JP3444794B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ピックアップ装
置、より詳細には、コンパクトディスク，レーザディス
ク等の再生専用型光ディスクの再生を行う光学的再生装
置または追記型，書き替え可能型等の光ディスクに記録
再生を行う光学的記録再生装置において使用される光ピ
ックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップ装置のトラッキングサー
ボ方式として、３ビーム法あるいは差動プッシュプル法
が知られている。図９は、３ビーム法を説明するための
模式図で、この３ビーム法は、コンパクトディスク，レ
ーザディスク等の光デイスク上のトラックにメインビー
ム（メインスポット）Ｓ１とその両側にサブビーム（サ
ブスポット）Ｓ２，Ｓ３を集光させ、このサブビーム
（サブスポット）Ｓ２，Ｓ３の光ディスク反射光を光検
出器Ｄ１，Ｄ２で検出してその差動信号（Ｄ１−Ｄ２）
をトラッキング信号とするものである。

【０００３】図１０は、差動プッシュプル法を説明する
ための模式図で、この差動プッシュプル法は、半導体レ
ーザ３１から出射した光はコリメートレンズ３２で平行
光に変換され、ビームスプリッタ３３を経て対物レンズ
３４にて光ディスク３５上に集光し、その反射光が２分
割光検出器３６に戻ってくる。このとき、２分割光検出
器３６からの信号の差動信号（Ｄ１′−Ｄ２′）をトラ
ッキング信号とするものである。

【０００４】この従来技術において、３ビーム法では、
トラッキング信号となるべきサブビーム（サブスポッ
ト）Ｓ２，Ｓ３の間隔が大きく開いている。このため、
光ディスクに情報が記録されていないところから、情報
が記録されている部分にいたるときのトラッキングを行
おうとした場合、サブビーム（サブスポット）Ｓ２とＳ
３の反射光の差が大きくなり光検出器Ｄ１，Ｄ２の差動
信号に対してトラッキングずれ信号以外の反射光量差と
の影響でトラッキングオフセットが発生する。

【０００５】また、差動プッシュプル法では、その原理
上、上記の問題は発生しないものの、光ディスク３５の
反射光の左右の光量分布の差を検出してトラッキング信
号としていることから、このトラッキングにおいて、対
物レンズ３４がラジアル方向に移動した場合、図１０
（Ａ）のように、光ディスク３５からの反射光の光軸が
ずれ２分割検出器３６の中心からビーム中心がずれる
（点線部分）ことになる。

【０００６】また、光ディスク３５面が傾いていた場合
には、図１０（Ｂ）のように、光ディスク３５からの反
射光が対物レンズ３４に対して傾いて戻ってくるため、
対物レンズ３４に対して反射光中心がずれる（点線部
分）。このように、いずれの場合も、トラッキングがあ
っているにもかかわらず、２分割光検出器Ｄ１′，Ｄ
２′からの差動信号（Ｄ１′−Ｄ２′）にオフセットが
発生し、うまくトラッキングができないという問題点が
あった。

【０００７】これらの問題点を解決するものに特願平９
−２０１９３９号として出願された発明がある。図１１
（Ａ）は、この従来発明の光ピックアップ装置を示す図
で、図中、１は半導体レーザ、２は第１の回折素子、
３′は第２の回折素子、４はビームスプリッタ、５はコ
リメートレンズ、６は対物レンズ、７は光磁気デイスク
（以下、デイスクという）である。半導体レーザ１から
出射された光は、第１の回折素子２により、ディスク７
上にメインスポットＳ１と２つのサブスポットＳ２，Ｓ
３を形成するために０次光と±１次光の３つの光に分離
され、その後、第２の回折素子３′を透過後コリメート
レンズ５により平行光に変換された後、ビームスプリッ
タ４を透過し、対物レンズ６よりディスク７上に第１の
回折素子２により生成された０次光によるメインスポッ
トＳ１と±１次光による２つのサブスポットＳ２，Ｓ３
を形成する。

【０００８】ディスク７からの反射光は、再び対物レン
ズ６により平行光となり、その一部の光はビームスプリ
ッタ４で反射してディスク７の信号を再生するための図
示しない検光子及び光を電気信号に変換する受光素子等
により形成される光磁気信号検出系によりディスク７に
記録された情報が再生される。

【０００９】一方、前記反射光は、ビームスプリッタ４
からコリメートレンズ５を透過し、第２の回折素子３′
によって回折され、受光素子１１〜１３により受光さ
れ、サーボ信号｛フォーカス誤差信号（ＦＥＳ）及びト
ラッキング信号（ＴＥＳ）｝が検出される。

【００１０】図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）の光ピック
アップ装置のディスク７上に形成される光スポットの位
置関係を示す図で、ディスク７上にメインスポットＳ１
とサブスポットＳ２，Ｓ３が対称に配置され、そのラジ
アル方向の間隔はトラックピッチの１／４（Ｐ／４）に
配置される。なお、ｌ（エル），ｇは、それぞれデイス
ク７に形成されたランド，グルーブである。

【００１１】図１２は、回折素子３′による回折光が受
光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの組み合わせからなる受光
素子１１，１２，１３のどの領域で受光されるかを説明
する図で、図１２（Ａ），図１２（Ｂ），図１２（Ｃ）
において、それぞれ回折素子３′は、領域２１′〜２
３′に３分割されており、それぞれの領域はディスクの
ラジアル方向に領域２１′と他の領域（２２′＋２
３′）に２分割され、更に分割された一方の領域がトラ
ック方向に領域２２′と２３′に２分割されている。

【００１２】図１２（Ａ）において、前記サブスポット
Ｓ２の回折素子３′上でのディスクの反射光による回折
パターンをＳ２′とすると、該回折パターンＳ２′の回
折素子３′による回折光のうち、領域２１′による回折
光は受光されず、領域２２′による回折光は受光素子１
１の分割された受光部Ｃにより検出され、領域２３′に
よる回折光は受光素子１３の分割された受光部Ｄにより
検出される。

