JP3436776B2 - ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
ウエハ洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JP3436776B2 JP3436776B2 JP19744293A JP19744293A JP3436776B2 JP 3436776 B2 JP3436776 B2 JP 3436776B2 JP 19744293 A JP19744293 A JP 19744293A JP 19744293 A JP19744293 A JP 19744293A JP 3436776 B2 JP3436776 B2 JP 3436776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- hydrogen
- gas
- cleaning
- cleaning apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ洗浄装置及び洗
浄方法に係わり、より詳細には、洗浄後のウエハ表面を
水素ターミネートするウエハ洗浄装置及び洗浄方法に関
する。
浄方法に係わり、より詳細には、洗浄後のウエハ表面を
水素ターミネートするウエハ洗浄装置及び洗浄方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体特
性に悪影響を及ぼす金属、有機物及び微小粒子等の不純
物を除去するためにウエハ洗浄は極めて重要な工程であ
る。しかし、洗浄・乾燥後のウエハ表面は、ダングリン
グボンドが多数存在し、極めて活性な状態にある。これ
が、例えば搬送時に大気に触れると、再び表面が汚染さ
れたり、自然酸化膜が不均一に生成してしまうという問
題がある。これを防ぐ方法として、本発明者はダングリ
ングボンドを水素でターミネートし安定化させる方法を
検討してきた。
性に悪影響を及ぼす金属、有機物及び微小粒子等の不純
物を除去するためにウエハ洗浄は極めて重要な工程であ
る。しかし、洗浄・乾燥後のウエハ表面は、ダングリン
グボンドが多数存在し、極めて活性な状態にある。これ
が、例えば搬送時に大気に触れると、再び表面が汚染さ
れたり、自然酸化膜が不均一に生成してしまうという問
題がある。これを防ぐ方法として、本発明者はダングリ
ングボンドを水素でターミネートし安定化させる方法を
検討してきた。
【０００３】このような水素ターミネート法としては、
１）ウエハの最終洗浄工程後に希フッ酸処理して超純水
処理する方法、２）ウエハの最終洗浄後に沸騰超純水で
処理する方法がある。また、３）６００℃以上の高温の
水素雰囲気中で処理する方法が挙げられる。
１）ウエハの最終洗浄工程後に希フッ酸処理して超純水
処理する方法、２）ウエハの最終洗浄後に沸騰超純水で
処理する方法がある。また、３）６００℃以上の高温の
水素雰囲気中で処理する方法が挙げられる。
【０００４】しかし、いずれの場合もウエハ表面を完全
に水素ターミネートすることは難しく、洗浄後の再汚染
を防ぐには不十分であった。
に水素ターミネートすることは難しく、洗浄後の再汚染
を防ぐには不十分であった。
【０００５】また、ウエハの乾燥には、窒素ブローや回
転乾燥等が用いられているが、表面から水分子を完全に
取り除くことは難しく、不均一な自然酸化膜が生成する
という問題がある。
転乾燥等が用いられているが、表面から水分子を完全に
取り除くことは難しく、不均一な自然酸化膜が生成する
という問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の状況
に鑑み、ウエハ洗浄後のウエハ表面を完全に水素ターミ
ネートし、洗浄後のウエハ表面の汚染、自然酸化膜の生
成を防止することが可能なウエハ洗浄装置及び洗浄方法
を提供することを目的とする。
に鑑み、ウエハ洗浄後のウエハ表面を完全に水素ターミ
ネートし、洗浄後のウエハ表面の汚染、自然酸化膜の生
成を防止することが可能なウエハ洗浄装置及び洗浄方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、洗浄液による
ウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗
浄装置であって、水素活性種を含むガスを前記洗浄槽内
に導入するガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含
むガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボン
ドを水素ターミネートさせることを特徴とするウエハ洗
浄装置であります。
ウエハの洗浄と乾燥とを単一の洗浄槽内で行うウエハ洗
浄装置であって、水素活性種を含むガスを前記洗浄槽内
に導入するガス導入手段とを有し、前記水素活性種を含
むガスをウエハに吹き付けてウエハのダングリングボン
ドを水素ターミネートさせることを特徴とするウエハ洗
浄装置であります。
【０００８】
【０００９】また、前記水素活性種生成手段において、
前記水素を含むガスとの接触部の少なくとも一部を水素
ラジカル化反応の触媒となるＮｉ等の材料で構成するの
が好ましく、触媒となる材料を、３００〜４５０℃に加
