JP3413067B2 - 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents
投影光学系及びそれを用いた投影露光装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
- G03F7/70966—Birefringence
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子，ＣＣ
Ｄ，液晶デバイス等のデバイス製造用の投影光学系及び
それを用いた投影露光装置及びそれを用いたデバイスの
製造方法に関するものであり，特に，ステップアンドリ
ピート方式やステップアンドスキャン方式の投影露光装
置（ステッパ）において投影光学系を構成する光学エレ
メント（硝材）が有する複屈折性の影響を補正し、高解
像度のパターンを得る投影露光装置に好適なものであ
る。
Ｄ，液晶デバイス等のデバイス製造用の投影光学系及び
それを用いた投影露光装置及びそれを用いたデバイスの
製造方法に関するものであり，特に，ステップアンドリ
ピート方式やステップアンドスキャン方式の投影露光装
置（ステッパ）において投影光学系を構成する光学エレ
メント（硝材）が有する複屈折性の影響を補正し、高解
像度のパターンを得る投影露光装置に好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、DRAM，CPU 等の半導体素子の高集
積化が顕著であり、最先端の素子（デバイス）において
は0.25μm 以下のサイズを有する回路パターンが必要と
されている。そのような微細なパターンを高精度に形成
することが可能な装置として、所謂ステッパが広く用い
られる。ステッパにおいては、レチクル上のパターンを
紫外領域の短波長光で照明し、投影光学系を介してシリ
コン等の半導体ウェハ上に縮小投影することにより、該
ウェハ上に微細な回路パターンの形成を行っている。
積化が顕著であり、最先端の素子（デバイス）において
は0.25μm 以下のサイズを有する回路パターンが必要と
されている。そのような微細なパターンを高精度に形成
することが可能な装置として、所謂ステッパが広く用い
られる。ステッパにおいては、レチクル上のパターンを
紫外領域の短波長光で照明し、投影光学系を介してシリ
コン等の半導体ウェハ上に縮小投影することにより、該
ウェハ上に微細な回路パターンの形成を行っている。
【０００３】その際、レチクル上のパターンを高精度に
転写するために、投影光学系に対しては様々な厳しい条
件が課せられている。投影光学系が解像することが可能
なパターンサイズはＮＡ（開口数）に反比例するため、
ＮＡをより大きくするための設計が必要となる。更に半
導体チップの面積に対応する領域全体で高度に収差が補
正されている必要がある。
転写するために、投影光学系に対しては様々な厳しい条
件が課せられている。投影光学系が解像することが可能
なパターンサイズはＮＡ（開口数）に反比例するため、
ＮＡをより大きくするための設計が必要となる。更に半
導体チップの面積に対応する領域全体で高度に収差が補
正されている必要がある。
【０００４】そのような設計は、高速なコンピュータと
専用の設計ソフトウェアを用いて実現される。その投影
光学系を製造する際には、投影光学系を構成する１枚１
枚のレンズを設計値通りに高精度に加工する必要がある
のは当然であるが、用いる硝材に対しても細心の注意を
払う必要がある。硝材が有する屈折率は投影光学系の結
像特性に深く関わってくるため、その均一性は非常に厳
密に管理され通常は１０-6 以下のオーダーに抑えられ
ている。更には硝材の複屈折性も結像特性に大きな影響
を与えるため、その大きさは 2nm/cm 程度に抑える必要
があることが知られている。
専用の設計ソフトウェアを用いて実現される。その投影
光学系を製造する際には、投影光学系を構成する１枚１
枚のレンズを設計値通りに高精度に加工する必要がある
のは当然であるが、用いる硝材に対しても細心の注意を
払う必要がある。硝材が有する屈折率は投影光学系の結
像特性に深く関わってくるため、その均一性は非常に厳
密に管理され通常は１０-6 以下のオーダーに抑えられ
ている。更には硝材の複屈折性も結像特性に大きな影響
を与えるため、その大きさは 2nm/cm 程度に抑える必要
があることが知られている。
【０００５】しかしながら，最大で直径が 200mmにも達
する投影光学系用の硝材において、全面一様にそのよう
な高精度の複屈折性の制御を行うのは非常に困難であ
り、以下に述べる理由により、通常はある程度の複屈折
性が発生してしまう。
する投影光学系用の硝材において、全面一様にそのよう
な高精度の複屈折性の制御を行うのは非常に困難であ
り、以下に述べる理由により、通常はある程度の複屈折
性が発生してしまう。
【０００６】理由の第１は、硝材の製造工程に起因する
ものである。紫外領域の光に対してはレンズエレメント
用の硝材として現在のところ石英ガラスが広く用いられ
るため、ここからの説明は石英ガラスを中心に行う。硝
材として用いられる石英ガラスは、光学結晶等とは異な
りその構造に方向性がないため、理想的な状態において
は複屈折性は発生しない。
ものである。紫外領域の光に対してはレンズエレメント
用の硝材として現在のところ石英ガラスが広く用いられ
るため、ここからの説明は石英ガラスを中心に行う。硝
材として用いられる石英ガラスは、光学結晶等とは異な
りその構造に方向性がないため、理想的な状態において
は複屈折性は発生しない。
【０００７】しかしながら、石英ガラスにおいては、不
純物、熱履歴などによる残存応力に起因すると考えられ
る複屈折性が実験的に観測される。リソグフィー用の高
品質な石英ガラスの製造においては、ダイレクト法（Di
rectMethod）、ＶＡＤ（vapor axial deposition）法、
ゾルゲル（sol-gel)法、プラズマバーナー（ plasmabur
ner）法、等が用いられるが、いずれの方法において
も、現状の技術で不純物の混入を無視できるレベルまで
抑えるのは困難である。
純物、熱履歴などによる残存応力に起因すると考えられ
る複屈折性が実験的に観測される。リソグフィー用の高
品質な石英ガラスの製造においては、ダイレクト法（Di
rectMethod）、ＶＡＤ（vapor axial deposition）法、
ゾルゲル（sol-gel)法、プラズマバーナー（ plasmabur
ner）法、等が用いられるが、いずれの方法において
も、現状の技術で不純物の混入を無視できるレベルまで
抑えるのは困難である。
【０００８】また、高温の状態で形成された石英ガラス
を冷却する際に、表面と中心部の冷え方が異なることに
よる発生する応力、即ち熱履歴による応力は、アニール
等の熱処理によりある程度緩和することはできるもの
の、原理的に完全にゼロとすることが難しい。
を冷却する際に、表面と中心部の冷え方が異なることに
よる発生する応力、即ち熱履歴による応力は、アニール
等の熱処理によりある程度緩和することはできるもの
の、原理的に完全にゼロとすることが難しい。
【０００９】次に図２４を用いて、リソグフィーの際に
投影光学系に用いられるレンズエレメントを作製する工
程について説明する。まず石英ガラスのインゴット100
が回転対称な形で形成され、それを必要な厚さで切断す
ることによって円板状の部材101 が得られる。インゴッ
ト100 の製造は常に中心軸１００ａに関して対称な形で
行われるため、部材101 中に残存する不純物の分布、熱
履歴による応力の分布も当然、中心軸１０１ａに関して
対称な形で現れる。最後に部材101 に対して切削、研磨
の加工を行うことによってレンズエレメント102 が作ら
れる。
投影光学系に用いられるレンズエレメントを作製する工
程について説明する。まず石英ガラスのインゴット100
が回転対称な形で形成され、それを必要な厚さで切断す
ることによって円板状の部材101 が得られる。インゴッ
ト100 の製造は常に中心軸１００ａに関して対称な形で
行われるため、部材101 中に残存する不純物の分布、熱
履歴による応力の分布も当然、中心軸１０１ａに関して
対称な形で現れる。最後に部材101 に対して切削、研磨
の加工を行うことによってレンズエレメント102 が作ら
れる。
【００１０】ここで、インゴット 100に不純物が混入し
た場合に現れる歪みについて説明する。図２５はインゴ
ット100 の切断面を表し、周辺のハッチ部103で不純物
濃度が高くなっているとする。インゴット 100はアニー
リングの過程において加熱される。そして熱が加わった
状態では内部応力がほぼ完全にゼロとなり、その状態か
らゆっくりと冷却することにより、理想的には室温にお
いても内部応力ゼロの材料が作られる。ところが不純物
が混入すると材料の熱膨張率が変化する。不純物が混入
することにより熱膨張率が増大するとすると、当然その
部分は、冷却の過程において縮み方が大きくなる。
た場合に現れる歪みについて説明する。図２５はインゴ
ット100 の切断面を表し、周辺のハッチ部103で不純物
濃度が高くなっているとする。インゴット 100はアニー
リングの過程において加熱される。そして熱が加わった
状態では内部応力がほぼ完全にゼロとなり、その状態か
らゆっくりと冷却することにより、理想的には室温にお
いても内部応力ゼロの材料が作られる。ところが不純物
が混入すると材料の熱膨張率が変化する。不純物が混入
することにより熱膨張率が増大するとすると、当然その
部分は、冷却の過程において縮み方が大きくなる。
【００１１】そのため、加熱した状態で無応力だったも
のが、温度を下げることにより周辺部がより大きく縮も
うとする。光束が透過する硝材の中央部に着目すれば、
図２５中で矢印で示すような圧縮を周辺部から受けるこ
とになり、内部応力が発生してしまう。内部応力は複屈
折性が生じる原因となる。
のが、温度を下げることにより周辺部がより大きく縮も
うとする。光束が透過する硝材の中央部に着目すれば、
図２５中で矢印で示すような圧縮を周辺部から受けるこ
とになり、内部応力が発生してしまう。内部応力は複屈
折性が生じる原因となる。
【００１２】理由の第２は、石英ガラスをステッパ中で
使用する際の経時変化に起因するものである。石英ガラ
スに、ＫｒＦ、ＡｒＦレーザー等の短波長光源からの光
を照射すると、コンパクション（compaction）と呼ばれ
る現象が発生することが知られている。その発生過程の
詳細に関する説明は省略するが、観察される現象として
は、光束が透過した部分の屈折率が上昇し、体積が収縮
するというものである。
使用する際の経時変化に起因するものである。石英ガラ
スに、ＫｒＦ、ＡｒＦレーザー等の短波長光源からの光
を照射すると、コンパクション（compaction）と呼ばれ
る現象が発生することが知られている。その発生過程の
詳細に関する説明は省略するが、観察される現象として
は、光束が透過した部分の屈折率が上昇し、体積が収縮
するというものである。
【００１３】図２６中で円板状の硝材１１０に対して、
斜線の領域111 にレーザ光を照射すると、その部分の体
積が収縮しようとする。レーザ光が照射されない周辺部
はもちろんコンパクションの影響は受けないから、全体
としては、中心付近は収縮しようとして周辺付近はその
収縮を阻止しようとする。
斜線の領域111 にレーザ光を照射すると、その部分の体
積が収縮しようとする。レーザ光が照射されない周辺部
はもちろんコンパクションの影響は受けないから、全体
としては、中心付近は収縮しようとして周辺付近はその
収縮を阻止しようとする。
【００１４】そのため平衡状態においては、光束が透過
する硝材の中央部に着目すれば、図２７中で矢印で示す
ような引っ張りの力を周辺部から受けることになり、内
部応力が発生してしまう。内部応力は複屈折性が生じる
原因となる。上記の現象は、ステッパの投影光学系にお
いても同様に発生する。ＡｒＦレーザ光に対してコンパ
クションの発生は特に顕著になるため、今後、ＡｒＦレ
ーザ光を光源とする投影露光装置を実用化する上で大き
な問題となることが危惧されている。
する硝材の中央部に着目すれば、図２７中で矢印で示す
ような引っ張りの力を周辺部から受けることになり、内
部応力が発生してしまう。内部応力は複屈折性が生じる
原因となる。上記の現象は、ステッパの投影光学系にお
いても同様に発生する。ＡｒＦレーザ光に対してコンパ
クションの発生は特に顕著になるため、今後、ＡｒＦレ
ーザ光を光源とする投影露光装置を実用化する上で大き
な問題となることが危惧されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
硝材で発生する複屈折性を完全にゼロに抑えることは現
実的に難しい。それに対して、ステッパ用の投影光学系
において複屈折に対する要求は益々厳しくなっている。
より高性能の投影光学系を実現するために、投影光学系
を構成するレンズエレメントの枚数は増える傾向にあ
り、トータルな硝材の厚さが大きくなる。そのため単位
長さ当りの複屈折量を上述の値（ 2nm/cm 程度）に抑え
たとしても、全体の複屈折量は無視し得ない大きさとな
ってしまう。また、露光光源用の波長が益々短くなって
きていることも複屈折性の影響を増大させる方向に働
く。
硝材で発生する複屈折性を完全にゼロに抑えることは現
実的に難しい。それに対して、ステッパ用の投影光学系
において複屈折に対する要求は益々厳しくなっている。
より高性能の投影光学系を実現するために、投影光学系
を構成するレンズエレメントの枚数は増える傾向にあ
り、トータルな硝材の厚さが大きくなる。そのため単位
長さ当りの複屈折量を上述の値（ 2nm/cm 程度）に抑え
たとしても、全体の複屈折量は無視し得ない大きさとな
ってしまう。また、露光光源用の波長が益々短くなって
きていることも複屈折性の影響を増大させる方向に働
く。
【００１６】具体的に投影露光装置に使用されているｉ
線光源（波長３６５ｎｍ）と、ＡｒＦレーザ光源（波長
１９３ｎｍ）で比較してみる。例えば光学系全体で 100
nmの複屈折性があった場合、波長３６５ｎｍのｉ線に対
しては 100／365 = 0.27波長分の波面収差に相当する
が、波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザ光源に対しては 100
／193 = 0.52 波長分の波面収差に相当し、同じ大きさ
の複屈折性を仮定しても、結像特性に与える影響は波長
が短い程大きくなることが分かる。
線光源（波長３６５ｎｍ）と、ＡｒＦレーザ光源（波長
１９３ｎｍ）で比較してみる。例えば光学系全体で 100
nmの複屈折性があった場合、波長３６５ｎｍのｉ線に対
しては 100／365 = 0.27波長分の波面収差に相当する
が、波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザ光源に対しては 100
／193 = 0.52 波長分の波面収差に相当し、同じ大きさ
の複屈折性を仮定しても、結像特性に与える影響は波長
が短い程大きくなることが分かる。
【００１７】中心対称な複屈折性を有する光学硝材につ
いては、レンズエレメント毎に異なる複屈折率量を有す
る硝材を用い、その組み合わせを最適化することによっ
て光学特性への悪影響をある程度軽減できることが特開
平8-107060号公報に記載されているが、そのような考え
方では、もはや投影光学系に対する高精度化の要求に答
えることができなくなってきている。そのため、硝材が
有する複屈折性そのものを、何らかの手段でキャンセル
することが必要になっている。
いては、レンズエレメント毎に異なる複屈折率量を有す
る硝材を用い、その組み合わせを最適化することによっ
て光学特性への悪影響をある程度軽減できることが特開
平8-107060号公報に記載されているが、そのような考え
方では、もはや投影光学系に対する高精度化の要求に答
えることができなくなってきている。そのため、硝材が
有する複屈折性そのものを、何らかの手段でキャンセル
することが必要になっている。
【００１８】本発明は、投影光学系中に適切に設定した
複屈折性を補正する複屈折補正部材を設けることによ
り、投影光学系の有する複屈折性及び投影露光を行って
いる過程において生じる複屈折性を良好に補正し、高精
度なパターンの転写ができる投影光学系及びそれを用い
た投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の
提供を目的とする。
複屈折性を補正する複屈折補正部材を設けることによ
り、投影光学系の有する複屈折性及び投影露光を行って
いる過程において生じる複屈折性を良好に補正し、高精
度なパターンの転写ができる投影光学系及びそれを用い
た投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の
提供を目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の投影光学系は、
(1-1) 第１物体のパターンを第２物体上に投影する投影
光学系において、該投影光学系はそれに含まれる光学エ
レメントが有する複屈折性を補正する複屈折補正手段を
有していることを特徴としている。
(1-1) 第１物体のパターンを第２物体上に投影する投影
光学系において、該投影光学系はそれに含まれる光学エ
レメントが有する複屈折性を補正する複屈折補正手段を
有していることを特徴としている。
【００２０】特に、(1-1-1) 前記複屈折補正手段は所定
の構造性複屈折を有する１つ又は複数の光学部材より成
っていること。
の構造性複屈折を有する１つ又は複数の光学部材より成
っていること。
【００２１】(1-1-2) 前記１つ又は複数の光学部材はそ
れより生じる構造性複屈折の分布を加えた分布が前記投
影光学系を構成する光学エレメントから生じる複屈折性
をキャンセルするように設定されていること。
れより生じる構造性複屈折の分布を加えた分布が前記投
影光学系を構成する光学エレメントから生じる複屈折性
をキャンセルするように設定されていること。
【００２２】(1-1-3) 前記１つ又は複数の光学部材は使
用波長のより小さい周期から成る回折格子を利用して構
造性複屈折を発生させていること。
用波長のより小さい周期から成る回折格子を利用して構
造性複屈折を発生させていること。
【００２３】(1-1-4) 前記回折格子は前記投影光学系に
含まれる光学エレメントの表面に設けられていること。
含まれる光学エレメントの表面に設けられていること。
【００２４】(1-1-5) 前記複屈折補正手段は所定の応力
の分布を有する１つ又は複数の光学部材より成っている
こと。
の分布を有する１つ又は複数の光学部材より成っている
こと。
【００２５】(1-1-6) 前記１つ又は複数の光学部材は、
それより生じる応力の分布を加えた分布が前記投影光学
系を構成する光学エレメントから生じる複屈折性をキャ
ンセルするように設定されていること。等を特徴として
いる。
それより生じる応力の分布を加えた分布が前記投影光学
系を構成する光学エレメントから生じる複屈折性をキャ
ンセルするように設定されていること。等を特徴として
いる。
【００２６】本発明の投影露光装置は、(2-1) 照明系か
らの光束で照明した第１物体面上のパターンを構成(1-
1) の投影光学系によって第２物体面上に投影露光して
いることを特徴としている。
らの光束で照明した第１物体面上のパターンを構成(1-
1) の投影光学系によって第２物体面上に投影露光して
いることを特徴としている。
【００２７】(2-2) スリット開口の光束で第１物体面上
のパターンを照明し、第１物体面上のパターンを構成(1
-1) の投影光学系により可動ステージに載置した第２物
体面上に該第１物体と該可動ステージを該スリット開口
の短手方向に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度
比で同期させてスキャンさせながら投影露光しているこ
とを特徴としている。
のパターンを照明し、第１物体面上のパターンを構成(1
-1) の投影光学系により可動ステージに載置した第２物
体面上に該第１物体と該可動ステージを該スリット開口
の短手方向に該投影光学系の投影倍率に対応させた速度
比で同期させてスキャンさせながら投影露光しているこ
とを特徴としている。
【００２８】本発明のデバイスの製造方法は、(3-1) 構
成(2-1) 又は(2-2) の投影露光装置を用いてデバイスパ
ターンを基板上にプリントする段階を含むことを特徴と
している。
成(2-1) 又は(2-2) の投影露光装置を用いてデバイスパ
ターンを基板上にプリントする段階を含むことを特徴と
している。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の投影光学系の要
部断面図である。本実施形態はステップアンドリピート
方式又はステップアンドスキャン方式に適用可能なもの
である。同図においてＰＬは投影光学系であり、高精度
に収差が補正された通常数十枚の光学エレメントによっ
て構成されるが、それを簡略化して、レンズエレメント
１〜５で代表させて示している。
部断面図である。本実施形態はステップアンドリピート
方式又はステップアンドスキャン方式に適用可能なもの
である。同図においてＰＬは投影光学系であり、高精度
に収差が補正された通常数十枚の光学エレメントによっ
て構成されるが、それを簡略化して、レンズエレメント
１〜５で代表させて示している。
【００３０】ここでレンズエレメント１〜５は石英ガラ
スを切削、研磨することによって形成されている。該投
影光学系ＰＬが実際にステッパに搭載された構成の詳細
については後で説明する。６はレチクル、７はウェハで
ある。レチクル６面上のパターンを投影光学系ＰＬによ
ってウエハ７面上にステップアンドリピート方式又はス
テップアンドスキャン方式で縮小投影している。
スを切削、研磨することによって形成されている。該投
影光学系ＰＬが実際にステッパに搭載された構成の詳細
については後で説明する。６はレチクル、７はウェハで
ある。レチクル６面上のパターンを投影光学系ＰＬによ
ってウエハ７面上にステップアンドリピート方式又はス
テップアンドスキャン方式で縮小投影している。
【００３１】図中、８は本発明に係る複屈折補正部材で
あり、その働きの詳細については後程説明する。
あり、その働きの詳細については後程説明する。
【００３２】レンズエレメント１〜５の材料となる石英
ガラスにおいては、前述の通り、その製造工程において
中心軸に関して対称な歪みの発生を完全に抑えることは
難しい。或いは、ＡｒＦレーザー等の短波長光源と共に
用いられる際には、コンパクションによる体積収縮の影
響で歪みが発生する。そこで硝材にそのような歪みが発
生した場合の影響について説明する。まず歪みにより発
生する応力について図２を用いて説明する。
ガラスにおいては、前述の通り、その製造工程において
中心軸に関して対称な歪みの発生を完全に抑えることは
難しい。或いは、ＡｒＦレーザー等の短波長光源と共に
用いられる際には、コンパクションによる体積収縮の影
響で歪みが発生する。そこで硝材にそのような歪みが発
生した場合の影響について説明する。まず歪みにより発
生する応力について図２を用いて説明する。
【００３３】図２において10は石英ガラスのインゴット
から所定の厚さｈで切り出された円板であり、レンズエ
レメントに加工される前段階の硝材を示している。11は
円板１０の中心軸を表している。また１２のようにｘ、
ｙ、ｚ座標軸を定める。この場合中心軸１１に沿った方
向（ｚ方向）の応力は無視できるから、図３に示すよう
にｘｙ面内において極座標（ｒ、θ）で表される点Ｐに
おける半径方向の応力σr 、円周方向の応力σθ にの
み着目する。点Ｐの近傍で斜線で示す微少領域13につい
て半径方向の力の釣り合いを考えると、−σr ・ｒｄθ
＋（σr ＋ｄσr ）（ｒ＋ｄｒ）ｄθ−σθ ｄθ・ｄ
ｒ＝０の関係が得られ、高次の微少量を省略してまとめ
るとσθ −σr ＝ｒ（ｄσr ／ｄｒ） ‥‥（１）
が得られる。
から所定の厚さｈで切り出された円板であり、レンズエ
レメントに加工される前段階の硝材を示している。11は
円板１０の中心軸を表している。また１２のようにｘ、
ｙ、ｚ座標軸を定める。この場合中心軸１１に沿った方
向（ｚ方向）の応力は無視できるから、図３に示すよう
にｘｙ面内において極座標（ｒ、θ）で表される点Ｐに
おける半径方向の応力σr 、円周方向の応力σθ にの
み着目する。点Ｐの近傍で斜線で示す微少領域13につい
て半径方向の力の釣り合いを考えると、−σr ・ｒｄθ
＋（σr ＋ｄσr ）（ｒ＋ｄｒ）ｄθ−σθ ｄθ・ｄ
ｒ＝０の関係が得られ、高次の微少量を省略してまとめ
るとσθ −σr ＝ｒ（ｄσr ／ｄｒ） ‥‥（１）
が得られる。
【００３４】硝材１０に残存する歪みは半径方向で変化
するため、応力σr の半径ｒによる微分は一般にゼロと
はならない。そのため式（１）式の右辺はｒ≠０（中心
軸上以外）ではゼロでない有限の値を有し、このこと
は、中心軸１１上以外では半径方向ｒの応力σr と円周
方向の応力σθ が異なる値を有することを意味してい
る。
するため、応力σr の半径ｒによる微分は一般にゼロと
はならない。そのため式（１）式の右辺はｒ≠０（中心
軸上以外）ではゼロでない有限の値を有し、このこと
は、中心軸１１上以外では半径方向ｒの応力σr と円周
方向の応力σθ が異なる値を有することを意味してい
る。
【００３５】その際、光学的に観測される影響を図４、
図５により説明する。図４に示すように、点Ｐ（ｒ、
θ）の位置に、波長λでｙ方向に直線偏光した光束が入
射するとする。ここで直線偏光の偏光方向を矢印14で表
す。この入射光が円板10を透過する際には、その半径方
向の偏光成分15と円周方向の偏光成分16で異なる屈折率
を感じることになる。その結果、円板10を透過後には図
５に示すように、２つの偏光成分間で位相差Φが発生
し、光束の偏光状態は直線偏光から楕円偏光に変換され
てしまう。ここに位相差Φは、応力σr ，σθ を用い
てΦ（ｒ）＝（２π／λ）Ｃ・ｈ｛σθ （ｒ）−σr
（ｒ）｝ ‥‥（２）と表される。
図５により説明する。図４に示すように、点Ｐ（ｒ、
θ）の位置に、波長λでｙ方向に直線偏光した光束が入
射するとする。ここで直線偏光の偏光方向を矢印14で表
す。この入射光が円板10を透過する際には、その半径方
向の偏光成分15と円周方向の偏光成分16で異なる屈折率
を感じることになる。その結果、円板10を透過後には図
５に示すように、２つの偏光成分間で位相差Φが発生
し、光束の偏光状態は直線偏光から楕円偏光に変換され
てしまう。ここに位相差Φは、応力σr ，σθ を用い
てΦ（ｒ）＝（２π／λ）Ｃ・ｈ｛σθ （ｒ）−σr
（ｒ）｝ ‥‥（２）と表される。
【００３６】Ｃは光弾性定数と呼ばれ物質に固有の値で
ある。このように円板状の硝材10を光束が透過すると、
その偏光状態が変化してしまう。硝材１枚１枚における
影響はもちろん微々たるものであるが、数十枚のエレメ
ントを透過した後には投影光学系の結像特性として無視
しえない悪影響を与える。実際の投影光学系において、
それぞれのエレメントで（２）式の影響を考え、投影光
学系全体で複屈折性による位相変化の量を加え合わせる
と図６のようになることが分かっている。
ある。このように円板状の硝材10を光束が透過すると、
その偏光状態が変化してしまう。硝材１枚１枚における
影響はもちろん微々たるものであるが、数十枚のエレメ
ントを透過した後には投影光学系の結像特性として無視
しえない悪影響を与える。実際の投影光学系において、
それぞれのエレメントで（２）式の影響を考え、投影光
学系全体で複屈折性による位相変化の量を加え合わせる
と図６のようになることが分かっている。
【００３７】ここで横軸は、レンズエレメントの半径ｒ
の代わりに光学系の瞳座標ρで表している。瞳座標につ
いては図７を用いて説明する。図中17、18はレンズエレ
メントである。レンズエレメント１７，１８を通過する
光線19に着目すると、その位置を指定するためにはレン
ズエレメント17においては中心軸（光軸）20から測った
半径ｒ1 、レンズエレメント18においては中心軸20から
測った半径ｒ2 といったように複数のパラメータが必要
となり不便である。
の代わりに光学系の瞳座標ρで表している。瞳座標につ
いては図７を用いて説明する。図中17、18はレンズエレ
メントである。レンズエレメント１７，１８を通過する
光線19に着目すると、その位置を指定するためにはレン
ズエレメント17においては中心軸（光軸）20から測った
半径ｒ1 、レンズエレメント18においては中心軸20から
測った半径ｒ2 といったように複数のパラメータが必要
となり不便である。
【００３８】そこで光学系全体の瞳位置21に着目し、そ
こを光線19が通過する高さ瞳座標ρで光線19を指定する
ことにすれば、一つのパラメータで光学系の特性が表さ
れることになる。そこでρを瞳座標として光学系を透過
する光束の位置を規定するものとして、その最大値はρ
0 であるとする。
こを光線19が通過する高さ瞳座標ρで光線19を指定する
ことにすれば、一つのパラメータで光学系の特性が表さ
れることになる。そこでρを瞳座標として光学系を透過
する光束の位置を規定するものとして、その最大値はρ
0 であるとする。
【００３９】図６に示した結果は、実際に組み立てられ
た光学系を用いて、位相変調法等の手段を用いて実験的
に計測されるものである。但し精度をある程度犠牲にす
ればシミュレーションによって計算することも可能であ
る。位相変調法に関しては、持田悦宏 著：光技術コン
タクト vol. 27. No. 3 (1989) 等に詳細な解説が記載
されている。このため、ここでの説明は省略するが、非
常に感度が高く、複屈折性による屈折率差Δｎの値で１
０-8の精度の測定が可能であり、また進相軸、遅相軸を
同時に決定できるという利点も有する。
た光学系を用いて、位相変調法等の手段を用いて実験的
に計測されるものである。但し精度をある程度犠牲にす
ればシミュレーションによって計算することも可能であ
る。位相変調法に関しては、持田悦宏 著：光技術コン
タクト vol. 27. No. 3 (1989) 等に詳細な解説が記載
されている。このため、ここでの説明は省略するが、非
常に感度が高く、複屈折性による屈折率差Δｎの値で１
０-8の精度の測定が可能であり、また進相軸、遅相軸を
同時に決定できるという利点も有する。
【００４０】進相軸、遅相軸が分かると、図６における
Φ（ρ）の符号を直接的に決定することができる。とも
かく図６の意味するところは、光学系の中心（ρ＝０）
を透過する光束については複屈折性による位相変化量は
ゼロであるが、周辺部（ρ＝ρ0 ）を透過する光束に対
しては複屈折性による位相変化量がπ／４にも達してし
まうということである。
Φ（ρ）の符号を直接的に決定することができる。とも
かく図６の意味するところは、光学系の中心（ρ＝０）
を透過する光束については複屈折性による位相変化量は
ゼロであるが、周辺部（ρ＝ρ0 ）を透過する光束に対
しては複屈折性による位相変化量がπ／４にも達してし
まうということである。
【００４１】結像特性に与える影響について理論式を用
いた詳細な説明は割愛するが、現象としては光学系にお
いてλ／４程度の大きさを持った非点収差が現れること
になる。ステッパ用の投影光学系に許容される収差はλ
／100 のオーダーのものであり、上記のように大きな収
差は到底許容しえない。
いた詳細な説明は割愛するが、現象としては光学系にお
いてλ／４程度の大きさを持った非点収差が現れること
になる。ステッパ用の投影光学系に許容される収差はλ
／100 のオーダーのものであり、上記のように大きな収
差は到底許容しえない。
【００４２】そこで本発明では、図１において光学系中
に複屈折補正部材８を用いることによって、図６に示し
たような位相変化分をキャンセルするようにしている。
光軸対称に発生した複屈折をキャンセルするには、光軸
対称に逆符号の複屈折性を有する部材を用いればよいこ
とは明らかである。但しその複屈折量の大きさは、投影
光学系ＰＬ全体で生じた複屈折量と同程度のものでなけ
ればならない。
に複屈折補正部材８を用いることによって、図６に示し
たような位相変化分をキャンセルするようにしている。
光軸対称に発生した複屈折をキャンセルするには、光軸
対称に逆符号の複屈折性を有する部材を用いればよいこ
とは明らかである。但しその複屈折量の大きさは、投影
光学系ＰＬ全体で生じた複屈折量と同程度のものでなけ
ればならない。
【００４３】ここで複屈折補正部材８の具体的な構成に
ついて説明する。この複屈折補正部材の材質としては、
露光光に対して透明で、かつ十分な耐久性を持っていな
ければならないという要請から、レンズエレメント１〜
５に用いられる光学ガラスと同等のものである必要があ
る。そのような光学ガラスに対して所定の分布を有する
複屈折性を発生させるために、ここでは構造性複屈折
（form birefringence）という現象を利用する。
ついて説明する。この複屈折補正部材の材質としては、
露光光に対して透明で、かつ十分な耐久性を持っていな
ければならないという要請から、レンズエレメント１〜
５に用いられる光学ガラスと同等のものである必要があ
る。そのような光学ガラスに対して所定の分布を有する
複屈折性を発生させるために、ここでは構造性複屈折
（form birefringence）という現象を利用する。
【００４４】そこでまず構造性複屈折について図８を用
いて説明する。図中、25は光学ガラスの表面に形成され
た位相型の回折格子を表している。回折格子２５は右側
に示す拡大図にも示す通り、周期：ｂ、深さ：ｄであ
り、微細格子を形成する光学ガラスの部分の幅がａであ
る。ここで今後の議論に用いるため、デューティー比ｔ
をｔ＝ａ／ｂで定義しておく。２６はこのような回折格
子２５に対して入射する入射光束（波長：λ）を表し、
２７は回折格子から射出する射出光束を表す。
いて説明する。図中、25は光学ガラスの表面に形成され
た位相型の回折格子を表している。回折格子２５は右側
に示す拡大図にも示す通り、周期：ｂ、深さ：ｄであ
り、微細格子を形成する光学ガラスの部分の幅がａであ
る。ここで今後の議論に用いるため、デューティー比ｔ
をｔ＝ａ／ｂで定義しておく。２６はこのような回折格
子２５に対して入射する入射光束（波長：λ）を表し、
２７は回折格子から射出する射出光束を表す。
【００４５】また２８は入射光束26に関して、回折格子
２５の溝と平行な方向の偏光成分２９は、回折格子２５
の溝と垂直な方向の偏光成分を表す。同様に３０は射出
光27に関して、回折格子２５の溝と平行な方向の偏光成
分を表し、３１は回折格子２５の溝と垂直な方向の偏光
成分を表す。
２５の溝と平行な方向の偏光成分２９は、回折格子２５
の溝と垂直な方向の偏光成分を表す。同様に３０は射出
光27に関して、回折格子２５の溝と平行な方向の偏光成
分を表し、３１は回折格子２５の溝と垂直な方向の偏光
成分を表す。
【００４６】ここで回折格子２５の周期ｂとしては、射
出光２７として０次以外の回折光が発生しないようにす
るため、“ｂはλ以下である”ことが要請される。
出光２７として０次以外の回折光が発生しないようにす
るため、“ｂはλ以下である”ことが要請される。
【００４７】図８では、入射光２６においては偏光成分
28、29の間で位相差が存在しなかったものが、回折格子
25を透過することで、偏光成分30と31の間に位相差Ψが
発生していることを表している。そのため、入射光２６
が直線偏光であるとすると、射出光２７は楕円偏光に変
換されてしまうことが理解できる。このような現象は構
造複屈折（form birefringence）と呼ばれており、光学
の分野では古くから知られている。
28、29の間で位相差が存在しなかったものが、回折格子
25を透過することで、偏光成分30と31の間に位相差Ψが
発生していることを表している。そのため、入射光２６
が直線偏光であるとすると、射出光２７は楕円偏光に変
換されてしまうことが理解できる。このような現象は構
造複屈折（form birefringence）と呼ばれており、光学
の分野では古くから知られている。
【００４８】例えば、「M. Born and E. Wolf : Princi
ples of Optics, 1st ed. (Pergamon Press, New Yor
k, 1959) pp.705-708」、「青山 他：“微細回折格子を
用いた複屈折素子とその応用”、光学 Vol.21, No.5, p
p.269-274 (1992)」 等には詳しい解説が記載されてい
る。以下、それらの内容を要約して説明を行う。
ples of Optics, 1st ed. (Pergamon Press, New Yor
k, 1959) pp.705-708」、「青山 他：“微細回折格子を
用いた複屈折素子とその応用”、光学 Vol.21, No.5, p
p.269-274 (1992)」 等には詳しい解説が記載されてい
る。以下、それらの内容を要約して説明を行う。
【００４９】まず図８に示すような微細な回折格子２５
においては、入射光束２６の偏光方向によって異なる屈
折率を示す。入射光２６の偏光が回折格子２５の溝に平
行である場合の屈折率ｎII、入射光２６の偏光が回折格
子２５の溝に垂直ｎ⊥ はそれぞれ次のように表され
る。
においては、入射光束２６の偏光方向によって異なる屈
折率を示す。入射光２６の偏光が回折格子２５の溝に平
行である場合の屈折率ｎII、入射光２６の偏光が回折格
子２５の溝に垂直ｎ⊥ はそれぞれ次のように表され
る。
【００５０】
【数１】
ここでｔは上で定義したデューティー比であり、ｎ1 は
回折格子25を構成する部材の屈折率、ｎ2 は光束が入射
する側の媒質の屈折率である。ｎ1 ＝１．６，ｎ2 ＝
１．０として、ｎII及びｎ⊥ のｔに対する依存性を計
算した結果を図９に示す。また、回折格子２５の溝の深
さをｄとした際に、回折格子２５の溝に平行な偏光成分
と回折格子の溝に垂直な偏光成分間に現れる位相差Ψは
回折格子25を構成する部材の屈折率、ｎ2 は光束が入射
する側の媒質の屈折率である。ｎ1 ＝１．６，ｎ2 ＝
１．０として、ｎII及びｎ⊥ のｔに対する依存性を計
算した結果を図９に示す。また、回折格子２５の溝の深
さをｄとした際に、回折格子２５の溝に平行な偏光成分
と回折格子の溝に垂直な偏光成分間に現れる位相差Ψは
【００５１】
【数２】
によって与えられる。
【００５２】式（３）〜（５）から、デューティー比ｔ
および溝の深さｄを適当に選択することで、位相差Ψを
任意の値に設定可能なことが分かる。
および溝の深さｄを適当に選択することで、位相差Ψを
任意の値に設定可能なことが分かる。
【００５３】次に、複屈折補正部材８を図７の投影光学
系ＰＬの瞳位置21に挿入するとして、その具体的な構成
の説明を行う。説明には図１０を用いる。
系ＰＬの瞳位置21に挿入するとして、その具体的な構成
の説明を行う。説明には図１０を用いる。
【００５４】図１０は、図１に示した投影光学系におい
て、瞳半径ρで指定される光束がレンズエレメント１〜
５及び複屈折補正部材８を透過する際の、半径方向の偏
光成分、円周方向の偏光成分間の位相差の関係を説明す
るためのものである。硝材において光軸に関して対称な
複屈折性を仮定すると、入射光の半径方向の偏光成分と
円周方向の偏光成分の間に位相差が発生してしまうこと
は図４及び図５を用いて説明した通りである。
て、瞳半径ρで指定される光束がレンズエレメント１〜
５及び複屈折補正部材８を透過する際の、半径方向の偏
光成分、円周方向の偏光成分間の位相差の関係を説明す
るためのものである。硝材において光軸に関して対称な
複屈折性を仮定すると、入射光の半径方向の偏光成分と
円周方向の偏光成分の間に位相差が発生してしまうこと
は図４及び図５を用いて説明した通りである。
【００５５】図１０において41〜44は半径方向の偏光成
分であり、45〜48は円周方向の偏光成分を表す。両者間
の位相差は、光束４０がレンズエレメント１に入射する
前は当然ゼロである。
分であり、45〜48は円周方向の偏光成分を表す。両者間
の位相差は、光束４０がレンズエレメント１に入射する
前は当然ゼロである。
【００５６】ここでの際、投影光学系全体としては、各
レンズエレメント１〜５に発生した複屈折性によって、
瞳半径座標ρの関数として図６に示す位相差Φ( ρ) が
生じているとする。更にΦ（ρ）をΦ（ρ）＝Φ1
（ρ）＋Φ2 （ρ）に従って分解し、位相差Φ1 （ρ）
をレンズエレメント１〜３によって発生する位相差、位
相差Φ2 （ρ）をレンズエレメント４〜５によって発生
する位相差とする。
レンズエレメント１〜５に発生した複屈折性によって、
瞳半径座標ρの関数として図６に示す位相差Φ( ρ) が
生じているとする。更にΦ（ρ）をΦ（ρ）＝Φ1
（ρ）＋Φ2 （ρ）に従って分解し、位相差Φ1 （ρ）
をレンズエレメント１〜３によって発生する位相差、位
相差Φ2 （ρ）をレンズエレメント４〜５によって発生
する位相差とする。
【００５７】また複屈折補正部材８においては、瞳座標
ρの関数として半径方向と円周方向の偏光成分間の位相
差Ψ( ρ) が生じると仮定する。そうすると、複屈折補
正部材８に入射する直前の光束には、半径方向と円周方
向の偏光成分の間の位相差はΦ1 （ρ）で与えられ、複
屈折補正部材８を透過した直後の位相差はΦ1 （ρ）＋
Ψ（ρ）、更にレンズエレメント４〜５を透過した後の
位相差はΦ1 （ρ）＋Φ2 （ρ）＋Ψ（ρ）＝Φ（ρ）
＋Ψ（ρ） ‥‥（６）によって与えられる。
ρの関数として半径方向と円周方向の偏光成分間の位相
差Ψ( ρ) が生じると仮定する。そうすると、複屈折補
正部材８に入射する直前の光束には、半径方向と円周方
向の偏光成分の間の位相差はΦ1 （ρ）で与えられ、複
屈折補正部材８を透過した直後の位相差はΦ1 （ρ）＋
Ψ（ρ）、更にレンズエレメント４〜５を透過した後の
位相差はΦ1 （ρ）＋Φ2 （ρ）＋Ψ（ρ）＝Φ（ρ）
＋Ψ（ρ） ‥‥（６）によって与えられる。
【００５８】本発明の本質は、式（６）をゼロとするよ
うな位相差関数Ψ（ρ）を与えることが可能な複屈折性
を有する部材を光路中に挿入することである。
うな位相差関数Ψ（ρ）を与えることが可能な複屈折性
を有する部材を光路中に挿入することである。
【００５９】図６と合わせて考えると、式（６）をゼロ
とする位相差関数Ψ（ρ）は図１１に示すものとなるこ
とは明らかである。即ち、位相差Φ（ρ）とは符号が逆
で絶対値が等しいものである。
とする位相差関数Ψ（ρ）は図１１に示すものとなるこ
とは明らかである。即ち、位相差Φ（ρ）とは符号が逆
で絶対値が等しいものである。
【００６０】前に説明したように、構造性複屈折を示す
微細な回折格子２５を用いてそのデューティー比ｔおよ
び溝の深さｄを適当に選択することで、回折格子の溝に
平行な方向の偏光成分と回折格子の溝に垂直な方向な偏
光成分の間の位相差を任意の値に設定することができ
る。
微細な回折格子２５を用いてそのデューティー比ｔおよ
び溝の深さｄを適当に選択することで、回折格子の溝に
平行な方向の偏光成分と回折格子の溝に垂直な方向な偏
光成分の間の位相差を任意の値に設定することができ
る。
【００６１】そこで、複屈折補正部材８においては、そ
の表面に、光軸に関して対称となるように微細な回折格
子を形成する。その場合、図１２に示すように回折格子
２５を光軸に関して同心円状に配置する構成と、図１３
に示すように回折格子２５を光軸に関して放射状に配置
する構成が可能である。
の表面に、光軸に関して対称となるように微細な回折格
子を形成する。その場合、図１２に示すように回折格子
２５を光軸に関して同心円状に配置する構成と、図１３
に示すように回折格子２５を光軸に関して放射状に配置
する構成が可能である。
【００６２】構造性複屈折を生じされるために必要な微
細回折格子の周期には、前にも述べた通り波長λ以下で
あるという条件のみが必要であるが、あまり小さい周期
では製造が困難になる。そこで回折格子の周期としては
λ／３〜λの範囲に収まっていることが望ましい。そ
のため回折格子を光軸に関して放射状に配置する構成で
は、図１３に示すように半径方向を複数の領域に分割
し、それぞれの領域内部での周期が上記の範囲に収まる
ようにしている。
細回折格子の周期には、前にも述べた通り波長λ以下で
あるという条件のみが必要であるが、あまり小さい周期
では製造が困難になる。そこで回折格子の周期としては
λ／３〜λの範囲に収まっていることが望ましい。そ
のため回折格子を光軸に関して放射状に配置する構成で
は、図１３に示すように半径方向を複数の領域に分割
し、それぞれの領域内部での周期が上記の範囲に収まる
ようにしている。
【００６３】図１２と図１３に示した構造による機能の
違いは以下のように説明される。図１２において点Ｐに
入射する光束について、半径方向の偏光成分50と円周方
向の偏光成分51の間では、部材８を透過することによ
り、半径方向の偏光成分50の位相に対して円周方向の偏
光成分51の位相を相対的に遅らせることができる。一方
図１３の構造において同様に考えると、半径方向の偏光
成分52の位相に対して円周方向の偏光成分53の位相を相
対的に進ませることができる。即ち、投影光学系で発生
する複屈折性の符号に応じて両者を使い分けることがで
きる。ここで図１１に示した位相差Ψ( ρ) を発生させ
るには図１３の構造を適用すればよい。
違いは以下のように説明される。図１２において点Ｐに
入射する光束について、半径方向の偏光成分50と円周方
向の偏光成分51の間では、部材８を透過することによ
り、半径方向の偏光成分50の位相に対して円周方向の偏
光成分51の位相を相対的に遅らせることができる。一方
図１３の構造において同様に考えると、半径方向の偏光
成分52の位相に対して円周方向の偏光成分53の位相を相
対的に進ませることができる。即ち、投影光学系で発生
する複屈折性の符号に応じて両者を使い分けることがで
きる。ここで図１１に示した位相差Ψ( ρ) を発生させ
るには図１３の構造を適用すればよい。
【００６４】ところで位相の補正量は、当然、半径方向
で変化させる必要がある。そのためには、微細回折格子
のデューティー比、或いは溝の深さを半径方向で変化さ
せればよい。但しデューティー比を連続的に変化させる
ことは製造上非常に困難なので、ここでは溝の深さを変
化させる構成を図１４を用いて説明する。位相補正量は
図１１からも明らかなように光学系の光軸上ではゼロで
ある。そのため図１４に示すように、微細回折格子の溝
の深さとしては中心軸近傍ではゼロ、そして周辺にいく
に従って深くなる構造とすればよい。
で変化させる必要がある。そのためには、微細回折格子
のデューティー比、或いは溝の深さを半径方向で変化さ
せればよい。但しデューティー比を連続的に変化させる
ことは製造上非常に困難なので、ここでは溝の深さを変
化させる構成を図１４を用いて説明する。位相補正量は
図１１からも明らかなように光学系の光軸上ではゼロで
ある。そのため図１４に示すように、微細回折格子の溝
の深さとしては中心軸近傍ではゼロ、そして周辺にいく
に従って深くなる構造とすればよい。
【００６５】複屈折補正部材８が挿入される位置として
は、投影光学系の瞳位置近傍であることが望ましいが、
必ずしもそこに限られるものではない。また複屈折補正
部材として、本実施例では平行平板のものを用いて説明
を行ったが、その形状は平行平板に限られるものではな
く、通常のレンズエレメントのように凸面、または凹面
の形状を有していても構わない。
は、投影光学系の瞳位置近傍であることが望ましいが、
必ずしもそこに限られるものではない。また複屈折補正
部材として、本実施例では平行平板のものを用いて説明
を行ったが、その形状は平行平板に限られるものではな
く、通常のレンズエレメントのように凸面、または凹面
の形状を有していても構わない。
【００６６】図１５（Ａ）は、凸面上に、中心軸に関し
て同心円状に微細回折格子を構成した例であり、図１５
（Ｂ）は、凸面上に、中心軸に関して放射状に微細回折
格子を構成した例である。更に本実施形態では、複屈折
補正部材が１枚の光学素子で構成される場合について説
明を行ったが、複数の部材で複屈折性の補正量を分担す
るようにしてもよい。
て同心円状に微細回折格子を構成した例であり、図１５
（Ｂ）は、凸面上に、中心軸に関して放射状に微細回折
格子を構成した例である。更に本実施形態では、複屈折
補正部材が１枚の光学素子で構成される場合について説
明を行ったが、複数の部材で複屈折性の補正量を分担す
るようにしてもよい。
【００６７】その際には、投影光学系に発生する、より
大きな複屈折性、あるいは、より複雑な分布を有する複
屈折性の補正を行うことが可能となる。
大きな複屈折性、あるいは、より複雑な分布を有する複
屈折性の補正を行うことが可能となる。
【００６８】図１６は本発明の投影光学系をステッパに
搭載した実施形態２の要部概略図である。同図において
60は回路パターンの描かれたレチクルであり、61は本発
明に係る投影光学系、62は該回路パターンが転写される
ウェハである。照明系６７からの照明光束63はレチクル
60上の照明領域64を照明し、その領域６４に描かれてい
る回路パターンが、投影光学系61を介して、ウェハ62上
の露光領域65に縮小転写される。ステッパにおいては、
レチクル６０上のパターンがウェハ６２上に一括して縮
小転写された後は、ウェハ６２は所定の量だけステップ
して再び露光を行うということを繰り返す。
搭載した実施形態２の要部概略図である。同図において
60は回路パターンの描かれたレチクルであり、61は本発
明に係る投影光学系、62は該回路パターンが転写される
ウェハである。照明系６７からの照明光束63はレチクル
60上の照明領域64を照明し、その領域６４に描かれてい
る回路パターンが、投影光学系61を介して、ウェハ62上
の露光領域65に縮小転写される。ステッパにおいては、
レチクル６０上のパターンがウェハ６２上に一括して縮
小転写された後は、ウェハ６２は所定の量だけステップ
して再び露光を行うということを繰り返す。
【００６９】図中66は複屈折補正部材であり、投影光学
系61が有する複屈折量に応じてその補正量を調整できる
ように、複屈折補正部材６６自体が取り外し、交換可能
になっていることが特徴である。
系61が有する複屈折量に応じてその補正量を調整できる
ように、複屈折補正部材６６自体が取り外し、交換可能
になっていることが特徴である。
【００７０】図１７は本発明の投影光学系をステップ＆
スキャン型の露光装置に搭載した実施形態３の要部概略
図である。同図において70は回路パターンの描かれたレ
チクルであり、71は投影光学系、72が該回路パターンが
転写されるウェハである。照明系６７からの照明光束73
はレチクル70上の照明領域74を照明し、その領域７４に
描かれている回路パターンが、投影光学系71を介して、
ウェハ72上の露光領域75に縮小転写される。ステップ＆
スキャン型の露光装置は以下の点で従来のステッパとは
異なる。
スキャン型の露光装置に搭載した実施形態３の要部概略
図である。同図において70は回路パターンの描かれたレ
チクルであり、71は投影光学系、72が該回路パターンが
転写されるウェハである。照明系６７からの照明光束73
はレチクル70上の照明領域74を照明し、その領域７４に
描かれている回路パターンが、投影光学系71を介して、
ウェハ72上の露光領域75に縮小転写される。ステップ＆
スキャン型の露光装置は以下の点で従来のステッパとは
異なる。
【００７１】ステッパにおいては、レチクル７０上のパ
ターンをウェハ７２上に一括して縮小転写していたが、
ステップ＆スキャン型の露光装置ではスリット形状の照
明領域７４で回路パターンを照明し、レチクル70、ウェ
ハ72を同期をとってスキャンすることによりレチクル70
上の回路パターン全体を縮小転写するようにしている。
ターンをウェハ７２上に一括して縮小転写していたが、
ステップ＆スキャン型の露光装置ではスリット形状の照
明領域７４で回路パターンを照明し、レチクル70、ウェ
ハ72を同期をとってスキャンすることによりレチクル70
上の回路パターン全体を縮小転写するようにしている。
【００７２】座標系を76で表すと、レチクル７０のスキ
ャン方向77はｘ軸負の方向、ウェハ７２のスキャン方向
78はｘ軸正の方向となる。図中79は複屈折補正部材であ
り、ステッパの場合と同様に取り外し、交換可能になっ
ていることが特徴である。
ャン方向77はｘ軸負の方向、ウェハ７２のスキャン方向
78はｘ軸正の方向となる。図中79は複屈折補正部材であ
り、ステッパの場合と同様に取り外し、交換可能になっ
ていることが特徴である。
【００７３】ステップ＆スキャン型の露光装置において
は、その照明領域７４がスリット形状であるため、例え
ばＡｒＦレーザ光で照明を行った場合のコンパクション
の影響が光軸に関して対称に現れなくなる。
は、その照明領域７４がスリット形状であるため、例え
ばＡｒＦレーザ光で照明を行った場合のコンパクション
の影響が光軸に関して対称に現れなくなる。
【００７４】次に図１８を用いて、投影光学系71中のレ
ンズエレメントにおける光の透過領域を説明する。図
中、80は代表的なレンズエレメントであり、ｘｙ面内で
表している（８１は座標軸である）。
ンズエレメントにおける光の透過領域を説明する。図
中、80は代表的なレンズエレメントであり、ｘｙ面内で
表している（８１は座標軸である）。
【００７５】ここで図１７に示す照明領域74の形状に対
応して、レンズエレメント80においても、光束の透過す
る領域は斜線82で示すようにｙ軸方向に長く延びた形状
となる。そのためコンパクションによる歪みもその形状
に対応して発生する。その結果として発生する光学系の
複屈折性も、当然、光軸に関して非対称となる。
応して、レンズエレメント80においても、光束の透過す
る領域は斜線82で示すようにｙ軸方向に長く延びた形状
となる。そのためコンパクションによる歪みもその形状
に対応して発生する。その結果として発生する光学系の
複屈折性も、当然、光軸に関して非対称となる。
【００７６】図６果用いたのと同様の瞳座標を用いて表
すと、複屈折による位相変化量は図１９に示すようにな
る。即ち、ｘ軸方向とｙ軸方向で異なった分布を有す
る。このような複屈折量の分布を補正するためには、図
１４で説明した溝の深さの分布をｘ軸方向とｙ軸方向で
異ならせることにより対応することが可能である。
すと、複屈折による位相変化量は図１９に示すようにな
る。即ち、ｘ軸方向とｙ軸方向で異なった分布を有す
る。このような複屈折量の分布を補正するためには、図
１４で説明した溝の深さの分布をｘ軸方向とｙ軸方向で
異ならせることにより対応することが可能である。
【００７７】次に本発明に係る複屈折部材の実施形態２
について説明する。図１〜図８の実施形態１では複屈折
補正部材８の具体的な構成として、複屈折補正部材の材
質が、露光光に対して透明で、かつ十分な耐久性を持っ
ていなければならないという要請から、レンズエレメン
ト１〜５に用いられる光学ガラスと同等のものを用い、
複屈折性を発生させる為に構造性複屈折という現象を利
用した場合を示した。
について説明する。図１〜図８の実施形態１では複屈折
補正部材８の具体的な構成として、複屈折補正部材の材
質が、露光光に対して透明で、かつ十分な耐久性を持っ
ていなければならないという要請から、レンズエレメン
ト１〜５に用いられる光学ガラスと同等のものを用い、
複屈折性を発生させる為に構造性複屈折という現象を利
用した場合を示した。
【００７８】これに対して本実施形態では実施形態１に
比べて光学ガラスの製造時に歪みが残留し、その影響で
複屈折性が現れることはこれまで説明してきた通りであ
るが、ここでは、光学ガラスに対して積極的に歪みを与
え、所望の複屈折性を発生させている。この点が実施形
態１と異なっているだけであり、その他の構成及びその
利用形態は基本的に同じである。
比べて光学ガラスの製造時に歪みが残留し、その影響で
複屈折性が現れることはこれまで説明してきた通りであ
るが、ここでは、光学ガラスに対して積極的に歪みを与
え、所望の複屈折性を発生させている。この点が実施形
態１と異なっているだけであり、その他の構成及びその
利用形態は基本的に同じである。
【００７９】光学ガラスに歪みを残留させるためには、
アニーリングの過程で温度の制御を精密に行うことで実
現される。通常アニーリングと言えば光学ガラスに残留
した歪みを取り除くために行われるものであるが、本発
明に係る複屈折補正部材の生成においては、逆に残留歪
みを発生させるためにアニーリングの過程を用いる。
アニーリングの過程で温度の制御を精密に行うことで実
現される。通常アニーリングと言えば光学ガラスに残留
した歪みを取り除くために行われるものであるが、本発
明に係る複屈折補正部材の生成においては、逆に残留歪
みを発生させるためにアニーリングの過程を用いる。
【００８０】アニーリングの過程について図２０を用い
て説明する。図中１３０が複屈折補正部材８の元となる
光学部材である。光学部材１３０は円板状の形状を有し
ており中心軸１３１からの距離ｒで部材上の位置が指定
される。
て説明する。図中１３０が複屈折補正部材８の元となる
光学部材である。光学部材１３０は円板状の形状を有し
ており中心軸１３１からの距離ｒで部材上の位置が指定
される。
【００８１】図２０（Ａ）はアニーリング過程における
加熱前の状態であり、図２０（Ｂ）は光学部材１３０全
体に一様に熱が加えられた状態を表す。この状態では光
学部材１３０の内部にはほとんど応力分布は存在してい
ないが、次の図２０（Ｃ）及び図２０（Ｄ）に示す冷却
の過程で大きな応力分布を発生させることができる。図
２０（Ｃ）においては中心付近に気体を吹き付けて急冷
することにより、光学部材１３０が室温に戻った後、内
部には大きな残留応力が発生している。その応力分布を
図２０（Ｅ）に示す。
加熱前の状態であり、図２０（Ｂ）は光学部材１３０全
体に一様に熱が加えられた状態を表す。この状態では光
学部材１３０の内部にはほとんど応力分布は存在してい
ないが、次の図２０（Ｃ）及び図２０（Ｄ）に示す冷却
の過程で大きな応力分布を発生させることができる。図
２０（Ｃ）においては中心付近に気体を吹き付けて急冷
することにより、光学部材１３０が室温に戻った後、内
部には大きな残留応力が発生している。その応力分布を
図２０（Ｅ）に示す。
【００８２】半径方向ｒの応力σr と円周方向の応力σ
θ をそれぞれ半径ｒの関数として示すが、中心ではそ
れらが一致し、半径ｒが大きくなるに従って両者の差が
大きくなることが分かる。このような応力差の存在する
物体を光路中に挿入すると、式（２）から計算される位
相差が発生する。
θ をそれぞれ半径ｒの関数として示すが、中心ではそ
れらが一致し、半径ｒが大きくなるに従って両者の差が
大きくなることが分かる。このような応力差の存在する
物体を光路中に挿入すると、式（２）から計算される位
相差が発生する。
【００８３】ここで光学部材に発生させる応力分布は、
図６に示す投影光学系全体が有する複屈折性による位相
差を打ち消す値となるように調整される。そのために
は、吹き付ける気体の温度、吹き付ける位置、気体吹き
付け後の温度管理を厳密に行う必要があるが、それらに
対しては実験を繰り返すことにより最適な条件が見い出
される。一例として、図２０（Ｄ）のように気体を周辺
部に吹き付けて急冷することにより図２０（Ｆ）に示す
ような応力分布が得られる。
図６に示す投影光学系全体が有する複屈折性による位相
差を打ち消す値となるように調整される。そのために
は、吹き付ける気体の温度、吹き付ける位置、気体吹き
付け後の温度管理を厳密に行う必要があるが、それらに
対しては実験を繰り返すことにより最適な条件が見い出
される。一例として、図２０（Ｄ）のように気体を周辺
部に吹き付けて急冷することにより図２０（Ｆ）に示す
ような応力分布が得られる。
【００８４】複屈折補正部材８に残留応力を発生させる
方法として、アニーリング過程の温度分布を制御する代
わりに、光学部材１３０中での不純物濃度を半径方向で
変化させても同様の効果を実現することが可能である。
更には、円板状の硝材、あるいはレンズエレメントに対
して、外部から力学的な圧力を加えることによって所望
の内部応力分布を持たせることももちろん可能である。
方法として、アニーリング過程の温度分布を制御する代
わりに、光学部材１３０中での不純物濃度を半径方向で
変化させても同様の効果を実現することが可能である。
更には、円板状の硝材、あるいはレンズエレメントに対
して、外部から力学的な圧力を加えることによって所望
の内部応力分布を持たせることももちろん可能である。
【００８５】図１７に示すステップアンドスキャン型の
露光装置では投影光学系で光軸に対する非対称の複屈折
生が発生する。このような露光装置に本実施形態の複屈
折補正板を用いて非対称の複屈折生を補正する方法を図
２１を用いて説明する。
露光装置では投影光学系で光軸に対する非対称の複屈折
生が発生する。このような露光装置に本実施形態の複屈
折補正板を用いて非対称の複屈折生を補正する方法を図
２１を用いて説明する。
【００８６】ここでは図２０で説明したものと同様に、
アニーリング時の温度分布を制御することによって補正
部材の複屈折性の調整を行う。図２１において１６３
は、アニーリング過程において全体に一様に熱が加えら
れた状態を表し、１６４はｘ方向とｙ方向で異なる温度
分布を持たせて冷却させた後の状態を表す。この状態に
おいて部材中の残留歪みはｘ方向とｙ方向で異なる分布
を有しており、このような部材を投影光学系中に挿入す
ることにより、光学系の光軸に関して非対称に発生した
複屈折性の影響を補正している。
アニーリング時の温度分布を制御することによって補正
部材の複屈折性の調整を行う。図２１において１６３
は、アニーリング過程において全体に一様に熱が加えら
れた状態を表し、１６４はｘ方向とｙ方向で異なる温度
分布を持たせて冷却させた後の状態を表す。この状態に
おいて部材中の残留歪みはｘ方向とｙ方向で異なる分布
を有しており、このような部材を投影光学系中に挿入す
ることにより、光学系の光軸に関して非対称に発生した
複屈折性の影響を補正している。
【００８７】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【００８８】図２２は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
のフローを示す。
の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
のフローを示す。
【００８９】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００９０】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００９１】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００９２】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９３】図２３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【００９４】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００９５】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００９６】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【００９７】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、投影光学
系中に適切に設定した複屈折性を補正する複屈折補正部
材を設けることにより、投影光学系の有する複屈折性及
び投影露光を行っている過程において生じる複屈折性を
良好に補正し、高精度なパターンの転写ができる投影光
学系及びそれを用いた投影露光装置及びそれを用いたデ
バイスの製造方法を達成することができる。
系中に適切に設定した複屈折性を補正する複屈折補正部
材を設けることにより、投影光学系の有する複屈折性及
び投影露光を行っている過程において生じる複屈折性を
良好に補正し、高精度なパターンの転写ができる投影光
学系及びそれを用いた投影露光装置及びそれを用いたデ
バイスの製造方法を達成することができる。
【００９８】特に本発明によれば、投影光学系を構成す
る硝材に複屈折性が生じている場合でも、その影響を補
正して高精度なパターンの転写を行うことが可能とな
る。また、硝材がＡｒＦレーザ光等を吸収することによ
って発生するコンパクションによる歪みの影響も補正す
ることが可能となる等の効果が得られる。
る硝材に複屈折性が生じている場合でも、その影響を補
正して高精度なパターンの転写を行うことが可能とな
る。また、硝材がＡｒＦレーザ光等を吸収することによ
って発生するコンパクションによる歪みの影響も補正す
ることが可能となる等の効果が得られる。
【図１】本発明の実施形態１の投影光学系の断面を表す
概略図
概略図
【図２】光学エレメントの残留歪みの影響を説明するた
めの図
めの図
【図３】光学エレメントの残留歪みの影響を説明するた
めの図
めの図
【図４】光学エレメントの複屈折性の影響を説明するた
めの図
めの図
【図５】光学エレメントの複屈折性の影響を説明するた
めの図
めの図
【図６】本発明に係る硝材の複屈折性により発生する位
相差を説明するための図
相差を説明するための図
【図７】光学系の瞳座標を説明するための図
【図８】本発明に係る複屈折補正手段の実施形態１の構
造性複屈折を説明するための図
造性複屈折を説明するための図
【図９】偏光の向きによる屈折率の違いを説明するため
の図
の図
【図１０】本発明に係る複屈折による位相変化を説明す
るための図
るための図
【図１１】複屈折補正部材で発生させる位相変化量の分
布
布
【図１２】本発明に係る構造性複屈折を利用した複屈折
補正部材の説明図
補正部材の説明図
【図１３】本発明に係る構造性複屈折を利用した複屈折
補正部材の説明図
補正部材の説明図
【図１４】本発明に係る微細回折格子の深さ分布を説明
するための図
するための図
【図１５】本発明に係る凸面上に形成した微細回折格子
【図１６】本発明の実施形態２のステッパの要部概略図
【図１７】本発明の実施形態３のステップ＆スキャン型
の投影露光装置の要部概略図
の投影露光装置の要部概略図
【図１８】本発明の実施形態３のステップ＆スキャン型
の投影露光装置で発生する非対称歪み分布を説明するた
めの図
の投影露光装置で発生する非対称歪み分布を説明するた
めの図
【図１９】本発明の実施形態３のステップ＆スキャン型
の露光装置で発生する非対称歪み分布を説明するための
図
の露光装置で発生する非対称歪み分布を説明するための
図
【図２０】本発明に係る複屈折補正手段の実施形態２の
要部概略図
要部概略図
【図２１】本発明に係る複屈折補正手段の実施形態２の
説明図
説明図
【図２２】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図２３】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト
ト
【図２４】レンズエレメントの製造工程を説明するため
の図
の図
【図２５】不純物の影響で発生する内部歪みについて説
明するための図
明するための図
【図２６】コンパクションの発生を説明するための図
【図２７】コンパクションの影響で発生する内部歪みに
ついて説明するための図
ついて説明するための図
１〜５ 光学エレメント
６ 第１物体（レチクル）
７ 第２物体（ウエハ）
８，１６４ 複屈折補正手段
１０ 石英ガラス
１１ 中心軸
２５ 回折格子
１３０ 光学部材
ＰＬ 投影光学系
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20 521
Claims (10)
- 【請求項１】 第１物体のパターンを第２物体上に投影
する投影光学系において、該投影光学系はそれに含まれ
る光学エレメントが有する複屈折性を補正する複屈折補
正手段を有していることを特徴とする投影光学系。 - 【請求項２】 前記複屈折補正手段は所定の構造性複屈
折を有する１つ又は複数の光学部材より成っていること
を特徴とする請求項１の投影光学系。 - 【請求項３】 前記１つ又は複数の光学部材はそれより
生じる構造性複屈折の分布を加えた分布が前記投影光学
系を構成する光学エレメントから生じる複屈折性をキャ
ンセルするように設定されていることを特徴とする請求
項２の投影光学系。 - 【請求項４】 前記１つ又は複数の光学部材は使用波長
より小さい周期から成る回折格子を利用して構造性複屈
折を発生させていることを特徴とする請求項２又は３の
投影光学系。 - 【請求項５】 前記回折格子は前記投影光学系に含まれ
る光学エレメントの表面に設けられていることを特徴と
する請求項４の投影光学系。 - 【請求項６】 前記複屈折補正手段は所定の応力の分布
を有する１つ又は複数の光学部材より成っていることを
特徴とする請求項１の投影光学系。 - 【請求項７】 前記１つ又は複数の光学部材は、それよ
り生じる応力の分布を加えた分布が前記投影光学系を構
成する光学エレメントから生じる複屈折性をキャンセル
するように設定されていることを特徴とする請求項６の
投影光学系。 - 【請求項８】 照明系からの光束で照明した第１物体面
上のパターンを請求項１から７のいずれか１項記載の投
影光学系によって第２物体面上に投影露光していること
を特徴とする投影露光装置。 - 【請求項９】 スリット開口の光束で第１物体面上のパ
ターンを照明し、第１物体面上のパターンを請求項１か
ら７のいずれか１項記載の投影光学系により可動ステー
ジに載置した第２物体面上に該第１物体と該可動ステー
ジを該スリット開口の短手方向に該投影光学系の投影倍
率に対応させた速度比で同期させてスキャンさせながら
投影露光していることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１０】 請求項１又は２記載の投影露光装置を
用いてデバイスパターンを基板上にプリントする段階を
含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21817997A JP3413067B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
| US09/523,735 US6829041B2 (en) | 1997-07-29 | 2000-03-13 | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
| US10/625,409 US20040263814A1 (en) | 1997-07-29 | 2003-07-23 | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21817997A JP3413067B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002136874A Division JP2003029144A (ja) | 2002-05-13 | 2002-05-13 | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154411A JPH1154411A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3413067B2 true JP3413067B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=16715860
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21817997A Expired - Fee Related JP3413067B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| ATE431619T1 (de) | 1999-01-06 | 2009-05-15 | Nikon Corp | Verfahren zur herstellung eines optischen projektionssystems |
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