【００１３】図１２（Ｂ）において、前記メインスポッ
トＳ１の回折素子３′上でのディスク７の反射光による
回折パターンをＳ１′とすると、該回折パターンＳ１′
の回折素子３′による回折光のうち、領域２１′による
回折光は、受光素子１２の受光部ＧとＨの分割線上に集
光され、領域２２′による回折光は受光素子１１の分割
された受光部Ｅにより検出され、領域２３′による回折
光は受光素子１３の分割された受光部Ｆにより検出され
る。

【００１４】図１２（Ｃ）において、前記サブスポット
Ｓ３の回折素子３′上でのディスクの反射光による回折
パターンをＳ３′とすると、該回折パターンＳ３′の回
折素子３′による回折光のうち領域２１′による回折光
は受光されず、領域２２′による回折光は受光素子１１
の分割された受光部Ａにより検出され、領域２３′によ
る回折光は受光素子１３の分割された受光部Ｂにより検
出される。

【００１５】このとき、受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，
Ｆ，Ｇ、Ｈの各出力をＡｓ，Ｂｓ，Ｃｓ，Ｄｓ，Ｅｓ，
Ｆｓ，Ｇｓ，Ｈｓとすると、サーボ信号（フォーカス誤
差信号（以下、ＦＥＳという）及びトラッキング信号
（以下、ＴＥＳという））は以下の演算式により求めら
れる。 ＦＥＳ＝Ｇｓ−Ｈｓ ＴＥＳ＝(Ｅｓ−Ｆｓ)−α{(Ａｓ−Ｂｓ)＋(Ｃｓ−Ｄｓ)} …（１） ここで、αは定数であり、メインスポットＳ１とサブス
ポットＳ２，Ｓ３の強度比を表わすために設定されるも
のである。

【００１６】図１３は、各信号波形を用いて前記サーボ
信号の検出原理を示す図である。図１３（Ａ），図１３
（Ｂ）に示すように、受光部の演算出力（Ａｓ−Ｂ
ｓ）、（Ｃｓ−Ｄｓ）、（Ｅｓ−Ｆｓ）は、トラックピ
ッチＰを１周期とするサイン波状の信号波形となり、信
号振幅は、｜（Ａｓ−Ｂｓ）｜＜｜（Ｃｓ−Ｄｓ）｜と
なっている。これは図１２において、図１２（Ａ）のサ
ブスポットの回折パターンＳ２′の方が図１２（Ｃ）の
サブスポットの回折パターンＳ３′より紙面上方向にシ
フトしているため、領域２２′，２３′で回折されるビ
ームの面積が、図１２（Ａ）の方が図１２（Ｃ）より大
きくなる。そのため、図１２（Ａ）の受光素子における
演算出力（Ｃｓ−Ｄｓ）の方が図１２（Ｃ）の受光素子
における演算出力（Ａｓ−Ｂｓ）より信号として大きく
なるものである。

【００１７】また、このときのそれぞれの信号は、光磁
気ディスクの傾きあるいは対物レンズのシフトにより回
折素子上のビームのスポット位置が変化することによる
同じオフセット成分（図１３（Ａ））が乗っている。

【００１８】このため、前記（１）式で示されるＴＥＳ
演算式の第２項にあたる ｛α（Ａｓ−Ｂｓ）＋α（Ｃｓ−Ｄｓ）｝ …（２） の演算において、 ｜α（Ａｓ−Ｂｓ）｜＜｜α（Ｃｓ−Ｄｓ）｜ となり、（２）式の演算結果は、Ｃｓ−Ｄｓ演算成分が
残留オフセットとして残る（図１３（Ｂ））。

【００１９】そのため、メインビームによるトラッキン
グオフセットの乗ったプッシュプル信号Ｅｓ−Ｆｓから
（２）式を差し引いた前記（１）式の演算ではディスク
の傾きあるいは対物レンズのシフトにより回折素子上の
ビームのスポット位置が変化することにより、オフセッ
ト成分を相殺できるものの、新たにＣｓ−Ｄｓ成分が残
留オフセットとして加わってしまうこととなる。

【００２０】その結果、図１３（Ｂ）のように、トラッ
ク誤差信号（ＴＥＳ）に残留オフセットが乗り、信号の
位相が正しい信号の位相に比べφだけずれてしまい、正
しくトラッキング制御ができないという問題点があっ
た。

【００２１】更に、図１２（Ａ），図１２（Ｃ）にある
ように、領域２１′で回折されるサブビームは受光素子
１２で受光せずロスしている。そのため、ＴＥＳ信号等
のサーボ信号検出に使う光量が少なく良好な信号が得に
くく信号品質が良くないという問題点もあった。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の実情
に鑑みてなされたもので、回折素子による１次回折光の
全てを受光素子で受光してサーボ信号を生成し、サーボ
信号にオフセットを乗せることなく良好なトラッキング
制御を行う光ピックアップ装置を提供するものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、光発
生手段と、該光発生手段から出射された光束をメインビ
ームと第１及び第２のサブビームとに分離させる第１の
回折素子と、前記分離した各ビームを記録媒体上のトラ
ックに集光させるレンズと、前記第１の回折素子と前記
記録媒体の間に設けられ、前記トラックに集光した各ビ
ームの反射光を回折させる第２の回折素子と、該第２の
回折素子によって回折された回折光を受光して電気信号
に変換する光検出器を備えた光ピックアップ装置におい
て、前記第２の回折素子は、前記トラックに平行な分割
線と前記トラックに垂直な分割線により分割された互い
に異なる少なくとも４つの格子パターンを有し、前記格
子パターンのうち前記トラックに平行な分割線に対して
前記光検出器側にある格子パターンで回折して前記光検
出器上を照射する位置と前記光発生手段との距離が、前
記格子パターンのうち前記トラックに平行な分割線に対
して前記光検出器と反対側にある格子パターンで回折し
て前記光検出器上を照射する位置と前記光発生手段との
距離に比べて小さくなるように配置され、前記光検出器
は、前記第２の回折素子により１次回折された回折光の
全てを受光し、前記メインビームのうち前記第２の回折
素子の前記トラックに平行な分割線により分割された少
なくとも２つの格子パターンからのそれぞれの回折光の
検出信号の差をＡ、前記第１のサブビームのうち前記第
２の回折素子の前記トラックに平行な分割線により分割
された２つの格子パターンからのそれぞれの回折光の検
出信号の差をＢ、前記第２のサブビームのうち前記第２
の回折素子の前記トラックに平行な分割線により分割さ
れた少なくとも２つの格子パターンからのそれぞれの回
折光の検出信号の差をＣとしたとき、Ａ−α（Ｂ＋Ｃ）
（αは定数）をトラッキング誤差信号とし、前記メイ
ンビームのうち前記第２の回折素子の前記トラックに垂
直な分割線により分割された格子パターンからの回折光
が合焦時に前記光検出器の受光素子の隣接した２つの受
光領域の分割線上に照射され、前記２つの受光領域から
の信号の差をフォーカス誤差信号とすることを特徴とす
るものである。

