JP2003282354A

JP2003282354A - 電子部品

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Publication number: JP2003282354A
Application number: JP2002089213A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Kai; 義昭貝; Noriyasu Echigo; 紀康越後; Kazuyoshi Honda; 和義本田; Hideki Okumura; 英樹奥村; Hisaaki Tachihara; 久明立原
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-03-27
Filing date: 2002-03-27
Publication date: 2003-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】高湿度下や高温度下においても優れた特性を
示す電子部品を提供する。【解決手段】以下の化学式（１）で表されるチオエー
テル誘導体の異性体のうち少なくとも一種類を含む樹脂
モノマーを使用することにより、高湿度下や高温度下に
おいても優れた特性を示す電子部品を提供することがで
きる。本発明の電子部品は、たとえば、図１（ａ）また
は（ｂ）に示すように、支持体１１と、支持体１１上に
形成された下部電極膜１２と、下部電極膜１２上に配置
された誘電体膜１３と、誘電体膜１３上に配置された上
部電極膜１４とを備える。誘電体膜１３は、樹脂モノマ
ーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中で重合反応を
起こさせることによって形成された樹脂膜である。【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体膜を備える
電子部品に関し、特にコンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、コンデンサなどに用いられる
誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘
電体膜は、特公昭６３−３２９２９号、特開平１１−１
４７２７２号公報およびＵＳＰ５,１２５,１３８号に示
されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や
紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを重合（硬化）させ
ることによって形成されている。

【０００３】上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマ
ーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表される
ジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下
の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジア
クリレートなどのアクリル酸エステル化合物が用いられ
てきた。

【化２】

【化３】

【０００４】しかしながら、前記化学式（Ａ）や（Ｂ）
の樹脂モノマーは、高湿度や高温度の条件に弱いという
問題があった。すなわち、前記樹脂モノマー分子中のエ
ステル基は吸湿性（親水性）であるため、前記樹脂モノ
マーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、
高湿度下では十分な特性を発揮できないおそれがある。
また、前記樹脂モノマー分子中の直鎖炭化水素基や脂環
式炭化水素基は高温時に酸化分解しやすいため、前記樹
脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部
品は、高温度下では十分な特性を発揮できないおそれが
ある。このように、従来の樹脂モノマーによって形成さ
れた誘電体膜によっては、高湿度や高温度の条件下でも
十分な特性を発揮する電子部品を作製することは困難で
あった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記問題を解決するた
め、本発明は、高湿度下や高温度下においても特性が良
好な電子部品を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品で
あって、上記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モ
ノマーを含む薄膜を形成したのち上記薄膜を重合反応さ
せることによって形成された膜であり、上記樹脂モノマ
ーが、以下の化学式（１）で表されるチオエーテル誘導
体の異性体のうち少なくとも一種類を含むことを特徴と
する。ただし、化学式（１）において、ベンゼン環上の
ビニル基の位置は、それぞれメチレン鎖のメタ位または
パラ位である。

【化４】

【０００７】上記構成により、本発明の電子部品は、高
湿度下や高温度下においても優れた特性を有する。上記
本発明の電子部品では、上記誘電体膜の少なくとも一部
を挟んで対向して配置された一対の電極をさらに備える
ことが好ましい。

【０００８】また、上記本発明の電子部品では、上記薄
膜が添加剤を含むことが好ましい。上記添加剤としては
酸化防止剤がさらに好ましい。酸化防止剤を含むことに
より、誘電体膜の酸化を防止することができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１０】（樹脂モノマーおよびその製造方法）本発
明の電子部品に使用する樹脂モノマーは、化学式（１）
で表されるチオエーテル誘導体の異性体のうち少なくと
も一種類を含む。ただし、化学式（１）において、ベン
ゼン環上のビニル基の位置は、それぞれメチレン鎖のメ
タ位またはパラ位である。

