JP3425848B2 - チップ部品 - Google Patents
チップ部品Info
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- JP3425848B2 JP3425848B2 JP14402597A JP14402597A JP3425848B2 JP 3425848 B2 JP3425848 B2 JP 3425848B2 JP 14402597 A JP14402597 A JP 14402597A JP 14402597 A JP14402597 A JP 14402597A JP 3425848 B2 JP3425848 B2 JP 3425848B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、中央部分が両側部
分よりも細い磁器素子を用い、磁器素子の中央部分上に
外装膜を、両側部分上に外部電極膜をそれぞれ備えたチ
ップ部品に関するものである。
分よりも細い磁器素子を用い、磁器素子の中央部分上に
外装膜を、両側部分上に外部電極膜をそれぞれ備えたチ
ップ部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ部品を開示するものとし
て、本出願人による特開平７−３０７２０１号公報があ
り、同公報には、一対の角柱部の間にこれよりも横断面
形が小さな角柱部または円柱部を一体に備えた磁器素子
と、磁器素子の表面に形成された導体膜と、導体膜の中
央角柱部上部分または中央円柱部上部分を覆う外装膜
と、導体膜の両側角柱部上部分を覆う外部電極膜とを備
えたチップ部品が開示されている。
て、本出願人による特開平７−３０７２０１号公報があ
り、同公報には、一対の角柱部の間にこれよりも横断面
形が小さな角柱部または円柱部を一体に備えた磁器素子
と、磁器素子の表面に形成された導体膜と、導体膜の中
央角柱部上部分または中央円柱部上部分を覆う外装膜
と、導体膜の両側角柱部上部分を覆う外部電極膜とを備
えたチップ部品が開示されている。
【０００３】このチップ部品の構造によれば、例えば、
導体膜を抵抗材料から形成しその中央部分を必要に応じ
てトリミングすることによってチップ抵抗器を構成する
ことができ、また、導体膜を低抵抗材料から形成しその
中央部分に螺旋状溝を形成することによって所定周回の
コイルを持つチップインダクタを構成することができ、
さらに、導体膜を低抵抗材料から形成することによって
チップジャンパーを構成することができる。
導体膜を抵抗材料から形成しその中央部分を必要に応じ
てトリミングすることによってチップ抵抗器を構成する
ことができ、また、導体膜を低抵抗材料から形成しその
中央部分に螺旋状溝を形成することによって所定周回の
コイルを持つチップインダクタを構成することができ、
さらに、導体膜を低抵抗材料から形成することによって
チップジャンパーを構成することができる。
【０００４】上記のチップ部品は、両外部電極膜の側面
のうちの１つを実装面として任意に利用でき、部品転動
や滑りを防止して安定した実装を行えると共に、部品自
体が表裏を持たない外観形状を有しているのでバルク供
給（ばら状態で収納されたチップ部品を所定向きで一列
に整列して供給する方式）に好適であるという利点を備
えている。
のうちの１つを実装面として任意に利用でき、部品転動
や滑りを防止して安定した実装を行えると共に、部品自
体が表裏を持たない外観形状を有しているのでバルク供
給（ばら状態で収納されたチップ部品を所定向きで一列
に整列して供給する方式）に好適であるという利点を備
えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のチップ部品は、
中央部分が両側部分よりも細い磁器素子を用いているた
め、中央部分と両側部分との寸法差が大きくなると、両
者の強度差を原因として境界部分にクラックを生じる恐
れがある。
中央部分が両側部分よりも細い磁器素子を用いているた
め、中央部分と両側部分との寸法差が大きくなると、両
者の強度差を原因として境界部分にクラックを生じる恐
れがある。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、中央部分が両側部分より
も細い磁器素子を用いる場合でも強度面の懸念を一掃で
きるチップ部品を提供することにある。
で、その目的とするところは、中央部分が両側部分より