【００２４】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記光検出器は、前記メインビームの前記第２の回
折素子の格子パターンからの回折光の光検出器上照射位
置が、前記第１及び第２のサブビームのそれぞれの回折
光の光検出器上照射位置との間になるように配置される
ことを特徴とするものである。

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、前記光検出器は、前記メインビームのうち前記第２
の回折素子の前記トラックに平行な分割線により分割さ
れた少なくとも２つの格子パターンからのそれぞれの回
折光の光検出器上照射位置が、他の少なくとも２つの格
子パターンからのメインビームのそれぞれの回折光の光
検出器上照射位置と、前記第１及び第２のサブビームの
それぞれの回折光の光検出器上照射位置との間になるよ
うに配置されることを特徴とするものである。

【００３０】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、前記第２の回折素子は、前記メインビーム及び前記
第１及び第２のサブビームのうち前記第２の回折素子の
前記トラックに平行な分割線により分割された少なくと
も２つの格子パターンからのそれぞれの回折光の光軸と
他の少なくとも２つの格子パターンからの前記メインビ
ーム及び前記第１及び第２のサブビームのそれぞれの回
折光の光軸が前記光検出器上の照射位置までの光路中で
交差しないよう構成されることを特徴とする。

【００３１】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１（Ａ）は、本発
明の第１の実施例を説明するための光ピックアップ装置
の模式図で、図中、３は第２の回折素子、８はディスク
７の信号を再生するための検光子、９は受光素子（光検
出器）で、図１１と同じ構成部品には同じ参照番号を付
し説明を省略する。半導体レーザ１から出射された光
は、第１の回折素子２よりディスク７上にメインスポッ
トと２つのサブスポットを形成するために、０次光と±
１次光の３つの光に分離される。その後、第２の回折素
子３、ビームスプリッタ４を透過後、コリメートレンズ
５により平行光に変換され、対物レンズ６によりディス
ク７上に第１の回折素子２により生成された０次光によ
るメインスポットと±１次光による２つのサブスポット
を形成する。

【００３２】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の光ピックアッ
プ装置によりデイスク７に形成される光スポットの位置
関係を示す図で、Ｓ１は第１の回折素子２により生成さ
れる０次光によるメインスポット、Ｓ２，Ｓ３は±１次
光によるそれぞれサブスポットである。１つのランドｌ
とグルーブｇとはトラックピッチＰで構成され、光スポ
ットはラジアル方向に、トラックピッチの１／４（Ｐ／
４）に位置される。

【００３３】ディスク７に照射された光は、該ディスク
７で反射され、再び対物レンズ６により平行光となり、
コリメートレンズ５を透過し、一部の光はビームスプリ
ッタ４で反射してディスク７の信号を再生するための検
光子８及び光を電気信号に変換する受光素子９により形
成される光磁気信号検出系によりディスク７に記録され
た情報が再生される。

【００３４】一方、更にビームスプリッタ４を透過した
光は、回折素子３によって回折され、１次回折光が受光
素子１０により受光され、サーボ信号｛（フォーカス誤
差信号（ＦＥＳ）、トラッキング信号（ＴＥＳ））が検
出される。

【００３５】図２は、回折格子３上でのメインスポット
Ｓ１とサブスポットＳ２，Ｓ３の位置関係及び回折素子
３による回折光が受光素子１０のどの領域で受光される
かの対応関係を示す図で、回折素子３は、図２（Ａ），
図２（Ｂ），図２（Ｃ）に示すように、領域２１〜２４
に４分割されており、それぞれの領域にはディスクのラ
ジアル方向に領域（２１＋２２）と領域（２３＋２４）
に２分割され、さらに分割されたそれぞれの領域がトラ
ック方向に領域（２１＋２３）と領域（２２＋２４）に
２分割されている。

【００３６】図２（Ａ）において、サブスポットＳ２の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ２′とすると、該回折パターンＳ２′の回折素子３
による回折光のうち領域２１による回折光は受光素子１
０の分割された受光部Ｄにより検出され、領域２２によ
る回折光は受光素子１０の分割された受光部Ｂにより検
出され、領域２３による回折光は受光素子１０の分割さ
れた受光部Ｄにより検出され、領域２４による回折光は
受光素子１０の分割された受光部Ｂにより検出される。

【００３７】図２（Ｂ）において、メインスポットＳ１
の回折素子３上でのディスクの反射光による回折パター
ンをＳ１′とすると、該回折パターンＳ１′の回折素子
３による回折光のうち領域２１による回折光は、受光素
子１０の分割された受光部ＧとＨの分割線下部に集光さ
れ、領域２２による回折光は受光素子１０の分割された
受光部ＧとＨの分割線上部に集光され、領域２３による
回折光は受光素子１０の分割された受光部Ｆにより検出
され、領域２４による回折光は受光素子１０の分割され
た受光部Ｅにより検出される。

【００３８】図２（Ｃ）において、サブスポットＳ３の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ３′とすると、該回折パターンＳ３′の回折素子３
による回折光のうち領域２１による回折光は、受光素子
１０の分割された受光部Ｃにより検出され、領域２２に
よる回折光は受光素子１０の分割された受光部Ａにより
検出され、領域２３による回折光は受光素子１０の分割
された受光部Ｃにより検出され、領域２４による回折光
は受光素子１０の分割された受光部Ａにより検出され
る。

