JP3376708B2 - 半導体角度センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体角度センサ及び
それを用いたスロットル角度センサに関する。

【０００２】

【従来技術】特開平１−２４８０１０号公報は、ホール
素子式のスロットル角度センサにおいて、永久磁石の温
度係数とホール素子の温度係数とを反対極性として、出
力信号電圧の温度依存性を低減している。特開平３−７
７０１５号公報は、磁気抵抗素子式のスロットル角度セ
ンサにおいて、磁気抵抗素子に近接配置した温度補償抵
抗素子により磁気抵抗素子の温度依存性を低減すること
を開示している。特に、温度補償抵抗素子を磁気抵抗素
子に近接配置しているので、磁気抵抗素子の温度が急変
する場合などにおいても、温度補償抵抗素子の温度変化
が磁気抵抗素子の温度変化に素早く追従でき、両者の温
度差による出力誤差を低減することができる。

【０００３】特開平３−２１８４１３号公報は、磁気抵
抗素子式のスロットル角度センサにおいて、磁気抵抗素
子に給電する定電流回路の供給電流を温度補償抵抗素子
の温度による抵抗値変化により変更することを開示して
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最初の
公報のセンサでは、ホール素子の温度係数と逆でかつ傾
きの絶対値が等しい永久磁石を得るのが容易ではないの
で、ある程度は出力信号電圧の温度依存性を低減できる
ものの、温度変化に対して安定なセンサを得るのが容易
なことではなかった。

【０００５】また、次の公報のセンサでは、例えば、磁
気抵抗素子の温度急変に温度補償抵抗素子の温度変化が
追従するものの、永久磁石の磁束密度の温度変化率によ
る出力電圧の変化や、温度補償素子と永久磁石との温度
差による出力信号電圧の誤差を補償することができなか
った。本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、ホ
ール素子の出力電圧温度変化率（温度係数）及び永久磁
石の磁束密度の温度変化率の両方を良好に補償可能なホ
ール素子式の半導体角度センサを提供することを目的と
している。

【０００６】また、温度急変時などにおけるホール素子
と永久磁石との温度差の発生にもかかわらず、出力信号
電圧の温度依存性を良好に抑止可能な半導体角度センサ
を提供することを、その他の目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成の半
導体角度センサは、ハウジングと、前記ハウジングに固
定された回路基板と、前記回路基板に立設された支持柱
と、前記支持柱の立設方向に沿って延設される回動軸
と、前記支持柱に配設されて前記永久磁石の磁界に応じ
た信号電圧を発生するホール素子と、前記支持柱を中心
として回動可能に前記回動軸の先端部に固定されて前記
ホール素子の径方向外側を回動する永久磁石と、温度に
応じた信号を出力する温度補償素子と、前記温度補償素
子の出力に基づいて前記ホール素子の出力電圧温度変化
特性を補償する信号処理回路とを備え、前記温度補償素
子は、前記回動軸の径方向において前記回動軸の所定の
回動角範囲内にて前記永久磁石と前記ホール素子との間
に配設されるとともに前記回動軸の軸方向において前記
永久磁石および前記ホール素子に近接配置されているこ
とを備えていることを特徴としている。

【０００８】本発明の第２の構成は、上記第１の構成に
おいて更に、前記信号処理回路が、前記永久磁石の磁束
密度の温度変化率及び前記ホール素子の出力電圧温度変
化率の両方を補償するものである。本発明の第３の構成
は、上記第１又は２の構成において更に、前記温度補償
素子が、前記回動軸の径方向において前記回動軸の所定
の回動角範囲内にて前記永久磁石と前記ホール素子との
間に配設されることにより、基準温度に対する前記ホー
ル素子の温度差ΔT１と基準温度に対する前記永久磁石
の温度差ΔT２との間に保持される基準温度に対する温
度差ΔT３を有するものであることを特徴としている。

【０００９】本発明の第４の構成は、上記第１の構成に
おいて更に、前記温度補償素子が、脚付のサーミスタか
らなることを特徴としている。

【００１０】

【作用及び発明の効果】本発明の第１の構成によれば、
回路基板から立設された支持柱に固定されたホール素子
の周囲を永久磁石が回動する構成において、温度補償素
子が回動軸の径方向において回動軸の所定の回動角範囲
内にて永久磁石とホール素子との間に配設されるととも
に回動軸の軸方向において永久磁石およびホール素子に
近接配置されているので、以下の作用効果を奏する。

【００１１】まず、本構成によれば、温度補償素子の温
度を、ホール素子の温度と永久磁石の温度との間の中間
温度とするのが容易となり、その結果、たとえホール素
子の温度と永久磁石の温度が異なる場合でも、出力信号
の誤差が小さくなる。図９を参照して詳しく説明する。
図９は後述する実施例の角度センサを、摂氏−２７度に
放置した状態から摂氏３０度の環境に移した場合のホー
ル素子、永久磁石、サーミスタ素子（温度補償素子）の
温度変化を調べたものである。

【００１２】サーミスタ素子は、ホール素子に接する位
置ａ、永久磁石に接する位置ｂ、ホール素子及び永久磁
石の間の中間位置ｃ、ホール素子及び永久磁石から遠く
離れた位置ｄの４点に配置して調べた。図９からわかる
ように、サーミスタ素子をホール素子に接する位置に配
設するとサーミスタ素子はホール素子とほとんど同じ温
度変化を示し、サーミスタ素子を永久磁石に接する位置
に配設するとサーミスタ素子は永久磁石とほとんど同じ
温度変化を示した。そして、サーミスタ素子を両者の中
間位置に配設すると、サーミスタ素子はホール素子の温
度及び永久磁石の温度の中間温度となり、サーミスタ素
子をホール素子及び永久磁石から遠く離すと、両者とは
異なる温度となった。

【００１３】なお、温度補償しない場合の信号処理回路
の出力電圧Ｖは、所定の基準温度でのホール素子の出力
電圧をＶｏ、ホール素子の出力電圧温度変化率（温度に
対して直線変化すると仮定した場合の摂氏１度当たりの
出力電圧変化量）をｋ１、永久磁石の磁束密度の温度変
化率（温度に対して直線変化すると仮定した場合の摂氏
１度当たりの磁束変化量）をｋ２、基準温度とホール素
子の温度との差をΔＴ１、基準温度と永久磁石の温度と
の差をΔＴ２とすれば、

【００１４】

【数１】

【００１５】と表すことができる。今、温度補償素子の
温度補償係数をｋ＝ｋ１＋ｋ２とし、基準温度と温度補
償素子の温度との差をΔＴ３、温度補償済の信号をＶ’
とすれば、

【００１６】

【数２】 となる。ここで、ｋ＝ｋ１＋ｋ２にほぼ等しくされるの
で、

【００１７】

【数３】 となる。この式から、ΔＴ３がΔＴ１とΔＴ２との中間
であれば、温度補償済信号電圧Ｖ’の温度変化率は大幅
に低減されることがわかる。

【００１８】結局、本構成によりホール素子及び永久磁
石の温度差にかかわらず両者の温度係数を良好に補償す
ることができることがわかる。本発明の第２の構成によ
れば、上記第１の構成において更に、永久磁石の磁束密
度の温度変化率及び前記ホール素子の出力電圧温度変化
率の両方を補償するので、温度補償済信号電圧Ｖ’の温
度変化率は大幅に低減される。

【００１９】本発明の第３の構成によれば、上記第１又
は２の構成において更に、前記温度補償素子が、前記回
動軸の径方向において前記回動軸の所定の回動角範囲内
にて前記永久磁石と前記ホール素子との間に配設される
ことにより、基準温度に対する前記ホール素子の温度差
ΔT１と基準温度に対する前記永久磁石の温度差ΔT２と
の間に保持される基準温度に対する温度差ΔT３を有す
るので、温度補償済信号電圧Ｖ’の温度変化率を低減す
ることができる。

【００２０】本発明の第４の構成によれば、上記第１の
構成において更に、温度補償素子が、脚付のサーミスタ
からなるので、このサーミスタを回路基板に立設する場
合、サーミスタの温度検出部分はホール素子及び永久磁
石に近接することができ、一層良好に両者の温度変化に
よる信号電圧の変動を低減することができる。

【００２１】

【実施例】

（実施例１）本発明の半導体角度センサを適用したスロ
ットル角度センサの一例を図１〜図４を参照して具体的
に説明する。図１はこのスロットル角度センサの軸方向
（すなわち軸心Ｍの方向）の断面図、図２はそのＡ−Ａ
線矢視の径方向の断面図、図３はそのホール素子部分の
拡大径方向断面図、図４は図３の模式図である。 ハウ
ジング１は、図１に示すように、略浅底筒体形状を有
し、その周壁の一部から外方向に雌コネクタ部１１が突
設されている。図１において下方へ開口する凹部１２内
には、回路基板２がハウジング１の底面から離れてこの
底面と平行すなわち本実施例でいう径方向に延在する姿
勢で収容、固定されている。回路基板２は後述する一対
のホール素子５、６の出力電圧を処理して合成出力電圧
を雌コネクタ部１１内のターミナル１２に出力する信号
処理回路３を搭載している。

【００２２】回路基板２の中央部の複数の貫孔には樹脂
成形品からなる支持体（支持柱）４の脚部４１が圧入、
固定されている。支持体４は、略角柱形状を有してお
り、その底面（図１では上部に位置する）から上記脚部
４１が軸方向に突出している。一方、支持体４の頂部に
は図２の上下方向からそれぞれ凹設された一対のホール
素子収容用の凹部４２、４３（図３に拡大図示する）を
有し、両凹部４２、４３の底面４４、４５はそれぞれ軸
心Ｍと平行（軸方向）に伸びる平面（以下、基板搭載面
という）となっている。両基板搭載面４４、４５の間の
偏角（角度差）Δθはこの実施例では２５度に設定さ
れ、基板搭載面４４、４５の間の支持体４の頂部の部分
４ａは略三角柱形状を有している。基板搭載面４４、４
５には、それぞれホール素子５、６（図５参照）が形成
された半導体基板を収容する樹脂又はセラミックのパッ
ケージ５０，６０が固定されており、パッケージ５０，
６０の外主面はその内部の上記半導体基板の主面と平行
に配設されている。両ホール素子５、６への印加電圧及
び出力電圧は不図示のリードを通じて回路基板２と授受
される。

【００２３】これにより、両半導体基板は図４に示すよ
うに軸心Ｍを挟んで２５度ずれた状態で保持されること
になる。なお、図１に示す２８は両パッケージ５０，６
０を包むキャップであり、その開口部は回路基板２に固
定されている。一方、上記軸心Ｍを回動中心とするスロ
ットルバルブ（図示せず）のシャフトＳの端面にはフラ
ンジ付き円筒形状のロータアセンブリ７が固定されてお
り、ロータアセンブリ７の内周面にはそれぞれ軸方向切
断部分が円筒形状を有する一対の永久磁石（本発明でい
う磁界発生手段）８がパッケージ５０，６０を挟んで対
向配置されている。両永久磁石８は反対極性に磁化され
ており、その結果、パッケージ５０，６０には平行磁界
が印加される。

【００２４】更に、図１〜図３に示すように、支持体４
の両側に個別に隣接して、回路基板２上にサーミスタ素
子９１、９２が配設されている。サーミスタ素子９１、
９２は、図１に示すように、回路基板２上に配設される
ので、支持体４の先端部に固定されるホール素子５、６
及びこれらホール素子５、６に回動磁界を印加する永久
磁石８から軸心Ｍの方向においてずれて近接配置されて
いる。また、サーミスタ素子９１、９２は、図２に示す
ように、軸心Ｍ（図１参照）の径方向において、永久磁
石８より径小位置でかつホール素子５、６より径大位置
に配設されている。

【００２５】回路基板２に搭載した信号処理回路の一例
を図５及び図６に示す。サーミスタ素子９１を含む温度
補償回路５１の出力電圧（Ｖｃ）はオペアンプ５２の＋
入力端に印加され、オペアンプ５２の出力電圧はホール
素子５の高位電源端に接続され、ホール素子５の低位電
源端は抵抗５３を通じて接地されている。ホール素子５
の低位電源端はオペアンプ５２の−入力端に接続され、
ホール素子５の出力電圧はリニア増幅回路５４で増幅さ
れて信号電圧Ｖｓとして出力される。同じ回路構成によ
り、ホール素子６の信号電圧は温度補償回路６１で補償
されて信号電圧Ｖｓ’として出力される。

【００２６】次に、図５及び図６の回路の動作を説明す
る。オペアンプ５２からホール素子５へ給電される電流
をｉ、抵抗５３の抵抗値をｒ、ホール素子５の低位端の
電位をＶｒ、温度補償回路５１の出力電圧をＶｃとすれ
ば、

