JP2005337861A - 磁気検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度の上昇に伴ってセンサ素子の感度が低下するような場合であれ、磁界の変化に対する検出精度を好適に維持することのできる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気ベクトルの変化を検出するセンサ部は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４を備え、電気的にはブリッジ回路１１として形成されている。これら磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４は、ロータの回転に起因して生ずるバイアス磁界のベクトル変化に伴って抵抗値が変化するようになっている。磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４のこうした抵抗値変化は、ブリッジ回路１１の中点電位ＶａおよびＶｂの変化としてセンサ部から取り出され、検出信号として演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２に各別に出力される。ここで、演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２には、温度の上昇に伴う素子感度の低下が補償されるような温度係数が設定されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気抵抗素子やホール素子などの磁気検出素子を用いて、例えばロータなどの被検出回転体の回転に起因して生ずる磁界の変化を検出する磁気検出装置に関する。

従来、この種の磁気検出装置としては、例えば特許文献１に記載されている装置が知られている。この磁気検出装置は、例えばエンジンのクランク軸、もしくは、カム軸に設けられた被検出回転体である磁性体からなるロータの回転に起因して生ずる磁界の変化を検出することにより同ロータの回転情報、すなわちクランク軸、カム軸の回転情報を得るための回転検出装置として設けられている。図５に、この特許文献１に記載されている回転検出装置の概要を示す。

同図５に示すように、この回転検出装置は、磁界の変化を検出するセンサ部およびその処理回路の一部が１つのＩＣチップ１として集積回路化され、被検出回転体である磁性体からなるロータＲＴに対向するように設けられている。そして、このＩＣチップ１は、樹脂などからなるモールド材２によってシームレスにモールドされた状態でその電源端子Ｔ１、出力端子Ｔ２、およびＧＮＤ（接地）端子Ｔ３といった各端子が引き出される構造となっている。これら各端子のうち、上記出力端子Ｔ２は、例えば車両の点火時期制御を行う電子制御装置に接続され、該制御装置に上記ロータＲＴの回転情報を提供する。

また、このＩＣチップ１の内部に組み込まれている上記センサ部は同特許文献１にも記載のように、付与される磁気ベクトルの向きにより抵抗値が変化する磁気抵抗素子（ＭＲＥ）から構成されている。そして、この磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するかたちで、上記ＩＣチップ１の周囲には円筒状のバイアス磁石ＭＧが配設されている。

このような構成により、上記ロータＲＴの回転に伴ってその突起部がＩＣチップ１内に組み込まれた上記センサ部近傍を通過するたびに、上記バイアス磁石ＭＧから付与されている磁気ベクトルが同突起部に引きづられるかたちで変化するようになる。そして、こうした磁気ベクトルの変化が上記磁気抵抗素子を備えるセンサ部を通じて抵抗値の変化として検出され、その対応する電気信号が適宜に増幅されるなどして、上記出力端子Ｔ２から出力される。

一方、図６は、このような回転検出装置を構成するＩＣチップ１の特に上記センサ部の等価回路を示したものであり、以下、同図６を併せ参照して、上記センサ部の電気的な動作をさらに説明する。

同図６に示されるように、上記センサ部は、電気的には磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４からなるブリッジ回路３として構成されている。このブリッジ回路３の一方端には図示しない定電圧回路から定電圧「＋Ｖ」が印加され、他方端は接地されている。そして、上述した磁気ベクトルの変化に伴う各磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値変化は、このブリッジ回路３における各中点電位ＶａおよびＶｂの変化として取り出され、これら中点電位ＶａおよびＶｂの変化が、差動増幅器４によって差動増幅される。また、この差動増幅された信号（ポイントＰ２の信号）は比較器５を通じて２値化され、この２値化信号（パルス信号）がクランク軸の位置に対応する信号として上記出力端子Ｔ２を介して取り出される。そして、この２値化信号が上記電子制御装置内で適宜に処理されることにより上記車両の点火時期制御が行われることとなる。
特開平２００１−１５３６８３号公報

ところで、上記ブリッジ回路３を構成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４にはそれらの抵抗値に所定の温度係数があり、通常は、温度の上昇に伴ってそれら各抵抗値が大きくなる傾向にある。一方、それら各抵抗値の上記磁気ベクトルの変化に伴う変化量は温度に依存しないため、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値の変化率（抵抗値の変化量／抵抗値）は、温度の上昇に伴って小さくなる。換言すれば、温度の上昇に伴って当該回転検出装置としてのセンサ素子の感度が低下する。そして、こうしてセンサ素子の感度が低下するようなことがあると、同感度の低下分だけ、上記差動増幅器４を通じて差動増幅される信号の上記磁気ベクトルの変化に伴う変化量（振幅値）も小さくなる。すなわちこのことは、上記差動増幅された信号が比較器５を通じて２値化されるような場合、同比較器５に設定される閾値電圧Ｖｔｈとのかね合いいかんでは誤パルスが生じかねないことを意味する。

なお、上記磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置に限らず、例えば磁界強度の変化に伴いホール電圧が変化するホール素子を用いて磁界の変化を検出する磁気検出装置にあっても、上述と同様、温度の上昇に伴ってその出力信号の磁界の変化に伴う変化量（振幅値）は小さくなる。すなわち、温度の上昇に伴って磁界の変化に対する検出精度が低下する傾向は、このようなホール素子を用いた磁気検出装置においても概ね共通したものとなっている。

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度の上昇に伴ってセンサ素子の感度が低下するような場合であれ、磁界の変化に対する検出精度を好適に維持することのできる磁気検出装置を提供することにある。

こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、被検出運動体の運動に起因して生ずる磁界の変化を検出する磁気検出素子と、第１の抵抗素子およびこの第１の抵抗素子より抵抗値の大きい第２の抵抗素子の各々の抵抗値比に基づいて決定される増幅率をもって前記磁気検出素子による検出信号を増幅する増幅器とを備え、この増幅器による増幅信号に基づいて前記被検出運動体の運動情報を検出する磁気検出装置として、前記第１の抵抗素子を、前記第２の抵抗素子よりも温度係数の小さい抵抗材料とすることとした。

上記第２の抵抗素子に対し、上記第１の抵抗素子の温度係数を小さく設定する上記構成によれば、上記増幅器の増幅率には、同増幅率が温度の上昇に伴って増大するような温度係数が設定されることとなる。このため、温度の上昇に伴って上記磁気検出素子の感度（素子感度）が低下する場合であれ、こうした増幅器の増幅率の増大を通じて、当該磁気検出装置としての磁界の変化に対する検出精度も自ずと高く維持されるようになる。

なお、上記磁気検出素子の温度係数を補償するうえでは、第１の抵抗素子の温度係数を、第２の抵抗素子の温度係数に対して積極的に小さく設定することがより望ましい。第１および第２の抵抗素子の温度係数のこのような関係によれば、増幅器による増幅信号の上記素子感度の低下に起因する減少分をより高い余裕度をもって補い得るような温度係数を上記増幅器の増幅率に設定することができるようになる。

また、このような構成において、請求項２に記載の発明によるように、前記磁気検出素子が、前記被検出運動体の運動に起因して生ずる磁気ベクトルの変化を抵抗値の変化として検出する磁気抵抗素子からなり、この抵抗値の変化を前記検出信号として出力するものであり、前記増幅器による増幅信号の前記磁気ベクトルの変化に伴う変化量を、前記磁気抵抗素子の前記磁気ベクトルの変化量に対する抵抗値の変化のしやすさである素子感度および前記磁気抵抗素子に付与される磁気ベクトルの変化量および前記増幅器の増幅率の乗算値として表わすとき、温度の上昇に伴う前記素子感度の低下に起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分が前記増幅器の増幅率の増大により補償されるように、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数を各々設定するようにすれば、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置として、高温領域を含めた広い温度領域にわたって、被検出運動体の運動情報を安定して検出することができるようになる。

すなわち、このような磁気検出装置にあっては、増幅器による増幅信号の上記磁気ベクトルの変化に伴う変化量（振幅値）は、基本的には、上記素子感度および磁気抵抗素子に付与される磁気ベクトルの変化量および増幅器の増幅率の乗算値として表される。そしてこのうち、素子感度には温度係数があり、上記増幅器による増幅信号にもこの素子感度の温度特性が反映されるようになる。この点、上記構成では、温度の上昇に伴う上記素子感度の低下に起因して減少する上記増幅信号の変化量の減少分を上記増幅器の増幅率の増大により補償するかたちで上記第１および第２の抵抗素子の温度係数、すなわち増幅器の増幅率の温度係数を設定することとしている。このため、温度の上昇に伴う素子感度の低下に起因して減少する上記増幅信号の変化量の減少分が、増幅器の増幅率の増大によって増加する同増幅信号の変化量の増加分と相殺されるようになり、温度の上昇に伴って素子感度が低下する場合であれ、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置としての磁気ベクトルの変化に対する検出精度を好適に維持することができるようになる。

また、この場合には特に、請求項３に記載の発明によるように、温度の上昇に伴う磁界強度の減少に起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分がさらに補償されるかたちで、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数を各々設定することで、当該磁気検出装置としての磁気ベクトルの変化に対する検出精度のさらなる向上を図ることができるようになる。

すなわち上述の通り、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置にあって、増幅器による増幅信号の振幅値は、基本的には、上記素子感度および磁気抵抗素子に付与される磁気ベクトルの変化量および増幅器の増幅率の乗算値として表されるものの、温度の上昇に伴って磁気抵抗素子に付与される磁界の強度（磁気ベクトルの大きさ）が減少し、磁気抵抗素子が磁気的に飽和される領域から外れるようになると、こうした関係も変化することがある。すなわちこのような状態にあっては、増幅器による増幅信号の振幅値は、温度の上昇に伴う磁界強度の減少にも起因して減少するようになり、これによって当該磁気検出装置としての磁気ベクトルの変化に対する検出精度も低下するようになる。ちなみにこのような状態は、上記磁気抵抗素子に磁気ベクトルを付与する磁石がフェライト磁石である場合などに比較的生じやすい。

この点、上記構成によれば、温度の上昇に伴う素子感度の低下はもとより、温度の上昇に伴う磁界強度の減少をも補償するかたちで、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数、すなわち増幅器の増幅率の温度係数が設定されるため、温度の上昇に伴って素子感度が低下し、且つ、磁界の強度も減少するような場合であれ、このような磁気検出装置としての磁気ベクトルの変化に対する検出精度をより好適に維持することができるようになる。

一方、請求項１に記載の構成において、請求項４に記載の発明によるように、前記磁気検出素子が、前記被検出運動体の運動に起因して生ずる磁界強度の変化をホール電圧の変化として検出するホール素子からなり、このホール電圧の変化を前記検出信号として出力するものであり、前記増幅器による増幅信号の前記ホール電圧の変化に伴う変化量を、前記ホール素子の前記磁界強度の変化量に対するホール電圧の変化のしやすさである素子感度および前記ホール素子に付与される磁界の強度の変化量および前記増幅器の増幅率の乗算値として表わすとき、温度の上昇に伴う前記素子感度の低下と前記ホール素子に付与される磁界の強度の減少とに起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分が前記増幅器の増幅率の増大により補償されるように、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数を各々設定するようにすれば、ホール素子を用いた磁気検出装置として、高温領域を含めた広い温度領域にわたって被検出運動体の運動情報を安定して検出することができるようになる。