【００３９】このとき、サーボ信号は以下の演算式によ
り求められる。 ＦＥＳ＝Ｇｓ−Ｈｓ ＴＥＳ＝(Ｅｓ−Ｆｓ)−α{(Ｂｓ−Ｄｓ)＋(Ａｓ−Ｃｓ)} …（３） ここで、αは定数であり、メインスポットＳ１とサブス
ポットＳ２，Ｓ３の強度比を表わすために設定されるも
のである。

【００４０】このようなＴＥＳ検出方式によれば、図２
から分かるように、回折素子３におけるメインスポット
Ｓ１，サブスポットＳ２，Ｓ３の１次回折光は、全て受
光素子１０上に落ちる。従って、従来の３ビーム法ある
いは差動プッシュプル法で問題点とされたトラッキング
オフセットが改善され、更に従来に比べ２倍のビーム光
量を用いて信号生成ができるため、信号量も多く、安定
したサーボ信号を得ることができる。図６は、各信号波
形を用いて上記サーボ信号の検出原理を示す図で、各演
算出力（Ａｓ−Ｃｓ）、（Ｂｓ−Ｄｓ）、（Ｅｓ−Ｆ
ｓ）は、図１３（Ａ），図１３（Ｂ）に示すように、ト
ラックピッチＰを１周期とするサイン波状の信号波状と
なる。

【００４１】ここで、図２（Ａ）における領域２２，２
４から回折し、受光部Ｂに落ちるスポット面積と図２
（Ｃ）における領域２２，２４から回折し、受光部Ａに
落ちるスポット面積あるいは図２（Ａ）における領域２
１，２３から回折し、受光部Ｄに落ちるスポット面積と
図２（Ｃ）における領域２１，２３から回折し、受光部
Ｃに落ちるスポット面積は等しくなる。

【００４２】このため、前記（３）式のＴＥＳ演算式の
第２項において、（Ｂｓ−Ｄｓ）と（Ａｓ−Ｃｓ）は、
図６（Ａ）のように、逆位相でほぼ同じ信号振幅である
ため、 α{(Ｂｓ−Ｄｓ)＋(Ａｓ−Ｃｓ)} …（４） の演算結果はトラッキングオフセット成分のみが残る。

【００４３】そのため、図６（Ｂ）におけるメインビー
ムによるトラッキングオフセットの乗ったプッシュプル
信号（Ｅｓ−Ｆｓ）から（４）式を差し引いた前記
（３）式の演算ではトラッキングオフセット成分を完全
に相殺することができる。その結果、トラック誤差信号
にオフセットがなく、正しくトラッキング制御を行うこ
とができる。

【００４４】なお、実施例１では、ディスク７上の第１
の回折素子２により生成された０次光によるメインスポ
ットＳ１と±１次光による２つのサブスポットＳ２，Ｓ
３のラジアル方向の間隔は、トラックピッチの１／４
（Ｐ／４）でも、又は図７（Ａ）のようにトラックピッ
チの１／２（Ｐ／２）、又は図７（Ｂ）のようにトラッ
クピッチの３／２（３Ｐ／２）とトラックピッチ１／２
の奇数倍の間隔で照射した場合でも前記の構成と信号検
出系を使うことができる。図８に各信号波形を用いて上
記サーボ信号検出原理を示す。

【００４５】（Ａｓ−Ｃｓ）、（Ｂｓ−Ｄｓ）、（Ｅｓ
−Ｆｓ）は、図８（Ａ），図８（Ｂ）に示すように、ト
ラックピッチＰを１周期とするサイン波状の信号波形と
なる。このため、前記（３）式のＴＥＳ演算式の第２項
において、（Ｂｓ−Ｄｓ）と（Ａｓ−Ｃｓ）は、図１３
（Ａ）のように、同位相でかつ（Ｅｓ−Ｆｓ）波形と逆
位相でほぼ同じ信号振幅であるため、α｛（Ｂｓ−Ｄ
ｓ）＋（Ａｓ−Ｃｓ）｝の演算結果は（Ｅｓ−Ｆｓ）と
同位相のトラッキングオフセット成分と逆位相のプッシ
ュプル信号成分が残る。

【００４６】そのため、図８（Ｂ）におけるメインビー
ムによるトラッキングオフセットの乗ったプッシュプル
信号（Ｅｓ−Ｆｓ）から（４）式を差し引いた前記
（３）式の演算ではトラッキングオフセット成分を相殺
できプッシュプル信号が増幅される。

【００４７】このように、ディスク上でサブビームをメ
インビームに対しトラックピッチの１／２の奇数倍の間
隔で照射した場合でも、図２に示すように、回折素子３
におけるメインスポットＳ１，サブスポットＳ２，Ｓ３
の１次回折光が全て受光素子１０上に落ちる構成は変わ
らない。このため、従来の３ビーム法あるいは差動プッ
シュプル法での課題であるトラッキングオフセットが改
善され、従来に比べ２倍のビーム光量を用いて信号生成
ができるため、信号量も多く、安定したサーボ信号を得
ることができる効果も同様にある。

【００４８】また、回折素子３は実施例１のような構成
とした場合、受光素子から近い位置の領域ほど格子ピッ
チが小さくなる傾向にある。このとき、格子ピッチが小
さくなるとその作成が困難になる。また、回折素子を作
成する過程で素子をレリーフ型のもので実現しようとし
た場合、格子ピッチに合わせた溝をＲＩＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）で作製していくが、格子ピッチが
狭い部分は広い部分に比べて溝が浅くなる傾向にある。
このとき、回折素子の回折効率はこの溝の深さに依存し
ているため、格子ピッチが狭い領域と広い領域があると
その間に回折効率差が発生し、サーボ信号に悪影響を及
ぼす問題が発生する。

【００４９】このため、実施例１では、回折素子３の４
つの格子パターン２１〜２４のうち、記録媒体７上のト
ラックに平行な分割線に対して受光素子１０に近い側の
領域２１，２３からの回折光の受光素子１０の照射位置
を、記録媒体７上のトラックに平行な分割線に対して受
光素子１０から遠い側の領域２２，２４からの回折光の
受光素子１０の照射位置より回折素子３に近くし、回折
角（半導体レーザ１と第２の回折素子上の領域２１また
は２２を結ぶ線と、受光素子１０上の照射位置と第２の
回折素子上の領域２１または２２を結ぶ線とがなす角）
が緩くなるように設計している。このため、回折素子３
の領域２１，２３の格子ピッチが比較的大きくなり、領
域２２，２４の格子ピッチ並に緩和できる。これによ
り、回折素子の作成が容易になるとともに、各領域間に
回折効率差の少ない回折素子が実現でき良好なサーボ信
号が得られる。

【００５０】次に、フォーカスエラー信号（ＦＥＳ）の
検出原理について説明する。図３は、フォーカスエラー
信号（ＦＥＳ）の検出原理を説明する図で、まず、ディ
スク上でビーム焦点が合っている場合、図３（Ａ）に示
すように、受光部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ上で
はビームはそれぞれ１点に集光している。このとき、Ｆ
ＥＳ＝Ｇｓ−Ｈｓ＝０となる。

【００５１】ディスク７がビームの合焦位置より近い位
置（near）にあるとき、図３（Ｂ）に示すように、受光
部Ａ〜Ｈ上ではビームはちょうど回折素子３の各回折領
域と相似な形で広がってくる。このため、受光部Ｈには
メインビームの回折光ｂ１，ｂ２，ｂ４が広がってきて
Ｈｓ信号量が増加しＦＥＳ＝Ｇｓ−ＨｓによりＦＥＳは
マイナス信号として増加する。

【００５２】ディスクがビームの合焦位置より遠い位置
（far）にあるとき、図３（Ｃ）に示すように、受光部
上ではビームはちょうど回折素子３の各回折領域と相似
な形が反転した形で広がってくる。このため、受光部Ｇ
にはメインビームの回折光ｂ１とｂ２，ｂ５が広がって
きてＧｓ信号量が増加しＦＥＳ＝ＧＳ−ＨｓによりＦＥ
Ｓはプラス信号として増加する。

【００５３】つまり、受光部Ｇ，Ｈ上にあるメインビー
ムの領域２２，２１の回折光ｂ１，ｂ２以外に、残りの
領域２４，２３からのメインビームの回折光ｂ５，ｂ４
を、受光素子上の回折光ｂ１，ｂ２とその外側にあるサ
ブビームの回折光ｂ３，ｂ６の間に照射するようにした
ため、メインビームの回折光ｂ１，ｂ２，ｂ４，ｂ５の
すべてがＦＥＳ信号演算に寄与するため、ＦＥＳ信号感
度は、特願平９−２０１９３９号の発明の場合より増加
し安定で信頼性の高いフォーカスサーボが実現できる。

【００５４】このように、実施例１の光ピックアップ装
置では、回折素子３のトラックに平行な分割線により分
割された領域２１，２３からの回折光と領域２２，２４
からの回折光を用いてオフセットのない信号品質の良い
トラッキング信号を生成し、回折素子３のトラックに垂
直な分割線により分割された領域２１，２２からの回折
光と領域２３，２４からの回折光を用いてトラッキング
信号の影響を受けず、オフセットのないフォーカスエラ
ー信号が生成できる。

【００５５】（実施例２）図４は、本発明の第２の実施
例を説明するための回折素子と受光素子の関係を表す模
式図であり、図中、１０′は受光素子（光検出器）であ
り、図１と同じ構成部品には同じ参照番号を付し説明を
省略する。図４（Ａ）において、回折素子３は、領域２
１〜２４に４分割されており、それぞれの領域はディス
クのラジアル方向に領域（２１＋２２）と領域（２３＋
２４）に２分割され、さらに分割されたそれぞれの領域
がトラック方向に領域（２１＋２３）と領域（２２＋２
４）に２分割されている。

【００５６】図４（Ａ）において、サブスポットＳ２の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ２′とすると、該回折パターンＳ２′の回折素子３
による回折光のうち領域２１による回折光は受光素子１
０′の分割された受光部Ｅにより検出され、領域２２に
よる回折光は受光素子１０′の分割された受光部Ｄによ
り検出され、領域２３による回折光は受光素子１０′の
分割された受光部Ａにより検出され、領域２４による回
折光は受光素子１０′の分割された受光部Ｊにより検出
される。

【００５７】図４（Ｂ）において、メインスポットＳ１
の回折素子３上でのディスクの反射光による回折パター
ンをＳ１′とすると、該回折パターンＳ１′の回折素子
３による回折光のうち領域２１による回折光は、受光素
子１０′の分割された受光部ＦとＧの分割線下部に集光
され、領域２２による回折光は受光素子１０′の分割さ
れた受光部ＦとＧの分割線上に集光され、領域２３によ
る回折光は受光素子１０′の分割された受光部Ｂにより
検出され、領域２４による回折光は受光素子１０′の分
割された受光部Ｋにより検出される。

【００５８】図４（Ｃ）において、サブスポットＳ３の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ３′とすると、該回折パターンＳ３′の回折素子３
による回折光のうち領域２１による回折光は、受光素子
１０′の分割された受光部Ｉにより検出され、領域２２
による回折光は受光素子１０′の分割された受光部Ｈに
より検出され、領域２３による回折光は受光素子１０′
の分割された受光部Ｃにより検出され、領域２４による
回折光は受光素子１０′の分割された受光部Ｌにより検
出される。

【００５９】このとき、サーボ信号は以下の演算式で求
められる。 ＦＥＳ＝Ｆｓ−Ｇｓ ＴＥＳ＝（Ｂｓ−Ｋｓ） −α[{(Ａｓ＋Ｅｓ)−(Ｄｓ＋Ｊｓ）｝ ＋{(Ｃｓ＋Ｉｓ)−(Ｈｓ＋Ｌｓ）｝］ …（５） ここで、αは定数であり、メインスポットＳ１とサブス
ポットＳ２，Ｓ３の強度比を表わすため設定されたもの
である。

【００６０】このようなＴＥＳ検出方式によれば、図４
に示すように、回折素子３におけるメインスポットＳ
１，サブスポットＳ２，Ｓ３の１次回折光は、全て受光
素子１０′上に落ちる。従って、従来の３ビーム法ある
いは差動プッシュプル法での課題であるトラッキングオ
フセットが改善されることになる。

