JP3405585B2 - ワイヤボンディング装置およびそれを用いたワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング装置およびそれを用いたワイヤボンディング方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路のような半導
体チップの電極部と、リードフレームもしくは配線基板
上のリード部とを、ボンディングワイヤで接合するため
のボンディング装置、キャピラリーおよびそれを用いた
ワイヤボンディング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】集積回路のような半導体チップの電極部
と、リードフレームもしくは配線基板上のリード部との
ボンディングワイヤによる接合は、図4のようにして行
われている。まず図4(a)のように、キャピラリー2
の先端の小穴よりわずかに出ているボンディングワイヤ
1を加熱して、溶融状態のボール7を形成し、このボー
ル7を電極部8上のボンディングパッド10に乗せて、
(b)のようにキャピラリー2で圧着する。この電極部
8とボンディングワイヤ1の接合は、ボールボンディン
グあるいは第1ボンディングと呼ばれる。
【0003】つぎに、(c)のようにキャピラリー2を
上昇させた後、破線で示すようにボンディングワイヤ1
をクランパー4で把持させ、ループを形成しながらリー
ド部9の表面に移動させる。このときボンディングワイ
ヤ1は、テンショナー5を経てスプール6から巻き出さ
れる。そして、キャピラリー2をリード部9に押付け、
超音波を併用した熱圧着により接合する。このリード部
9とボンディングワイヤ1の接合はスティッチボンディ
ングあるいは第2ボンディングと呼ばれる。
【0004】スティッチボンディング後、クランパー4
を開き、キャピラリー2を僅かに上方に移動させて先端
の小穴からボンディングワイヤ1が出た状態とする。つ
いでクランパー4を閉じ、さらにキャピラリー2を上昇
させると、(d)のようにボンディングワイヤ1がリー
ド部9から切り離される。そして、(a)のようにキャ
ピラリー2の先端から出ているワイヤ1を溶融してボー
ル7を形成し、つぎのボールボンディングを行う。
【0005】ボンディングワイヤは、ほぼ18〜50μ
m前後の直径を有する金などの金属裸線が用いられ、前
記のように、ボールボンディングとスティッチボンディ
ングの間には、一定のループを形成しているが、このル
ープがたるんで素子とショートを起こすことがある。特
に、最近ではLSI、超LSIのように集積回路が大規
模化、高密度化するとともに、チップ自体が小型化する
ことに伴い、多ピン接合となっている。すなわち、接合
スパンを長尺にしたり、接合部のピッチがより狭くなっ
ている。このような傾向は、ループのたるみや、狭いピ
ッチで隣接するワイヤ同士の接触が起こりやすい構造と
なり、ショートによる半導体装置の電気的不良を起こす
機会を多くしている。
【0006】このようなボンディングワイヤの接触によ
るショートを防ぐために、表面に絶縁樹脂被覆をした被
覆ボンディングワイヤ、たとえば絶縁性の高分子樹脂材
料で被覆されたものが提案されている。ところが、図4
のような従来一般に使用されているボンディング装置や
接合治具では、被覆ボンディングワイヤの十分信頼性の
ある接合が行えず、実用化に至っていないのが現状であ
る。
【0007】被覆ボンディングワイヤの接合において
は、特にリード側の接合、スティッチボンディングに問
題があった。すなわち、超音波を併用した熱圧着では、
接合界面の被覆材を完全に除去することが困難なため、
接合不良や接合強度の低下といった問題が生じた。接合
強度が低いと、ボンディング後の搬送工程や樹脂封止
(モールディング)工程等において接合部が破断した
り、使用中の熱サイクルにより破断したりする危険性が
高くなる。ボンディングワイヤの接合する部分の被覆を
あらかじめ除去することにより、接合性の改善を図るこ
とも提案されているが、複雑な装置を必要とする上、十
分な生産性を確保するための高速ボンディングが困難で
ある。
【0008】本発明者等は、被覆ボンディングワイヤの
スティッチボンディングにおける接合不良や接合強度低
下の問題を解決するため、特願平3−68626号によ
り、キャピラリーの押付け面を拡大することを提案して
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】最近、LSI、超LS
Iのように集積回路が大規模化、高密度化し、またチッ
プ自体が小型化するに伴い、非常に狭いピッチで多ピン
のボールボンディングおよびスティッチボンディングを
行う必要性が増大してきた。そのため、ボンディングヘ
ッド先端のキャピラリーを、隣接のボンディングワイヤ
や接合部に接触しないよう、小径化することが要求され
てきた。このような要求によりキャピラリーを小径化す
ると、キャピラリーの押付け面が縮小するため、図4
(c)の破線に示すように、スティッチボンディングの
際にボンディングワイヤ1をリード部9に圧着する部分
の面積が狭くなる。したがって、特に被覆ボンディング
ワイヤを使用する場合には、接合不良や接合強度の不足
といった問題が生じやすくなる。上記特願平3−686
26号で提案した技術は、キャピラリーの押付け面を拡
大するものであり、狭いピッチのボンディングには適用
が困難である。
【0010】本発明は、LSI、超LSIのような大規
模化、高密度化した集積回路を有する半導体チップの電
極部と、リードフレームあるいはプリント配線基板のリ
ード部とのボールボンディングおよびスティッチボンデ
ィングを行うに際して、狭いピッチの多ピン構造に適用
可能で、特に被覆ボンディングワイヤを使用したスティ
ッチボンディング時に生じやすい接合不良や接合強度の
問題を解消することのできるボンディング装置、および
それらを使用したボンディング方法を提供することを目
的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明ボンディング装置は、半導体チップを搭載した
リードフレームもしくはプリント配線基板を搬送する搬
送ラインの上方に配備された第1ボンディングヘッドお
よび第2ボンディングヘッドと、第1ボンディングヘッ
ドに取付けられた第1キャピラリーおよび第2ボンディ
ングヘッドに取付けられた第2キャピラリーとからな
り、該2台のキャピラリーは押付け面の形状が細長く、
かつ長径の方向が互いに直交していることを特徴とす
る。また、前記キャピラリーが、押付け面の形状が細長
く、押付け面外径の長径と短径の比が1.2以上4以下
であり、かつ該長径と押付け面内径の差の1/2がワイ
ヤ直径の2.4倍以上4.1倍以下であること特徴と
する。さらに本発明のボンディング方法は、半導体チッ
プを搭載したリードフレームもしくはプリント配線基板
を搬送して、該半導体チップの電極部と該リードフレー
ムもしくはプリント基板上のリード部とをボール−ステ
ィッチボンディングにより接合する方法において、前記
搬送ラインの上方に第1ボンディングヘッドおよび第2
ボンディングヘッドを配備し、第1ボンディングヘッド
には、押付け面の形状が細長い第1キャピラリーを長径
方向をx方向にして取付け、第2ボンディングヘッドに
は、押付け面の形状が細長い第2キャピラリーを長径方
向をx 方向と直交するy方向にして取付け、ワイヤルー
プの方向がx±45°方向以内の箇所は第1ボンディン
グヘッドを使用し、ワイヤループの方向がy±45°方
向以内の箇所は第2ボンディングヘッドを使用して、ボ
ンディングを行うことを特徴とする。
【0012】
【作用】本発明のボンディング装置を図面に示す例によ
り説明する。図1に示すように、第1ボンディングヘッ
ド11および第2ボンディングヘッド21が、搬送ライ
ン31の上方に配備され、第1ボンディングヘッド11
の先端には第1キャピラリー12が取付けられ、第2ボ
ンディングヘッド21の先端には第2キャピラリー22
が取付けられている。そして第1キャピラリー12およ
び第2キャピラリー22は、図2(a)の断面図および
図2(b)の底面図に示すように、押付け面3が長径T
bおよび短径Ta(Ta<Tb)を有する細長い形状を
している。
【0013】搬送ライン31には、半導体チップ32を
搭載したリードフレーム33がセットされており、リー
ドフレーム33は、搬送装置30によりxy方向に移動
可能である。半導体チップ32には電極部8が、リード
フレーム33にはリード部9がそれぞれ設けられてい
る。なお図示したリードフレーム33に替えて、リード
部が設けられたプリント配線基板(図示せず)をセット
した場合も本発明の対象となる。
【0014】第1ボンディングヘッド11は、第1キャ
ピラリー12、第1保持具13、第1クランパー14、
第1テンショナー15、第1スプール16、第1電極ト
ーチ17および第1画像認識装置18から構成され、第
2ボンディングヘッド21は、第2キャピラリー22、
第2保持具23、第2クランパー24、第2テンショナ
ー25、第2スプール26、第2電極トーチ27および
第2画像認識装置28から構成されている。そして、第
1ボンディングヘッド11の各部、第2ボンディングヘ
ッドの各部および搬送装置30の作動は、制御装置20
によって制御される。
