JP3405369B2 - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
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- JP3405369B2 JP3405369B2 JP18783394A JP18783394A JP3405369B2 JP 3405369 B2 JP3405369 B2 JP 3405369B2 JP 18783394 A JP18783394 A JP 18783394A JP 18783394 A JP18783394 A JP 18783394A JP 3405369 B2 JP3405369 B2 JP 3405369B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の微細加工
用レジスト組成物に関し、さらに詳しくは、遠紫外線ク
リプトンフルオライドレーザー光、電子線などの照射に
よるパターン形成材料に関する。
用レジスト組成物に関し、さらに詳しくは、遠紫外線ク
リプトンフルオライドレーザー光、電子線などの照射に
よるパターン形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造する場合、シリコンウ
エハ表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射
して潜像を形成し、ついでそれを現像してネガまたはポ
ジの画像を形成するリソグラフィー技術によって画像を
得ている。ところで、ＩＣ、ＬＳＩ、更にＶＬＳＩへと
半導体の高集積化、高密度化、小型化、高速化が進むに
つれ素子の微細加工に対する要求は高まり、現在では
０．５μｍ以下の微細パターンを形成する技術が要求さ
れている。しかしながら、近紫外線や可視光線を用いる
従来のリソグラフィーではこのような微細パターンの形
成がきわめて困難であり、歩留りの低下も著しい。
エハ表面にレジストを塗布して感光膜を作り、光を照射
して潜像を形成し、ついでそれを現像してネガまたはポ
ジの画像を形成するリソグラフィー技術によって画像を
得ている。ところで、ＩＣ、ＬＳＩ、更にＶＬＳＩへと
半導体の高集積化、高密度化、小型化、高速化が進むに
つれ素子の微細加工に対する要求は高まり、現在では
０．５μｍ以下の微細パターンを形成する技術が要求さ
れている。しかしながら、近紫外線や可視光線を用いる
従来のリソグラフィーではこのような微細パターンの形
成がきわめて困難であり、歩留りの低下も著しい。
【０００３】このため、波長３５０〜４５０ｎｍの近紫
外線光を利用する従来のフォトリソグラフィーに代え
て、露光の解像度を高めるために、近紫外線より波長の
短い遠紫外線（短波長紫外線）やクリプトンフルオライ
ドレーザー（以下、ＫｒＦエキシマレーザーという）光
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。従
来の近紫外線光を利用するリソグラフィーでは、基材高
分子としてノボラック系樹脂が広く用いられている。し
かし、ノボラック系樹脂は、遠紫外線やＫｒＦエキシマ
レーザーのような波長の短い光を殆ど透過しないため、
充分な感度が得られない、パターン形状が悪いといった
問題点が知られている。透過率の悪さを改良する目的
で、基材高分子としてポリビニルフェノール誘導体を用
いる化学増幅系レジストが検討されている（特公平２−
２７６６０号公報）が、それでもパターン形状が要求を
満足させるには至っていない。また、最近の例として、
より透過率を向上させることを目的とした水素化ポリビ
ニルフェノール誘導体を基材高分子として用いる方法
（例えば、特開平５−２４９６７３号公報）が知られて
いる。この改良によりパターン形状についてはだいぶ改
善されているものの、より高度化しているレジストの要
求特性、特に解像性に対しては、更なる改善が求められ
ている。
外線光を利用する従来のフォトリソグラフィーに代え
て、露光の解像度を高めるために、近紫外線より波長の
短い遠紫外線（短波長紫外線）やクリプトンフルオライ
ドレーザー（以下、ＫｒＦエキシマレーザーという）光
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。従
来の近紫外線光を利用するリソグラフィーでは、基材高
分子としてノボラック系樹脂が広く用いられている。し
かし、ノボラック系樹脂は、遠紫外線やＫｒＦエキシマ
レーザーのような波長の短い光を殆ど透過しないため、
充分な感度が得られない、パターン形状が悪いといった
問題点が知られている。透過率の悪さを改良する目的
で、基材高分子としてポリビニルフェノール誘導体を用
いる化学増幅系レジストが検討されている（特公平２−
２７６６０号公報）が、それでもパターン形状が要求を
満足させるには至っていない。また、最近の例として、
より透過率を向上させることを目的とした水素化ポリビ
ニルフェノール誘導体を基材高分子として用いる方法
（例えば、特開平５−２４９６７３号公報）が知られて
いる。この改良によりパターン形状についてはだいぶ改
善されているものの、より高度化しているレジストの要
求特性、特に解像性に対しては、更なる改善が求められ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術のもと
で、発明者らは、前記の問題を解決すべく鋭意研究した
結果、基材高分子としてフェノール樹脂にある種の置換
基を付与したものを用いると高い解像度のレジスト組成
物が得られることを見いだし、この知見に基づき本発明
を完成するに到った。
で、発明者らは、前記の問題を解決すべく鋭意研究した
結果、基材高分子としてフェノール樹脂にある種の置換
基を付与したものを用いると高い解像度のレジスト組成
物が得られることを見いだし、この知見に基づき本発明
を完成するに到った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、樹脂結合剤と酸発生剤とを含有する放射線感応性組
成物であって、樹脂結合剤が樹脂中の少なくとも一部の
ヒドロキシル基の水素原子が次式（１）−ＣＯＣＯＯＲ
1または（２）−Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3）ＣＯＣＯＯＲ1（式
中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル
基、１−アルコキシアルキル基、置換可シクロアルキル
基、置換可２−プロペニル基、置換可シクロアルケニル
基、置換可シクロアルカジエニル基、置換可ビニル基、
トリアルコキシメチル基であり、Ｒ2およびＲ3は同一ま
たは互いに異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、
炭素数１〜５のアルキル基、シアノ基である。）で表さ
れる少なくともひとつの基によって置換されているフェ
ノール樹脂であることを特徴とするレジスト組成物が提
供される。
ば、樹脂結合剤と酸発生剤とを含有する放射線感応性組
成物であって、樹脂結合剤が樹脂中の少なくとも一部の
ヒドロキシル基の水素原子が次式（１）−ＣＯＣＯＯＲ
1または（２）−Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3）ＣＯＣＯＯＲ1（式
中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル
基、１−アルコキシアルキル基、置換可シクロアルキル
基、置換可２−プロペニル基、置換可シクロアルケニル
基、置換可シクロアルカジエニル基、置換可ビニル基、
トリアルコキシメチル基であり、Ｒ2およびＲ3は同一ま
たは互いに異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、
炭素数１〜５のアルキル基、シアノ基である。）で表さ
れる少なくともひとつの基によって置換されているフェ
ノール樹脂であることを特徴とするレジスト組成物が提
供される。
【０００６】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いられる樹脂結合剤は、フェノール系樹脂の少なくと
も一部のヒドロキシル基の水素原子が前記式（１）また
は（２）で表される基によって置換されているフェノー
ル樹脂である。
用いられる樹脂結合剤は、フェノール系樹脂の少なくと
も一部のヒドロキシル基の水素原子が前記式（１）また
は（２）で表される基によって置換されているフェノー
ル樹脂である。
【０００７】本発明において、フェノール系樹脂のヒド
ロキシル基の水素原子の代わりに置換する基は、前記式
（１）または（２）で表されるものであるが、このよう
な基で置換されるヒドロキシル基は、フェノール系樹脂
中のフェノール性水酸基全体の１〜９９％の範囲である
が、上限は好ましくは６０％、より好ましくは３５％で
あり、下限は好ましくは１％、より好ましくは１０％で
ある。前記式（１）または（２）中のＲ1の具体例とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミ
ル基などのアルキル基；ベンジル基、フェネチル基、１
−メチルフェネチル基などのアラルキル基；メトキシメ
チル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブト
キシメチル基、アミルオキシメチル基、フェノキシメチ
ル基、ベンジルオキシメチル基、１−メトキシエチル
基、１−エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブト
キシエチル基、アミルオキシエチル基、１−フェニルオ
キシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−エト
キシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブチルオキシ
プロピル基、アミルオキシプロピル基、１−ベンジルオ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、プロポキシブチル基、ブトキシブチル基、アミルオ
キシブチル基、１−フェニルオキシブチル基、１−ベン
ジルオキシブチル基などの１−アルコキシアルキル基；
２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピラニ
ル基などの環状エーテル型残基；シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、シクロヘプチル基、１−メチルシクロ
ペンチル基、２−エチルシクロペンチル基、１−エチル
シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基など置
換可シクロアルキル基；２−プロペニル基、１−メチル
−２−プロペニル基、１−エチル−２−プロペニル基、
１，１−ジメチル−２−プロペニル基、１−ブテニル
基、２−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１
−エチル−２−ブテニル基、１−ビニル−２−プロペニ
ル基、１−メチル−１−ビニル−２−プロペニル基、１
−ビニル−２−ブテニル基、１−（１−プロペニル）−
２−ブテニル基などの置換可２−プロペニル基；２−シ
クロブテニル基、２−シクロペンテニル基、１−メチル
−２−シクロペンテニル基、２−シクロヘキセニル基、
３−メチル−２−シクロヘキセニル基など置換可２−シ
クロアルケニル基；２，４−シクロペンタジエニル基、
１−メチル−２，４−シクロペンタジエニル基、３−メ
チル−２，４−シクロペンタジエニル基、３，４−ジメ
チル−２，４−シクロペンタジエニル基、２，５−シク
ロヘキサジエニル基、３，５−ジメチル−２，５−シク
ロヘキサジエニル基などの置換可シクロアルカジエニル
基；ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテン−１−イ
ル基、１−ブテン−２−イル基、２−ブテン−２−イル
基などの置換化ビニル基；トリメトキシメチル基、トリ
エトキシメチル基、トリプロポキシメチル基、トリブト
キシメチル基などのトリアルコキシメチル基；メトキシ
カルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、プ
ロポキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチ
ル基、アミルオキシカルボニルメチル基などのアルコキ
シカルボニルメチル基等が挙げられる。尚、前記置換基
具体例中、プロピルはｎ−プロピル、イソプロピルを表
し、ブチルはｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ
−ブチルを表し、アミルはペンチル、１−メチルブチ
ル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチル
プロピル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチ
ルプロピルを表し、プロポキシは１−プロポキシ、イソ
プロポキシを表し、ブトキシは１−ブトキシ、１−メチ
ルプロポキシ、２−メチルプロポキシ、ｔ−ブトキシを
表し、アミルオキシはペンチルオキシ、１−メチルブト
キシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１−
エチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，
２−ジメチルプロポキシを表す。
ロキシル基の水素原子の代わりに置換する基は、前記式
（１）または（２）で表されるものであるが、このよう
な基で置換されるヒドロキシル基は、フェノール系樹脂
中のフェノール性水酸基全体の１〜９９％の範囲である
が、上限は好ましくは６０％、より好ましくは３５％で
あり、下限は好ましくは１％、より好ましくは１０％で
ある。前記式（１）または（２）中のＲ1の具体例とし
てはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミ
ル基などのアルキル基；ベンジル基、フェネチル基、１
−メチルフェネチル基などのアラルキル基；メトキシメ
チル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブト
キシメチル基、アミルオキシメチル基、フェノキシメチ
ル基、ベンジルオキシメチル基、１−メトキシエチル
基、１−エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブト
キシエチル基、アミルオキシエチル基、１−フェニルオ
キシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−エト
キシプロピル基、プロポキシプロピル基、ブチルオキシ
プロピル基、アミルオキシプロピル基、１−ベンジルオ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、プロポキシブチル基、ブトキシブチル基、アミルオ
キシブチル基、１−フェニルオキシブチル基、１−ベン
ジルオキシブチル基などの１−アルコキシアルキル基；
２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピラニ
ル基などの環状エーテル型残基；シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、シクロヘプチル基、１−メチルシクロ
ペンチル基、２−エチルシクロペンチル基、１−エチル
シクロヘキシル基、２−メチルシクロヘキシル基など置
換可シクロアルキル基；２−プロペニル基、１−メチル
−２−プロペニル基、１−エチル−２−プロペニル基、
１，１−ジメチル−２−プロペニル基、１−ブテニル
基、２−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１
−エチル−２−ブテニル基、１−ビニル−２−プロペニ
ル基、１−メチル−１−ビニル−２−プロペニル基、１
−ビニル−２−ブテニル基、１−（１−プロペニル）−
２−ブテニル基などの置換可２−プロペニル基；２−シ
クロブテニル基、２−シクロペンテニル基、１−メチル
−２−シクロペンテニル基、２−シクロヘキセニル基、
３−メチル−２−シクロヘキセニル基など置換可２−シ
クロアルケニル基；２，４−シクロペンタジエニル基、
１−メチル−２，４−シクロペンタジエニル基、３−メ
チル−２，４−シクロペンタジエニル基、３，４−ジメ
チル−２，４−シクロペンタジエニル基、２，５−シク
ロヘキサジエニル基、３，５−ジメチル−２，５−シク
ロヘキサジエニル基などの置換可シクロアルカジエニル
基；ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテン−１−イ
ル基、１−ブテン−２−イル基、２−ブテン−２−イル
基などの置換化ビニル基；トリメトキシメチル基、トリ
エトキシメチル基、トリプロポキシメチル基、トリブト
キシメチル基などのトリアルコキシメチル基；メトキシ
カルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、プ
ロポキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチ
ル基、アミルオキシカルボニルメチル基などのアルコキ
シカルボニルメチル基等が挙げられる。尚、前記置換基
具体例中、プロピルはｎ−プロピル、イソプロピルを表
し、ブチルはｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ
−ブチルを表し、アミルはペンチル、１−メチルブチ
ル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１−エチル
プロピル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチ
ルプロピルを表し、プロポキシは１−プロポキシ、イソ
プロポキシを表し、ブトキシは１−ブトキシ、１−メチ
ルプロポキシ、２−メチルプロポキシ、ｔ−ブトキシを
表し、アミルオキシはペンチルオキシ、１−メチルブト
キシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１−
エチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，
２−ジメチルプロポキシを表す。
【０００８】本発明で用いられるフェノール系樹脂は、
周知のものを用いることができ、例えばノボラック樹
脂、部分水素添加ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル樹脂、水素添加ポリビニルフェノール樹脂などが例示
され、これらの中でもポリビニルフェノール樹脂、水素
添加ポリビニルフェノール樹脂などがとりわけ好まし
い。また、本発明で用いる樹脂が水素添加されたもので
ある場合、水素添加率は樹脂の構成成分により異なる
が、樹脂中の不飽和結合に対して上限通常５０％、好ま
しくは２５％、より好ましくは１５％であり、下限通常
１％、好ましくは３％、より好ましくは５％の範囲であ
る。フェノール系樹脂の分子量は、特に制限されるもの
ではないが、解像度の点から上限は好ましくは１００，
０００、より好ましくは２０，０００あり、下限は好ま
しくは１，０００、より好ましくは２，０００である。
周知のものを用いることができ、例えばノボラック樹
脂、部分水素添加ノボラック樹脂、ポリビニルフェノー
ル樹脂、水素添加ポリビニルフェノール樹脂などが例示
され、これらの中でもポリビニルフェノール樹脂、水素
添加ポリビニルフェノール樹脂などがとりわけ好まし
い。また、本発明で用いる樹脂が水素添加されたもので
ある場合、水素添加率は樹脂の構成成分により異なる
が、樹脂中の不飽和結合に対して上限通常５０％、好ま
しくは２５％、より好ましくは１５％であり、下限通常
１％、好ましくは３％、より好ましくは５％の範囲であ
る。フェノール系樹脂の分子量は、特に制限されるもの
ではないが、解像度の点から上限は好ましくは１００，
０００、より好ましくは２０，０００あり、下限は好ま
しくは１，０００、より好ましくは２，０００である。
【０００９】本発明において用いられる酸発生剤（以
下、ＰＡＧという）は、活性化放射線に露光されるとブ
レンステッド酸またはルイス酸を発生する物質であれば
特に制限はなく、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α，αビス（スルホニル）ジア
ゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニルジ
アゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル
化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物など
公知のものを用いることができる。オニウム塩として
は、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム
塩、トリフェニルスルホニウムトリフレートなどのスル
ホニウム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソ
ニウム塩などが挙げられる。
下、ＰＡＧという）は、活性化放射線に露光されるとブ
レンステッド酸またはルイス酸を発生する物質であれば
特に制限はなく、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α，αビス（スルホニル）ジア
ゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニルジ
アゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル
化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物など
公知のものを用いることができる。オニウム塩として
は、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム
塩、トリフェニルスルホニウムトリフレートなどのスル
ホニウム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソ
ニウム塩などが挙げられる。
【００１０】ハロゲン化有機化合物としては、ハロゲン
含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジ
ン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハ
ロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スル
ホキサイド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、
ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサ
ゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール化合物、ハ
ロゲン含有２−ピロン系化合物、その他ハロゲン含有ヘ
テロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、
ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハラ
イド化合物などが挙げられ、具体的には、トリス（２，
３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリス（２，３
−ジブロモ−３−クロロプロピル）ホスフェート、テト
ラブロモクロロブタン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサ
ブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテ
ル、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラブロモビス
フェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡのビス
（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノー
ルＡのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノール
Ａのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビス
フェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エー
テル、テトラクロロビスフェノールＡのビス（２，３−
ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェノ
ールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
テトラクロロビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェ
ノールＳ、テトラクロロビスフェノールＳのビス（クロ
ロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＳの
ビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノールＳのビ
ス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビスフェノ
ールＳのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレー
ト、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（２−ヒドロ
キシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニル）プロパン
などのハロゲン系難燃剤やジクロロジフェニルトリクロ
ロエタン、ペンタクロロフェノール、２，４，６−トリ
クロロフェニル ４−ニトロフェニルエーテル、２，４
−ジクロロフェニル ３’−メトキシ−４’−ニトロフ
ェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキシ酢酸、
４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，１−ビス
（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−ビス（４
−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノー
ル、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルフ
ィド、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスル
ホンなどの有機クロロ系農薬などが例示される。
含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジ
ン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハ
ロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スル
ホキサイド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、
ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサ
ゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール化合物、ハ
ロゲン含有２−ピロン系化合物、その他ハロゲン含有ヘ
テロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、
ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハラ
イド化合物などが挙げられ、具体的には、トリス（２，
３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリス（２，３
−ジブロモ−３−クロロプロピル）ホスフェート、テト
ラブロモクロロブタン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサ
ブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテ
ル、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラブロモビス
フェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡのビス
（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノー
ルＡのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノール
Ａのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビス
フェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エー
テル、テトラクロロビスフェノールＡのビス（２，３−
ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェノ
ールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
テトラクロロビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェ
ノールＳ、テトラクロロビスフェノールＳのビス（クロ
ロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＳの
ビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノールＳのビ
ス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビスフェノ
ールＳのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレー
ト、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（２−ヒドロ
キシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニル）プロパン
などのハロゲン系難燃剤やジクロロジフェニルトリクロ
ロエタン、ペンタクロロフェノール、２，４，６−トリ
クロロフェニル ４−ニトロフェニルエーテル、２，４
−ジクロロフェニル ３’−メトキシ−４’−ニトロフ
ェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキシ酢酸、
４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，１−ビス
（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−ビス（４
−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノー
ル、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルフ
ィド、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスル
ホンなどの有機クロロ系農薬などが例示される。
【００１１】キノンジアジド化合物の具体例としては、
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２，１−ベンゾキノンジアジド−５−
スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のス
ルホン酸エステルや１，２−ベンゾキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−
ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸クロライ
ド、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホ
ン酸クロライド、１，２−ベンゾキノン−１−ジアジド
−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体
のスルホン酸クロライドなどが挙げられる。
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２，１−ベンゾキノンジアジド−５−
スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のス
ルホン酸エステルや１，２−ベンゾキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−
ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸クロライ
ド、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホ
ン酸クロライド、１，２−ベンゾキノン−１−ジアジド
−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体
のスルホン酸クロライドなどが挙げられる。
【００１２】α，αビス（スルホニル）ジアゾメタン系
化合物としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するα，αビス（スル
ホニル）ジアゾメタンなどが挙げられる。α−カルボニ
ル−α−スルホニルジアゾメタン系化合物の具体例とし
ては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたア
ルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、ま
たはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α−スルホ
ニルジアゾメタンなどが挙げられる。スルホン化合物の
具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化合物、
ジスルホン化合物などが挙げられる。
化合物としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するα，αビス（スル
ホニル）ジアゾメタンなどが挙げられる。α−カルボニ
ル−α−スルホニルジアゾメタン系化合物の具体例とし
ては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたア
ルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、ま
たはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α−スルホ
ニルジアゾメタンなどが挙げられる。スルホン化合物の
具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化合物、
ジスルホン化合物などが挙げられる。
【００１３】有機酸エステルとしては、カルボン酸エス
テル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げ
られ、有機酸アミドとしては、カルボン酸アミド、スル
ホン酸アミド、リン酸アミドなどが挙げられ、有機酸イ
ミドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、
リン酸イミドなどが挙げられる。
テル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げ
られ、有機酸アミドとしては、カルボン酸アミド、スル
ホン酸アミド、リン酸アミドなどが挙げられ、有機酸イ
ミドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、
リン酸イミドなどが挙げられる。
【００１４】これらのＰＡＧは、単独で使用しても２種
類以上を混合して用いてもよい。これらのＰＡＧの配合
量は、本発明で用いる樹脂１００重量部に対して下限は
通常０．０１重量部、好ましくは０．２重量部であり、
上限は通常５０重量部、好ましくは３０重量部である。
０．０１重量部未満ではパターンの形成が不可能とな
り。５０重量部を超えると現像残が発生し易くなった
り、パターン形状が悪化するなどの問題が生じ、いずれ
の場合もレジストの性能上好ましくない。
類以上を混合して用いてもよい。これらのＰＡＧの配合
量は、本発明で用いる樹脂１００重量部に対して下限は
通常０．０１重量部、好ましくは０．２重量部であり、
上限は通常５０重量部、好ましくは３０重量部である。
０．０１重量部未満ではパターンの形成が不可能とな
り。５０重量部を超えると現像残が発生し易くなった
り、パターン形状が悪化するなどの問題が生じ、いずれ
の場合もレジストの性能上好ましくない。
【００１５】本発明に於て、前記樹脂とＰＡＧとからな
るレジスト組成物は、溶剤に溶解させて用いる。溶剤
は、一般にレジスト組成物用の溶剤として使用されてい
るものを用いることができ、具体例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類；ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノール、シクロ
ヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール
エーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類；２−
オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エ
チル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ
プロピオン酸エチルなどのオキシカルボン酸エステル
類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブ
アセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソ
ルブエステル類；プロピレングリコール、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコー
ル類；ジエチレンギリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテルなどのジエチレングリコール類；トリクロロ
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの極性溶媒など
が例示され、これらは単独または２種類以上を混合して
用いてもよい。
るレジスト組成物は、溶剤に溶解させて用いる。溶剤
は、一般にレジスト組成物用の溶剤として使用されてい
るものを用いることができ、具体例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類；ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノール、シクロ
ヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール
エーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類；２−
オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エ
チル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ
プロピオン酸エチルなどのオキシカルボン酸エステル
類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブ
アセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソ
ルブエステル類；プロピレングリコール、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコー
ル類；ジエチレンギリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテルなどのジエチレングリコール類；トリクロロ
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの極性溶媒など
が例示され、これらは単独または２種類以上を混合して
用いてもよい。
【００１６】本発明においては、添加剤としてレジスト
組成物に一般に添加されているもの、例えば界面活性
剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤など
相溶性のある添加剤を含有させることができる。
組成物に一般に添加されているもの、例えば界面活性
剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤など
相溶性のある添加剤を含有させることができる。
【００１７】本発明のレジスト組成物は現像液として通
常、アルカリ水溶液を用いるが、具体例としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニアなどの無機アルカリの水溶液；エチルアミン、
プロピルアミンなどの第一アミン類の水溶液；ジエチル
アミン、ジプロピルアミンなどの第二アミンの水溶液；
トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三アミン
の水溶液；ジエチルエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどのアルコールアミン類の水溶液；テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアン
モニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウムヒドロ
キシドの水溶液などが挙げられる。また、必要に応じ
て、上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノール、プ
ロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶
媒、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加すること
ができる。
常、アルカリ水溶液を用いるが、具体例としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニアなどの無機アルカリの水溶液；エチルアミン、
プロピルアミンなどの第一アミン類の水溶液；ジエチル
アミン、ジプロピルアミンなどの第二アミンの水溶液；
トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三アミン
の水溶液；ジエチルエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどのアルコールアミン類の水溶液；テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアン
モニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウムヒドロ
キシドの水溶液などが挙げられる。また、必要に応じ
て、上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノール、プ
ロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶
媒、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加すること
ができる。
【００１８】本発明のレジスト組成物は、上述のような
樹脂、酸発生剤のほか必要に応じて低分子フェノール化
合物誘導体や添加剤からなるものであり、通常これらを
溶剤に溶解させたものレジスト組成物溶液として用いら
れる。例えば、該溶液をシリコンウエハーなどの基板表
面に常法により塗布した後、溶剤を乾燥除去することに
よりレジスト膜を形成することができ、このときの塗布
法としては、特にスピンコーティングが賞用される。パ
ターン形成のための露光は、遠紫外線やＫｒＦエキシマ
レーザー、電子線をレジスト膜へ照射することに行わ
れ、更に熱処理（露光後ベーク）を行うと、より高感度
化することができる。
樹脂、酸発生剤のほか必要に応じて低分子フェノール化
合物誘導体や添加剤からなるものであり、通常これらを
溶剤に溶解させたものレジスト組成物溶液として用いら
れる。例えば、該溶液をシリコンウエハーなどの基板表
面に常法により塗布した後、溶剤を乾燥除去することに
よりレジスト膜を形成することができ、このときの塗布
法としては、特にスピンコーティングが賞用される。パ
ターン形成のための露光は、遠紫外線やＫｒＦエキシマ
レーザー、電子線をレジスト膜へ照射することに行わ
れ、更に熱処理（露光後ベーク）を行うと、より高感度
化することができる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。なお、各例中の部及び％は、特に断りのな
い限り重量基準である。
に説明する。なお、各例中の部及び％は、特に断りのな
い限り重量基準である。
【００２０】（合成例１）ｔ−ブトキシカルボニルカル
ボニルメチル化水素添加ポリビニルフェノール 水素添加ポリビニルフェノール５ｇ（０．０４１６ｍｏ
ｌ；丸善石油化学社製；Ｍｗ＝４，９００、Ｍｗ／Ｍｎ
＝１．８１）を１００ｍｌ容量のフラスコに入れ、ＤＭ
Ｆ５０ｍｌに溶解させた。ここにｔ−ブチル ３−クロ
ロピルベート２．２３ｇ（０．０１２５ｍｏｌ）、無水
炭酸カリウム２．７６ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ヨウ化カ
リウム３．３２ｇ（０．０１２５ｍｏｌ）を添加し、５
０℃で１２時間攪拌した。その後反応液を冷却し、水中
に注ぎ、析出した沈澱物を濾別した。この沈澱物を０．
１％塩酸および水で３回づつ洗浄し、乾燥後、６．３ｇ
の重合体ｔ−ブトキシカルボニルカルボニルメチル化水
素添加ポリビニルフェノールを得た。得られた重合体
は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，０００であった。ま
た、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、ヒド
ロキシル基の修飾率は、２８％であった。
ボニルメチル化水素添加ポリビニルフェノール 水素添加ポリビニルフェノール５ｇ（０．０４１６ｍｏ
ｌ；丸善石油化学社製；Ｍｗ＝４，９００、Ｍｗ／Ｍｎ
＝１．８１）を１００ｍｌ容量のフラスコに入れ、ＤＭ
Ｆ５０ｍｌに溶解させた。ここにｔ−ブチル ３−クロ
ロピルベート２．２３ｇ（０．０１２５ｍｏｌ）、無水
炭酸カリウム２．７６ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ヨウ化カ
リウム３．３２ｇ（０．０１２５ｍｏｌ）を添加し、５
０℃で１２時間攪拌した。その後反応液を冷却し、水中
に注ぎ、析出した沈澱物を濾別した。この沈澱物を０．
１％塩酸および水で３回づつ洗浄し、乾燥後、６．３ｇ
の重合体ｔ−ブトキシカルボニルカルボニルメチル化水
素添加ポリビニルフェノールを得た。得られた重合体
は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，０００であった。ま
た、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、ヒド
ロキシル基の修飾率は、２８％であった。
【００２１】（合成例２）ｔ−ブトキシカルボニルカル
ボニル化水素添加ポリビニルフェノール 合成例１で用いたのと同じ水素添加ポリビニルフェノー
ル５ｇ（０．０４１６ｍｏｌ）を１００ｍｌ容量のフラ
スコに入れ、ＴＨＦ４０ｍｌに溶解させた。ここにｔ−
ブチル クロロオキサレート３．４２ｇ（０．０２０８
ｍｏｌ）、トリエチルアミン２．２３ｇ（０．０２２ｍ
ｏｌ）を添加し、４０℃で１２時間攪拌した。その後反
応液を冷却し、水中に注ぎ、析出した沈澱物を濾別し
た。この沈澱物を０．１％塩酸および水で３回づつ洗浄
し、乾燥後、６．４ｇの重合体ｔ−ブトキシカルボニル
カルボニル水素添加ポリビニルフェノールを得た。得ら
れた重合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，０２０で
あった。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したと
ころ、ヒドロキシル基の修飾率は、３１％であった。
ボニル化水素添加ポリビニルフェノール 合成例１で用いたのと同じ水素添加ポリビニルフェノー
ル５ｇ（０．０４１６ｍｏｌ）を１００ｍｌ容量のフラ
スコに入れ、ＴＨＦ４０ｍｌに溶解させた。ここにｔ−
ブチル クロロオキサレート３．４２ｇ（０．０２０８
ｍｏｌ）、トリエチルアミン２．２３ｇ（０．０２２ｍ
ｏｌ）を添加し、４０℃で１２時間攪拌した。その後反
応液を冷却し、水中に注ぎ、析出した沈澱物を濾別し
た。この沈澱物を０．１％塩酸および水で３回づつ洗浄
し、乾燥後、６．４ｇの重合体ｔ−ブトキシカルボニル
カルボニル水素添加ポリビニルフェノールを得た。得ら
れた重合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，０２０で
あった。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したと
ころ、ヒドロキシル基の修飾率は、３１％であった。
【００２２】（合成例３）ｔ−アミルオキシカルボニル
カルボニル化水素添加ポリビニルフェノール ｔ−ブチル クロロオキサレートの代わりにｔ−アミル
オキシ クロロオキサレート３．７２ｇ（０．０２０８
ｍｏｌ）を用いるほかは、合成例１と同様の方法により
６．０ｇの重合体ｔ−アミルオキシカルボニルカルボニ
ル化水素添加ポリビニルフェノールを得た。得られた重
合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，３１０であっ
た。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したとこ
ろ、ヒドロキシル基の修飾率は、３３％であった。
カルボニル化水素添加ポリビニルフェノール ｔ−ブチル クロロオキサレートの代わりにｔ−アミル
オキシ クロロオキサレート３．７２ｇ（０．０２０８
ｍｏｌ）を用いるほかは、合成例１と同様の方法により
６．０ｇの重合体ｔ−アミルオキシカルボニルカルボニ
ル化水素添加ポリビニルフェノールを得た。得られた重
合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，３１０であっ
た。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したとこ
ろ、ヒドロキシル基の修飾率は、３３％であった。
【００２３】（合成例４）ｔ−アミルオキシカルボニル
カルボニル化ポリビニルフェノール 水素添加ポリビニルフェノールの代わりにポリビニルフ
ェノール（丸善石油化学社製）を用いる以外合成例３と
同様の方法により５．６ｇのｔ−アミルオキシカルボニ
ルカルボニル化ポリビニルフェノールを得た。得られた
重合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，２００であっ
た。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したとこ
ろ、ヒドロキシル基の修飾率は、３０％であった。
カルボニル化ポリビニルフェノール 水素添加ポリビニルフェノールの代わりにポリビニルフ
ェノール（丸善石油化学社製）を用いる以外合成例３と
同様の方法により５．６ｇのｔ−アミルオキシカルボニ
ルカルボニル化ポリビニルフェノールを得た。得られた
重合体は、ＧＰＣ分析の結果、Ｍｗ＝７，２００であっ
た。また、この重合体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したとこ
ろ、ヒドロキシル基の修飾率は、３０％であった。
【００２４】（参考例１）ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル化水素添加ポリビニルフェノール ｔ−ブチル クロロオキサレートの代わりにｔ−ブチル
ブロモアセテート３．２４ｇ（０．０１６６ｍｏｌ）
を用いるほかは、合成例１と同様の方法により６．２ｇ
の重合体ｔ−ブトキシカルボニルメチル化水素添加ポリ
ビニルフェノールを得た。得られた重合体は、ＧＰＣ分
析の結果、Ｍｗ＝６，９５０であった。また、この重合
体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、ヒドロキシル基の
修飾率は、３５％であった。
ル化水素添加ポリビニルフェノール ｔ−ブチル クロロオキサレートの代わりにｔ−ブチル
ブロモアセテート３．２４ｇ（０．０１６６ｍｏｌ）
を用いるほかは、合成例１と同様の方法により６．２ｇ
の重合体ｔ−ブトキシカルボニルメチル化水素添加ポリ
ビニルフェノールを得た。得られた重合体は、ＧＰＣ分
析の結果、Ｍｗ＝６，９５０であった。また、この重合
体を1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、ヒドロキシル基の
修飾率は、３５％であった。
【００２５】（実施例１〜４、比較例１）上記合成例１
〜４および参考例１で得た重合体１００部、酸発生剤と
してトリフェニルスルホニウム トリフレート５部、フ
ッ素系界面活性剤０．０１部を乳酸エチル４４０部に溶
解させ、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン製イ
ルター（ミリポア社製）で濾過してレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液をシリコンウエハー上にスピン
コートした後、９０℃で９０秒間のベークを行うことに
より膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエ
ハーを遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン
社製）とテストマスクを用いて露光を行った。ついで、
９０℃で６０秒間のベークを行った後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間の浸漬現象を行
い、ポジ型パターンを得た。得られたレジスト膜の感度
と解像度は表１に示す通りであった。
〜４および参考例１で得た重合体１００部、酸発生剤と
してトリフェニルスルホニウム トリフレート５部、フ
ッ素系界面活性剤０．０１部を乳酸エチル４４０部に溶
解させ、０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン製イ
ルター（ミリポア社製）で濾過してレジスト溶液を調製
した。このレジスト溶液をシリコンウエハー上にスピン
コートした後、９０℃で９０秒間のベークを行うことに
より膜厚１．０μｍのレジスト膜を形成した。このウエ
ハーを遠紫外線照射装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ（キャノン
社製）とテストマスクを用いて露光を行った。ついで、
９０℃で６０秒間のベークを行った後、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間の浸漬現象を行
い、ポジ型パターンを得た。得られたレジスト膜の感度
と解像度は表１に示す通りであった。
【００２６】
【表１】
【００２７】この結果から、本発明のレジスト組成物
は、極めて高い解像度を実現することができることが判
った。
は、極めて高い解像度を実現することができることが判
った。
【００２８】
【発明の効果】かくして本発明によれば、パターン形成
や解像度に優れたレジスト組成物が得られ、更に該レジ
スト組成物は遠紫外線光やＫｒＦエキシマレーザー光の
ような短波長光や電子線を充分に透過するので、微細加
工された半導体素子を得ることができる。
や解像度に優れたレジスト組成物が得られ、更に該レジ
スト組成物は遠紫外線光やＫｒＦエキシマレーザー光の
ような短波長光や電子線を充分に透過するので、微細加
工された半導体素子を得ることができる。
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(56)参考文献 特開 平５−127386（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−51518（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−83059（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−323610（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−194841（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−11836（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−232706（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−289340（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−281729（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂結合剤と酸発生剤とを含有する放射
線感応性組成物であって、樹脂結合剤が樹脂中の少なく
とも一部のヒドロキシル基の水素原子が次式（１）−Ｃ
ＯＣＯＯＲ1または（２）−Ｃ（Ｒ2）（Ｒ3）ＣＯＣＯ
ＯＲ1（式（１）および（２）中、共通してＲ1は炭素数
１〜１０のアルキル基、アルケニル基、１−アルコキシ
アルキル基、置換可シクロアルキル基、置換可２−プロ
ペニル基、置換可シクロアルケニル基、置換可シクロア
ルカジエニル基、置換可ビニル基、トリアルコキシメチ
ル基であり、Ｒ2およびＲ3は同一または互いに異なって
もよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアル
キル基、シアノ基である。）で表される少なくともひと
つの基によって置換されているフェノール系樹脂である
ことを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項２】 フェノール系樹脂がポリビニルフェノー
ル樹脂である請求項１記載のレジスト組成物。 - 【請求項３】 フェノール系樹脂が部分水素添加ポリビ
ニルフェノール樹脂である請求項１記載のレジスト組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18783394A JP3405369B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18783394A JP3405369B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829985A JPH0829985A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3405369B2 true JP3405369B2 (ja) | 2003-05-12 |
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ID=16213038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18783394A Expired - Fee Related JP3405369B2 (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | レジスト組成物 |
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| Country | Link |
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-07-18 JP JP18783394A patent/JP3405369B2/ja not_active Expired - Fee Related
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