【００６１】ここで、図４（Ａ）における領域２２，２
４から回折し、受光部Ｄ，Ｊに落ちるスポット面積と図
４（Ｃ）における領域２２，２４から回折し、受光部
Ｈ，Ｌに落ちるスポット面積あるいは図４（Ａ）におけ
る領域２１，２３から回折し、受光部Ｅ，Ａに落ちるス
ポット面積と図４（Ｃ）における領域２１，２３から回
折し、受光部Ｉ，Ｃに落ちるスポット面積は等しくな
る。

【００６２】このため、前記（５）式のＴＥＳ演算式の
第２項において、（Ａｓ＋Ｅｓ）−（Ｄｓ＋Ｊｓ）ある
いは（Ｃｓ＋Ｉｓ）−（Ｈｓ＋Ｌｓ）で，面積差による
オフセットは発生せず、 α[{（Ａｓ＋Ｅｓ)−(Ｄｓ＋Ｊｓ)}＋{(Ｃｓ＋Ｉｓ)−(Ｈｓ＋Ｌｓ)}] …（６） の演算結果は、トラッキングオフセット成分のみが残
る。

【００６３】そのため、メインビームによるトラッキン
グオフセットの乗ったプッシュプル信号（Ｂｓ−Ｋｓ）
から（６）式を差し引いた前記（５）式の演算ではトラ
ッキングオフセット成分を完全に相殺できる。その結
果、トラック誤差信号にオフセットがなく、正しくトラ
ッキング制御ができる。

【００６４】なお、実施例２では、ディスク７上の第１
の回折素子２により生成された０次光によるメインスポ
ットＳ１と±１次光による２つのサブスポットＳ２，Ｓ
３のラジアル方向の間隔はトラックピッチの１／４（Ｐ
／４）でも、又は図７（Ａ）のようにトラックピッチの
１／２（Ｐ／２）、又は図７（Ｂ）のようにトラックピ
ッチの３／２（３Ｐ／２）とトラックピッチの１／２の
奇数倍の間隔で照射した場合でも上記の構成と信号検出
系を使うことができる。

【００６５】そのため、このようなＴＥＳ検出方式で
は、従来の３ビーム法あるいは差動プッシュプル法での
課題であるトラッキングオフセットが改善され、従来に
比べ２倍のビーム光量を用いて信号生成ができるため、
信号量も多く、安定したサーボ信号を得ることができる
効果も同様にある。

【００６６】また、回折素子３は実施例２のような構成
とした場合、受光素子から近い位置の領域ほど格子ピッ
チが小さくなる傾向にある。このとき、格子ピッチが小
さくなるとその作製が困難になる。また、回折素子を作
成する過程で素子をレリーフ型のもので実現しようとし
た場合、格子ピッチにあわせた溝をＲＩＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）で作製していくが、格子ピッチが
狭い部分は広い部分に比べて溝が浅くなる傾向にある。
このとき、回折素子の回折効率はこの溝の深さに依存し
ているため、格子ピッチが狭い領域と広い領域があると
その間に回折効率差が発生し、サーボ信号に悪影響を及
ぼす問題が発生する。

【００６７】このため、実施例２では、回折素子３のう
ち受光素子１０に近い領域２１，２３からの回折光の受
光素子１０の照射位置を受光素子１０から遠い領域２
２，２４からの回折光の受光素子１０の照射位置より回
折素子に近くし、回折角が緩くなるように設計してい
る。このため、回折素子３の領域２１，２３の格子ピッ
チが比較的大きくなり、領域２２，２４の格子ピッチ並
に緩和できる。これにより、回折素子の作成が容易にな
るとともに、各領域間に回折効率差の少ない回折素子が
実現でき、良好なサーボ信号が得られる。

【００６８】（実施例３）図５は、本発明の第３の実施
例を説明するための回折素子と受光素子の関係を表す模
式図であり、図中、１０″は受光素子（光検出器）で、
図１と同じ構成部品には同じ参照番号を付し説明を省略
する。回折素子３は、図５（Ａ）に示すように、領域２
１〜２４に４分割されており、それぞれの領域はディス
クのラジアル方向に領域（２１＋２２）と領域（２３＋
２４）に２分割され、さらに分割されたそれぞれの領域
がトラック方向に領域（２１＋２３）と領域（２２＋２
４）に２分割されている。

【００６９】図５（Ａ）において、サブスポットＳ２の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ２′とすると、該回折パターンＳ２′の回折素子３
による回折光のうち、領域２１による回折光は受光素子
１０″の分割された受光部Ｅにより検出され、領域２２
による回折光は受光素子１０″の分割された受光部Ｄに
より検出され、領域２３による回折光は受光素子１０″
の分割された受光部Ａにより検出され、領域２４による
回折光は受光素子１０″に分割された受光部Ｊにより検
出される。

【００７０】図５（Ｂ）において、メインスポットＳ１
の回折素子３上でのディスク反射光による回折パターン
をＳ１′とすると、該回折パターンＳ１′の回折素子３
による回折光のうち、領域２１による回折光は受光素子
１０″の分割された受光部ＦとＧの分割線下部に集光さ
れ、領域２２による回折光は受光素子１０″の分割され
た受光部ＦとＧの分割線上部に集光され、領域２３によ
る回折光は受光素子１０″の分割された受光部Ｂにより
検出され、領域２４による回折光は受光素子１０″の分
割された受光部Ｋにより検出される。

【００７１】図５（Ｃ）において、サブスポットＳ３の
回折素子３上でのディスクの反射光による回折パターン
をＳ３′とすると、該回折パターンＳ３′の回折素子３
による回折光のうち領域２１による回折光は受光素子１
０″の分割された受光部Ｉにより検出され、領域２２に
よる回折光は受光素子１０″の分割された受光部Ｈによ
り検出され、領域２３による回折光は受光素子１０″の
分割された受光部Ｃにより検出され、領域２４による回
折光は受光素子１０″の分割された受光部Ｌにより検出
される。