【0015】第1キャピラリー12および第2キャピラ
リー22は、貫通する小穴にボンディングワイヤ1を通
し、図4のキャピラリー2のように先端からでたボンデ
ィングワイヤ1を、電極部8およびリード部9に圧着す
る。第1保持具13および第2保持具23は、第1キャ
ピラリー12および第2キャピラリー22を保持し、上
下および左右(xy方向)に移動させる。第1クランパ
ー14および第2クランパー24は、第1保持具13お
よび第2保持具23の動作と連動してボンディングワイ
ヤ1を把持しあるいは開放する。第1テンショナー15
および第2テンショナー25は、第1スプール16およ
び第2スプール26から巻き出されたボンディングワイ
ヤ1に、第1クランパー14および第2クランパー24
との間で張力を与え真直にする。第1電極トーチ17お
よび第2電極トーチ27は、第1キャピラリー12およ
び第2キャピラリー22の先端からでたボンディングワ
イヤ1を溶融してボール7を形成する。第1画像認識装
置18および第2画像認識装置28は、リードフレーム
33上のボンディング位置を認識する。
【0016】図1における第1ボンディングヘッド11
は、ボンディングワイヤ1を半導体チップ32の電極部
8にボールボンディングする前の状態にあり、図4
(a)の工程を示している。すなわち、制御装置20の
指令により搬送装置30を作動させ、リードフレーム3
3を搬送ライン31上x方向に移動して、ボンディング
部分を第1ボンディング領域19に搬送する。第1画像
認識装置18によりボールボンディングを行うべき所定
の電極部8の位置を認識して、第1保持具13をxy方
向に操作し、第1キャピラリー12を該電極部8の真上
に位置決めし、第1キャピラリー12の先端の小穴から
出ているボンディングワイヤ1を、第1電極トーチ17
により加熱して溶融状態のボール7を形成し、第1電極
トーチ17が退避させところである。
【0017】つぎに、図4(b)のボールボンディング
工程に移る。すなわち図1において、第1保持具13を
下降させ、第1キャピラリー12でボンディングワイヤ
1のボール7を半導体チップ32の電極部8に圧着す
る。このとき、第1保持具13の下降と連動して第1ク
ランパー14が閉じ、ボンディングワイヤ1を把持す
る。ついで、図4(c)のスティッチボンディング工程
に移る。すなわち図1において、第1クランパー14を
開き、第1キャピラリー12を上昇させた後、第1クラ
ンパー14を閉じてボンディングワイヤ1を把持すると
ともに第1保持具13をxy操作し、ボンディングワイ
ヤ1のループを形成して、第1画像認識装置18で認識
した所定のリード部9の真上に第1キャピラリー12を
位置させ、先端から出ているボンディングワイヤ1をリ
ード部9に押付け、超音波を併用した熱圧着によりステ
ィッチボンディングを行う。その後、第1クランパー1
4を開き、第1キャピラリー12を僅かに上方に移動さ
せて先端の小穴からボンディングワイヤ1が出た状態と
し、第1クランパー14を閉じ、さらに第1キャピラリ
ー12を上昇させて、ボンディングワイヤ1をリード部
9から切り離す。そして、つぎのボールボンディング位
置にキャピラリーを移動する。
【0018】本発明装置において、第1キャピラリー1
2および第2キャピラリー22は、図2に示すように、
先端の押付け面3が長径Tbおよび短径Tbを有する細
長い形状をしている。そして、例えば第1キャピラリー
12は長径方向をx方向とし、第2キャピラリー22の
長径方向をy方向とするように、両キャピラリー12お
よび22は長径の方向が互いに直交するように設けてい
る。
【0019】一般に半導体装置は、チップ上の電極部と
リード部を接続するボンディングワイヤが、x方向、y
方向およびその間の方向と、種々の方向にループを形成
している。たとえば図3のように、リードフレーム33
に搭載した半導体チップ32を四方から囲むように、リ
ード部9が伸びてきており、チップ上の電極部(図示せ
ず)と、リード部9との間をボンディングワイヤ1で接
続している。なお図3において、チップ32は4本のダ
イパッドリード35で支持されたダイパッド34に搭載
されている。また、リードフレーム33上で半導体装置
が製造された後は、ダム36の部分で切り離される。
【0020】本発明装置により、このような半導体装置
を製造するとき、まずボンディングワイヤがx方向およ
びx方向に近い方向にループを形成するボンディング
を、上記のようにして第1ボンディングヘッド11で行
い、つぎにリードフレーム33を図1に示す第2ボンデ
ィング領域29に搬送し、第2ボンディングヘッド21
により、上記第1ボンディングヘッド11の場合と同様
にして、y方向およびy方向に近い方向にループを形成
するボンディングを行う。
【0021】したがって本発明装置によれば、狭いピッ
チの多ピン構造をしたリードフレームやプリント配線基
板においても、キャピラリーの短径方向を隣接のボンデ
ィングワイヤや接合部に向けることで、これらに接触す
ることなく、ボールボンディングおよびスティッチボン
ディングを行うことができるとともに、スティッチボン
ディングに際して、図2に示すように、第1キャピラリ
ー12および第2キャピラリー22の長径方向にボンデ
ィングワイヤ1のループを形成することで、必要な接合
面積を確保することができるので、強い圧着力を要する
被覆ボンディングワイヤを使用する場合でも、接合不良
や接合強度の不足といった問題が解決される。
【0022】つぎに本発明に用いるキャピラリーは、先
端の押付け面の長径Tb、短径Ta、内径CD、および
適用するボンディングワイヤの直径dの関係が(1)式
および(2)式を満足するようにしたものである。 1.2≦Tb/Ta≦4 (1) 2.4d≦1/2・(Tb−CD)≦4.1d (2) (1)式において、Tb/Taが1.2より小さいと、
狭ピッチ対応のための効果が少なく、4を超えると、荷
重および超音波を印加したときの接合が一定でなく、ま
た、キャピラリーが損傷しやすく耐久性に問題が生じ
る。(2)式において、1/2・(Tb−CD)が2.
4dより小さいときは押付け面が小さくて接合改善の効
果が少なく、4.1dを超えると押付け面増大の効果が
飽和する。
【0023】本発明方法は、第1キャピラリーは押付け
面の長径方向をx方向にして取付け、第2キャピラリー
は押付け面の長径方向をx方向と直交するy方向にして
取付け、ワイヤループの方向がx±45°方向以内の箇
所は第1ボンディングヘッドを使用し、ワイヤループの
方向がy±45°方向以内の箇所は第2ボンディングヘ
ッドを使用してボンディングを行う。このx方向および
y方向は、リードフレームもしくはプリント配線基板の
搬送方向と無関係に定めることができる。すなわち、ボ
ンディングを行うべきリードフレームもしくはプリント
配線基板の設計されたワイヤループの方向に応じて、最
も頻度の高い方向をx方向あるいはy方向にする。
【0024】このような本発明法により、各種リードフ
レームもしくはプリント配線基板の全ての方向のボンデ
ィングワイヤに対するスティッチボンディングを、必要
な接合面積をもって行うことができる。
【0025】
【実施例】図1に示すようなボンディング装置におい
て、第1キャピラリー12および第2キャピラリー22
の押付け面の長径Tbを250μm、短径Taを160
μmとした。この本発明装置により、直径30μmの金
線に厚さ50μmの絶縁性高分子樹脂を被覆した被覆を
使用し、半導体チップの電極部8のピッチおよびリード
フレームのリード部9のピッチがいずれも120μmの
部分のボールボンディングおよびスティッチボンディン
グを行った。その結果、種々の方向からなるワイヤルー
プのいずれに対しても、キャピラリーが隣接ワイヤおよ
び接合部に接触することなくボンディングを行うことが
でき、接合不良なく、接合強度の不足もない良好な接合
部が得られた。
【0026】これに対して、押付け面が直径250μm
の円形をなすキャピラリーで、同様の部分を対象に、同
様の条件でボンディングを行ったところ、隣接ワイヤお
よび接合部にキャピラリーが接触して、正常なボンディ
ングを行うことができなかった。また、押付け面が直径
160μmの円形のキャピラリーで同様のボンディング
を行ったところ、接触することなくボンディングできた
が、特にスティッチボンディング部に被覆材が残存し、
接合部の剥離および接合強度不足が生じた。
【0027】
【発明の効果】本発明のワイヤボンディング装置は、ボ
ンディングヘッドの先端に取付けたキャピラリーの押付
け面の形状を細長くしているので、LSI、超LSIの
ような大規模化、高密度化した集積回路を有する半導体
チップの電極部と、リードフレームあるいはプリント配
線基板のリード部とをボンディングするに際して、キャ
ピラリーの短径方向を隣接のボンディングワイヤや接合
部に向けることで、これらに接触することなく、ボール
ボンディングおよびスティッチボンディングを行うこと
ができるとともに、スティッチボンディングに際して
は、キャピラリーの長径方向にボンディングワイヤ1の
ループを形成することで、必要な接合面積を確保するこ
とができるので、強い圧着力を要する被覆ボンディング
ワイヤを使用する場合でも、接合不良や接合強度の不足
といった問題が解決される。
【0028】そして、このようなボンディングヘッドを
2台有し、各ボンディングヘッドに取付けたキャピラリ
ーの押付け面の長径方向に互いに直交させているので、
ボンディングワイヤのループが種々の方向に形成された
高密度の半導体装置の製造に適用でき、信頼性の高い半
導体装置を得ることができる。また本発明に用いるキャ
ピラリーは、適用するリードフレームもしくはプリント
配線基板およびボンディングワイヤに合わせた適正な形
状寸法に形成されているので、本発明のワイヤボンディ
ング装置に適用して、信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができる。さらに本発明法によれば、このよう
ワイヤボンディング装置を使用して信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明ワイヤボンディング装置の例を示す斜視
図である。
【図2】(a)は本発明キャピラリーの例を示す断面図
であり、(b)は(a)の底面図である。
【図3】半導体チップをリードフレームの接合例を示す
平面図である。
【図4】ボンディング工程の説明図である。
【符号の説明】
1:ボンディングワイヤ 2:キャピラリー 3:押付け面 4:クランパーガイド部 5:テンショナー 6:スプール 7:ボール 8:電極部 9:リード部 10:ボンディングパッド 11:第1ボンディングヘッド 12:第1キャピラリー 13:第1保持具 14:第1クランパー 15:第1テンショナー 16:第1スプール 17:第1電極トーチ 18:第1画像認識装置 19:第1ボンディング領域 20:制御装置 21:第2ボンディングヘッド 22:第2キャピラリー 23:第2保持具 24:第2クランパー 25:第2テンショナー 26:第2スプール 27:第2電極トーチ 28:第2画像認識装置 29:第2ボンディング領域 30:搬送装置 31:搬送ライン 32:半導体チップ 33:リードフレーム 34:ダイパッド 35:ダイパッドリード 36:ダム Ta:キャピラリー押付け面外径の長径 Tb:キャピラリー押付け面外径の短径 CD:キャピラリー押付け面の内径 d:適用するボンディングワイヤの直径
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−5648(JP,A) 特開 昭62−156828(JP,A) 特開 平5−6893(JP,A) 特開 昭64−81240(JP,A) 特開 平4−152541(JP,A) 実開 平2−52441(JP,U) 実開 平5−1232(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを搭載したリードフレーム
    もしくはプリント配線基板を搬送する搬送ラインの上方
    に配備された第1ボンディングヘッドおよび第2ボンデ
    ィングヘッドと、第1ボンディングヘッドに取付けられ
    た第1キャピラリーおよび第2ボンディングヘッドに取
    付けられた第2キャピラリーとからなり、該2台のキャ
    ピラリーは押付け面の形状が細長く、かつ長径の方向が
    互いに直交していることを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  2. 【請求項2】 前記キャピラリーが、押付け面の形状が
    細長く、押付け面外径の長径と短径の比が1.2以上4
    以下であり、かつ該長径と押付け面内径の差の1/2が
    ワイヤ直径の2.4倍以上4.1倍以下であることを特
    徴とする請求項1記載のワイヤボンディング装置
  3. 【請求項3】 半導体チップを搭載したリードフレーム
    もしくはプリント配線基板を搬送して、該半導体チップ
    の電極部と該リードフレームもしくはプリント基板上の
    リード部とをボール−スティッチボンディングにより接
    合する方法において、前記搬送ラインの上方に第1ボン
    ディングヘッドおよび第2ボンディングヘッドを配備
    し、第1ボンディングヘッドには、押付け面の形状が細
    長い第1キャピラリーを長径方向をx方向にして取付
    け、第2ボンディングヘッドには、押付け面の形状が細
    長い第2キャピラリーを長径方向をx方向と直交するy
    方向にして取付け、ワイヤループの方向がx±45°方
    向以内の箇所は第1ボンディングヘッドを使用し、ワイ
    ヤループの方向がy±45°方向以内の箇所は第2ボン
    ディングヘッドを使用して、ボンディングを行うことを
    特徴とするワイヤボンディング方法。
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