熱するのが好ましい。前記水素を含むガスは、水素と不
活性ガスとの混合ガスが好ましく、不活性ガスはアルゴ
ンガスであることが好ましい。
前記水素を含むガスとの接触部の少なくとも一部を水素
ラジカル化反応の触媒となるＮｉ等の材料で構成するの
が好ましく、触媒となる材料を、３００〜４５０℃に加
熱するのが好ましい。前記水素を含むガスは、水素と不
活性ガスとの混合ガスが好ましく、不活性ガスはアルゴ
ンガスであることが好ましい。
【００１０】さらに、前記ガス導入手段において、前記
ガスとの接触部の少なくとも一部は、水素ラジカル化反
応の触媒となる材料で構成するのが好ましい。
ガスとの接触部の少なくとも一部は、水素ラジカル化反
応の触媒となる材料で構成するのが好ましい。
【００１１】本発明は、洗浄槽内で洗浄液によりウエハ
を洗浄した後、該洗浄槽内において該ウエハを乾燥させ
るウエハ洗浄方法であって、乾燥時においてウエハ表面
に水素活性種を含むガスを吹き付け、ウエハ表面のダン
グリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴と
するウエハ洗浄方法に存在する。
を洗浄した後、該洗浄槽内において該ウエハを乾燥させ
るウエハ洗浄方法であって、乾燥時においてウエハ表面
に水素活性種を含むガスを吹き付け、ウエハ表面のダン
グリングボンドを水素ターミネートさせることを特徴と
するウエハ洗浄方法に存在する。
【００１２】
【作用】以下に本発明の作用を実施態様例と共に説明す
る。
る。
【００１３】洗浄液（種々の薬液、超純水）によるウエ
ハ洗浄後のウエハ乾燥工程中に、活性な水素活性種を含
むガスを吹き付けることにより、低温で、より簡便且つ
完全にウエハ表面を水素ターミネートさせることができ
る。なお、水素活性種は非常に活性であり、従来その寿
命は短いと思われてきたが、水素活性種を洗浄槽導入直
前で触媒反応により発生させること、高純度なアルゴン
ガス及び水素ガスを用いること、及び触媒作用のある材
料で活性ガス導入手段を作製することにより、実質上の
寿命を延ばし、高濃度の水素活性種をウエハ表面に導入
できる結果、上記のようにウエハ表面の水素ターミネー
トを完全に行うことができる。
ハ洗浄後のウエハ乾燥工程中に、活性な水素活性種を含
むガスを吹き付けることにより、低温で、より簡便且つ
完全にウエハ表面を水素ターミネートさせることができ
る。なお、水素活性種は非常に活性であり、従来その寿
命は短いと思われてきたが、水素活性種を洗浄槽導入直
前で触媒反応により発生させること、高純度なアルゴン
ガス及び水素ガスを用いること、及び触媒作用のある材
料で活性ガス導入手段を作製することにより、実質上の
寿命を延ばし、高濃度の水素活性種をウエハ表面に導入
できる結果、上記のようにウエハ表面の水素ターミネー
トを完全に行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の態様】内
部にウエハの設置部材を設け、
種々の薬液を導入するためのノズル、排液口を有したも
のであり、内部に種々の薬液や超純水を導入してウエハ
を浸漬して洗浄を行うもの、あるいはウエハを回転チャ
ックに取り付けウエハを回転させながら薬液、超純水を
噴射して洗浄を行うもの等を用いることができる。薬
液、超純水による洗浄後、最後に水素活性種を含むガス
をウエハに吹き付けて、乾燥させることにより、洗浄に
より生成したダングリングボンドを水素で効果的にター
ミネートすることができる。なお、本洗浄槽を構成する
部材は、洗浄に用いられる種々の薬液に対し耐性をもつ
材料で構成されることは言うまでもない。
種々の薬液を導入するためのノズル、排液口を有したも
のであり、内部に種々の薬液や超純水を導入してウエハ
を浸漬して洗浄を行うもの、あるいはウエハを回転チャ
ックに取り付けウエハを回転させながら薬液、超純水を
噴射して洗浄を行うもの等を用いることができる。薬
液、超純水による洗浄後、最後に水素活性種を含むガス
をウエハに吹き付けて、乾燥させることにより、洗浄に
より生成したダングリングボンドを水素で効果的にター
ミネートすることができる。なお、本洗浄槽を構成する
部材は、洗浄に用いられる種々の薬液に対し耐性をもつ
材料で構成されることは言うまでもない。
【００１５】水素活性種生成手段としては、例えば配管
の内表面の一部あるいは全面を、水素ラジカル化反応の
触媒となる材料で構成したものを用いることができる。
このような配管内に不活性ガスと水素ガスとの混合ガス
を流すことにより、混合ガス中の水素ガスをラジカル等
の活性種にすることができる。活性化の効率を高めるた
めには、触媒（配管）を加熱することが好ましい。加熱
温度は３００〜４５０℃が好ましく、３００〜４００℃
がより好ましい。３００℃未満では、水素活性種の生成
量が少なく、また４５０℃を越えた場合には、水素活性
種の生成量は増加するものの配管内面に不動態膜が形成
されていない場合にはその表面から不純物が放出され、
混合ガス中に混入するおそれがあるからである。
の内表面の一部あるいは全面を、水素ラジカル化反応の
触媒となる材料で構成したものを用いることができる。
このような配管内に不活性ガスと水素ガスとの混合ガス
を流すことにより、混合ガス中の水素ガスをラジカル等
の活性種にすることができる。活性化の効率を高めるた
