JP2018037528A - 半導体装置、液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、及び液体吐出装置 - Google Patents

半導体装置、液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、及び液体吐出装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 アンチヒューズ素子の書き込みおよび読出し不良を低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 一様態は、第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、前記トランジスタと、前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子の間に接続されたアンチヒューズ素子と、前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子と、前記抵抗素子に対向して配される温度調整手段と、を有する半導体装置に関する。【選択図】 図１

Description

本発明は、アンチヒューズ素子を備えた半導体装置、液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、及び液体吐出装置に関する。
近年、半導体装置は、製品完成後に、チップＩＤや設定パラメータ等の製品固有情報を記録するためＯＴＰ（Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）メモリが用いられている。ＯＴＰメモリには、ヒューズ素子とアンチヒューズ素子を用いた２種類がある。アンチヒューズ素子を用いた従来技術として、特許文献１の構成が示されている。
特開２０１４−５８１３０号公報
アンチヒューズ素子に並列に接続されている抵抗の抵抗値が、環境および印字状況による温度変化に伴い変化することで、書込みおよび読出しが困難になる可能性がある。
一様態は、第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタと、前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子の間に接続されたアンチヒューズ素子と、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子と、
前記抵抗素子に対向して配される温度調整手段と、
を有する半導体装置に関する。
また、一様態は、第１端子及び第２端子を有し、前記第１端子が第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
第１端子及び第２端子を有し、前記トランジスタの前記第２端子に前記第１端子が接続され、前記第２端子が前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子に接続されたアンチヒューズ素子と、
前記アンチヒューズ素子の前記第１端子と第１端子が接続され、前記アンチヒューズ素子の前記第１端子と第２端子が接続された抵抗素子と、
半導体基板の前記トランジスタ、前記アンチヒューズ素子、及び前記抵抗素子が形成される面に対する平面視において、前記抵抗素子と重なるように配される導電層と、
を有する半導体装置に関する。
別の一様態は、第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタと、前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子の間に接続されたアンチヒューズ素子と、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子と、
前記抵抗素子の温度による特性の変化を低減するための調整手段と、
を有する半導体装置に関する。
アンチヒューズ素子の書き込みおよび読出し不良を低減することができる。
第１の実施の形態に係る半導体装置の回路構成 半導体装置の一部の断面構造 第１の実施の形態に係る液体吐出ヘッド用基板の平面視における概念図 図３の液体吐出ヘッド用基板の一部の平面図 第２の実施の形態に係る半導体装置の回路構成 第３の実施の形態に係る液体吐出ヘッド用基板の回路構成 液体吐出ヘッド用基板を搭載した液体吐出装置の例を説明するための図
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態である半導体装置の回路構成の一例であり、アンチヒューズ素子に情報が書込まれる前の状態を示している。
本実施の形態の半導体装置は、トランジスタＭＰ１、トランジスタＭＮ１、トランジスタＭＤ１、アンチヒューズ素子１１、及び抵抗素子Ｒｐ（抵抗部）を有するメモリ部１０、及び電源端子Ａ（第２電位端子）を有する。本実施の形態においては、情報の書き込み動作によって、アンチヒューズ素子１１の抵抗値が変化する。情報が書き込まれる前は、アンチヒューズ素子１１は大きな抵抗値を持つ。例えば、アンチヒューズ素子１１は、情報が書き込まれる前は、容量素子Ｃａとして機能する。図１は、アンチヒューズ素子１１に情報が書き込まれる前の状態を示しているため、アンチヒューズ素子１１は、容量素子Ｃａで表される。
なお、情報が書き込まれることによって、アンチヒューズ素子１１の抵抗値は下がる。よって、アンチヒューズ素子１１は、抵抗素子として機能する。このような構成により、アンチヒューズ素子１１の抵抗値の変化に基づいて、アンチヒューズ素子１１に書き込まれた情報を読み出すことができる。本明細書において、抵抗値は、直流抵抗として求めることができる。
図１において、トランジスタＭＰ１はＰ型トランジスタであり、トランジスタＭＮ１はＮ型トランジスタであり、トランジスタＭＰ１及びトランジスタＭＮ１のゲートには制御信号Ｓｉｇが入力されるよう構成されている。