すなわち、ホール素子を用いて磁界強度の変化を検出する磁気検出装置の場合、増幅器による増幅信号の上記磁界強度の変化に伴う変化量（振幅値）は、上記素子感度および磁界強度の変化量および増幅器の増幅率の乗算値として表される。このうち、素子感度には温度係数があり、上記増幅器による増幅信号にもこの素子感度の温度特性が反映される。また通常、上記ホール素子には例えばフェライト磁石や希土類磁石などのバイアス磁石による磁界が付与されることから、上記磁界強度にも、温度の上昇に伴い減少するような温度係数があり、上記増幅器による増幅信号には、この磁界強度の温度特性も同様に反映される。

この点、上記構成によれば、温度の上昇に伴う素子感度の低下とホール素子に付与される磁界の強度の減少とが補償されるかたちで上記第１および第２の抵抗素子の温度係数、すなわち増幅器の増幅率の温度係数が設定されるため、温度の上昇に伴う素子感度の低下と磁界強度の減少とに起因して減少する上記増幅信号の変化量の減少分が、増幅器の増幅率の増大によって増加する同増幅信号の変化量の増加分と相殺されるようになる。すなわち、温度の上昇に伴って素子感度が低下し、磁界の強度が減少するような場合であれ、ホール素子を用いた磁気検出装置としての磁界強度の変化に対する検出精度を好適に維持することができるようになる。

なお、これらいずれの場合であれ、前記第１および第２の抵抗素子の抵抗材料としてはそれぞれ、請求項５に記載の発明によるように、第１の抵抗素子としては薄膜抵抗を用い、第２の抵抗素子としては拡散抵抗を用いることが、実用上より望ましい。

すなわち、例えば集積回路チップ等において演算増幅器の増幅率を決定する抵抗は通常、半導体基板のエピタキシャル層に用いられるような拡散抵抗（例えば、１０００〜５０００ｐｐｍ／℃程度）から形成される。この点、上記構成によれば、第２の抵抗素子をこのような拡散抵抗から形成する一方、第１の抵抗素子についてはこれを、例えばクロムシリコンなどの薄膜抵抗（例えば、５０ｐｐｍ／℃以下）から形成するだけの極めて簡易な構造を通じて、第１の抵抗素子の温度係数を、第２の抵抗素子の温度係数に対して積極的に小さく設定することができるようになる。

また、これら請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の構成において、請求項６に記載の発明によるように、前記増幅器が差動増幅器を構成するかたちで２つ設けられるとき、それら増幅器の各々前記第１の抵抗素子および前記第２の抵抗素子を互いに同一の抵抗値を持つ同一の抵抗材料によって形成するようにすれば、上記２つの増幅器を通じて差動増幅される信号にオフセットが生じるようなことも好適に抑制されるようになる。

（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかる磁気検出装置の第１の実施の形態について、図１および図２を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態にかかる磁気検出装置も、例えばエンジンのクランク軸、もしくは、カム軸に設けられた被検出運動体である磁性体からなるロータの回転に起因して生ずる磁界の変化を検出することにより同ロータの回転情報、すなわちクランク軸、カム軸の回転情報を得るための回転検出装置として用いられる磁気検出装置を想定している。すなわち、この磁気検出装置も、基本的には先の図５に例示したような態様でモールドされるとともに、バイアス磁界が付与された状態でロータに対向して配設されている。そして、この磁気検出装置では、上記従来のＩＣチップ１に代えて、図１に示す回路を有するＩＣチップを備えることとしている。

すなわち、同図１に示されるように、この回路は、大きくは、付与される磁気ベクトルの変化を検出するセンサ部と、このセンサ部による検出信号を増幅する演算増幅器（増幅器）ＯＰ１、ＯＰ２と、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による信号を２値化する比較器１５とを有して構成されている。

ここで、センサ部は、磁気検出素子として、全て同じ抵抗材料からなる磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４を備え、電気的にはブリッジ回路１１として形成されている。そしてこのうち、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１３の共通接続部には、図示しない定電圧回路から定電圧「＋Ｖ（例えば５Ｖ）」が例えばダイオードＤを介して印加され、また磁気抵抗素子ＭＲＥ１２およびＭＲＥ１４の共通接続部は接地されている。このような構成により、ロータＲＴの回転に起因して生ずる上記バイアス磁界の変化、すなわちここでは、磁気ベクトルの変化は、このセンサ部において、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４の抵抗値の変化として感知されるようになる。そして、磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４のこうした抵抗値の変化は、ブリッジ回路１１における中点電位ＶａおよびＶｂの変化としてセンサ部から取り出され、上記検出信号として演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２に各別に出力される。

