JP3441425B2 - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JP3441425B2 JP3441425B2 JP2000222713A JP2000222713A JP3441425B2 JP 3441425 B2 JP3441425 B2 JP 3441425B2 JP 2000222713 A JP2000222713 A JP 2000222713A JP 2000222713 A JP2000222713 A JP 2000222713A JP 3441425 B2 JP3441425 B2 JP 3441425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- resin
- dielectric film
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体膜を備える
電子部品に関し、特にたとえばコンデンサに関する。
電子部品に関し、特にたとえばコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、コンデンサなどに用いられる
誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘
電体膜は、特公昭６３−３２９２９号、特開平１１−１
４７２７２号公報およびＵＳＰ５,１２５,１３８号に示
されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や
紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを硬化させることに
よって形成されている。
誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘
電体膜は、特公昭６３−３２９２９号、特開平１１−１
４７２７２号公報およびＵＳＰ５,１２５,１３８号に示
されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や
紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを硬化させることに
よって形成されている。
【０００３】上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマ
ーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表される
ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下
の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジア
クリレートなどが用いられてきた。
ーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表される
ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下
の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジア
クリレートなどが用いられてきた。
【０００４】
【化５】
【０００５】
【化６】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記樹
脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部
品は、特性が十分でないという問題があった。すなわ
ち、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘
電体膜を用いた電子部品は、高湿度下での特性が十分で
ないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モ
ノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品
は、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。
脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部
品は、特性が十分でないという問題があった。すなわ
ち、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘
電体膜を用いた電子部品は、高湿度下での特性が十分で
ないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モ
ノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品
は、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。
【０００７】上記問題を解決するため、本発明は、高湿
度下や高温度下においても優れた特性の電子部品を提供
することを目的とする。
度下や高温度下においても優れた特性の電子部品を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品であ
って、上記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノ
マーを含む薄膜を形成したのち上記薄膜中の上記樹脂モ
ノマーを重合反応させることによって形成された膜であ
り、上記樹脂モノマーが、硫黄と芳香環とが共有結合し
ている分子構造または硫黄と芳香環とがアルキレン基を
介して結合している分子構造を有することを特徴とす
る。上記本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度
下においても特性が良好な電子部品が得られる。
に本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品であ
って、上記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノ
マーを含む薄膜を形成したのち上記薄膜中の上記樹脂モ
ノマーを重合反応させることによって形成された膜であ
り、上記樹脂モノマーが、硫黄と芳香環とが共有結合し
ている分子構造または硫黄と芳香環とがアルキレン基を
介して結合している分子構造を有することを特徴とす
る。上記本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度
下においても特性が良好な電子部品が得られる。
【０００９】上記本発明の電子部品では、上記誘電体膜
の少なくとも一部を挟んで対向して配置された一対の電
極をさらに備えることが好ましい。上記構成によれば、
高湿度下や高温度下においても優れた特性の電子部品、
たとえばコンデンサなどが得られる。上記本発明の電子
部品では、上記樹脂モノマーが、以下の一般式（１）、
一般式（２）、化学式（３）または化学式（４）で表さ
れる樹脂モノマーを一種類または複数種類含むことが好
ましい。
の少なくとも一部を挟んで対向して配置された一対の電
極をさらに備えることが好ましい。上記構成によれば、
高湿度下や高温度下においても優れた特性の電子部品、
たとえばコンデンサなどが得られる。上記本発明の電子
部品では、上記樹脂モノマーが、以下の一般式（１）、
一般式（２）、化学式（３）または化学式（４）で表さ
れる樹脂モノマーを一種類または複数種類含むことが好
ましい。
【００１０】
【化７】
【００１１】（式中、Ｒは水素またはメチル基を表し、
ｎは１以上４以下の整数を示す）
ｎは１以上４以下の整数を示す）
【００１２】
【化８】
【００１３】（式中、Ｒは水素またはメチル基を表す）
【００１４】
【化９】
【００１５】
【化１０】
【００１６】上記構成によれば、高湿度下や高温度下で
の特性が特に優れた電子部品が得られる。
の特性が特に優れた電子部品が得られる。
【００１７】上記本発明の電子部品では、上記薄膜が添
加剤をさらに含むことが好ましい。上記添加剤としては
酸化防止剤が好ましい。上記構成によれば、誘電体膜の
酸化を防止することができる。
加剤をさらに含むことが好ましい。上記添加剤としては
酸化防止剤が好ましい。上記構成によれば、誘電体膜の
酸化を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１９】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施形
態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。
なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデ
ンサ１０ａのような形状でもよい。
電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施形
態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。
なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデ
ンサ１０ａのような形状でもよい。
【００２０】図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０
は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極
膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜
１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１
４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（な
お、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）であ
る。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘
電体膜１３を挟んで対向して配置された一対の電極（下
部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極
膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜
１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１
４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（な
お、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）であ
る。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘
電体膜１３を挟んで対向して配置された一対の電極（下
部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００２１】支持体１１には、さまざまなものを用いる
ことができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテ
レフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサル
ファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリ
イミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることがで
きる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、
１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜
１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要であ
る。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電
極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよ
い。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないも
のであってもよい。
ことができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテ
レフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサル
ファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリ
イミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることがで
きる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、
１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜
１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要であ
る。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電
極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよ
い。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないも
のであってもよい。
【００２２】下部電極膜１２および上部電極膜１４に
は、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金
属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜
鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができ
る。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえ
ば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることがで
き、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いる
ことができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部
電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気
回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、
金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
は、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金
属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜
鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができ
る。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえ
ば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることがで
き、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いる
ことができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部
電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気
回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、
金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２３】誘電体膜１３は、少なくとも一種以上の樹
脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹
脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹
脂膜である。また、上記樹脂モノマーは、硫黄と芳香環
とが共有結合している分子構造、または硫黄と芳香環と
がアルキレン基を介して結合している分子構造を有す
る。なお、上記薄膜は、一種類の樹脂モノマーを含んで
も、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。
脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹
脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹
脂膜である。また、上記樹脂モノマーは、硫黄と芳香環
とが共有結合している分子構造、または硫黄と芳香環と
がアルキレン基を介して結合している分子構造を有す
る。なお、上記薄膜は、一種類の樹脂モノマーを含んで
も、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００２４】重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜
１３ａ（図２（ｂ）参照）は、上記樹脂モノマーに加え
て、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤と
しては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、
界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始
剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−
１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェ
ニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン
−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１
９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を
用いることができる。また、酸化防止剤としては、たと
えば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベン
ゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチ
ル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステ
ル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾー
ル（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３
５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ
製）を用いることができる。
１３ａ（図２（ｂ）参照）は、上記樹脂モノマーに加え
て、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤と
しては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、
界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始
剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−
１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェ
ニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン
−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１
９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を
用いることができる。また、酸化防止剤としては、たと
えば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベン
ゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチ
ル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステ
ル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾー
ル（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３
５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ
製）を用いることができる。
【００２５】薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、
重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であ
ることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特
に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上と
することによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めること
ができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下
とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）の
ポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、
重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることに
よって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１
のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１
０の製造を容易にできる。薄膜１３ａが酸化防止剤を含
む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１
０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量
％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を
０．１重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の
酸化を防止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重
量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を
実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含
有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜
１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含
有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの
硬化速度を好ましい値にすることができる。薄膜１３ａ
に含まれる上記樹脂モノマーには、たとえば、以下の、
一般式（１）、（２）および化学式（３）、（４）で表
される樹脂モノマーを用いることができる。
重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であ
ることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特
に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上と
することによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めること
ができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下
とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）の
ポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、
重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることに
よって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１
のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１
０の製造を容易にできる。薄膜１３ａが酸化防止剤を含
む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１
０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量
％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を
０．１重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の
酸化を防止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重
量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を
実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含
有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜
１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含
有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの
硬化速度を好ましい値にすることができる。薄膜１３ａ
に含まれる上記樹脂モノマーには、たとえば、以下の、
一般式（１）、（２）および化学式（３）、（４）で表
される樹脂モノマーを用いることができる。
【００２６】
【化１１】
【００２７】（式中、Ｒは水素またはメチル基を表し、
ｎは１以上４以下の整数を示す）
ｎは１以上４以下の整数を示す）
【００２８】
【化１２】
【００２９】（式中、Ｒは水素またはメチル基を表す）
【００３０】
【化１３】
【００３１】
【化１４】
【００３２】上記一般式（１）および（２）の樹脂モノ
マーは、以下に説明する方法によって製造できる。ま
た、化学式（３）および（４）の樹脂モノマーはそれぞ
れＭＰＶ、ＭＰＳＭＡの商品名で住友精化株式会社から
販売されている。
マーは、以下に説明する方法によって製造できる。ま
た、化学式（３）および（４）の樹脂モノマーはそれぞ
れＭＰＶ、ＭＰＳＭＡの商品名で住友精化株式会社から
販売されている。
【００３３】なお、上記一般式（１）の樹脂モノマーで
は、特に、Ｒが水素であり、ｎが２であることが好まし
い。また、薄膜１３ａは、上記一般式（１）、（２）お
よび化学式（３）、（４）の樹脂モノマーを任意の割合
で含んでもよく、たとえば、一般式（１）の樹脂モノマ
ーを５０重量％以上の割合で含み、さらに一般式（２）
の樹脂モノマーを含んでもよい。
は、特に、Ｒが水素であり、ｎが２であることが好まし
い。また、薄膜１３ａは、上記一般式（１）、（２）お
よび化学式（３）、（４）の樹脂モノマーを任意の割合
で含んでもよく、たとえば、一般式（１）の樹脂モノマ
ーを５０重量％以上の割合で含み、さらに一般式（２）
の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００３４】以下に、上記一般式（１）の樹脂モノマー
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００３５】まず、以下の化学式（５）で表されるビス
（４−メルカプトフェニル）スルフィドとω−ハロアル
キルアルコールとを、塩基を触媒として６０℃〜１２０
℃で４〜８時間反応させ、これによって以下の一般式
（６）で表される中間生成物を製造する（第１の工
程）。
（４−メルカプトフェニル）スルフィドとω−ハロアル
キルアルコールとを、塩基を触媒として６０℃〜１２０
℃で４〜８時間反応させ、これによって以下の一般式
（６）で表される中間生成物を製造する（第１の工
程）。
【００３６】
【化１５】
【００３７】
【化１６】
【００３８】（式中、ｎは１以上４以下の整数を示す）
なお、上記化学式（５）で表されるビス（４−メルカプ
トフェニル）スルフィドは、ＭＰＳの商品名で住友精化
株式会社から販売されている。
なお、上記化学式（５）で表されるビス（４−メルカプ
トフェニル）スルフィドは、ＭＰＳの商品名で住友精化
株式会社から販売されている。
【００３９】上記第１の工程で用いられるω−ハロアル
キルアルコールは、炭素数が１〜４の直鎖の炭素鎖を備
え、その炭素鎖の一端の炭素にヒドロキシル基を備え、
炭素鎖の他端の炭素がハロゲン化されているアルコール
である。具体的には、たとえば、２−クロロエタノー
ル、３−クロロ−１−プロパノール、４−クロロ−１−
ブタノール、２−ブロモエタノール、３−ブロモ−１−
プロパノール、２−ヨードエタノールなどを用いること
ができる。なお、ω−ハロアルキルアルコールの炭素数
が、一般式（１）および一般式（６）のｎとなる。たと
えば、２−クロロエタノールを用いた場合には、一般式
（１）および一般式（６）のｎが２となる。
キルアルコールは、炭素数が１〜４の直鎖の炭素鎖を備
え、その炭素鎖の一端の炭素にヒドロキシル基を備え、
炭素鎖の他端の炭素がハロゲン化されているアルコール
である。具体的には、たとえば、２−クロロエタノー
ル、３−クロロ−１−プロパノール、４−クロロ−１−
ブタノール、２−ブロモエタノール、３−ブロモ−１−
プロパノール、２−ヨードエタノールなどを用いること
ができる。なお、ω−ハロアルキルアルコールの炭素数
が、一般式（１）および一般式（６）のｎとなる。たと
えば、２−クロロエタノールを用いた場合には、一般式
（１）および一般式（６）のｎが２となる。
【００４０】また、上記第１の工程で用いられる塩基触
媒には、Ｎａ2ＣＯ3やＫ2ＣＯ3などのアルカリ金属炭酸
塩、ＣａＣＯ3やＭｇＣＯ3などのアルカリ土類金属炭酸
塩、アルカリ金属のアルコキシドなどが適している。ま
た、上記第１の工程の溶媒としては、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類や、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類が適してい
る。
媒には、Ｎａ2ＣＯ3やＫ2ＣＯ3などのアルカリ金属炭酸
塩、ＣａＣＯ3やＭｇＣＯ3などのアルカリ土類金属炭酸
塩、アルカリ金属のアルコキシドなどが適している。ま
た、上記第１の工程の溶媒としては、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類や、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類が適してい
る。
【００４１】上記第１の工程ののち、アクリル酸メチル
またはメタクリル酸メチルと、式（６）で表される中間
生成物とをエステル交換反応触媒の存在下で６〜１０時
間還流させることによって一般式（１）の樹脂モノマー
を製造できる（第２の工程）。
またはメタクリル酸メチルと、式（６）で表される中間
生成物とをエステル交換反応触媒の存在下で６〜１０時
間還流させることによって一般式（１）の樹脂モノマー
を製造できる（第２の工程）。
【００４２】上記第２の工程において、アクリル酸メチ
ルを用いることによって、Ｒが水素の一般式（１）の樹
脂モノマーが得られる。また、メタクリル酸メチルを用
いることによって、Ｒがメチル基である一般式（１）の
樹脂モノマーが得られる。
ルを用いることによって、Ｒが水素の一般式（１）の樹
脂モノマーが得られる。また、メタクリル酸メチルを用
いることによって、Ｒがメチル基である一般式（１）の
樹脂モノマーが得られる。
【００４３】上記第２の工程に用いられるエステル交換
反応触媒としては、テトラブチルチタネートなどのアル
コキシチタンや、ジブチルスズオキシド、ジオクチルス
ズオキシド、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズ
ジラウレートなどのオルガノスズ化合物などが適してい
る。また、第２の工程におけるアクリル酸メチル（また
はメタクリル酸メチル）の仕込み量としては、一般式
（６）の中間生成物１重量部に対して３〜１０重量部が
好ましい。
反応触媒としては、テトラブチルチタネートなどのアル
コキシチタンや、ジブチルスズオキシド、ジオクチルス
ズオキシド、ジブチルスズジアセテート、ジブチルスズ
ジラウレートなどのオルガノスズ化合物などが適してい
る。また、第２の工程におけるアクリル酸メチル（また
はメタクリル酸メチル）の仕込み量としては、一般式