また、トランジスタＭＰ１のソース及びドレインの一方の端子及びバックゲートには電源電圧ＶＤＤが供給され、もう一方の端子は、トランジスタＭＮ１のソース及びドレインの一方の端子及びトランジスタＭＤ１のゲートに接続されている。トランジスタＭＮ１のもう一方の端子及びバックゲートは、グランド配線ＧＮＤに接続されている。トランジスタＭＰ１及びトランジスタＭＮ１は、ロジック回路を形成する。ロジック回路を構成するトランジスタＭＰ１及びトランジスタＭＮ１の耐圧は、高耐圧トランジスタであるトランジスタＭＤ１より低いトランジスタを用いることができる。耐圧が低いトランジスタが用いられることで、ロジック回路を高速で動作させることができる。
トランジスタＭＤ１は、高耐圧トランジスタであり、アンチヒューズ素子１１への電圧の印加を制御する。例えば、トランジスタＭＤ１は、ＮＭＯＳトランジスタとすることができる。ここで高耐圧トランジスタとは、ロジック回路に用いられるトランジスタ（トランジスタＭＰ１やトランジスタＭＮ１など）より高い耐圧を有するトランジスタである。高耐圧トランジスタは、制御部等の一般のロジック回路のトランジスタでは耐えられないような大きな電圧が印加されても故障しないよう形成されていることが好ましい。
アンチヒューズ素子１１は、トランジスタＭＤ１を介して第１電位が供給された電源端子Ｂ（第１電位端子）に接続されている。アンチヒューズ素子１１としては、例えば、ＭＯＳ構造（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ構造）を有するアンチヒューズ素子を用いることができる。抵抗素子Ｒｐは、トランジスタＭＤ１を介して第１の電位の電源端子Ｂに接続され、アンチヒューズ素子１１と並列に接続されている。アンチヒューズ素子１１及び抵抗素子Ｒｐは、第１電位とは異なる第２電位が供給された電源端子Ａに接続されている。
電源端子Ａ及び電源端子Ｂは、メモリ部１０と外部の素子を電気的に接続するためのパッドであり、アンチヒューズ素子１１に電圧を印加するための端子である。例えば、電源端子Ｂの電位は、接地電位（グランド電位）であり、電源端子Ａの電位は、情報書込み時に印加する高電圧ＶＨ（例えば、３２Ｖ等）である。図１では、トランジスタＭＤ１が直接電源端子Ｂに接続され、アンチヒューズ素子１１が直接電源端子Ａに接続されているが、本実施の形態で示す機能を損なわなければ、それぞれ、間に他の電気素子を介して接続されていてもよい。
具体的な接続としては、トランジスタＭＤ１のソース及びドレインの一方の端子は、アンチヒューズ素子１１の一方の端子及び抵抗素子Ｒｐの一方の端子に接続される。トランジスタＭＤ１の他方の端子は、グランド配線ＧＮＤを介して接地電位である電源端子Ｂに接続されている。アンチヒューズ素子１１の他方の端子は、抵抗素子Ｒｐの他方の端子と接続され、電源端子Ａに接続されている。トランジスタＭＤ１は、例えばＮ型のＭＯＳトランジスタとすることができる。
トランジスタＭＤ１がオフ状態にある場合、アンチヒューズ素子と並列に配されている抵抗素子Ｒｐは、アンチヒューズ素子１１となる容量素子Ｃａの一方の端子と他方の端子の電位をほぼ同電位にする。
調整手段１２は、本実施の形態では、温度調整手段であり、例えばヒータＲｐｃを有する構成とすることができる。図１では、調整手段１２がヒータＲｐｃに加え電流源を有する構成を示す。本実施の形態では、電流源が記録素子基板に設けられている例を示すが、本発明はこれに限定されず、電流源は液体吐出ヘッド用基板の外部に配されていてもよい。調整手段１２の一端は、電源端子Ｃ（第３電位端子）に接続され、他端は、電源端子Ｄ（第４電位端子）に接続されている。電源端子Ｃ及びＤは、調整手段１２と外部の素子を電気的に接続するためのパッドであり、ここでは、電源端子Ｃは接地電位とされ、電源端子Ｄは、正の電位とされている。
本実施の形態では、抵抗素子Ｒｐが抵抗部である。この時、電流源からヒータＲｐｃに電流を流すことで、ヒータＲｐｃの温度が変化する。これにより、抵抗素子Ｒｐの温度変化を低減、またはなくすことができる。よって、抵抗素子の温度による特性変化に起因する抵抗部の特性の変化を低減、またはなくすことができる。また、ダイオード等の温度検出手段を、抵抗素子Ｒｐの近傍に配置し、その出力をモニタしながらヒータＲｐｃに供給する電流量を制御することが可能である。この場合、例えば、温度検出手段からの出力を液体吐出ヘッド用基板の外部に配される制御装置により、ヒータＲｐｃに供給する電流量が設定される。
温度検出手段を抵抗素子Ｒｐの近傍に配することで、抵抗素子Ｒｐの温度の変化に合わせて、ヒータＲｐに供給する電流量を制御することができる。ここで、抵抗素子Ｒｐの近傍とは、抵抗素子Ｒｐの温度が図れる位置、及び、抵抗素子Ｒｐに接する絶縁体や素子であって、その絶縁体や素子の一部の温度を測ることで抵抗素子Ｒｐの温度変化が推測できるような素子の温度が測れる位置を含む。
次に、書込み時の動作について説明する。
アンチヒューズ素子に情報を書込むときは、制御信号ＳｉｇにＬｏｗレベルの信号（例えば接地電位の信号）を入力することにより、トランジスタＭＤ１をＯＮ状態にする。これにより、アンチヒューズ素子１１のゲート絶縁膜に、高電圧ＶＨが印加される。その結果、アンチヒューズ素子１１のゲート絶縁膜が絶縁破壊される。ゲート絶縁膜が破壊されることで、アンチヒューズ素子１１のゲートと半導体基板１１０と間の抵抗値が大きく下がる。即ち書き込み前にアンチヒューズ素子１１は容量素子Ｃａであったのに対し、書き込み後はアンチヒューズ素子１１は抵抗素子となる。このようにして、アンチヒューズ素子１１に情報が書き込まれる。
次に、読出し時の動作を説明する。読出しを行いたいアンチヒューズ素子１１に対応する制御信号ＳｉｇにＬｏｗレベルの信号（例えば接地電位の信号）を入力することにより、トランジスタＭＤ１をＯＮ状態にする。外部との接続端子から、アンチヒューズ素子の抵抗値を測定することにより、アンチヒューズ素子１１が書き込みされているか否かを読みだすことができる。
具体的には、外部から電源端子Ａを介してアンチヒューズ素子１１に電流を供給し、その電圧をモニタする。アンチヒューズ素子１１が情報を書き込まれていない状態、すなわち容量素子である場合は、抵抗素子Ｒｐの抵抗値とトランジスタＭＤ１のオン抵抗との合成抵抗に対応する電圧が読みだされる。本実施の形態では、トランジスタＭＤ１のオン抵抗が、抵抗素子Ｒｐの抵抗値より小さい。そのため、外部から供給される電流による抵抗素子Ｒｐの電圧降下の分、電源端子Ａの電位は電源端子Ｂの電位より高くなる。