【００２７】

【数４】Ｖｃ＝Ｖｒ＝ｉ×ｒ となり、Ｖｃｃが一定であれば、ホール素子５への通電
電流も一定となり、オペアンプ５２及び抵抗５３はホー
ル素子５へ一定電流を通電する定電流回路を構成する。

【００２８】一方、ホール素子５の出力電圧Ｖｓは通電
電流ｉと交差磁束Φに比例するものとすれば、

【００２９】

【数５】 Ｖｓ＝ｋａ×（１＋ｋ１）×Φａ×ｉ ＝ｋａ×（１＋ｋ１）×（Ｖｃ／ｒ）×Φａ ＝ｋａ×（１＋ｋ１ΔＴ１）×（１＋ｋ２ΔＴ２）×Φａｏ×Ｖｃ／ｒ ＝Ｋａ×（１＋ｋ１ΔＴ１＋ｋ２ΔＴ２）×Φａｏ×Ｖｃ／ｒ ここで、

【００３０】

【数６】 Ｖｃ＝ｋｂ×Ｖｃｃ／（１＋（Ｋ１＋Ｋ２）ΔＴ３） とすれば、

【００３１】

【数７】 となる。ただし、Ｋａ、Ｋｂは比例定数、Ｖｃｃは定電
圧電源電圧、ｋ１、ｋ２、ｋ３、ΔＴ１、ΔＴ２、ΔＴ
３は前述した温度係数及び温度差であり、Φａｏは所定
の基準温度での磁束量である。

【００３２】結局、基準温度からのホール素子５の温度
差ΔＴ１と、基準温度からの永久磁石８の温度差ΔＴ２
と、基準温度からの温度補償回路５１内のサーミスタ素
子９１の温度差ΔＴ３とが等しければ、角度信号電圧Ｖ
ｓはΦａｏに比例し、Φａｏは永久磁石８の回動角に比
例するので、回動角に比例し、温度変化により変化しな
い角度信号電圧が得られる。また、本実施例ではサーミ
スタ素子９１がホール素子５と永久磁石８との中間位置
近傍に配設されるため、ΔＴ３がΔＴ１及びΔＴ２の中
間値となるので、ホール素子５と永久磁石８との温度差
が大きくても角度信号電圧Ｖｓの温度による変化を良好
に抑止することができる。

【００３３】ホール素子６からの角度信号電圧Ｖｓ’の
処理も上記と同様に行われるので、その詳細な説明は省
略される。次に、角度信号電圧Ｖｓ、Ｖｓ’から単一の
角度信号電圧Ｖを合成する回路を図６を参照して説明す
る。角度信号電圧Ｖｓ、Ｖｓ’はそれぞれゲイン補正ア
ンプ５２ａ、６２ａにて互いに異なる後述のゲインで増
幅されてゲイン補正された後、レベルシフト回路５３
ａ、６３ａでそれぞれ異なるレベルにレベルシフト（オ
フセット）されてアナログマルチプレクサ５４ａに入力
される。また、角度信号電圧Ｖｓ’はコンパレータ５５
にて出力電圧切り換え用のしきい値電圧Ｖｒｅｆと比較
され、比較出力はアナログマルチプレクサ５４ａの切り
換え制御信号となっている。

【００３４】以下、このスロットル角度センサの作動を
説明する。スロットルバルブのシャフトＳとともに一対
の永久磁石８が回動すると、平行磁界と半導体基板５
０，６０との交差角に依存して出力電圧がそれぞれ正弦
波形として変動し、交差角が０度及び１８０度で出力電
圧は０であり、９０度で正の最大値となり、−９０度で
負の最大値となる（図７の（ａ）参照）。

【００３５】図７の（ｂ）に角度信号電圧Ｖｓ、Ｖｓ’
の波形を示す。ただし、横軸はホール素子６を有するパ
ッケージ６０すなわちその内部の半導体基板と平行磁界
との交差角θを基準角度としており、−５度でスロット
ルバルブ（図示せず）は全閉、７５度で全開となるよう
に、シャフトＳに連結されている。また、両ホール素子
５、６の偏角は２５度であるので、図７の（ｂ）におい
て、両出力電圧Ｖｓ、Ｖｓ’の波形はそれに応じて異な
っている。

【００３６】上述したように、同一工程で製造したにも
かかわらず、ホール素子５、６は種々の要因で感度のば
らつきをもち、それは交差角が０度で最小となり、９０
度、２７０度で最大となる。そこで本実施例では、スロ
ットル角度が０度（全閉）からｘ度（１０〜３０度の間
の値、ここでは２０度に設定する）までは、ホール素子
６からの出力電圧Ｖｓ’を採用し、ｘ度から８０度（全
開）まではホール素子５からの出力電圧Ｖｓを採用して
いる。

【００３７】ホール素子６は、スロットル角度に対して
交差角θ（ホール素子６をもつパッケージ６０の主面と
平行磁界との交差角）が５度であるので、スロットル角
度０度は交差角θが−５度に等しく、スロットル角度５
度は交差角θが０度に等しく、スロットル角度２０度は
交差角θが１５度に等しい。結局、スロットル角度０〜
２０度ではホール素子６の交差角θが−５〜１５度とい
った交差角θが小さい範囲を採用するので、感度のばら
つきを小さくすることができる（精度を向上することが
できる）。

【００３８】一方、スロットル角度２０〜８０度では、
ホール素子５の出力電圧Ｖｓを採用する。すなわち、ホ
ール素子５は、スロットル角度に対してその交差角（符
号を付せず）が３０度であるので、スロットル角度０度
は交差角θが−３０度に等しく、スロットル角度３０度
はその交差角が０度に等しく、スロットル角度８０度は
その交差角が５０度に等しい。結局、スロットル角度２
０〜８０度はホール素子６の交差角が−１０〜５０度と
いった交差角θが小さい範囲を採用するので、感度のば
らつきを小さくすることができ、図８に示すように精度
を向上することができ、直線性も向上する。

【００３９】具体的には、コンパレータ５５はホール素
子６の交差角θが１５度における角度信号電圧Ｖｓ’の
値に等しい参照電圧Ｖｒｅｆが、出力電圧Ｖｓ’を超え
れば、コンパレータ５５はハイレベルとなり、アナログ
マルチプレクサ５４ａは出力電圧Ｖｓ’から出力電圧Ｖ
ｓに切り換える。以上のようにすれば、スロットル角度
０〜８０度の範囲で感度のばらつきを低減することがで
きる。

【００４０】なお、ゲイン補正アンプ５２ａ、６２ａは
切り換え時点における両出力電圧Ｖｓ、Ｖｓ’の位相差
によるゲイン（単位角度変化当たりの出力電圧の変化、
正弦波形変化）の差を解消させるためのものであり、レ
ベルシフト回路５３ａ、６３ａは切り換え時点における
両出力電圧Ｖｓ、Ｖｓ’のオフセットを解消するための
ものであり、出力電圧Ｖｓのゲイン補正係数Ｋ１’は２
６４０、出力電圧Ｖｓ’のゲイン補正係数Ｋ２’は３３
００に設定されている。これにより切り換え前後におけ
るゲインはほぼ等しくなるが切り換え前後におけるオフ
セットは残る。このオフセットを解消するため、出力電
圧Ｖｓにオフセット電圧ΔＶｓとして２０７０ｍＶが加
えられ、出力電圧Ｖｓ’にオフセット電圧ΔＶｓ’とし
て７５８ｍＶが加えられる。これにより切り換え前後に
よるゲイン差やオフセット差が大幅に解消される。 （実施例２）他の実施例を図１０を参照して説明する。

【００４１】実施例１では図５に示すように、サーミス
タ素子９１、９２を個別に有する一対の温度補償回路５
１、６１により、ホール素子５、６の温度補償を個別に
行ったが、この実施例では、サーミスタ素子９２をもつ
温度補償回路６１を省略し、サーミスタ素子９１をもつ
温度補償回路５１の出力電圧Ｖｃを両オペアンプ５２、
６２の＋入力端に印加する。

【００４２】このようにしても、両ホール素子５、６が
永久磁石８に囲まれて近接配置されているので、実施例
１と同様の効果を奏することができる。 （実施例３）他の実施例を図１１を参照して説明する。
（ａ）は、支持体４の両側に、一対の脚９１ａを有する
サーミスタ素子９１と、一対の脚９２ａを有するサーミ
スタ素子９２とを個別に立設したものであり、更に、ホ
ール素子５、６に近接させたものである。

【００４３】この実施例では、サーミスタ素子９１、９
２が脚付タイプであるので、脚９１ａ、９２ａを延ばす
ことにより、サーミスタ素子９１、９２をホール素子
５、６と永久磁石８との間に介設することができ、上記
実施例１で説明した角度信号電圧の温度変動抑止効果を
一層向上することができる。なお、４９は支持体４の先
端部の凹部に収容されたホール素子５、６、及び、サー
ミスタ素子９１、９２を押さえる保護用の折り曲げプレ
ートであり、その両端は回路基板２に固定されている。

【００４４】また、図１２は脚付のサーミスタ素子５、
６を軸方向に立てたものであり、このようにすれば、支
持体４と永久磁石８との間の隙間が小さくても径方向必
要スペースを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体角度センサを適用したスロット
ル角度センサの一例を示す軸方向の断面図である。

【図２】図２は図１のセンサのＡ−Ａ線矢視の径方向の
断面図である。

【図３】図３はそのホール素子部分の拡大径方向断面図
である。

【図４】図４は図３の模式図である。

【図５】図１のセンサの信号処理回路を示すブロック回
路図である。

【図６】図１のセンサの信号処理回路を示すブロック回
路図である。

【図７】（ａ）はホール素子の振幅と交差角との関係を
示す波形図である。（ｂ）はセンスアンプの出力電圧Ｖ
ｏ１、Ｖｏ２とロータ回転角度（ホール素子６の主面と
平行磁界との交差角に等しい）θ及びスロットル角度と
の関係を示す部分波形図である。

【図８】レベルシフト回路の出力電圧Ｖ１、Ｖ２及び合
成出力電圧Ｖとスロットル角度との関係を示す波形図で
ある。（ｂ）はセンスアンプの出力電圧Ｖｏ１、Ｖｏ２
とロータ回転角度（ホール素子６の主面と平行磁界との
交差角に等しい）θ及びスロットル角度との関係を示す
部分波形図である。

【図９】センサの各部温度の時間変化を示す図である。

【図１０】実施例２の信号処理回路を示すブロック回路
図である。

【図１１】（ａ）は実施例３の半導体角度センサの要部
正面図である。（ｂ）はその要部拡大平面図である。

【図１２】（ａ）は実施例３の半導体角度センサの他の
態様の要部正面図である。（ｂ）はその要部拡大平面図
である。

【符号の説明】

１はハウジング、２は回路基板、４は支持体（支持
柱）、Ｓは回動軸、５、６はホール素子、８は永久磁
石、９１、９２はサーミスタ素子、５１、６１は信号処
理回路。

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ハウジングと、 前記ハウジングに固定された回路基板と、 前記回路基板に立設された支持柱と、 前記支持柱の立設方向に沿って延設される回動軸と、 前記支持柱に配設されて前記永久磁石の磁界に応じた信
   号電圧を発生するホール素子と、 前記支持柱を中心として回動可能に前記回動軸の先端部
   に固定されて前記ホール素子の径方向外側を回動する永
   久磁石と、温 度に応じた信号を出力する温度補償素子と、 前記温度補償素子の出力に基づいて前記ホール素子の出
   力電圧温度変化特性を補償する信号処理回路と、 を備え、 前記温度補償素子は、 前記回動軸の径方向において前記回動軸の所定の回動角
   範囲内にて前記永久磁石と前記ホール素子との間に配設
   されるとともに前記回動軸の軸方向において前記永久磁
   石および前記ホール素子に近接配置されている ことを特
   徴とする半導体角度センサ。
2. 【請求項２】前記信号処理回路は、前記永久磁石の磁束
   密度の温度変化率及び前記ホール素子の出力電圧温度変
   化率の両方を補償するものである請求項１記載の半導体
   角度センサ。
3. 【請求項３】前記温度補償素子は、前記回動軸の径方向において前記回動軸の所定の回動角
   範囲内にて前記永久磁石と前記ホール素子との間に配設
   されることにより、基準温度に対する前記ホール素子の
   温度差ΔT１と基準温度に対する前記永久磁石の温度差
   ΔT２との間に保持される基準温度に対する温度差ΔT３
   を有するものである請求項１又は２記載 の 半導体角度セ
   ンサ。
4. 【請求項４】前記温度補償素子は、脚付のサーミスタか
   らなる請求項１記載の半導体角度センサ。