【化５】

【００１１】前記化学式（１）のチオエーテル誘導体
は、たとえば、以下の方法によって製造することができ
る。すなわち、まず、以下の化学式（２）で表される
１，４−ジチア−シクロヘキサン−２，５−ジメチレン
チオールとアルカリ金属塩水溶液とを反応させ、１，４
−ジチア−シクロヘキサン−２，５−ジメチレンチオラ
ートを生成させる。反応温度は、たとえば４０℃〜５０
℃である。アルカリ金属塩としては、たとえばＮａＯＨ
やＫＯＨなどが好ましい。次に、このチオラートと以下
の化学式（３）で表されるクロロメチルスチレン（メタ
体、パラ体または両者の混合物）とを、たとえば５０℃
〜６０℃の温度で反応させることによって、上述した化
学式（１）で表されるチオエーテル誘導体を容易に製造
することができる。

【化６】

【化７】

【００１２】前記化学式（２）で表される１，４−ジチ
ア−シクロヘキサン−２，５−ジメチレンチオールは、
淀化学株式会社から販売されている。また、前記化学式
（３）で表されるクロロメチルスチレンは、セイミケミ
カル株式会社からＣＭＳ-Ｐ(メタ体５０％、パラ体５０
％)およびＣＭＳ-１４（メタ体５％、パラ体９５％）と
いう商品名で販売されている。

【００１３】（電子部品）次に、本発明の電子部品につ
いて説明する。

【００１４】本発明の電子部品は特に限定されないが、
たとえばコンデンサが好ましい。前記樹脂モノマーを用
いて、コンデンサの誘電体膜を形成することにより、高
湿度下および高温度下においても優れた特性のコンデン
サが得られる。

【００１５】［実施形態１］図１（ａ）に、本発明のコ
ンデンサの一例の断面を示す。同図に示す通り、このコ
ンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成さ
れた下部電極膜１２と、下部電極膜１２上に形成された
誘電体膜１３と、誘電体膜１３上に形成された上部電極
膜１４とを備える。すなわち、コンデンサ１０は、誘電
体膜１３と、誘電体膜を挟んで対向して配置された一対
の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備
える。下部電極膜１２および上部電極膜１４は、それぞ
れ電気回路（図示せず）に接続されている。また、誘電
体膜１３および上部電極膜１４は、それぞれ、一部が支
持体１１に接している。

【００１６】なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場
合には、支持体１１はなくても良い。

【００１７】次に、前記コンデンサ１０を構成する各構
成要素について説明する。まず、誘電体膜１３は、前記
チオエーテル誘導体を樹脂モノマーとして用いて形成し
た樹脂膜であり、この樹脂膜中には、添加剤などがさら
に含まれていてもよい。また、上記薄膜は、樹脂モノマ
ーとして、上記チオエーテルのみを用いたものでも良い
し、それ以外の樹脂モノマーを併用したものでも良い。
さらに、上記樹脂モノマーは、アミン系、フェノール系
等の重合禁止剤を有する。

【００１８】支持体１１の材質は特に限定されず、さま
ざまなものを用いることができる。具体的には、たとえ
ば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという
場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド
（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィ
ルムを用いることができる。支持体１１の厚さは特に限
定されないが、たとえば、１μｍ〜７５μｍである。

【００１９】下部電極膜１２および上部電極膜１４に
は、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金
属膜を用いることができる。金属膜は特に限定されない
が、たとえば、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金
属膜を用いることができる。電極膜の膜厚についても特
に限定はないが、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎ
ｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ
〜５０ｎｍの膜を用いることができる。

【００２０】このコンデンサ１０は、たとえば図２およ
び３に示す方法により製造することができる。以下、こ
の製造方法について説明する。

【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、支持体１
１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２の
形成方法は特に限定されないが、たとえば、電子ビーム
蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、
イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッ
キ法などを使用することができる。なお、下部電極膜１
２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いた
り、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用
いることができる。

【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極
膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成す
る。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３とな
る膜であり、上述した化学式（１）で表される樹脂モノ
マーや添加剤を含む。薄膜１３ａは、たとえば、図３に
示すようにして形成することができる。すなわち、同図
に示すように、真空下で薄膜１３ａを形成する樹脂モノ
マー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配
置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させるこ
とによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成
するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
ここで、樹脂モノマー３１は、樹脂モノマーに加えて、
さらに添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤と
しては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、
界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始
剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−
１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェ
ニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−
（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン
−１−オン（以上それぞれ、商品名イルガキュア３６
９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカル
ズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤として
は、たとえば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメ
チルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキ
ルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−
クレゾール（以上それぞれ、商品名ＩＲＧＡＮＯＸ−１
０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルテ
ィケミカルズ製）を用いることができる。