一方、アンチヒューズ素子１１が情報を書き込まれている状態の場合は、アンチヒューズ素子１１の書き込み状態の抵抗値、抵抗素子Ｒｐの抵抗値、及びトランジスタＭＤ１のオン抵抗との合成抵抗に対応する電圧が読み出される。本実施の形態では、情報書き込み後のアンチヒューズ素子１１の抵抗値は、抵抗素子Ｒｐの抵抗値より小さい。そのため、この時の合成抵抗は、アンチヒューズ素子１１の抵抗値とトランジスタＭＤ１のオン抵抗との和にほぼ等しい。この合成抵抗が抵抗素子Ｒｐの抵抗値と比べて小さくなるほど、電源端子Ａの電位は電源端子Ｂの電位に近づく。
このように、抵抗素子Ｒｐの抵抗値を、情報書き込み後のアンチヒューズ素子１１の抵抗値より十分高く設定する。これにより、アンチヒューズ素子１１に情報が書き込まれている場合と書き込まれていない場合の電圧差を、書き込み有無を判断するのに十分な大きさとすることができる。
アンチヒューズ素子１１には、例えば、製品出荷時に工場にて検査機等を用いて情報の書込みが行われる。或は、製品本体に搭載され、ユーザが製品の使用開始後に情報を書き込む場合は、製品本体から高電圧ＶＨに相当する電圧が供給される。
抵抗素子Ｒｐは書き込み前後の抵抗値の差を大きくするために数十ｋΩないし、それ以上の抵抗であることが好ましく、例えば、高抵抗素子として拡散を使った拡散抵抗を用いることができる。しかし、拡散抵抗Ｒｐの抵抗値は、温度による変化が大きく、抵抗率の温度係数は１０００ｐｐｍ／℃以上の温度係数を持つ。例えば、抵抗素子Ｒｐの抵抗率の温度係数が４０００ｐｐｍ／℃だった場合、抵抗素子Ｒｐの抵抗値は、０℃から１００℃まで温度が変化すると４０％変化する。拡散抵抗としては、抵抗率の温度係数が好ましくは２０００ｐｐｍ／℃以上、より好ましくは４０００ｐｐｍ／℃以上の抵抗素子を用いることができる。
アンチヒューズ素子１１及び抵抗素子Ｒｐの抵抗値は、書き込み前、抵抗素子Ｒｐの抵抗値が支配的であることから、アンチヒューズ素子１１に書き込みが行われていない状態での該抵抗値は、温度により変化することになる。上述の通り、抵抗素子Ｒｐの抵抗値に応じて、情報の書き込みの有無による読み出し電位の差が変化する。そのため抵抗素子Ｒｐの抵抗値の変化が大きいと、書き込み、あるいは、読出しを正確に行うことが困難になる可能性がある。
例えば、書込み時は、書き込まれるアンチヒューズ素子１１に対応するトランジスタＭＤ１をＯＮ状態とし、次にＯＦＦ状態とする。この時、アンチヒューズ素子１１に加わる印加電圧の過渡応答は、アンチヒューズ素子１１、抵抗素子Ｒｐ、及びトランジスタＭＤ１の抵抗と、容量素子Ｃａの容量値により決定される。ここで抵抗素子Ｒｐの抵抗値が大きく変化すると、書き込み時の電圧印加特性が変化し、安定した書き込みが困難となる。
また、読出し時は、アンチヒューズ素子１１の書き込み前の場合は、抵抗素子Ｒｐの抵抗及びトランジスタＭＤ１のオン抵抗の合成抵抗に対応する電圧を読みだすことになり、抵抗素子Ｒｐの抵抗値が支配的な情報となる。よって、抵抗素子Ｒｐの抵抗値が大きく変化すると、安定した読出しが困難となる。これらの影響を低減するために、抵抗素子Ｒｐの近傍に調整手段１２を設ける。
調整手段１２は、抵抗素子Ｒｐの温度による特性（抵抗値）の変化を低減するための素子であり、図１のヒータＲｐｃｄは、例えば、抵抗素子Ｒｐに対向する位置に配されている。調整手段１２は、一端が電源端子Ｃ、もう一端が電源端子Ｄに接続され、半導体装置内部もしくは外部に配される電流源から電流が供給されることで発熱し、抵抗素子Ｒｐの温度を制御することができる。ヒータＲｐｃに電流を供給する電流源は、半導体装置が配される基板上に配されていてもよく、また、該基板外部に配されていてもよい。
本明細書において、ある方向に長手方向を有する部材Ａが部材Ｂに対向して配されるとは、部材Ａの長手方向を含む面に対する平面視において、間に絶縁体を挟んで重なる位置に配されることを意味する。
また、温度検出手段として例えばダイオード（不図示）が抵抗素子Ｒｐの近傍に配され、その出力をモニタしながらヒータＲｐｃに供給する電流量を制御してもよい。モニタ結果からヒータＲｐｃに供給する電流量は、外部の制御部で調整されてもよく、また、半導体装置が配される基板上に配される制御部で調整されてもよい。温度検出手段は、それぞれの抵抗素子Ｒｐにそれぞれ配することが好ましいが、半導体装置に少なくとも一つ配置されていれば良い。また、必ずしも温度をモニタする必要はない。
調整手段１２を設けて温度調整を行うことで、抵抗素子Ｒｐの温度変化による特性の変化を低減することができ、アンチヒューズ素子１１を用いての情報の読み出しや書き込み不良を抑制することができる。
調整手段１２は、半導体装置の他の部分の温度調整を必要とする部分の温度調整を兼ねてもよい。例えば、半導体装置が液体を吐出するための吐出用素子を備える場合に、調整手段１２が当該吐出用素子の温度を制御してもよい。
次に、図２に図１で示す容量素子Ｃａ、抵抗素子Ｒｐ、及びトランジスタＭＤ１の断面構造の具体例を示す。
半導体基板１１０において、Ｐ型シリコン基板１００上に、Ｐウエル領域１０１とＮウエル領域１０２ａ、１０２ｂ、及び１０２ｃが形成されている。Ｐウエル領域１０１は、ロジック回路を構成するＮＭＯＳトランジスタのＰウエルと同じ工程で形成することができる。また、Ｎウエル領域１０２ａ、１０２ｂ、及び１０２ｃは、ロジック回路を構成するＰＭＯＳトランジスタのＮウエルと同じ工程で形成することができる。
なお、Ｐ型シリコン基板１００に対するＮウエル領域の不純物濃度は、Ｎウエル領域１０２ａ、１０２ｂ、及び１０２ｃとＰ型シリコン基板１００とのブレイクダウン電圧が、高電圧ＶＨより高くなる濃度となっている。また、Ｐウエル領域１０１とＮウエル領域１０２ａ、１０２ｂ、及び１０２ｃの不純物濃度は、Ｐウエル領域１０１とＮウエル領域１０２ａ、１０２ｂとのブレイクダウン電圧が、高電圧ＶＨより高くなる濃度となっている。