めには、触媒（配管）を加熱することが好ましい。加熱
温度は３００〜４５０℃が好ましく、３００〜４００℃
がより好ましい。３００℃未満では、水素活性種の生成
量が少なく、また４５０℃を越えた場合には、水素活性
種の生成量は増加するものの配管内面に不動態膜が形成
されていない場合にはその表面から不純物が放出され、
混合ガス中に混入するおそれがあるからである。
【００１６】本発明において、水素活性種生成に用いら
れる触媒としては、Ｎｉを含む材料が好ましく、例えば
Ｎｉ基合金が好ましい。また、Ｎｉ基合金の中でもＮｉ
−Ｍｏ系合金、Ｎｉ−Ｗ系合金が好ましい。より具体的
には、例えばハステロイ（登録商標）が挙げられる。
れる触媒としては、Ｎｉを含む材料が好ましく、例えば
Ｎｉ基合金が好ましい。また、Ｎｉ基合金の中でもＮｉ
−Ｍｏ系合金、Ｎｉ−Ｗ系合金が好ましい。より具体的
には、例えばハステロイ（登録商標）が挙げられる。
【００１７】以上の配管の一例として、例えば表面粗度
が１μｍ以下に電解研磨されたステンレス鋼が用いられ
る。この場合、ステンレス鋼の表面には、不純物濃度が
１０ｐｐｂ以下の酸化性雰囲気で熱処理して形成される
不動態膜が形成されたものがより好ましい。さらに不動
態膜形成後水素雰囲気中で還元処理を行うことにより形
成された不動態膜が更に好ましい。かかる不動態膜の表
面はクロム酸化物を主成分としているため混合ガス中へ
の不純物の混入を抑えることができる。なお、かかる不
動態膜はクロム酸化物を主成分としているが、ニッケル
酸化物を含んでおり、このニッケル酸化物が中のニッケ
ルが触媒の作用をなし、不動態膜表面に接触した水素ガ
スを活性化し水素活性種を生成するものと考えられる。
が１μｍ以下に電解研磨されたステンレス鋼が用いられ
る。この場合、ステンレス鋼の表面には、不純物濃度が
１０ｐｐｂ以下の酸化性雰囲気で熱処理して形成される
不動態膜が形成されたものがより好ましい。さらに不動
態膜形成後水素雰囲気中で還元処理を行うことにより形
成された不動態膜が更に好ましい。かかる不動態膜の表
面はクロム酸化物を主成分としているため混合ガス中へ
の不純物の混入を抑えることができる。なお、かかる不
動態膜はクロム酸化物を主成分としているが、ニッケル
酸化物を含んでおり、このニッケル酸化物が中のニッケ
ルが触媒の作用をなし、不動態膜表面に接触した水素ガ
スを活性化し水素活性種を生成するものと考えられる。
【００１８】本発明において水素活性種を生成する手段
は、以上の配管形状のものの他に、例えば繊維状、網
状、スポンジ状、管状の触媒を容器内に設けたものを用
いても良いことは言うまでもなく、このような形状は水
素ガスとの接触面積を大きくし活性化効率を高める点で
は有利である。
は、以上の配管形状のものの他に、例えば繊維状、網
状、スポンジ状、管状の触媒を容器内に設けたものを用
いても良いことは言うまでもなく、このような形状は水
素ガスとの接触面積を大きくし活性化効率を高める点で
は有利である。
【００１９】本発明において用いられる不活性ガス及び
水素ガス中の不純物は、１０ｐｐｂ以下が好ましく、１
ｐｐｂ以下がより好ましい。また、混合ガス中の水素ガ
スの混合比は０．１％以上が好ましく、１〜１０％がよ
り好ましい。この範囲で水素活性種生成量はいっそう向
上する。また、不活性ガスとしては、Ｈｅガス、Ｎ2ガ
ス、Ａｒガス等が好適に用いられるが、特にＡｒが好ま
しい。
水素ガス中の不純物は、１０ｐｐｂ以下が好ましく、１
ｐｐｂ以下がより好ましい。また、混合ガス中の水素ガ
スの混合比は０．１％以上が好ましく、１〜１０％がよ
り好ましい。この範囲で水素活性種生成量はいっそう向
上する。また、不活性ガスとしては、Ｈｅガス、Ｎ2ガ
ス、Ａｒガス等が好適に用いられるが、特にＡｒが好ま
しい。
【００２０】本発明の活性ガス導入手段は、水素活性種
生成手段で生成した水素活性種を含む活性ガスを洗浄槽
に導くためのもので、例えば配管が一般に用いられる。
前述したように、生成した水素活性種の濃度を低下させ
ないためには、内表面を例えばＮｉ等を含む材料で構成
するのが好ましい。また、該ガスは洗浄槽の上方から導
入されるのが好ましく、ダウンフローとすることでウエ
ハ上面に均一に供給できる。
生成手段で生成した水素活性種を含む活性ガスを洗浄槽
に導くためのもので、例えば配管が一般に用いられる。
前述したように、生成した水素活性種の濃度を低下させ
ないためには、内表面を例えばＮｉ等を含む材料で構成
するのが好ましい。また、該ガスは洗浄槽の上方から導
入されるのが好ましく、ダウンフローとすることでウエ
ハ上面に均一に供給できる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明する。
明する。
【００２２】図１に本実施例で用いたウエハ洗浄装置を
示す。図１において、１は洗浄槽であり、本体１０と密
閉用フード９とに分割できる構成となっている。２は種
々の薬液供給装置（不図示）と接続された複数の薬液ノ
ズル、３はＳｉウエハ、４はウエハチャック、５は排気
・排液口、６はＮ2ガス導入口、７は回転モータ、８は
移動しながらウエハ裏面を洗浄するノズル、１１は水素
活性種をウエハに吹き付けるための活性ガス導入管、１
２は加熱手段１３を設けた水素活性種生成手段、１４は
ＡｒガスとＨ2ガスの混合器、１５は混合ガス配管、１
６、１７はそれぞれＡｒガス配管、Ｈ2ガス配管であ
り、マスフローコントローラを介してＡｒガス供給装
置、Ｈ2ガス供給装置（不図示）と接続されている。
示す。図１において、１は洗浄槽であり、本体１０と密
閉用フード９とに分割できる構成となっている。２は種
々の薬液供給装置（不図示）と接続された複数の薬液ノ
ズル、３はＳｉウエハ、４はウエハチャック、５は排気
・排液口、６はＮ2ガス導入口、７は回転モータ、８は
移動しながらウエハ裏面を洗浄するノズル、１１は水素
活性種をウエハに吹き付けるための活性ガス導入管、１
２は加熱手段１３を設けた水素活性種生成手段、１４は
ＡｒガスとＨ2ガスの混合器、１５は混合ガス配管、１
６、１７はそれぞれＡｒガス配管、Ｈ2ガス配管であ
り、マスフローコントローラを介してＡｒガス供給装
置、Ｈ2ガス供給装置（不図示）と接続されている。
【００２３】尚、本実施例において、水素活性種生成手
段１２としては、内面を電解研磨した円筒のステンレス
（ＳＵＳ３１６）容器の内部に１０μｍ径のＮｉワイヤ
ーを丸めて束ねて挿入したものを用い、ヒータ１３で３
５０℃に加熱した。また、活性ガス導入管には内面を電
解研磨したステンレス管（ＳＵＳ３１６）を用いた。ま
た、混合ガスの混合比は、Ａｒ９０％、Ｈ2１０％とし
た。
段１２としては、内面を電解研磨した円筒のステンレス
（ＳＵＳ３１６）容器の内部に１０μｍ径のＮｉワイヤ
ーを丸めて束ねて挿入したものを用い、ヒータ１３で３
５０℃に加熱した。また、活性ガス導入管には内面を電
解研磨したステンレス管（ＳＵＳ３１６）を用いた。ま
た、混合ガスの混合比は、Ａｒ９０％、Ｈ2１０％とし
た。
【００２４】本ウエハ洗浄装置を用いた洗浄方法につい
て述べる。
て述べる。
【００２５】Ｎ2導入口６からＮ2ガスを導入しておき、
ウエハ３をチャック４にセットして密閉用フードを閉め
る。１５００ｒｐｍでウエハを回転させながら、薬液ノ
ズル２の個々のノズルを介してウエハ表面に超純水、オ
ゾン添加超純水（有機物除去・酸化膜形成）、フッ化水
素酸＋過酸化水素（自然酸化膜・金属除去）、水酸化ア
ンモニウム＋過酸化水素（微粒子・有機物・金属除
去）、フッ化水素酸＋過酸化水素（自然酸化膜・金属除
去）、超純水を順次滴下して洗浄を行った。続いて、混
合ガス導入管から水素活性種を含む混合ガスをウエハに
吹き付けながら、ウエハを１５００ｒｐｍで回転させて
乾燥した。
ウエハ３をチャック４にセットして密閉用フードを閉め
る。１５００ｒｐｍでウエハを回転させながら、薬液ノ
ズル２の個々のノズルを介してウエハ表面に超純水、オ
ゾン添加超純水（有機物除去・酸化膜形成）、フッ化水
素酸＋過酸化水素（自然酸化膜・金属除去）、水酸化ア
ンモニウム＋過酸化水素（微粒子・有機物・金属除
去）、フッ化水素酸＋過酸化水素（自然酸化膜・金属除
去）、超純水を順次滴下して洗浄を行った。続いて、混
合ガス導入管から水素活性種を含む混合ガスをウエハに
吹き付けながら、ウエハを１５００ｒｐｍで回転させて
乾燥した。
【００２６】以上のようにして洗浄したウエハ表面のＳ
ｉ−Ｈ結合をＦＴ−ＩＲを用いて測定した。また、ウエ
ハをクリーンルーム内で６時間放置した後、自然酸化膜
の生成量を測定した。さらに、ウエハ表面の金属不純物
に対する付着し難さを示すために１ｐｐｍのＣｕ水溶液
に浸漬した後、ＴＲＸＲＦによりウエハ表面の金属付着
量を測定した。
ｉ−Ｈ結合をＦＴ−ＩＲを用いて測定した。また、ウエ
ハをクリーンルーム内で６時間放置した後、自然酸化膜
の生成量を測定した。さらに、ウエハ表面の金属不純物
に対する付着し難さを示すために１ｐｐｍのＣｕ水溶液
に浸漬した後、ＴＲＸＲＦによりウエハ表面の金属付着
量を測定した。
【００２７】比較例として、乾燥用のガスとしてＡｒガ
スを用いた場合についても同様な測定を行った。
スを用いた場合についても同様な測定を行った。
【００２８】ＦＴ−ＩＲ測定の結果、比較例では２１０
０ｃｍ-1付近にバンドはほとんど観測されなかったのに
対し、実施例では明確にバンドが観測された。即ち、本
実施例ではウエハ表面のＳｉ−Ｈ結合が多く、表面が水
素でターミネートされていることが分かる。また、自然
酸化膜の生成は、本実施例では全く観測されなかった
（比較例では１〜１．５ｎｍ）。
０ｃｍ-1付近にバンドはほとんど観測されなかったのに
対し、実施例では明確にバンドが観測された。即ち、本
実施例ではウエハ表面のＳｉ−Ｈ結合が多く、表面が水
素でターミネートされていることが分かる。また、自然
酸化膜の生成は、本実施例では全く観測されなかった
（比較例では１〜１．５ｎｍ）。
【００２９】一方、金属付着量は、比較例では１．０×
１０15個であったのに対し、本実施例では検出限界（５
×１０10個）であった。
１０15個であったのに対し、本実施例では検出限界（５
×１０10個）であった。
【００３０】以上から、薬液洗浄後の乾燥に、水素活性
種を含むガスを吹き付けることにより、洗浄により生成
したダングリングボンドが効果的にターミネートされウ
エハ表面が安定化する結果、不純物の付着防止、自然酸
化膜の生成防止に極めて優れた効果をもつことが分か
る。
種を含むガスを吹き付けることにより、洗浄により生成
したダングリングボンドが効果的にターミネートされウ
エハ表面が安定化する結果、不純物の付着防止、自然酸
化膜の生成防止に極めて優れた効果をもつことが分か