【００７２】このとき、サーボ信号は以下の演算式で求
められる。 ＦＥＳ＝Ｆｓ−Ｇｓ ＴＥＳ＝（Ｂｓ−Ｋｓ） −α[{(Ａｓ＋Ｅｓ)−(Ｄｓ＋Ｊｓ）｝ ＋{(Ｃｓ＋Ｉｓ)−(Ｈｓ＋Ｌｓ）｝］ …（７） ただし、αは定数で、メインスポットＳ１とサブスポッ
トＳ２，Ｓ３の強度比をあらわすため設定されたもので
ある。

【００７３】このようなＴＥＳ検出方式よれば、図５に
示すように、回折素子３におけるメインスポットＳ１，
サブスポットＳ２，Ｓ３の１次回折光は、全て受光素子
１０″上に落ちる。従って、従来の３ビーム法あるいは
差動プッシュプル法での課題であるトラッキングオフセ
ットが改善される。

【００７４】ここで、図５（Ａ）における領域２２，２
４から回折し、受光部Ｄ，Ｊに落ちるスポット面積と、
図５（Ｃ）における領域２２，２４から回折し、受光部
Ｈ，Ｌに落ちるスポット面積あるいは図５（Ａ）におけ
る領域２１，２３から回折し、受光部Ｅ，Ａに落ちるス
ポット面積と、図５（Ｃ）における領域２１，２３から
回折し、受光部Ｉ，Ｃに落ちるスポット面積は等しくな
る。

【００７５】このため、前記（７）式のＴＥＳ演算式の
第２項において、（Ａｓ＋Ｅｓ）−（Ｄｓ＋Ｊｓ）ある
いは（Ｃｓ＋Ｉｓ）−（Ｈｓ＋Ｌｓ）で面積差によって
発生するオフセットは発生せず、 α[{(Ａｓ＋Ｅｓ)−(Ｄｓ＋Ｊｓ)}＋{(Ｃｓ＋Ｉｓ)−(Ｈｓ＋Ｌｓ）｝］ …（８） の演算結果はトラッキングオフセット成分のみが残る。

【００７６】そのため、メインビームによるトラッキン
グオフセットののったプッシュプル信号（Ｂｓ−Ｋｓ）
から（８）式を差し引いた前記（７）式の演算では、ト
ラッキングオフセット成分を完全に相殺できる。その結
果、トラック誤差信号にオフセットがなく、正しくトラ
ッキング制御ができる。

【００７７】なお、実施例３では、ディスク７上の第１
の回折素子２により生成された０次光によるメインスポ
ットＳ１と±１次光による２つのサブスポットＳ２，Ｓ
３のラジアル方向の間隔は、トラックピッチの１／４
（Ｐ／４）でも、又は図７（Ａ）のように、トラックピ
ッチの１／２（Ｐ／２）、又は図７（Ｂ）のようにトラ
ックピッチの３／２（３Ｐ／２）とトラックピッチの１
／２の奇数倍の間隔で照射した場合でも、前記の構成と
信号検出系を使うことができる。

【００７８】そのため、このようなＴＥＳ検出方式で
は、従来の３ビーム法あるいは差動プッシュプル法での
課題であるトラッキングオフセットが改善され、従来に
比べ２倍のビーム光量を用いて信号生成ができるため、
信号量も多く、安定したサーボ信号を得ることができる
効果も同様にある。

【００７９】また、回折素子３は実施例３のような構成
とした場合、受光素子から近い位置の領域ほど格子ピッ
チが小さくなる傾向にある。このとき、格子ピッチが小
さくなるとその作製が困難になる。また、回折素子を作
成する過程で素子をレリーフ型のもので実現しようとし
た場合、格子ピッチにあわせた溝をＲＩＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）で作製していくが、格子ピッチが
狭い部分は広い部分に比べて溝が浅くなる傾向にある。
このとき、回折素子の回折効率は、この溝の深さに依
存しているため、格子ピッチが狭い領域と広い領域があ
るとその間に回折効率差が発生し、サーボ信号に悪影響
を及ぼす問題が発生する。

【００８０】このため、実施例３では、回折素子３のう
ち受光素子１０″に近い領域２１，２３からの回折光の
受光素子１０″の照射位置を受光素子１０″から遠い領
域２２，２４からの回折光の受光素子１０″の照射位置
より回折素子に近くし、回折角が緩くなるように設計し
ている。このため、回折素子３の領域２１，２３の格子
ピッチが比較的大きくなり、領域２２，２４の格子ピッ
チ並に緩和できる。これにより、回折素子の作製が容易
になるとともに、各領域間に回折効率差の少ない回折素
子が実現でき、良好なサーボ信号が得られる。

【００８１】また、実施例３の受光部Ａ，Ｂ，Ｃと受光
部Ｊ，Ｋ，Ｌの配置は縦に並んで配列した結果、トラッ
クに平行な分割線により分割された２つの回折素子領域
２１，２２からの回折光と、他の２つの回折素子領域２
３，２４からの回折光は光検出器上照射位置までの光路
中交差しない構成となっているため、実施例２における
受光部Ａ，Ｂ，Ｃと受光部Ｊ，Ｋ，Ｌの配置に比べ横方
向は小さく配置でき、コンパクトな構成が実現できる。

【００８２】

【発明の効果】請求項１の発明に対応する効果：従来に
比べ２倍のビーム光量を用いて信号生成ができるため、
信号量も多く、安定したサーボ信号を得ることができ
る。また、回折素子３のトラックに平行な分割線により
分割された領域２１，２３からの回折光と領域２２，２
４からの回折光を用いてオフセットのない信号品質の良
いトラッキング信号を生成し、回折素子３のトラックに
垂直な分割線により分割された領域２１，２２からの回
折光と領域２３，２４からの回折光を用いてトラッキン
グ信号の影響を受けずオフセットのないフォーカスエラ
ー信号が生成できる。また、対物レンズが動いたり、デ
ィスクが傾いてもトラック誤差信号にオフセットがな
く、正しくトラッキング制御ができる。また、回折素子
の作成が容易になるとともに、各領域間に回折効率差の
少ない回折素子が実現でき、良好なサーボ信号が得られ
る。また、トラッキング信号の影響を受けずオフセット
のないフォーカスエラー信号が生成できる。

【００８３】請求項２に対応する効果：回折素子におけ
るメインスポット、第１、第２のサブスポットの１次回
折光は全て受光素子上に落ちるので、トラッキングオフ
セットが改善され、従来に比べ２倍のビーム光量を用い
て信号生成ができ、安定したサーボ信号を得ることがで
きる。