一方、演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２は、差動増幅器を構成するかたちで設けられている。また、これら演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２は、いずれも帰還増幅器を構成しており、このうち、演算増幅器ＯＰ１には、その第１および第２の抵抗素子として抵抗Ｒ１およびＲ２が、また演算増幅器ＯＰ２には、同じく第１および第２の抵抗素子として抵抗Ｒ３およびＲ４がそれぞれ接続されている。そして、演算増幅器ＯＰ１においてはほぼ「Ｒ２／Ｒ１（ただし、Ｒ２＞Ｒ１）」によって、また演算増幅器ＯＰ２においてはほぼ「Ｒ４／Ｒ３（ただし、Ｒ４＞Ｒ３）」によってそれぞれその増幅率が決定されている。このため、センサ部から取り出される上記中点電位ＶａおよびＶｂは、これら演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２の各増幅率をもって各々増幅されることとなる。そして、これら演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２において、各増幅信号の互いの差分がさらに演算されることによって上記中点電位ＶａおよびＶｂが差動増幅される。また、この差動増幅された信号（ポイントＰ１２の信号）は、比較器１５を通じて２値化され、この２値化信号（パルス信号）がクランク軸の位置に対応する信号として上記出力端子Ｔ２を介して取り出される。なお、この比較器１５では、上記定電圧「＋Ｖ（例えば５Ｖ）」の抵抗Ｒ７およびＲ８の分圧値を基準として、上記ポイントＰ１２の信号の２値化が行われる。そして、これも前述のように、この２値化信号が上記電子制御装置内で適宜に処理されることにより上記車両の点火時期制御が行われることとなる。

ただし、この実施の形態では、上記ポイントＰ１２の信号に誤差（オフセット）が生じることを抑制すべく、各々上記抵抗Ｒ１およびＲ３と上記抵抗Ｒ２およびＲ４とを、互いに同一の抵抗値を持つ同一の抵抗材料によって形成するようにしている。また、上記抵抗Ｒ１の接地側には、抵抗Ｒ５およびＲ６による定電圧「＋Ｖ」の分圧値が印加され、これによっても上記オフセットの調整が図られている。

ところで、上記演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による各増幅信号の上記磁気ベクトルの変化に伴う変化量（振幅値）Ａｍ１、Ａｍ２はそれぞれ、基本的には、

Ａｍ１＝Ｓｖ１×ΔＭｖ１×ａ１ ・・・（１）
Ａｍ２＝Ｓｖ２×ΔＭｖ２×ａ２ ・・・（２）
ただし、
Ｓｖ１：磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２の磁気ベクトルの変化量に対する抵抗値の変化のしやすさ（素子感度）
Ｓｖ２：磁気抵抗素子ＭＲＥ１３およびＭＲＥ１４の磁気ベクトルの変化量に対する抵抗値の変化のしやすさ（素子感度）
ΔＭｖ１：磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２に付与される磁界のベクトル変化量（磁気ベクトルの変化量）
ΔＭｖ２：磁気抵抗素子ＭＲＥ１３およびＭＲＥ１４に付与される磁界のベクトル変化量（磁気ベクトルの変化量）
ａ１：演算増幅器ＯＰ１の増幅率
ａ２：演算増幅器ＯＰ２の増幅率

といった関係式にて表わされる。ただし、上記式（１）、（２）において、素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２には温度係数がある。すなわち、これら素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の温度特性を図２に示すように、素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２は温度の上昇に伴って低下する。そして、こうして素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２が低下するようなことがあると、これら素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の低下分だけ、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２を通じて差動増幅される信号（ポイントＰ１２の信号）の上記磁気ベクトルの変化に伴う変化量（振幅値）も小さくなり、ひいては、この磁気検出装置としての回転態様の検出精度が低下するようになる。なお、この図２から明らかなように、この実施の形態では、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４が全て同じ抵抗材料から形成されているため、これら素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の温度特性も同一の特性となっている。

そこで、この実施の形態では、同図２に示すように、温度の上昇に伴う上記素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の低下が補償されるように、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の各増幅率ａ１、ａ２にも積極的に温度係数を設定することとしている。これにより、上記式（１）、（２）より明らかなように、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の低下に起因して減少する上記各増幅信号の変化量Ａｍ１、Ａｍ２の減少分がそれぞれ、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２の増大によって増加する同増幅信号の変化量Ａｍ１、Ａｍ２の増加分と相殺されるようになる。すなわち、温度の上昇に伴って素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２が低下する場合であれ、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による上記各増幅信号の変化量Ａｍ１、Ａｍ２は、高温領域を含めた広い温度領域にわたって安定するようになり、磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置としての回転態様の検出精度も好適に維持されるようになる。なお、この実施の形態では、素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の温度特性が互いに等しいため、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２の温度特性も互いに同一の特性に設定されることとなる。

ここで、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１を例にとり、そこに設定される温度係数の求め方の一例について説明する。
この実施の形態において、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１には、上記素子感度Ｓｖ１の負の温度係数に対して正であって且つ、同素子感度Ｓｖ１の温度係数の絶対値よりもやや大きい温度係数を割り当てる。これにより、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下が補償されるかたちで、上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に温度係数を設定することができるようになる。

例えばいま、素子感度Ｓｖ１の温度係数が「−３２００ｐｐｍ／℃」であり、２５℃においてこの素子感度Ｓｖ１が「１０」であり、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１が「５０」であるとする。すなわちこの場合、温度が仮に１００℃まで上昇したとすると、素子感度Ｓｖ１は「７．６」まで低下することになる。そこでこの場合には、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に設定すべき温度係数を、上記条件のもとに例えば「４２１０ｐｐｍ／℃」として求める。これにより、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下に起因して減少する上記増幅信号の変化量Ａｍ１の減少分が演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１の増大分と相殺されるようになり、温度が仮に１００℃まで上昇したとしても、素子感度Ｓｖ１はほぼ「１０」に維持されるようになる。なお、素子感度Ｓｖ１の温度係数については、例えば磁気抵抗素子ＭＲＥ１１およびＭＲＥ１２に対し、バイアス磁界をベクトル変化させることなく一定の磁界強度にて付与し、この状態で、温度の上昇に対する上記中点電位Ｖａの変化量を測定することによって得ることができる。

そして、こうして演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２に設定すべき温度係数が求められると、次に、この求められた温度係数を同演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２に実際に設定することとなる。ここで上述の通り、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２はそれぞれ、ほぼ「Ｒ２／Ｒ１」、「Ｒ４／Ｒ３」によって決定される。このため、増幅率ａ１、ａ２の温度係数は、各々抵抗Ｒ１に対する抵抗Ｒ２の温度係数と、抵抗Ｒ３に対する抵抗Ｒ４の温度係数とを互いに異ならしめることで設定することができる。

そこでこの実施の形態では、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に設定すべき温度係数が求められると、この求められた温度係数を温度係数ＴＣＧとするとき、上記抵抗Ｒ１およびＲ２にそれぞれ割り当てる温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２を、この温度係数ＴＣＧに基づき、

ＴＣＧ＝ＴＣＲ２−ＴＣＲ１ ・・・（３）

といった関係式に基づいてそれぞれ決定する。このような手法によれば、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に所望の温度係数を設定するために必要とされる抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を容易に決定することができるようになる。そして、この決定された温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を持つ２種の抵抗材料によって抵抗Ｒ１、Ｒ２（抵抗Ｒ３、Ｒ４）を各々形成することで、上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に所望の温度係数が設定されるようになる。

例えば、上述のように、素子感度Ｓｖ１の温度係数が「−３２００ｐｐｍ／℃」であり、２５℃における同素子感度Ｓｖ１が「１０」であり、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１が「５０」であるとしたとき、同増幅率ａ１に設定すべき温度係数として上述の「４２１０ｐｐｍ／℃」といった値が求められる。そこで、この求められた温度係数ＴＣＧを上記式（３）に代入すれば、抵抗Ｒ１の温度係数ＴＣＲ１と抵抗Ｒ２の温度係数ＴＣＲ２との関係を、例えば抵抗Ｒ１の温度係数ＴＣＲ１が「５０ｐｐｍ／℃」、また抵抗Ｒ２の温度係数ＴＣＲ２が「４２６０ｐｐｍ／℃」としてそれぞれ決定することができる。そしてこれにより、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に、ほぼ「４２１０ｐｐｍ／℃」の温度係数が実際に設定されるようになる。

なお、上記式（３）に基づいて抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を決定することができる原理については未だ明確ではない。ただし、少なくとも−３０℃〜１５０℃の温度領域においては、この式（３）に基づき抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係が決定される限り、上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１にも、上記求められた温度係数ＴＣＧに対して誤差の少ない温度係数が実際に設定されることが発明者によって確認されている。

すなわち、上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に実際に設定される温度係数ＴＣＧＴは、

ＴＣＧＴ＝（（Ｒ２１／Ｒ１１）−（Ｒ２０／Ｒ１０））／（ΔＴ×（Ｒ２０／Ｒ１０）） ・・・（４）
ただし、
Ｒ１０：基準温度における抵抗Ｒ１の抵抗値
Ｒ２０：基準温度における抵抗Ｒ２の抵抗値
ΔＴ：基準温度からの温度の変化量
Ｒ１１：基準温度からΔＴだけ温度が変化した温度における抵抗Ｒ１の抵抗値
Ｒ２１：基準温度からΔＴだけ温度が変化した温度における抵抗Ｒ２の抵抗値

といった関係式に基づいて算出することができる。また、この式（４）において、基準温度からΔＴだけ温度が変化した温度における抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ１１、および基準温度からΔＴだけ温度が変化した温度における抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２１はそれぞれ、

Ｒ１１＝Ｒ１×（１＋ＴＣＲ１×ΔＴ） ・・・（５）
Ｒ２１＝Ｒ２×（１＋ＴＣＲ２×ΔＴ） ・・・（６）

といった関係式に基づいて算出される。そこで、いま、例えば基準温度２５℃から温度が１００℃まで上昇したとして「ΔＴ＝７５」、さらに上記決定した「ＴＣＲ１＝５０」、「ＴＣＲ２＝４２６０」を上記式（４）〜（６）に各々代入して演算すれば、「ＴＣＧＴ≒４２１０」といった上述の結果が得られることがわかる。

なお、この実施の形態では、抵抗Ｒ２（抵抗Ｒ４）を拡散抵抗から形成する一方、抵抗Ｒ１（抵抗Ｒ３）についてはこれを、例えばクロムシリコンなどの薄膜抵抗（例えば、５０ｐｐｍ／℃以下）から形成するようにしている。すなわち、例えば集積回路チップ等において演算増幅器の増幅率を決定する抵抗は通常、半導体基板のエピタキシャル層に用いられるような拡散抵抗（例えば、１０００〜５０００ｐｐｍ／℃程度）から形成される。このため、抵抗Ｒ１およびＲ２の材料のこのような選択によれば、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下を補償すべく、抵抗Ｒ１の温度係数ＴＣＲ１を抵抗Ｒ２の温度係数ＴＣＲ２に対して積極的に小さく設定することも容易となる。

以上説明したように、この実施の形態にかかる磁気検出装置によれば、以下に記載するような優れた効果が得られるようになる。
（１）温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２の低下に起因して減少する上記各増幅信号の変化量Ａｍ１、Ａｍ２の減少分を演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率の増大によりそれぞれ補償するかたちで、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の温度係数ＴＣＲ１、ＴＣＲ２を各々設定することとした。このため、温度の上昇に伴って素子感度Ｓｖ１、Ｓｖ２が低下するような場合であれ、ロータの回転に伴う磁気ベクトルの変化に対する検出精度を好適に維持することができるようになる。

（２）演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１の温度係数として、素子感度Ｓｖ１の負の温度係数に対して正、且つ、同素子感度Ｓｖ１の温度係数の絶対値よりもやや大きい温度係数を割り当てることとした。これにより、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下を補償するような温度係数を設定することが容易にできるようになる。

（３）抵抗Ｒ１、Ｒ２の温度係数ＴＣＲ１、ＴＣＲ２の関係を、上記式（３）に基づいて決定するようにした。これにより、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に所望の温度係数を設定するために必要とされる抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を、容易に決定することができるようになる。

（４）抵抗Ｒ２を拡散抵抗から形成する一方、抵抗Ｒ１を薄膜抵抗から形成することとしたため、抵抗Ｒ１の温度係数を、抵抗Ｒ２の温度係数よりも積極的に小さく設定することが容易となる。

（５）各々上記抵抗Ｒ１およびＲ３と、上記抵抗Ｒ２およびＲ４とを、互いに同一の抵抗値を持つ同一の抵抗材料によって形成することとした。このため、演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２を通じて差動増幅された信号（ポイントＰ１２の信号）にオフセットが生じることが好適に抑制されるようになる。
（第２の実施の形態）
次に、この発明にかかる磁気検出装置の第２の実施の形態について、図３を参照しつつ説明する。なお、この実施の形態にかかる磁気検出装置も、例えばエンジンのクランク軸、もしくは、カム軸に設けられた被検出運動体である磁性体からなるロータの回転に起因して生ずる磁界の変化を検出することにより同ロータの回転情報、すなわちクランク軸、カム軸の回転情報を得るための回転検出装置として用いられる磁気検出装置を想定している。

すなわち、この磁気検出装置も、同図３にその内部回路を示すように、大きくは、センサ部と、このセンサ部による検出信号を増幅する演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２と、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による信号を２値化する比較器１５とを有して構成されている。ただし、この実施の形態にかかるセンサ部は、磁気検出素子として、磁界強度の変化をホール電圧、すなわち同図３においては端子ｃ−ｄ間の電位の変化として感知するホール素子２１を備えている。なお、このホール素子２１の端子ａ−ｂ間には定電圧「＋Ｖ（例えば５Ｖ）」が例えばダイオードＤを介して印加されている。そして、このセンサ部による端子ｃ−ｄ間の電位の変化は、上記検出信号として演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２に各別に出力され、これら演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２を通じて差動増幅されることとなる。また、この実施の形態においても同様、差動増幅された信号（ポイントＰ２２の信号）は比較器１５を通じて２値化され、この２値化信号が出力端子Ｔ２を介して取り出される。なお、この回路において、
・演算増幅器ＯＰ１には、その第１および第２の抵抗素子として抵抗Ｒ１およびＲ２が、また演算増幅器ＯＰ２には、同じく第１および第２の抵抗素子として抵抗Ｒ３およびＲ４がそれぞれ接続されている点。
・各々上記抵抗Ｒ１およびＲ３と上記抵抗Ｒ２およびＲ４とが、互いに同一の抵抗値を持つ同一の抵抗材料によって形成される点。
は、先の第１の実施の形態における回路（図１）と同様である。

ところで、このホール素子を用いた磁気検出装置において、上記演算増幅器ＯＰ１またはＯＰ２による各増幅信号の上記磁界強度の変化に伴う変化量（振幅値）Ａｍ３、Ａｍ４はそれぞれ、

Ａｍ３＝Ｓｆ１×ΔＭｆ１×ａ１・・・（７）
Ａｍ４＝Ｓｆ２×ΔＭｆ２×ａ２・・・（８）
ただし、
Ｓｆ１：ホール素子の磁界強度の変化量に対する端子ｃの電位の変化のしやすさ（素子感度）
Ｓｆ２：ホール素子の磁界強度の変化量に対する端子ｄの電位の変化のしやすさ（素子感度）
ΔＭｆ１：ホール素子に付与される磁界の強度の変化量（磁界強度の変化量）
ΔＭｆ２：ホール素子に付与される磁界の強度の変化量（磁界強度の変化量）

といった関係式にて表わされる。ただし、上記式（７）、（８）において、素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２には温度係数があり、これら素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２は温度の上昇に伴って低下するようになる。このため、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による各増幅信号の変化量Ａｍ３、Ａｍ４にはこうした素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２の温度特性が反映される。一方、通常、上記ホール素子２１には例えばフェライト磁石や希土類磁石などのバイアス磁石による磁界が付与される。このため、上記磁界強度の変化量ΔＭｆ１、ΔＭｆ２にも、温度の上昇に伴い減少するような温度係数があり、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による各増幅信号の変化量Ａｍ３、Ａｍ４には、この磁界強度の温度特性も同様に反映される。なお、この実施の形態にあって、各々上記素子感度Ｓｆ１およびＳｆ２の温度特性と、上記磁界の強度の変化量ΔＭｆ１およびΔＭｆ２の温度特性とは同一の特性となっている。

そこで、この実施の形態では、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２の低下と上記磁界強度の変化量ΔＭｆ１およびΔＭｆ２の減少とが補償されるように、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の温度係数、すなわち上記演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２の温度係数を各々設定するようにしている。これにより、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２の低下と上記磁界強度の減少とに起因して減少する上記増幅信号の変化量Ａｍ３、Ａｍ４の減少分が、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２の増大を通じて補償されるようになる。すなわち、温度の上昇に伴って素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２が低下し、磁界強度が減少するような場合であれ、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２による各増幅信号の変化量Ａｍ３、Ａｍ４は高温領域を含めた広い温度領域にわたって安定するようになり、当該装置としての磁界強度の変化に対する検出精度も好適に維持することができるようになる。なお、この実施の形態にあっても、演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率ａ１、ａ２の温度係数は互いに同一の特性に設定されることとなる。

ここで、この実施の形態にかかる演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１を例にとり、そこに設定される温度係数の求め方の一例について説明する。
ここではまず、素子感度Ｓｆ１および磁界強度の変化量ΔＭｆ１の乗算値、すなわち端子ｃの電位の温度係数を実験等により明らかにする。そして、端子ｃの電位の温度係数を明らかにした時点で、端子ｃの電位の負の温度係数に対して正であって且つ、同端子ｃの電位の温度係数の絶対値よりもやや大きい温度係数を上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に割り当てる。これにより、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下と磁界強度の変化量ΔＭｆ１の減少とが補償されるかたちで、上記演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に温度係数を設定することができるようになる。

なお、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に所望の温度係数を実際に設定するために必要とされる抵抗Ｒ１およびＲ２（抵抗Ｒ３およびＲ４）の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係については、先の第１の実施の形態の式（３）に基づいて決定することができる。またこの実施の形態にあっても、抵抗Ｒ１およびＲ３は同一の抵抗値を持つ同種の薄膜抵抗によって形成され、抵抗Ｒ２およびＲ４は同一の抵抗値を持つ同種の拡散抵抗によって形成されている。

以上説明したように、この第２の実施の形態によれば、以下に記載するような優れた効果が得られるようになる。
（１）温度の上昇に伴う素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２の低下と上記磁界強度の変化量ΔＭｆ１、ΔＭｆ２の減少とに起因して減少する上記増幅信号の変化量Ａｍ３、Ａｍ４の減少分を演算増幅器ＯＰ１、ＯＰ２の増幅率の増大により補償するかたちで、抵抗Ｒ１〜Ｒ４の温度係数を各々設定することとした。このため、温度の上昇に伴って素子感度Ｓｆ１、Ｓｆ２が低下し、上記磁界強度が減少した場合であれ、スロットルバルブの開閉に伴う磁界強度の変化の検出精度を好適に維持することができるようになる。

（２）演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１の温度係数として、素子感度Ｓｆ１および磁界強度の変化量ΔＭｆ１の乗算値の負の温度係数に対して正であって且つ、同乗算値の温度係数の絶対値よりもやや大きい温度係数を割り当てることとした。これにより、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に、温度の上昇に伴う素子感度Ｓｖ１の低下と磁界強度の変化量ΔＭｆ１の減少とを補償するような温度係数を設定することも容易にできるようになる。

（３）抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を、先の第１の実施の形態の式（３）に基づいて決定することとした。これにより、演算増幅器ＯＰ１の増幅率ａ１に所望の温度係数を設定するために必要とされる抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を、容易に決定することができるようになる。

（４）抵抗Ｒ２を拡散抵抗から形成する一方、抵抗Ｒ１を薄膜抵抗から形成することとしたため、抵抗Ｒ１の温度係数を、抵抗Ｒ２の温度係数に対して積極的に小さく設定することが容易となる。

（５）各々上記抵抗Ｒ１およびＲ３と、上記抵抗Ｒ２およびＲ４とを、互いに同一の抵抗値を持つ同一の抵抗材料によって形成することとした。このため、演算増幅器ＯＰ１およびＯＰ２を通じて差動増幅された信号（ポイントＰ２２の信号）にオフセットが生じることが好適に抑制されるようになる。

（他の実施の形態）
なお、上記各実施の形態は、以下のように変更して実施することもできる。
・上記第１の実施の形態において、抵抗Ｒ１（Ｒ３）、Ｒ２（Ｒ４）の温度係数ＴＣＲ１、ＴＣＲ２については、温度の上昇に伴う磁界強度の減少に起因して減少する演算増幅器ＯＰ１による増幅信号の変化量Ａｍ１の減少分をさらに補償するように設定してもよい。すなわち、図４に、磁界強度と、演算増幅器ＯＰ１による増幅信号の変化量Ａｍ１との特性を示すように、この増幅信号の変化量Ａｍ１は、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４に付与される磁界の強度が大きくなるにつれて大きくなる。ただし、この増幅信号の変化量Ａｍ１は、磁界強度がある大きさを超えて後の領域ではほぼ一定になって飽和するようになる。そして通常は、この飽和磁界領域にて上記磁気ベクトルの変化を検出するため、温度の上昇に伴う磁界強度の減少については、増幅信号の変化量Ａｍ１に基づいて磁気ベクトルの変化量を検出する上では無視することができる。しかし、磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石が例えばフェライト磁石であるような場合には、温度の上昇に伴って磁界強度（磁気ベクトルの大きさ）が大きく減少すると上記飽和磁界領域から外れるようなことも生じかねない。すなわちこのような状態にあっては、演算増幅器ＯＰ１による増幅信号の変化量Ａｍ１は、温度の上昇に伴う磁界強度の減少にも起因して減少する。そこで、温度の上昇に伴う磁界強度の減少に起因して減少する演算増幅器ＯＰ１による増幅信号の変化量Ａｍ１の減少分をさらに補償するように抵抗Ｒ１、Ｒ２の温度係数ＴＣＲ１、ＴＣＲ２を各々設定するようにすれば、上記増幅信号の変化量Ａｍ１のさらなる安定化を図ることができるようになる。

・演算増幅器ＯＰ１（演算増幅器ＯＰ２）の増幅率ａ１、ａ２に設定すべき温度係数の求め方や、抵抗Ｒ１およびＲ２（抵抗Ｒ３およびＲ４）の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２の関係を決定する手法は任意である。例えば、抵抗Ｒ１およびＲ２の温度係数ＴＣＲ１およびＴＣＲ２については、上記式（４）〜（６）に基づいて計算によって決定することもできる。

・抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗材料は任意である。ただし、先の各実施の形態における上記（４）の効果を得る意味では、抵抗Ｒ２およびＲ４を、半導体基板のエピタキシャル層に用いられるような拡散抵抗（例えば、１０００〜５０００ｐｐｍ／℃程度）またはポリシリコン抵抗（１８００ｐｐｍ／℃）によって形成する。そして、抵抗Ｒ１およびＲ３についてはこれを、クロムシリコン、ニッケルクロムなどの薄膜抵抗（例えば、５０ｐｐｍ／℃以下）によって形成することがより望ましい。

・差動増幅器を構成するかたちで演算増幅器を２つ備える必要はない。磁気検出装置として要は、センサ部とこのセンサ部による検出信号を増幅する増幅器とを備え、この増幅器の増幅率に温度の上昇とともにその増幅率が増大するような温度係数を設定するようにすれば、少なくともこうした増幅率の増大を通じて磁界の変化の検出精度も自ずと高く維持されるようになる。

・センサ部を構成する磁気検出素子としては、例えば、磁気抵抗素子、巨大磁気抵抗素子、ホール素子など、磁界の変化を検出可能な素子であればよい。
・図１および図３の回路では、ブリッジ回路１１またはホール素子２１に対してダイオードＤを介して定電圧を印加する構成としたが、同ダイオードＤに代えて、所定の抵抗を介して定電圧を印加する構成としてもよい。この場合、これら回路における消費電力を低減することができるようになる。また、図１および図３の回路において、ダイオードＤを省略することも可能であり、この場合には上記ポイントＰ１２、２２の信号の変化量を大きくすることができるようになる。ただし、図１および図３の回路の温度上昇に対する安定化を図る上では、上記ダイオードＤを設けるようにすることが実用上より望ましい。

この発明にかかる磁気検出装置の第１の実施の形態についてその内部の回路を示す回路図。 同第１の実施形態における素子感度および演算増幅器による増幅信号の変化量の温度特性を示すグラフ。 この発明にかかる磁気検出装置の第２の実施の形態についてその内部の回路を示す回路図。 演算増幅器による増幅信号の変化量と磁界強度との特性を示すグラフ。 従来の磁気検出装置の概要を示す正面図。 同従来の磁気検出装置のチップ内部の等価回路を示す回路図。

符号の説明

１１…ブリッジ回路、２１…ホール素子、ＭＲＥ１１〜ＭＲＥ１４…磁気抵抗素子、Ｒ１〜Ｒ４…抵抗、ＯＰ１、ＯＰ２…演算増幅器、Ｔ２…出力端子、Ｄ…ダイオード。

Claims (6)

1. 被検出運動体の運動に起因して生ずる磁界の変化を検出する磁気検出素子と、第１の抵抗素子およびこの第１の抵抗素子より抵抗値の大きい第２の抵抗素子の各々の抵抗値比に基づいて決定される増幅率をもって前記磁気検出素子による検出信号を増幅する増幅器とを備え、この増幅器による増幅信号に基づいて前記被検出運動体の運動情報を検出する磁気検出装置において、
   前記第１の抵抗素子が、前記第２の抵抗素子よりも温度係数の小さい抵抗材料からなる
   ことを特徴とする磁気検出装置。
2. 前記磁気検出素子が、前記被検出運動体の運動に起因して生ずる磁気ベクトルの変化を抵抗値の変化として検出する磁気抵抗素子からなり、この抵抗値の変化を前記検出信号として出力するものであり、前記増幅器による増幅信号の前記磁気ベクトルの変化に伴う変化量を、前記磁気抵抗素子の前記磁気ベクトルの変化量に対する抵抗値の変化のしやすさである素子感度および前記磁気抵抗素子に付与される磁気ベクトルの変化量および前記増幅器の増幅率の乗算値として表わすとき、温度の上昇に伴う前記素子感度の低下に起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分を前記増幅器の増幅率の増大により補償するかたちで、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数が各々設定されてなる
   請求項１に記載の磁気検出装置。
3. 温度の上昇に伴う磁界強度の減少に起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分がさらに補償されるかたちで、前記第１および第２の抵抗素子の温度係数が各々設定されてなる
   請求項２に記載の磁気検出装置。
4. 前記磁気検出素子が、前記被検出運動体の運動に起因して生ずる磁界強度の変化をホール電圧の変化として検出するホール素子からなり、このホール電圧の変化を前記検出信号として出力するものであり、前記増幅器による増幅信号の前記ホール電圧の変化に伴う変化量を、前記ホール素子の前記磁界強度の変化量に対するホール電圧の変化のしやすさである素子感度および前記ホール素子に付与される磁界の強度の変化量および前記増幅器の増幅率の乗算値として表わすとき、温度の上昇に伴う前記素子感度の低下と前記ホール素子に付与される磁界の強度の減少とに起因して減少する前記増幅信号の変化量の減少分を前記増幅器の増幅率の増大により補償するかたちで前記第１および第２の抵抗素子の温度係数が各々設定されてなる
   請求項１に記載の磁気検出装置。
5. 前記第１の抵抗素子が薄膜抵抗からなり、前記第２の抵抗素子が拡散抵抗からなる
   請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
6. 前記増幅器が差動増幅器を構成するかたちで２つ設けられ、それら増幅器の各々前記第１の抵抗素子および前記第２の抵抗素子が互いに同一の抵抗値および同一の抵抗材料からなる
   請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の磁気検出装置。

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