も細い磁器素子を用いる場合でも強度面の懸念を一掃で
きるチップ部品を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、一対の四角柱部間にこれよりも横断面形
が小さな円柱部または四角柱部を備えた磁器素子を用
い、該磁器素子の中央円柱部または中央四角柱部上に外
装膜を、両側四角柱部上に外部電極膜をそれぞれ備えた
チップ部品であって、前記外装膜は磁器素子の両側四角
柱部の４側面上まで延設され、該外装膜の端縁は磁器素
子の両側四角柱部の４側面上で前記外部電極と接触して
いる、ことをその主たる特徴としている。
め、本発明は、一対の四角柱部間にこれよりも横断面形
が小さな円柱部または四角柱部を備えた磁器素子を用
い、該磁器素子の中央円柱部または中央四角柱部上に外
装膜を、両側四角柱部上に外部電極膜をそれぞれ備えた
チップ部品であって、前記外装膜は磁器素子の両側四角
柱部の４側面上まで延設され、該外装膜の端縁は磁器素
子の両側四角柱部の４側面上で前記外部電極と接触して
いる、ことをその主たる特徴としている。
【０００８】このチップ部品によれば、外装膜が磁器素
子の両側四角柱部の４側面上まで延設され、該外装膜の
端縁が磁器素子の両側四角柱部の４側面上で前記外部電
極と接触しているので、中央円柱部または中央四角柱部
が両側四角柱部よりも細い磁器素子を用いる場合でも、
磁器素子の強度的に弱い部分を磁器素子の両側四角柱部
の４側面上まで延設された外装膜によって補強すること
ができる。
子の両側四角柱部の４側面上まで延設され、該外装膜の
端縁が磁器素子の両側四角柱部の４側面上で前記外部電
極と接触しているので、中央円柱部または中央四角柱部
が両側四角柱部よりも細い磁器素子を用いる場合でも、
磁器素子の強度的に弱い部分を磁器素子の両側四角柱部
の４側面上まで延設された外装膜によって補強すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１には本発明を適用したチップ
部品の外観斜視図を、図２にはその縦断面図をそれぞれ
示してある。同図に示したチップ部品は一対の四角柱部
間にこれよりも横断面形が小さな円柱部を備えた外観形
状を有しており、図中の１は磁器素子、２は回路用導体
膜（以下単に導体膜という）、３は外装膜、４は外部電
極膜である。
部品の外観斜視図を、図２にはその縦断面図をそれぞれ
示してある。同図に示したチップ部品は一対の四角柱部
間にこれよりも横断面形が小さな円柱部を備えた外観形
状を有しており、図中の１は磁器素子、２は回路用導体
膜（以下単に導体膜という）、３は外装膜、４は外部電
極膜である。
【００１０】磁器素子１は、部品種類に応じた磁器材料
（セラミクス）から成り、図３（ａ）にも示すようにチ
ップ部品と相似した外観形状を有している。つまり、磁
器素子１は、向き及び大きさが等しい一対の四角柱部１
ａと、横断面形が該四角柱部１ａよりも小さく、且つ両
側四角柱部１ａの間に同軸上に位置する円柱部１ｂとを
一体に備えている。
（セラミクス）から成り、図３（ａ）にも示すようにチ
ップ部品と相似した外観形状を有している。つまり、磁
器素子１は、向き及び大きさが等しい一対の四角柱部１
ａと、横断面形が該四角柱部１ａよりも小さく、且つ両
側四角柱部１ａの間に同軸上に位置する円柱部１ｂとを
一体に備えている。
【００１１】導体膜２は、部品種類に応じた導体材料か
ら成り、スパッタリングや電解・無電解メッキ等を利用
した周知の薄膜形成手法によって、磁器素子１の表面全
体に所定の厚みをもって形成されている。部品種類にも
よるがこの導体膜２の厚みは約３μｍである。
ら成り、スパッタリングや電解・無電解メッキ等を利用
した周知の薄膜形成手法によって、磁器素子１の表面全
体に所定の厚みをもって形成されている。部品種類にも
よるがこの導体膜２の厚みは約３μｍである。
【００１２】外装膜３は、エポキシ系の樹脂やシリコン
系のガラス等から成り、ペースト塗布・硬化等を利用し
た周知の厚膜形成手法によって、導体膜２の中央円柱部
上と両側角柱部上の一部（中央円柱部と隣接する４側面
の一部）に所定の厚みをもって連続的に形成されてい
る。この外装膜３の厚みは約１５μｍで、図示例のもの
では両側角柱部の４側面の中央円柱部側の約１／３まで
外装膜３が延設されている。
系のガラス等から成り、ペースト塗布・硬化等を利用し
た周知の厚膜形成手法によって、導体膜２の中央円柱部
上と両側角柱部上の一部（中央円柱部と隣接する４側面
の一部）に所定の厚みをもって連続的に形成されてい
る。この外装膜３の厚みは約１５μｍで、図示例のもの
では両側角柱部の４側面の中央円柱部側の約１／３まで
外装膜３が延設されている。
【００１３】外部電極膜４は、銀，ニッケル等の電極材
料から成り、ペースト塗布・硬化等を利用した周知の厚
膜形成手法によって、導体膜２の両側角柱部上の外装膜
３が形成されていない部分に所定の厚みをもって形成さ
れている。この外部電極膜４の厚みは２０〜４５μｍ
で、図示例のものでは外部電極膜４の端縁４ａが外装膜
３の端縁３ａの上に僅かに重なった状態で接触してい
る。
料から成り、ペースト塗布・硬化等を利用した周知の厚
膜形成手法によって、導体膜２の両側角柱部上の外装膜
３が形成されていない部分に所定の厚みをもって形成さ
れている。この外部電極膜４の厚みは２０〜４５μｍ
で、図示例のものでは外部電極膜４の端縁４ａが外装膜
３の端縁３ａの上に僅かに重なった状態で接触してい
る。
【００１４】図１及び図２に示したチップ部品の構造に
よれば、磁器素子１と導体膜２に抵抗器に適した材料を
採用することによってチップ抵抗器を構成することがで
き、以下、その製造方法の一例を図３を参照して説明す
る。
よれば、磁器素子１と導体膜２に抵抗器に適した材料を
採用することによってチップ抵抗器を構成することがで
き、以下、その製造方法の一例を図３を参照して説明す
る。
【００１５】まず、図３（ａ）に示すように、一対の四
角柱部１ａ間にこれよりも横断面形が小さな円柱部１ｂ
を一体に備えたアルミナ等の絶縁材料から成る磁器素子
１を得た後、多数の磁器素子１を一括でバレル研磨して
その角及び稜線に丸み付けをする。
角柱部１ａ間にこれよりも横断面形が小さな円柱部１ｂ
を一体に備えたアルミナ等の絶縁材料から成る磁器素子
１を得た後、多数の磁器素子１を一括でバレル研磨して
その角及び稜線に丸み付けをする。
【００１６】次に、図３（ｂ）に示すように、磁器素子
１の表面全体に、酸化ルテニウム等の抵抗材料から成る
導体膜（抵抗膜）２を、スパッタリングや電解・無電解
メッキ等によって形成する。また、必要に応じて導体膜
の中央円柱部上部分にトリミング溝（図示省略）をレー
ザ光照射やダイシング等の手法による部分的な除去加工
によって形成して抵抗値調整を行う。
１の表面全体に、酸化ルテニウム等の抵抗材料から成る
導体膜（抵抗膜）２を、スパッタリングや電解・無電解
メッキ等によって形成する。また、必要に応じて導体膜
の中央円柱部上部分にトリミング溝（図示省略）をレー
ザ光照射やダイシング等の手法による部分的な除去加工
によって形成して抵抗値調整を行う。
【００１７】次に、図３（ｃ）に示すように、導体膜の
中央円柱部上と両側角柱部上の一部に、エポキシ系の樹
脂やシリコン系のガラス等を主成分とする外装ペースト
を、塗布領域に対応した周面形状を有するローラ等を用
いてコーティングし、これを焼き付け等の熱処理によっ
て硬化させて外装膜３を形成する。
中央円柱部上と両側角柱部上の一部に、エポキシ系の樹
脂やシリコン系のガラス等を主成分とする外装ペースト
を、塗布領域に対応した周面形状を有するローラ等を用
いてコーティングし、これを焼き付け等の熱処理によっ
て硬化させて外装膜３を形成する。
【００１８】次に、図３（ｄ）に示すように、導体膜２
の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部分に、
銀，ニッケル等の金属粉を含有した電極ペーストを、浸
漬法（ディップ法）または注型法等によってコーティン
グし、これを焼き付け等の熱処理によって硬化させて外
部電極膜４を形成する。以上で、図１及び図２に示した
ものと同様の外観形状を有するチップ抵抗器を得ること
ができる。
の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部分に、
銀，ニッケル等の金属粉を含有した電極ペーストを、浸
漬法（ディップ法）または注型法等によってコーティン
グし、これを焼き付け等の熱処理によって硬化させて外
部電極膜４を形成する。以上で、図１及び図２に示した
ものと同様の外観形状を有するチップ抵抗器を得ること
ができる。
【００１９】また、図１及び図２に示したチップ部品の
構造によれば、磁器素子１と導体膜２にインダクタに適
した材料を採用し、中央円柱部上の導体膜２に螺旋状溝
を形成することによって所定周回のコイルを持つチップ
インダクタを構成することができ、以下、その製造方法
の一例を図３を参照して説明する。
構造によれば、磁器素子１と導体膜２にインダクタに適
した材料を採用し、中央円柱部上の導体膜２に螺旋状溝
を形成することによって所定周回のコイルを持つチップ
インダクタを構成することができ、以下、その製造方法
の一例を図３を参照して説明する。
【００２０】まず、図３（ａ）に示すように、一対の四
角柱部１ａ間にこれよりも横断面形が小さな円柱部１ｂ
を一体に備えたフェライト等の磁性材料から成る磁器素
子１を得た後、多数の磁器素子１を一括でバレル研磨し
てその角及び稜線に丸み付けをする。
角柱部１ａ間にこれよりも横断面形が小さな円柱部１ｂ
を一体に備えたフェライト等の磁性材料から成る磁器素
子１を得た後、多数の磁器素子１を一括でバレル研磨し
てその角及び稜線に丸み付けをする。
【００２１】次に、図３（ｂ）に示すように、磁器素子
１の表面全体に、銅，銀等の低抵抗材料から成る導体膜
２を、スパッタリングや電解・無電解メッキ等によって
形成する。そして、導体膜２の中央円柱部上部分に螺旋
状溝（図示省略）をレーザ光照射やダイシング等の手法
による部分的な除去加工によって形成して所定周回のコ
イルを形成する。
１の表面全体に、銅，銀等の低抵抗材料から成る導体膜
２を、スパッタリングや電解・無電解メッキ等によって
形成する。そして、導体膜２の中央円柱部上部分に螺旋
状溝（図示省略）をレーザ光照射やダイシング等の手法
による部分的な除去加工によって形成して所定周回のコ
イルを形成する。
【００２２】次に、図３（ｃ）に示すように、導体膜の
中央円柱部上と両側角柱部上の一部に、エポキシ系の樹
脂やシリコン系のガラス等を主成分とする外装ペースト
を、塗布領域に対応した周面形状を有するローラ等を用
いてコーティングし、これを焼き付け等の熱処理によっ
て硬化させて外装膜３を形成する。
中央円柱部上と両側角柱部上の一部に、エポキシ系の樹
脂やシリコン系のガラス等を主成分とする外装ペースト
を、塗布領域に対応した周面形状を有するローラ等を用
いてコーティングし、これを焼き付け等の熱処理によっ
て硬化させて外装膜３を形成する。
【００２３】次に、図３（ｄ）に示すように、導体膜２
の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部分に、
銀，ニッケル等の金属粉を含有した電極ペーストを、浸
漬法（ディップ法）または注型法等によってコーティン
グし、これを焼き付け等の熱処理によって硬化させて外
部電極膜４を形成する。以上で、図１及び図２に示した
ものと同様の外観形状を有するチップインダクタを得る
ことができる。
の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部分に、
銀，ニッケル等の金属粉を含有した電極ペーストを、浸
漬法（ディップ法）または注型法等によってコーティン
グし、これを焼き付け等の熱処理によって硬化させて外
部電極膜４を形成する。以上で、図１及び図２に示した
ものと同様の外観形状を有するチップインダクタを得る
ことができる。
【００２４】勿論、図１及び図２に示したチップ部品の
構造は先に述べたチップ抵抗器やチップインダクタ以外
のチップ部品、例えば、チップジャンパーや複合回路部
品等にも適用することができる。
構造は先に述べたチップ抵抗器やチップインダクタ以外
のチップ部品、例えば、チップジャンパーや複合回路部
品等にも適用することができる。
【００２５】このように、図１及び図２に示したチップ
部品によれば、外装膜３を導体膜２の中央円柱部上と両
側角柱部上の一部に連続的に形成し、外部電極膜４を導
体膜２の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部
分に形成してあるので、中央部分が両側部分よりも細い
磁器素子１を用いる場合でも、磁器素子１の強度的に弱
い部分を、両側角柱部上まで延設された外装膜４によっ
て的確に補強して、強度面の懸念を一掃することができ
る。
部品によれば、外装膜３を導体膜２の中央円柱部上と両
側角柱部上の一部に連続的に形成し、外部電極膜４を導
体膜２の両側角柱部上の外装膜３が形成されていない部
分に形成してあるので、中央部分が両側部分よりも細い
磁器素子１を用いる場合でも、磁器素子１の強度的に弱
い部分を、両側角柱部上まで延設された外装膜４によっ
て的確に補強して、強度面の懸念を一掃することができ
る。
【００２６】また、外部電極膜４の端縁４ａが外装膜３
の端縁３ａの上に僅かに重なって該端縁３ａを覆ってい
るので、外装膜３が端縁３ａから剥離することを外部電
極膜４によって防止できると共に、外部電極膜４と外装
膜３との結合性を高めることができる。
の端縁３ａの上に僅かに重なって該端縁３ａを覆ってい
るので、外装膜３が端縁３ａから剥離することを外部電
極膜４によって防止できると共に、外部電極膜４と外装
膜３との結合性を高めることができる。
【００２７】さらに、外部電極膜４の厚みが外装膜３の
厚みよりも大きいので、両側角柱部上に位置する外装膜
３が部品実装の妨げになることがなく、外部電極膜４の
側面を半田等の接合材を介して基板電極（ランド）に適
正に接触させて部品接続を良好に行うことができる。
厚みよりも大きいので、両側角柱部上に位置する外装膜
３が部品実装の妨げになることがなく、外部電極膜４の
側面を半田等の接合材を介して基板電極（ランド）に適
正に接触させて部品接続を良好に行うことができる。
【００２８】さらに、外部電極膜を両側角柱部上に形成
する場合に比べて外部電極膜間の距離を大きく取ること
ができるので、部品長手寸法が小さい場合でも部品実装
時に生じ得る外部電極膜の相互短絡（ショート）の問題
を回避できる。
する場合に比べて外部電極膜間の距離を大きく取ること
ができるので、部品長手寸法が小さい場合でも部品実装
時に生じ得る外部電極膜の相互短絡（ショート）の問題
を回避できる。
【００２９】尚、図１及び図３に示した実施形態では、
外部電極膜４の端縁４ａが外装膜３の端縁３ａの上に僅
かに重なるようにしたものを例示したが、図４（ａ）に
示すように外部電極膜４の端縁４ａの重なりしろを大き
くすれば、外部電極膜４と外装膜３との結合性をより高
めることができると共に、外部電極膜４の側面面積（接
続面積）を拡大することができる。勿論、外部電極膜４
の端縁４ａは外装膜３の端縁３ａの上に必ずしも重ねる
必要はなく、図４（ｂ）に示すように、外部電極膜４の
端縁４ａと外装膜３の端縁３ａとが重ならずに接触する
ような形態を採用してもよい。
外部電極膜４の端縁４ａが外装膜３の端縁３ａの上に僅
かに重なるようにしたものを例示したが、図４（ａ）に
示すように外部電極膜４の端縁４ａの重なりしろを大き
くすれば、外部電極膜４と外装膜３との結合性をより高
めることができると共に、外部電極膜４の側面面積（接
続面積）を拡大することができる。勿論、外部電極膜４
の端縁４ａは外装膜３の端縁３ａの上に必ずしも重ねる
必要はなく、図４（ｂ）に示すように、外部電極膜４の
端縁４ａと外装膜３の端縁３ａとが重ならずに接触する
ような形態を採用してもよい。
【００３０】また、図１及び図３に示した実施形態で
は、外装膜４を厚膜手法を利用して形成したものを例示
したが、該外装膜４は成形技術を利用して形成すること
も可能である。以下、型を用いた成形によって外装膜４
を形成する手順を図５を参照して説明する。
は、外装膜４を厚膜手法を利用して形成したものを例示
したが、該外装膜４は成形技術を利用して形成すること
も可能である。以下、型を用いた成形によって外装膜４
を形成する手順を図５を参照して説明する。
【００３１】まず、図５（ａ）に示すような一対の型板
１１，１２を用意し、導体形成後の磁器素子１をセット
した後、型を閉じる。この型板１１，１１は、型閉じ状
態で、導体形成後の磁器素子１を所定の姿勢で保持し、
且つ外装膜４の形成部分に相当したクリアランスＣを有
するキャビティを画成する。そして、図５（ｂ）に示す
ように、図示省略のゲートから上記クリアランスＣ内に
外装ペーストＰを注入し、注入された外装ペーストＰを
熱処理等によって硬化させる。成形法については特段の
制限はないが、注型成形の場合には外装ペーストＰとし
て先に述べた外装ペーストと同様のものを使用すること
ができ、外装ペーストＰの組成を変更すれば射出成形や
トランスファー成形等によっても外装膜を同様に形成す
ることができる。ペースト硬化後に型を開いて磁器素子
１を取り出せば、図５（ｃ）に示すように、外装膜３が
所望の領域に形成された素子を得ることができ、これに
外部電極膜４を形成すれば図１及び図２と同様のチップ
部品を得ることができる。
１１，１２を用意し、導体形成後の磁器素子１をセット
した後、型を閉じる。この型板１１，１１は、型閉じ状
態で、導体形成後の磁器素子１を所定の姿勢で保持し、
且つ外装膜４の形成部分に相当したクリアランスＣを有
するキャビティを画成する。そして、図５（ｂ）に示す
ように、図示省略のゲートから上記クリアランスＣ内に
外装ペーストＰを注入し、注入された外装ペーストＰを
熱処理等によって硬化させる。成形法については特段の
制限はないが、注型成形の場合には外装ペーストＰとし
て先に述べた外装ペーストと同様のものを使用すること
ができ、外装ペーストＰの組成を変更すれば射出成形や
トランスファー成形等によっても外装膜を同様に形成す
ることができる。ペースト硬化後に型を開いて磁器素子
１を取り出せば、図５（ｃ）に示すように、外装膜３が
所望の領域に形成された素子を得ることができ、これに
外部電極膜４を形成すれば図１及び図２と同様のチップ
部品を得ることができる。
【００３２】さらに、図１及び図２に示した実施形態で
は、一対の四角柱部間にこれよりも横断面形が小さな円
柱部を備えた外観形状を有するものをチップ部品として
例示したが、チップ部品は、図６に示すように、一対の
四角柱部間にこれよりも横断面形が小さな四角柱部を備
えた外観形状を有するものであってもよい。このチップ
部品は、磁器素子として、向き及び大きさが等しい一対
の四角柱部と、横断面形が該四角柱部よりも小さく、且
つ両側四角柱部の間に同軸上に位置する四角柱部とを一
体に備えたものを用いる点を相違するだけで、他の構成
は図１及び図２に示したものと同じである。
は、一対の四角柱部間にこれよりも横断面形が小さな円
柱部を備えた外観形状を有するものをチップ部品として
例示したが、チップ部品は、図６に示すように、一対の
四角柱部間にこれよりも横断面形が小さな四角柱部を備
えた外観形状を有するものであってもよい。このチップ
部品は、磁器素子として、向き及び大きさが等しい一対
の四角柱部と、横断面形が該四角柱部よりも小さく、且
つ両側四角柱部の間に同軸上に位置する四角柱部とを一
体に備えたものを用いる点を相違するだけで、他の構成
は図１及び図２に示したものと同じである。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
中央円柱部または中央四角柱部が両側四角柱部よりも細
い磁器素子を用いる場合でも、磁器素子の強度的に弱い
部分を磁器素子の両側四角柱部の４側面上まで延設され
た外装膜によって的確に補強して、強度面の懸念を一掃
して高品質のチップ部品を提供できる。
中央円柱部または中央四角柱部が両側四角柱部よりも細
い磁器素子を用いる場合でも、磁器素子の強度的に弱い
部分を磁器素子の両側四角柱部の４側面上まで延設され
た外装膜によって的確に補強して、強度面の懸念を一掃
して高品質のチップ部品を提供できる。
【図１】本発明を適用したチップ部品の外観斜視図
【図２】図１に示したチップ部品の縦断面図
【図３】チップ部品の製造手順を示す図
【図４】外部電極膜と外装膜の境界部分の変形例を示す
図
図
【図５】外装膜を型を用いた成形によって形成する手順
を示す図
を示す図
【図６】本発明を適用した他のチップ部品の外観斜視図
１…磁器素子、２…導体膜、３…外装膜、３ａ…外装膜
の端縁、４…外部電極膜、４ａ…外部電極膜の端縁、１
１，１２…型、Ｃ…クリアランス、Ｐ…外装ペースト。
の端縁、４…外部電極膜、４ａ…外部電極膜の端縁、１
１，１２…型、Ｃ…クリアランス、Ｐ…外装ペースト。
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(72)発明者 東 富雄
和歌山県日高郡印南町島田1197番地 中
紀精機株式会社内
(72)発明者 垣内 育雄
和歌山県日高郡印南町島田1197番地 中
紀精機株式会社内
(72)発明者 寺岡 学
和歌山県日高郡印南町島田1197番地 中
紀精機株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−307201（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−281701（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−251210（ＪＰ，Ａ)
実開 平２−56426（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01C 1/00 - 17/30
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の四角柱部間にこれよりも横断面形
が小さな円柱部または四角柱部を備えた磁器素子を用
い、該磁器素子の中央円柱部または中央四角柱部上に外
装膜を、両側四角柱部上に外部電極膜をそれぞれ備えた
チップ部品であって、 前記外装膜は磁器素子の両側四角柱部の４側面上まで延
設され、該外装膜の端縁は磁器素子の両側四角柱部の４
側面上で前記外部電極と接触している、 ことを特徴とするチップ部品。 - 【請求項２】 各外部電極膜の端縁は外装膜の端縁を覆
っている、 ことを特徴とする請求項１記載のチップ部品。 - 【請求項３】 両側四角柱部の４側面上における外部電
極膜の厚みは両側四角柱部の４側面上における外装膜の
厚みよりも大きい、 ことを特徴とする請求項１または２記載のチップ部品。 - 【請求項４】 外装膜は型を用いた成形によって形成さ
れたものである、 ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のチ
ップ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14402597A JP3425848B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | チップ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14402597A JP3425848B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | チップ部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH10335105A JPH10335105A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3425848B2 true JP3425848B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=15352586
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14402597A Expired - Fee Related JP3425848B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | チップ部品 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3425848B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5471153B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-04-16 | パナソニック株式会社 | 抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0432741Y2 (ja) * | 1988-10-15 | 1992-08-06 | ||
| JPH02281701A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP3036567B2 (ja) * | 1991-12-20 | 2000-04-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性チップ型セラミック素子及びその製造方法 |
| JP3329964B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-09-30 | 太陽誘電株式会社 | チップ部品及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-02 JP JP14402597A patent/JP3425848B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10335105A (ja) | 1998-12-18 |
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