Ｐウエル領域１０１及びＮウエル領域１０２ａ、１０２ｂ、及び１０２ｃに、フィールド酸化膜１０３、高濃度のＮ型拡散領域１０６ａ〜１０６ｅ、及び高濃度Ｐ型拡散領域１０７が形成されている。フィールド酸化膜１０３は、例えばＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法で形成することができる。
高耐圧ＮＭＯＳトランジスタであるトランジスタＭＤ１の構成を説明する。ゲート電極１０５ａは、ゲート絶縁膜１０４を介して、隣接するＰウエル領域１０１とＮウエル領域１０２ａの上に配置される。Ｐウエル領域１０１とゲート電極１０５ａの重なる領域がチャネル形成領域となる。
高濃度のＮ型拡散領域１０６ａはトランジスタＭＤ１のソースであって、高濃度Ｐ型拡散領域１０７はバックゲート電極である。Ｎウエル領域１０２ａは、ドレインの電界緩和領域として、ゲート電極１０５ａの下部まで延在している部分を有する。Ｎウエル領域１０２ａ内に形成された高濃度のＮ型拡散領域１０６ｂが、トランジスタＭＤ１のドレイン電極となる。更に、ゲート電極１０５ａのドレイン側は、Ｎウエル領域１０２内に形成されたフィールド酸化膜１０３上に乗り上げた構造、所謂、ＬＯＣＯＳオフセット構造を有している。
これにより、トランジスタＭＤ１がＯＦＦ状態、すなわち、ゲート電極の電圧がＧＮＤで、ドレイン電極の電圧が高電圧ＶＨまで上昇しても、ゲート−ドレイン耐圧が確保できる。
次に、アンチヒューズ素子１１の構造を説明する。アンチヒューズ素子１１は、上部電極、下部電極、及びその間の絶縁層を有する。たとえば、Ｎウエル領域１０２ｂの上にゲート絶縁膜１０４を介して設けられた電極１０５ｂが、アンチヒューズ素子１１の上部電極として機能する。また、Ｎウエル領域１０２ｂにおいて、高濃度のＮ型拡散領域１０６ｃに接続され、半導体基板１１０のトラジスタＭＤ１等の素子が配される面に対する平面視で、上部電極と重複する部分が、下部電極として機能する。なお、トラジスタＭＤ１、アンチヒューズ素子１１、及び抵抗素子Ｒｐ等の素子が配される面に対する平面視とは、例えば、トラジスタＭＤ１のチャネル形成領域の表面に対する平面視である。
図２では、Ｎウエル領域１０２ｂの、平面視において上部電極と重ならない領域のみに高濃度のＮ型拡散領域１０６ｃが形成されているが、高濃度のＮ型拡散領域１０６ｃはこれに限定されない。例えば、上部電極と重複する部分の一部、または重複する部分全域に高濃度のＮ型拡散領域１０６ｂが形成されている工程としてもよい。平面視において上部電極と重なる領域に高濃度のＮ型拡散領域１０６ｃも形成されている場合には、高濃度のＮ型拡散領域１０６ｃの重複部分もアンチヒューズ素子１１の下部電極として機能する。
さらに、図２では、アンチヒューズ素子１１の下部電極がトランジスタＭＤ１のドレインに接続されているが、上部電極が第３のトランジスタＭＤ１のドレインに接続され、下部電極が高電圧ＶＨに接続されていてもよい。
ゲート絶縁膜１０４は、ロジック回路を構成するトランジスタＭＰ１及びＭＮ１のゲート絶縁膜の形成工程で形成することができ、例えば酸化膜で形成することができる。また、電極１０５ａ、１０５ｂは、例えばポリシリコン層とすることができる。ポリシリコン層、高濃度のＮ型拡散領域１０６ａ〜１０６ｃ、及び、高濃度Ｐ型拡散領域１０７は、低耐圧ロジック回路を構成するトランジスタＭＰ１及びＭＮ１の、各要素の形成工程と同じ工程で形成することができる。
このように、アンチヒューズ素子１１をＭＯＳ構造を有するアンチヒューズ素子とし、アンチヒューズ素子１１への書き込みを制御するトランジスタをＭＯＳトランジスタとすることで、アンチヒューズ素子とトランジスタを同じ工程で形成することができる。このため、少ない工程数で安価に半導体装置を形成することができる。
高濃度のＰ型拡散領域１０７、Ｎ型拡散領域１０６ａ〜１０６ｅ、及びフィールド酸化膜１０３上には複数のコンタクト部１０８が設けられた絶縁膜が設けられ、絶縁膜上には、導電層１０９ａ〜１０９ｅが設けられている。導電層１０９ａ〜１０９ｅの上には、絶縁膜が設けられ、絶縁膜の上に、更に導電層１０９ｆが設けられている。導電層１０９ａ〜１０９ｆは、例えばアルミ等の金属から形成することができる。なお、導電層１０９ａ〜１０９ｆと各電極、配線は、電気的に接続されていれば、その製造手法、材料、および構造は限定されない。
図２では、アンチヒューズ素子１１として、下部電極及び上部電極がＮウエル領域とポリシリコンで形成される容量素子を例として示しているが、アンチヒューズ素子１１はこの構造に限定されず、例えばＰＭＯＳトランジスタを用いた容量素子であってもよい。アンチヒューズ素子１１の下部電極及び上部電極の一方が一方の端子、他方が他方の端子として機能する。
抵抗素子Ｒｐは、半導体基板１１０内の半導体領域である、Ｎウエル領域１０２ｃを有し、１０９ｄおよび１０９ｅの導電層に、それぞれ高濃度のＮ型拡散領域１０６ｄおよび１０６ｅを介して接続される。抵抗素子Ｒｐはこの構造に限定されない。例えば、導電層による抵抗体、ポリシリコンによる抵抗体が、抵抗素子Ｒｐとして用いられてもよい。
調整手段１２であるヒータＲｐｃは、抵抗素子Ｒｐの上層の導電層１０９ｆであって、図示しない電流源から導電層１０９ｆに電流が流れることで、導電層１０９ｆの温度が調整される。導電層１０９ｆは、ここでは、絶縁体（２層の絶縁膜）を間に挟んで、抵抗素子Ｒｐに対向して配される。
絶縁膜は、トランジスタＭＤ１や抵抗素子Ｒｐ等を覆うように半導体基板１１０上に形成された絶縁体層であり、例えば酸化シリコンからなる。また絶縁体層は、これに限定されず、窒化シリコンや炭化シリコンからなっていてもよく、これらの積層や混合物層でもよい。また、調整手段１２と抵抗素子Ｒｐの間は、絶縁膜ではなく、空間であってもよい。なお、図２では導電層１０９ｆを他の配線である導電層と同じ層で形成する例を示しているが、より上層の導電層で形成しても良く、抵抗素子Ｒｐの近傍であれば必ずしも直上である必要はない。
導電層１０９ａは、コンタクト部１０８を介してトランジスタＭＤ１のソースとバックゲートに接続されており、接地電位が与えられる。導電層１０９ｂは、コンタクト部１０８を介してトランジスタＭＤ１のドレイン電極とアンチヒューズ素子１１の下部電極に接続されている。導電層１０９ｃは、コンタクト部１０８を介してアンチヒューズ素子１１の上部電極に接続され、書込み時には、高電圧ＶＨが印加される。導電層１０９ｄは導電層１０９ｃと接続され（図示しない）、導電層１０９ｅは導電層１０９ｂと接続される（図示しない）。