【００２３】樹脂モノマー３１が重合開始剤を含む場合
には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量
％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であるこ
とが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％
以上とすることによって、次の工程における薄膜１３ａ
の重合反応（硬化）速度を速めることができる。また、
重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによっ
て、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなりすぎる
のを防止できる。さらに、重合開始剤の含有量を１重量
％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めると
ともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなるこ
とを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。

【００２４】樹脂モノマー３１が酸化防止剤を含む場合
には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量
％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であ
ることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重
量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を防
止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下
とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な
値にすることができる。さらに、酸化防止剤の含有量を
０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の
酸化を顕著に防止できる。そして、酸化防止剤の含有量
を５％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度
を好ましい値にすることができる。

【００２５】さらに、図２（ｃ）に示すように、薄膜１
３ａ中で樹脂モノマーの重合反応（硬化）を起こさせる
ことによって、薄膜１３ａを誘電体膜１３に変化させ
る。重合反応は、たとえば、薄膜１３ａに紫外線や電子
線を照射することによって起こさせることができる。

【００２６】そして、図２（ｄ）に示すように、誘電体
膜１３の上に上部電極膜１４を形成して、コンデンサ１
０を製造する。なお、上部電極膜１４の形成方法は特に
限定されず、下部電極膜１２と同様の方法によって形成
できる。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上
部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去しても
よい。

【００２７】コンデンサ１０の使用方法は特に限定され
ず、公知の方法により使用することができるが、通常、
下部電極膜１２と上部電極膜１４とをそれぞれ電気回路
に接続して使用する。電気回路に接続する方法として
は、たとえば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの
方法を用いることができる。コンデンサ１０は、誘電体
膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、
高湿度下や高温度下においても特性が良好である。

【００２８】［実施形態２］図１（ｂ）に、本発明のコ
ンデンサのその他の一例の断面を示す。このコンデンサ
１０ａは、誘電体膜１３および上部電極１４が支持体１
１に接していない以外は、実施形態１で述べたコンデン
サ１０と同様の構造を有している。製造方法および使用
方法についても、コンデンサ１０と同様である。

【００２９】［実施形態３］図４に、本発明のコンデン
サのさらにその他の一例を示す。図４（ａ）は、このコ
ンデンサの断面図であり、図４（ｂ）は、このコンデン
サの斜視図である。

【００３０】図４（ａ）に示す通り、コンデンサ４０
は、誘電体膜４１（ハッチングは省略する）と、複数の
電極４２ａおよび４２ｂと、外部電極４３ａおよび４３
ｂと、金属薄膜４４とを備える。外部電極４３ａおよび
４３ｂは互いに平行に配置されており、それらの間に
は、誘電体膜４１と、電極４２ａおよび４２ｂと、金属
薄膜４４とが配置されている。電極４２ａは外部電極４
３ａと、電極４２ｂは外部電極４３ｂとそれぞれ垂直に
接続されており、電極４２ａと電極４２ｂとは互い違い
に平行に配置されている。そして、電極４２ａと４２ｂ
との間隙は、誘電体膜４１で充填されている。すなわ
ち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１の少なくとも一部
を挟んで対向して配置された少なくとも一対の電極を備
える。金属薄膜４４は、外部電極４３ａおよび４３ｂに
それぞれ垂直に接続されており、誘電体膜４１中であっ
て電極４２ａおよび４２ｂの外側に配置されている。金
属薄膜４４と電極４２ａおよび４２ｂとの間隙は誘電体
膜４１で充填されており、金属薄膜４４の外側は、さら
に誘電体膜４１で被覆されている。

【００３１】コンデンサ４０のうち、複数の電極４２ａ
と電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂが
存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ
４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強
層４０ｂとなる。さらに、コンデンサ４０のうち、金属
薄膜４４の外側を被覆する誘電体膜４１の部分が保護層
４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素
子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防
止する層である。

【００３２】なお、場合によっては、金属薄膜４４およ
びその外側を被覆する誘電体膜４１はなくても良い。す
なわち、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサ
であっても良い。

【００３３】次に、前記コンデンサ４０を構成する各構
成要素について説明する。誘電体膜４１は、実施形態１
で説明した誘電体膜１３と同様の誘電体膜である。電極
４２ａおよび４２ｂは、実施形態１で説明した下部電極
膜１２および上部電極膜１４と同様であり、材質および
厚みは前記下部電極膜１２および上部電極膜１４と同様
で良い。外部電極４３ａおよび４３ｂも、電極４２ａお
よび４２ｂと同様の材質で形成されていて良い。また、
電極金属薄膜４４ｂも電極４２ａおよび４２ｂと同様で
良い。

【００３４】前記コンデンサ４０は、たとえば以下の方
法により製造することができる。すなわち、まず、誘電
体膜４１と、電極４２ａおよび４２ｂと、金属薄膜４４
とを、所定の順番により交互に積層する。積層する方法
は、たとえば実施形態１で説明した方法と同様の方法を
使用することができる。そして、その外側に外部電極４
３ａおよび４３ｂを形成して、コンデンサ４０を製造す
ることができる。外部電極４３ａおよび４３ｂは、たと
えば、金属溶射法、バンプ電極形成法または導電性ペー
スト塗布法などによって形成できる。

【００３５】コンデンサ４０の使用方法は特に限定され
ないが、たとえば実施形態１と同様の方法により使用す
ることができる。コンデンサ４０は、誘電体膜４１が、
高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や
高温度下においても特性が高い。

【００３６】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。

【００３７】（実施例１）前記化学式（１）のチオエー
テル誘導体を合成し、さらに、それを樹脂モノマーとし
てコンデンサを作製した。

【００３８】［樹脂モノマーの合成］以下に示す方法に
より、前記化学式（１）で表されるチオエーテル誘導体
を合成した。すなわち、まず、前記淀化学株式会社より
購入の１，４−ジチア−シクロヘキサン−２，５−ジメ
チレンチオール２１．２ｇ（０．１０モル）と、５％苛
性ソーダ（ＮａＯＨ）水溶液２００ｇ（０．２５モル）
とを４０℃〜５０℃で反応させ、１，４−ジチア−シク
ロヘキサン−２，５−ジメチレンチオラートを生成させ
た。次に、この溶液に、前記ＣＭＳ-Ｐ（メタ体５０
％、パラ体５０％のクロロメチルスチレン）３０．５ｇ
（０．２０モル）を投入した後、５０℃〜６０℃で１時
間撹拌を続け、反応させた。反応終了後、得られた溶液
にトルエン３００ｍを加え、次に、苛性ソーダ水層を除
去した。このトルエン溶液を５重量％塩化水素水（塩
酸）５０ｍｌで洗浄し、その後、さらに蒸留水３００ｍ
ｌでｐＨが７になるまで繰り返し洗浄した。洗浄後の溶
液を、無水硫酸ナトリウムで乾燥させたのち、重合禁止
剤であるｐ−メトキシフェノール０．０１５ｇ（ＣＭＳ
-Ｐに対して１００００分の５重量部）を加えた。そし
て、この溶液から溶媒を留去して、目的のチオエーテル
誘導体を淡黄色透明の液体として得た（収量４４ｇ）。

【００３９】上記で得られた液体が目的のチオエーテル
誘導体であることは、ゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィ（ＧＰＣ）および赤外分光分析（ＩＲ）の測定に
より確認した。なお、ＩＲの測定は、島津製作所社の、
商品名ＦＴＩＲ−８１００Ｍという測定機器を用いて行
った。図５にＩＲの測定結果を示す。図５からわかると
おり、前記液体は、ビニル基に基づく１６３０ｃｍ^-1の
吸収ピークと、芳香環に基づく１５１０ｃｍ^-1、１５８
０ｃｍ^-1および１６００ｃｍ^-1の吸収ピークを示した。
また、ＧＰＣによると、原料および副生成物は検出され
ず、目的物が純粋に得られていることがわかった。この
ことから、前記液体は、化学式（１）で表されるチオエ
ーテル誘導体であることが判明した。