（６）の中間生成物１重量部に対して３〜１０重量部が
好ましい。
【００４４】次に、上記一般式（２）の樹脂モノマーの
製造方法について説明する。まず、ｐ−キシレンジクロ
ライドと２−メルカプトエタノールとを上記一般式
（１）の樹脂モノマーの製造における第１の工程と同様
に反応させて、以下の化学式（７）で表される中間生成
物を製造する。
製造方法について説明する。まず、ｐ−キシレンジクロ
ライドと２−メルカプトエタノールとを上記一般式
（１）の樹脂モノマーの製造における第１の工程と同様
に反応させて、以下の化学式（７）で表される中間生成
物を製造する。
【００４５】
【化１７】
【００４６】その後、この中間生成物とアクリル酸メチ
ルまたはメタクリル酸メチルとを上記一般式（１）の樹
脂モノマーの製造における第２の工程と同様に反応させ
ることによって、一般式（２）の樹脂モノマーを容易に
合成することができる。
ルまたはメタクリル酸メチルとを上記一般式（１）の樹
脂モノマーの製造における第２の工程と同様に反応させ
ることによって、一般式（２）の樹脂モノマーを容易に
合成することができる。
【００４７】次に、コンデンサ１０の製造方法について
説明する。図２に、製造工程の一例を示す。
説明する。図２に、製造工程の一例を示す。
【００４８】図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１
上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、
電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真
空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法
またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１
２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いた
り、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用
いることができる。
上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、
電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真
空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法
またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１
２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いた
り、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用
いることができる。
【００４９】次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極
膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成す
る。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３とな
る膜であり、上述した一般式（１）、（２）および化学
式（３）、（４）で表される樹脂モノマーや添加剤を含
む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１
３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下
部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂
モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１
３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示
せず）を用いればよい。
膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成す
る。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３とな
る膜であり、上述した一般式（１）、（２）および化学
式（３）、（４）で表される樹脂モノマーや添加剤を含
む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１
３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下
部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂
モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１
３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示
せず）を用いればよい。
【００５０】次に、薄膜１３ａ中で樹脂モノマーを重合
反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘
電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえ
ば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによっ
て起こさせることができる。
反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘
電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえ
ば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによっ
て起こさせることができる。
【００５１】次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極
膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成す
る。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。な
お、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造
できる。
膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成す
る。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。な
お、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造
できる。
【００５２】上記実施形態１のコンデンサでは、誘電体
膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、
高湿度下や高温度下においても優れた特性のコンデンサ
が得られる。
膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、
高湿度下や高温度下においても優れた特性のコンデンサ
が得られる。
【００５３】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。
実施形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。な
お、実施形態１で説明した部分と同様の部分については
重複する説明を省略する。
電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。
実施形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。な
お、実施形態１で説明した部分と同様の部分については
重複する説明を省略する。
【００５４】図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電
体膜４１（ハッチングは省略する）と、誘電体膜４１中
に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向する
ように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび４２
ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂと
を備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１
の少なくとも一部を挟んで対向して配置された少なくと
も一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電
体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に
配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のう
ち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配
置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとな
る。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成
されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデン
サ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃ
となる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４
０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する
層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコ
ンデンサであってもよいことはいうまでもない。
体膜４１（ハッチングは省略する）と、誘電体膜４１中
に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向する
ように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび４２
ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂと
を備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１
の少なくとも一部を挟んで対向して配置された少なくと
も一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電
体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に
配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のう
ち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配