次に、本実施の形態の半導体装置を有する液体吐出ヘッド用基板の、半導体基板１１０の、素子が形成される面に対する平面視における概念図を図３に示す。液体吐出ヘッド用基板３００は、供給口３０１、複数の吐出用素子を有する吐出用素子群３０２ａ、３０２ｂ、駆動回路部３０３ａ、３０３ｂ、アンチヒューズ素子群３０４、及び抵抗素子群３０５を有する。
供給口３０１は、Ｘ方向に延在しており、吐出用素子群３０２ａ及び３０２ｂは、それぞれ、Ｘ方向に並んだ複数の吐出用素子を有し、供給口３０１を間に挟んでＹ方向に配置されている。駆動回路部３０３ａ、３０３ｂは、それぞれ複数の駆動回路を有し、複数の駆動回路は、それぞれ、吐出用素子群３０２ａ、３０２ｂ中の対応する吐出用素子を駆動する。駆動回路は、例えば、ＡＮＤ回路やＭＯＳトラジスタを有する。
アンチヒューズ素子群３０４は、半導体基板１１０のＸ方向に延びる辺に沿って配され、Ｘ方向に並んだ複数のアンチヒューズ素子１１を有する。抵抗素子群３０５は、Ｙ方向においてアンチヒューズ素子群３０４と駆動回路部３０３ｂの間に配され、それぞれ対応するアンチヒューズに並列に接続され、Ｘ方向に並んだ複数の抵抗素子Ｒｐを有する。
半導体基板１１０のＹ方向に延びる辺に沿って、複数の電源端子３０６が配されている。調整手段１２は、抵抗素子Ｒｐの温度を調整することができる位置に配されていればよく、例えば、半導体基板１１０の素子が形成される面に対する平面視において、複数の抵抗素子Ｒｐを有する抵抗素子群３０５と重なる位置に配されていてもよい。図３では、調整手段１２は、複数の電源端子３０６のうちの電源端子Ｃ及びＤに接続され、該平面視において抵抗素子群と重なり、半導体基板１１０の外周に沿って配置された導電層で形成される例を示す。
ここでは、調整手段１２が、抵抗素子Ｒｐによる温度変化を調整する機能に加え、基板全体の温度を調整するサブヒータを兼ねている例を示したが、本実施の形態の液体吐出ヘッド用基板は、これに限定されない。例えば、調整手段１２は、サブヒータとして機能する導電層とは電気的に分離された導電層により構成されていてもよい。
図３の破線で示した、半導体装置を有する記録用ヘッド基板の一部の領域の詳細な平面図を図４に示す。図２の断面図は、図４にける破線Ａ−Ｂ及びＣ−Ｄに沿った面における半導体装置の断面図である。図４に示すように、調整手段１２は、半導体基板１１０の、トラジスタＭＤ１、アンチヒューズ素子１１、抵抗素子Ｒｐ等の素子が形成される面に対する平面視において、抵抗素子ＲｐのＮウェル領域１０２ｃと重なり、Ｘ方向に延在するように配置されている。
複数の抵抗素子ＲｐはＸ方向に並んでいる。一方で、抵抗素子Ｒｐを構成するＮウェル領域１０２ｃはＹ方向に延在している。このような構成により、短い周期で複数の抵抗素子Ｒｐを配置することができる。また、トランジスタＭＤ１は、大きな電流を流すためにチャネル幅が大きいことが好ましい。よって、トラジスタＭＤ１は、チャネル幅方向がＹ方向になるよう形成されている。チャネル幅方向がＹ方向であることで、複数のトラジスタＭＤ１を短い周期で配置することができる。このような構成とすることで、液滴吐出ヘッド用基板のＸ方向のサイズの増加を抑制しながら、抵抗素子Ｒｐの抵抗値やトランジスタＭＤ１のチャネル幅を好適に調整することができる。
例えば、吐出用素子及び、該吐出用素子に対応する駆動回路を有する吐出機構に対し、Ｙ方向に対応する位置に、トランジスタＭＤ１、アンチヒューズ素子１１、及び抵抗素子Ｒｐを有するメモリ機構を配することができる。このような吐出機構とメモリ機構の組が、Ｘ方向に並んだ構成とすることができる。この時、上記のように、抵抗素子Ｒｐ及びトランジスタＭＤ１を、それぞれがＸ方向に短い周期で並ぶ向きに配置する。これにより、液体吐出ヘッド用基板のＸ方向の幅が、吐出機構によって規定される幅より大きくなるのを防ぐ、または大きくなる量を低減することができる。
調整手段１２が、抵抗素子Ｒｐと平面視において重なるように設けられているため、複数の抵抗素子Ｒｐの温度のばらつきを低減することができる。
本実施の形態の調整手段１２を用いることにより、メモリ素子であるアンチヒューズ素子１１の書込みおよび読出し不良を低減することが可能となる。
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態で示したアンチヒューズ素子１１と並列に接続された抵抗素子Ｒｐの温度特性の影響を低減する別の例を示す。本実施の形態において、抵抗部は、抵抗素子Ｒｐと、該抵抗素子Ｒｐに直列に接続された抵抗素子Ｒｓを有する。
図５は、第２の実施の形態である半導体装置の回路構成であり、アンチヒューズ素子１１に情報が書込まれる前の状態を示している。
調整手段１２は、本実施の形態では、抵抗調整手段である。具体的に、調整手段１２は、アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子Ｒｐに直列に配置された抵抗素子Ｒｓである。図５に示すように、本実施の形態では、抵抗部（直列に接続されている抵抗素子Ｒｐおよび抵抗素子Ｒｓ）と、アンチヒューズ素子１１とが、並列に接続されている。抵抗素子Ｒｓは、抵抗素子Ｒｐと逆の温度特性を持ち、その温度係数の絶対値は略等しいものである。抵抗素子の温度特性とは、温度の変化に応じた抵抗値の変化の特性を意味する。温度特性の温度係数とは、温度が１℃変化した時の抵抗値の変化量である。逆の温度特性とは、温度係数の符号が異なることを意味する。
抵抗素子Ｒｓはポリシリコンからなる。一般にポリシリコンはイオン注入量等により温度係数を調整することが可能である。抵抗素子Ｒｐの逆の温度特性を持つ抵抗素子Ｒｓを直列に配置することで、抵抗素子Ｒｐと抵抗素子Ｒｓの合成抵抗の温度に対する抵抗値の変化量を低減、またはなくすことができる。すなわち、抵抗素子Ｒｐの温度の変化に起因する抵抗部の特性の変化を低減、またはなくすことができる。よって、アンチヒューズ素子１１の書込み及び読出し不良を低減することが可能となる。本実施の形態の調整手段１２は、電流供給等の機能を必要とせず、抵抗素子Ｒｓを配置するのみで良いため半導体装置の簡略化につながる。
本実施の形態では抵抗素子Ｒｓとしてポリシリコン抵抗を用いたが、抵抗素子Ｒｐと逆の温度特性を持つ抵抗素子であれば良く、ＭＯＳ構造やダイオード等の素子を抵抗素子として用いても良い。温度係数の絶対値は等しいことが望ましいが、値が等しくなくても、抵抗素子Ｒｐと逆の温度特性を持っていれば効果を有する。
（第３の実施の形態）
本実施の形態では、第１及び第２の実施の形態に記載の半導体装置の適用例として、半導体装置を液体吐出装置に適用した例について説明する。
図６は、第１及び第２の実施の形態のいずれかに記載の半導体装置（メモリ部１０）を有する液体吐出ヘッド用基板の回路構成の一例を示す。液体吐出ヘッド用基板は、メモリ部１０及び論理回路ＮＡＮＤ回路と、記録ユニット２０１を有する。
メモリ部１０は、トランジスタＭＰ１及びトランジスタＭＮ１からなるインバータ、トランジスタＭＤ１、アンチヒューズ素子Ｃａ、抵抗素子Ｒｐを有する。また、記録ユニット２０１は、吐出用素子であるヒータＲｈ（電気熱変換素子）と、ヒータＲｈを駆動する駆動部（例えば、トランジスタＭＤ２及び論理積回路ＡＮＤ）と、を有する。ヒータＲｈを駆動することにより、即ち、ヒータＲｈを通電させて熱を発生させることにより、記録剤が吐出され、記録を行うことが可能である。
制御回路２０３は、例えば、不図示のシフトレジスタやラッチ回路等によって構成することができる。制御回路２０３には、例えば、不図示のホストＰＣ等を介して、クロック信号ＣＬＫ、画像データ信号ＤＡＴＡ、ラッチ信号ＬＴ、ヒータ制御信号ＨＥが入力されてもよい。また、論理積回路ＡＮＤ及びＮＡＮＤ、並びに制御回路２０３には、ロジック用の電源電圧として、第１の電源電圧ＶＤＤ（例えば、３〜５Ｖ）が供給される。記録ユニット２０１とメモリ部１０は、それぞれ制御回路２０３に電気的に接続されている。
ここで、制御回路２０３は、例えば、其々がｎ個の記録ユニット２０１を有するｍ個のグループについて、グループごとに記録ユニット２０１の動作を制御してヒータＲｈを駆動する時分割駆動を為しうる。時分割駆動は、制御回路２０３が、ｍビットのブロック選択信号２０４と、ｎビットの時分割選択信号２０５とを出力して為されうる。
論理積回路ＡＮＤには、対応するブロック選択信号２０４及び時分割選択信号２０５が入力され、それに応答してトランジスタＭＤ２を導通状態にし、トランジスタＭＤ２と直列に接続されたヒータＲｈを駆動する。ここで、記録ユニット２０１には、ヒータ駆動用の電源電圧として第２の電源電圧ＶＨ１（例えば、２４Ｖ）が供給され、接地電位をＧＮＤとする。
論理積回路ＮＡＮＤには、制御信号２０６及び時分割選択信号２０５が入力され、それに応じた信号がインバータからトランジスタＭＤ１に出力され、トランジスタＭＤ１の導通状態／非導通状態が切り替えられる。メモリ部１０には、アンチヒューズ素子Ｃａに情報を書き込むための第３の電源電圧ＶＨ２が供給され、接地電位をＧＮＤとする。
液体吐出ヘッド用基板は、液体の吐出を安定させるため、基板加熱用ヒータＲｓｈによってヘッド用基板を予備加熱する機能を有する。液体吐出ヘッド基板の温度を図示しない温度モニタにより検出し必要に応じてＲｓｈに電流を流すことで液体吐出ヘッド基板の温度を一定としている。
一方、アンチヒューズ素子１１に並列に接続されている抵抗素子Ｒｐの温度特性を調整する調整手段１２も別途配置されている。記録ユニット２０１とメモリ部１０が離れて配置されている場合、個別に調整手段１２を有する方が好ましい。個別に調整手段１２を有することで異なる目標温度に調整することが可能となる。また個別の調整手段１２を有することで必要な時に個別に調整手段を機能させることが可能となるので省電力となる。一方、基板加熱用ヒータＲｓｈと調整手段であるヒータＲｐｃを個別に用いず電気的に接続し、単一の電流源もしくは端子からヒータに流す電流を制御しても良い。
図７を参照しながら、上記液体吐出ヘッド用基板を液体吐出装置に搭載した例について、インクジェット記録方式のものを例示して説明する。しかし、液体吐出装置はこの形態には限定されず、例えば、溶融型や昇華型等の熱転写方式の液体吐出装置についても同様である。液体吐出装置は、例えば、記録機能のみを有するシングルファンクションプリンタであっても良いし、例えば、記録機能、ＦＡＸ機能、スキャナ機能等の複数の機能を有するマルチファンクションプリンタであっても良い。また、液体吐出装置は、例えば、カラーフィルタ、電子デバイス、光学デバイス、微小構造物等を所定の記録方式で製造するための製造装置であっても良い。
「記録」は、記録媒体上に画像、模様、パターン、構造物等、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものを形成する場合だけでなく、媒体の加工を行う場合をも含みうる。「記録媒体」とは、一般的な液体吐出装置で用いられる紙のみならず、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、記録剤を付することが可能なものをも含みうる。「記録剤」は、記録媒体に付されることにより、画像、模様、パターン等の形成又は記録媒体の加工に供されうるインク等の液体だけでなく、記録剤の処理（例えば、記録剤が含有する色剤の凝固又は不溶化）に供されうる液体をも含みうる。
図７（ａ）は、液体吐出ヘッド１８１０の主要部を示している。液体吐出ヘッド１８１０は、インク供給口１８０３を備える。上述の実施例のヒータ１０１は、発熱部１８０６として示されている。図７（ａ）に示すように、基体１８０８は、複数の吐出口１８００に連通した液路１８０５を形成するための流路壁部材１８０１と、インク供給口１８０３を有する天板１８０２とを組み付けることにより、液体吐出ヘッド１８１０を構成できる。この場合、インク供給口１８０３から注入されるインクが内部の共通液室１８０４へ蓄えられてそれぞれの液路１８０５へ供給され、その状態で基体１８０８、発熱部１８０６を駆動することで、吐出口１８００からインクの吐出がなされる。
図７（ｂ）は、このような液体吐出ヘッド１８１０の全体構成を示す図である。液体吐出ヘッド１８１０は、上述した複数の吐出口１８００、実施の形態１または２の液体吐出ヘッド用基板３００を有する記録部１８１１と、この記録部１８１１に供給するためのインクを保持するインク容器１８１２とを備えている。インク容器１８１２は、境界線Ｋを境に記録部１８１１に着脱可能に設けられている。液体吐出ヘッド１８１０には、図７（ｃ）に示す液体吐出装置に搭載された時にキャリッジ側からの電気信号を受け取るための電気的コンタクト（不図示）が設けられている。この電気信号に基づいて発熱部１８０６が発熱する。インク容器１８１２内部には、インクを保持するために繊維質状若しくは多孔質状のインク吸収体が設けられており、これらのインク吸収体によってインクが保持されている。
図７（ｂ）に示す液体吐出ヘッド１８１０をインクジェット方式の液体吐出装置の本体に装着し、本体から液体吐出ヘッド１８１０へ付与される信号をコントロールする。このような構成により、高速記録、高画質記録を実現できるインクジェット方式の液体吐出装置を提供することができる。以下、このような液体吐出ヘッド１８１０を用いたインクジェット方式の液体吐出装置について説明する。
図７（ｃ）は、本発明に係る実施形態のインクジェット方式の液体吐出装置１９００を示す外観斜視図である。図７（ｃ）において、液体吐出ヘッド１８１０は、駆動モータ１９０１の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア１９０２、１９０３を介して回転するリードスクリュー１９０４の螺旋溝１９２１に対して係合するキャリッジ１９２０上に搭載されている。このような構成により、液体吐出ヘッド１８１０は、駆動モータ１９０１の駆動力によってキャリッジ１９２０と共にガイド１９１９に沿って矢印ａ又はｂ方向に往復移動可能となっている。不図示の記録媒体給送装置によってプラテン１９０６上に搬送される記録用紙Ｐ用の紙押え板１９０５は、キャリッジ移動方向に沿って記録用紙Ｐをプラテン１９０６に対して押圧する。
フォトカプラ１９０７、１９０８は、キャリッジ１９２０に設けられたレバー１９０９のフォトカプラ１９０７、１９０８が設けられた領域での存在を確認して駆動モータ１９０１の回転方向の切換等を行うためのホームポジション検知手段である。支持部材１９１０は液体吐出ヘッド１８１０の全面をキャップするキャップ部材１９１１を支持し、吸引手段１９１２はキャップ部材１９１１内を吸引し、キャップ内開口１９１３を介して液体吐出ヘッド１８１０の吸引回復を行う。移動部材１９１５は、クリーニングブレード１９１４を前後方向に移動可能にし、クリーニングブレード１９１４及び移動部材１９１５は、本体支持板１９１６に支持されている。クリーニングブレード１９１４は、図示の形態でなく周知のクリーニングブレードを本実施の形態に適用してもよい。また、レバー１９１７は、吸引回復の吸引を開始するために設けられ、キャリッジ１９２０と係合するカム１９１８の移動に伴って移動し、駆動モータ１９０１からの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手段で移動制御される。液体吐出ヘッド１８１０に設けられた発熱部１８０６に信号を供給し、駆動モータ１９０１等の各機構の駆動制御を司る記録制御部（不図示）は、装置本体側に設けられている。
上述のような構成のインクジェット方式の液体吐出装置１９００は、記録媒体給送装置によってプラテン１９０６上に搬送される記録用紙Ｐに対し、液体吐出ヘッド１８１０が記録用紙Ｐの全幅にわたって往復移動しながら記録を行う。液体吐出ヘッド１８１０は、前述の実施例の液体吐出用基板を用いているため、インクの吐出精度の向上と、低電圧での駆動とを両立することが可能となる。
次に、上述した装置の記録制御を実行するための制御回路の構成について説明する。図７（ｄ）はインクジェット方式の液体吐出装置１９００の制御回路の構成を示すブロック図である。制御回路は、記録信号が入力するインタフェース１７００、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）１７０１、プログラムＲＯＭ１７０２、ダイナミック型のＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）１７０３と、ゲートアレイ１７０４とを備えている。プログラムＲＯＭ１７０２は、ＭＰＵ１７０１が実行する制御プログラムを格納する。ダイナミック型のＲＡＭ１７０３は、上記記録信号やヘッドに供給される記録データ等の各種データを保存する。ゲートアレイ１７０４は、液体吐出ヘッド部１７０８に対する記録データの供給制御を行う。ゲートアレイ１７０４は、インタフェース１７００、ＭＰＵ１７０１、ＲＡＭ１７０３間のデータ転送制御も行う。さらにこの制御回路は、液体吐出ヘッド部１７０８を搬送するためのキャリアモータ１７１０と、記録紙搬送のための搬送モータ１７０９と、を備える。また、この制御回路は、液体吐出ヘッド部１７０８を駆動するヘッドドライバ１７０５、搬送モータ１７０９及びキャリアモータ１７１０をそれぞれ駆動するためのモータドライバ１７０６、１７０７を備えている。
上記制御構成の動作を説明すると、インタフェース１７００に記録信号が入るとゲートアレイ１７０４とＭＰＵ１７０１との間で記録信号がプリント用の記録データに変換される。そして、モータドライバ１７０６、１７０７が駆動されるとともに、ヘッドドライバ１７０５に送られた記録データに従って液体吐出ヘッドが駆動され、印字が行われる。
また、上記液体吐出装置は、３Ｄデータを有し、３次元の像を形成する装置としても用いることができる。
このように、第１及び第２の実施の形態いずれかの半導体装置を液体吐出装置に適用することによって、メモリ素子であるアンチヒューズ素子の書込みおよび読出し不良を低減することが可能となる。
ＭＤ１ トランジスタ
Ｒｐ 抵抗素子
１１ アンチヒューズ
１２ 調整手段

Claims (23)

  1. 第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
    前記トランジスタと、前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子の間に接続されたアンチヒューズ素子と、
    前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子と、
    前記抵抗素子に対向して配される温度調整手段と、
    を有する半導体装置。
  2. 前記温度調整手段は、前記抵抗素子と絶縁体を挟んで対向していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記絶縁体は、前記アンチヒューズ素子、前記抵抗素子及び前記トランジスタを覆う絶縁体層である請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記温度調整手段は、半導体基板の、前記トランジスタ、前記アンチヒューズ素子、及び前記抵抗素子が形成される面に対する平面視において、前記抵抗素子と重なる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. 前記温度調整手段は、ヒータである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記温度調整手段は、導電層である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 第１端子及び第２端子を有し、前記第１端子が第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
    第１端子及び第２端子を有し、前記トランジスタの前記第２端子に前記第１端子が接続され、前記第２端子が前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子に接続されたアンチヒューズ素子と、
    前記アンチヒューズ素子の前記第１端子と第１端子が接続され、前記アンチヒューズ素子の前記第１端子と第２端子が接続された抵抗素子と、
    半導体基板の前記トランジスタ、前記アンチヒューズ素子、及び前記抵抗素子が形成される面に対する平面視において、前記抵抗素子と重なるように配される導電層と、
    を有する半導体装置。
  8. 第１電位の第１電位端子に接続されたトランジスタと、
    前記トランジスタと、前記第１電位と異なる第２電位の第２電位端子の間に接続されたアンチヒューズ素子と、
    前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子を有する抵抗部と、
    前記抵抗素子の温度による特性の変化に起因する抵抗部の特性の変化を低減するための調整手段と、
    を有する半導体装置。
  9. 前記調整手段は、ヒータである請求項８に記載の半導体装置。
  10. 前記調整手段は、導電層である請求項８または９に記載の半導体装置。
  11. 前記調整手段は、前記抵抗素子に直列に接続されている請求項８に記載の半導体装置。
  12. 前記調整手段は、抵抗値の温度特性が前記抵抗素子の温度特性と逆の素子であることを特徴とする請求項８または１１に記載の半導体装置。
  13. 前記導電層の第１端子は第３電位の第３端子、第２端子は前記第３電位と異なる電位の第４端子に接続されることを特徴とする請求項６、７、及び１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
  14. 複数の前記抵抗素子が第１方向に配され、前記抵抗素子は、第１方向と交差する第２方向に延在する形状を有し、
    前記導電層は、半導体基板の、前記トランジスタが配される面に対する平面視において前記複数の抵抗素子と重なり、前記第１方向に延在する形状を有することを特徴とする請求項６、７、８、１１、及び１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  15. 前記トランジスタのチャネル形成領域は半導体基板に形成され、
    前記抵抗素子は、前記半導体基板に形成された半導体領域を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  16. 前記アンチヒューズ素子はＭＯＳ構造を有し、前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって情報が書き込まれるように構成されている請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  17. 前記抵抗素子の近傍に温度検出手段を有する請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  18. 前記抵抗素子の抵抗率の温度係数が２０００ｐｐｍ／℃以上である請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
  19. 前記抵抗素子の抵抗率の温度係数が４０００ｐｐｍ／℃以上である請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
  20. 液体を吐出するための複数の吐出用素子と、
    前記複数の吐出用素子と電気的に接続された制御回路と、
    前記制御回路と電気的に接続された請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
    を有する液体吐出ヘッド用基板。
  21. 前記吐出用素子は、ヒータであることを特徴とする請求項２０に記載の液体吐出ヘッド用基板。
  22. 請求項２０または２１に記載の液体吐出ヘッド用基板と、
    前記液体吐出ヘッド用基板の前記複数の吐出用素子のそれぞれ異なる１つに対応するように配された複数の吐出口と、
    を有する記録部と、
    前記記録部に取り付けられたインク容器と、を
    有する液体吐出ヘッド。
  23. 請求項２２に記載の液体吐出ヘッドと、
    前記液体吐出ヘッドが搭載されるキャリッジと、
    前記キャリッジを移動するためのガイドと、
    を有する液体吐出装置。
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