【００８４】

【００８５】

【００８６】

【００８７】請求項３の発明に対応する効果：メインビ
ームの全ての回折光がＦＥＳ信号の演算に寄与するた
め、ＦＥＳ信号感度は増加し、安定で信頼性の高いフォ
ーカスサーボが実現できる。

【００８８】請求項４の発明に対応する効果：受光素子
の幅方向が小さく配置でき、コンパクトなピックアップ
構成が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を説明するための光ピッ
クアップ装置の模式図である。

【図２】ディスク上の光スポットの位置関係、及び回折
光と受光領域との対応関係を示す図である。

【図３】本発明のフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）の検
出原理を説明する図である。

【図４】本発明の第２の実施例を説明するための回折素
子と受光素子の関係を表す模式図である。

【図５】本発明の第３の実施例を説明するための回折素
子と受光素子の関係を表す模式図である。

【図６】本発明の光ピックアップ装置におけるサーボ信
号の検出原理を示す図である。

【図７】本発明の光ピックアップ装置におけるディスク
上でのメインスポットとサブスポットの位置関係を示す
図である。

【図８】本発明の光ピックアップ装置におけるサーボ信
号の検出原理を示す図である。

【図９】従来の３ビーム法を説明するための模式図であ
る。

【図１０】従来の差動プッシュプル法を説明するための
模式図である。

【図１１】従来発明の光ピックアップ装置と光スポット
の関係を示す図である。

【図１２】従来発明の回折光と受光部の受光領域との関
係を示す図である。

【図１３】従来の光ピックアップ装置におけるサーボ信
号の検出原理を示す図である。

【符号の説明】

１…半導体レーザ、２…第１の回折素子、３，３′…第
２の回折素子、４…ビームスプリッタ、５…コリメート
レンズ、６…対物レンズ、７…光磁気デイスク、８…検
光子、９，１０，１０′，１０″，１１，１２，１３…
受光素子、２１，２２，２３，２４…受光領域、Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ…受光素
子の受光部、ｂ１，ｂ２，ｂ３，ｂ４，ｂ５，ｂ６…ビ
ーム回折光、Ｓ１…メインスポット、Ｓ２，Ｓ３…サブ
スポット、Ｓ１′…メインスポットの回折パターン、Ｓ
２′，Ｓ３′…サブスポットの回折パターン。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/09 - 7/22

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光発生手段と、該光発生手段から出射さ
   れた光束をメインビームと第１及び第２のサブビームと
   に分離させる第１の回折素子と、前記分離した各ビーム
   を記録媒体上のトラックに集光させるレンズと、前記第
   １の回折素子と前記記録媒体の間に設けられ、前記トラ
   ックに集光した各ビームの反射光を回折させる第２の回
   折素子と、該第２の回折素子によって回折された回折光
   を受光して電気信号に変換する光検出器を備えた光ピッ
   クアップ装置において、 前記第２の回折素子は、前記トラックに平行な分割線と
   前記トラックに垂直な分割線により分割された互いに異
   なる少なくとも４つの格子パターンを有し、前記格子パ
   ターンのうち前記トラックに平行な分割線に対して前記
   光検出器側にある格子パターンで回折して前記光検出器
   上を照射する位置と前記光発生手段との距離が、前記格
   子パターンのうち前記トラックに平行な分割線に対して
   前記光検出器と反対側にある格子パターンで回折して前
   記光検出器上を照射する位置と前記光発生手段との距離
   に比べて小さくなるように配置され、 前記光検出器は、前記第２の回折素子により１次回折さ
   れた回折光の全てを受光し、前記メインビームのうち前
   記第２の回折素子の前記トラックに平行な分割線により
   分割された少なくとも２つの格子パターンからのそれぞ
   れの回折光の検出信号の差をＡ、前記第１のサブビーム
   のうち前記第２の回折素子の前記トラックに平行な分割
   線により分割された２つの格子パターンからのそれぞれ
   の回折光の検出信号の差をＢ、前記第２のサブビームの
   うち前記第２の回折素子の前記トラックに平行な分割線
   により分割された少なくとも２つの格子パターンからの
   それぞれの回折光の検出信号の差をＣとしたとき、 Ａ−α（Ｂ＋Ｃ） （αは定数） をトラッキング誤差信号とし、前記メインビームのうち
   前記第２の回折素子の前記トラックに垂直な分割線によ
   り分割された格子パターンからの回折光が合焦時に前記
   光検出器の受光素子の隣接した２つの受光領域の分割線
   上に照射され、前記２つの受光領域からの信号の差をフ
   ォーカス誤差信号と することを特徴とする光ピックアッ
   プ装置。
2. 【請求項２】 前記光検出器は、前記メインビームの前
   記第２の回折素子の 格子パターンからの回折光の光検出
   器上照射位置が、前記第１及び第２のサブビームのそれ
   ぞれの回折光の光検出器上照射位置との間になるように
   配置されることを特徴とする請求項１に記載の光ピック
   アップ装置。
3. 【請求項３】 前記光検出器は、前記メインビームのう
   ち前記第２の回折素子の前記トラックに平行な分割線に
   より分割された少なくとも２つの格子パターンからのそ
   れぞれの回折光の光検出器上照射位置が、他の少なくと
   も２つの格子パターンからのメインビームのそれぞれの
   回折光の光検出器上照射位置と、前記第１及び第２のサ
   ブビームのそれぞれの回折光の光検出器上照射位置との
   間になるように配置されることを特徴とする請求項１に
   記載の光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】 前記第２の回折素子は、前記メインビー
   ム及び前記第１及び第２のサブビームのうち前記第２の
   回折素子の前記トラックに平行な分割線により分割され
   た少なくとも２つの格子パターンからのそれぞれの回折
   光の光軸と他の少なくとも２つの格子パターンからの前
   記メインビーム及び前記第１及び第２のサブビームのそ
   れぞれの回折光の光軸が前記光検出器上の照射位置まで
   の光路中で交差しないよう構成されることを特徴とする
   請求項１に記載の光ピックアップ装置。