JPH0815863A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規な感放射線性レジスト組成物を提供す
る。 【構成】 任意にビニルフェノール単位やエチレン単位
を含んでもよいポリベンジルエーテル化ビニルフェノー
ルに酸不安定性基を導入した樹脂と酸発生剤とを含有す
るレジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感放射線組成物に関
し、さらに詳しくは、エキシマレーザーなどの遠紫外
線、Ｘ線、電子線などの荷電粒子線といった放射線を用
いる半導体素子の超微細加工に有用なレジストとして好
適な感放射線性組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の製造に代表される微細加工の
分野においては、ＩＣ、ＬＳＩ、さらにＶＬＳＩへと半
導体素子の高密度化の進行にあわせて高い集積度を得る
ために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が
進んでいる。近年では、０．５μｍ以下の微細加工を安
定的に行う技術が必要とされている。しかしながら、近
紫外線または可視光線を用いる従来のフォトリソグラフ
ィー技術では、０．５μｍ以下の微細パターンを精度良
く形成することはきわめて困難であり、それ故波長の短
い放射線を利用するリソグラフィーが検討されている。
このような放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル
（２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎ
ｍ）などに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線に代表さ
れる荷電粒子線などを挙げることができるが、ＫｒＦエ
キシマレーザーを使用したリソグラフィーが従来のフォ
トリソグラフィーの延長として特に注目されている。こ
のため、リソグラフィーに使用されるレジストについて
も、ＫｒＦエキシマレーザーにより０．５μｍ以下の微
細パターンを高感度で解像し、かつ現像性（現像時のス
カム発生がない）、残膜性（現像時膜減りしない）、接
着性（現像時パターン剥がれがない）、耐熱性さらに耐
ドライエッチング性などに優れたレジストが必要とされ
ており、新たなレジストを多く見いだすことが求められ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術のもと
で、発明者らは、前記の問題を解決すべく鋭意研究した
結果、ベンジルエーテル化ポリビニルフェノールに酸不
安定性基を導入した樹脂を用いるとレジスト特性に優れ
たレジスト組成物が得られることを見いだし、この知見
に基づき本発明を完成するに到った。

【０００４】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、一般式（１）

【化８】 （式中、Ｒ¹、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子、炭
素数１〜４の置換可アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
基であり、Ｒ²、Ｒ³はそれぞれ独立して水素原子、直
鎖、分岐または環状の炭素数１〜８の置換可アルキル基
であり、Ｒ⁴は次式（２）

【化９】 または次式（３）

【化１０】 （式中、Ａは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｏ
Ｃ（Ｒ¹⁴）（Ｒ¹⁵）ＣＯＯ−であり、Ｒ⁸〜Ｒ¹⁵は水素
原子、直鎖、分岐または環状の炭素数１〜８の置換可ア
ルキル基またはアリール基である。但しＲ⁸とＲ⁹、Ｒ¹¹
とＲ¹²はそれぞれ結合して環を形成していてもよい。）
Ｒ⁷は次式（４）、

【化１１】 次式（５）、

【化１２】 次式（６）

【化１３】 または次式（７）

【化１４】 （式中、Ｒ¹⁶〜Ｒ²⁴は水素原子、直鎖、分岐または環状
の炭素数１〜８の置換可アルキル基である。但し、Ｒ¹⁶
とＲ¹⁷、Ｒ¹⁹とＲ²⁰はそれぞれ結合して環を形成してい
てもよい。）である基を示し、ｋ、ｌおよびｍは重合体
中の各構成単位のモル分率である。但し、ｋ＋ｌ＋ｍ＝
１、０＜ｋ≦１、０≦ｌ＜１、０≦ｍ＜ｌである。）で
表される構成単位を有する重合体と酸発生剤とを含むレ
ジスト組成物が提供される。

【０００５】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いられる樹脂は、前記式（１）で表される構成単位を
有する重合体である。この重合体が共重合体である場
合、ブロック共重合体であってもランダム共重合体であ
ってもよい。式（１）においてＲ¹、Ｒ⁵、Ｒ⁶の具体例
としては、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、
ｔ−ブチル基などの炭素数１〜４のアルキル基やこれら
のアルキル基のひとつ以上の水素原子がハロゲン原子、
アルコキシ基等で置換された置換体；フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などのハロゲン原子；シアノ基が挙げられ
る。式（１）においてＲ²、Ｒ³の具体例としては、水素
原子；メチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキ
シル基、１−エチルブチル基、４−メチルペンチル基、
ヘプチル基、１−メチルペンチル基、４−メチルヘキシ
ル基、３，３−ジメチルペンチル基、オクチル基、１−
エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、２−メトキ
シエチル基、２−エトキシエチル基、クロロメチル基、
２−クロロエチル基、２−メチルシクロペンチル基、５
−メトキシペンチル基、３，３−ジクロロシクロオクチ
ル基などの直鎖、分岐または環状の炭素数１〜８のアル
キル基やこれらのアルキル基のひとつ以上の水素原子が
ハロゲン原子やアルコキシ基などで置換された置換体が
挙げられる。

【０００６】式（１）においてＲ⁴は前記式（２）や式
（３）で示される置換基であり、その具体例としては、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキ
シ基、ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｔ−アミルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基、ベンジルオキシ基、１−
フェニルエトキシ基、α、α−ジメチルベンジルオキシ
基などのアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｔ−ブ
トキシカルボニル基、ｔ−アミルオキシカルボニル基、
シクロペンチルカルボニル基、１−メチルシクロペンチ
ルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニ
ル基、１−メチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、
α、α−ジメチルベンジルオキシカルボニル基などのア
ルコキシカルボニル基；メトキシカルボニルオキシ基、
イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ基、ｔ−アミルオキシカルボニルオキシ基
などのアルコキシカルボニルオキシ基；メトキシカルボ
ニルメチルオキシ基、イソプロポキシカルボニルメチル
オキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ基、ｔ
−アミルオキシカルボニルメチルオキシ基、１−メチル
シクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシ基、１−
メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ基
などのアルコキシカルボニルメチルオキシ基；１−エト
キシエトキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、
２−テトラヒドロピラニルオキシ基などのアルコキシア
ルコキシ基などが挙げられる。式（１）においてＲ
⁷は、上記Ｒ⁴の置換基として例示されたようなアルコキ
シカルボニル基（前記式（４）に相当）やアルコキシア
ルコキシカルボニル基（前記式（５）に相当）のほか、
４−メトキシフェニル基、４−ｔ−アミルオキシフェニ
ル基、３−ｔ−ブトキシフェニル基、４−ｔ−ブトキシ
フェニル基等のアルコキシフェニル基（前記式（６）に
相当）、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、３−ヒドロ
キシシクロヘキシル基、２−ヒドロキシシクロヘキシル
基などのヒドロキシ置換シクロヘキシル基（前記式
（７）に相当）などが例示される。

【０００７】本発明で樹脂成分として用いられる前記式
（１）で表される構成単位を有する重合体（以下、単に
樹脂ということがある）を得る方法は、特に制限されな
いが、例えば、次式（８）

【化１５】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は前記と同じ基である。）で表される
構造単位を与えるモノマー（以下、式（８）のモノマー
成分という）を単独重合させる方法、式（８）のモノ
マー成分と次式（９）

【化１６】 （式中、Ｒ⁵は前記と同じ基である。）で表される構造
単位を与えるモノマー成分（以下、式（９）のモノマー
成分という）および／または次式（１０）

【化１７】 （式中、Ｒ⁶とＲ⁷は、前記と同じ基である。）で表され
る構造単位を与えるモノマー成分（以下、式（１０）の
モノマー成分という）やさらに他のモノマー成分と共重
合させる方法、式（９）のモノマー成分の単独重合や
式（９）のモノマー成分とと式（１０）のモノマー成分
との共重合する方法、式（９）のモノマー成分の単独
重合体の芳香核の部分水素添加により、次式（１１）

【化１８】 （式中、Ｒ⁵〜Ｒ⁷は前記と同じ基であり、ｏとｐは重合
体中の各構成単位のモル分率を示し、ｏ＋ｐ＝１、０＜
ｏ＜１、０≦ｐ＜１である。）で表される重合体を合成
し、ついで該重合体と次式（１２）

【化１９】 （式中、Ｒ²〜Ｒ⁴は前記と同じ基であり、Ｘはハロゲン
原子、トシルオキシ基、メシルオキシ基などの脱離基で
ある。）で表される化合物とを塩基存在下、反応させる
方法等が例示される。

【０００８】前記式（８）のモノマー成分の具体例とし
ては、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルオキ
シ）スチレン、４−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキ
シ）スチレン、４−（４−（２−テトラヒドロピラニル
オキシ）ベンジルオキシ）スチレン、４−（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシベンジルオキシ）スチレン、４
−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジル
オキシ）スチレンなどのスチレン誘導体やこれらの位置
異性体やα−メチルスチレン誘導体を挙げることができ
る。

【０００９】前記式（９）のモノマー成分の具体例とし
ては、４−ヒドロキシスチレン、α−メチル−４−ヒド
ロキシスチレンなどが例示され、前記式（１０）のモノ
マー成分の具体例としては、（メタ）アクリル酸メチ
ル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸イ
ソプロピル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）
アクリル酸ｔ−アミル、（メタ）アクリル酸シクロヘキ
シル、（メタ）アクリル酸１−エトキシエチル、（メ
タ）アクリル酸２−テトラヒドロフラニル、（メタ）ア
クリル酸２−テトラヒドロピラニルなどの（メタ）アク
リル酸エステル類；４−メトキシスチレン、４−エトキ
シスチレン、４−イソプロポキシスチレン、４−ｔ−ブ
トキシスチレン、４−ベンジルスチレンなどのスチレン
誘導体；これらの位置異性体やα−メチルスチレン誘導
体が例示される。

