JP3431731B2 - 電子線照射排ガス処理装置 - Google Patents

電子線照射排ガス処理装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガスにアンモニ
ア添加と電子線照射を行うことにより、排ガス中の窒素
酸化物及び/又は硫黄酸化物を除去する電子線照射排ガ
ス処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、アンモニアの添加位置は、排ガス
中におけるアンモニアの拡散が悪いため、拡散、混合を
向上させるため、反応器入口より上流側又は入口近傍の
位置で注入し、アンモニアの排ガス中における滞留時間
を長くして混合、拡散を良くしたり、あるいはガス混合
用にパンチングメタルを用いるなどの方法を使用してき
た。従来、脱硝、脱硫反応はほとんど同時に進行すると
考えられており、脱硝率が低い理由として、アンモニア
の混合、拡散が不十分であることが原因と考えられてい
た。そのためアンモニアの添加位置を電子線の照射領域
に近づけることは、全く考えられていなかった。
【0003】また環境規制の強化により、排ガス中のリ
ークアンモニア濃度規制も強化されるため、リークアン
モニアについても制御を行う必要があったが、従来は脱
硝、脱硫反応を進めるためにアンモニア量は過剰に供給
していた。しかしながら脱硝、脱硫効率を向上させるた
め、過剰なアンモニアを添加することは、排ガス中に多
量のアンモニアが残留することになり、排ガスの排出規
制によりNOX、SOX、ばい塵と同様にリークアンモニ
アについても排出量の規制が強化されると脱硝、脱硫反
応効率に見合うだけの、必要最小量のアンモニアを最適
位置にて注入する必要があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アンモニア
の添加量を必要最小量に抑えて、脱硝率の向上とリーク
アンモニアを数10ppmに抑えることができる電子線
照射排ガス処理装置の提供を課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、アンモニアの添加位置を電子線の照射
部からの距離により規定し、従来とは全く逆にアンモニ
アの添加位置を、反応器内における電子ビームの照射領
域に近づけることにより一挙に解決し、かつリークアン
モニアについても低濃度にすることが可能となった。こ
れは従来のアンモニア添加位置では、60〜80℃程度
の温度域において脱硝、脱硫反応が進行する際に当初脱
硫反応が起こり、その後脱硝反応が生じるため、電子線
の照射領域に到達するまでに、熱化学反応による脱硫反
応により、アンモニアの一部が消費されて脱硫反応は進
行する。他方、脱硝反応については過剰なアンモニアが
存在するほど脱硝率が向上するが、アンモニアの一部が
脱硫反応により消費されると脱硝反応が十分に行われな
くなり、このため脱硫効率に比較し脱硝効率が低くなる
という現象が起こったと考えられる。
【0006】アンモニアの添加位置を、反応器内に照射
される電子線の中心より排ガスの上流側に電子線の飛程
の2.5倍以内、好ましくは2.0倍以内、より好ましく
は1.5倍以内、最も好ましくは0.5〜1.0倍とす
る。アンモニア添加は、排ガスの条件;所望の脱硝率、
脱硫率;処理装置上の制約などを考慮して、アンモニ
アのみ、アンモニアと空気、アンモニアと水、ア
ンモニア、空気及び水、のいずれかにより供給される。
上記においてアンモニアの添加が、昇温されたアンモニ
ア及び乾燥空気(好ましくは、大気圧下での露点がー1
0C以下)を用いてアンモニアを希釈供給することが
操業上より好ましい。また、アンモニアの供給配管を照
射される電子線の球体状の広がりの外周に沿わせること
を併用することは有効である。
【0007】
【発明の実施の形態】従来、アンモニアの添加位置につ
いては、排ガス中でのアンモニアの拡散、混合が悪いた
めに反応器の上流より添加を行っていた。このために脱
硫反応が脱硝反応より早く進み、アンモニアの一部が消
費され脱硝反応が十分に行われなくなり、脱硝効率が低
下するという問題が生じる。それに対して、本発明のア
ンモニア添加位置では図4に示すように、従来位置とは
異なり、アンモニアの添加を、反応器内に照射される電
子線の中心より排ガスの上流側に電子線の飛程の2.5
倍以内、好ましくは2.0倍以内、より好ましくは1.5
倍以内、最も好ましくは1.0〜0.5倍とすることによ
り、脱硫反応により消費されていたアンモニア量を減ら
すことが可能なため、脱硝反応に寄与できるアンモニア
量が相対的に増加し、その結果脱硝率の向上がもたらさ
れる。しかし、電子線の飛程の2.5倍を越えると、本
発明の効果が十分にもたらされず、他方、アンモニアの
添加位置が、電子線の照射部に近づき過ぎると、電子線
がアンモニアの供給配管に当たることにより、エネルギ
ーの損失となるばかりでなく、アンモニアの供給配管が
電子線の影響で高温となるため、安全上新たな対策が必
要となり、好ましくない。
【0008】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 断面寸法が1100×1000mm(高さx幅)となる
反応器において照射される電子線の中心よりそれぞれ、
排ガス流れ上流側の1100mm(加速電圧0.5MeVの場
合の電子線発生装置の電子線照射窓部の損失等を考慮し
た電子線の飛程)、1500mm,400mmの地点よ
り、アンモニアを乾燥空気(大気圧下での露点がー15
0C以下)により約100倍に希釈して添加し、電子線の照
射条件を一定にしてそのときの脱硝率、脱硫率を調べ
た。試験条件、試験設備全体のフローについて表1及び
図1に示す。
【0009】図1に基いて、試験設備全体のフローを説
明する。ボイラ1で発生したSOX及び/又はNOXを含
有している排ガスは、冷却塔2で冷却された後、アンモ
ニア供給配管3よりアンモニアが反応器4に添加され
る。電子線発生装置5からの電子線が照射され、S
X,NOXは硫安、硝安の固形物に変換された後、電気
集塵機6、次いでバグフィルター7で捕集除去され、清
浄化された排ガスを誘引フアン8、煙突9を経由させて
大気に放出する。
【表1】 上記の試験条件にて試験を実施した。その結果を表2及
び図2と図3に示す。
【表2】
【0010】以上の試験結果より、飛程の2.5倍以
内、好ましくは2.0倍以内、より好ましくは1.5倍以
内、最も好ましくは1.0〜0.5倍の範囲においては従
来の脱硝性能に比較して、性能面で明らかな向上が認め
られ、かつリークアンモニアの低減が達成されているこ
とが確認できた。また脱硫率については、この範囲内で
従来の性能を維持している。ここである加速電圧E
(0.01MeV<E<2.5MeV)をもつ電子が物
質に入射したとき、その物質中で到達できる深さを「電
子の飛程」と呼び、その飛程R(cm)は、物質の種類
によらず次の経験式によって計算される。
【0011】電子の飛程と加速電圧の関係 R= ( 0.412・E1.256-0.0954lnE)/ρ R:電子の飛程(cm) E:加速電圧(MeV) ρ:物質の密度(g/cm3) 上記の経験式により計算される加速電圧と飛程の関係に
ついて0.5MeV〜1.0MeVの範囲について表3
に示す。なお下記表中の飛程は、電子線発生装置の照射
窓部による損失は考慮していない。加速電圧0.5Me
Vの飛程については、電子線の散乱、照射窓部の損失を
考慮し、その距離を1100mmとした。
【表3】
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、アンモニアの添加位置
を、反応器内に照射される電子線の中心より排ガスの上
流側に電子線の飛程の2.5倍以内、好ましくは2.0倍
以内、より好ましくは1.5倍以内、最も好ましくは1.
0〜0.5倍の範囲内とすることにより、脱硝率を向上
させ、なおかつリークアンモニアを低下することができ
る。この結果、今まで同一の電子線発生装置の出力で80
%弱の脱硝率が、85〜90%にも向上するため電子線発生装
置の出力を低減しつつ、所定の脱硝性能を発揮できる。
また電子線照射排ガス処理においてユーティリティー等
の経費の低減をはかることができ、従来の電子線照射排
ガス処理の長所に加え、更に低エネルギーであるという
利点も生まれた。
【図面の簡単な説明】
【図1】試験設備全体のフロー図を示す。
【図2】アンモニアの添加位置と脱硝率、脱硫率の関係
を示す。
【図3】アンモニアの添加位置とリークアンモニア濃度
の関係を示す。
【図4】試験実施時のアンモニアの添加位置を示す。
【図5】本発明におけるアンモニアの添加位置の一例を
示す。
【図6】本発明における電子線の広がりの外周に沿わせ
たアンモニアの添加位置の正面図を示す。
【図7】本発明における電子線の広がりの外周に沿わせ
たアンモニアの添加位置の平面図を示す。
【符号の説明】
1 ボイラ 2 冷却塔 3 アンモニア供給配管 4 反応器 5 電子線発生装置 6 電気集塵機 7 バグフィルター 8 誘引ファン 9 煙突 11 電子線発生装置 12 アンモニア供給配管 12’電子線の広がりの外周に沿わせたアンモニア供給
配管 13 反応器 14 電子線の飛程、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−346821(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01D 53/34

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 排ガスにアンモニア添加と電子線照射を
    行うことにより、排ガス中の窒素酸化物及び/又は硫黄
    酸化物を除去する装置において、アンモニアの添加位置
    を、反応器内に照射される電子線の中心より排ガスの上
    流側に電子線の飛程の2.5〜0.5倍とすることを特徴とす
    る電子線照射排ガス処理装置。
  2. 【請求項2】 前記アンモニア添加位置を、反応器内に
    照射される電子線の中心より排ガスの上流側に電子線の
    飛程の2.0〜0.5倍とすることを特徴とする請求項1に記
    載の装置
  3. 【請求項3】 前記アンモニア添加位置を、反応器内に
    照射される電子線の中心より排ガスの上流側に電子線の
    飛程の1.5〜0.5倍とすることを特徴とする請求項1に記
    載の装置。
  4. 【請求項4】 前記アンモニア添加位置を、反応器内に
    照射される電子線の中心より排ガスの上流側に電子線の
    飛程の1.0〜0.5倍とすることを特徴とする請求項1に記
    載の装置。
  5. 【請求項5】 前記アンモニア添加が、アンモニアの
    み、アンモニアと空気、アンモニアと水、アンモ
    ニア、空気及び水、のいずれかにより供給されることを
    特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の装置。
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