【化８】

【００４０】［コンデンサの作製］次に、上記で合成し
たチオエーテル誘導体を用いて、図１（ａ）に示す構造
を有するコンデンサを作製した。このコンデンサ作製の
工程を、図２および図３を用いて説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）基板１１を用意し、このＰＥＴ基
板１１上に、アルミからなる下部電極膜１２（厚さ３０
ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した。

【００４１】次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極
膜１２上に前記化学式（１）のチオエーテル誘導体を樹
脂モノマーとして蒸着することによって、樹脂モノマー
からなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した。図
３に、この薄膜１３の形成方法の概略を示す。同図に示
すように、容器３２に、前記化学式（１）のチオエーテ
ル誘導体３１を樹脂モノマーとして入れ、これを加熱し
て下部電極膜１２の表面に蒸着し、薄膜１３ａを形成し
た。なお、加熱温度は、５００ｎｍ／秒の蒸着速度とな
るように調整した。また、下部電極膜１２の表面はすべ
て薄膜１３ａで覆わず、一部は露出するようにした。

【００４２】さらに、図２（ｃ）に示すように、前記薄
膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させることによって、
前記薄膜１３ａを誘電体膜１３に変化させた。この重合
は、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ／ｃｍ²の密度で
２秒間、薄膜１３ａに照射することにより行った。

【００４３】そして、図２（ｄ）に示すように、誘電体
膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置
に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒
の堆積速度で蒸着して、コンデンサ１０を作製した。

【００４４】（実施例２）樹脂モノマー中に酸化防止剤
として前記ＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを３重量％添加す
る以外は実施例１と同様にしてコンデンサを作製した。

【００４５】（比較例１）樹脂モノマーとして前記化学
式（Ａ）の化合物を用いる以外は実施例１と同様にして
コンデンサを作製した。

【００４６】（比較例２）樹脂モノマーとして前記化学
式（Ｂ）の化合物を用いる以外は実施例１と同様にして
コンデンサを作製した。

【００４７】（コンデンサの特性評価）上記実施例１お
よび２、比較例１および２の４種類のコンデンサについ
て、特性の評価を行った。具体的には、吸湿容量変化
率と、高温負荷容量変化率と、コンデンサを温水に
浸漬した時の厚さの変化を調べた。

【００４８】吸湿容量変化率の評価は、以下のように
して行った。すなわち、まず、コンデンサを１０５℃の
環境下で１０時間乾燥させ、その後、周波数１ｋＨｚ、
電圧１Ｖｒｍｓの正弦波を加えて初期容量Ｃ₁₁を測定し
た。さらにその後、前記コンデンサを温度６０℃、湿度
９５％Ｒｈの環境下で１００時間放置し、放置後の容量
（吸湿時の容量）Ｃ₁₂を、初期容量Ｃ₁₁と同様の条件で
測定した。そして、下記式により、吸湿用量変化率
（％）を算出した。吸湿容量変化率（％）＝（（Ｃ₁₂−Ｃ₁₁）／Ｃ₁₁）×１
００上記吸湿容量変化率が小さいほど、湿度環境下における
容量安定性が高く、製品として好ましい。したがって、
この吸湿容量変化率ができるだけ小さいことが特に重要
である。

【００４９】高温負荷容量変化率の評価は、以下のよ
うにして行った。すなわち、まず、コンデンサを１２５
℃の環境下で１０時間乾燥させ、その後、周波数１ｋＨ
ｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波を加えて初期容量Ｃ₂₁を測
定した。さらにその後、前記コンデンサに温度１２５℃
の環境下で１６Ｖの直流電圧を印加し、その状態で５０
０００時間放置し、放置後の容量Ｃ₂₂を、前記初期容量
Ｃ₂₁と同様の条件で測定した。そして、高温負荷容量変
化率（％）を、下記式により算出した。高温負荷容量変化率（％）＝（（Ｃ₂₂−Ｃ₂₁）／Ｃ₂₁）
×１００上記高温負荷容量変化率が小さいほど、高温時に酸化し
にくいことを示しており、製品として好ましい。特に、
近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が
重要になってきており、高温負荷容量変化率が小さいこ
とが、コンデンサの評価の重要な指標となる。

【００５０】温水に浸漬したときの厚さの変化は、以
下の様に評価した。すなわち、まず、コンデンサの厚さ
を測定した。次に、コンデンサを９０℃の温水中に３．
５時間浸漬し、その後コンデンサを温水から取り出して
再度厚さを測定した。そして、温水浸漬前の厚さと浸漬
後の厚さとを比較した。この厚さの変化が大きいほど、
誘電体膜が吸湿し、金属からなる電極膜との密着性が低
下していることを示している。したがって、厚さの変化
が小さいほど、誘電体膜と電極膜との密着性が高く、製
品として好ましい。

【００５１】上記による評価結果を表１に示す。

【表１】

【００５２】表１からわかるとおり、実施例のコンデン
サは、〜のいずれの評価においても、比較例のコン
デンサよりも優れた特性を示した。すなわち、本発明に
よれば、前記チオエーテル誘導体を樹脂モノマーとして
用いてコンデンサの誘電体膜を形成することにより、高
湿度下および高温度下においても優れた特性のコンデン
サが得られることがわかる。

【００５３】さらに、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓ
の正弦波をコンデンサに加えて誘電正接（ｔａｎδ）を
測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消
費する電力がより小さく、製品として好ましい。誘電正
接（ｔａｎδ）についても、実施例のコンデンサは比較
例のコンデンサよりも優れた特性を示した。

【００５４】以上、本発明を実施の形態および実施例に
基づき説明したが、本発明は、これに限定されず、本発
明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することが
できる。たとえば、上記実施形態および実施例では、本
発明の電子部品がコンデンサである場合について説明し
たが、本発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施
形態で説明した誘電体膜を備えるものであれば、いかな
るものであってもよい。具体的には、たとえば、コイ
ル、抵抗、容量性電池などに用いることができる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高湿度下や高温度下においても優れた特性の電子部品が
得られる。特に、本発明をコンデンサに適用することに
よって、環境による特性変化が少ない高品質なコンデン
サが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のコンデンサの断面を示す図であり、
（ａ）は本発明のコンデンサの一例、（ｂ）はその他の
一例を示す。

【図２】本発明のコンデンサの製造方法の一例を示す工
程図である。

【図３】図２に示した製造工程の一過程を示す図であ
る。

【図４】本発明のコンデンサのさらにその他の一例を示
す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。

【図５】本発明の電子部品の製造に用いられるチオエー
テル誘導体のＩＲスペクトルを示す図である。

【符号の説明】

１０、１０ａ、４０コンデンサ（電子部品）１１支持体１２下部電極膜１３、４１誘電体膜１３ａ樹脂モノマーからなる薄膜１４上部電極膜３１樹脂モノマー３２容器４２ａ、４２ｂ電極４３ａ、４３ｂ外部電極４４金属薄膜４０ａ素子層４０ｂ補強層４０ｃ保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本田和義大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者奥村英樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者立原久明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E082 AB01 BB07 BC14 BC15 BC23 EE05 EE23 EE37 FG03 FG32 MM23 MM24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体膜を備える電子部品であって、前
記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含
む薄膜を形成した後、前記薄膜を重合反応させることに
よって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、以下
の化学式（１）で表されるチオエーテル誘導体の異性体
のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする電子部
品。ただし、化学式（１）において、ベンゼン環上のビ
ニル基の位置は、それぞれメチレン鎖のメタ位またはパ
ラ位である。【化１】
【請求項２】前記薄膜が添加剤をさらに含む請求項１
記載の電子部品。
【請求項３】前記添加剤が酸化防止剤を含む請求項２
記載の電子部品。
【請求項４】前記誘電体膜の少なくとも一部を挟んで
対向して配置された一対の電極をさらに備える請求項１
〜３のいずれか一項に記載の電子部品。