【００１０】前記式（１１）で表される重合体として
は、ヒドロキシスチレンと前記式（１０）のモノマー成
分の共重合体、ポリヒドロキシスチレンの高分子反応に
よる部分エーテル化体や水素添加体を挙げることができ
る。この式（１１）で表される重合体と反応させる前記
式（１２）で表される化合物の具体例としては、４−ブ
ロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステル、３−ブ
ロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステル、２−ブ
ロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステル、４−ブ
ロモメチルフェニル−ｔ−ブチル−ジ炭酸エステル、４
−ブロモメチルフェニル−ｔ−ブチルエーテル、４−ブ
ロモメチル安息香酸ｔ−ブチルエステル、４−ｔ−ブト
キシカルボニルベンジルトシレート、４−ｔ−ブトキシ
ベンジルメシレート、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シベンジルトシレート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメ
チルベンジルクロライド、４−（２−テトラヒドロフラ
ニルオキシ）ベンジルメシレート、４−（２−テトラヒ
ドロピラニルオキシ）ベンジルトシレート、４−（１−
エトキシエトキシ）ベンジルクロライドやこれらの位置
異性体を挙げることができる。

【００１１】上記方法により得られる本発明で用いる樹
脂の具体例としては、ポリ（４−（４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルベンジルオキシ）スチレン）、ポリ（４−（４
−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン）、ポリ（４
−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシベンジルオキ
シ）スチレン）、ポリ（４−（２−ｔ−ブトキシカルボ
ニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）、ポリ
（４−（３−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベン
ジルオキシ）スチレン）、ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレ
ン）、ポリ（４−（４−（１−エトキシエトキシ）ベン
ジルオキシ）スチレン）、ポリ（４−（４−（２−テト
ラヒドロピラニルオキシ）ベンジルオキシ）スチレ
ン）、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルオキ
シ）スチレン−４−ヒドロキシスチレン重合体、４−
（４−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルオキシ）スチレ
ン−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘ
キシルエチレン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシベンジ
ルオキシ）スチレン−メタクリル酸メチル重合体、４−
（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン−４−ヒ
ドロキシスチレン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシベン
ジルオキシ）スチレン−メタクリル酸ｔ−ブチル重合
体、４−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン
−メタクリル酸ｔ−アミル重合体、４−（４−ｔ−ブト
キシベンジルオキシ）スチレン−４−ヒドロキシスチレ
ン−メタクリル酸ｔ−アミル重合体、４−（４−ｔ−ブ
トキシベンジルオキシ）スチレン−４−ヒドロキシスチ
レン−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレン重合体、
４−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン−４
−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸メチル重合体、４
−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン−４−
ヒドロキシシクロヘキシルエチレン重合体、４−（４−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシベンジルオキシ）スチレ
ン−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘ
キシルエチレン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシベンジルオキシ）スチレン−４−ヒドロキシ
スチレン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシベンジルオキシ）スチレン−４−ヒドロキシスチレ
ン−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレン重合体、４
−（３−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジル
オキシ）スチレン）−メタクリル酸ｔ−アミル重合体、
４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジ
ルオキシ）スチレン）−（４−ヒドロキシスチレン重合
体、４−（３−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベ
ンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン重
合体、４−（２−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ
ベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン
重合体、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキ
シベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレ
ン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオ
キシベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキシルエチレン重合体、４−（４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）−４
−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸ｔ−ブチル重合
体、４−（３−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベ
ンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン−
メタクリル酸ｔ−ブチル重合体、４−（２−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）
−４−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸ｔ−ブチル重
合体、４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ
ベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン
−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレン重合体、４−
（４−（１−エトキシエトキシ）ベンジルオキシ）スチ
レン−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロ
ヘキシルエチレン重合体、４−（４−（２−テトラヒド
ロピラニルオキシ）ベンジルオキシ）スチレン−４−ヒ
ドロキシスチレン重合体などが例示される。

【００１２】本発明において用いられる酸発生剤（以
下、ＰＡＧという）は、活性化放射線に露光されるとブ
レンステッド酸またはルイス酸を発生する物質であれば
特に制限はなく、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α，αビス（スルホニル）ジア
ゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニルジ
アゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル
化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物など
公知のものを用いることができる。オニウム塩として
は、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム
塩、トリフェニルスルホニウムトリフレートなどのスル
ホニウム塩、ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソ
ニウム塩などが挙げられる。

【００１３】ハロゲン化有機化合物としては、ハロゲン
含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジ
ン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハ
ロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スル
ホキサイド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、
ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサ
ゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール化合物、ハ
ロゲン含有２−ピロン系化合物、その他ハロゲン含有ヘ
テロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、
ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハラ
イド化合物などが挙げられ、具体的には、トリス（２，
３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリス（２，３
−ジブロモ−３−クロロプロピル）ホスフェート、テト
ラブロモクロロブタン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサ
ブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサ
ブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテ
ル、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラブロモビス
フェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡのビス
（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノー
ルＡのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノール
Ａのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビス
フェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エー
テル、テトラクロロビスフェノールＡのビス（２，３−
ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェノ
ールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
テトラクロロビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェ
ノールＳ、テトラクロロビスフェノールＳのビス（クロ
ロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＳの
ビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノールＳのビ
ス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビスフェノ
ールＳのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、
トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレー
ト、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（２−ヒドロ
キシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニル）プロパン
などのハロゲン系難燃剤やジクロロジフェニルトリクロ
ロエタン、ペンタクロロフェノール、２，４，６−トリ
クロロフェニル ４−ニトロフェニルエーテル、２，４
−ジクロロフェニル ３’−メトキシ−４’−ニトロフ
ェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキシ酢酸、
４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，１−ビス
（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−ビス（４
−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノー
ル、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルフ
ィド、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスル
ホンなどの有機クロロ系農薬などが例示される。

【００１４】キノンジアジド化合物の具体例としては、
１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エ
ステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステル、２，１−ベンゾキノンジアジド−５−
スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のス
ルホン酸エステルや１，２−ベンゾキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−
ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸クロライ
ド、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホ
ン酸クロライド、１，２−ベンゾキノン−１−ジアジド
−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体
のスルホン酸クロライドなどが挙げられる。

【００１５】α，αビス（スルホニル）ジアゾメタン系
化合物としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するα，αビス（スル
ホニル）ジアゾメタンなどが挙げられる。α−カルボニ
ル−α−スルホニルジアゾメタン系化合物の具体例とし
ては、未置換、対称的にまたは非対称的に置換されたア
ルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、ま
たはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α−スルホ
ニルジアゾメタンなどが挙げられる。スルホン化合物の
具体例としては、未置換、対称的にまたは非対称的に置
換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳
香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化合物、
ジスルホン化合物などが挙げられる。

【００１６】有機酸エステルとしては、カルボン酸エス
テル、スルホン酸エステル、リン酸エステルなどが挙げ
られ、有機酸アミドとしては、カルボン酸アミド、スル
ホン酸アミド、リン酸アミドなどが挙げられ、有機酸イ
ミドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、
リン酸イミドなどが挙げられる。

【００１７】これらのＰＡＧは、単独で使用しても２種
類以上を混合して用いてもよい。これらのＰＡＧの配合
量は、本発明で用いる樹脂１００重量部に対して下限は
通常０．０１重量部、好ましくは０．２重量部であり、
上限は通常５０重量部、好ましくは３０重量部である。
０．０１重量部未満ではパターンの形成が不可能とな
り。５０重量部を超えると現像残が発生し易くなった
り、パターン形状が悪化するなどの問題が生じ、いずれ
の場合もレジストの性能上好ましくない。

【００１８】本発明に於て、前記樹脂とＰＡＧとからな
るレジスト組成物は、溶剤に溶解させて用いる。溶剤
は、一般にレジスト組成物用の溶剤として使用されてい
るものを用いることができ、具体例としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペ
ンタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類；ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−
ブタノール、ｉ−ブタノール、ｔ−ブタノール、シクロ
ヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコール
ジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコール
エーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エ
チル、酪酸メチル、酪酸エチルなどのエステル類；２−
オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エ
チル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ
プロピオン酸エチルなどのオキシカルボン酸エステル
類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブ
アセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソ
ルブエステル類；プロピレングリコール、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコー
ル類；ジエチレンギリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテルなどのジエチレングリコール類；トリクロロ
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシ
レンなどの芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの極性溶媒など
が例示され、これらは単独または２種類以上を混合して
用いてもよい。

【００１９】本発明においては、添加剤としてレジスト
組成物に一般に添加されているもの、例えば界面活性
剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止剤など
相溶性のある添加剤を含有させることができる。

【００２０】本発明の組成物において、前記式（１）で
表される構成単位を有する重合体は、放射線の照射によ
り酸発生剤から生成する酸の作用を受けて、被照射部分
の溶解度が変化する。本発明の組成物は、アルカリ現像
液を用いることにより、ポジ型レジストとして作用す
る。酸不安定性基をベンジルエーテル基を介してポリマ
ーに結合しさせることにより、耐ドライエッチング性や
解像性などのレジスト特性が向上するものと思われる。

【００２１】本発明のレジスト組成物はアルカリ現像液
として通常、アルカリ水溶液を用いるが、具体例として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、アンモニアなどの無機アルカリの水溶液；エチル
アミン、プロピルアミンなどの第一アミン類の水溶液；
ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第二アミンの
水溶液；トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第
三アミンの水溶液；ジエチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミンなどのアルコールアミン類の水溶液；テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエ
チルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウ
ムヒドロキシドの水溶液などが挙げられる。また、必要
に応じて、上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノー
ル、プロパノール、エチレングリコールなどの水溶性有
機溶媒、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤などを添加する
ことができる。

【００２２】本発明のレジスト組成物を溶剤に溶解させ
たレジスト溶液をシリコンウエハなどの基板表面に常法
により塗布した後、溶剤を乾燥除去することによりレジ
スト膜を形成することができる。このときの塗布方法と
しては、特にスピンコーティングが賞用される。このよ
うにして得られたレジスト膜にパターンを形成させるた
めの露光で用いられる露光源としては遠紫外線、ＫｒＦ
エキシマレーザー光、Ｘ線、電子線などの電子線源が挙
げられる。更に、露光後に熱処理（露光後ベーク）を行
うと、感度の向上と安定化が図れるため好ましい。

【００２３】本発明において好ましい実施態様は次の通
りである。

【００２４】

【実施例】以下に参考例、合成例、実施例を挙げて本発
明をさらに具体的に説明する。なお、各例中の部及び％
は、特に断りのない限り重量基準である。

【００２５】（参考例１）４−ブロモメチルフェノキシ
酢酸ｔ−ブチルエステルの合成 パラクレゾール２０ｇ、ブロモ酢酸ｔ−ブチル３６ｇ，
炭酸カリウム２６ｇ、ヨウ化カリウム３ｇをアセトン４
００ｍｌを溶媒として５時間還流させた。反応液を冷却
し、炭酸カリウムを濾別し、溶媒を除去した。残渣をク
ロロホルムに溶解させ、水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、クロロホルムを留去して４−メチルフェノキ
シ酢酸ｔ−ブチルエステル３９ｇを得た。得られた４−
メチルフェノキイ酢酸ｔ−ブチルエステル３８ｇを四塩
化炭素５００ｍｌに溶解させ、Ｎ−ブロモスクシンイミ
ド３１ｇを加えて、窒素気流下、１００ワットの白熱灯
を照射しながら５時間還流させた。反応液を冷却し、濾
過後、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：
１）に付し、４−ブロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステル２５ｇを得た。

【００２６】（参考例２）３−ブロモメチルフェノキシ
酢酸ｔ−ブチルエステルの合成 パラクレゾールの代わりにメタクレゾールを用いる以外
は、参考例１と同様の方法により３−ブロモメチルフェ
ノキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得た。

【００２７】（参考例３）２−ブロモメチルフェノキシ
酢酸ｔ−ブチルエステルの合成 パラクレゾールの代わりにオルトクレゾールを用いる以
外は、参考例１と同様の方法により２−ブロモメチルフ
ェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを得た。

【００２８】（参考例４）４−ブロモメチルフェニル−
ｔ−ブチル−ジ炭酸エステルの合成 パラクレゾール２０ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解させ、
更にカリウム ｔ−ブトキシド２０．７ｇを加え、室温
下、３０分間攪拌した。ここにＴＨＦ５０ｍｌにジ−ｔ
−ブチル−ジ炭酸エステル４０．３ｇを溶解させた溶液
を適下し、４０℃で３時間反攪拌した。反応液を水４０
０ｍｌに注入し、クロロホルム１５０ｍｌで２回抽出し
た。クロロホルム層を合わせて水洗後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後、濾過した。濾液を濃縮後、シリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：
酢酸エチル＝１０：１）に付し、４−メチルフェニル−
ｔ−ブチル−ジ炭酸エステル３０．８ｇを得た。得られ
た４−メチルフェニル−ｔ−ブチル−ジ炭酸エステル３
０ｇを四塩化炭素５００ｍｌに溶解させ、Ｎ−ブロモス
クシンイミド２６ｇを加えて、窒素気流下、１００ワッ
トの白熱灯を照射しながら５時間還流させた。反応液を
冷却し、濾過後、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル
＝１０：１）に付し、４−ブロモフェニル−ｔ−ブチル
−ジ炭酸エステル２９ｇを得た。

【００２９】（参考例５）４−ブロモフェニル−ｔ−ブ
チルエーテルの合成 窒素気流下、粒状マグネシウム３．８ｇを乾燥ＴＨＦ１
５ｇ中で激しく攪拌しながら、４−クロロトルエン２
０．０ｇをようかいしたＴＨＦ溶液６０ｍｌを滴下し
た。発熱反応が始まったところで外部冷却を行い、緩や
かな還流状態とした。発熱が止んだ後、６０℃に加熱
し、１時間攪拌した。反応液を０℃に冷却し、２４ｇの
過安息香酸ｔ−ブチルエステルを５０ｍｌのＴＨＦに溶
解した溶液を、反応液温度を５℃以下に保持しながら滴
下した。次に反応液を３％塩酸６００ｍｌＮＩ注入し、
２００ｍｌのエーテルで２回抽出した。抽出エーテル層
を併せて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで水で洗
浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過し、濾液を濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；ｎ−ヘキサン）に付し、４−メチルフェニル−ｔ−
ブチルエーテル１４ｇを得た。得られた４−メチルフェ
ニル−ｔ−ブチルエーテル１４ｇを四塩化炭素２００ｍ
ｌに溶解させ、Ｎ−ブロモスクシンイミド１６ｇを加え
て、窒素気流下、１００ワットの白熱灯を照射しながら
５時間還流させた。反応液を冷却し、濾過後、濾液を濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶
媒；ｎ−ヘキサン）に付し、４−ブロモフェニル−ｔ−
ブチルエーテル１３ｇを得た。

【００３０】（参考例６）４−ブロモメチル安息香酸ｔ
−ブチルエステルの合成 ４−ブロモ安息香酸２０ｇと塩化チオニル３０ｇを３時
間還流した後、過剰の塩化チオニルを留去した。残渣を
塩化メチレン１００ｍｌに溶解させ、ｎ−ブタノール８
ｇとトリエチルアミン１２ｇを加えて室温下、５時間攪
拌した。反応液を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、濾過した。濾液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（展開溶媒；ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝
１０：１）に付し、４−ブロモメチル安息香酸−ｔ−ブ
チルエーテル１６ｇを得た。

【００３１】（合成例１）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シベンジルオキシ）スチレン）の合成 ４−ヒドロキシベンズアルデヒド２０ｇ、参考例５で得
た４−ブロモメチルフェニル−ｔ−ブチルエーテル４０
ｇ，炭酸カリウム２２．６ｇ、ヨウ化カリウム４ｇをア
セトン５００ｍｌに溶解させ、５時間還流させた。反応
液を濾過し、濾液を濃縮した後、クロロホルムで残渣を
溶解させ、水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
濾過後、濾液から溶媒を留去して、粗４−（４−ｔ−ブ
トキシベンジルオキシ）ベンズアルデヒド４６ｇを得
た。次に、メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド
５９ｇを乾燥ＴＨＦ２００ｍｌに懸濁し、０℃に冷却
し、窒素気流下、１．８Ｍ ｎ−ブチルリチウムのヘキ
サン溶液９２ｍｌを滴下した。１時間攪拌した後、先に
合成した４−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）ベン
ズアルデヒド４６ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解させた溶
液を滴下し、滴下終了後、室温下で２時間攪拌した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；
ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）に付し、４−
（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン）３５ｇ
を得た。これをトルエン７０ｍｌに溶解させ、２，２’
−アゾビスイソブチロニトリル０．３ｇを加えて、窒素
置換後、窒素気流下、６０℃で１２時間攪拌した。反応
液をメタノール中へ注ぎ、重合体を析出させた。重合体
を濾取後、塩化メチレンに溶解させ、再度メタノール中
に注いだ。重合体を濾取後、メタノールで洗い、減圧
下、５０℃で１２時間乾燥させ、２８ｇのポリ（４−
（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン）を得
た。ポリスチレンを標準としたＧＰＣ分析の結果、重量
平均分子量（以下、Ｍｗという）８２００、数平均分子
量（以下、Ｍｎという）３９００であった。

【００３２】（合成例２）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）
−４−ヒドロキシスチレンの合成 ポリ（４−ヒドロキシスチレン）１０ｇをアセトン１０
０ｍｌに溶解させ、参考例１で合成した４−ブロモメチ
ルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステル１０ｇと炭酸カリ
ウム４．６ｇを加えて、窒素気流下５時間還流した。冷
却後、濾過し、濾液を水１リットルに注ぎ、析出物を濾
取し、水に再懸濁させて再濾取した。次にヘキサン２０
０ｍｌに懸濁攪拌後、濾過し、残渣をヘキサンで洗浄し
た。得られたポリマーを減圧下、４０℃で２４時間乾燥
させ、ポリ（４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチル
オキシベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシス
チレン１６ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析により、ポリ−
（４−ヒドロキシスチレン）のヒドロキシル基の約４０
％が４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジル
エーテル化していることを確認した。

【００３３】（合成例３）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロ
キシスチレンの合成 ４−ブロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステルの
代わりに参考例６で得た４−ブロモメチル安息香酸ｔ−
ブチルエステル６．８ｇを、また炭酸カリウム量を３．
５ｇとする以外は、合成例２と同様の方法により、ポリ
（４−（４−ｔ−ブトキシカルボニルベンジルオキシ）
スチレン）−４−ヒドロキシスチレン１３ｇを得た。¹
Ｈ−ＮＭＲ分析により、ポリ−（４−ヒドロキシスチレ
ン）のヒドロキシル基の約３０％が４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルベンジルエーテル化していることを確認した。

【００３４】（合成例４）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレ
ンの合成 ４−ブロモメチル安息香酸ｔ−ブチルエステルの代わり
に参考例５で得た４−ブロモメチルフェニルｔ−ブチル
エーテル６．１ｇを用いる以外は合成例３と同様の方法
により、ポリ（４−（４−ｔ−ブトキシベンジルオキ
シ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン１２ｇを得
た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析により、ポリ−（４−ヒドロキシ
スチレン）のヒドロキシル基の約３０％が４−ｔ−ブト
キシカルボニルベンジルエーテル化していることを確認
した。

【００３５】（合成例５）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレ
ン−メチルメタクリレートの合成 ポリ（４−ヒドロキシスチレン−メタクリレート）共重
合体（共重合体比７：３）１０ｇ、参考例５で得た４−
ブロモメチルフェニル−ｔ−ブチルエーテル３．３ｇ、
炭酸カリウム１．９ｇをアセトン１００ｍｌに溶解さ
せ、窒素気流下、５時間還流した。冷却後、濾過し、濾
液を水１リットルに注ぎ、析出物を濾取し、水に再懸濁
させて再濾取した。次にヘキサン２００ｍｌに懸濁攪拌
後、濾過し、残渣をヘキサンで洗浄した。得られたポリ
マーを減圧下、４０℃で２４時間乾燥させ、ポリ（４−
（４−ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン）−４−
ヒドロキシスチレン−メチルメタクリレート１１ｇを得
た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析により、原料ポリマー中の４−ヒ
ドロキシスチレン単位由来のヒドロキシル基の約３０％
が４−ｔ−ブトキシベンジルエーテル化していることを
確認した。

【００３６】（合成例６）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）
−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキ
シルエチレンの合成 ポリ（４−ヒドロキシスチレン−メタクリレート）共重
合体の代わりに芳香核の１０％が水素添加された水素化
ポリ（４−ヒドロキシスチレン）２０ｇ、式（１１）の
化合物として４−ブロモメチルフェノキシ酢酸ｔ−ブチ
ルエステル９．７ｇ、炭酸カリウム４．５ｇ、ヨウ化カ
リウム２．０ｇをアセトン２００ｍｌ中、窒素気流下、
４時間還流した。冷却後、濾過し、炉駅を水１リットル
に注ぎ、析出物を濾取した。これを再度水に懸濁させ、
再濾取した。次にヘキサン３００ｍｌに懸濁攪拌後、濾
過し、残渣をヘキサンで洗浄した。得られたポリマーを
減圧下、４０℃で２４時間乾燥させ、ポリ（４−（４−
ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）
スチレン）−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシ
シクロヘキシルエチレン２５ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分
析により、ポリマー中の芳香核に結合したヒドロキシル
基の約２０％が４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキ
シベンジルエーテル化していることを確認した。

【００３７】（合成例７）ポリ（４−（３−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）
−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキ
シルエチレンの合成 式（１１）の化合物として参考例２で得た３−ブロモメ
チルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを用いる以外
は、合成例６と同様の方法により、ポリ（４−（３−ｔ
−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）ス
チレン）−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシ
クロヘキシルエチレン２５ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析
により、ポリマー中の芳香核に結合したヒドロキシル基
の約２０％が３−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ
ベンジルエーテル化していることを確認した。

【００３８】（合成例８）ポリ（４−（２−ｔ−ブトキ
シカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）スチレン）
−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキ
シルエチレンの合成 式（１１）の化合物として参考例３で得た２−ブロモメ
チルフェノキシ酢酸ｔ−ブチルエステルを用いる以外
は、合成例６と同様の方法により、ポリ（４−（２−ｔ
−ブトキシカルボニルメチルオキシベンジルオキシ）ス
チレン）−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシ
クロヘキシルエチレン２５ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析
により、ポリマー中の芳香核に結合したヒドロキシル基
の約２０％が２−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ
ベンジルエーテル化していることを確認した。

【００３９】（合成例９）ポリ（４−（４−ｔ−ブトキ
シベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレ
ン−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレンの合成 式（１１）の化合物として参考例５で得た４−ブロモメ
チルフェニル−ｔ−ブチルエーテル７．８ｇを用いる以
外は、合成例６と同様の方法により、ポリ（４−（４−
ｔ−ブトキシベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒドロ
キシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレン
２３ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析により、ポリマー中の
芳香核に結合したヒドロキシル基の約２０％が４−ブロ
モメチルフェニル−ｔ−ブチルエーテル化していること
を確認した。

【００４０】（合成例１０）ポリ（４−（４−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシベンジルオキシ）スチレン）−４
−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキシル
エチレンの合成 式（１１）の化合物として参考例４で得た４−ブロモメ
チルフェニル−ｔ−ブチル−ジ炭酸エステル９．３ｇを
用いる以外は、合成例６と同様の方法により、ポリ（４
−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシベンジルオキ
シ）スチレン）−４−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロ
キシシクロヘキシルエチレン２４ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ分析により、ポリマー中の芳香核に結合したヒドロキ
シル基の約２０％が４−ブロモメチルフェニル−ｔ−ブ
チルエーテル化していることを確認した。

【００４１】（合成例１１）ポリ（４−（４−ｔ−ブト
キシカルボニルベンジルオキシ）スチレン）−４−ヒド
ロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキシルエチレ
ンの合成 式（１１）の化合物として参考例６で得た４−ブロモメ
チル安息香酸ｔ−ブチルエステル８．８ｇを用いる以外
は、合成例６と同様の方法により、ポリ（４−（４−ｔ
−ブトキシカルボニルベンジルオキシ）スチレン）−４
−ヒドロキシスチレン−４−ヒドロキシシクロヘキシル
エチレン２４ｇを得た。¹Ｈ−ＮＭＲ分析により、ポリ
マー中の芳香核に結合したヒドロキシル基の約２０％が
４−ブロモメチルフェニル−ｔ−ブチルエーテル化して
いることを確認した。

【００４２】（実施例１〜１１）上記合成例１〜１１で
得た重合体１００部、酸発生剤としてトリフェニルスル
ホニウムトリフレート５部、フッ素系界面活性剤０．０
１部を乳酸エチル４００部に溶解させ、０．１μｍのポ
リテトラフルオロエチレン製フィルター（ミリポア社
製）で濾過してレジスト溶液を調製した。このレジスト
溶液をシリコンウエハ上にスピンコートした後、９０℃
で９０秒間のベークを行うことにより膜厚１．０μｍの
レジスト膜を形成した。このウエハをＫｒＦエキシマー
ステッパー（ＮＡ＝０．４５）とテスト用レクチルを用
いて露光を行った。ついで、９０℃で６０秒間のベーク
を行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液で１分間の浸漬現象を行い、ポジ型パターンを得
た。得られたレジスト膜の感度と解像度は表１に示す通
りであった。更に、パターン形成されたウエハをドライ
エッチング装置（日電アネルバ社製、ＤＥＭ４５１Ｔ）
を用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ、ガス
ＣＦ₄／Ｈ₂、周波数１３．５６ＭＨｇでエッチングした
ところ、いずれの重合体を用いたウエハでもパターンの
なかったところのみエッチングされていることがわかっ
た。また、エッチング後のレジストパターンを観察する
と、ほぼエッチング前の形状を維持していた。

【００４３】

【表１】

【００４４】（実施例１２）トリフェニルスルホニウム
トリフレートの代わりにパラトルエンスルホン酸２，６
−ジニトロベンジルを１０部用いる以外は実施例６と同
様の方法によりレジストを調製し、解像性と耐エッチン
グ性を評価した。この結果、１０ｍＪ／ｃｍ²の露光量
で０．３０μｍＬ／Ｓを解像した。また、耐エッチング
性も良好であった。この結果から、本発明のレジスト組
成物は、極めて高い解像度を実現することができること
が判った。

【００４５】

【発明の効果】かくして本発明によれば、感度、解像
性、耐エッチング性などのレジスト特性に優れ、波長の
短い遠紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を用いるリソ
グラフィーに適したレジスト材料が得られる。本発明の
レジスト組成物は、特に半導体素子の微細加工用ポジ型
レジストとして好適である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子、炭
   素数１〜４の置換可アルキル基、ハロゲン原子、シアノ
   基であり、Ｒ²、Ｒ³はそれぞれ独立して水素原子、直
   鎖、分岐または環状の炭素数１〜８の置換可アルキル基
   であり、Ｒ⁴は次式（２） 【化２】 または次式（３） 【化３】 （式中、Ａは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｏ
   Ｃ（Ｒ¹⁴）（Ｒ¹⁵）ＣＯＯ−であり、Ｒ⁸〜Ｒ¹⁵は水素
   原子、直鎖、分岐または環状の炭素数１〜８の置換可ア
   ルキル基またはアリール基である。但しＲ⁸とＲ⁹、Ｒ¹¹
   とＲ¹²はそれぞれ結合して環を形成していてもよい。）
   Ｒ⁷は次式（４）、 【化４】 次式（５）、 【化５】 次式（６） 【化６】 または次式（７） 【化７】 （式中、Ｒ¹⁶〜Ｒ²⁴は水素原子、直鎖、分岐または環状
   の炭素数１〜８の置換可アルキル基である。但し、Ｒ¹⁶
   とＲ¹⁷、Ｒ¹⁹とＲ²⁰はそれぞれ結合して環を形成してい
   てもよい。）である基を示し、ｋ、ｌおよびｍは重合体
   中の各構成単位のモル分率を示す。但し、ｋ＋ｌ＋ｍ＝
   １、０＜ｋ≦１、０≦ｌ＜１、０≦ｍ＜ｌである。）で
   表される構成単位を有する重合体と酸発生剤とを含むレ
   ジスト組成物。