＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどをドープしたターゲットや、Ｚ
ｎＯにＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどの粉末を混合したターゲッ
トを用いてスパッタリングすることにより、低抵抗のＺ
ｎＯ層を形成することもできる。他方、高抵抗の第２の
ＺｎＯ層としては、Ｚｎ金属ターゲットあるいはＺｎＯ
粉末成形体を用いＡｒガス比を少なくして成膜すること
により、容易に構成することができる。
は、例えば、Ｚｎメタルターゲットを用いたスパッタリ
ングに際し雰囲気ガスとして、例えばＡｒガスとＯ2 と
を含む混合ガスにおいてＡｒガスの割合を増加させて形
成することができる。また、別法として、ＺｎＯ成形体
にＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどをドープしたターゲットや、Ｚ
ｎＯにＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどの粉末を混合したターゲッ
トを用いてスパッタリングすることにより、低抵抗のＺ
ｎＯ層を形成することもできる。他方、高抵抗の第２の
ＺｎＯ層としては、Ｚｎ金属ターゲットあるいはＺｎＯ
粉末成形体を用いＡｒガス比を少なくして成膜すること
により、容易に構成することができる。
【００１７】
【発明の作用及び効果】本発明の横波トランスデューサ
では、Ｒ面サファイアからなり、横波が伝搬する支持体
上において、低抵抗の第１のＺｎＯ層及び高抵抗のＺｎ
Ｏ層が形成されている。この第１，第２のＺｎＯ層は、
スパッタリング、ＣＶＤ等の薄膜形成法により容易に形
成することができる。
では、Ｒ面サファイアからなり、横波が伝搬する支持体
上において、低抵抗の第１のＺｎＯ層及び高抵抗のＺｎ
Ｏ層が形成されている。この第１，第２のＺｎＯ層は、
スパッタリング、ＣＶＤ等の薄膜形成法により容易に形
成することができる。
【００１８】しかも、上記低抵抗の第１のＺｎＯ層は、
薄膜形成法によりＲ面サファイアからなる支持体上に直
接形成した場合、そのｃ軸が形成面と平行なエピタキシ
ャル膜となる。従って、第１のＺｎＯ層上に形成された
第２のＺｎＯ層についても、下地となる第１のＺｎＯエ
ピタキシャル膜上に成膜されることになるため、第２の
ＺｎＯ層のｃ軸も形成面と平行なエピタキシャル膜とな
る。
薄膜形成法によりＲ面サファイアからなる支持体上に直
接形成した場合、そのｃ軸が形成面と平行なエピタキシ
ャル膜となる。従って、第１のＺｎＯ層上に形成された
第２のＺｎＯ層についても、下地となる第１のＺｎＯエ
ピタキシャル膜上に成膜されることになるため、第２の
ＺｎＯ層のｃ軸も形成面と平行なエピタキシャル膜とな
る。
【００１９】すなわち、本発明は、上記のように低抵抗
の第１のＺｎＯ層が、ｃ軸が形成面と平行となるように
形成されることにより、圧電体層として機能する高抵抗
の第２のＺｎＯ層のｃ軸を形成面と平行とすることを可
能とし、さらに、第１のＺｎＯ層を圧電体層として機能
する第２のＺｎＯ層に電圧を印加するための電極として
も利用することに特徴を有する。
の第１のＺｎＯ層が、ｃ軸が形成面と平行となるように
形成されることにより、圧電体層として機能する高抵抗
の第２のＺｎＯ層のｃ軸を形成面と平行とすることを可
能とし、さらに、第１のＺｎＯ層を圧電体層として機能
する第２のＺｎＯ層に電圧を印加するための電極として
も利用することに特徴を有する。
【００２０】本発明の横波トランスデューサでは、横波
を発生させるための第２のＺｎＯ層が、上記電極として
機能する第１のＺｎＯ層とともに、支持体上に直接成膜
されている。従って、従来の横波トランスデューサで必
要であった接着剤層４を省略し得るため、横波変換効率
の優れた横波トランスデューサを提供することができ
る。
を発生させるための第２のＺｎＯ層が、上記電極として
機能する第１のＺｎＯ層とともに、支持体上に直接成膜
されている。従って、従来の横波トランスデューサで必
要であった接着剤層４を省略し得るため、横波変換効率
の優れた横波トランスデューサを提供することができ
る。
【００２１】また、従来の横波トランスデューサ１で
は、横波を発生させる構成として、上記圧電単結晶層５
を用いていたため、該圧電単結晶の厚みを薄くすること
が困難であった。すなわち、従来の単結晶層５は、厚み
が３０〜５０μｍ程度までしか薄くすることができず、
従って、高周波化が難しいという問題もあった。これに
対して、本発明の横波トランスデューサでは、薄膜形成
法により形成され得る第２のＺｎＯ層の厚みを３０μｍ
以下に形成することも容易であり、従って高周波化に容
易に対応することができる。
は、横波を発生させる構成として、上記圧電単結晶層５
を用いていたため、該圧電単結晶の厚みを薄くすること
が困難であった。すなわち、従来の単結晶層５は、厚み
が３０〜５０μｍ程度までしか薄くすることができず、
従って、高周波化が難しいという問題もあった。これに
対して、本発明の横波トランスデューサでは、薄膜形成
法により形成され得る第２のＺｎＯ層の厚みを３０μｍ
以下に形成することも容易であり、従って高周波化に容
易に対応することができる。
【００２２】
【実施例の説明】図２は、本発明の一実施例に係る横波
トランスデューサを示す部分切欠断面図である。横波ト
ランスデューサ１１は、支持体としてのロッド１２を有
する。ロッド１２は、Ｒ面サファイアにより構成されて
おり、該ロッド１２内を図示の矢印Ａ方向に横波が伝搬
される。すなわち、横波は、ロッド１２の長さ方向、す
なわち後述の第２のＺｎＯ層に対して直交する方向に伝
搬する。
トランスデューサを示す部分切欠断面図である。横波ト
ランスデューサ１１は、支持体としてのロッド１２を有
する。ロッド１２は、Ｒ面サファイアにより構成されて
おり、該ロッド１２内を図示の矢印Ａ方向に横波が伝搬
される。すなわち、横波は、ロッド１２の長さ方向、す
なわち後述の第２のＺｎＯ層に対して直交する方向に伝
搬する。
【００２３】ロッド１２の一方端面に、電極として機能
する低抵抗の第１のＺｎＯ層１３が形成されている。第
１のＺｎＯ層は、スパッタリングなどの薄膜形成法によ
り形成されるが、電極として使用されるため、その比抵
抗は１〜１００Ω程度の範囲であることが必要である。
する低抵抗の第１のＺｎＯ層１３が形成されている。第
１のＺｎＯ層は、スパッタリングなどの薄膜形成法によ
り形成されるが、電極として使用されるため、その比抵
抗は１〜１００Ω程度の範囲であることが必要である。
【００２４】上記第１のＺｎＯ層１３は、本実施例で
は、０．１〜０．３μｍ程度の厚みに成膜されるが、こ
の厚みは特に限定されるものではない。上記第１のＺｎ
Ｏ層１３を上記のようなＲ面サファイアに成膜した場
合、第１のＺｎＯ層１３は、（１１０）配向のエピタキ
シャル膜となる。このようなＺｎＯ層１３は、スパッタ
リングに際し、Ａｒ及びＯ2 を含む雰囲気ガスとして、
Ａｒ／Ｏ2 の分圧比が９０／１０〜７０／３０程度のも
のを用い、かつＺｎ金属ターゲットを使用して形成する
ことができる。この場合、ＺｎＯ層１３の比抵抗ρは、
５０2 Ω−ｃｍ程度となり、ＺｎＯ層１３の膜厚は０．
１μｍであれば、その抵抗値は０．０００５Ωにしか過
ぎず、従って第１のＺｎＯ層１３が電極として機能する
ことがわかる。
は、０．１〜０．３μｍ程度の厚みに成膜されるが、こ
の厚みは特に限定されるものではない。上記第１のＺｎ
Ｏ層１３を上記のようなＲ面サファイアに成膜した場
合、第１のＺｎＯ層１３は、（１１０）配向のエピタキ
シャル膜となる。このようなＺｎＯ層１３は、スパッタ
リングに際し、Ａｒ及びＯ2 を含む雰囲気ガスとして、
Ａｒ／Ｏ2 の分圧比が９０／１０〜７０／３０程度のも
のを用い、かつＺｎ金属ターゲットを使用して形成する
ことができる。この場合、ＺｎＯ層１３の比抵抗ρは、
５０2 Ω−ｃｍ程度となり、ＺｎＯ層１３の膜厚は０．
１μｍであれば、その抵抗値は０．０００５Ωにしか過
ぎず、従って第１のＺｎＯ層１３が電極として機能する
ことがわかる。
【００２５】なお、低抵抗の第１のＺｎＯ層１３の形成
は、ＺｎＯ成形体にＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどをドープした
ターゲットを用いてもよく、それによってより一層低抵
抗のＺｎＯ層１３を形成し得る。
は、ＺｎＯ成形体にＡｌ、Ｉｎ、Ｔｌなどをドープした
ターゲットを用いてもよく、それによってより一層低抵
抗のＺｎＯ層１３を形成し得る。
【００２６】図３は、上述のようにして形成した第１の
ＺｎＯ層１３のＸ線回折結果を示し、θは２８．３°で
ある。図３から明らかなように、第１のＺｎＯ層１３が
（１１０）配向のエピタキシャル膜であることがわか
る。
ＺｎＯ層１３のＸ線回折結果を示し、θは２８．３°で
ある。図３から明らかなように、第１のＺｎＯ層１３が
（１１０）配向のエピタキシャル膜であることがわか
る。
【００２７】上記第１のＺｎＯ層１３上に、高抵抗の第
２のＺｎＯ層１４が形成されている。第２のＺｎＯ層１
４は、交流電圧を両面から印加されて横波を発生させる
ように振動する部分である。第２のＺｎＯ層１４の形成
は、スパッタリングに際し、Ａｒ／Ｏ2 分圧比を第１の
ＺｎＯ層１３を形成した場合よりも低くし、すなわちＯ
2 の量を増やすことにより同様にしてスパッタリングに
より形成することができる。この場合、下地がエピタキ
シャルＺｎＯ層１３であるため、第２のＺｎＯ層１４
も、下地の配向情報を得て、（１１０）配向のエピタキ
シャル膜となる。図４は、第２のＺｎＯ層１４のＸ線回
折結果を示す図である。図４から、第２のＺｎＯ層１４
が（１１０）配向のエピタキシャル膜であることがわか
る。
２のＺｎＯ層１４が形成されている。第２のＺｎＯ層１
４は、交流電圧を両面から印加されて横波を発生させる
ように振動する部分である。第２のＺｎＯ層１４の形成
は、スパッタリングに際し、Ａｒ／Ｏ2 分圧比を第１の
ＺｎＯ層１３を形成した場合よりも低くし、すなわちＯ
2 の量を増やすことにより同様にしてスパッタリングに
より形成することができる。この場合、下地がエピタキ
シャルＺｎＯ層１３であるため、第２のＺｎＯ層１４
も、下地の配向情報を得て、（１１０）配向のエピタキ
シャル膜となる。図４は、第２のＺｎＯ層１４のＸ線回
折結果を示す図である。図４から、第２のＺｎＯ層１４
が（１１０）配向のエピタキシャル膜であることがわか
る。
【００２８】上記のようにして形成されている第２のＺ
ｎＯ層１４は、第１のＺｎＯ層に対して電気的に高い抵
抗を示すが、この抵抗値は第１のＺｎＯ層１３よりも高
ければ特に限定されるものではなく、要するに、横波を
発生させる層として機能し得る限り特に限定されるもの
ではない。もっとも、通常は、第２のＺｎＯ層１４の比
抵抗は１０9 〜１０11Ω−ｃｍ程度となる。
ｎＯ層１４は、第１のＺｎＯ層に対して電気的に高い抵
抗を示すが、この抵抗値は第１のＺｎＯ層１３よりも高
ければ特に限定されるものではなく、要するに、横波を
発生させる層として機能し得る限り特に限定されるもの
ではない。もっとも、通常は、第２のＺｎＯ層１４の比
抵抗は１０9 〜１０11Ω−ｃｍ程度となる。
【００２９】本実施例の横波トランスデューサ１１で
は、上記第２のＺｎＯ層１４上に、電極１５が形成され
ている。電極１５は、Ａｕ、Ａｌなどをスパッタリン
グ、蒸着などの薄膜形成法により第２のＺｎＯ層１４上
に直接成膜することにより形成されている。
は、上記第２のＺｎＯ層１４上に、電極１５が形成され
ている。電極１５は、Ａｕ、Ａｌなどをスパッタリン
グ、蒸着などの薄膜形成法により第２のＺｎＯ層１４上
に直接成膜することにより形成されている。
【００３０】また、本実施例では、電極１５は、第２の
ＺｎＯ層１４上において周囲にギャップ領域Ｂを残すよ
うに、電極１５が第２のＺｎＯ層１４よりも小さな面積
を有するように形成されている。このギャップ領域Ｂ
は、電極１５と、電極として機能する第１のＺｎＯ層１
３との間の短絡を防止するために設けられている。
ＺｎＯ層１４上において周囲にギャップ領域Ｂを残すよ
うに、電極１５が第２のＺｎＯ層１４よりも小さな面積
を有するように形成されている。このギャップ領域Ｂ
は、電極１５と、電極として機能する第１のＺｎＯ層１
３との間の短絡を防止するために設けられている。
【００３１】なお、本実施例では、第２のＺｎＯ層１４
が、第１のＺｎＯ層１３よりも小さな面積を有するよう
に、第２のＺｎＯ層１４が第１のＺｎＯ層１３上におい
て部分的に形成されている。従って、第２のＺｎＯ層１
４の外側にギャップ領域が形成されており、該ギャップ
領域において、電極１６が第１のＺｎＯ層１３上に形成
されている。電極１６は、横波トランスデューサの第１
のＺｎＯ層１３を外部と電気的に接続することを容易と
するために、第１のＺｎＯ層１３上に形成されている。
電極１６は、ＡｕやＡｌなどの適宜の金属などにより構
成することができ、好ましくは、電極１５と同一の形成
構造により形成される。
が、第１のＺｎＯ層１３よりも小さな面積を有するよう
に、第２のＺｎＯ層１４が第１のＺｎＯ層１３上におい
て部分的に形成されている。従って、第２のＺｎＯ層１
４の外側にギャップ領域が形成されており、該ギャップ
領域において、電極１６が第１のＺｎＯ層１３上に形成
されている。電極１６は、横波トランスデューサの第１
のＺｎＯ層１３を外部と電気的に接続することを容易と
するために、第１のＺｎＯ層１３上に形成されている。
電極１６は、ＡｕやＡｌなどの適宜の金属などにより構
成することができ、好ましくは、電極１５と同一の形成
構造により形成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の横波トランスデューサを示す断面図。
【図２】本発明の一実施例に係る横波トランスデューサ
を説明するための部分切欠断面図。
を説明するための部分切欠断面図。
【図３】第１のＺｎＯ層のＸ線回折の結果を示す図。
【図４】第２のＺｎＯ層のＸ線回折の結果を示す図。
１１…横波トランスデューサ
１２…支持体としてのロッド
１３…第１のＺｎＯ層
１４…第２のＺｎＯ層
１５…電極
１６…電極
Ａ…横波が伝搬する方向
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04R 17/00 330
H04R 31/00 330
G01N 29/24
H03H 3/08
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｒ面サファイアからなり、横波の伝搬す
る支持体と、 前記支持体上においてｃ軸が形成面と平行となるように
形成されており、かつ電極として機能する低抵抗の第１
のＺｎＯ層と、 前記第１のＺｎＯ層上にｃ軸が形成面と平行となるよう
に形成された高抵抗の第２のＺｎＯ層とを備える、横波
トランスデューサ。 - 【請求項２】 前記第２のＺｎＯ層が、（１１０）配向
されている、請求項１に記載の横波トランスデューサ。 - 【請求項３】 前記第２のＺｎＯ層が、（１００）配向
されている、請求項１に記載の横波トランスデューサ。 - 【請求項４】 前記第２のＺｎＯ層上に形成された電極
をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜３の何れ
かに記載の横波トランスデューサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03265495A JP3449013B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 横波トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03265495A JP3449013B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 横波トランスデューサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08228398A JPH08228398A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3449013B2 true JP3449013B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=12364858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03265495A Expired - Fee Related JP3449013B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 横波トランスデューサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449013B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4887789B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2012-02-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電装置及びその製造方法 |
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-
1995
- 1995-02-21 JP JP03265495A patent/JP3449013B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH08228398A (ja) | 1996-09-03 |
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