る。
【００３１】
【発明の効果】請求項８の発明により、ウエハ洗浄によ
るのウエハ表面のダングリングボンドを完全にターミネ
ートして、ウエハ表面の安定化し、ウエハ搬送時等の再
汚染及び自然酸化膜生成を防ぐことができる。
るのウエハ表面のダングリングボンドを完全にターミネ
ートして、ウエハ表面の安定化し、ウエハ搬送時等の再
汚染及び自然酸化膜生成を防ぐことができる。
【００３２】請求項１の発明により、簡易な構成で高性
能半導体装置の製造に適したウエハ洗浄装置を提供する
ことが可能となる。
能半導体装置の製造に適したウエハ洗浄装置を提供する
ことが可能となる。
【図１】 本発明のウエハ洗浄装置の一例を示す概念図
である。
である。
１ 洗浄槽、
１０ 本体、
９ 密閉用フード、
２ 薬液ノズル、
３ Ｓｉウエハ、
４ ウエハチャック、
５ 排気・排液口、
６ Ｎ2ガス導入口、
７ 回転モータ、
８ 裏面洗浄用ノズル、
１１ 混合ガス導入管、
１２ 水素活性種を生成する手段、
１３ 加熱手段、
１４ ＡｒガスとＨ2ガスの混合器、
１５ 混合ガス配管、
１６ Ａｒガス配管、
１７ Ｈ2ガス配管。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−116927（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−96226（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−160085（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−144804（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−152282（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−141871（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
Claims (11)
- 【請求項１】 洗浄液によるウエハの洗浄と乾燥とを単
一の洗浄槽内で行うウエハ洗浄装置であって、水素活性
種を含むガスを前記洗浄槽内に導入するガス導入手段と
を有し、前記水素活性種を含むガスをウエハに吹き付け
てウエハのダングリングボンドを水素ターミネートさせ
ることを特徴とするウエハ洗浄装置。 - 【請求項２】 ウエハを回転させるための手段を設けた
ことを特徴とする請求項１記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項３】 前記水素活性種を生成する手段（「水素
活性種生成手段」という）は、水素を含むガスとの接触
部の少なくとも一部を水素ラジカル化反応の触媒となる
材料で構成したことを特徴とする請求項１又は２に記載
のウエハ洗浄装置。 - 【請求項４】 前記水素を含むガスは、水素ガスと不活
性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項３に
記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項５】 混合ガス中の水素ガスの混合比は０．１
〜１０％であることを特徴とする請求項４記載のウエハ
洗浄装置。 - 【請求項６】 不活性ガス及び水素ガス中の不純物は、
１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項４又は５
記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項７】 前記触媒となる材料は、Ｎｉを含むこと
を特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載のウ
エハ洗浄装置。 - 【請求項８】 前記触媒となる材料は、３００〜４５０
℃に加熱されていることを特徴とする請求項３乃至７の
いずれか１項に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項９】 前記ガス導入手段において、ガスとの接
触部の少なくとも一部は、水素ラジカル化反応の触媒と
なる材料で構成したことを特徴とする請求項１乃至７の
いずれか１項に記載のウエハ洗浄装置。 - 【請求項１０】 洗浄槽内で洗浄液によりウエハを洗浄
した後、該洗浄槽内において該ウエハを乾燥させるウエ
ハ洗浄方法であって、乾燥時においてウエハ表面に水素
活性種を含むガスを吹き付け、ウエハ表面のダングリン
グボンドを水素ターミネートさせることを特徴とするウ
エハ洗浄方法。 - 【請求項１１】 前記ガスの吹き付け時にウエハを回転
させることを特徴とする請求項１０記載のウエハ洗浄方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19744293A JP3436776B2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 |
| EP94923094A EP0714120A4 (en) | 1993-08-09 | 1994-08-09 | WAFER WASHING METHOD AND APPARATUS |
| US08/596,245 US6003243A (en) | 1993-08-09 | 1994-08-09 | Wafer cleaning apparatus and method thereof |
| PCT/JP1994/001314 WO1995005004A1 (fr) | 1993-08-09 | 1994-08-09 | Procede et appareil de lavage de plaquettes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19744293A JP3436776B2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758076A JPH0758076A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3436776B2 true JP3436776B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=16374580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19744293A Expired - Fee Related JP3436776B2 (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6003243A (ja) |
| EP (1) | EP0714120A4 (ja) |
| JP (1) | JP3436776B2 (ja) |
| WO (1) | WO1995005004A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3394143B2 (ja) * | 1996-12-16 | 2003-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法及びその装置 |
| US5834371A (en) * | 1997-01-31 | 1998-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof |
| US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 2002-02-19 | Tadahiro Ohmi | Cleaning method |
| JP4135780B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-08-20 | ユーシーティー株式会社 | 薬液定量注入装置および方法 |
| DE19808408C1 (de) * | 1998-02-27 | 1999-06-24 | Bernd Dreisbach | Vakuum-Trockenschrank |
| NL1009171C2 (nl) * | 1998-05-14 | 1999-12-10 | Asm Int | Waferrek voorzien van een gasverdeelinrichting. |
| US6620743B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
| JP4554146B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-09-29 | 忠弘 大見 | 回転式シリコンウエハ洗浄装置 |
| JP2005158761A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| TW200524018A (en) * | 2003-11-20 | 2005-07-16 | Ulvac Inc | Method of cleaning surface of semiconductor substrate, method of manufacturing film, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
| US8030182B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-10-04 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129732A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-06-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の処理方法 |
| US5227001A (en) * | 1990-10-19 | 1993-07-13 | Integrated Process Equipment Corporation | Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method |
| JP2640999B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1997-08-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置 |
| JPH05144804A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-11 | Tadahiro Omi | 半導体装置の製造方法 |
| JP3385324B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2003-03-10 | 忠弘 大見 | ウエハー乾燥方法及びウエハー乾燥装置 |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP19744293A patent/JP3436776B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-09 US US08/596,245 patent/US6003243A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-09 EP EP94923094A patent/EP0714120A4/en not_active Withdrawn
- 1994-08-09 WO PCT/JP1994/001314 patent/WO1995005004A1/ja not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1995005004A1 (fr) | 1995-02-16 |
| EP0714120A1 (en) | 1996-05-29 |
| US6003243A (en) | 1999-12-21 |
| JPH0758076A (ja) | 1995-03-03 |
| EP0714120A4 (en) | 1997-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3436776B2 (ja) | ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2688311B2 (ja) | 金属含有汚染物の除去方法 | |
| JP3742451B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH0969509A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法 | |
| JPH11121417A (ja) | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 | |
| KR100437429B1 (ko) | 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법 | |
| JP3649771B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2008311660A (ja) | 半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法 | |
| JP2002118085A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPS59104132A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2956347B2 (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JPH104074A (ja) | 基板又は膜の洗浄方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH03190130A (ja) | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP2001185520A (ja) | 半導体素子形成用基板表面処理方法 | |
| JP3669728B2 (ja) | 酸化膜及びその形成方法、並びに半導体装置 | |
| JPH07335608A (ja) | 金属不純物除去方法およびその装置 | |
| JP2896005B2 (ja) | ウェハー洗浄方法 | |
| JP4560966B2 (ja) | 電子材料の洗浄方法 | |
| JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JP4357456B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3057533B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| JP4375584B2 (ja) | 乾燥方法 | |
| JPH10256216A (ja) | 半導体装置製造方法および半導体装置製造装置 | |
| JPH07230976A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、洗浄装置及び洗浄システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |