JP3401391B2 - 半田バンプを有する基板の製造方法 - Google Patents

半田バンプを有する基板の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ接
合用基板やボールグリッドアレイ基板等の半田バンプを
有する基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば集積回路チップを集積
回路基板に実装する場合には、集積回路チップ及び集積
回路基板の接合面に、格子状又は千鳥状に複数の端子を
形成し、これによって両者を接合するフリップチップと
呼ばれる方式が知られている。
【０００３】また、集積回路チップを搭載した集積回路
基板とプリント基板（マザーボード等）との接合におい
ては、集積回路基板の他方の接合面（集積回路チップを
搭載した接合面とは反対側の接合面）に、接合用の高融
点半田やＣｕ等のボールを用いて格子状に複数の端子を
形成し、これによってプリント基板と接合する方式も知
られており、このような基板はボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）基板と呼ばれる。
【０００４】これらの格子状又は千鳥状の面接合端子を
備えた集積回路基板等を製造する方法としては、例えば
ソルダーペースト法等の各種の方法が知られている。例
えばソルダーペースト法とは、図１４（ａ）に示すよう
に、集積回路基板上に形成した下地導電性パッドの上
に、印刷によって半田ペーストを配置し、その後、加熱
して半田ペーストを溶融させることよって、パッド上に
半球状又は球状の半田バンプを形成する方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な方法で半田バンプを形成する場合には、下記のような
問題があり、一層の改善が求められている。通常、集積
回路基板上に設けられた個々の半田バンプは、集積回路
チップやプリント基板との接合性等を高めるために、そ
の高さが揃っていることが好ましいとされている。つま
り、図１４（ｂ）に示すように、個々の半田バンプのコ
ーポラナリティは、小さい方が好ましいとされている。
【０００６】ここで、コーポラナリティ（Coplanarit
y）とは、各半田バンプの頂点Ｐをその間に含むような
平行な二つの平面Ｓ1，Ｓ2の間隔ｄで定義され、半田バ
ンプの高さの不均一性を示す指標である。ところが、例
えば従来のソルダーペースト法で、集積回路基板上に半
田バンプを形成する場合には、図１４（ｃ）に示すよう
に、半田バンプの高さは、半田ボリュームが安定して
も、集積回路基板のパッドの大きさの違い、ビアの有
無、引出し線の有無等によって変化するため、所望の値
（例えば同じ高さ）に制御することが困難であった。
【０００７】そのため、半田バンプの高さを同じにする
という要求がある場合でも、半田バンプの高さが不揃い
になってしまい、結果として、コーポラナリティが大き
くなるという問題があった。このコーポラナリティが大
きくなると、集積回路基板と集積回路チップ又はプリン
ト基板とを接合する際に、向かい合う端子同士の距離が
不揃いとなるので、接合不良が発生することがある。ま
た、各半田バンプにプローブを接触させ、配線の導通や
配線間の絶縁を検査する場合でも、プローブが同時に所
定のあるいは全ての半田バンプに接触するのが難しくな
るので、正確に測定できないことがある。
【０００８】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、半田バンプの寸法を容易に制御できる
半田バンプを有する基板の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項１の発明は、基板の複数の半田バンプ用パッド
に対応する位置に形成された複数の凹部を有する凹版を
用いる、半田バンプを有する基板の製造方法であって、
前記基板によって変化する半田バンプの高さを所望の値
に揃えるために、前記半田バンプの形状が、略球状、頂
部が平坦な形状、及び平坦部面積を規定した頂部が平坦
な形状のうちの所望の形状となるように、前記各凹部の
内径と深さとを設定して、前記各凹部に半田ペーストを
充填し、該各凹部を前記パッドの位置に合わせるように
前記凹版と前記基板とを重ね、その状態で加熱して半田
ペーストを溶融し、その後冷却した後に前記凹版を除去
することにより、前記各パッド上に前記各半田バンプの
高さを揃えるようにして、前記所望の形状の半田バンプ
を形成することを特徴とする半田バンプを有する基板の
製造方法を要旨とする。
【００１０】・ここで半田とは、Ｐｂ−Ｓｎ系の軟ろう
の他、例えばバンプ材料として使用されるＡｕ−Ｓｎ
系、Ａｕ−Ｓｉ系等、４５０℃以下の低融点を有する広
義のろう材を意味する。 ・前記凹部に半田ペーストを充填する方法としては、例
えば印刷による擦り込みの方法や、ディスペンサーによ
る注入の方法が挙げられる。
【００１１】・前記基板としては、集積回路チップが
実装される基板、プリント基板と接合される基板、
集積回路チップ自身（即ちフリップチップ）などが挙げ
られる。 ・前記溶融する温度としては、半田ペーストの融点（即
ち半田の融点）以上であればよいが、例えば融点の１０
〜４０℃高い温度を採用できる。
【００１２】請求項２の発明は、基板の複数の半田バン
プ用パッドに対応する位置に形成された複数の凹部を有
する凹版の該凹部に半田ペーストを充填し、該凹部を前
記パッドの位置に合わせるように前記凹版と前記基板と
を重ね、その状態で加熱して半田ペーストを溶融し、そ
の後冷却した後に前記凹版を除去することにより、前記
パッド上に半田バンプを形成する半田バンプを有する基
板の製造方法であって、表側および裏側に半田バンプ用
パッドが形成された基板に、前記凹部に半田ペーストを
充填した凹版を前記基板の表側および裏側からそれぞれ
重ね、その状態で加熱して半田ペーストを溶融し、その
後冷却することにより、前記表側および裏側のパッドに
複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バン
プを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００１３】・前記複数の半田バンプ用パッドの配置と
しては、線状や面状の配置が挙げられる。また、線状の
配置としては、例えば四角形の枠状の配置が挙げられ、
面状の配置としては、例えば格子状又は千鳥状にて所定
の領域を占める配置が挙げられる。
【００１４】請求項３の発明は、前記基板の表側から重
ねる前記凹版の凹部に充填した半田ペーストの融点と、
前記基板の裏側から重ねる前記凹版の凹部に充填した半
田ペーストの融点とが異なることを特徴とする前記請求
項２に記載の半田バンプを有する基板の製造方法を要旨
とする。
【００１５】請求項４の発明は、前記基板の表側から重
ねる前記凹版の凹部の寸法を小さくすると共に、前記基
板の裏側から重ねる前記凹版の凹部の寸法を大きくし、
該裏側から重ねる凹版の凹部には前記表側から重ねる凹
版の凹部に充填される半田ペーストより融点が低い半田
ペーストを充填することにより、前記基板の表側にはフ
リップチップ実装用の寸法の小さな半田バンプを形成す
ると共に、前記基板の裏側にはプリント基板接合用の寸
法が大きく且つ前記表側の半田バンプより融点の低い半
田バンプを形成することを特徴とする前記請求項３に記
載の半田バンプを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００１６】請求項５の発明は、前記凹版に形成された
複数の凹部の寸法を異ならせることにより、前記パッド
上に寸法の異なる複数の半田バンプを形成することを特
徴とする前記請求項２〜４のいずれかに記載の半田バン
プを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００１７】・ここで寸法が異なるとは、凹部及び凹部
によって形成される半田バンプの形状や大きさが異なる
ことを意味し、例えば球状や頂部が平坦な樽状等のよう
に半田バンプの形状（及びそのための凹部の形状）が異
なっていたり、半田バンプの高さや幅等の寸法（及びそ
のための凹部の寸法）が異なっていることを意味してい
る。
【００１８】請求項６の発明は、前記凹部の寸法が、形
成される半田バンプが略球状となる値に設定されている
ことを特徴とする前記請求項２〜５のいずれかに記載の
半田バンプを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００１９】請求項７の発明は、前記凹部の寸法が、形
成される半田バンプの頂部が平坦となる値に設定されて
いることを特徴とする前記請求項２〜５のいずれかに記
載の半田バンプを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００２０】請求項８の発明は、基板表側のフリップチ
ップ実装用の半田バンプ用パッドに対応する位置に形成
された複数の第１凹部を有する第１凹版の該第１凹部
に、表側用半田ペーストを充填し、該第１凹部を前記フ
リップチップ実装用の半田バンプ用パッドの位置に合わ
せるように前記第１凹版と前記基板とを重ね、その状態
で加熱して前記表側用半田ペーストを溶融し、その後冷
却した後に前記第１凹版を除去することにより、前記基
板表側に複数のフリップチップ実装用の半田バンプを形
成し、更に、該フリップチップ実装用の半田バンプ上に
集積回路チップを重ねると共に、基板裏側のプリント基
板接合用の半田バンプ用パッドに対応する位置に形成さ
れた複数の第２凹部を有する第２凹版の該第２凹部に、
前記表側用半田ペーストより融点の低い裏側用半田ペー
ストを充填し、該第２凹部を前記プリント基板接合用の
半田バンプ用パッドに位置に合わせるように前記第２凹
版と前記基板とを重ね、その状態で加熱して前記裏側用
半田ペーストを溶融し、その後冷却した後に該第２凹版
を除去することにより、前記集積回路チップを前記基板
表側に接合すると共に、前記基板裏側に複数のプリント
基板接合用の半田バンプを形成することを特徴とする半
田バンプを有する基板の製造方法を要旨とする。
【００２１】・前記基板としては、一方の側に集積回路
チップが実装され、他方の側にプリント基板が接合され
る基板が挙げられる。請求項９の発明は、基板の複数の
半田バンプ用パッドに対応する位置に形成された複数の
凹部を有する凹版の該凹部に半田ペーストを充填し、該
凹部を前記パッドの位置に合わせるように前記凹版と前
記基板とを重ね、その状態で加熱して半田ペーストを溶
融し、その後冷却した後に前記凹版を除去することによ
り、前記パッド上に半田バンプを形成する半田バンプを
有する基板の製造方法であって、前記凹版の凹部にそれ
ぞれ金属製ボールを配置し、その後、前記凹部に前記金
属製ボールよりも融点の低い半田ペーストを充填し、前
記凹部を前記パッドの位置に合わせるように前記凹版と
前記基板とを重ね、その状態で前記金属製ボールより低
く且つ前記半田ペーストの融点より高い温度で加熱して
該半田ペーストを溶融し、その後冷却した後に前記凹版
を除去することにより、前記パッド上に半田バンプを形
成することを特徴とする半田バンプを有する基板の製造
方法を要旨とする。
【００２２】・前記金属製ボールとしては、前記半田ペ
ーストより高い融点を有する例えば高温半田ボールや、
ＡｇやＣｕを主成分とボールを採用できる。尚、本発明
は、前記請求項２〜８の発明において、半田バンプを形
成する際に適用できる。つまり、半田バンプの内部に金
属製ボールを含ませる場合に適用できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】請求項１の発明では、凹版の凹部
側を基板側にして、凹部をパッドの位置に合わせて凹版
と基板とを重ね、その状態で加熱して半田ペーストを溶
融させ、その後凹版を除去することにより、パッド上に
半田バンプを形成する。 特に、本発明では、（パッドの
大きさの違い、ビアの有無、引出し線の有無等の）基板
によって変化する半田バンプの高さを揃えるために、所
望の形状となるように各凹部の内径と深さとを設定し
て、各凹部に半田ペーストを充填する。
【００２４】従って、この方法では、凹部の内径と深さ
とを設定することにより、所望の寸法（特に高さや形
状）の半田バンプを、パッド上に容易に形成することが
できる。例えば、凹部の深さや内径の設定により、フリ
ップチップ用の微小バンプ（例えばφ１００μｍ）か
ら、ＢＧＡ用の大きなバンプ（例えばφ１ｍｍ）まで、
容易に対応可能である。
【００２５】尚、凹部への半田ペーストの充填方法とし
て、凹版上に載せた半田ペーストをスキージで凹部に擦
り込む方法を採用する場合には、半田ペーストの量は凹
部の容積に等しくなるので、ペースト量を容易に一定化
することができる。一方、ディスペンサーを用いて各凹
部に半田ペーストを注入する方法を採用する場合は、ペ
ースト量にバラツキが生じ易い反面、充填するペースト
量を各凹部毎に変化させることができる。
【００２６】尚、その際に使用する機器も、従来よりあ
る印刷機やリフロー炉を用いれば足りる。
【００２７】また、従来のソルダーペースト法に比べ、
凹版を基板に重ねた状態で半田ペーストを溶融させるた
めに、隣合う半田バンプ間には凹版の凹部でない部分が
位置して、半田が流れたり広がったりすることを防止す
るので、半田バンプ同士が接合してショートするいわゆ
る半田ブリッジが発生しない。従って、半田バンプ間の
ピッチが狭いときでも半田ブリッジが生じない利点があ
る。
【００２８】請求項２の発明では、基板の表側及び裏側
に、凹部に半田ペーストを充填した凹版を各々重ね、そ
の状態で加熱して半田ペーストを溶融させることによ
り、基板の両側のパッド上に一度に半田バンプを形成す
る。従って、両側に半田バンプを有する基板を容易かつ
安価に製造できる。
【００２９】請求項３の発明では、基板の表側に使用す
る半田ペーストと、裏側に使用する半田ペーストとの融
点が異なる。従って、表側に形成される半田バンプと裏
側に形成される半田バンプとの融点が異なるものとする
ことができる。このようにした基板は、融点の違いを利
用して、基板の表側あるいは裏側の融点の高い半田バン
プを溶融して第１の電子部品（例えば集積回路チップ、
チップ部品、基板等）を接合し、その後、融点の低い半
田バンプのみを溶融する温度で第２の電子部品を接合す
ると、融点の高い半田バンプで接合した第１の電子部品
の脱落やずれ等を防ぎつつ、容易に表側及び裏側に電子
部品を接合することができる。
【００３０】尚、融点の低い半田ペーストを融点の高い
半田ペーストが溶融する温度まで加熱し、融点の低い半
田バンプを形成することになるが、このようにしても特
に問題はない。請求項４の発明では、基板の表側にフリ
ップチップ実装用の融点の高い半田バンプが形成される
と共に、基板の裏側にはプリント基板接合用の融点の低
い半田バンプが形成されるので、両側の半田バンプが一
挙に形成される。
【００３１】これにより、集積回路チップを表側に実装
する場合に、通常は集積回路チップの実装後に行なう基
板の裏側にプリント基板接合用の融点の低い半田バンプ
を設ける工程が省略でき、また、この際に集積回路チッ
プが加熱されるのを省くことができる。即ち、本発明で
は、一度に基板の両側に半田バンプを形成することがで
きるので、集積回路チップが熱を受ける回数を低減する
ことができる。例えば集積回路チップの搭載時とプリン
ト基板の接合時の２回に低減できる。
【００３２】請求項５の発明では、寸法の異なる複数の
凹部を有する凹版を使用して、一つのパッド上に寸法の
異なる複数の半田バンプを形成する。つまり、基板上に
異なる寸法（形状や大きさ）の半田バンプを形成する場
合には、凹版に設けられた凹部の形状や大きさを変更す
ればよいので、そのような半田バンプの形成が極めて容
易である。
【００３３】請求項６の発明では、凹部の寸法を適宜設
定することにより、形成される半田バンプを略球状とす
ることが可能である。尚、パッドの面積に対して使用す
る半田の量が少ない場合等には、半田バンプは半球状等
の形状となる。請求項７の発明では、凹部の寸法を適宜
設定することにより、形成される半田バンプの頂部を平
坦とすることが可能である。また、それと共に、平坦部
分の面積を適宜設定することが可能である。
【００３４】特に、半田バンプの頂部に高さが揃うよう
に各々の凹部の底面が共通の平面上にあるように形成す
る場合、即ち例えば凹版の上平面から凹部の底面までの
深さを一定に設定する場合には、半田ペーストの充填量
やパッドの大きさ等に多少のバラツキがあったり基板が
反っていたとしても、半田バンプの高さが揃うので、コ
ーポラナリティーを低減することができる。
【００３５】従って、例えばこの半田バンプを設けた基
板と集積回路チップ又はプリント基板とを向い合わせた
場合には、半田バンプは相手の集積回路チップ又はプリ
ント基板のパッド等と完全に接触するか或は半田付けが
可能な位置まで近接する。そして、半田バンプを再溶融
（リフロー）すると、表面張力で球状になろうとしてバ
ンプ頂部の高さが高くなり、相手側のパッド等に近づき
接触するので、確実に接合することができる。
【００３６】また、コーポラナリティが小さい場合に
は、基板の導通検査や絶縁検査においても、プローブは
所定のあるいは全ての半田バンプに接触することがで
き、よって、確実な検査を行なうことができる。請求項
８の発明では、まず、基板の表側にフリップチップ実装
用の半田バンプを形成し、その後、この半田バンプに集
積回路チップを実装（接合）すると同時に、基板の裏側
に表側半田バンプより融点の低い半田ペーストでプリン
ト基板接合用の半田バンプを形成する。
【００３７】従って、プリント基板接合用の半田バンプ
を別途設ける工程を要しないので、安価に製造すること
ができる。その上、集積回路チップに熱のかかる回数を
減らすことができる。請求項９の発明では、凹版の凹部
に金属製ボールを配置してから、低融点の半田ペースト
を充填し、凹版と基板とを重ねた状態で所定温度で加熱
するので、半田ペースト中の半田のみを溶融させて、半
田を金属製ボールの外周に凝着させることができる。そ
れにより、内部に高融点の金属製ボールを含み外周に低
融点の半田を備えた半田バンプを形成することができ
る。
【００３８】この金属製ボールは、半田が溶融する温度
でも溶融しないので、例えばこの半田バンプを備えた基
板をプリント基板上に載置し、接合のために加熱する場
合でも、半田バンプは潰れることはない。
【００３９】
【実施例】次に、本発明の半田バンプを有する基板の製
造方法の実施例について説明する。ここでは、集積回路
チップ（ＬＳＩ素子、以下単にフリップチップと称す）
をフェースダウンで実装するための樹脂製の回路基板
（フリップチップ搭載用基板、以下単に配線基板と称
す）、即ち、フリップチップをフリップチップ法によっ
て接合するための配線基板の製造方法について述べる。 （実施例１）本実施例は、配線基板の上面に、均一な寸
法の、従って高さの揃った半田バンプを形成するもので
ある。
【００４０】図１（ａ）に示すように、本実施例の製造
方法にて半田バンプ１を配線基板３は、外径が約２５ｍ
ｍ角、板厚約１ｍｍの樹脂製の多層配線基板である。 まず、半田バンプ１を形成する対象となる配線基板３
を製造する場合には、図１（ｂ）に拡大及び破断して示
すように、まず、ＢＴコア基板５上にエポキシ樹脂によ
る絶縁層７を形成すると共に、ＢＴコア基板５及び絶縁
層７にわたって、無電界Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキ
を用いたセミアディティブ法によってＣｕ内部配線９を
形成して積層する。尚、Ｃｕ内部配線９の形成法として
は、サブトラクティブ法やフルアディティブ法によって
もよい。
【００４１】次に、配線基板３の最表面では、前記Ｃ
ｕ内部配線９と接合されるＣｕ配線１１の耐食のため及
び半田との密着性を向上させるために、無電解Ｎｉ−Ｐ
メッキによって約３μｍのＮｉ−Ｐ層１３を形成し、更
にその上に、無電解Ａｕメッキによって約０．１μｍの
Ａｕ層１５を形成して、Ｎｉ−Ｐ層１３及びＡｕ層１５
からなる下地導電性パッド（以下単にパッドと称す）１
７を作成する。尚、その他の部位には、アクリルやエポ
キシ樹脂などにより、ソルダーレジスト層１９を形成す
る。
【００４２】尚、上述したメッキ方法は、周知の多層プ
リント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない
（例えば、「多層プリント配線板ステップ３６５」；藤
平・藤森共著；工業調査会；１９８９年発行参照）。 次に、図２に模式的に示すように、パッド１７と同じ
配列に凹部２１を形成したステンレス製の凹版２３に対
し、３７Ｐｂ−６３Ｓｎの共晶半田ペースト（融点約１
８３℃）２５を、スキージ印刷（スキージ２４を用いて
充填）する。
【００４３】前記凹版２３の材質は、半田に濡れないス
テンレスやチタン等の金属又は窒化珪素等のセラミック
である。また、凹部２１は、エッチングやＮＣ加工機に
よって形成され、その底面（平面）２１ｃの平坦度は例
えば０．１μｍ／ｍｍである。この凹部２１の深さは、
後述する溶融によって半田バンプ１を形成する際に、球
状となろうとする半田の頂部が底面２１ｃに接すること
で、半田バンプ１の頂部の高さを所定値に規制し平坦化
するような値に設定されている。尚、前記半田ペースト
２５は、体積の５０％が半田であり残り５０％がフラッ
クスである。
【００４４】次に、配線基板３の表面（図示上面）
に、凹部２１を下に向けて凹版２３を載置する。このと
き、凹版２３は、各パッド１７と各凹部２１が一致する
ように配置され、ずれないように図示しない治具により
固定される。 次に、この配線基板３に凹版２３を載置した状態で、
図示しないリフロー炉内に配置して、半田の融点（この
場合は１８３℃）より１０〜４０℃高い温度（例えば２
００℃）に加熱し、その後冷却し、最後に凹版２３を取
り除く。
【００４５】これによって、配線基板３のパッド１７上
に、高さが揃うと共にその頂部が平坦とされた半田バン
プ１が複数形成される。例えば図１（ｂ）に示す２つの
半田バンプ１は、パッド１７の下にビアがある場合と無
い場合を示しているが、いずれの場合も、バンプ１の高
さは同じにできる。これは、半田バンプ１の頂部を平坦
化することにより、所要半田ペースト量のバラツキを吸
収できるからである。
【００４６】このように、本実施例によれば、配線基板
３上に、（半田ペースト２５を充填した）凹部２１が下
に向くように凹版２３を配置して、半田ペーストを溶融
することにより、溶融時に複数の半田バンプ１の頂部を
一括して平坦化すると共に、半田バンプ１の高さを揃え
ることができる。特に、この半田バンプ１の高さの設定
は、凹部２１の深さを設定すればよいので極めて容易で
ある。
【００４７】これにより、半田バンプ１のコーポラナリ
ティーを小さくすることができ、よって、配線基板３と
フリップチップやプリント基板との接合性を高めること
ができると共に、導通検査や絶縁検査等も確実に行なう
ことができるという利点がある。
【００４８】また、半田バンプ１の頂部が平坦である
と、画像認識による頂部の位置検出や高さ測定が容易で
あるので、コーポラナリティの測定が簡易化されるとい
う効果がある。尚、本実施例の構成に代えて、下記(1)
〜(3)の構成を採用できる。
【００４９】(1)本実施例では、配線基板３の一方の側
に形成する半田バンプ１の高さを揃えるために、同じ寸
法（深さや径）の凹部２１を複数形成した凹版２３を使
用したが、それとは別に、高さが異なる半田バンプを形
成する場合には、図３に示すように、異なる寸法（深さ
や径）の凹部３１を有する凹版３３を使用して、配線基
板３５上に、異なる大きさの半田バンプ３７を、一度の
加熱・溶融により形成してもよい。
【００５０】(2)本実施例では、配線基板３の表面側
に、凹部２１を下に向けて凹版２３を接するように配置
したが、これとは逆に、配線基板３の裏面側に、凹部２
１を上に向けて凹版２３を接するように配置してもよ
い。但し、この場合は、溶融時に半田がパッド１７に接
することができるように、凹部２１の寸法（深さや内
径）及び半田ペースト２５の量を設定する必要がある。
【００５１】(3)本実施例では、頂部を平坦とした半田
バンプ１を形成したが、凹部２１の寸法（深さや内径）
及び充填する半田ペースト２５の量を適宜設定すること
により、球状や半球状等の他の形状の半田バンプを容易
に形成することができる。その点を、下記の実験例にて
説明する。 ＜実験例１＞次に、前記実施例１と同様な方法にて半田
バンプを形成する場合の実験例について述べる。
【００５２】本実験例に使用する配線基板のパッド径
は、φ０．２０ｍｍとした。そして、下記表１の寸法及
び図４に示す形状の凹部を形成し、その凹部に半田ペー
ストを充填し、半田ペーストを溶融して半田バンプを形
成した。その結果を、同じく表１及び図４に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】前記表１及び図４から明かなように、半田
ペーストは、体積の５０％が半田で残り５０％がフラッ
クスであるので、半田ペーストの溶融後には、半田バン
プの体積は印刷した半田ペーストの半分になる。このと
き、半田は表面張力が大きいため、球状になろうとし
て、凹部の形状や半田ペースト（即ち半田）の体積に応
じて、図４に示すような形状となる。
【００５５】つまり、試料No.１の場合は、半田バンプ
は背の低い半球状となり、試料No.２の場合は、半田バ
ンプはほぼ真球状となり、試料No.３の場合（即ち前記
実施例１と同様な場合）は、頂部が平坦となって樽状と
なる。特に、試料No.３のように凹部の寸法が設定され
ている場合は、コーポラナリティはほぼ０となり、基板
に反りが無いとすると、個々の半田バンプの高さは全て
正確に凹部の深さ（０．２５ｍｍ）と同じになる。 ＜実験例２＞本実験例では、表２及び図５に示すよう
に、（Ａ）パッド径小、（Ｂ）パッド径大、（Ｃ）ビア
有り、（Ｄ）引出し線有りのパッドが混在する配線基板
を作成し、各パッド上に、半田バンプを形成した。具体
的には、前記実施例１と同様にて、各種の寸法の凹部を
有する凹版を使用して半田バンプを形成した。そして、
比較のために、従来例として、各パッド上に、φ２００
μｍ、共晶半田からなる半田ボール（融点１８３℃）を
載せて溶融させて、半田バンプを形成した。その結果
を、表２及び図５（ｂ），（ｃ）に示す。
【００５６】
【表２】
【００５７】表２及び図５（ｂ），（ｃ）から明かなよ
うに、前記実施例１のような凹版を使用して半田バンプ
を形成した場合には、半田バンプの高さは凹版の凹部の
深さによって決まるので、１５０μｍと均一になった。
それに対して、従来例では、半田バンプの高さが１００
〜１８０μｍと不均一となるので、フリップチップやプ
リント基板との接合性が悪い。 ＜実験例３＞本実験例では、凹版の凹部の寸法と半田バ
ンプの高さとの関係を確認する実験を行った。
【００５８】具体的には、前記実施例１で使用したよう
な凹版を用いると共に、その凹部の寸法を変更して、寸
法や形状の異なる各種の半田バンプを作成した。その結
果を、表３及び図６〜図９に示すが、図６は実験で作成
した全ての半田バンプを、凹部穴径及び凹部深さに分け
て分類して示したものであり、図７〜図９が個々の半田
バンプの作成方法を示したものである。
【００５９】また、本実験例(1)〜(15)では、パッド径
を１５０μｍとしたが、パッド径が異なる場合でも、パ
ッド径に応じて比例計算により凹版の凹部の寸法を決定
することができる。例えば、図９の(16)は、パッド径
１．５ｍｍとした例であり、その凹部及び半田バンプの
形状は、図８(8)と相似である。尚、図７〜図９の(1)〜
(6)、(8)、(9)、(12)が半田バンプの頂部が平坦となっ
たものである。
【００６０】
【表３】
【００６１】この表３及び図６〜図９から明かなよう
に、凹部穴径及び凹部穴深さを変更することにより、所
望の寸法及び形状の半田バンプを作成することができ
る。・次に、前記実験例３の実験結果に基づいて、凹版
の穴径及び深さと半田バンプの形状について述べる。
【００６２】ここで、確実に半田バンプ頂部を平坦化し
て高さのバラツキをなくし、且つパッドから過剰の半田
がこぼれ落ちないことを目的とする場合には、特に半田
バンプの形状が、前記図７の(5)及び図８の(12)のよう
に、半田バンプの頂部の平坦部径とパッド径が等しい樽
形が望ましいので、樽型にする寸法の求め方を以下に説
明する。
【００６３】図１０に示すように、半田バンプを樽型と
するために、凹版の凹部の寸法を、穴径２Ｌ、深さＴ、
穴体積２Ｓとすると共に、形成される半田バンプの寸法
を、バンプ高さＴ、平坦部径２ｒ、バンプ径２Ｒ、パッ
ド径２ｒ、バンプ体積Ｓとする。
【００６４】尚、半田バンプは、表面張力により球状に
なろうとするので、前記図１０に示すように、球の上下
を均一に削除した形状となる。また、半田ペースト中の
半田体積は、一般に５０％である。更に、凹部の深さ
は、半田バンプの高さと等しいので、前記のようにＴと
なる。
【００６５】まず、バンプ体積Ｓは、下記式（１）で示
され、凹部の体積２Ｓは、下記式（２）で示される。但
し、πは円周率。 Ｓ＝（ｒ2×Ｔ＋Ｔ3／６）×π …（１） ２Ｓ＝Ｌ2×π×Ｔ …（２） 従って、前記式（１），（２）から凹部穴径２Ｌが、下
記式（３）から求まり、ピタゴラスの定理から、バンプ
径２Ｒが下記式（４）で求まる。
【００６６】 ２Ｌ＝２×（２×ｒ2＋Ｔ2／３）1/2 …（３） ２Ｒ＝２×（ｒ2＋Ｔ2／４）1/2 …（４） 尚、パッドにビアがある場合は、前記式（１）のＳにビ
ア部体積を足して、前記式（１），（２）を解けば、同
様に凹部の穴径及びバンプ径が求まる。
【００６７】ここで、凹部の寸法については、下記，
の制約がある。隣接する凹部には、壁（厚さＷ＞
０）が存在すること。これは、図１１（ａ）からも判る
ように、凹版の凹部の直径を大きくしてゆくと、隣の凹
部との境（壁）が無くなり、リフロー後に半田ブリッジ
が生ずる恐れがあるからである。
【００６８】従って、凹版の穴径２Ｌの限度は、下記式
（５）で示される。 ２Ｌ＜２ｒ＋２Ｄ …（５） よって、前記式（３），（５）から、凹版の穴深さ（＝
バンプの高さ）Ｔの限度は、下記式（６）で示される。
【００６９】 Ｔ＜（３Ｄ2＋６ｒＤ−３ｒ2）1/2 …（６） 形成されたバンプ径が、パッド径２ｒと隣接パッド間
距離２Ｄの半分（Ｄ）の合計以下であることが望まし
い。これは、図１１（ｂ）に示すように、形成されたバ
ンプが、ボリューム過多の場合には、隣接パッドとブリ
ッジする恐れがあるからである。
【００７０】従って、まず、バンプ径２Ｒは、下記式
（７）で示される。 ２Ｒ＜２ｒ＋Ｄ …（７） よって、前記式（４），（７）から、凹版の穴深さ（＝
バンプの高さ）Ｔの限度は、下記式（８）で示される。
【００７１】 Ｔ＜（４ｒＤ＋Ｄ2）1/2 …（８） このように、凹版の形状等は、前記式（６）〜（８）を
満足するように選択する必要がある。 （実施例２）次に、実施例２について説明する。
【００７２】本実施例は、配線基板の両面に一度に半田
バンプを形成するものである。尚、前記実施例１と同様
な部分の説明は、省略又は簡略化する。以下、本実施例
の配線基板をその製造方法と共に説明する。 図１２に模式的に示すように、前記実施例１と同様な
材料及び前記実施例１の，と同様な工程にて、配線
基板４１の表面（図中上面）及び裏面（図中下面）に、
各々パッド４３，４５を形成する。尚、表面に形成する
半田バンプ４７よりも裏面に形成する半田バンプ４９の
方が大きいので、表面側のパッド４３より裏面側のパッ
ド４５の方がその径が大である。
【００７３】次に、配線基板４１の各面のパッド４
３，４５と同じ配列に各々凹部５１，５３を形成したス
テンレス製の表面用及び裏面用の凹版５５，５７に対
し、凹版５５にはＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高温半田ペ
ースト（融点３０１℃）５９ａを、凹版５７には前記実
施例１で用いた共晶半田ペースト５９ｂをそれぞれスキ
ージ印刷する。尚、ここでは、表面用の凹版５５の凹部
５１の寸法よりも、裏面用の凹版５７の凹部５３の寸法
（深さ及び内径）の方が大きくされている。
【００７４】次に、表面用及び裏面用の凹版５５，５
７を、各凹部５１，５３と各パッド５３，５５とが一致
するように、各々配線基板４１の表面及び裏面に配置
し、図示しない治具で固定する。 次に、この配線基板４１の両側に凹版５５，５７を配
置した状態で、図示しないリフロー炉内に配置して、高
温半田ペースト５９ａの融点に合わせ約３２０℃に加熱
して両半田ペースト５９ａ，５９ｂを溶融させ、その後
冷却する。
【００７５】そして、両凹版５５，５７を取り除く
と、配線基板４１の両側に、大きさが異なりかつ融点の
異なる半田バンプ４７，４９が完成する。尚、ここで
は、配線基板４１の表面側の半田バンプ４７及び裏面側
の半田バンプ４９と共に、その頂部が平坦とされてい
る。
【００７６】このように、本実施例によれば、配線基板
４１の両側に、（両半田ペースト５９ａ，５９ｂを充填
した）凹部５１，５３が基板側に向くように各凹版５
５，５７を配置して、両半田ペースト５９ａ，５９ｂを
溶融することにより、１回の溶融で、配線基板４１の両
側に、各々の面において高さの揃った半田バンプ４７，
４９を形成することができる。また、融点の異なる、即
ち表面側には融点が高い半田バンプ４７、裏面側には融
点の低い半田バンプ４９が、一挙に形成できる。
【００７７】特に本実施例では、表面側と裏面側に使用
する凹版５５，５７の凹部５１，５３の寸法を違えてい
るので、例えばフリップチップ接合用の表面側の小さい
な半田バンプ４７と、例えばプリント基板接合用の大き
な半田バンプ４９を一度に形成できるという利点があ
る。尚、表面側の半田バンプ４７の高さは５０μｍであ
り、裏面側の半田バンプ４９の高さは４００μｍであっ
た。これは、前記各凹版５５，５７の凹部５１，５３の
深さと一致している。
【００７８】これによって、フリップチップが加熱され
る回数が少なくなるので（例えば２回に減少する；フリ
ップチップ搭載時及びプリント基板接合時）、配線基板
４１に実装したフリップチップに熱による悪影響を及ぼ
す可能性が低減するという効果がある。
【００７９】また、配線基板４１自身に関しても、配線
基板４１が加熱される回数が少なくなるので（例えば３
回に減少する；半田バンプ形成時、フリップチップ搭載
時、プリント基板接合時）、配線基板４１の熱による品
質劣化等が低減するという効果がある。
【００８０】尚、本実施例では、フリップチップの実装
に先立ち、配線基板４１の両側に、フリップチップ実装
用の半田バンプ４７及びプリント基板接合用の半田バン
プ４９を、一度に形成する方法について述べたが、その
他、下記のような応用例が挙げられる。
【００８１】即ち、まず、配線基板の表面側に、凹版及
びそれに充填する高温半田ペーストにより、フリップチ
ップ実装用の半田バンプを形成する。次に、フリップチ
ップをこの表面側の半田バンプ上に載置すると共に、配
線基板の裏面に共晶半田ペーストを凹部に充填した凹版
を重ねる。この状態で、高温半田が再溶融する（従っ
て、当然共晶半田ペーストも溶融する）約３２０℃に加
熱し、配線基板の表面側にフリップチップを実装すると
共に、裏面側に共晶半田からなるプリント基板接合用の
半田バンプを形成する。
【００８２】この場合も、フリップチップや配線基板に
熱がかかる回数を減らすことができる。 （実施例３）次に、実施例３について説明する。
【００８３】本実施例は、前記実施例２と同様に、配線
基板の両面に一度に半田バンプを形成するものである
が、高温半田ボールを用いる点に特徴がある。尚、前記
実施例１と同様な部分の説明は、省略又は簡略化する。
本実施例では、樹脂製の配線基板の表面に低融点の共晶
半田ペーストを塗布すると共に、裏面に半田共晶ペース
ト及び高温半田ボールを配置し、一度の加熱によって、
表面にフリップチップ接合用の半田バンプを形成すると
共に、裏面にプリント基板接合用の半田バンプを形成
し、その後、フリップチップを搭載する。尚、以下、接
合されるフリップチップは、外径約１２.５×１８ｍ
ｍ、板厚約０.４ｍｍのＳｉ製である。
【００８４】以下、本実施例の配線基板をその製造方法
と共に説明する。 前記実施例２のと同様な工程にて、配線基板の表面
及び裏面に、各々パッド（以下、パッドは図示しない）
を形成する。 次に、図１３に示すように、配線基板６１の表側のパ
ッド（図示せず）上に、３７Ｐｂ−６３Ｓｎの共晶半田
ペースト（融点１８３℃）を周知の印刷法で塗布し、共
晶半田ペースト層６３を形成する。
【００８５】尚、共晶半田ペースト層６３を形成する方
法としては、この方法以外に、凹版印刷法、半田ボール
搭載法、半田プリフォーム搭載法などを採用できる。 一方、裏側の半田バンプ７５の大きさに応じた凹部６
５を有する凹版６７を用いて、裏側の半田バンプ７５を
形成するための作業を行なう。
【００８６】具体的には、直径２．２ｍｍ、深さ１．５
ｍｍの凹部６５が配線基板６１の裏側のパッドと同じ配
置で設けられたステンレス製の凹版６７を用い、その凹
部６５に直径１．５ｍｍ、組成Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％の
高温半田ボール（融点３１４℃）を入れ、更に、凹部６
５にスキージ印刷で表側と同様な共晶半田ペーストを充
填する。
【００８７】次に、配線基板６１の表側に、形成され
る半田バンプ７３の高さを規制するために、左右に脚部
７７ａ（高さ５０μｍ）を有する平坦な表側バンプ高さ
規制部材７７を配置する。それと共に、配線基板６１の
裏側に、前記凹版６７を凹部６５と裏側のパッドとが一
致するように密着させて配置する。
【００８８】この状態で、最高温度２２０℃のリフロ
ー炉に通し、表側及び裏側にある共晶半田のみを溶融さ
せて、その後冷却する。これによって、配線基板６１の
表側に、頂部が平坦になったフリップチップ接合用の半
田バンプ７３（高さ５０μｍ）を形成すると共に、裏側
に、頂部が平坦となったプリント基板接合用の大径の半
田バンプ７５（高さ１．５ｍｍ）を形成する。尚、プリ
ント基板接合用の半田バンプ７５は、高温半田ボール６
９の周囲を共晶半田が覆う構造をしている。
【００８９】次に、両面に半田バンプ７３，７５を有
する配線基板６１に、フリップチップ７１を接合する。
尚、フリップチップ７１は、外径約１２.５×１８ｍ
ｍ、板厚約０.４ｍｍのＳｉ製である 具体的には、例えば平坦なアルミナセラミックからなる
基板７９の上に、両面に半田バンプ７３，７５を有する
配線基板６１を載置し、更に、表側の半田バンプ７３の
上に（接合部分の位置合わせをして）フリップチップ７
１を載置する。そして、この状態で、最高温度２２０℃
のリフロー炉に通し、表側の半田バンプ７３を溶融させ
て、フリップチップ７１と配線基板６１の接合を行な
う。
【００９０】このとき、裏側の半田バンプ７５のうち、
溶融温度の低い共晶半田のみが溶融するが、基板７９が
その下側に配置されているので、半田バンプ７５は落下
しない。また、高温半田ボール６９は溶融しないので、
半田バンプ７５が潰れることもない。
【００９１】その後、冷却して、基板７９を除去すれ
ば、配線基板６１の表側にフリップチップ７１を実装す
ると共に、裏側に半田バンプ７５を備えた配線基板６１
が完成する。尚、基板７９は、半田が付着し難い材料で
形成されているので、冷却後に基板７９を除去する際
に、半田バンプ７５が接着して剥がれることはない。
【００９２】このように、本実施例によれば、配線基板
６１の表側に共晶半田ペースト層６３を形成し、裏側に
は（共晶半田ペーストに覆われた高温半田ボール６９が
充填された）凹部６５が配線基板６１側に向くように凹
版６７を配置して、加熱することにより、１回の溶融
で、配線基板６１の両側にそれぞれ高さの揃った半田バ
ンプ７，７５を形成することができる。
【００９３】つまり、本実施例では、表側のフリップチ
ップ接合用の融点が低く且つ寸法の小さな半田バンプ７
３と、裏側のプリント基板接合用の融点が高く且つ寸法
の大きな半田バンプ７５とを、一度の加熱で形成するこ
とができる。また、これによって、フリップチップ７１
や配線基板６１が加熱される回数が少なくなるので、フ
リップチップ７１や配線基板６１の熱による悪影響が低
減するという効果がある。具体的には、フリップチップ
７１については、例えばフリップチップ搭載時及びプリ
ント基板接合時の２回に減少する（従来は３回）。ま
た、配線基板６１についても、例えば半田バンプ形成
時、フリップチップ搭載時及びプリント基板接合時の３
回に減少する（従来は４回）。
【００９４】更に、本実施例では、平坦な基板７９上
に、フリップチップ７１を搭載した配線基板６１を配置
するので、フリップチップ７１の接合の際の加熱によっ
て、裏側の半田バンプ７５の共晶半田が溶融するので、
半田バンプ７３の項部のコーポラナリティが小さくな
り、プリント基板（図示せず）との接合性が向上すると
いう利点がある。
【００９５】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 （１）例えば、前記実施例１では、配線基板３の一方の
側に半田バンプ１を形成する場合について述べ、実施例
２では、配線基板３１の両側に一度に半田バンプ３７，
３９を形成する場合について述べたが、前記実施例１の
手法を２回繰り返して、配線基板の両側に順次半田バン
プを形成してもよい。また、その半田バンプは、フリッ
プチップ実装用であってもプリント基板との接合用であ
ってもよいことは勿論である。
【００９６】（２）前記配線基板の材料としては、樹脂
以外に、アルミナ等のセラミックスを採用することもで
きる。 （３）前記各実施例で使用する半田の材質としては、用
途に応じて、Ｐｂ９０％半田などの高融点半田や、Ａｇ
やＩｎ入り半田等どれでも使用可能である。また、半田
に含まれるフラックスの種類も、（還元性の小さなもの
から）Ｒタイプ、ＲＭＡタイプ、ＲＡタイプのどれでも
使用できる。尚、ここでは、バンプ材料として、通常、
半田と称されるＰｂ−Ｓｎ系のろう材以外に、Ａｕ−Ｓ
ｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系等の合金も使用できる。
【００９７】（４）前記パッド上の半田の付与方法とし
ては、上述した半田ペーストの印刷による方法以外に、
ディスペンサーを用いて半田ペーストを凹部に滴下（注
入）する方法を採用することができる。また、メタルマ
スク、スクリーンマスクを用いて、印刷することもでき
る。
【００９８】（５）前記凹版の凹部は、エッチングやＮ
Ｃ加工機によって形成した例を示したが、その他、凹部
に対応する貫通穴を設けたステンレス板と平板状のステ
ンレス板とを貼り合わせる方法や、凹部に対応する貫通
穴を設けたセラミックグリーンシートを平板状のグリー
ンシートを積層後焼成する方法によって、凹部を有する
凹版を形成してもよい。
【００９９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半田バン
プを有する基板の製造方法によれば、半田バンプ形成用
の凹部を有する凹版を用いて基板のパッド上に半田バン
プを形成するので、所望の高さ及び形状の半田バンプ
を、必要な形成位置に容易に形成することができる。特
に、本発明では、基板によって変化する半田バンプの高
さを揃えるために、所望の形状とするように各凹部の内
径と深さとを設定するので、例えば半田バンプの頂部を
平坦にするようにして、コーポラナリティを低減できる
という利点がある。
【０１００】また、基板の表側にフリップチップ実装用
の半田バンプを形成した後に、基板の表側にフリップチ
ップを実装すると共に、基板の裏側にプリント基板接合
用の半田バンプを形成する場合には、フリップチップの
加熱回数を低減することができる。
【０１０１】さらに、内部に高融点の金属製ボールを含
み外周に低融点の半田を備えた半田バンプを形成する場
合には、この半田バンプを備えた基板をプリント基板上
に載置し、接合のために加熱する場合でも、半田バンプ
は潰れることはない
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１の半田バンプを有する配線基板を示
し、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその一部を拡大して
示す断面図である。
【図２】 実施例１の半田バンプを有する配線基板の製
造方法を示す説明図である。
【図３】 その他の半田バンプを有する配線基板の製造
方法を示す説明図である。
【図４】 実験例１の半田ペーストの充填状態と半田バ
ンプの形状との関係を示す説明図である。
【図５】 実験例２のパッドの形状と半田バンプの形状
との関係を示す説明図である。
【図６】 実験例３の凹部の寸法と半田バンプの形状と
の関係を示す説明図である。
【図７】 実験例３の凹部の形状と半田バンプの形状と
の関係を示す説明図である。
【図８】 実験例３の凹部の形状と半田バンプの形状と
の関係を示す説明図である。
【図９】 実験例３の凹版の凹部の形状と半田バンプの
形状との関係を示す説明図である。
【図１０】 樽形状の半田バンプを形成するための寸法
を示す説明図である。
【図１１】 凹部の寸法の制約を示す説明図である。
【図１２】 実施例２の半田バンプを有する配線基板の
製造方法を示す説明図である。
【図１３】 実施例２の半田バンプを有する配線基板の
製造方法を示す説明図である。
【図１４】 従来技術を示す説明図である。
【符号の説明】
１，３７，４７，４９，７３，７５…半田バンプ ３，３５，４１，６１…配線基板 １７，４３，４５…パッド ２１，３１，４１，５１，５３，６５…凹部 ２３，３３，４５，５５，５７，６７…凹版 ２５，５９ａ，５９ｂ…半田ペースト ６９…高温半田ボール
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−69282（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−252152（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307341（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−172259（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−32283（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−30014（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−204322（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−213505（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−237963（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 23/12 H05K 3/34

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の複数の半田バンプ用パッドに対応
    する位置に形成された複数の凹部を有する凹版を用い
    る、半田バンプを有する基板の製造方法であって、 前記基板によって変化する半田バンプの高さを所望の値
    に揃えるために、前記半田バンプの形状が、略球状、頂
    部が平坦な形状、及び平坦部面積を規定した頂部が平坦
    な形状のうちの所望の形状となるように、前記各凹部の
    内径と深さとを設定して、前記各凹部に半田ペーストを
    充填し、該各凹部を前記パッドの位置に合わせるように
    前記凹版と前記基板とを重ね、その状態で加熱して半田
    ペーストを溶融し、その後冷却した後に前記凹版を除去
    することにより、 前記各パッド上に前記各半田バンプの高さを揃えるよう
    にして、前記所望の形状の半田バンプを形成することを
    特徴とする半田バンプを有する基板の製造方法。
  2. 【請求項２】 基板の複数の半田バンプ用パッドに対応
    する位置に形成された複数の凹部を有する凹版の該凹部
    に半田ペーストを充填し、該凹部を前記パッドの位置に
    合わせるように前記凹版と前記基板とを重ね、その状態
    で加熱して半田ペーストを溶融し、その後冷却した後に
    前記凹版を除去することにより、前記パッド上に半田バ
    ンプを形成する半田バンプを有する基板の製造方法であ
    って、 表側および裏側に半田バンプ用パッドが形成された基板
    に、前記凹部に半田ペーストを充填した凹版を前記基板
    の表側および裏側からそれぞれ重ね、その状態で加熱し
    て半田ペーストを溶融し、その後冷却することにより、 前記表側および裏側のパッドに複数の半田バンプを形成
    することを特徴とする半田バンプを有する基板の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記基板の表側から重ねる前記凹版の凹
    部に充填した半田ペーストの融点と、前記基板の裏側か
    ら重ねる前記凹版の凹部に充填した半田ペーストの融点
    とが異なることを特徴とする前記請求項２に記載の半田
    バンプを有する基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記基板の表側から重ねる前記凹版の凹
    部の寸法を小さくすると共に、前記基板の裏側から重ね
    る前記凹版の凹部の寸法を大きくし、該裏側から重ねる
    凹版の凹部には前記表側から重ねる凹版の凹部に充填さ
    れる半田ペーストより融点が低い半田ペーストを充填す
    ることにより、 前記基板の表側にはフリップチップ実装用の寸法の小さ
    な半田バンプを形成すると共に、前記基板の裏側にはプ
    リント基板接合用の寸法が大きく且つ前記表側の半田バ
    ンプより融点の低い半田バンプを形成することを特徴と
    する前記請求項３に記載の半田バンプを有する基板の製
    造方法。
  5. 【請求項５】 前記凹版に形成された複数の凹部の寸法
    を異ならせることにより、 前記パッド上に寸法の異なる複数の半田バンプを形成す
    ることを特徴とする前記請求項２〜４のいずれかに記載
    の半田バンプを有する基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記凹部の寸法が、形成される半田バン
    プが略球状となる値に設定されていることを特徴とする
    前記請求項２〜５のいずれかに記載の半田バンプを有す
    る基板の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記凹部の寸法が、形成される半田バン
    プの頂部が平坦となる値に設定されていることを特徴と
    する前記請求項２〜５のいずれかに記載の半田バンプを
    有する基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 基板表側のフリップチップ実装用の半田
    バンプ用パッドに対応する位置に形成された複数の第１
    凹部を有する第１凹版の該第１凹部に、表側用半田ペー
    ストを充填し、該第１凹部を前記フリップチップ実装用
    の半田バンプ用パッドの位置に合わせるように前記第１
    凹版と前記基板とを重ね、その状態で加熱して前記表側
    用半田ペーストを溶融し、その後冷却した後に前記第１
    凹版を除去することにより、 前記基板表側に複数のフリップチップ実装用の半田バン
    プを形成し、 更に、該フリップチップ実装用の半田バンプ上に集積回
    路チップを重ねると共に、 基板裏側のプリント基板接合用の半田バンプ用パッドに
    対応する位置に形成された複数の第２凹部を有する第２
    凹版の該第２凹部に、前記表側用半田ペーストより融点
    の低い裏側用半田ペーストを充填し、該第２凹部を前記
    プリント基板接合用の半田バンプ用パッドに位置に合わ
    せるように前記第２凹版と前記基板とを重ね、その状態
    で加熱して前記裏側用半田ペーストを溶融し、その後冷
    却した後に該第２凹版を除去することにより、 前記集積回路チップを前記基板表側に接合すると共に、
    前記基板裏側に複数のプリント基板接合用の半田バンプ
    を形成することを特徴とする半田バンプを有する基板の
    製造方法。
  9. 【請求項９】 基板の複数の半田バンプ用パッドに対応
    する位置に形成された複数の凹部を有する凹版の該凹部
    に半田ペーストを充填し、該凹部を前記パッドの位置に
    合わせるように前記凹版と前記基板とを重ね、その状態
    で加熱して半田ペーストを溶融し、その後冷却した後に
    前記凹版を除去することにより、前記パッド上に半田バ
    ンプを形成する半田バンプを有する基板の製造方法であ
    って、 前記凹版の凹部にそれぞれ金属製ボールを配置し、その
    後、前記凹部に前記金属製ボールよりも融点の低い半田
    ペーストを充填し、前記凹部を前記パッドの位置に合わ
    せるように前記凹版と前記基板とを重ね、その状態で前
    記金属製ボールより低く且つ前記半田ペーストの融点よ
    り高い温度で加熱して該半田ペーストを溶融し、その後
    冷却した後に前記凹版を除去することにより、前記パッ
    ド上に半田バンプを形成することを特徴とする半田バン
    プを有する基板の製造方法。
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