置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとな
る。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成
されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデン
サ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃ
となる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４
０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する
層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコ
ンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００５５】誘電体膜４１は、実施形態１で説明した誘
電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によっ
て製造できる。
電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によっ
て製造できる。
【００５６】コンデンサ４０は、実施形態１で説明した
方法を用いて製造することができる。ただし、コンデン
サ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまた
は４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部
電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実
施形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａお
よび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成
法または導電性ペースト塗布法などによって形成でき
る。
方法を用いて製造することができる。ただし、コンデン
サ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまた
は４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部
電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実
施形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａお
よび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成
法または導電性ペースト塗布法などによって形成でき
る。
【００５７】上記実施形態２のコンデンサ４０では、誘
電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいた
め、高湿度下や高温度下においても優れた特性のコンデ
ンサが得られる。
電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいた
め、高湿度下や高温度下においても優れた特性のコンデ
ンサが得られる。
【００５８】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００５９】（実施例１）実施例１では、一般式（１）
で表される樹脂モノマーのうち、Ｒが水素でｎが２であ
る樹脂モノマーを作製した一例について説明する。ま
た、一般式（１）で表される樹脂モノマーのうち、Ｒが
メチル基でｎが４である樹脂モノマーを作製した一例に
ついても説明する。
で表される樹脂モノマーのうち、Ｒが水素でｎが２であ
る樹脂モノマーを作製した一例について説明する。ま
た、一般式（１）で表される樹脂モノマーのうち、Ｒが
メチル基でｎが４である樹脂モノマーを作製した一例に
ついても説明する。
【００６０】まず、上述した化学式（５）で表されるビ
ス（４−メルカプトフェニル）スルフィド２５．０ｇ
（０．１０モル）と、２−クロロエタノール１６．１ｇ
（０．２０モル）と、炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２
０モル）と、メチルイソブチルケトン３００ｍｌとを、
容量が１リットルのフラスコに採取し、還流下で６時間
撹拌を続けることによって反応させた。反応終了後、得
られた溶液に５％の塩酸水５０ｍｌを撹拌しながら徐々
に加え、その後さらにトルエン３００ｍｌを加えた。こ
うして得られた溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用
いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を、無水硫
酸ナトリウムで乾燥させたのち、溶媒を留去して以下の
化学式（８）で表される中間生成物３２ｇを得た。
ス（４−メルカプトフェニル）スルフィド２５．０ｇ
（０．１０モル）と、２−クロロエタノール１６．１ｇ
（０．２０モル）と、炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２
０モル）と、メチルイソブチルケトン３００ｍｌとを、
容量が１リットルのフラスコに採取し、還流下で６時間
撹拌を続けることによって反応させた。反応終了後、得
られた溶液に５％の塩酸水５０ｍｌを撹拌しながら徐々
に加え、その後さらにトルエン３００ｍｌを加えた。こ
うして得られた溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用
いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を、無水硫
酸ナトリウムで乾燥させたのち、溶媒を留去して以下の
化学式（８）で表される中間生成物３２ｇを得た。
【００６１】
【化１８】
【００６２】次に、化学式（８）で表される中間生成物
３２ｇに、アクリル酸メチル３２０ｇとテトラブチルチ
タネート０．３２ｇ（中間生成物に対して１００分の１
重量部）と、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノール
０．１６ｇ（中間生成物に対して１０００分の５重量
部）とを加え、１０時間還流させたのち、アクリル酸メ
チルを留去した。このようにして得られた反応生成物を
トルエン３００ｍｌに溶解したのち、この溶液を５％苛
性ソーダ水５０ｍｌと、５％塩酸水５０ｍｌで順次洗浄
した。さらに、上記溶液を蒸留水でｐＨが７になるまで
洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ
た。この溶液に、ｐ−メトキシフェノール０．１６ｇを
追加したのち、溶媒を留去して融点２０℃の半固体を得
た。この半固体について、赤外分光分析（ＩＲ）、およ
びゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）の
測定を行った。
３２ｇに、アクリル酸メチル３２０ｇとテトラブチルチ
タネート０．３２ｇ（中間生成物に対して１００分の１
重量部）と、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノール
０．１６ｇ（中間生成物に対して１０００分の５重量
部）とを加え、１０時間還流させたのち、アクリル酸メ
チルを留去した。このようにして得られた反応生成物を
トルエン３００ｍｌに溶解したのち、この溶液を５％苛
性ソーダ水５０ｍｌと、５％塩酸水５０ｍｌで順次洗浄
した。さらに、上記溶液を蒸留水でｐＨが７になるまで
洗浄したのち、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ
た。この溶液に、ｐ−メトキシフェノール０．１６ｇを
追加したのち、溶媒を留去して融点２０℃の半固体を得
た。この半固体について、赤外分光分析（ＩＲ）、およ
びゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）の
測定を行った。
【００６３】ＩＲの測定結果を図５に示す。図５から明
らかなように、アクリル酸エステルに基づく１７２５ｃ
ｍ-1の吸収ピークが見られる。また、ＧＰＣでは、原
料、中間生成物、および副生成物は検出されなかった。
以上のことから、最終的に得られた半固体は、以下の化
学式（９）で表されるビス（４−アクリロイルオキシエ
チレンチオフェニル）スルフィドであることが判明し
た。
らかなように、アクリル酸エステルに基づく１７２５ｃ
ｍ-1の吸収ピークが見られる。また、ＧＰＣでは、原
料、中間生成物、および副生成物は検出されなかった。
以上のことから、最終的に得られた半固体は、以下の化
学式（９）で表されるビス（４−アクリロイルオキシエ
チレンチオフェニル）スルフィドであることが判明し
た。
【００６４】
【化１９】
【００６５】次に、一般式（１）で表される樹脂モノマ
ーのうち、Ｒがメチル基で、ｎが４である樹脂モノマー
を作製した一例を説明する。
ーのうち、Ｒがメチル基で、ｎが４である樹脂モノマー
を作製した一例を説明する。
【００６６】この場合には、化学式（９）で表される樹
脂モノマーを製造する工程に対して用いる材料を変える
だけで、上記製造方法と同様の方法で製造できる。具体
的には、２−クロロエタノールに代えて４−クロロ−１
−ブタノールを用い、アクリル酸メチルに代えてメタク
リル酸メチルを用いればよい。これによって、以下の化
学式（１０）で表されるビス（４−メタクリロイルオキ
シブチレンチオフェニル）スルフィドが得られた。
脂モノマーを製造する工程に対して用いる材料を変える
だけで、上記製造方法と同様の方法で製造できる。具体
的には、２−クロロエタノールに代えて４−クロロ−１
−ブタノールを用い、アクリル酸メチルに代えてメタク
リル酸メチルを用いればよい。これによって、以下の化
学式（１０）で表されるビス（４−メタクリロイルオキ
シブチレンチオフェニル）スルフィドが得られた。
【００６７】
【化２０】
【００６８】（実施例２）実施例２では、一般式（２）
で表される樹脂モノマーのうち、Ｒがメチル基である樹
脂モノマーを作製した一例について説明する。まず、ｐ
−キシレンジクロライド１７．５ｇ（０．１０モル）
と、２−メルカプトエタノール１５．６ｇ（０．２０モ
ル）と、炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２０モル）と、
メチルイソブチルケトン３００ｍｌとを、容量が１リッ
トルのフラスコに採取し、還流下で６時間撹拌を続ける
ことによって反応させた。反応終了後、得られた溶液を
実施例１と同様に処理して以下の化学式（７）で表され
る中間生成物２３ｇを得た。
で表される樹脂モノマーのうち、Ｒがメチル基である樹
脂モノマーを作製した一例について説明する。まず、ｐ
−キシレンジクロライド１７．５ｇ（０．１０モル）
と、２−メルカプトエタノール１５．６ｇ（０．２０モ
ル）と、炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２０モル）と、
メチルイソブチルケトン３００ｍｌとを、容量が１リッ
トルのフラスコに採取し、還流下で６時間撹拌を続ける
ことによって反応させた。反応終了後、得られた溶液を
実施例１と同様に処理して以下の化学式（７）で表され
る中間生成物２３ｇを得た。
【００６９】
【化２１】
【００７０】次に、化学式（７）で表される中間生成物
２３ｇに、メタクリル酸メチル２３０ｇとテトラブチル
チタネート０．２３ｇ（中間生成物に対して１００分の
１重量部）と、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノー
ル０．１２ｇ（中間生成物に対して１０００分の５重量
部）とを加え、１０時間還流させたのち、メタクリル酸
メチルを留去した。このようにして得られた反応生成物
を実施例１と同様に処理して淡黄色透明の液体を得た。
この液体について、ＩＲ、およびＧＰＣの測定を行っ
た。
２３ｇに、メタクリル酸メチル２３０ｇとテトラブチル
チタネート０．２３ｇ（中間生成物に対して１００分の
１重量部）と、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノー
ル０．１２ｇ（中間生成物に対して１０００分の５重量
部）とを加え、１０時間還流させたのち、メタクリル酸
メチルを留去した。このようにして得られた反応生成物
を実施例１と同様に処理して淡黄色透明の液体を得た。
この液体について、ＩＲ、およびＧＰＣの測定を行っ
た。
【００７１】ＩＲの測定結果を図６に示す。図６から明
らかなように、メタクリル酸エステルに基づく１７２５
ｃｍ-1の吸収ピークが見られる。また、ＧＰＣでは、原
料、中間生成物、および副生成物は検出されなかった。
以上のことから、最終的に得られた液体は、以下の化学
式（１１）で表される１，４−ビス（メタクリロイルオ
キシエチレンチオメチル）ベンゼンであることが判明し
た。
らかなように、メタクリル酸エステルに基づく１７２５
ｃｍ-1の吸収ピークが見られる。また、ＧＰＣでは、原
料、中間生成物、および副生成物は検出されなかった。
以上のことから、最終的に得られた液体は、以下の化学
式（１１）で表される１，４−ビス（メタクリロイルオ
キシエチレンチオメチル）ベンゼンであることが判明し
た。
【００７２】
【化２２】
【００７３】なお、一般式（２）のＲが水素である樹脂
モノマーは化学式（７）で表される中間生成物に、メタ
クリル酸メチルに代えてアクリル酸メチルを反応させる
ことにより、上記製造方法と同様の方法で製造できる。
モノマーは化学式（７）で表される中間生成物に、メタ
クリル酸メチルに代えてアクリル酸メチルを反応させる
ことにより、上記製造方法と同様の方法で製造できる。
【００７４】（実施例３）実施例３では、本発明の電子
部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した
一例について、図２を参照しながら説明する。
部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した
一例について、図２を参照しながら説明する。
【００７５】まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ基板１１を用
意し、このＰＥＴ基板１１上に、アルミからなる下部電
極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速
度で蒸着した（図２（ａ）参照）。
意し、このＰＥＴ基板１１上に、アルミからなる下部電
極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速
度で蒸着した（図２（ａ）参照）。
【００７６】その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマ
ーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜
１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参
照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１
を入れた容器３２を５００ｎｍ／秒の蒸着速度となるよ
うに加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄
膜１３ａを形成した。
ーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜
１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参
照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１
を入れた容器３２を５００ｎｍ／秒の蒸着速度となるよ
うに加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄
膜１３ａを形成した。
【００７７】その後、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ
／ｃｍ2の密度で２秒間、上記薄膜に照射することによ
って、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜
１３を形成した（図２（ｃ）参照）。その後、誘電体膜
１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置
に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒
の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。実施例とし
て、化学式（９）の樹脂モノマー、化学式（１１）の樹
脂モノマー、酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０
Ｌを３重量％添加した化学式（１１）の樹脂モノマー、
化学式（３）の樹脂モノマー、および化学式（４）の樹
脂モノマーを用い、上記のようにして、５種類の異なる
コンデンサを作製し、実施サンプル１〜５とした。ま
た、比較例として、化学式（Ａ）および（Ｂ）で表され
る樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サン
プル１および２とした。
／ｃｍ2の密度で２秒間、上記薄膜に照射することによ
って、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜
１３を形成した（図２（ｃ）参照）。その後、誘電体膜
１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置
に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒
の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。実施例とし
て、化学式（９）の樹脂モノマー、化学式（１１）の樹
脂モノマー、酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０
Ｌを３重量％添加した化学式（１１）の樹脂モノマー、
化学式（３）の樹脂モノマー、および化学式（４）の樹
脂モノマーを用い、上記のようにして、５種類の異なる
コンデンサを作製し、実施サンプル１〜５とした。ま
た、比較例として、化学式（Ａ）および（Ｂ）で表され
る樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サン
プル１および２とした。
【００７８】以上の７種類のコンデンサについて、吸
湿容量変化率と高温負荷容量変化率の評価を行った結
果を表１に示す。（測定方法の詳細については後述す
る）。
湿容量変化率と高温負荷容量変化率の評価を行った結
果を表１に示す。（測定方法の詳細については後述す
る）。
【００７９】
【表１】
【００８０】なお、表１中、高温負荷容量変化率の−
１０％以下とは、高温負荷容量変化率が−１０％よりも
負に大きいことを意味する。
１０％以下とは、高温負荷容量変化率が−１０％よりも
負に大きいことを意味する。
【００８１】表１から明らかなように、実施サンプル１
〜５のコンデンサは、、のいずれの評価において
も、比較サンプル１および２のコンデンサよりも優れた
特性を示した。すなわち、硫黄と芳香環とが共有結合し
ている分子構造、または硫黄と芳香環とがアルキレン基
を介して結合している分子構造を有する本発明の樹脂モ
ノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することに
よって、高湿度下および高温度下においても優れた特性
のコンデンサが得られる。なお、誘電正接（ｔａｎδ）
についても、実施サンプル１〜５のコンデンサは比較サ
ンプル１および２のコンデンサと同等またはそれ以上の
特性を示した。
〜５のコンデンサは、、のいずれの評価において
も、比較サンプル１および２のコンデンサよりも優れた
特性を示した。すなわち、硫黄と芳香環とが共有結合し
ている分子構造、または硫黄と芳香環とがアルキレン基
を介して結合している分子構造を有する本発明の樹脂モ
ノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することに
よって、高湿度下および高温度下においても優れた特性
のコンデンサが得られる。なお、誘電正接（ｔａｎδ）
についても、実施サンプル１〜５のコンデンサは比較サ
ンプル１および２のコンデンサと同等またはそれ以上の
特性を示した。
【００８２】以下、表１に示した特性の評価の方法につ
いて詳述する。
いて詳述する。
【００８３】吸湿容量変化率については、以下の様に
評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０
時間乾燥させ、初期容量Ｃ11を測定した。容量は、周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加
えて測定した。その後、温度６０℃、湿度９５％Ｒｈの
環境下でコンデンサを１００時間放置し、放置後の容量
（吸湿時の容量）Ｃ12を、初期容量と同様の条件で測定
した。吸湿容量変化率は、（Ｃ12−Ｃ11）／Ｃ11×１０
０（％）で表される値である。吸湿容量変化率が小さい
ほど、湿度環境下における容量安定性が高く、製品とし
て好ましい。したがって、この吸湿容量変化率ができる
だけ小さいことが特に重要である。
評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０
時間乾燥させ、初期容量Ｃ11を測定した。容量は、周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加
えて測定した。その後、温度６０℃、湿度９５％Ｒｈの
環境下でコンデンサを１００時間放置し、放置後の容量
（吸湿時の容量）Ｃ12を、初期容量と同様の条件で測定
した。吸湿容量変化率は、（Ｃ12−Ｃ11）／Ｃ11×１０
０（％）で表される値である。吸湿容量変化率が小さい
ほど、湿度環境下における容量安定性が高く、製品とし
て好ましい。したがって、この吸湿容量変化率ができる
だけ小さいことが特に重要である。
【００８４】高温負荷容量変化率については、以下の
ように評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下
で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ21を測定した。容量
は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデ
ンサに加えて測定した。その後、温度１０５℃の環境下
でコンデンサに１６Ｖの直流電圧を印加した状態で５０
０００時間放置し、放置後の容量Ｃ22を、初期容量と同
様の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ22−
Ｃ21）／Ｃ21×１００（％）で表される値である。高温
負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化し
にくいことを示しており、製品として好ましい。特に、
近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が
重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が
小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
ように評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下
で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ21を測定した。容量
は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデ
ンサに加えて測定した。その後、温度１０５℃の環境下
でコンデンサに１６Ｖの直流電圧を印加した状態で５０
０００時間放置し、放置後の容量Ｃ22を、初期容量と同
様の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ22−
Ｃ21）／Ｃ21×１００（％）で表される値である。高温
負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化し
にくいことを示しており、製品として好ましい。特に、
近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が
重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が
小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【００８５】なお、誘電正接（ｔａｎδ）については、
周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサ
に加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ
自体で消費する電力がより小さく、製品として好まし
い。
周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサ
に加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ
自体で消費する電力がより小さく、製品として好まし
い。
【００８６】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。
【００８７】たとえば、上記実施形態では、本発明の電
子部品がコンデンサである場合について説明したが、本
発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施形態で説
明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるもので
あってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、
容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いること
ができる。
子部品がコンデンサである場合について説明したが、本
発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施形態で説
明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるもので
あってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、
容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いること
ができる。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子部品
によれば、高湿度下や高温度下においても優れた特性の
電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用
することによって、環境による特性変化が少ない高品質
なコンデンサが得られる。
によれば、高湿度下や高温度下においても優れた特性の
電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用
することによって、環境による特性変化が少ない高品質
なコンデンサが得られる。
【図１】 本発明のコンデンサについて（ａ）一例の断
面および（ｂ）他の一例の断面を示す図である。
面および（ｂ）他の一例の断面を示す図である。
【図２】 本発明のコンデンサについて製造方法の一例
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図３】 図２に示した製造工程の一過程を示す図であ
る。
る。
【図４】 本発明のコンデンサについてその他の一例を
示す（ａ）断面図および（ｂ）斜視図である。
示す（ａ）断面図および（ｂ）斜視図である。
【図５】 本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モ
ノマーの一例のビス（４−アクリロイルオキシエチレン
チオフェニル）スルフィドについてのＩＲスペクトルを
示す図である。
ノマーの一例のビス（４−アクリロイルオキシエチレン
チオフェニル）スルフィドについてのＩＲスペクトルを
示す図である。
【図６】 本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モ
ノマーの一例の１，４−ビス（メタクリロイルオキシエ
チレンチオメチル）ベンゼンについてのＩＲスペクトル
を示す図である。
ノマーの一例の１，４−ビス（メタクリロイルオキシエ
チレンチオメチル）ベンゼンについてのＩＲスペクトル
を示す図である。
１０、１０ａ、４０ コンデンサ（電子部品）
１１ 支持体
１２ 下部電極膜
１３ 誘電体膜
１３ａ 薄膜
１４ 上部電極膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ０８Ｌ 41/00 Ｃ０８Ｌ 41/00
Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１Ｅ
4/33 13/00 ３９１Ｃ
13/00 ３９１ 4/06 １０２
(72)発明者 小田桐 優
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 立原 久明
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 松田 英樹
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 勝部 淳
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 岩岡 和男
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 杉本 高則
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 砂流 伸樹
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−309770（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−71667（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−151676（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−247212（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−322897（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−151652（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−187327（ＪＰ，Ａ)
特開2001−64364（ＪＰ，Ａ)
特開2001−64363（ＪＰ，Ａ)
特開2000−338667（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08F 20/00 - 20/70
C08F 28/00 - 28/06
Claims (7)
- 【請求項１】 誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも
一部を挟んで対向して配置された一対の電極とを備える
コンデンサであって、 前記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを
含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマー
を重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、以下の一般式（１）で表される樹
脂モノマーを含むコンデンサ。 【化１】 （式中、Ｒは水素またはメチル基を表し、ｎは１以上４
以下の整数を示す） - 【請求項２】 誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも
一部を挟んで対向して配置された一対の電極とを備える
コンデンサであって、 前記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを
含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマー
を重合反応させることによって形成された膜であり、 前記樹脂モノマーが、以下の一般式（２）で表される樹
脂モノマーを含むコンデンサ。 【化２】 （式中、Ｒは水素またはメチル基を表す） - 【請求項３】 誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも
一部を挟んで対向して配置された一対の電極とを備える
コンデンサであって、 前記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを
含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマー
を重合反応させることによって形成された膜であり、 前記樹脂モノマーが、以下の化学式（３）で表される樹
脂モノマーを含むコンデンサ。 【化３】 - 【請求項４】 誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも
一部を挟んで対向して配置された一対の電極とを備える
コンデンサであって、 前記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを
含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマー
を重合反応させることによって形成された膜であり、 前記樹脂モノマーが、以下の化学式（４）で表される樹
脂モノマーを含むコンデンサ。 【化４】 - 【請求項５】 前記薄膜が添加剤をさらに含む請求項１
〜４のいずれか１項に記載のコンデンサ。 - 【請求項６】 前記添加剤が酸化防止剤を含む請求項５
に記載のコンデンサ。 - 【請求項７】 前記添加剤が重合開始剤を含む請求項５
に記載のコンデンサ。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222713A JP3441425B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | コンデンサ |
| TW090117780A TWI245034B (en) | 2000-07-24 | 2001-07-20 | Capacitor |
| CNB018159621A CN1214005C (zh) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | 双(4－巯基苯基)硫醚衍生物、其制备方法以及电子部件 |
| PCT/JP2001/006315 WO2002008180A1 (fr) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Derives de sulfure de bis(4-mercaptophenyle), son procede de preparation et composants electroniques |
| DE10196442T DE10196442B4 (de) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Elektronische Komponente mit einem dielektrischen Film aus wenigstens einem Bis(4-mercaptophenyl)-sulfidderivat |
| US10/332,548 US7006344B2 (en) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Capacitor comprising bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative |
| KR1020037001024A KR100556214B1 (ko) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | 비스(4-머캅토페닐)술피드 유도체 및 그 제조방법, 및전자부품 |
| GB0303935A GB2388840B (en) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative and method for producing the same and electronic component |
| MYPI20013497A MY141740A (en) | 2000-07-24 | 2001-07-24 | Capacitor comprising bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222713A JP3441425B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002037816A JP2002037816A (ja) | 2002-02-06 |
| JP3441425B2 true JP3441425B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=18716920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000222713A Expired - Fee Related JP3441425B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3441425B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4936461B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-05-23 | ニチコン株式会社 | シートキャパシタ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187327A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Toray Ind Inc | Poly-p-phenylene sulfide film |
| JPH02247212A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Showa Denko Kk | 硬化性組成物 |
| JPH06151652A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-05-31 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JP3482815B2 (ja) * | 1996-05-31 | 2004-01-06 | 三菱化学株式会社 | 透明導電性シート |
| JP3509468B2 (ja) * | 1996-05-31 | 2004-03-22 | 三菱化学株式会社 | 透明導電性シート |
| JPH10151676A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Mitsubishi Chem Corp | 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法 |
| JPH11322897A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-26 | Nippon Kayaku Co Ltd | 光カチオン重合性エポキシ樹脂系固形組成物及び物品 |
| JP3785012B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-06-14 | 富士通株式会社 | 感光性高誘電体組成物、その組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形成方法、及びその組成物を用いて製造したコンデンサ内蔵型多層回路基板 |
| JP2001064363A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2001064364A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000222713A patent/JP3441425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002037816A (ja) | 2002-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101023138B (zh) | 导电性组合物及其制造方法、抗静电涂料、抗静电膜、抗静电涂膜、滤光器、光信息记录媒体、电容器及其制造方法 | |
| JP4225785B2 (ja) | 新規のポリチオフェン分散液 | |
| RU2318263C2 (ru) | Тонкопленочный конденсатор на основе проводящих полимеров | |
| US4499520A (en) | Capacitor with dielectric comprising poly-functional acrylate polymer and method of making | |
| EP0253594A2 (en) | Polymerisable thiophene monomers, their production and polymers prepared therefrom | |
| CA2015993A1 (en) | High purity aromatic polyesters | |
| US7006344B2 (en) | Capacitor comprising bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative | |
| KR910007305B1 (ko) | 멤브레인 스위치 | |
| US4586111A (en) | Capacitor with dielectric comprising a polymer of polyacrylate polyether pre-polymer | |
| JP3441425B2 (ja) | コンデンサ | |
| US3214622A (en) | Electroluminescent lamp with high dielectric constant thermoplastic phosphor-bearing matrix | |
| JP2003082105A (ja) | 気相重合法による伝導性高分子の合成方法及びその製造物 | |
| JPH07507269A (ja) | 低誘電率を有する弗素化樹脂 | |
| CN1367185A (zh) | 交联性低介电性高分子材料及使用它的薄膜、基板和电子部件 | |
| JP4472148B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2003282354A (ja) | 電子部品 | |
| JP4384903B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| EP0242462B1 (en) | Capacitor with dielectric comprising a polymer of polyacrylate polyether pre-polymer | |
| JP2008028076A (ja) | 電子部品 | |
| JP2007299873A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JP2002114759A (ja) | ビス（メルカプトメチル）ベンゼン誘導体およびその製造方法 | |
| JPS60157106A (ja) | 多官能アクリレートポリマを含む誘電体を有するコンデンサ、その製造方法及び誘電体用組成物 | |
| JP2002114760A (ja) | ビス（ビニルベンジル）スルフィドおよびその製造方法 | |
| JP2002037770A (ja) | ビス（４−メルカプトフェニル）スルフィド誘導体およびその製造方法 | |
| JP2002338541A (ja) | 誘電体形成物質及び誘電体フィルム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |