JP3418087B2 - インダクタンス素子及びその製造方法 - Google Patents

インダクタンス素子及びその製造方法

Info

Publication number
JP3418087B2
JP3418087B2 JP12364797A JP12364797A JP3418087B2 JP 3418087 B2 JP3418087 B2 JP 3418087B2 JP 12364797 A JP12364797 A JP 12364797A JP 12364797 A JP12364797 A JP 12364797A JP 3418087 B2 JP3418087 B2 JP 3418087B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inductance element
frequency
closed loop
coil
conductive member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12364797A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10312920A (ja
Inventor
秀美 岩尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP12364797A priority Critical patent/JP3418087B2/ja
Priority to US09/076,911 priority patent/US6255933B1/en
Publication of JPH10312920A publication Critical patent/JPH10312920A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3418087B2 publication Critical patent/JP3418087B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子に関し、特に所望の周波数にて誘導性リアクタンス成
分を確実に減衰させることが可能なインダクタンス素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器に対する電磁妨害（ＥＭ
Ｉ）を防止するために電気信号ラインにはインダクタン
ス素子が組み込まれる場合がある。インダクタンス素子
のインピーダンスはノイズを減衰させる抵抗成分とノイ
ズを反射してしまうリアクタンス成分からなるが、ＥＭ
Ｉ効果を上げるためにはノイズ除去対象の周波数域にお
いてリアクタンス成分が小さく、抵抗成分が大きいイン
ダクタンス素子が望ましい。
【０００３】こうしたインダクタンス素子には、実開平
４−１３０４０９号公報に開示されるものがある。この
インダクタンス素子の構成を図１及び図２に示す。図１
は外観図、図２は構成図である。図１において、１はイ
ンダクタンス素子本体で、直方体形状をなした磁性体１
ａとその内部に設けられた導電材からなり、この導電材
は磁性体１ａの長手方向両端部に形成された外部電極
２，３に接続されている。
【０００４】また、内部導電材は図２に示すように構成
されている。即ち、電極パターン１１ａ〜１１ｆを形成
した磁性体シート１２ａ〜１２ｆを積層し、スルーホー
ル１４によって電極パターン１１ａ〜１１ｆをスパイラ
ル状に接続してコイルが形成されている。さらに、閉ル
ープ形状の電極パターン１１ｇが形成された磁性体シー
トが積層されている。また、外部電極２，３は、電極パ
ターン１１ａ〜１１ｆによって構成されるコイルの両端
に接続されている。
【０００５】これにより、電極パターン１１ａ〜１１ｆ
をスパイラル状に形成してなるコイルと、このコイルの
所定近傍に配置されコイルとは絶縁されると共に、コイ
ルの中心軸を取り巻く閉ループ形状の電極パターン１１
ｇと、これらの電極パターン１１ａ〜１１ｇを包含する
所定の空間に充填された所定の磁性材料からなる磁性体
と、コイルの両端に接続され、磁性体の外部に形成され
た一対の外部電極２，３とからなるインダクタンス素子
が構成されている。
【０００６】実開平４−１３０４９０号公報に開示され
たインダクタンス素子によれば、コイルから発生した磁
束によってコイルとは絶縁された閉ループ形状の電極パ
ター１１ｇに電流が発生し、この電流が電極パター１１
ｇの導電部材の抵抗成分によって熱に変わり、インダク
タンス素子の抵抗成分が増大する。また、この閉ループ
電極パターン１１ｇに流れる電流により逆磁場が発生
し、リアクタンス成分が減衰する。これらによりノイズ
の発生しやすい周波数域、例えば図３に示すように、１
０．０８ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周波数域において、
インダクタンス素子のリアクタンス成分（誘導性リアク
タンスＸL，容量性リアクタンスＸC）よりも抵抗成分Ｒ
を高く設定することができ、ノイズ除去等のＥＭＩ対策
に威力を発揮させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リアク
タンス成分（ＸL，ＸC）よりも抵抗成分Ｒを大きくする
ためには、リアクタンスが最も大きい周波数域や両者の
絶対値が同等となる周波数で、前述した閉ループ（電極
パターン１１ｇ）による効果が現れるようにしなければ
ならないが、従来技術では特定の周波数にて効果を出す
方法が知られていなかった。
【０００８】従って、従来は、インダクタンス素子を設
計する際、目的の特性を得るために、カットアンドトラ
イで試作を繰り返さなければならないため、設計に著し
く時間がかかるという問題があった。
【０００９】さらに、閉ループ（電極パターン１１ｇ）
の効果をより大きくするために、閉ループ（電極パター
ン１１ｇ）をコイルによる磁場が最も強いコイルの中央
部に配置したいとき、従来の技術では閉ループとコイル
とを絶縁しているため、閉ループの形状やサイズがコイ
ルによって制約され設計の自由度が減少するという問題
点があった。
【００１０】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、所望
の周波数にて閉ループ形状導電部材の効果が得られると
共に、コイルによって閉ループ形状導電部材の形状やサ
イズが制約されないインダクタンス素子及びその製造方
法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項１では、所定の導電材をスパイラル
状に形成してなるコイルと、前記コイルの中心軸を取り
巻く閉ループ形状をなし、前記コイルの所定近傍に配置
された導電部材と、前記コイルの両端に接続された一対
の接続電極とからなり、誘導性リアクタンスが生じる周
波数帯域内の所定周波数を目標周波数ｆとして、前記閉
ループ形状導電部材の直列抵抗成分ｒとインダクタンス
Ｌが、前記式（ａ）で規定される範囲内の値に設定され
ているインダクタンス素子を提案する。
【００１２】該インダクタンス素子によれば、スパイラ
ル状コイルの中心軸を取り巻く閉ループ形状をなし、前
記コイルの所定近傍に配置された導電部材は、誘導性リ
アクタンスが生じる周波数帯域内の所定周波数を目標周
波数ｆとして、前記閉ループ形状導電部材の直列抵抗成
分ｒとインダクタンスＬが、前記式（ａ）で規定される
範囲内の値に設定されている。
【００１３】これにより、前記コイルに通電した際に
は、前記コイルに流れる電流によって発生する磁束が前
記閉ループ形状導電部材と交差し、該導電部材の閉ルー
プ内にはレンツの法則に基づいて電流が流れる。この電
流によって前記磁束を打ち消す方向の磁界が発生すると
共に、この電流は前記導電部材の抵抗成分によって熱に
変り、インダクタンス素子の損失抵抗が増大する。さら
に、前記目標周波数を中心とする所定周波数域において
誘導性リアクタンス成分が低下する。
【００１４】また、請求項２では、請求項１記載のイン
ダクタンス素子において、インダクタンス素子において
前記閉ループ形状導電部材が存在しないときの誘導性リ
アクタンス成分の値が最大となる周波数に前記目標周波
数を設定したインダクタンス素子を提案する。
【００１５】該インダクタンス素子によれば、前記閉ル
ープ形状導電部材が存在しないときの誘導性リアクタン
ス成分の値が最大となる周波数に前記目標周波数が設定
されているので、前記誘導性リアクタンス成分の最大値
を低下させることができる。
【００１６】また、請求項３では、請求項１記載のイン
ダクタンス素子において、インダクタンス素子において
前記閉ループ形状導電部材が存在しないときの抵抗成分
の値と誘導性リアクタンス成分の値が等しくなる周波数
に前記目標周波数ｆを設定したインダクタンス素子を提
案する。
【００１７】該インダクタンス素子によれば、前記閉ル
ープ形状導電部材が存在しないときの抵抗成分の値と誘
導性リアクタンス成分の値が等しくなる周波数に前記目
標周波数ｆが設定されているので、前記誘導性リアクタ
ンス成分を低下させることができると共に、これに伴
い、誘導性リアクタンス成分の値よりも抵抗成分の値が
大きくなる周波数域が広がる。
【００１８】また、請求項４では、請求項１乃至３の何
れかに記載のインダクタンス素子にいて、前記閉ループ
形状の導電部材は、前記コイルの導電材に導通接続され
ているインダクタンス素子を提案する。
【００１９】該インダクタンス素子によれば、前記閉ル
ープ形状の導電部材が前記コイルの導電材に導通接続さ
れ、該閉ループ形状導電部材によっても、またコイルの
導電材に導通接続されていない閉ループ形状導電部材に
よっても、閉ループ形状導電部材は前記記載と同等の作
用を呈する。
【００２０】また、請求項５では、請求項１乃至４の何
れかに記載のインダクタンス素子にいて、前記閉ループ
形状の導電部材が前記コイルの中心に配置されているイ
ンダクタンス素子を提案する。
【００２１】該インダクタンス素子によれば、前記閉ル
ープ形状導電部材は、前記コイルの形成する磁場が最も
大きいコイル中心に配置されている。これにより、前記
コイルに発生する磁束によって閉ループ形状導電部材に
流れる電流は増加するので、インダクタンス素子の損失
抵抗がさらに増大すると共に、前記目標周波数を中心と
する所定周波数域における誘導性リアクタンス成分もさ
らに低下する。
【００２２】また、請求項６では、所定の導電材をスパ
イラル状に形成してなるコイルと、前記コイルの中心軸
を取り巻く閉ループ形状をなし、前記コイルの所定近傍
に配置された導電部材と、前記コイルの両端に接続され
た一対の接続電極とからなるインダクタンス素子の製造
方法において、前記閉ループ形状導電部材の直列抵抗成
分をｒとすると共にインダクタンスをＬとし、誘導性リ
アクタンスが生じる周波数帯域内の所定周波数を目標周
波数ｆとして、該目標周波数ｆと前式（ｂ）とから、前
記直列抵抗成分ｒとインダクタンスＬとの比（ｒ／Ｌ）
を求め、該比の値（ｒ／Ｌ）が、前式（ｃ）を満たすよ
うに、前記閉ループ形状導電部材を構成するインダクタ
ンス素子の製造方法を提案する。
【００２３】該インダクタンス素子の製造方法によれ
ば、スパイラル状コイルの中心軸を取り巻く閉ループ形
状をなし、前記コイルの所定近傍に配置された導電部材
は、誘導性リアクタンスが生じる周波数帯域内の所定周
波数を目標周波数ｆとして、前記閉ループ形状導電部材
の直列抵抗成分ｒとインダクタンスＬとの比（ｒ／Ｌ）
を前記式（ｂ）から求め、該比の値（ｒ／Ｌ）が前式
（ｃ）を満たすように、前記閉ループ形状導電部材が構
成されてインダクタンス素子が製造される。
【００２４】これにより製造されたインダクタンス素子
の前記コイルに通電した際には、前記コイルに流れる電
流によって発生する磁束が前記閉ループ形状導電部材と
交差し、該導電部材の閉ループ内にはレンツの法則に基
づいて電流が流れる。この電流によって前記磁束を打ち
消す方向の磁界が発生すると共に、この電流は前記閉ル
ープ形状導電部材の抵抗成分によって熱に変り、インダ
クタンス素子の損失抵抗が増大する。さらに、前記目標
周波数を中心とする所定周波数域において誘導性リアク
タンス成分が低下する。
【００２５】また、請求項７では、請求項６記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、インダクタンス素
子において前記閉ループ形状導電部材が存在しないとき
の誘導性リアクタンス成分の値が最大となる周波数に前
記目標周波数を設定したインダクタンス素子の製造方法
を提案する。
【００２６】該インダクタンス素子の製造方法によれ
ば、前記閉ループ形状導電部材が存在しないときの誘導
性リアクタンス成分の値が最大となる周波数に前記目標
周波数が設定されているので、完成したインダクタンス
素子において前記誘導性リアクタンス成分の最大値を低
下させることができる。
【００２７】また、請求項８では、請求項６記載のイン
ダクタンス素子の製造方法において、インダクタンス素
子において前記閉ループ形状導電部材が存在しないとき
の抵抗成分の値と誘導性リアクタンス成分の値が等しく
なる周波数に前記目標周波数ｆを設定したインダクタン
ス素子の製造方法を提案する。
【００２８】該インダクタンス素子の製造方法によれ
ば、前記閉ループ形状導電部材が存在しないときの抵抗
成分の値と誘導性リアクタンス成分の値が等しくなる周
波数に前記目標周波数ｆが設定されているので、完成し
たインダクタンス素子において前記誘導性リアクタンス
成分を低下させることができると共に、これに伴い、誘
導性リアクタンス成分の値よりも抵抗成分の値が大きく
なる周波数域が広がる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の一
実施形態を説明する。本実施形態のインダクタンス素子
の外観は、図１に示す従来例のインダクタンス素子と同
様であり、その本体１は直方体形状をなし、その長手方
向の両端部には外部電極２，３が形成されている。
【００３０】本体１は、図４に示すように、電極パタ−
ン２１ａ〜２１ｇが形成された複数の磁性材料シ−ト２
２ａ〜２２ｇ及び電極パタ−ンが形成されていない磁性
材料シ−ト２３を積層して一体に形成される。
【００３１】磁性材料シ−ト２２ａ〜２２ｆの電極パタ
−ン２１ａ〜２１ｆは銀を主成分とする導体によって形
成され、各電極パタ−ン２１ａ〜２１ｆはスパイラル形
状となるようにスル−ホ−ル２４を介して互いに導通接
続され、コイルが構成されている。さらに、このコイル
の両端に対応する部分の電極パタ−ン、即ち電極パタ−
ン２１ａの一端211 及び電極パタ−ン２１ｆの他端212
は、本体１の長手方向の端面に露出するように形成され
ている。また、磁性材料シ−ト２２ｇに形成された電極
パタ−ン２１ｇは、同様に銀を主成分とする導体によっ
て形成され、前述したコイルの中心軸を取巻き、このコ
イルに重なる所定面積の閉ル−プ形状に形成されてい
る。
【００３２】本体１の一端に露出した電極パタ−ン２１
ａは外部電極２に、また他端に露出した電極パタ−ン２
１ｅは外部電極３にそれぞれ導通接続されている。
【００３３】次に、前述した本体１の製造方法を説明す
る。例えばＦｅ2 Ｏ3 (50mol%)、ＺｎＯ(25mol%)、Ｎｉ
Ｏ(10mol%)、ＣｕＯ(10mol%)、ＭｎＯ(5mol%) からなる
高損失のフェライト材料を用いてドクタ−ブレ−ド法に
よりグリ−ンシ−トを形成する。この後、グリ−ンシ−
トを所定の矩形２２ａ〜２２ｇ及び２３に切断し、所定
位置にスル−ホ−ル２４を形成する。
【００３４】次に、銀を主成分とする導電材ペ−ストを
用い、グリ−ンシ−トに各電極パタ−ン２１ａ〜２１ｇ
のそれぞれをマトリックス状に印刷した後、これらを編
集して積層し、圧着して積層体を形成する。
【００３５】次いで、前記積層体を本体１の形状に合わ
せて切断した後、例えば９００℃の温度で３時間焼成し
て磁性体を形成する。さらに、本体１の両端部に導電ペ
−ストを塗布して、７００℃の温度で焼付け、外部電極
２，３を形成する。これにより直方体形状のインダクタ
ンス素子が形成される。
【００３６】この様にして図５に示すような特性の閉ル
ープ電極パターン２１ｇを有するインダクタンス素子
（試料Ｎｏ．１〜６）及び閉ループ電極パターン２１ｇ
を持たないインダクタンス素子（試料Ｎｏ．７）を実験
的に作製した。これらの試料の相違点は、閉ループ電極
パターン２１ｇの有無と、閉ループ電極パターン２１ｇ
の特性のみであり、電極パターン２１ａ〜２１ｆによっ
て構成されるスパイラル状コイルの特性に関しては各試
料とも同等である。ここで、図５は、直列抵抗成分ｒと
インダクタンス成分Ｌを変えた閉ループ電極パターン２
１ｇのみの特性を示している。
【００３７】また、閉ループ電極パターン２１ｇの直列
抵抗性分ｒとインダクタンスＬは、フェライト材料のシ
ート上に閉ループ電極パターン２１ｇを形成し、その閉
ループ電極パターン２１ｇの一部にスリットを形成して
開ループとし、両端を端子として直列抵抗成分ｒとイン
ダクタンスＬを測定した。
【００３８】また、閉ループ電極パターン２１ｇの直列
抵抗成分ｒとインダクタンス成分Ｌは、閉ループ電極パ
ターン２１ｇの太さ、長さ、導体材料、コア面積、閉ル
ープを構成する磁性体材料を変えることにより変化させ
た。
【００３９】図５に示す閉ループ電極パターン２１ｇの
特性は次の通りである。即ち、試料Ｎｏ．１のインダク
タンス素子の閉ループ電極パターン２１ｇの直列抵抗成
分ｒは１．２Ω、インダクタンス成分Ｌは１．００μ
Ｈ、これらの比（ｒ／Ｌ）は１．２×１０6Ω／Ｈであ
る。また、試料Ｎｏ．２のインダクタンス素子の閉ルー
プ電極パターン２１ｇの直列抵抗成分ｒは８．０Ω、イ
ンダクタンス成分Ｌは３．９０μＨ、これらの比（ｒ／
Ｌ）は２．１×１０6Ω／Ｈ、試料Ｎｏ．３のインダク
タンス素子の閉ループ電極パターン２１ｇの直列抵抗成
分ｒは０．９Ω、インダクタンス成分Ｌは０．３０μ
Ｈ、これらの比（ｒ／Ｌ）は３．０×１０6Ω／Ｈ、試
