JP3409591B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3409591B2
JP3409591B2 JP16354196A JP16354196A JP3409591B2 JP 3409591 B2 JP3409591 B2 JP 3409591B2 JP 16354196 A JP16354196 A JP 16354196A JP 16354196 A JP16354196 A JP 16354196A JP 3409591 B2 JP3409591 B2 JP 3409591B2
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都美雄 清水
敏総 山田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はパワートランジスタ
モジュールなどを実施対象とした半導体装置、詳しくは
そのパッケージ構造に関する。
【0002】
【従来の技術】パッケージ内に2個のパワートランジス
タ(例えばIGBT)を直列に内部接続してハーフブリ
ッジ回路を構成した2個組のパワートランジスタモジュ
ールを例に、半導体装置の組立構造を図5(a)〜
(d)に示す。図において、1は金属ベース板(銅ベー
ス板)、2は金属ベース板1の上に搭載して半田付けし
たセラミックス基板などの絶縁基板、3は絶縁基板の上
面に形成した銅箔パターン上にフリーホイーリングダイ
オードと組合せてマウントしたパワー半導体素子(例え
ばIGBT)、4は樹脂成形品としてなる端子一体形の
外囲樹脂ケース、5,6は樹脂ケース4にインサート成
形された外部接続用の主回路端子(ねじ端子),および
補助端子(ファストン端子)、7は樹脂ケース4の上面
に被せた端子を引出した上蓋であり、金属ベース板1に
外囲樹脂ケース4を接着結合し、樹脂ケース内に封止樹
脂(図示せず)を充填した上で樹脂ケース4の上面に上
蓋7を被せ、さらに上蓋7を貫通して引出した主回路端
子5を折り曲げて(d)図の製品を完成する。
【0003】また、図5(d)で示すように半導体装置
の製品を冷却フィン8へ取付ねじ9でねじ止め固定する
ために、金属ベース板1,外囲樹脂ケース4の左右両端
のフランジ部には取付穴1a,4aが開口しており、特
に樹脂ケース4の取付穴4aには金属製のインサートリ
ングを樹脂ケースに埋め込み、該取付穴部の補強と併せ
て、実使用時のヒートサイクルに伴う樹脂のクリープ,
および取付ねじ9の膨張,収縮変化でねじ9の締め付け
力が低下するのを防ぎ、金属ベース板1と冷却フィン8
との間の伝熱性を良好な状態に保持するようにしてい
る。
【0004】この場合に、従来では前記のインサートリ
ングとして締結ねじ9のねじ径に対応した太さの黄銅,
鉄製パイプを切削加工するか、あるいは黄銅,鉄板をリ
ング状にカーリング加工してその外周面にローレット加
工を施したリングを採用し、外囲樹脂ケース4をモール
ド成形する際に前記リングをインサート成形して樹脂ケ
ース4の取付穴部に埋設するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来構造では次記のような難点がある。 1)ローレット加工を含めたインサートリングの加工費
が嵩むほか、半導体装置を冷却フィンに固定する取付ね
じ9の寸法は、半導体装置のパッケージの大きさにより
異なることから、内径,外形の異なる複数種のインサー
トリングを用意する必要があるために単価が高くなって
半導体装置のコストを押し上げる。
【0006】2)また、先記のように端子一体形の外囲
樹脂ケースは、通電に伴ってケースが高温になることか
ら一般には耐熱性に優れたPPS樹脂(ポリフェニレン
サルファイド樹脂)などが採用されているが、このPP
S樹脂は硬くて脆い性質がある。このために、半導体装
置の組立工程で外囲樹脂ケース4を金属ベース板1に接
着剤で結合する際に両者の間が均一に密着してないと、
半導体装置を冷却フィンへねじ締結する際に加わる締め
付け力で外囲樹脂ケース4にクラック,割れの生じるお
それがある。そこで、従来では外囲樹脂ケース4を金属
ベース板1に接着剤で結合する際には、両者間に隙間が
生じないように治具で加圧力を加えながら接着するよう
にしているが、この方法では接着面に塗布した接着剤が
過剰に押し出され、その結果として接着剤の層厚さが極
端に薄くなって接着強度が低下して剥離したり、封止樹
脂の充填時にゲル状樹脂が漏れ出したりするなどの欠陥
が生じて信頼性が低下する。
【0007】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、パッケージを冷
却フィンへねじ止めする際に安定よく固定でき、併せて
外囲樹脂ケースと金属ベース板との間に適正な接着剤の
層厚さを確保できるようインサートリングを改良した半
導体装置のパッケージを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、絶縁基板を介してパワー半導体素
子を搭載した金属ベース板と、絶縁基板を包囲して金属
ベース板上に接着結合した端子一体形の外囲樹脂ケース
と、ケース蓋と、外囲樹脂ケース内に充填した封止樹脂
とからなり、前記外囲樹脂ケース, 金属ベース板のフラ
ンジ部に冷却フィンへねじ止めするための取付穴を設
け、かつ外囲樹脂ケースの取付穴を包囲して金属製のイ
ンサートリングを樹脂ケースと一体にインサート成形し
た半導体装置のパッケージにおいて、 1)前記インサートリングを、外形輪郭が長円形になる
ハット状体の胴部周面に括れ部を成形し、その上面に取
付ねじを通す貫通穴を穿孔した金属板の絞り加工品とし
て作成し、該インサートリングの下縁周縁部を外囲樹脂
ケースの底面より接着剤の層厚さに相応した分だけ突き
出して樹脂ケースにインサート成形する。
【0009】2)前記インサートリングを、ハット状体
の胴部周面に括れ部を成形し、かつその上面に取付ねじ
を通す貫通穴を、下縁周縁部には回り止め用の凹溝を分
散形成した金属板の絞り加工品として作成し、該インサ
ートリングの下端周縁部を外囲樹脂ケースの底面より接
着剤の層厚さに相応した分だけ突き出して樹脂ケースに
インサート成形する。
【0010】3)前記インサートリングを、ハット状体
の胴部周面に括れ部を成形してその胴部外周面を粗面化
するとともに、上面には取付ねじを通す貫通穴を穿孔し
た金属板の絞り加工品として作成し、該インサートリン
グの下端周縁部を外囲樹脂ケースの底面より接着剤の層
厚さに相応した分だけ突き出して樹脂ケースにインサー
ト成形する。
【0011】上記構成のインサートリングを外囲樹脂ケ
ースの取付穴部にインサート成形することにより、半導
体装置を冷却フィンにねじ締結するときでも、脆くて割
れ易い樹脂ケースにねじ締め付け力が直接加わることが
なく、かつリングの貫通穴周囲で曲げ弾性を有するが取
付ねじの熱膨張,収縮を吸収して安定した締め付け強度
が保持できる。さらに、インサートリングの胴部に括れ
部を形成したことで、モールド樹脂との相補作用により
強固なリングの抜け止め強度が確保される。しかも金属
板を絞り加工して製作したハット状のインサートリング
は、その外形寸法を共通として上面に開口した貫通穴の
穴径のみを取付ねじの径寸法に合わせてプレス打ち抜き
しておくことにより、異なるねじ径の取付ねじにも簡単
に対応できる。しかも、インサートリングの下端周縁部
を外囲樹脂ケースの底面より突き出したことにより、外
囲樹脂ケースの底面に接着剤を塗布して金属ベース板の
上に接合する際に、インサートリングの突出し部がスペ
ーサの役目を果たし、樹脂ケースの底面と金属ベース板
の間に強固な接着強度を得るに適正な接着剤の層厚さ
(0.2 mm)を確保できる。
【0012】また、インサートリングが取付ねじのねじ
操作時に連れ回りするのを防止する手段として、本発明
によれば、インサートリング下端の外形輪郭を長円形に
形成するか、リングの下端周縁部に凹溝を分散形成する
か、あるいはリングの胴部外周面を粗面化した上で、樹
脂ケースにインサート成形するようにしている。これに
より、インサートリングを樹脂ケースにインサート形成
した状態では、インサートリングの胴部に形成した括れ
部と同様なモールド樹脂との相補作用,ないしは樹脂の
投錨効果によりリングを回り止めし、ねじ止めの際にリ
ングの連れ回り, ガタつきが防げる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。なお、実施例の図中で図5に対応する同
一部材には同じ符号が付してある。まず、図1(a),
(b)において、主回路端子5,補助端子6と一体成形
した外囲樹脂ケース4の左右両端のフランジ部には、取
付穴4aを包囲するようにして該穴部に金属製のインサ
ートリング10が樹脂ケース4と一体にインサート成形
されている。このインサートリング10は黄銅,鉄など
の薄鋼板を素材として後記の加工法により成形されたハ
ット状体であって、その胴部には断面がS字状に湾曲し
た括れ部10aが形成されており、かつ上面には取付ね
じ9(図5参照)のねじ外径に対応した穴径φの貫通穴
10bが開口している。そして、かかる構造のインサー
トリング10は、その下端部の先端が外囲樹脂ケース4
の底面より下方へ高さh≒0.2 mm程度突き出すように金
型へセットしてインサート成形されている。
【0014】かかる構成により、樹脂ケース4と一体化
したインサートリング10は、その胴部に形成した括れ
部10aの周面を埋めた樹脂により強固な抜け止め強度
が得られる。さらに、外囲樹脂ケース4の底面に接着剤
を塗布して金属ベース板1と接合する際には、インサー
トリング10の樹脂ケース底面より突き出した先端部分
がスペーサの役目を果たして0.2 mm程度の接着剤の層厚
さを確保する。したがって、樹脂ケース4と金属ベース
板1を上下から加圧した状態でも接着剤が接合面から過
剰にはみ出すことがなく、これにより樹脂ケース4と金
属ベース板1との間で良好な接着強度が得られる。ま
た、半導体装置を冷却フィンにねじ締結した状態では、
インサートリング10に穿孔した貫通穴10bの周囲の
鍔状部分が取付ねじの締めつけ荷重により湾曲し、この
部分が取付ねじの熱膨張,収縮を吸収するので安定した
締め付け状態を維持できる。
【0015】次に、前記したインサートリング10の改
良実施例を図2,図3に示す。図2の構成ではインサー
トリング10の下端部外形の輪郭を長円形に整形し、図
3ではインサートリング10の下端部周縁に凹溝10c
が形成されている。かかる構成により、インサートリン
グ10を外囲樹脂ケースの取付穴部にインサート成形し
た状態では、前記した長円形の輪郭,あるいは凹溝10
cがリングの回り止めとして機能し、樹脂ケースとの結
合強度を高める。なお、図示されてないが、別な実施例
ではインサートリング10の胴部外周面を粗面化し、樹
脂ケース4へインサート形成した状態で樹脂の投錨効果
でインサートリング10を回り止めすることもできる。
【0016】次に、前記したインサートリング10の加
工法を図4(a),(b)により説明する。図4におい
て、11はインサートリング10の素材である黄銅板,
鋼板などのフープ材であり、該フープ材11をプレス機
に送り込み、次記のようなプレス工程を経てインサート
リング10を絞り加工する。すなわち、第1の工程Iで
はフープ材11に円盤状ワーク12を残して残材13を
打ち抜き、続く第2の工程IIで円盤状ワーク12を絞り
加工してハット状のワーク14に成形する。次に第3の
工程III ではハット状ワーク14を上下から多少押し潰
してワーク14の胴部に湾曲状の括れ部10a(図1
(b)参照)を形成するようにフラットニング加工す
る。その後に、第4の工程IVでワーク14の底面に取付
ねじ9(図5参照)のねじ外径に相応した貫通穴10b
(図1(b)参照)を打ち抜き、最後の第5の工程V
で、ワーク14の周縁を残してインサートリング10
(図1参照)を打ち抜いて一連のプレス工程が終了す
る。
【0017】このようなプレス加工法でインサートリン
グ10を製造することにより、従来の切削加工,カーリ
ング加工法と比べて加工時間が大幅に短縮して、インサ
ートリングの加工コストを従来の半分以下に低減でき
る。なお、インサートリングの外形寸法は変えずに、前
記した第4の工程IVでワーク14の底面に打ち抜く貫通
穴10bの穴径を変えることで、ねじ径の異なる取付ね
じにも対応できる。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、パッケージの取付穴部に金属板の絞り加工品として
なるハット状のインサートリングを外囲樹脂ケースと一
体にインサート成形し、かつインサートリングの下端周
縁部を外囲樹脂ケースの底面より0.2 mm程度下方に突き
出して樹脂ケースにインサート成形したことにより、半
導体装置を冷却フィンにねじ締結して取付けるに際し
て、樹脂ケースに不要な応力を加えることなく、また温
度変化に伴う取付ねじの膨張,収縮に左右されずに、常
に安定した締め付け状態を保持して冷却フィンとの間に
良好な伝熱性を確保することができるほか、インサート
リングの胴部に形成した括れ部がリングの抜け止め部と
して機能する。さらに、外囲樹脂ケースを金属ベース板
上に接着剤で接合する際には、樹脂ケースの底面から0.
2 mm程度突き出したインサートリングの突き出し部がス
ペーサの役目を果たし、樹脂ケースと金属ベース板との
間に高い接着強度を得るに適正な接着剤の層厚さを確保
することができる。
【0019】加えて、インサートリングの外形を長円形
にする、リング周縁部に凹溝を形成する、あるいはリン
グの胴部外周面を粗面化して樹脂ケースにインサート成
形することでインサートリングの回り止めが確保され、
ねじ止め時にリングが連れ回りしたり、ガタついたりす
るのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による半導体装置のパッケージ
構造を示し、(a)は外囲樹脂ケースの一部断面側視
図、(b)はインサートリングを埋設した外囲樹脂ケー
スの取付穴部の拡大断面図
【図2】インサートリングの応用実施例の構成図であ
り、(a)は平面図、(b)は断面図
【図3】インサートリングの図2と異なる応用実施例の
構成図であり、(a)は平面図、(b)は断面図
【図4】図1におけるインサートリングのプレス加工方
法の説明図であり、(a),(b)は加工ワークの平面
図,側面図
【図5】本発明の実施対象となる半導体装置の構成図で
あり、(a)〜(c)はそれぞれ上蓋,端子一体形の外
囲樹脂ケース,半導体素子を搭載した金属ベース板の斜
視図、(d)は組立状態の外観斜視図
【符号の説明】
1 金属ベース板 1a 取付穴 2 絶縁基板 3 パワー半導体素子 4 外囲樹脂ケース 4a 取付穴 5,6 端子 7 上蓋 8 冷却フィン 9 取付ねじ 10 インサートリング 10a 括れ部 10b 貫通穴 10c 凹溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−139463(JP,A) 実開 平3−32432(JP,U) 実開 昭58−56449(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 25/00 - 25/18

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板を介してパワー半導体素子を搭載
    した金属ベース板と、絶縁基板を包囲して金属ベース板
    上に接着結合した外囲樹脂ケースと、ケース蓋と、外囲
    樹脂ケース内に充填した封止樹脂との組立体よりなり、
    前記外囲樹脂ケース, 金属ベース板のフランジ部に冷却
    フィンへねじ止めするための取付穴を設け、かつ外囲樹
    脂ケースの取付穴部には金属製のインサートリングを埋
    設した半導体装置において、前記インサートリングを、
    外形輪郭が長円形になるハット状体の胴部周面に括れ部
    を成形し、その上面に取付ねじを通す貫通穴を穿孔した
    金属板の絞り加工品として作成し、該インサートリング
    の下縁周縁部を外囲樹脂ケースの底面より接着剤の層厚
    さに相応した分だけ突き出して樹脂ケースにインサート
    成形したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】絶縁基板を介してパワー半導体素子を搭載
    した金属ベース板と、絶縁基板を包囲して金属ベース板
    上に接着結合した外囲樹脂ケースと、ケース蓋と、外囲
    樹脂ケース内に充填した封止樹脂との組立体よりなり、
    前記外囲樹脂ケース, 金属ベース板のフランジ部に冷却
    フィンへねじ止めするための取付穴を設け、かつ外囲樹
    脂ケースの取付穴部には金属製のインサートリングを埋
    設した半導体装置において、前記インサートリングを、
    ハット状体の胴部周面に括れ部を成形し、かつその上面
    に取付ねじを通す貫通穴を、下縁周縁部には回り止め用
    の凹溝を分散形成した金属板の絞り加工品として作成
    し、該インサートリングの下端周縁部を外囲樹脂ケース
    の底面より接着剤の層厚さに相応した分だけ突き出して
    樹脂ケースにインサート成形したことを特徴とする半導
    体装置。
  3. 【請求項3】絶縁基板を介してパワー半導体素子を搭載
    した金属ベース板と、絶縁基板を包囲して金属ベース板
    上に接着結合した外囲樹脂ケースと、ケース蓋と、外囲
    樹脂ケース内に充填した封止樹脂との組立体よりなり、
    前記外囲樹脂ケース, 金属ベース板のフランジ部に冷却
    フィンへねじ止めするための取付穴を設け、かつ外囲樹
    脂ケースの取付穴部には金属製のインサートリングを埋
    設した半導体装置において、前記インサートリングを、
    ハット状体の胴部周面に括れ部を成形してその胴部外周
    面を粗面化するとともに、上面には取付ねじを通す貫通
    穴を穿孔した金属板の絞り加工品として作成し、該イン
    サートリングの下端周縁部を外囲樹脂ケースの底面より
    接着剤の層厚さに相応した分だけ突き出して樹脂ケース
    にインサート成形したことを特徴とする半導体装置。
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