料Ｎｏ．４のインダクタンス素子の閉ループ電極パター
ン２１ｇの直列抵抗成分ｒは７．５Ω、インダクタンス
成分Ｌは０．３０μＨ、これらの比（ｒ／Ｌ）は２５．
０×１０6Ω／Ｈ、試料Ｎｏ．５のインダクタンス素子
の閉ループ電極パターン２１ｇの直列抵抗成分ｒは１
１．０Ω、インダクタンス成分Ｌは０．１５μＨ、これ
らの比（ｒ／Ｌ）は７３．３×１０6Ω／Ｈ、試料Ｎ
ｏ．６のインダクタンス素子の閉ループ電極パターン２
１ｇの直列抵抗成分ｒは１９．５Ω、インダクタンス成
分Ｌは０．１０μＨ、これらの比（ｒ／Ｌ）は１９５．
０×１０6Ω／Ｈである。
【００４０】また、試料Ｎｏ．１〜７のそれぞれのイン
ダクタンス素子における抵抗成分Ｒの値と誘導性リアク
タンス成分ＸLの値が一致する周波数ｆeを測定した結果
は、図６に示すものであった。即ち、試料Ｎｏ．１〜３
のインダクタンス素子の周波数ｆeは１２．２ＭＨｚ、
試料Ｎｏ．４のインダクタンス素子の周波数ｆeは１
１．２ＭＨｚ、試料Ｎｏ．５のインダクタンス素子の周
波数ｆeは１０．７ＭＨｚ、試料Ｎｏ．６のインダクタ
ンス素子の周波数ｆeは１１．１ＭＨｚ、試料Ｎｏ．７
のインダクタンス素子の周波数ｆeは１２．２ＭＨｚで
あった。
【００４１】この測定結果は、電極パターン２１ａ〜２
１ｆによって形成されるコイルと閉ループ電極パターン
２１ｇを組み合わせたときの特性である。
【００４２】これらの試料Ｎｏ．１〜７のインダクタン
ス素子の閉ループ特性及び周波数ｆeから次のことが分
かる。即ち、インダクタンス素子の抵抗成分Ｒと誘導性
リアクタンス成分Ｌが一致する周波数ｆeは、閉ループ
電極パターン２１ｇの直列抵抗成分ｒとインダクタンス
成分Ｌとの比（ｒ／Ｌ）の値によって左右され、この周
波数ｆeを最小にし、且つ目的とする閉ループ電極パタ
ーン２１ｇの効果を最大に引き出すための直列抵抗成分
ｒとインダクタンスＬとの間には特定の関係が成立す
る。
【００４３】図５及び図６に示した例では、試料Ｎｏ．
５のインダクタンス素子（ｒ／Ｌ＝７３．３＊１０
6［Ω／Ｈ］）のとき、抵抗成分Ｒと誘導性リアクタン
ス成分Ｌが一致する周波数ｆeが最小で、閉ループ電極
パターン２１ｇの効果が最大であった。また、試料Ｎ
ｏ．４及びＮｏ．６のインダクタンス素子（ｒ／Ｌ＝２
５．０＊１０6［Ω／Ｈ］、ｒ／Ｌ＝１９５．０＊１０6
［Ω／Ｈ］）のときにも、試料Ｎｏ．５のインダクタン
ス素子には劣るが閉ループ電極パターン２１ｇの効果が
得られている。
【００４４】前述の試料Ｎｏ．１、Ｎｏ．５のインダク
タンス素子のインピーダンス周波数特性を、それぞれ図
７、図８に示す。これらの図において、Ｒは抵抗成分、
ＸLは誘導性リアクタンス成分、ＸCは容量性リアクタン
ス成分、Ｚはこれらを合成したインピーダンスである。
【００４５】一方、閉ループ電極パターン２１ｇの効果
を最大に引き出すための、閉ループ電極パターン２１ｇ
における直列抵抗成分ｒとインダクタンスＬの関係は、
以下のようにして導くことができる。
【００４６】即ち、閉ループ電極パターン２１ｇを持っ
たコイルの等価回路は図９のように表され、この回路の
インダクタンスＬ1 は次式（１）によって表される。
【００４７】 Ｌ1＝Ｌ0[ １− { ( 2πf )2k2 / ( ( 2πf )2＋(ｒ/Ｌ)2) } ] …（１） ここで、Ｌ1は回路のインダクタンス、Ｌ0はコイルのイ
ンダクタンス、ｒは閉ループ電極パターン２１ｇの直列
抵抗成分、Ｌは閉ループ電極パターン２１ｇのインダク
タンス、ｋは電極パターン２１ａ〜２１ｆによって形成
されるコイルと閉ループ電極パターン２１ｇの磁気結合
係数、ｆは周波数である。
【００４８】前式（１）による周波数特性例を図１０に
示す。図１０において傾きが最も大きくなる周波数は、
周波数を対数に変換した関数にて前式（１）を一回微分
することで、次式（２）で表される傾き −Ｌ 0 [2k2( 2πf )2(ｒ/Ｌ)2 / ( ( 2πf )2＋(ｒ/Ｌ)
2)2 } …（２） を得、さらに前式（１）を一回微分し、変数が０となる
条件を求めることにより、次式（３） ｆ＝１／２π×（ｒ／Ｌ） …（３） として得られる。
【００４９】また、前式（２）に前式（３）を代入する
ことにより、次式（４）に示す最大の傾き −Ｌ 0 ｋ2／２ …（４） が得られる。
【００５０】コイルの誘導性リアクタンス成分ＸLは、
そのインダクタンスＬ0に比例する。従って、前式
（３）で得られる周波数にて誘導性リアクタンス成分Ｘ
Lも最も大きく減衰することになる。
【００５１】前述した試料Ｎｏ．１〜７のインダクタン
ス素子の例では、閉ループ電極パターン２１ｇを持たな
いとき（試料Ｎｏ．７）、抵抗性分Ｒと誘導性リアクタ
ンス成分ＸLが一致する周波数は１２．２ＭＨｚであ
り、この周波数でリアクタンス成分を最も減衰させる直
列抵抗成分ｒとインダクタンスＬの関係は、前式（３）
より ｒ／Ｌ＝７６．６×１０6 ［Ω／Ｈ］ …（５） であり、試料Ｎｏ．５のインダクタンス素子における直
列抵抗性分ｒとインダクタンスＬの関係とほぼ一致して
いる。
【００５２】また、前式（２）に周波数１２．２ＭＨｚ
及び試料Ｎｏ．４のインダクタンス素子における閉ルー
プ特性（ｒ／Ｌ＝２５．０×１０6［Ω／Ｈ］）を代入
することにより、次式（６）に示される傾き −０．１７４ｋ2（＝−ｋ2／２×３４．８［％］） …（６） が得られる。
【００５３】これは、最大の傾きを表す前式（４）の３
４．８％に相当し、この傾きは最大時の傾きの１／３程
度となる。この程度の傾きであれば閉ループ電極パター
ン２１ｇの顕著な効果が得られることが分かる。
【００５４】図１０より、傾きが最大の１／３となる周
波数は２つあり、前式（２）を次式（７）で示される傾
き −ｋ2／２／３ …（７） について解くことにより、次式（８）で表される周波数
ｆ ２πｆ＝０．３２（ｒ／Ｌ） ｏｒ ３．１５（ｒ／Ｌ） …（８） が得られ、これら２つの周波数に挟まれた周波数域にて
閉ループ電極パターン２１ｇの顕著な効果が得られるこ
とが分かる。
【００５５】従って、誘導性リアクタンスＸLが生じる
周波数帯域内の所定周波数を目標周波数ｆとして、閉ル
ープ電極パターン２１ｇの直列抵抗成分ｒとインダクタ
ンスＬを、前式（ａ）、即ち［２πｆ／３．１５≦ｒ／
Ｌ≦２πｆ／０．３２］で規定される範囲内の値に設定
することにより、閉ループ電極パターン２１ｇの効果を
顕著に発揮するインダクタンス素子を構成することがで
きる。
【００５６】また、この様なインダクタンス素子を製造
するには、閉ループ電極パターン２１ｇの直列抵抗成分
をｒ、インダクタンスをＬとし、誘導性リアクタンスＸ
Lが生じる周波数帯域内の所定周波数を目標周波数ｆと
して、目標周波数ｆと前式（ｂ）、即ち［ｆ＝１／２π
（ｒ／Ｌ）］とから、直列抵抗成分ｒとインダクタンス
Ｌとの比（ｒ／Ｌ）を求め、この比（ｒ／Ｌ）の値が、
前式（ｃ）、即ち［２πｆ／３．１５≦ｒ／Ｌ≦２πｆ
／０．３２］を満たすように、閉ループ電極パターン２
１ｇを構成すれば良い。この製造方法により、閉ループ
電極パターン２１ｇの効果を顕著に発揮するインダクタ
ンス素子を、短時間で容易に設計、製造することができ
る。
【００５７】次に、本実施形態の第１の実施例を説明す
る。第１の実施例のインダクタンス素子の構成は、図１
及び図４に示したものと同等である。また、第１の実施
例のインダクタンス素子においては、閉ループ電極パタ
ーン２１ｇが存在しないときの誘導性リアクタンス成分
ＸLの値が最大となる周波数に前述した目標周波数ｆを
設定した閉ループ電極パターン２１ｇを形成した。
【００５８】このインダクタンス素子によれば、閉ルー
プ電極パターン２１ｇが存在しないときの誘導性リアク
タンス成分ＸLの値が最大となる周波数に目標周波数ｆ
が設定されているので、誘導性リアクタンス成分ＸLの
最大値を低下させることができ、リアクタンス成分（誘
導性リアクタンスＸL，容量性リアクタンスＸC）よりも
抵抗成分Ｒを高く設定することができるため、ノイズ除
去等のＥＭＩ対策に威力を発揮させることができる。
【００５９】次に、本実施形態における第２の実施例を
説明する。第２の実施例のインダクタンス素子の構成
は、図１及び図４に示したものと同等である。また、第
２の実施例のインダクタンス素子においては、閉ループ
電極パターン２１ｇが存在しないときの誘導性リアクタ
ンス成分ＸLの値と抵抗成分Ｒの値が一致する周波数に
前述した目標周波数ｆを設定した閉ループ電極パターン
２１ｇを形成した。
【００６０】このインダクタンス素子によれば、閉ルー
プ電極パターン２１ｇが存在しないときの誘導性リアク
タンス成分ＸLの値と抵抗成分Ｒの値が一致する周波数
に目標周波数ｆが設定されているので、誘導性リアクタ
ンス成分ＸL値を低下させることができ、リアクタンス
成分（誘導性リアクタンスＸL，容量性リアクタンスＸ
C）よりも抵抗成分Ｒを高く設定することができると共
に、誘導性リアクタンス成分ＸLの値と抵抗成分Ｒの値
が一致する周波数を低下させることができ、リアクタン
ス成分（誘導性リアクタンスＸL，容量性リアクタンス
ＸC）よりも抵抗成分Ｒが高くなる周波数域を広げるこ
とができる。これにより、広い周波数域に渡ってノイズ
除去等のＥＭＩ対策に威力を発揮させることができる。
【００６１】次に、本実施形態における第３の実施例を
説明する。図１１に第３の実施例のインダクタンス素子
の構成図を示す。第３の実施例のインダクタンス素子
は、前述した試料Ｎｏ．５のインダクタンス素子と同等
のコイル及び閉ループ電極パターン２１ｇを備え、これ
らの相違点は、閉ループ電極パターン２１ｇをコイルの
中心に配置したことにある。即ち、閉ループ電極パター
ン２１ｇが形成された磁性材料シート２２ｇは、コイル
を形成する電極パターン２１ｃが形成された磁性材料シ
ート２２ｃと、コイルを形成する電極パターン２１ｄが
形成された磁性材料シート２２ｄとの間に配置されてい
る。また、閉ループ電極パターン２１ｇは、スルーホー
ル２４を介して、コイルを形成する電極パターン２１ａ
〜２１ｆに導電接続されている。
【００６２】前述の構成よりなる第３の実施例のインダ
クタンス素子の周波数特性を図１２に示す。
【００６３】第３の実施例のインダクタンス素子によれ
ば、抵抗成分Ｒと誘導性リアクタンス成分ＸLが一致す
る周波数が８．２ＭＨｚとなった。また、閉ループ電極
パターン２１ｇが、コイルによる磁場が最も強いコイル
の中央部に配置されたことにより、閉ループ電極パター
ン２１ｇの効果がさらに顕著に発揮され、リアクタンス
成分よりも抵抗成分Ｒの方が大きい周波数域がさらに広
がった。
【００６４】尚、第３の実施例では、コイルの中央部に
配置した閉ループ電極パターン２１ｇをコイルと導電接
続したが、閉ループ電極パターン２１ｇがコイルに対し
て絶縁されていても同様の効果が得られた。
【００６５】次に、本実施形態の第４の実施例を説明す
る。図１３は、第４の実施例のインダクタンス素子を示
す構成図である。また、外観図は、前述の図１に示すも
のと同等である。
【００６６】第４の実施例では、第１の実施例における
閉ループ電極パターン２１ｇに代えて複数の電極パター
ン２１ｇ1〜２１ｇ4を設け、２ターン巻回した閉ループ
を形成した。即ち、第４の実施例のインダクタンス素子
は、コイルを形成する電極パターン２１ａ〜２１ｆが形
成された磁性材料シート２２ａ〜２２ｆと、閉ループを
形成する電極パターン２１ｇ1〜２１ｇ4が形成された磁
性材料シート２２ｇ1〜２２ｇ4、及び電極パタ−ンが形
成されていない磁性材料シ−ト２３を積層して一体に形
成される。
【００６７】磁性材料シ−ト２２ｇ1〜２２ｇ4の電極パ
タ−ン２１ｇ1〜２１ｇ4は銀を主成分とする導体によっ
て形成され、各電極パタ−ン２１ｇ1〜２１ｇ4はスパイ
ラル形状となるようにスル−ホ−ル２４を介して互いに
導通接続され、電極パターン２１ａ〜２１ｆによって構
成されるコイルの中心軸を取り巻くコイル状導体が構成
されている。さらに、このコイル状導体の両端に対応す
る部分の電極パタ−ン、即ち電極パタ−ン２１ｇ1の一
端２５ａ及び電極パタ−ン２１ｇ4の一端２５ｂは、本
体１の長手方向の端面に露出するように形成され、外部
電極２に導通接続されている。これにより、電極パタ−
ン２１ｇ1〜２１ｇ4によって、コイルに導通接続された
２ターンの閉ループが形成される。
【００６８】また、第４の実施例においても電極パタ−
ン２１ｇ1〜２１ｇ4によって構成される閉ループは、誘
導性リアクタンスＸLが生じる周波数帯域内の所定周波
数を目標周波数ｆとして、目標周波数ｆと前式（ｂ）、
即ち［ｆ＝１／２π（ｒ／Ｌ）］とから、直列抵抗成分
ｒとインダクタンスＬとの比（ｒ／Ｌ）を求め、この比
（ｒ／Ｌ）の値が、前式（ｃ）、即ち［２πｆ／３．１
５≦ｒ／Ｌ≦２πｆ／０．３２］を満たすように構成し
た。
【００６９】前述の構成よりなるインダクタンス素子の
ように複数ターン巻回した閉ループを形成しても同様の
効果を得ることができた。
【００７０】前述したように本実施形態によれば、閉ル
ープ電極パターン２１ｇ或いは２１ｇ1〜２１ｇ4によっ
て、特定の周波数においてリアクタンス成分（誘導性リ
アクタンスＸL，容量性リアクタンスＸC）よりも抵抗成
分Ｒを高くすることができると共に、この様なインダク
タンス素子を従来のようなカットアンドトライを行うこ
となく、短時間で容易に設計、製造することができる。
【００７１】さらに、閉ループ（電極パターン２１ｇ、
或いは２１ｇ1〜２１ｇ4）の効果をより大きくするため
に、閉ループをコイルによる磁場が最も強いコイルの中
央部に配置することもできるので、閉ループの形状やサ
イズがコイルによって制約されず、設計の自由度を増す
ことができる。
【００７２】尚、前述した第１乃至第４の実施例は一例
であり、本発明がこれらに限定されることはない。
【００７３】また、閉ループ導電部材のインダクタンス
Ｌ値を上昇させる方法は、第４の実施例のように巻き数
を増しても良いし、閉ループを形成する磁性体シートの
透磁率を上げても良い。通常のＬ値の上昇方法と同じで
ある。
【００７４】第１乃至第４実施例では、積層セラミック
インダクタンス素子を例に説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、インダクタンス素子として未
だに広く利用されている巻線形インダクタンス素子と称
されるインダクタンス素子においても本発明は適用され
る。
【００７５】例えば、コイルボビンに巻き線したインダ
クタンス素子においては、巻線とは別に閉ループを設け
たり、コイル導線の一部を意識的にショートさせて閉ル
ープを構成して本願発明の効果を得ることができる。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１記
載のインダクタンス素子によれば、目標周波数ｆを中心
とする所定周波数域において誘導性リアクタンス成分を
低下させることができるので、前記目標周波数ｆにおい
て閉ループ形状導電部材の効果を顕著に発揮させること
ができ、ノイズ除去等のＥＭＩ対策に威力を発揮する。
【００７７】また、請求項２記載のインダクタンス素子
によれば、上記の効果に加えて、閉ループ形状導電部材
が存在しないときの誘導性リアクタンス成分の値が最大
となる周波数に前記目標周波数が設定されているので、
前記誘導性リアクタンス成分の最大値を低下させること
ができ、誘導性リアクタンス成分よりも抵抗成分をさら
に大きくすることができるため、ノイズ除去効果をさら
に高めることができる。
【００７８】また、請求項３記載のインダクタンス素子
によれば、上記の効果に加えて、前記閉ループ形状導電
部材が存在しないときの抵抗成分の値と誘導性リアクタ
ンス成分の値が等しくなる周波数に前記目標周波数ｆが
設定されているので、前記誘導性リアクタンス成分を低
下させることができると共に、これに伴い、誘導性リア
クタンス成分の値よりも抵抗成分の値が大きくなる周波
数域が広がるため、ノイズ除去効果が得られる周波数域
を広げることができる。
【００７９】また、請求項４記載のインダクタンス素子
によれば、上記の効果に加えて、前記閉ループ形状導電
部材がコイルの導電材に導通接続されても、またコイル
の導電材に導通接続されていない閉ループ形状導電部材
によっても、閉ループ形状導電部材は前記記載と同等の
作用を呈するので、インダクタンス素子設計の自由度を
増すことができる。
【００８０】また、請求項５記載のインダクタンス素子
によれば、上記の効果に加えて、前記閉ループ形状導電
部材は、コイルの形成する磁場が最も大きいコイル中心
に配置されているため、閉ループ形状導電部材に流れる
電流が増加し、インダクタンス素子の損失抵抗がさらに
増大すると共に、前記目標周波数を中心とする所定周波
数域における誘導性リアクタンス成分もさらに低下する
ので、誘導性リアクタンス成分よりも抵抗成分をさらに
大きくすることができると共に誘導性リアクタンス成分
の値よりも抵抗成分の値が大きくなる周波数域が広がる
ため、ノイズ除去効果をさらに高めることができる。
【００８１】また、請求項６記載のインダクタンス素子
の製造方法によれば、特定の目標周波数ｆを中心とする
所定周波数域において誘導性リアクタンス成分を低下さ
せたインダクタンス素子を、短時間で容易に設計、製造
することができる。これにより、前記目標周波数ｆにお
いて閉ループ形状導電部材の効果を顕著に発揮し、ノイ
ズ除去等のＥＭＩ対策に威力を発揮するインダクタンス
素子が得られる。
【００８２】また、請求項７記載のインダクタンス素子
の製造方法によれば、上記の効果に加えて、閉ループ形
状導電部材が存在しないときの誘導性リアクタンス成分
の値が最大となる周波数に前記目標周波数が設定される
ので、完成したインダクタンス素子において前記誘導性
リアクタンス成分の最大値を低下させることができ、誘
導性リアクタンス成分よりも抵抗成分をさらに大きくす
ることができるため、ノイズ除去効果をさらに高めるこ
とができる。
【００８３】また、請求項８記載のインダクタンス素子
の製造方法によれば、上記の効果に加えて、前記閉ルー
プ形状導電部材が存在しないときの抵抗成分の値と誘導
性リアクタンス成分の値が等しくなる周波数に前記目標
周波数ｆが設定されるので、完成したインダクタンス素
子において前記誘導性リアクタンス成分を低下させるこ
とができると共に、これに伴い、誘導性リアクタンス成
分の値よりも抵抗成分の値が大きくなる周波数域が広が
るため、ノイズ除去効果が得られる周波数域を広げるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例のインダクタンス素子を示す外観斜視図
【図２】従来例のインダクタンス素子を示す構成図
【図３】従来例のインダクタンス素子のインピーダンス
・周波数特性を示す図
【図４】本発明の一実施形態におけるインダクタンス素
子を示す構成図
【図５】本発明の一実施形態における実験試料の閉ルー
プ特性を示す図
【図６】本発明の一実施形態における実験試料の抵抗成
分と誘導性リアクタンス成分が一致する周波数の測定結
果を示す図
【図７】本発明の一実施形態における試料Ｎｏ．１のイ
ンダクタンス素子のインピーダンス周波数特性を示す図
【図８】本発明の一実施形態における試料Ｎｏ．５のイ
ンダクタンス素子のインピーダンス周波数特性を示す図
【図９】本発明の一実施形態におけるインダクタンス素
子の等価回路を示す図
【図１０】本発明の一実施形態における式（１）による
周波数特性例を示す図
【図１１】本発明の一実施形態における第３の実施例の
インダクタンス素子を示す構成図
【図１２】本発明の一実施形態における第３の実施例の
インダクタンス素子の周波数特性を示す図
【図１３】本発明の一実施形態における第４の実施例の
インダクタンス素子を示す構成図
【符号の説明】
１…インダクタンス素子本体、２，３…外部電極、２１
ａ〜２１ｇ、２１ｇ1〜２１ｇ4…電極パタ−ン、２２ａ
〜２２ｇ，２２ｇ1〜２２ｇ4，２３…磁性材料シ−ト、
２４…スル−ホ−ル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 17/00 H01F 41/00 H01F 41/04

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の導電材をスパイラル状に形成して
    なるコイルと、前記コイルの中心軸を取り巻く閉ループ
    形状をなし、前記コイルの所定近傍に配置された導電部
    材と、前記コイルの両端に接続された一対の接続電極と
    からなり、 誘導性リアクタンスが生じる周波数帯域内の所定周波数
    を目標周波数ｆとして、前記閉ループ形状導電部材の直
    列抵抗成分ｒとインダクタンスＬが、次式（ａ） ２πｆ／３．１５≦ｒ／Ｌ≦２πｆ／０．３２ …（ａ） で規定される範囲内の値に設定されていることを特徴と
    するインダクタンス素子。
  2. 【請求項２】 インダクタンス素子において前記閉ルー
    プ形状導電部材が存在しないときの誘導性リアクタンス
    成分の値が最大となる周波数に前記目標周波数を設定し
    たことを特徴とする請求項１記載のインダクタンス素
    子。
  3. 【請求項３】 インダクタンス素子において前記閉ルー
    プ形状導電部材が存在しないときの抵抗成分の値と誘導
    性リアクタンス成分の値が等しくなる周波数に前記目標
    周波数ｆを設定したことを特徴とする請求項１記載のイ
    ンダクタンス素子。
  4. 【請求項４】 前記閉ループ形状の導電部材は、前記コ
    イルの導電材に導通接続されていることを特徴とする請
    求項１乃至３の何れかに記載のインダクタンス素子。
  5. 【請求項５】 前記閉ループ形状の導電部材が前記コイ
    ルの中心に配置されていることを特徴とする請求項１乃
    至４の何れかに記載のインダクタンス素子。
  6. 【請求項６】 所定の導電材をスパイラル状に形成して
    なるコイルと、前記コイルの中心軸を取り巻く閉ループ
    形状をなし、前記コイルの所定近傍に配置された導電部
    材と、前記コイルの両端に接続された一対の接続電極と
    からなるインダクタンス素子の製造方法において、 前記閉ループ形状導電部材の直列抵抗成分をｒとすると
    共にインダクタンスをＬとし、 誘導性リアクタンスが生じる周波数帯域内の所定周波数
    を目標周波数ｆとして、該目標周波数ｆと次式（ｂ） ｆ＝１／２π（ｒ／Ｌ） …（ｂ） とから、前記直列抵抗成分ｒとインダクタンスＬとの比
    （ｒ／Ｌ）を求め、該比の値（ｒ／Ｌ）が、次式（ｃ） ２πｆ／３．１５≦ｒ／Ｌ≦２πｆ／０．３２ …（ｃ） を満たすように、前記閉ループ形状導電部材を構成する
    ことを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 インダクタンス素子において前記閉ルー
    プ形状導電部材が存在しないときの誘導性リアクタンス
    成分の値が最大となる周波数に前記目標周波数ｆを設定
    したことを特徴とする請求項６記載のインダクタンス素
    子の製造方法。
  8. 【請求項８】 インダクタンス素子において前記閉ルー
    プ形状導電部材が存在しないときの抵抗成分の値と誘導
    性リアクタンス成分の値が等しくなる周波数に前記目標
    周波数ｆを設定したことを特徴とする請求項６記載のイ
    ンダクタンス素子の製造方法。
JP12364797A 1997-05-14 1997-05-14 インダクタンス素子及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3418087B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12364797A JP3418087B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 インダクタンス素子及びその製造方法
US09/076,911 US6255933B1 (en) 1997-05-14 1998-05-13 Inductance device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12364797A JP3418087B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 インダクタンス素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10312920A JPH10312920A (ja) 1998-11-24
JP3418087B2 true JP3418087B2 (ja) 2003-06-16

Family

ID=14865779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12364797A Expired - Fee Related JP3418087B2 (ja) 1997-05-14 1997-05-14 インダクタンス素子及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6255933B1 (ja)
JP (1) JP3418087B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3204246B2 (ja) * 1999-05-07 2001-09-04 株式会社村田製作所 磁気センサ
KR20000059248A (ko) * 2000-07-26 2000-10-05 엄우식 적층형 저항-인덕터 복합 칩 및 그 제조 방법
AU2002352369A1 (en) * 2001-12-10 2003-07-09 Innovision Research And Technology Plc Detectable components and detection apparatus for detecting such components
US7292948B2 (en) * 2004-04-30 2007-11-06 Alken Inc. Magnetic position and orientation measurement system with eddy current distortion compensation
US7340951B2 (en) * 2005-11-04 2008-03-11 David S. Nyce Distributed impedance sensor
JP2009027033A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Tdk Corp 積層型複合電子部品
JP6305678B2 (ja) * 2013-01-23 2018-04-04 Tdk株式会社 コイル部品

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04130409A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Sharp Corp カメラレンズ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10312920A (ja) 1998-11-24
US6255933B1 (en) 2001-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6525395B1 (en) Chip-type composite electronic component and manufacturing method thereof
US4803453A (en) Laminated transformer
US6529102B2 (en) LC filter circuit and laminated type LC filter
JP3549286B2 (ja) 積層ノイズ対策部品
JP3418087B2 (ja) インダクタンス素子及びその製造方法
JP3364174B2 (ja) チップフェライト部品およびその製造方法
US6246310B1 (en) Noise suppressing apparatus
WO2005005341A1 (ja) 磁性フェライトおよびそれを用いた磁性素子
JPH0720895Y2 (ja) インダクタンス素子
KR100470115B1 (ko) 다양한 등가인덕턴스 값을 갖는 적층 칩 소자
JP7088083B2 (ja) 積層型コイル部品
KR101334653B1 (ko) 복합 자성 코아 및 그 제조방법
JP2005167029A (ja) 積層型インダクタ
JPH0736367B2 (ja) 複合電子部品
JPH09330819A (ja) セラミックインダクタと複合セラミックの製造方法またはセラミックインダクタの製造方法
KR100470116B1 (ko) 복합 적층 칩 소자
JP2000295057A (ja) 高周波用２端子積層ノイズフィルターおよび高周波用２端子積層ノイズフィルター用フェライト材料
JP2992853B2 (ja) ノイズ除去用インダクタ
JPH09214273A (ja) 積層型高周波ローパスフィルタ
JP2607058Y2 (ja) 積層チップインダクタ
JP2008289111A (ja) 積層型フィルタ
JPH04239107A (ja) 電磁障害防止素子
JPH05315138A (ja) Ｌｃ複合電子部品
JPH0481321B2 (ja)
JP3197621B2 (ja) 積層型インピーダンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030225

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080411

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees